CN114714724B - 一种热熔胶转移膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种热熔胶转移膜及其制备方法,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,所述上表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;所述上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯‑乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂;所述芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土;所述下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯‑乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂;所述下表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐。本发明提供的热熔胶转移膜具有优异的力学性能、防水防油性能,且使用寿命长,平整度和贴合度佳的特性,符合目前对热熔胶转移膜的性能要求。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜制备技术领域,更具体地,涉及一种热熔胶转移膜及其制备方法。
背景技术
热熔胶通常用于服装、鞋业、印刷、包箱、皮革、工艺品、电子产品等方面,其特点是可以做到无缝粘合,其作用原理是通过高温复合设备把热熔胶烫印到材料表面,干燥后按样板进行冲裁,并去除热熔胶的离型纸,再通过高温高压烫到网布等其他布料上,形成精美的logo或装饰。
目前热熔胶的常用离型纸采用的是格拉辛纸,格拉辛纸是一种工业纸,存在力学性能低、防水防油性能不佳、加工工序多的缺陷。
如何满足下游对热熔胶离型纸的需求并解决上述问题是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的之一在于提供一种热熔胶转移膜,具有克重低、力学性能高、防水防油性能良好、加工便捷,使用寿命长的特性。
为实现上述目的,本发明的技术方案为:
一种热熔胶转移膜,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,
所述上表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;
所述上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂;
所述芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土;
所述下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂;
所述下表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐。
优选的,在所述上表层中,所述纳米硅酸盐占所述上表层制备原料总重量的2-8%;
在所述上次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物20-30%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物1-5%,相容剂1-5%,其余为均聚聚丙烯;
在所述芯层中,各原料的重量百分比为:珠光母粒10-30%,蒙脱土2-6%,其余为均聚聚丙烯;
在所述下次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物20-30%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物1-5%,抗静电剂1-3%,相容剂1-5%,其余为均聚聚丙烯;
所述下表层中各原料重量百分比与所述上表层相同。
优选的,所述改性丙烯酸酯类高分子聚合物的制备原料包括:十八烷基甲基丙烯酸酯、改性剂A、改性剂B和引发剂;其中,所述改性剂A为5-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚或4-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚;所述改性剂B为3,4,5-三羟基苯甲酸、4-溴-3-羟基苯甲酸或4-乙氧基-2-羟基苯甲酸中的一种;所述引发剂为过氧甲酸、过氧乙酸叔丁酯或过氧化丁二酸中的一种。
优选的,所述改性丙烯酸酯类高分子聚合物中各制备原料的重量百分比为:改性剂A为1-5%,改性剂B为1-5%,引发剂为0.1-0.5%,其余均为十八烷基甲基丙烯酸酯。
本发明的目的之二在于提供上述任一所述热熔胶转移膜的制备方法,该制备方法工艺简单,无需在使用前进行涂布处理,成本低,具有较高的应用价值,包括以下步骤:
1)称取原料:按比例称量上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的各制备原料,并分别混匀备用;
2)挤出:将上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的制备原料分别加入模头中各自对应的挤出机中,五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成铸片;
3)将步骤2)所得铸片依次经纵向拉伸、横向拉伸、收卷、电晕处理、时效处理以及分切,最终得到产品。
