CN107967992A - 具有纳米材料的导电箔及其制作方法，及电容器封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。具有纳米材料的导电箔包括一金属基层结构以及一复合式纳米材料结构。复合式纳米材料结构设置在金属基层结构上。复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，石墨材料的其余部分形成一设置在金属基层结构与石墨烯层之间的石墨层，且复合式纳米材料结构由石墨层以及石墨烯层所构成。借此，以降低导电箔的阻抗并提升使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构的整体电气性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种导电箔及其制作方法，以及一种电容器封装结构，特别是涉及一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。
背景技术
电容器已广泛被使用于消费性家电用品、计算机主板、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本组件，其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等等，是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质以及用途，有不同的形态，包括有铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、卷绕型或堆叠型固态电解电容器以及薄膜电容等等。现有技术中，卷绕型固态电解电容器包括有电容器组件、收容构件以及封口构件。电容器组件隔着绝缘件将一连接阳极端子的阳极箔与一连接阴极端子的阴极箔进行卷绕。收容构件具有开口部且可收容电容器组件。封口构件具有一可供阳极端子及阴极端子贯穿的贯穿孔以及一可密封收容构件的封口部。然而，为了降低阳极箔与阴极箔的阻抗并提升现有的卷绕型固态电解电容器的电气性能，卷绕型固态电解电容器的阳极箔与阴极箔还具有改善空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种具有纳米材料的导电箔，其包括：一金属基层结构以及一复合式纳米材料结构。所述复合式纳米材料结构设置在所述金属基层结构上。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。
更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
更进一步地，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
更进一步地，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种具有纳米材料的导电箔的制作方法，其包括下列步骤：首先，提供一金属基层结构；接着，形成一石墨材料于所述金属基层结构上；然后，形成一复合式纳米材料结构于所述金属基层结构上。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是，提供一种卷绕型电容器封装结构，其包括：一卷绕型电容器、一封装体以及至少两个导电引脚。所述卷绕型电容器包括至少两个导电箔以及两个隔离纸。每一个所述导电箔包括一金属基层结构以及一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构。两个所述隔离纸的其中之一设置于至少两个所述导电箔之间。所述封装体包覆整个所述卷绕型电容器。至少两个所述导电引脚分别电性连接于至少两个导电箔，其中，每一个所述导电引脚具有一电性连接于相对应的所述导电箔且被所述封装体所包覆的内埋部以及一连接于所述内埋部且裸露在所述封装体的外部的外露部。其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。
更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
更进一步地，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
更进一步地，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
更进一步地，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
本发明的有益效果在于，本发明技术方案所提供的具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及卷绕型电容器封装结构，其可通过“所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，且所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层”以及“所述石墨层以及所述石墨烯层构成一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构”的技术特征，以降低所述导电箔的阻抗并提升所述卷绕型电容器封装结构的整体电气性能。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例至第四实施例的导电箔的制作方法的流程图。
图2为本发明第一实施例的导电箔的制作方法的步骤S100(A)的示意图。
图3为本发明第一实施例的导电箔的制作方法的步骤S102的示意图。
图4为本发明第一实施例的导电箔的示意图。
图5为本发明第一实施例所公开的另一种导电箔的示意图。
