CN114694974A - 卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电解电容器封装结构包括卷绕型电容器、封装结构、第一导电接脚以及第二导电接脚。卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片以及卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚与第二导电接脚电性接触卷绕型电容器。卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层。借此，导电化合物层能用于防止导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以导电基底的厚度能通过导电化合物层的保护而不会改变。
Description
技术领域
本发明涉及一种电容器封装结构及其卷绕式负极箔片，特别是涉及一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片。
背景技术
电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等，是电子产品中不可缺少的组件之一。然而，现有技术中的卷绕型电容器的负极箔片容易受到电解液溶液的腐蚀而降低其原有厚度。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种卷绕型电解电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装结构、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。卷绕型电容器包括一卷绕式正极箔片、一卷绕式抗腐蚀负极箔片以及两个卷绕式绝缘隔离纸，两个卷绕式绝缘隔离纸的其中之一设置在卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之间，卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者其中之一设置在两个卷绕式绝缘隔离纸之间。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚包括被容置在封装结构的内部的一第一内埋部以及裸露在封装结构的外部的一第一裸露部，第一导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个。第二导电接脚包括被容置在封装结构的内部的一第二内埋部以及裸露在封装结构的外部的一第二裸露部，第二导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个。其中，卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种卷绕型电解电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装结构、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。卷绕型电容器包括一卷绕式正极箔片以及一卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个。第二导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个。其中，卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种卷绕型电解电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装结构、一第一导电接脚以及一第二导电接脚。卷绕型电容器包括一卷绕式正极箔片以及一卷绕式抗腐蚀负极箔片。卷绕型电容器被容置在封装结构内。第一导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个。第二导电接脚电性接触卷绕式正极箔片与卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个。其中，卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外又一技术方案是提供一种卷绕式抗腐蚀负极箔片，其包括：一导电基底以及两个导电化合物层。两个导电化合物层分别设置在导电基底的两相反表面上。其中，导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。