CN114752810A - 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 - Google Patents
一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114752810A CN114752810A CN202210298850.9A CN202210298850A CN114752810A CN 114752810 A CN114752810 A CN 114752810A CN 202210298850 A CN202210298850 A CN 202210298850A CN 114752810 A CN114752810 A CN 114752810A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- powder
- matrix
- nickel
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 99
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 39
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 35
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 30
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 30
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 27
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 22
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 21
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 20
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 claims description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 10
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005204 segregation Methods 0.000 abstract description 4
- ZUPBPXNOBDEWQT-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ni].[Cu] Chemical compound [Si].[Ni].[Cu] ZUPBPXNOBDEWQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 8
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/115—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces by spraying molten metal, i.e. spray sintering, spray casting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/18—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces by using pressure rollers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/18—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces by using pressure rollers
- B22F2003/185—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces by using pressure rollers by hot rolling, below sintering temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法；本发明在通常的铜镍硅合金的基础上，额外添加了锌和锡元素共溶，有效提高了引线框架的强度，并且通过使用喷射成形法制备了引线框架基体，提高引线框架基体的致密度，防止在后续失效处理时出现偏析行为，此外本发明还采用了多次冷轧与时效处理，增加铜合金内部的晶格畸变与位错，为第二相析出提供了更多形核点，加速了形核速率，并使第二相分布更加均匀，防止由于第二相过大造成强度下降的缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及金属加工技术领域，具体为一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法。
背景技术
引线框架作为线路板上支撑芯片工作，在内外电路之间起着散热、导电与连接固定的作用，因而对引线框架有着强度以及导电能力两方面的需求。铜金属具有着优异的导电性与散热性，但是为了增强引线框架的强度，仅靠铜金属本修身无法满足强度的需求，且引线框架的强度以及导电新能相矛盾，当需要增强引线框架强度时，铜合金内部添加的其余金属的量会增加，从而使导电率下降，因此目前亟需一种有效提高引线框架强度，而不至于另导电率下降过多的产品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种线路板用高强度半导体引线框架，具备以下特征：按重量百分比计，所述线路板用高强度半导体引线框架包括以下组分：1.3-2.1％镍、0.5-0.8％硅、0.49-1.13％锌、0.1-0.3％锡，余量为铜，杂质含量不超过0.32％
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，将获得的铜粉、镍粉、锌粉、锡粉与硅粉再次共混研磨15-30min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至900-960℃，保温6-8h后，对其进行热轧处理，热轧后，降温至800-850℃，保温1-2h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为40-60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至400-460℃，保温1-1.5h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至400-460℃，保温1.5-3h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
引线框架作为线路板上支撑芯片工作，在内外电路之间起着散热、导电与连接固定的作用，因而对引线框架有着强度以及导电能力两方面的需求。