优选的,步骤2)中,上表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,上次表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,芯层对应的挤出机的温度设定为200-250℃,下次表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,下表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,模头温度设定为180-250℃。
优选的,步骤2)中,所述芯层对应的挤出机为双螺杆挤出机,将芯层的制备原料加入双螺杆挤出机中进行塑化时去除多余的空气后,再进行二次塑化、计量和过滤;上表层、上次表层、下次表层和下表层对应的挤出机均为单螺杆挤出机;五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成铸片的厚度为1-2mm。
优选的,步骤3)中,纵向拉伸时,预热区的温度为120-135℃,拉伸辊的温度为125-128℃,拉伸倍率为4.0-5.0倍,定型辊的温度为100-135℃。
优选的,步骤3)中,横向拉伸时,预热区温度为164-176℃,拉伸区温度为152-162℃,定型区温度为165-175℃,冷却区温度为室内温度,厚片的最大拉伸倍率为8.0-9.0倍。
优选的,步骤3)中,电晕处理时,电晕功率为30-50Wmin/m。
本发明的有益效果在于:
本发明制备得到的热熔胶转移膜具有优异的力学性能、防水防油性能,且使用寿命长,平整度和贴合度佳的特性,符合目前对热熔胶转移膜的性能要求;且其制备方法工艺简单,成本低,具有较高的应用价值。
具体实施方式
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。
本发明实施例中涉及的部分原料的厂家如下表1所示:
表1
原料 | 牌号 |
珠光母粒 | ZG9048 |
均聚聚丙烯 | L5D98V |
消光母粒 | YY8500 |
抗静电剂 | AS5625 |
相容剂 | MP350 |
实施例1
一种热熔胶转移膜,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,上表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐,上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂,芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土,下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂,下表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;其中,上表层中,纳米硅酸盐占上表层制备原料总重量的5%;上次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物25%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物3%,相容剂3%,其余为均聚聚丙烯;芯层中,各原料的重量百分比为:珠光母粒20%,蒙脱土4%,其余为均聚聚丙烯;下次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物25%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物2.5%,抗静电剂2%,相容剂3%,其余为均聚聚丙烯;下表层中,纳米硅酸盐占下表层制备原料总重量的5%。
其中,蒙脱土为改性蒙脱土,其制备方法为:按照重量份称取蒙脱土50份,加入300份水中,搅拌均匀,置于60-80℃下搅拌1-2小时,静置1小时,待用;
称取十二烷基硫酸钠5份,溶于少量水中,然后缓慢加入至静置后的蒙脱土分散液中,通入氮气的情况下,加热处理20-25小时;反反应液倒出经过滤、洗涤、干燥后即得改性蒙脱土。
该热熔胶转移膜的制备方法包括以下步骤:
制备改性丙烯酸酯类高分子聚合物:按照重量份称取十八烷基甲基丙烯酸酯95份、5-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚2份、3,4,5-三羟基苯甲酸3份,混合,加热至168℃,然后加入过氧甲酸0.3份,搅拌12小时后,冷却后即得改性丙烯酸酯类高分子聚合物,在制备本实施例的热熔胶转移膜时,将其作为原料。
制备热熔胶转移膜:
1)称取原料:按本实施例中比例称量上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的各制备原料,并分别混匀备用;
2)挤出:将上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的制备原料分别加入模头中各自对应的挤出机中,五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成厚度为1-2mm铸片;其中,上表层对应的单螺杆挤出机的温度设定为210℃,上次表层对应的挤出机的温度设定为220℃,芯层对应的挤出机的温度设定为225℃,下次表层对应的挤出机的温度设定为220℃,下表层对应的挤出机的温度设定为210℃,模头温度设定为230℃;
3)将步骤2)所得铸片依次经纵向拉伸、横向拉伸、收卷、电晕处理、时效处理以及分切,最终得到产品;其中,纵向拉伸时,预热区的温度为130℃,拉伸辊的温度为126℃,拉伸倍率为4.5倍,定型辊的温度为120℃;横向拉伸时,预热区温度为170℃,拉伸区温度为157℃,定型区温度为170℃,冷却区温度为室内温度,厚片的最大拉伸倍率为8.5倍;电晕处理时,上表面电晕功率为44Wmin/m,下表面电晕功率为30Wmin/m。
最终制备得到的热熔胶转移膜的厚度为122μm,密度0.58g/cm3;其中上表层的厚度为4.93μm,上次表层的厚度为11.8μm,芯层的厚度为88.8μm,下次表层的厚度为12.95μm,下表层的厚度为3.52μm。