其中，氮化物层至少由氮化物(nitride)所制成，且氮化物选自于由氮化硅(Si3N4)、氮化钛(TiN)、氮化铝(AlN)、氮化钛铝((Ti,Al)N)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)、氮化钨(WN)以及氮化钽(TaN)所组成的群组；其中，碳化物层至少由碳化物(carbide)所制成，且碳化物选自于由碳化钛(TiC)、碳化铝(AlC)、碳化铬(CrC)、碳化钼(MoC)、碳化钨(WC)以及碳化钽(TaC)所组成的群组；其中，碳氮化物层至少由碳氮化物(carbon nitride)所制成，且碳氮化物选自于由碳氮化钛(TiCxNy)、碳氮化铝(AlCxNy)、碳氮化铬(CrCxNy)、碳氮化钼(MoCxNy)、碳氮化钨(WCxNy)以及碳氮化钽(TaCxNy)所组成的群组；其中，氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且氮氧化物选自于由氮氧化钛(TiOxNy)、氮氧化铝(AlOxNy)、氮氧化铬(CrOxNy)、氮氧化钼(MoOxNy)、氮氧化钨(WOxNy)以及氮氧化钽(TaOxNy)所组成的群组；其中，碳氧化物层至少由碳氧化物(carbonoxide)所制成，且碳氧化物选自于由碳氧化钛(TiOxCy)、碳氧化铝(AlOxCy)、碳氧化铬(CrOxCy)、碳氧化钼(MoOxCy)、碳氧化钨(WOxCy)以及碳氧化钽(TaOxCy)所组成的群组。
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片，其能通过“卷绕式抗腐蚀负极箔片包括一导电基底以及分别设置在导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层”以及“导电化合物层为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者”的技术方案，以使得导电化合物层能用于防止导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以导电基底的厚度能通过导电化合物层的保护而不会改变。
为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明所提供的卷绕型电解电容器封装结构的卷绕型电容器的示意图。
图2为本发明所提供的卷绕型电解电容器封装结构的示意图。
图3为本发明第一实施例所提供的卷绕型电解电容器封装结构的卷绕式抗腐蚀负极箔片的示意图。
图4为图3的IV部分的放大示意图。
图5为图3的V部分的放大示意图。
图6为本发明第二实施例所提供的卷绕型电解电容器封装结构的卷绕式抗腐蚀负极箔片的示意图。
图7为图6的VII部分的放大示意图。
图8为图6的VIII部分的放大示意图。
【符号说明】
Z:卷绕型电解电容器封装结构
1:卷绕型电容器
11:卷绕式正极箔片
12:卷绕式抗腐蚀负极箔片
120:导电基底
1200:氧化层
12000:粗糙化表面
121:导电化合物层
13:卷绕式绝缘隔离纸
2:封装结构
20:壳体结构
3:第一导电接脚
31:第一内埋部
32:第一裸露部
4:第二导电接脚
41:第二内埋部
42:第二裸露部
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[第一实施例]
配合图1至图5所示，本发明第一实施例提供一种卷绕型电解电容器封装结构Z，其包括：一卷绕型电容器1、一封装结构2、一第一导电接脚3以及一第二导电接脚4。
首先，如图1所示，卷绕型电容器1包括一卷绕式正极箔片11、一卷绕式抗腐蚀负极箔片12以及两个卷绕式绝缘隔离纸13。更进一步来说，两个卷绕式绝缘隔离纸13的其中之一设置在卷绕式正极箔片11与卷绕式抗腐蚀负极箔片12两者之间，并且卷绕式正极箔片11与卷绕式抗腐蚀负极箔片12两者其中之一设置在两个卷绕式绝缘隔离纸13之间。举例来说，如图1所示，卷绕式正极箔片11会设置在两个卷绕式绝缘隔离纸13之间。另外，卷绕式绝缘隔离纸13可为一种通过含浸方式以附着有电解液溶液的隔离纸或者纸制箔片。然而，本发明不以上述所举出的例子为限。
再者，配合图1与图2所示，卷绕型电容器1被容置在封装结构2内。举例来说，封装结构2包括一壳体结构20(例如铝壳或其它金属壳体)，然而本发明不以此举例为限。此外，第一导电接脚3包括被容置在封装结构2的内部的一第一内埋部31以及裸露在封装结构2的外部的一第一裸露部32，并且第一导电接脚3电性接触卷绕式正极箔片11与卷绕式抗腐蚀负极箔片12两者之中的其中一个。另外，第二导电接脚4包括被容置在封装结构2的内部的一第二内埋部41以及裸露在封装结构2的外部的一第二裸露部42，并且第二导电接脚4电性接触卷绕式正极箔片11与卷绕式抗腐蚀负极箔片12两者之中的另外一个。
此外，配合图3至图5所示，卷绕式抗腐蚀负极箔片12包括一导电基底120以及分别设置在导电基底120的两相反表面上的两个导电化合物层121。举例来说，卷绕式抗腐蚀负极箔片12的厚度小于或者等于50μm，并且形成在卷绕式抗腐蚀负极箔片12上的导电化合物层121的厚度可介于10nm至2000nm之间，另一佳的范围为10nm至500nm之间。另外，导电基底120的两个表面都可以是由机械加工(例如滚压、压印等方式)所形成的粗糙化表面12000，并且粗糙化表面12000的粗糙度可以小于或者等于50μm。借此，由于通过粗糙化表面12000的形成而增加导电基底120的表面积，使得导电化合物层121附着在导电基底120的附着强度也能被提升，所以导电化合物层121不容易脱离导电基底120，以有效提升卷绕式抗腐蚀负极箔片12的可靠度。然而，本发明不以上述所举出的例子为限。
