TWI731825B - 捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片 - Google Patents

捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片 Download PDF

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Abstract

本發明公開一種捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片。捲繞型電解電容器封裝結構包括一捲繞型電容器、一封裝結構、一第一導電接腳以及一第二導電接腳。捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片以及一捲繞式抗腐蝕負極箔片。捲繞型電容器被容置在封裝結構內。第一導電接腳與第二導電接腳電性接觸捲繞型電容器。捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層。藉此，導電化合物層能用於防止導電基底被電解液溶液所接觸而受到腐蝕，所以導電基底的厚度能透過導電化合物層的保護而不會改變。

Description

捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片
本發明涉及一種電容器封裝結構及其捲繞式負極箔片，特別是涉及一種捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片。
電容器已廣泛被使用於消費性家電用品、電腦主機板、電源供應器、通訊產品以及汽車等的基本元件，其主要的作用包括濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等等，是電子產品中不可缺少的元件之一。然而，現有技術中的捲繞型電容器的負極箔片容易受到電解液溶液的腐蝕而降低其原有厚度。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種捲繞型電解電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器、一封裝結構、一第一導電接腳以及一第二導電接腳。捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片、一捲繞式抗腐蝕負極箔片以及兩個捲繞式絕緣隔離紙，兩個捲繞式絕緣隔離紙的其中之一設置在捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之間，捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者其中之一設置在兩個捲繞式絕緣隔離紙之間。捲繞型電容器被容置在封裝結構內。第一導電接腳包括被容置在封裝結構的內部的一第一內埋部以及裸露在封裝結構的外部的一第一裸露部，第一導電接腳電性接觸捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的其中一個。第二導電接腳包括被容置在封裝結構的內部的一第二內埋部以及裸露在封裝結構的外部的一第二裸露部，第二導電接腳電性接觸捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的另外一個。其中，捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層，且導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種捲繞型電解電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器、一封裝結構、一第一導電接腳以及一第二導電接腳。捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片以及一捲繞式抗腐蝕負極箔片。捲繞型電容器被容置在封裝結構內。第一導電接腳電性接觸捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的其中一個。第二導電接腳電性接觸捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的另外一個。其中，捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層，且導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種捲繞型電解電容器封裝結構，其包括：一捲繞型電容器、一封裝結構、一第一導電接腳以及一第二導電接腳。捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片以及一捲繞式抗腐蝕負極箔片。