实施例2
一种热熔胶转移膜,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,上表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐,上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂,芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土,下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂,下表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;其中,上表层中,纳米硅酸盐占上表层制备原料总重量的3%;上次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物21%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物2%,相容剂1.5%,其余为均聚聚丙烯;芯层中,各原料的重量百分比为:珠光母粒12%,蒙脱土2%,其余为均聚聚丙烯;下次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物21%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物2%,抗静电剂1%,相容剂2%,其余为均聚聚丙烯;下表层中,纳米硅酸盐占下表层制备原料总重量的3%。
该热熔胶转移膜的制备方法包括以下步骤:
制备改性丙烯酸酯类高分子聚合物:按照重量份称取十八烷基甲基丙烯酸酯100份、4-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚5份、4-乙氧基-2-羟基苯甲酸5份,混合,加热至160℃,然后加入过氧乙酸叔丁酯0.5份,搅拌12小时后,冷却后即得改性丙烯酸酯类高分子聚合物,在制备热熔胶转移膜时,将其作为原料。
制备热熔胶转移膜:
1)称取原料:按本实施例中比例称量上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的各制备原料,并分别混匀备用;
2)挤出:将上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的制备原料分别加入模头中各自对应的挤出机中,五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成厚度为1-2mm铸片;其中,上表层对应的单螺杆挤出机的温度设定为200℃,上次表层对应的挤出机的温度设定为210℃,芯层对应的挤出机的温度设定为215℃,下次表层对应的挤出机的温度设定为210℃,下表层对应的挤出机的温度设定为200℃,模头温度设定为220℃;
3)将步骤2)所得铸片依次经纵向拉伸、横向拉伸、收卷、电晕处理、时效处理以及分切,最终得到产品;其中,纵向拉伸时,预热区的温度为120℃,拉伸辊的温度为125℃,拉伸倍率为4倍,定型辊的温度为100℃;横向拉伸时,预热区温度为164℃,拉伸区温度为152℃,定型区温度为165℃,冷却区温度为室内温度,厚片的最大拉伸倍率为8倍;电晕处理时,上表面电晕功率为44Wmin/m,下表面电晕功率为30Wmin/m。
最终制备得到的热熔胶转移膜的厚度为127μm,密度0.56g/cm3;其中上表层的厚度4.65μm,上次表层的厚度11.42μm,芯层的厚度为94.97μm,下次表层的厚度为12.6μm,下表层的厚度为3.36μm。
实施例3
一种热熔胶转移膜,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,上表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐,上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂,芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土,下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂,下表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;其中,上表层中,纳米硅酸盐占上表层制备原料总重量的7%;上次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物28%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物5%,相容剂5%,其余为均聚聚丙烯;芯层中,各原料的重量百分比为:珠光母粒28%,蒙脱土5%,其余为均聚聚丙烯;下次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物28%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物5%,抗静电剂3%,相容剂5%,其余为均聚聚丙烯;下表层中,纳米硅酸盐占下表层制备原料总重量的7%。
该热熔胶转移膜的制备方法包括以下步骤:
制备改性丙烯酸酯类高分子聚合物:按照重量份称取十八烷基甲基丙烯酸酯92份、5-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚3份、4-溴-3-羟基苯甲酸4份,混合,加热至160℃,然后加入过氧化丁二酸0.2份,搅拌12小时后,冷却后即得改性丙烯酸酯类高分子聚合物,在制备热熔胶转移膜时,将其作为原料。