值得注意的是，如图4或者图5所示，导电基底120可为Al材料，并且导电基底120没有氧化层且没有腐蚀层。也就是说，当导电基底120尚未被氧化前，两个导电化合物层121可以预先分别设置在导电基底120的两个粗糙化表面12000上。导电化合物层121可为厚度介于10nm至2000nm之间的一电解液溶液阻隔层，以用于防止导电基底120被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以导电基底120的厚度能通过导电化合物层121的保护而不会改变。也就是说，由于导电基底120能通过导电化合物层121的保护而不会受到电解液溶液的腐蚀而降低原有的厚度，所以本发明所使用的导电化合物层121的厚度即使只有10nm，导电基底120还是能通过导电化合物层121的保护而不会被电解液溶液所腐蚀而降低原有的厚度，以使得卷绕式抗腐蚀负极箔片12依然能够保持能够满足后续加工条件的结构强度。然而，本发明不以上述所举出的例子为限。
举例来说，导电化合物层121可为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者。然而，本发明不以上述所举出的例子为限。
当导电化合物层121为氮化物层时，氮化物层至少由氮化物(nitride)所制成，并且氮化物可选自于由氮化硅(Si3N4)、氮化钛(TiN)、氮化铝(AlN)、氮化钛铝((Ti,Al)N)、氮化铬(CrN)、氮化钼(MoN)、氮化钨(WN)以及氮化钽(TaN)所组成的群组。
当导电化合物层121为碳化物层时，碳化物层至少由碳化物(carbide)所制成，且碳化物可选自于由碳化钛(TiC)、碳化铝(AlC)、碳化铬(CrC)、碳化钼(MoC)、碳化钨(WC)以及碳化钽(TaC)所组成的群组。
当导电化合物层121为碳氮化物层时，碳氮化物层至少由碳氮化物(carbonnitride)所制成，且碳氮化物可选自于由碳氮化钛(TiCxNy)、碳氮化铝(AlCxNy)、碳氮化铬(CrCxNy)、碳氮化钼(MoCxNy)、碳氮化钨(WCxNy)以及碳氮化钽(TaCxNy)所组成的群组。
当导电化合物层121为氮氧化物层时，氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且氮氧化物可选自于由氮氧化钛(TiOxNy)、氮氧化铝(AlOxNy)、氮氧化铬(CrOxNy)、氮氧化钼(MoOxNy)、氮氧化钨(WOxNy)以及氮氧化钽(TaOxNy)所组成的群组。
当导电化合物层121为碳氧化物层时，碳氧化物层至少由碳氧化物(carbonoxide)所制成，且碳氧化物可选自于由碳氧化钛(TiOxCy)、碳氧化铝(AlOxCy)、碳氧化铬(CrOxCy)、碳氧化钼(MoOxCy)、碳氧化钨(WOxCy)以及碳氧化钽(TaOxCy)所组成的群组。
值得一提的是，卷绕式抗腐蚀负极箔片12是以日本电子情报技术产业协会(JEITA)规格EIAJ RC-2364A的耐水和性试验方法在测试前与测试后所得到介于1～10％之间的「静电容量变化率」以及介于0～5％之间的「耐电压变化率」。
[第二实施例]
配合图1、图2以及图6至图8所示，本发明第二实施例提供一种卷绕型电解电容器封装结构Z，其包括：一卷绕型电容器1、一封装结构2、一第一导电接脚3以及一第二导电接脚4。由图7与图4的比较，以及图8与图5的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：在第二实施例中，导电基底120有氧化层1200而无腐蚀层。也就是说，当导电基底120已经被氧化而形成氧化层1200之后，两个导电化合物层121才接着分别设置在导电基底120的两个粗糙化表面12000上。
值得注意的是，不管是“导电基底120没有氧化层且没有腐蚀层(第一实施例)”或者是“导电基底120有氧化层1200而无腐蚀层(第二实施例)”，导电化合物层121可以用于防止导电基底120被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以导电基底120的厚度能通过导电化合物层121的保护而不会改变(也就是说，导电基底120能通过导电化合物层121的保护而不会被电解液溶液所腐蚀而降低原有的厚度)，以使得卷绕式抗腐蚀负极箔片12依然能够保持能够满足后续加工条件的结构强度。
[实施例的有益效果]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种卷绕型电解电容器封装结构Z及其卷绕式抗腐蚀负极箔片12，其能通过“卷绕式抗腐蚀负极箔片12包括一导电基底120以及分别设置在导电基底120的两相反表面上的两个导电化合物层121”以及“导电化合物层121为一氮化物层、一碳化物层、一碳氮化物层、一氮氧化物层以及一碳氧化物层之中的至少一者”的技术方案，以使得导电化合物层121能用于防止导电基底120被电解液溶液所接触而受到腐蚀120，所以导电基底120的厚度能通过导电化合物层121的保护而不会改变。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (10)
1.一种卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕型电解电容器封装结构包括：