捲繞型電容器被容置在封裝結構內。第一導電接腳電性接觸捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的其中一個。第二導電接腳電性接觸捲繞式正極箔片與捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的另外一個。其中，捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層，且導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外又一技術方案是提供一種捲繞式抗腐蝕負極箔片，其包括：一導電基底以及兩個導電化合物層。兩個導電化合物層分別設置在導電基底的兩相反表面上。其中，導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。其中，氮化物層至少由氮化物(nitride)所製成，且氮化物選自於由氮化矽(Si3N4)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦鋁((Ti,Al)N)、氮化鉻(CrN)、氮化鉬(MoN)、氮化鎢(WN)以及氮化鉭(TaN)所組成的群組；其中，碳化物層至少由碳化物(carbide)所製成，且碳化物選自於由碳化鈦(TiC)、碳化鋁(AlC)、碳化鉻(CrC)、碳化鉬(MoC)、碳化鎢(WC)以及碳化鉭(TaC)所組成的群組；其中，碳氮化物層至少由碳氮化物(carbon nitride)所製成，且碳氮化物選自於由碳氮化鈦(TiC xN y)、碳氮化鋁(AlC xN y)、碳氮化鉻(CrC xN y)、碳氮化鉬(MoC xN y) 、碳氮化鎢(WC xN y)以及碳氮化鉭(TaC xN y)所組成的群組；其中，氮氧化物層至少由氮氧化物所製成，且氮氧化物選自於由氮氧化鈦(TiO xN y)、氮氧化鋁(AlO xN y)、氮氧化鉻(CrO xN y)、氮氧化鉬(MoO xN y)、氮氧化鎢(WO xN y)以及氮氧化鉭(TaO xN y)所組成的群組；其中，碳氧化物層至少由碳氧化物(carbon oxide)所製成，且碳氧化物選自於由碳氧化鈦(TiO xC y)、碳氧化鋁(AlO xC y)、碳氧化鉻(CrO xC y)、碳氧化鉬(MoO xC y)、碳氧化鎢(WO xC y)以及碳氧化鉭(TaO xC y)所組成的群組。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片，其能通過“捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層”以及“導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者”的技術方案，以使得導電化合物層能用於防止導電基底被電解液溶液所接觸而受到腐蝕，所以導電基底的厚度能透過導電化合物層的保護而不會改變。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“捲繞型電解電容器封裝結構及其捲繞式抗腐蝕負極箔片”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
[第一實施例]
配合圖1至圖5所示，本發明第一實施例提供一種捲繞型電解電容器封裝結構Z，其包括：一捲繞型電容器1、一封裝結構2、一第一導電接腳3以及一第二導電接腳4。
首先，如圖1所示，捲繞型電容器1包括一捲繞式正極箔片11、一捲繞式抗腐蝕負極箔片12以及兩個捲繞式絕緣隔離紙13。更進一步來說，兩個捲繞式絕緣隔離紙13的其中之一設置在捲繞式正極箔片11與捲繞式抗腐蝕負極箔片12兩者之間，並且捲繞式正極箔片11與捲繞式抗腐蝕負極箔片12兩者其中之一設置在兩個捲繞式絕緣隔離紙13之間。舉例來說，如圖1所示，捲繞式正極箔片11會設置在兩個捲繞式絕緣隔離紙13之間。另外，捲繞式絕緣隔離紙13可為一種通過含浸方式以附著有電解液溶液的隔離紙或者紙製箔片。然而，本發明不以上述所舉出的例子為限。
再者，配合圖1與圖2所示，捲繞型電容器1被容置在封裝結構2內。舉例來說，封裝結構2包括一殼體結構20（例如鋁殼或其它金屬殼體），然而本發明不以此舉例為限。此外，第一導電接腳3包括被容置在封裝結構2的內部的一第一內埋部31以及裸露在封裝結構2的外部的一第一裸露部32，並且第一導電接腳3電性接觸捲繞式正極箔片11與捲繞式抗腐蝕負極箔片12兩者之中的其中一個。另外，第二導電接腳4包括被容置在封裝結構2的內部的一第二內埋部41以及裸露在封裝結構2的外部的一第二裸露部42，並且第二導電接腳4電性接觸捲繞式正極箔片11與捲繞式抗腐蝕負極箔片12兩者之中的另外一個。