为了增强引线框架的强度，仅靠铜金属本修身无法满足强度的需求，因此本发明除去铜金属外，还额外添加了镍、硅、锡、锌金属共混制备铜合金，并以此作为原材料制备引线框架。为增强引线框架的质地的均一性，在熔炼金属前，本发明首先对原料进行了研磨处理，将其研磨至粒径不足80微米的细小颗粒充分混合后进行熔炼，在增强其质地均一性的同时，降低了高熔点原料的熔炼温度，加速熔炼速度。
同时为了避免熔炼后金属液的氧化与提升制备得到的引线框架基体的致密性，本发明使用了喷射成形法制备引线框架基体，在高压惰性气体的挤压带动下，金属液会在喷嘴处快速喷出，并在气体阻力下迅速雾化为小液滴，并在气流带动下沉积在收集器上。小液体在收集器上会放热凝固啊，最终沉积为质地均匀，致密的引线框架基体，防止在后续工艺处理时出现偏析现象，造成强度失衡。
在对引线框架基体进行热轧成型后，本发明还对引线框架进行了多次的冷加工与时效强化；冷加工过程是在低温下，通过外力对基体进行加工，造成其内部晶格发生位错、畸变或孪晶等现象，之后进行时效处理时，由于温度比熔炼时的温度大大降低，此时铜合金内部所含有的锌、镍等金属固溶度下降，会变为超固溶的状态，当升温到时效温度后，在常温下移动困难的金属元素会进入活跃状态，此时超固溶的金属离子会逐渐析出，在铜合金的内部形成一个个的微粒作为第二相填充在铜合金内部，从而增强基体的强度。
本发明在一次冷轧与时效处理的基础上，进一步增加了第二次冷轧与时效处理；经由两次的冷轧处理后，铜合金基体内部的位错点与畸变点会增多，从而使得在时效处理时，铜基体内部析出的第二相可以有更多的析出位点，而不是完全依附在第一次时效处理时，所析出的第二相附近，使其增加，最终导致由于第二相析出物形成的微粒过大使得强化作用失效，反而成为了铜基体的强度缺陷点。经由二次冷轧与时效处理后，铜基体内部所形成的第二相析出微粒会更加均匀，并有效提高基体的位错密度，加速第二相的形核速率。
进一步的，所述步骤S1中，铜粉、锌粉、锡粉的粒径为50-80μm，镍粉、硅粉粒径为30-45μm。
进一步的，所述步骤a中，熔炼温度为1300-1350℃。
进一步的，所述步骤c中，喷射流参数为斜喷角10-20°，接受距离300-450mm，接受盘转速为40-60rpm，雾化温度为750-800℃，雾化压力为0.8-1MPa，下降速度为4-6mm/s。
进一步的，所述步骤S3中，热轧温度为850℃。
与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明在通常的铜镍硅合金的基础上，额外添加了锌和锡元素共溶，有效提高了引线框架的强度，并且通过使用喷射成形法制备了引线框架基体，提高引线框架基体的致密度，防止在后续失效处理时出现偏析行为，此外本发明还采用了多次冷轧与时效处理，增加铜合金内部的晶格畸变与位错，为第二相析出提供了更多形核点，加速了形核速率，并使第二相分布更加均匀，防止由于第二相过大造成强度下降的缺陷。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1.
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.49％锌、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1.5h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
实施例2.
与实施例1相比，本实施例降低了引线框架中铜的添加量，增加了镍、硅、细、锌的掺加量。
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照2.1％镍、0.8％硅、1.13％锌、0.3％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1.5h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
实施例3.
与实施例1相比，本实施例增加了第一次冷轧处理后的保温时长；
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.49％锌、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1.5h后冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1.5h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
实施例4.
与实施例1相比，本实施例增加了第二次冷轧处理后的保温时长；
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.49％锌、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温3h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
对比例1.
与实施例1相比，本对比例未添加锌元素；
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1.5h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
对比例2.
与实施例1相比，本对比例未使用喷射成形法制备引线框架基体；
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.49％锌、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入氩气保护；
c.将金属液在冷却水的辅助下，浇铸成铸锭；
S3.将制备得到铸锭基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理制备引线框架基体，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1.5h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
对比例3.
与实施例1相比，本对比例仅对引线框架进行一次冷轧与保温处理；
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.49％锌、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.将经步骤S4处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
对比例4.
与实施例1相比，本对比例延长了第二次冷轧后的保温时长；
一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，获得粒径为50-80μm的铜粉、锌粉和锡粉，以及粒径为30-45μm的硅粉和镍粉，并按重量百分比计，按照1.3％镍、0.5％硅、0.49％锌、0.1％锡，余量为铜的比例称取研磨后的原料，再次共混研磨15min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温至1300℃熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