卷绕型电容器，所述卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片、卷绕式抗腐蚀负极箔片以及两个卷绕式绝缘隔离纸，两个所述卷绕式绝缘隔离纸的其中之一设置在所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之间，所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者其中之一设置在两个所述卷绕式绝缘隔离纸之间；
封装结构，所述卷绕型电容器被容置在所述封装结构内；
第一导电接脚，所述第一导电接脚包括被容置在所述封装结构的内部的第一内埋部以及裸露在所述封装结构的外部的第一裸露部，所述第一导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个；以及
第二导电接脚，所述第二导电接脚包括被容置在所述封装结构的内部的第二内埋部以及裸露在所述封装结构的外部的第二裸露部，所述第二导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个；
其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在所述导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且所述导电化合物层为氮化物层、碳化物层、碳氮化物层、氮氧化物层以及碳氧化物层之中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片的厚度小于或者等于50μm，所述导电基底的两个所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小于或者等于50μm；其中，所述导电基底为Al材料，且所述导电基底没有氧化层且没有腐蚀层，或者所述导电基底有氧化层而无腐蚀层；其中，所述导电化合物层为厚度介于10nm至2000nm之间的电解液溶液阻隔层，以用于防止所述导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以所述导电基底的厚度通过所述导电化合物层的保护而不会改变；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片以日本电子情报技术产业协会的耐水和性试验方法在试测前与测试后所得到介于1～10％之间的静电容量变化以及介于0～5％之间的耐电压变化率。
3.根据权利要求1所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述氮化物层至少由氮化物所制成，且所述氮化物选自于由氮化硅、氮化钛、氮化铝、氮化钛铝、氮化铬、氮化钼、氮化钨以及氮化钽所组成的群组；其中，所述碳化物层至少由碳化物所制成，且所述碳化物选自于由碳化钛、碳化铝、碳化铬、碳化钼、碳化钨以及碳化钽所组成的群组；其中，所述碳氮化物层至少由碳氮化物所制成，且所述碳氮化物选自于由碳氮化钛、碳氮化铝、碳氮化铬、碳氮化钼、碳氮化钨以及碳氮化钽所组成的群组；其中，所述氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且所述氮氧化物选自于由氮氧化钛、氮氧化铝、氮氧化铬、氮氧化钼、氮氧化钨以及氮氧化钽所组成的群组；其中，所述碳氧化物层至少由碳氧化物所制成，且所述碳氧化物选自于由碳氧化钛、碳氧化铝、碳氧化铬、碳氧化钼、碳氧化钨以及碳氧化钽所组成的群组。
4.一种卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕型电解电容器封装结构包括：
卷绕型电容器，所述卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片以及卷绕式抗腐蚀负极箔片；
封装结构，所述卷绕型电容器被容置在所述封装结构内；
第一导电接脚，所述第一导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个；以及
第二导电接脚，所述第二导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个；
其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在所述导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且所述导电化合物层为氮化物层、碳化物层、碳氮化物层、氮氧化物层以及碳氧化物层之中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片的厚度小于或者等于50μm，所述导电基底的两个所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小于或者等于50μm；其中，所述导电基底为Al材料，且所述导电基底没有氧化层且没有腐蚀层，或者所述导电基底有氧化层而无腐蚀层；其中，所述导电化合物层为厚度介于10nm至2000nm之间的电解液溶液阻隔层，以用于防止所述导电基底被电解液溶液所接触而受到腐蚀，所以所述导电基底的厚度通过所述导电化合物层的保护而不会改变；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片以日本电子情报技术产业协会的耐水和性试验方法在试测前与测试后所得到介于1～10％之间的静电容量变化以及介于0～5％之间的耐电压变化率。