此外，配合圖3至圖5所示，捲繞式抗腐蝕負極箔片12包括一導電基底120以及分別設置在導電基底120的兩相反表面上的兩個導電化合物層121。舉例來說，捲繞式抗腐蝕負極箔片12的厚度小於或者等於50µm，並且形成在捲繞式抗腐蝕負極箔片12上的導電化合物層121的厚度可介於10 nm至2000 nm之間，另一佳的範圍為10 nm至500 nm之間。另外，導電基底120的兩個表面都可以是由機械加工（例如滾壓、壓印等方式）所形成的粗糙化表面12000，並且粗糙化表面12000的粗糙度可以小於或者等於50 µm。藉此，由於透過粗糙化表面12000的形成而增加導電基底120的表面積，使得導電化合物層121附著在導電基底120的附著強度也能被提升，所以導電化合物層121不容易脫離導電基底120，以有效提升捲繞式抗腐蝕負極箔片12的可靠度。然而，本發明不以上述所舉出的例子為限。
值得注意的是，如圖4或者圖5所示，導電基底120可為Al材料，並且導電基底120沒有氧化層且沒有腐蝕層。也就是說，當導電基底120尚未被氧化前，兩個導電化合物層121可以預先分別設置在導電基底120的兩個粗糙化表面12000上。導電化合物層121可為厚度介於10 nm至2000 nm之間的一電解液溶液阻隔層，以用於防止導電基底120被電解液溶液所接觸而受到腐蝕，所以導電基底120的厚度能透過導電化合物層121的保護而不會改變。也就是說，由於導電基底120能透過導電化合物層121的保護而不會受到電解液溶液的腐蝕而降低原有的厚度，所以本發明所使用的導電化合物層121的厚度即使只有10 nm，導電基底120還是能透過導電化合物層121的保護而不會被電解液溶液所腐蝕而降低原有的厚度，以使得捲繞式抗腐蝕負極箔片12依然能夠保持能夠滿足後續加工條件的結構強度。然而，本發明不以上述所舉出的例子為限。
舉例來說，導電化合物層121可為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。然而，本發明不以上述所舉出的例子為限。
當導電化合物層121為氮化物層時，氮化物層至少由氮化物(nitride)所製成，並且氮化物可選自於由氮化矽(Si3N4)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦鋁((Ti,Al)N)、氮化鉻(CrN)、氮化鉬(MoN)、氮化鎢(WN)以及氮化鉭(TaN)所組成的群組。
當導電化合物層121為碳化物層時，碳化物層至少由碳化物(carbide)所製成，且碳化物可選自於由碳化鈦(TiC)、碳化鋁(AlC)、碳化鉻(CrC)、碳化鉬(MoC)、碳化鎢(WC)以及碳化鉭(TaC)所組成的群組。
當導電化合物層121為碳氮化物層時，碳氮化物層至少由碳氮化物(carbon nitride)所製成，且碳氮化物可選自於由碳氮化鈦(TiC xN y)、碳氮化鋁(AlC xN y)、碳氮化鉻(CrC xN y)、碳氮化鉬(MoC xN y) 、碳氮化鎢(WC xN y)以及碳氮化鉭(TaC xN y)所組成的群組。
當導電化合物層121為氮氧化物層時，氮氧化物層至少由氮氧化物所製成，且氮氧化物可選自於由 氮氧化鈦(TiO xN y)、氮氧化鋁(AlO xN y)、氮氧化鉻(CrO xN y)、氮氧化鉬(MoO xN y)、氮氧化鎢(WO xN y)以及氮氧化鉭(TaO xN y)所組成的群組。
當導電化合物層121為碳氧化物層時，碳氧化物層至少由碳氧化物(carbon oxide)所製成，且碳氧化物可選自於由碳氧化鈦(TiO xC y)、碳氧化鋁(AlO xC y)、碳氧化鉻(CrO xC y)、碳氧化鉬(MoO xC y)、碳氧化鎢(WO xC y)以及碳氧化鉭(TaO xC y)所組成的群組。
值得一提的是，捲繞式抗腐蝕負極箔片12是以日本電子情報技術産業協會(JEITA)規格 EIAJ RC-2364A的耐水和性試驗方法在測試前與測試後所得到介於1~10%之間的「靜電容量變化率」以及介於0~5%之間的「耐電壓變化率」。
[第二實施例]
配合圖1、圖2以及圖6至圖8所示，本發明第二實施例提供一種捲繞型電解電容器封裝結構Z，其包括：一捲繞型電容器1、一封裝結構2、一第一導電接腳3以及一第二導電接腳4。由圖7與圖4的比較，以及圖8與圖5的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，導電基底120有氧化層1200而無腐蝕層。也就是說，當導電基底120已經被氧化而形成氧化層1200之後，兩個導電化合物層121才接著分別設置在導電基底120的兩個粗糙化表面12000上。