图6为本发明第二实施例的导电箔的制作方法的步骤S100(B)的示意图。
图7为本发明第二实施例的导电箔的制作方法的步骤S102的示意图。
图8为本发明第二实施例的导电箔的示意图。
图9为本发明第二实施例所公开的另一种导电箔的示意图。
图10为本发明第三实施例的导电箔的制作方法的步骤S100(C)的示意图。
图11为本发明第三实施例的导电箔的制作方法的步骤S102的示意图。
图12为本发明第三实施例的导电箔的示意图。
图13为本发明第三实施例所公开的另一种导电箔的示意图。
图14为本发明第四实施例的导电箔的制作方法的步骤S100(D)的示意图。
图15为本发明第四实施例的导电箔的制作方法的步骤S102的示意图。
图16为本发明第四实施例的导电箔的示意图。
图17为本发明第四实施例所公开的另一种导电箔的示意图。
图18为本发明第五实施例的卷绕型电容器封装结构尚未包覆封装体的立体示意图。
图19为本发明第五实施例的卷绕型电容器封装结构的侧视示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及卷绕型电容器封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。以下的实施方式所公开的每一段落的内容，请一并参阅图1至图19所示。
第一实施例
请参阅图1至图4所示，本发明第一实施例提供一种具有纳米材料的导电箔F的制作方法，其包括下列步骤：首先，配合图1以及图2所示，提供一金属基层结构1，金属基层结构1包括一金属基层10以及一完全包覆金属基层1的氧化层11(步骤S100(A))；接着，配合图1以及图3所示，形成一石墨材料20于金属基层结构1上(步骤S102)，举例来说，石墨材料20可在真空且通入惰性气体的条件下形成；然后，配合图1、图3以及图4所示，石墨材料20的其中一部分(也就是石墨材料20的最外层区域)通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22(步骤S104)，其中，石墨层22以及石墨烯层21构成一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2。
借此，配合图1以及图4所示，通过步骤S100(A)、步骤S102以及步骤S104的制作方法，本发明第一实施例可以提供一种具有纳米材料的导电箔F，其包括：一金属基层结构1以及一复合式纳米材料结构2。另外，复合式纳米材料结构2由一石墨材料20所制成，石墨材料20的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22，并且复合式纳米材料结构2由石墨层22以及石墨烯层21所构成。
更进一步来说，配合图4以及图18所示，金属基层结构1包括一金属基层10以及一完全包覆金属基层1的氧化层11，复合式纳米材料结构2的石墨层22设置在金属基层结构1的氧化层11上，并且包含有金属基层结构1与复合式纳米材料结构2的导电箔F能做为一卷绕型电容器C的一正箔使用。
值得一提的是，如图5所示，本发明第一实施例也可同时提供两个复合式纳米材料结构2，并且两个复合式纳米材料结构2会分别设置在金属基层结构1的两相反表面上。
值得注意的是，复合式纳米材料结构2所使用的纳米材料不受限制。因此，复合式纳米材料结构2可为纳米石墨烯或是纳米碳管。
第二实施例
请参阅图1、以及图6至图8所示，本发明第二实施例提供一种具有纳米材料的导电箔F的制作方法，其包括下列步骤：首先，配合图1以及图6所示，提供一金属基层结构1，金属基层结构1为一表面无氧化层的金属基层10(步骤S100(B))；接着，配合图1以及图7所示，形成一石墨材料20于金属基层结构1上(步骤S102)，举例来说，石墨材料20可在真空且通入惰性气体的条件下形成；然后，配合图1、图7以及图8所示，石墨材料20的其中一部分(也就是石墨材料20的最外层区域)通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22(步骤S104)，其中，石墨层22以及石墨烯层21构成一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2。
借此，配合图1以及图8所示，通过步骤S100(B)、步骤S102以及步骤S104的制作方法，本发明第二实施例可以提供一种具有纳米材料的导电箔F，其包括：一金属基层结构1以及一复合式纳米材料结构2。另外，复合式纳米材料结构2由一石墨材料20所制成，石墨材料20的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22，并且复合式纳米材料结构2由石墨层22以及石墨烯层21所构成。
更进一步来说，配合图8以及图18所示，金属基层结构1为一表面无氧化层的金属基层10，复合式纳米材料结构2的石墨层22设置在金属基层结构1的金属基层10上，并且包含有金属基层结构1与复合式纳米材料结构2的导电箔F能做为一卷绕型电容器C的一负箔使用。
值得一提的是，如图9所示，本发明第二实施例也可同时提供两个复合式纳米材料结构2，并且两个复合式纳米材料结构2会分别设置在金属基层结构1的两相反表面上。
第三实施例
请参阅图1、以及图10至图12所示，本发明第三实施例提供一种具有纳米材料的导电箔F的制作方法，其包括下列步骤：首先，配合图1以及图10所示，提供一金属基层结构1，金属基层结构1包括一金属基层10、一完全包覆金属基层10的氧化层11以及一设置在氧化层11上的介金属化合物层12(步骤S100(C))；接着，配合图1以及图11所示，形成一石墨材料20于金属基层结构1上(步骤S102)，举例来说，石墨材料20可在真空且通入惰性气体的条件下形成；然后，配合图1、图11以及图12所示，石墨材料20的其中一部分(也就是石墨材料20的最外层区域)通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22(步骤S104)，其中，石墨层22以及石墨烯层21构成一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2。