6.根据权利要求4所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述氮化物层至少由氮化物所制成，且所述氮化物选自于由氮化硅、氮化钛、氮化铝、氮化钛铝、氮化铬、氮化钼、氮化钨以及氮化钽所组成的群组；其中，所述碳化物层至少由碳化物所制成，且所述碳化物选自于由碳化钛、碳化铝、碳化铬、碳化钼、碳化钨以及碳化钽所组成的群组；其中，所述碳氮化物层至少由碳氮化物所制成，且所述碳氮化物选自于由碳氮化钛、碳氮化铝、碳氮化铬、碳氮化钼、碳氮化钨以及碳氮化钽所组成的群组；其中，所述氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且所述氮氧化物选自于由氮氧化钛、氮氧化铝、氮氧化铬、氮氧化钼、氮氧化钨以及氮氧化钽所组成的群组；其中，所述碳氧化物层至少由碳氧化物所制成，且所述碳氧化物选自于由碳氧化钛、碳氧化铝、碳氧化铬、碳氧化钼、碳氧化钨以及碳氧化钽所组成的群组。
7.一种卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕型电解电容器封装结构包括：
卷绕型电容器，所述卷绕型电容器包括卷绕式正极箔片以及卷绕式抗腐蚀负极箔片；
封装结构，所述卷绕型电容器被容置在所述封装结构内；
第一导电接脚，所述第一导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的其中一个；以及
第二导电接脚，所述第二导电接脚电性接触所述卷绕式正极箔片与所述卷绕式抗腐蚀负极箔片两者之中的另外一个；
其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片包括导电基底以及分别设置在所述导电基底的两相反表面上的两个导电化合物层，且所述导电化合物层为氮化物层、碳化物层、碳氮化物层、氮氧化物层以及碳氧化物层之中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片的厚度小于或者等于50μm，所述导电基底的两个所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小于或者等于50μm；其中，所述导电基底为Al材料，且所述导电基底没有氧化层且没有腐蚀层，或者所述导电基底有氧化层而无腐蚀层；所述导电化合物层为厚度介于10nm至2000nm之间的电解液溶液阻隔层，以用于防止电解液溶液接触可侵蚀到所述导电基底，所以所述导电基底的厚度通过所述导电化合物层的保护而不会改变；其中，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片以日本电子情报技术产业协会的耐水和性试验方法在试测前与测试后所得到介于1～10％之间的静电容量变化以及介于0～5％之间的耐电压变化率。
9.根据权利要求7所述的卷绕型电解电容器封装结构，其特征在于，所述氮化物层至少由氮化物所制成，且所述氮化物选自于由氮化硅、氮化钛、氮化铝、氮化钛铝、氮化铬、氮化钼、氮化钨以及氮化钽所组成的群组；其中，所述碳化物层至少由碳化物所制成，且所述碳化物选自于由碳化钛、碳化铝、碳化铬、碳化钼、碳化钨以及碳化钽所组成的群组；其中，所述碳氮化物层至少由碳氮化物所制成，且所述碳氮化物选自于由碳氮化钛、碳氮化铝、碳氮化铬、碳氮化钼、碳氮化钨以及碳氮化钽所组成的群组；其中，所述氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且所述氮氧化物选自于由氮氧化钛、氮氧化铝、氮氧化铬、氮氧化钼、氮氧化钨以及氮氧化钽所组成的群组；其中，所述碳氧化物层至少由碳氧化物所制成，且所述碳氧化物选自于由碳氧化钛、碳氧化铝、碳氧化铬、碳氧化钼、碳氧化钨以及碳氧化钽所组成的群组。
10.一种卷绕式抗腐蚀负极箔片，其特征在于，所述卷绕式抗腐蚀负极箔片包括：
导电基底；以及
两个导电化合物层，两个所述导电化合物层分别设置在所述导电基底的两相反表面上；
其中，所述导电化合物层为氮化物层、碳化物层、碳氮化物层、氮氧化物层以及碳氧化物层之中的至少一种；
其中，所述氮化物层至少由氮化物所制成，且所述氮化物选自于由氮化硅、氮化钛、氮化铝、氮化钛铝、氮化铬、氮化钼、氮化钨以及氮化钽所组成的群组；其中，所述碳化物层至少由碳化物所制成，且所述碳化物选自于由碳化钛、碳化铝、碳化铬、碳化钼、碳化钨以及碳化钽所组成的群组；其中，所述碳氮化物层至少由碳氮化物所制成，且所述碳氮化物选自于由碳氮化钛、碳氮化铝、碳氮化铬、碳氮化钼、碳氮化钨以及碳氮化钽所组成的群组；其中，所述氮氧化物层至少由氮氧化物所制成，且所述氮氧化物选自于由氮氧化钛、氮氧化铝、氮氧化铬、氮氧化钼、氮氧化钨以及氮氧化钽所组成的群组；其中，所述碳氧化物层至少由碳氧化物所制成，且所述碳氧化物选自于由碳氧化钛、碳氧化铝、碳氧化铬、碳氧化钼、碳氧化钨以及碳氧化钽所组成的群组。
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