制备热熔胶转移膜:
1)称取原料:按本实施例中比例称量上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的各制备原料,并分别混匀备用;
2)挤出:将上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的制备原料分别加入模头中各自对应的挤出机中,五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成厚度为1-2mm铸片;其中,上表层对应的单螺杆挤出机的温度设定为225℃,上次表层对应的挤出机的温度设定为230℃,芯层对应的挤出机的温度设定为240℃,下次表层对应的挤出机的温度设定为230℃,下表层对应的挤出机的温度设定为225℃,模头温度设定为250℃;
3)将步骤2)所得铸片依次经纵向拉伸、横向拉伸、收卷、电晕处理、时效处理以及分切,最终得到产品;其中,纵向拉伸时,预热区的温度为135℃,拉伸辊的温度为128℃,拉伸倍率为5倍,定型辊的温度为135℃;横向拉伸时,预热区温度为176℃,拉伸区温度为162℃,定型区温度为175℃,冷却区温度为室内温度,厚片的最大拉伸倍率为9倍;电晕处理时,上表面电晕功率为45Wmin/m,下表面电晕功率为35Wmin/m。
最终制备得到的热熔胶转移膜的厚度为113μm,密度0.61g/cm3;其中上表层的厚度为4.83μm,上次表层的厚度为11.82μm,芯层的厚度为79.82μm,下次表层的厚度为12.89μm,下表层的厚度为3.64μm。
实施例4
一种热熔胶转移膜,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,上表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐,上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂,芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土,下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂,下表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;其中,上表层中,纳米硅酸盐占上表层制备原料总重量的5%;上次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物26%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物4%,相容剂5%,其余为均聚聚丙烯;芯层中,各原料的重量百分比为:珠光母粒25%,蒙脱土3%,其余为均聚聚丙烯;下次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物26%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物4%,抗静电剂2.5%,相容剂4%,其余为均聚聚丙烯;下表层中,纳米硅酸盐占下表层制备原料总重量的5%。
该热熔胶转移膜的制备方法包括以下步骤:
制备改性丙烯酸酯类高分子聚合物:按照重量份称取十八烷基甲基丙烯酸酯96份、4-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚2份、3,4,5-三羟基苯甲酸3份,混合,加热至168℃,然后加入过氧甲酸0.4份,搅拌12小时后,冷却后即得改性丙烯酸酯类高分子聚合物,在制备本实施例的热熔胶转移膜时,将其作为原料。
制备热熔胶转移膜:
1)称取原料:按本实施例中比例称量上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的各制备原料,并分别混匀备用;
2)挤出:将上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的制备原料分别加入模头中各自对应的挤出机中,五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成厚度为1-2mm铸片;其中,上表层对应的单螺杆挤出机的温度设定为200℃,上次表层对应的挤出机的温度设定为210℃,芯层对应的挤出机的温度设定为220℃,下次表层对应的挤出机的温度设定为220℃,下表层对应的挤出机的温度设定为200℃,模头温度设定为230℃;
3)将步骤2)所得铸片依次经纵向拉伸、横向拉伸、收卷、电晕处理、时效处理以及分切,最终得到产品;其中,纵向拉伸时,预热区的温度为125℃,拉伸辊的温度为127℃,拉伸倍率为4倍,定型辊的温度为110℃;横向拉伸时,预热区温度为166℃,拉伸区温度为154℃,定型区温度为169℃,冷却区温度为室内温度(25℃),厚片的最大拉伸倍率为8倍;电晕处理时,上表面电晕功率为45Wmin/m,下表面电晕功率为33Wmin/m。
最终制备得到的热熔胶转移膜的厚度为129μm,密度0.56g/cm3;其中上表层的厚度为4.73μm,上次表层的厚度为11.73μm,芯层的厚度为96.24μm,下次表层的厚度为12.81μm,下表层的厚度为3.49μm。
对比实施例1
本实施例与实施例1中的区别在于,上表层和下表层的制备原料中均不含有纳米硅酸盐,即上表层和下表层的制备原料全部为消光母料。其余各层原料均一致,且制备方法均相同。
对比实施例2
本实施例与实施例1中的区别在于,上次表层和下次表层的制备原料中均不含有乙烯-乙烯醇共聚物。其余各层原料均一致,且制备方法均相同。
对比实施例3
本实施例与实施例1中的区别在于,上次表层和下次表层的制备原料中均不含有改性丙烯酸酯类高分子聚合物。其余各层原料均一致,且制备方法均相同。
对比实施例4
本实施例与实施例1中的区别在于,在制备改性丙烯酸酯类高分子聚合物时,未添加3,4,5-三羟基苯甲酸和过氧甲酸。其余各层原料均一致,且制备方法均相同。