值得注意的是，不管是“導電基底120沒有氧化層且沒有腐蝕層（第一實施例）”或者是“導電基底120有氧化層1200而無腐蝕層（第二實施例）”，導電化合物層121可以用於防止導電基底120被電解液溶液所接觸而受到腐蝕，所以導電基底120的厚度能透過導電化合物層121的保護而不會改變（也就是說，導電基底120能透過導電化合物層121的保護而不會被電解液溶液所腐蝕而降低原有的厚度），以使得捲繞式抗腐蝕負極箔片12依然能夠保持能夠滿足後續加工條件的結構強度。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種捲繞型電解電容器封裝結構Z及其捲繞式抗腐蝕負極箔片12，其能通過“捲繞式抗腐蝕負極箔片12包括一導電基底120以及分別設置在導電基底120的兩相反表面上的兩個導電化合物層121”以及“導電化合物層121為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者”的技術方案，以使得導電化合物層121能用於防止導電基底120被電解液溶液所接觸而受到腐蝕120，所以導電基底120的厚度能透過導電化合物層121的保護而不會改變。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z:捲繞型電解電容器封裝結構 1:捲繞型電容器 11:捲繞式正極箔片 12:捲繞式抗腐蝕負極箔片 120:導電基底 1200:氧化層 12000:粗糙化表面 121:導電化合物層 13:捲繞式絕緣隔離紙 2:封裝結構 20:殼體結構 3:第一導電接腳 31:第一內埋部 32:第一裸露部 4:第二導電接腳 41:第二內埋部 42:第二裸露部
圖1為本發明所提供的捲繞型電解電容器封裝結構的捲繞型電容器的示意圖。
圖2為本發明所提供的捲繞型電解電容器封裝結構的示意圖。
圖3為本發明第一實施例所提供的捲繞型電解電容器封裝結構的捲繞式抗腐蝕負極箔片的示意圖。
圖4為圖3的IV部分的放大示意圖。
圖5為圖3的V部分的放大示意圖。
圖6為本發明第二實施例所提供的捲繞型電解電容器封裝結構的捲繞式抗腐蝕負極箔片的示意圖。
圖7為圖6的VII部分的放大示意圖。
圖8為圖6的VIII部分的放大示意圖。
120:導電基底
12000:粗糙化表面
121:導電化合物層

Claims (10)

  1. 一種捲繞型電解電容器封裝結構，其包括： 一捲繞型電容器，所述捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片、一捲繞式抗腐蝕負極箔片以及兩個捲繞式絕緣隔離紙，兩個所述捲繞式絕緣隔離紙的其中之一設置在所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之間，所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者其中之一設置在兩個所述捲繞式絕緣隔離紙之間； 一封裝結構，所述捲繞型電容器被容置在所述封裝結構內； 一第一導電接腳，所述第一導電接腳包括被容置在所述封裝結構的內部的一第一內埋部以及裸露在所述封裝結構的外部的一第一裸露部，所述第一導電接腳電性接觸所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的其中一個；以及 一第二導電接腳，所述第二導電接腳包括被容置在所述封裝結構的內部的一第二內埋部以及裸露在所述封裝結構的外部的一第二裸露部，所述第二導電接腳電性接觸所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的另外一個； 其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在所述導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層，且所述導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。
  2. 如請求項1所述的捲繞型電解電容器封裝結構，其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片的厚度小於或者等於50µm，所述導電基底的兩個所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小於或者等於50µm；其中，所述導電基底為Al材料，且所述導電基底沒有氧化層且沒有腐蝕層，或者所述導電基底有氧化層而無腐蝕層；其中，所述導電化合物層為厚度介於10 nm至2000 nm之間的一電解液溶液阻隔層，以用於防止所述導電基底被電解液溶液所接觸而受到腐蝕，所以所述導電基底的厚度透過所述導電化合物層的保護而不會改變；其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片以日本電子情報技術産業協會的耐水和性試驗方法在試測前與測試後所得到介於1~10%之間的靜電容量變化以及介於0~5%之間的耐電壓變化率。