借此，通过步骤S100(C)、步骤S102以及步骤S104的制作方法，本发明第三实施例可以提供一种具有纳米材料的导电箔F，其包括：一金属基层结构1以及一复合式纳米材料结构2。另外，复合式纳米材料结构2由一石墨材料20所制成，石墨材料20的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22，并且复合式纳米材料结构2由石墨层22以及石墨烯层21所构成。
更进一步来说，配合图12以及图18所示，金属基层结构1包括一金属基层10、一完全包覆金属基层10的氧化层11以及一设置在氧化层11上的介金属化合物层12，复合式纳米材料结构2的石墨层22设置在金属基层结构1的介金属化合物层12上，并且包含有金属基层结构1与复合式纳米材料结构2的导电箔F能做为一卷绕型电容器C的一正箔使用。
值得一提的是，如图13所示，本发明第三实施例的金属基层结构1还可以提供另外一设置在氧化层11上的介金属化合物层12。另外，本发明第三实施例也可同时提供两个复合式纳米材料结构2，并且两个复合式纳米材料结构2会分别设置在金属基层结构1的两相反表面上。
第四实施例
请参阅图1、以及图14至图16所示，本发明第四实施例提供一种具有纳米材料的导电箔F的制作方法，其包括下列步骤：首先，配合图1以及图14所示，提供一金属基层结构1，金属基层结构1包括一表面无氧化层的金属基层10以及一设置在金属基层10上的介金属化合物层12(步骤S100(D))；接着，配合图1以及图15所示，形成一石墨材料20于金属基层结构1上(步骤S102)，举例来说，石墨材料20可在真空且通入惰性气体的条件下形成；然后，配合图1、图15以及图16所示，石墨材料20的其中一部分(也就是石墨材料20的最外层区域)通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22(步骤S104)，其中，石墨层22以及石墨烯层21构成一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2。
借此，配合图1以及图16所示，通过步骤S100(D)、步骤S102以及步骤S104的制作方法，本发明第四实施例可以提供一种具有纳米材料的导电箔F，其包括：一金属基层结构1以及一复合式纳米材料结构2。另外，复合式纳米材料结构2由一石墨材料20所制成，石墨材料20的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22，并且复合式纳米材料结构2由石墨层22以及石墨烯层21所构成。
更进一步来说，配合图16以及图18所示，金属基层结构1包括一表面无氧化层的金属基层10以及一设置在金属基层10上的介金属化合物层12，复合式纳米材料结构2的石墨层22设置在金属基层结构1的介金属化合物层12上，并且包含有金属基层结构1与复合式纳米材料结构2的导电箔F能做为一卷绕型电容器C的一负箔使用。
值得一提的是，如图17所示，本发明第四实施例的金属基层结构1还可以提供另外一设置在金属基层10上的介金属化合物层12。另外，本发明第四实施例也可同时提供两个复合式纳米材料结构2，并且两个复合式纳米材料结构2会分别设置在金属基层结构1的两相反表面上。
第五实施例
请配合图18以及图19所示，本发明第四实施例提供一种卷绕型电容器封装结构Z，其包括：一卷绕型电容器C、一封装体B以及至少两个导电引脚L，并且卷绕型电容器C包括至少两个导电箔F以及两个隔离纸P。
更进一步来说，配合图4、图5、图8、图9、图12、图13、图16以及图17之中的任一个实施例与图18所示，每一个导电箔F包括一金属基层结构1以及一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2，并且两个隔离纸P的其中之一设置于至少两个导电箔F之间。举例来说，复合式纳米材料结构2由一石墨材料20所制成，石墨材料20的其中一部分(也就是石墨材料20的最外层区域)通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22，并且复合式纳米材料结构2由石墨层22以及石墨烯层21所构成。
再者，配合图18以及图19所示，封装体B包覆整个卷绕型电容器C。另外，至少两个导电引脚L分别电性连接于至少两个导电箔F，并且每一个导电引脚L具有一电性连接于相对应的导电箔F且被封装体B所包覆的内埋部L1以及一连接于内埋部L1且裸露在封装体B的外部的外露部L2。
借此，本发明第四实施例所公开使用具有纳米材料的导电箔F的卷绕型电容器封装结构Z，其可通过“石墨材料20的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层21，且石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22”以及“石墨层22以及石墨烯层21构成一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2”的技术特征，以降低导电箔F的阻抗并提升卷绕型电容器封装结构Z的整体电气性能，其中电气性能包括：提升介电常数、提升导电性、提升热稳定性、提升高分子含浸率、提升电容量(Capacitance，Cap)、降低等效串联电阻(Equivalent Series Resistance，ESR)、降低损耗因子(Dissipation Factor，DF)以及降低漏电流(Leakage Current，LC)等等。
实施例的有益效果