其中喷射流参数为斜喷角20°，接受距离300mm，接受盘转速为60rpm，雾化温度为800℃，雾化压力为1MPa，下降速度为6mm/s；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至960℃，保温6h后，对其进行热轧处理，热轧处理温度为850℃，热轧后，降温至800℃，保温1h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温1h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至460℃，保温5h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
根据《GB/T 20254》对实施例1-4与对比例1-4制备的引线框架进行检测，检测结果见下表；
通过实施例1-2与对比例1的对比发现，本发明在铜元素基础上添加的其余金属元素与铜元素有着良好的结合能力，并可以有效增强引线框架的机械轻度；通过实施例1、3、4与对比例3、4的对比发现，本发明所采用的二次冷轧与时效处理，可以有效提高引线框架的机械强度，并降低对引线框架电导率的阻碍；通过实施例1与对比例2的对比发现，喷射成形法可以有效提高引线框架的致密度，防止在时效处理过程中的偏析行为。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种线路板用高强度半导体引线框架，其特征在于：按重量百分比计，所述线路板用高强度半导体引线框架包括以下组分：1.3-2.1％镍、0.5-0.8％硅、0.49-1.13％锌、0.1-0.3％锡，余量为铜，杂质含量不超过0.32％。
2.一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.将铜、镍、锌、锡以及硅原料分别置于球磨机内，充入氩气保护，分别研磨，研磨结束后，将获得的铜粉、镍粉、锌粉、锡粉与硅粉再次共混研磨15-30min后，取出；
S2.喷射成形制备引线框架基体：
a.将混合后的铜粉、镍粉、锌粉与硅粉升温熔炼，得到金属液；
b.对金属液进行除杂除气操作，并充入高压氩气雾化金属液，形成喷射流；
c.调整喷射流，使用收集器沉积喷射流，凝固制备引线框架基体；
S3.将制备得到的引线框架基体升温至900-960℃，保温6-8h后，对其进行热轧处理，热轧后，降温至800-850℃，保温1-2h后，炉冷至室温；
S4.对冷却后的引线框架基体进行第一次冷轧处理，加工率为40-60％，第一次冷轧结束后，将引线框架基体升温至400-460℃，保温1-1.5h后，冷却至室温；
S5.对冷却后的引线框架基体进行第二次冷轧处理，加工率为30-50％，第二次冷轧结束后，将引线框架基体升温至400-460℃，保温1.5-3h后，冷却至室温；
S6.将经步骤S5处理过的引线框架基体进行裁切，使用丙酮清洗表面，干燥后得到所述引线框架。
3.根据权利要求2所述的.一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，铜粉、锌粉、锡粉的粒径为50-80μm，镍粉、硅粉粒径为30-45μm。
4.根据权利要求2所述的.一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述步骤a中，熔炼温度为1300-1350℃。
5.根据权利要求2所述的.一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述步骤c中，喷射流参数为斜喷角10-20°，接受距离300-450mm，接受盘转速为40-60rpm，雾化温度为750-800℃，雾化压力为0.8-1MPa，下降速度为4-6mm/s。
6.根据权利要求2所述的.一种线路板用高强度半导体引线框架的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中，热轧温度为850℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210298850.9A CN114752810B (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210298850.9A CN114752810B (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114752810A true CN114752810A (zh) | 2022-07-15 |
| CN114752810B CN114752810B (zh) | 2023-04-11 |
Family
ID=82327140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210298850.9A Active CN114752810B (zh) | 2022-03-24 | 2022-03-24 | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114752810B (zh) |
Citations (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199647A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | Kobe Steel Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム材およびその製造法 |
| JPH0790520A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 高強度Ｃｕ合金薄板条の製造方法 |
| JPH0827551A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-01-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法 |
| WO2004005560A2 (en) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Olin Corporation | Copper alloy containing cobalt, nickel, and silicon |
| CN1540013A (zh) * | 2003-04-18 | 2004-10-27 | 日矿金属加工株式会社 | Cu-Ni-Si合金及其制造方法 |
| CN1940103A (zh) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | 中南大学 | Cu－TiB2纳米弥散合金及其制备方法 |
| JP2007270286A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dowa Holdings Co Ltd | Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系銅合金 |