  3. 如請求項1所述的捲繞型電解電容器封裝結構，其中，所述氮化物層至少由氮化物(nitride)所製成，且所述氮化物選自於由氮化矽(Si3N4)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦鋁((Ti,Al)N)、氮化鉻(CrN)、氮化鉬(MoN)、氮化鎢(WN)以及氮化鉭(TaN)所組成的群組；其中，所述碳化物層至少由碳化物(carbide)所製成，且所述碳化物選自於由碳化鈦(TiC)、碳化鋁(AlC)、碳化鉻(CrC)、碳化鉬(MoC)、碳化鎢(WC)以及碳化鉭(TaC)所組成的群組；其中，所述碳氮化物層至少由碳氮化物(carbon nitride)所製成，且所述碳氮化物選自於由碳氮化鈦(TiC xN y)、碳氮化鋁(AlC xN y)、碳氮化鉻(CrC xN y)、碳氮化鉬(Mo C xN y) 、碳氮化鎢(WC xN y)以及碳氮化鉭(TaC xN y)所組成的群組；其中，所述氮氧化物層至少由氮氧化物所製成，且所述氮氧化物選自於由氮氧化鈦(TiO xN y)、氮氧化鋁(AlO xN y)、氮氧化鉻(CrO xN y)、氮氧化鉬(MoO xN y)、氮氧化鎢(WO xN y)以及氮氧化鉭(TaO xN y)所組成的群組；其中，所述碳氧化物層至少由碳氧化物(carbon oxide)所製成，且所述碳氧化物選自於由碳氧化鈦(TiO xC y)、碳氧化鋁(AlO xC y)、碳氧化鉻(CrO xC y)、碳氧化鉬(MoO xC y)、碳氧化鎢(WO xC y)以及碳氧化鉭(TaO xC y)所組成的群組。
  4. 一種捲繞型電解電容器封裝結構，其包括： 一捲繞型電容器，所述捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片以及一捲繞式抗腐蝕負極箔片； 一封裝結構，所述捲繞型電容器被容置在所述封裝結構內； 一第一導電接腳，所述第一導電接腳電性接觸所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的其中一個；以及 一第二導電接腳，所述第二導電接腳電性接觸所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的另外一個； 其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在所述導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層，且所述導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。
  5. 如請求項4所述的捲繞型電解電容器封裝結構，其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片的厚度小於或者等於50µm，所述導電基底的兩個所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小於或者等於50µm；其中，所述導電基底為Al材料，且所述導電基底沒有氧化層且沒有腐蝕層，或者所述導電基底有氧化層而無腐蝕層；其中，所述導電化合物層為厚度介於10 nm至2000 nm之間的一電解液溶液阻隔層，以用於防止所述導電基底被電解液溶液所接觸而受到腐蝕，所以所述導電基底的厚度透過所述導電化合物層的保護而不會改變；其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片以日本電子情報技術産業協會的耐水和性試驗方法在試測前與測試後所得到介於1~10%之間的靜電容量變化以及介於0~5%之間的耐電壓變化率。
  6. 如請求項4所述的捲繞型電解電容器封裝結構，其中，所述氮化物層至少由氮化物(nitride)所製成，且所述氮化物選自於由氮化矽(Si3N4)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦鋁((Ti,Al)N)、氮化鉻(CrN)、氮化鉬(MoN)、氮化鎢(WN)以及氮化鉭(TaN)所組成的群組；其中，所述碳化物層至少由碳化物(carbide)所製成，且所述碳化物選自於由碳化鈦(TiC)、碳化鋁(AlC)、碳化鉻(CrC)、碳化鉬(MoC)、碳化鎢(WC)以及碳化鉭(TaC)所組成的群組；其中，所述碳氮化物層至少由碳氮化物(carbon nitride)所製成，且所述碳氮化物選自於由碳氮化鈦(TiC xN y)、碳氮化鋁(AlC xN y)、碳氮化鉻(CrC xN y)、碳氮化鉬(MoC xN y) 、碳氮化鎢(WC xN y)以及碳氮化鉭(TaC xN y)所組成的群組；其中，所述氮氧化物層至少由氮氧化物所製成，且所述氮氧化物選自於由氮氧化鈦(TiO xN y)、氮氧化鋁(AlO xN y)、氮氧化鉻(CrO xN y)、氮氧化鉬(MoO xN y)、氮氧化鎢(WO xN y)以及氮氧化鉭(TaO xN y)所組成的群組；其中，所述碳氧化物層至少由碳氧化物(carbon oxide)所製成，且所述碳氧化物選自於由碳氧化鈦(TiO xC y)、碳氧化鋁(AlO xC y)、碳氧化鉻(CrO xC y)、碳氧化鉬(MoO xC y)、碳氧化鎢(WO xC y)以及碳氧化鉭(TaO xC y)所組成的群組。