本发明的有益效果在于，本发明技术方案所提供的具有纳米材料的导电箔F及其制作方法，以及卷绕型电容器封装结构Z，其可通过“石墨材料20的其中一部分(也就是石墨材料20的最外层区域)通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成(或转变成)一石墨烯层21，且石墨材料20的其余部分形成一设置在金属基层结构1与石墨烯层21之间的石墨层22”以及“石墨层22以及石墨烯层21构成一设置在金属基层结构1上的复合式纳米材料结构2”的技术特征，以降低导电箔F的阻抗并提升卷绕型电容器封装结构Z的整体电气性能，其中电气性能包括：提升介电常数、提升导电性、提升热稳定性、提升高分子含浸率、提升电容量(Capacitance，Cap)、降低等效串联电阻(Equivalent Series Resistance，ESR)、降低损耗因子(Dissipation Factor，DF)以及降低漏电流(Leakage Current，LC)等等。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求的保护范围内。
Claims (11)
1.一种具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述具有纳米材料的导电箔包括：
一金属基层结构；以及
一复合式纳米材料结构，所述复合式纳米材料结构设置在所述金属基层结构上；
其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。
2.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
3.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
4.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
5.根据权利要求1所述的具有纳米材料的导电箔，其特征在于，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
6.一种具有纳米材料的导电箔的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括下列步骤：
提供一金属基层结构；
形成一石墨材料于所述金属基层结构上；以及
所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，其中，所述石墨层以及所述石墨烯层构成一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构。
7.一种卷绕型电容器封装结构，其特征在于，所述卷绕型电容器封装结构包括：
一卷绕型电容器，所述卷绕型电容器包括：至少两个导电箔以及两个隔离纸，每一个所述导电箔包括一金属基层结构以及一设置在所述金属基层结构上的复合式纳米材料结构，且两个所述隔离纸的其中之一设置于至少两个所述导电箔之间；
一封装体，所述封装体包覆整个所述卷绕型电容器；以及
至少两个导电引脚，至少两个所述导电引脚分别电性连接于至少两个导电箔，其中，每一个所述导电引脚具有一电性连接于相对应的所述导电箔且被所述封装体所包覆的内埋部以及一连接于所述内埋部且裸露在所述封装体的外部的外露部；
其中，所述复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，所述石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，所述石墨材料的其余部分形成一设置在所述金属基层结构与所述石墨烯层之间的石墨层，且所述复合式纳米材料结构由所述石墨层以及所述石墨烯层所构成。
8.根据权利要求7所述的卷绕型电容器封装结构，其特征在于，所述金属基层结构包括一金属基层以及一完全包覆所述金属基层的氧化层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述氧化层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
9.根据权利要求7所述的卷绕型电容器封装结构，其特征在于，所述金属基层结构为一表面无氧化层的金属基层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述金属基层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
10.根据权利要求7所述的卷绕型电容器封装结构，其特征在于，所述金属基层结构包括一金属基层、一完全包覆所述金属基层的氧化层以及一设置在所述氧化层上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一正箔使用。
11.根据权利要求7所述的卷绕型电容器封装结构，其特征在于，所述金属基层结构包括一表面无氧化层的金属基层以及一设置在所述金属基层结构上的介金属化合物层，所述复合式纳米材料结构的所述石墨层设置在所述金属基层结构的所述介金属化合物层上，且包含有所述金属基层结构与所述复合式纳米材料结构的所述导电箔能做为一卷绕型电容器的一负箔使用。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN114694974A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 禾达材料科技股份有限公司 | 卷绕型电解电容器封装结构及其卷绕式抗腐蚀负极箔片 |
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2016
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