| CN101279361A (zh) * | 2008-05-21 | 2008-10-08 | 北京科技大学 | 一种高强韧镁合金的制备方法 |
| JP2009007625A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Hitachi Cable Ltd | 電気・電子部品用高強度銅合金の製造方法 |
| JP2012046810A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Dowa Metaltech Kk | 銅合金板材およびその製造方法 |
| CN102703754A (zh) * | 2012-06-05 | 2012-10-03 | 太原理工大学 | 一种Cu-Ni-Si基合金及其制备方法 |
| CN103014410A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-03 | 山西春雷铜材有限责任公司 | 铜合金及其制备方法 |
| CN103403202A (zh) * | 2011-03-09 | 2013-11-20 | Jx日矿日石金属株式会社 | Cu-Ni-Si系合金及其制造方法 |
| CN104178660A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-03 | 河南科技大学 | 一种高强度Cu-Ni-Si合金及其制备方法 |
| CN105525135A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-04-27 | 江西理工大学 | 一种低各向异性指数高强Cu-Ni-Si系合金及其制备工艺 |
| CN105986132A (zh) * | 2015-01-30 | 2016-10-05 | 中南大学 | 通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法 |
| CN106191725A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-12-07 | 河南江河机械有限责任公司 | 高强度高导电铜合金纳米相析出工艺方法 |
| CN106244849A (zh) * | 2016-10-13 | 2016-12-21 | 龙岩学院 | 一种超声波强化高性能铜合金的制备方法 |
| CN107012344A (zh) * | 2017-04-22 | 2017-08-04 | 苏州南尔材料科技有限公司 | 一种铝铋硅合金的制备方法 |
| CN107794406A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-13 | 北京科技大学 | 一种高强高导铜镍硅合金的生产工艺 |
| CN107988512A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-04 | 中铝洛阳铜加工有限公司 | 一种高强高弹铜镍硅钴系引线框架加工工艺 |
| CN109072341A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-12-21 | 同和金属技术有限公司 | Cu-Ni-Si系铜合金板材和制造法 |
| CN110846533A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-28 | 东北大学 | 一种基于亚快速凝固的Cu-Ni-Si合金薄带的制备方法 |
| CN111636011A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-09-08 | 宁夏中色新材料有限公司 | 一种高强度高导电良好成形性的铜镍硅合金及制备方法 |
| CN113073215A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-06 | 江苏理工学院 | 一种被动重型防弹装甲用高熵合金的制备方法与应用 |
| TW202136532A (zh) * | 2020-01-09 | 2021-10-01 | 日商同和金屬股份有限公司 | Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系銅合金板材及其製造方法和通電零件 |
-
2022
- 2022-03-24 CN CN202210298850.9A patent/CN114752810B/zh active Active
Patent Citations (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199647A (ja) * | 1984-10-20 | 1986-05-17 | Kobe Steel Ltd | 半導体用リ−ドフレ−ム材およびその製造法 |
| JPH0790520A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 高強度Ｃｕ合金薄板条の製造方法 |
| JPH0827551A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-01-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気・電子機器部品用ＣｕーＮｉーＳｉ系合金の製造方法 |
| US20040079456A1 (en) * | 2002-07-02 | 2004-04-29 | Onlin Corporation | Copper alloy containing cobalt, nickel and silicon |
| JP2014095150A (ja) * | 2002-07-05 | 2014-05-22 | Olin Corp | コバルト、ニッケル、珪素を含む銅合金 |
| WO2004005560A2 (en) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Olin Corporation | Copper alloy containing cobalt, nickel, and silicon |
| CN1540013A (zh) * | 2003-04-18 | 2004-10-27 | 日矿金属加工株式会社 | Cu-Ni-Si合金及其制造方法 |
| CN1940103A (zh) * | 2005-09-30 | 2007-04-04 | 中南大学 | Cu－TiB2纳米弥散合金及其制备方法 |
| JP2007270286A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dowa Holdings Co Ltd | Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系銅合金 |