对比实施例5
本实施例与实施例1中的区别在于,芯层的制备原料中添加的蒙脱土为未经改性的蒙脱土。
性能测试
测试1
将实施例1制备得到的热熔胶转移膜与市面常用的格拉辛离型纸、以及对比实施例1-5制备得到的热熔胶转移膜的比对结果如下表2和表3所示:
表2
平整度 | 贴合度 | 是否预先涂布加工 | |
实施例1 | 好 | 好 | 否 |
对比例1 | 好 | 好 | 否 |
对比例2 | 良好 | 良好 | 否 |
对比例3 | 好 | 好 | 否 |
对比例4 | 好 | 好 | 否 |
对比例5 | 好 | 好 | 否 |
格拉辛纸 | 较好 | 较好 | 是 |
表3
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种热熔胶转移膜,其特征在于,包括自上而下的上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层,
所述上表层的制备原料包括消光母料和纳米硅酸盐;
所述上次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物和相容剂;
所述芯层的制备原料包括均聚聚丙烯、珠光母粒和蒙脱土,所述蒙脱土为改性蒙脱土,其制备方法为:按照重量份称取蒙脱土50份,加入300 份水中,搅拌均匀,置于60-80℃下搅拌1-2小时,静置1小时,待用; 称取十二烷基硫酸钠5份,溶于少量水中,然后缓慢加入至静置后的蒙脱土分散液 中,通入氮气的情况下,加热处理20-25小时;反应液倒出经过滤、洗涤、干燥后即得改性蒙脱土;
所述下次表层的制备原料包括均聚聚丙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、改性丙烯酸酯类高分子聚合物、抗静电剂和相容剂;
所述下表层的制备原料为消光母料和纳米硅酸盐;
其中,在所述上表层中,所述纳米硅酸盐占所述上表层制备原料总重量的2-8%;
在所述上次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物20-30%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物1-5%,相容剂1-5%,其余为均聚聚丙烯;
在所述芯层中,各原料的重量百分比为:珠光母粒10-30%,蒙脱土2-6%,其余为均聚聚丙烯;
在所述下次表层中,各原料的重量百分比为:乙烯-乙烯醇共聚物20-30%,改性丙烯酸酯类高分子聚合物1-5%,抗静电剂1-3%,相容剂1-5%,其余为均聚聚丙烯;
所述下表层中各原料重量百分比与所述上表层相同;
所述改性丙烯酸酯类高分子聚合物的制备原料包括:十八烷基甲基丙烯酸酯、改性剂A、改性剂B和引发剂;其中,所述改性剂A为5-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚或4-氨基-2-(2H-1,2,3-三唑-2-基)苯酚;所述改性剂B为3,4,5-三羟基苯甲酸、4-溴-3-羟基苯甲酸或4-乙氧基-2-羟基苯甲酸中的一种;所述引发剂为过氧甲酸、过氧乙酸叔丁酯或过氧化丁二酸中的一种;
所述改性丙烯酸酯类高分子聚合物中各制备原料的重量百分比为:改性剂A为1-5%,改性剂B为1-5%,引发剂为0.1-0.5%,其余均为十八烷基甲基丙烯酸酯。
2.一种权利要求1所述热熔胶转移膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)称取原料:按比例称量上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的各制备原料,并分别混匀备用;
2)挤出:将上表层、上次表层、芯层、下次表层和下表层的制备原料分别加入模头中各自对应的挤出机中,五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成铸片;
3)将步骤2)所得铸片依次经纵向拉伸、横向拉伸、收卷、电晕处理、时效处理以及分切,最终得到产品。
3.根据权利要求2所述的热熔胶转移膜的制备方法,其特征在于,
步骤2)中,上表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,上次表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,芯层对应的挤出机的温度设定为200-250℃,下次表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,下表层对应的挤出机的温度设定为190-230℃,模头温度设定为180-250℃。
4.根据权利要求2所述的热熔胶转移膜的制备方法,其特征在于,
步骤2)中,所述芯层对应的挤出机为双螺杆挤出机,将芯层的制备原料加入双螺杆挤出机中进行塑化时去除多余的空气后,再进行二次塑化、计量和过滤;上表层、上次表层、下次表层和下表层对应的挤出机均为单螺杆挤出机;五层对应原料通过对应的连接管从模头共同挤出形成铸片的厚度为1-2mm。
5.根据权利要求2所述的热熔胶转移膜的制备方法,其特征在于,
步骤3)中,纵向拉伸时,预热区的温度为120-135℃,拉伸辊的温度为125-128℃,拉伸倍率为4.0-5.0倍,定型辊的温度为100-135℃。
6.根据权利要求2所述的热熔胶转移膜的制备方法,其特征在于,
步骤3)中,横向拉伸时,预热区温度为164-176℃,拉伸区温度为152-162℃,定型区温度为165-175℃,冷却区温度为室内温度,厚片的最大拉伸倍率为8.0-9.0倍。
7.根据权利要求2所述的热熔胶转移膜的制备方法,其特征在于,步骤3)中,电晕处理时,电晕功率为30-50Wmin/m。
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