  7. 一種捲繞型電解電容器封裝結構，其包括： 一捲繞型電容器，所述捲繞型電容器包括一捲繞式正極箔片以及一捲繞式抗腐蝕負極箔片； 一封裝結構，所述捲繞型電容器被容置在所述封裝結構內； 一第一導電接腳，所述第一導電接腳電性接觸所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的其中一個；以及 一第二導電接腳，所述第二導電接腳電性接觸所述捲繞式正極箔片與所述捲繞式抗腐蝕負極箔片兩者之中的另外一個； 其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片包括一導電基底以及分別設置在所述導電基底的兩相反表面上的兩個導電化合物層，且所述導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者。
  8. 如請求項7所述的捲繞型電解電容器封裝結構，其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片的厚度小於或者等於50µm，所述導電基底的兩個所述表面都是粗糙化表面，且所述粗糙化表面的粗糙度小於或者等於50µm；其中，所述導電基底為Al材料，且所述導電基底沒有氧化層且沒有腐蝕層，或者所述導電基底有氧化層而無腐蝕層；所述導電化合物層為厚度介於10 nm至2000 nm之間的一電解液溶液阻隔層，以用於防止電解液溶液接觸可侵蝕到所述導電基底，所以所述導電基底的厚度透過所述導電化合物層的保護而不會改變；其中，所述捲繞式抗腐蝕負極箔片以日本電子情報技術産業協會的耐水和性試驗方法在試測前與測試後所得到介於1~10%之間的靜電容量變化以及介於0~5%之間的耐電壓變化率。
  9. 如請求項7所述的捲繞型電解電容器封裝結構，其中，所述氮化物層至少由氮化物(nitride)所製成，且所述氮化物選自於由氮化矽(Si3N4)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦鋁((Ti,Al)N)、氮化鉻(CrN)、氮化鉬(MoN)、氮化鎢(WN)以及氮化鉭(TaN)所組成的群組；其中，所述碳化物層至少由碳化物(carbide)所製成，且所述碳化物選自於由碳化鈦(TiC)、碳化鋁(AlC)、碳化鉻(CrC)、碳化鉬(MoC)、碳化鎢(WC)以及碳化鉭(TaC)所組成的群組；其中，所述碳氮化物層至少由碳氮化物(carbon nitride)所製成，且所述碳氮化物選自於由碳氮化鈦(TiC xN y)、碳氮化鋁(AlC xN y)、碳氮化鉻(CrC xN y)、碳氮化鉬(Mo C xN y) 、碳氮化鎢(WC xN y)以及碳氮化鉭(TaC xN y)所組成的群組；其中，所述氮氧化物層至少由氮氧化物所製成，且所述氮氧化物選自於由氮氧化鈦(TiO xN y)、氮氧化鋁(AlO xN y)、氮氧化鉻(CrO xN y)、氮氧化鉬(MoO xN y)、氮氧化鎢(WO xN y)以及氮氧化鉭(TaO xN y)所組成的群組；其中，所述碳氧化物層至少由碳氧化物(carbon oxide)所製成，且所述碳氧化物選自於由碳氧化鈦(TiO xC y)、碳氧化鋁(AlO xC y)、碳氧化鉻(CrO xC y)、碳氧化鉬(MoO xC y)、碳氧化鎢(WO xC y)以及碳氧化鉭(TaO xC y)所組成的群組。
  10. 一種捲繞式抗腐蝕負極箔片，其包括： 一導電基底；以及 兩個導電化合物層，兩個所述導電化合物層分別設置在所述導電基底的兩相反表面上； 其中，所述導電化合物層為一氮化物層、一碳化物層、一碳氮化物層、一氮氧化物層以及一碳氧化物層之中的至少一者； 其中，所述氮化物層至少由氮化物(nitride)所製成，且所述氮化物選自於由氮化矽(Si3N4)、氮化鈦(TiN)、氮化鋁(AlN)、氮化鈦鋁((Ti,Al)N)、氮化鉻(CrN)、氮化鉬(MoN)、氮化鎢(WN)以及氮化鉭(TaN)所組成的群組；其中，所述碳化物層至少由碳化物(carbide)所製成，且所述碳化物選自於由碳化鈦(TiC)、碳化鋁(AlC)、碳化鉻(CrC)、碳化鉬(MoC)、碳化鎢(WC)以及碳化鉭(TaC)所組成的群組；其中，所述碳氮化物層至少由碳氮化物(carbon nitride)所製成，且所述碳氮化物選自於由碳氮化鈦(TiC xN y)、碳氮化鋁(AlC xN y)、碳氮化鉻(CrC xN y)、碳氮化鉬(MoC xN y) 、碳氮化鎢(WC xN y)以及碳氮化鉭(TaC xN y)所組成的群組；其中，所述氮氧化物層至少由氮氧化物所製成，且所述氮氧化物選自於由氮氧化鈦(TiO xN y)、氮氧化鋁(AlO xN y)、氮氧化鉻(CrO xN y)、氮氧化鉬(MoO xN y)、氮氧化鎢(WO xN y)以及氮氧化鉭(TaO xN y)所組成的群組；其中，所述碳氧化物層至少由碳氧化物(carbon oxide)所製成，且所述碳氧化物選自於由碳氧化鈦(TiO xC y)、碳氧化鋁(AlO xC y)、碳氧化鉻(CrO xC y)、碳氧化鉬(MoO xC y)、碳氧化鎢(WO xC y)以及碳氧化鉭(TaO xC y)所組成的群組。
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