| JP2009007625A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Hitachi Cable Ltd | 電気・電子部品用高強度銅合金の製造方法 |
| CN101279361A (zh) * | 2008-05-21 | 2008-10-08 | 北京科技大学 | 一种高强韧镁合金的制备方法 |
| JP2012046810A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Dowa Metaltech Kk | 銅合金板材およびその製造方法 |
| CN103403202A (zh) * | 2011-03-09 | 2013-11-20 | Jx日矿日石金属株式会社 | Cu-Ni-Si系合金及其制造方法 |
| CN102703754A (zh) * | 2012-06-05 | 2012-10-03 | 太原理工大学 | 一种Cu-Ni-Si基合金及其制备方法 |
| CN103014410A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-04-03 | 山西春雷铜材有限责任公司 | 铜合金及其制备方法 |
| CN104178660A (zh) * | 2014-08-29 | 2014-12-03 | 河南科技大学 | 一种高强度Cu-Ni-Si合金及其制备方法 |
| CN105986132A (zh) * | 2015-01-30 | 2016-10-05 | 中南大学 | 通过喷射沉积与近熔点压制致密化制备高硅铝合金电子封装材料的方法 |
| CN105525135A (zh) * | 2015-12-16 | 2016-04-27 | 江西理工大学 | 一种低各向异性指数高强Cu-Ni-Si系合金及其制备工艺 |
| CN109072341A (zh) * | 2016-03-31 | 2018-12-21 | 同和金属技术有限公司 | Cu-Ni-Si系铜合金板材和制造法 |
| CN106191725A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-12-07 | 河南江河机械有限责任公司 | 高强度高导电铜合金纳米相析出工艺方法 |
| CN106244849A (zh) * | 2016-10-13 | 2016-12-21 | 龙岩学院 | 一种超声波强化高性能铜合金的制备方法 |
| CN107012344A (zh) * | 2017-04-22 | 2017-08-04 | 苏州南尔材料科技有限公司 | 一种铝铋硅合金的制备方法 |
| CN107794406A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-13 | 北京科技大学 | 一种高强高导铜镍硅合金的生产工艺 |
| CN107988512A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-04 | 中铝洛阳铜加工有限公司 | 一种高强高弹铜镍硅钴系引线框架加工工艺 |
| CN110846533A (zh) * | 2019-10-30 | 2020-02-28 | 东北大学 | 一种基于亚快速凝固的Cu-Ni-Si合金薄带的制备方法 |
| TW202136532A (zh) * | 2020-01-09 | 2021-10-01 | 日商同和金屬股份有限公司 | Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系銅合金板材及其製造方法和通電零件 |
| CN111636011A (zh) * | 2020-04-26 | 2020-09-08 | 宁夏中色新材料有限公司 | 一种高强度高导电良好成形性的铜镍硅合金及制备方法 |
| CN113073215A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-06 | 江苏理工学院 | 一种被动重型防弹装甲用高熵合金的制备方法与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114752810B (zh) | 2023-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107653386B (zh) | 一种Cu-Cr-Nb合金的制备方法 | |
| CN111534710B (zh) | 一种含有Cr2Nb相的高强高导耐高温铜合金的制备方法 | |
| CN104668807B (zh) | 一种低熔点钎料球形粉末的制造方法 | |
| CN113913646B (zh) | 一种铜镍锡合金铸锭的制备方法 | |
| TWI617680B (zh) | Cu-Ga alloy sputtering target and manufacturing method thereof | |
| CN110899712A (zh) | 一种适合增材制造用含铝、铁成分的高熵合金及其改性方法 | |
| CN114774865A (zh) | 一种铝钪合金靶材及其制备方法 | |
| CN114752810B (zh) | 一种线路板用高强度半导体引线框架及其制备方法 | |
| TWI765570B (zh) | 無鉛且無銻之焊料合金、焊球，及焊料接頭 | |
| CN107794405B (zh) | 一种细晶粒铜锡合金及其制备方法 | |
| CN116765380B (zh) | 一种增材制造用形状记忆高熵合金粉末及其制备方法 | |
| CN110102931A (zh) | 一种改进的微电子封装用低银Sn-Ag-Cu焊料及其制备方法 | |
| KR102048210B1 (ko) | 무연 솔더 합금 조성물 및 이의 제조방법 | |
| CN109848606B (zh) | 一种高界面结合强度的Sn-Ag-Cu无铅焊料及其制备方法 | |
| JP2000061585A (ja) | 半田材料の鋳造方法 | |
| CN113073242A (zh) | 一种导电性能良好的铝合金材料及其生产方法 | |
| JPH11323411A (ja) | 低融点金属粉末およびその製造方法 | |
| CN112962069B (zh) | 一种含金属间化合物的铝合金靶材及其制备方法 | |
| KR102067678B1 (ko) | 무연 솔더 합금 조성물 및 이의 제조방법 | |
| CN112962072B (zh) | 一种低氧大尺寸含铝基金属间化合物的合金靶材及其制备方法 | |
| KR20190021065A (ko) | 무연 솔더 합금 조성물 및 이의 제조방법 | |
| JP6649430B2 (ja) | 高純度タンタル粉末及びその調製方法 | |
| CN115612872B (zh) | 一种超高纯铜锰合金的熔炼工艺 | |
| JP2004268065A (ja) | ナノコンポジット構造を有する錫−亜鉛系無鉛ハンダ合金およびその製造方法 | |
| CN116038175A (zh) | 一种Ni强化的Sn-20Bi系无铅焊料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |