CN1146069C - 不可逆电路装置和不可逆电路设备以及使用它们的收发机 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种不可逆电路装置，包含确定了具有铁磁性特性的磁部件的顶部上缝隙的导电薄膜。在磁部件的底部，形成确定相对的缝隙的另一个导电薄膜。沿着大致上平行于磁部件，并大致上垂直于缝隙的方向施加外部DC磁场。在磁部件的顶部上的缝隙旁边形成电阻薄膜。当信号沿从端口#2到端口#1的传播时，平面介质线模式的电磁场沿电阻薄膜的方向放置。电功率由电阻薄膜消耗，从而阻碍了信号的传播。当信号沿着从端口#1到端口#2的方向传播时，没有由电阻薄膜引起的损耗。由此以较低的损耗发送信号。

Description

不可逆电路装置和不可逆电路设备以及使用它们的收发机

本发明涉及一种不可逆电路装置，以及不可逆电路设备，它们可以用作微波和毫米波带中的隔离器，本发明还涉及一种使用上述装置和设备的收发机。

到目前为止，使用边导模式的传统的隔离器已经在第4-287408号日本未审查专利公告，以及第63-124602号日本未审查专利公告中揭示了。

前者的隔离器包含形成在磁性基础部件上的微带线以及在中间接地到一侧的条形导线，其中沿垂直方向施加DC磁场。后者的隔离器包含形成在磁性基础部件上的共平面型波导(以下将称为“共面线”)以及形成在从共平面型波导的中心导体到一个接地导体的部分上的电磁波吸收器，其中，沿垂直方向将外部DC磁场施加给磁性基础部件。前者和后者隔离器都产生隔离效应  通过外部DC磁场，改变磁基础部件中的磁特性，引起传输线两侧的传播模式的磁场分布由于边导效应而不对称，并根据外部磁场方向和信号的传播方向，选择性地衰减传播信号。

前者的隔离器将微带线用作传输线。当隔离器设置在由微带线形成的平面电路上时，电路的可连接性较容易。后者隔离器将共面线用作传输线，从而共面线和例如共轴线之间的传输过渡相对简单。

但是，微带线和共面线具有相对较大的传输损耗。当传输距离长时，并且尤其当需要较低的传输损耗时，微带线和共面线是不适用的。

另一种传输线包含具有较低传输损耗的空腔波导或非辐射介质波导。但是，当将这些波导用于形成诸如隔离器之类的不可逆电路装置时，隔离器的总体尺寸必定较大。另一方面，当使用由微带线或共面线形成的非无互电路装置时传输线过渡需要部件，用于微带线或共面线与空腔波导或非辐射波导之间的过渡。结果，整个尺寸未减小，并且产生转换损耗。

本发明能够提供一种消除上述问题或使之最小化的不可逆电路装置。

目前的转让人已经预先递交了一个专利申请，在1996年10月11日公布的第8-265007号日本未审查专利公告中揭示了一种平面介质传输线。这种平面介质传输线包含形成在介质基础部件的两侧上的相对的缝隙，并使用缝隙相对，并且其间有介质基础部件的区域，作为传输区域。平面介质线具有非常小的传输损耗。本发明使用这种类型的平面介质线，只通过平面介质线来产生不可逆电路特性。

根据本发明的一个方面，提供了一种不可逆电路装置，该装置包含形成在具有铁磁性特性的基片的两侧上的导电薄膜，分别形成在导电薄膜中，并相对的第一和第二缝隙，以及至少一个电阻薄膜，它形成在相应的缝隙附近的基片的两侧中的一个侧面上。将DC磁场施加到基片上，从而大致上平行于基片，并大致上垂直于第一和第二缝隙，并且由此得到不可逆电路装置。

或者，基片可以是介质部件，并可以将磁部件叠在介质部件中，和电阻薄膜相邻。

根据本发明的另一个方面，提供了一种不可逆电路装置，包含形成在具有铁磁性特性的基片两侧上的导电薄膜，分别形成在导电薄膜中，并相对的第一和第二缝隙，以及电阻薄膜，它形成在基片上至少第一和第二缝隙中的一个缝隙的附近。将DC磁场施加到基片上，从而大致上垂直于基片，并由此得到不可逆电路装置。

或者，基片可以是介质部件，并且磁部件可以叠在介质部件中，和电阻薄膜相邻。

具有铁磁性特性的上述基片还用作具有预定的介质常数的介质部件。第一和第二缝隙用作平面介质传输线，其中夹在第一和第二缝隙之间的基片的内部用作传输区域。尤其地，如此确定基片的介质常数和厚度，从而电磁波传输，同时从基片在第一缝隙中的第一侧以及基片在第二缝隙中的第二侧全部反射。相应地，第一和第二缝隙用作具有非常小的传输损耗的平面介质传输线。

较好地，通过叠加具有铁磁特性的磁部件以及介质部件形成基片，并在介质部件上形成导电薄膜。按照这样的安排，不可逆电路装置与另一个形成在介质部件上的平面电路的连接非常容易。例如，当将根据本发明的不可逆电路装置设置在其上形成有平面电路的介质部件上时，不需要使用其中形成在介质部件的平面电路和形成在磁部件上的不可逆电路装置相连的结构。

根据本发明的另一个方面，提供了一种不可逆电路装置，包含导电薄膜，它形成在介质部件的两侧上，确定了相对的第一和第二缝隙，具有铁磁性特性的磁部件，它叠在介质部件上，还有形成在磁部件上的电阻薄膜，它和第一和第二缝隙中的一个区域相对。将DC磁场如此施加给介质部件和磁部件，从而大致上平行于介质部件和磁部件，并大致上垂直于第一和第二缝隙，并且由此得到不可逆电路装置。

如上所述，即使当电阻薄膜与导电薄膜分离，当信号沿阻挡方向传输时，传播模式的电磁场分布朝电阻薄膜集中。电功率由电阻薄膜消耗，信号因此而衰减。在这种情况下，电阻薄膜不需要形成缝隙，由此简化了电阻薄膜的图案。

较好地，电阻薄膜的底边沿缝隙的方向逐渐缩小。传输线的阻抗特性逐渐变化，并且由此抑制了信号的反射。

根据本发明的另一个方面，提供了一种不可逆电路设备，它包含上述不可逆电路装置，轭装置，用于通过覆盖基片的外围形成磁路，以及磁铁，用于产生DC磁场。按照这样的安排，得到一种不可逆电路设备，它可以用作小型的隔离器，这种隔离器具有基片，磁铁，和结合在其中的轭装置。

根据本发明的另一个方面，提供了一种收发机，它包含上述不可逆电路装置或不可逆电路设备。

从下面参照附图对本发明的实施例的描述，本发明的其它特点和优点是显而易见的。

图1A和1B是根据本发明的第一实施例的不可逆电路装置的透视图；

图2A和2B是沿着图1A和1B线A-A取得的截面图，用于通过图示说明图1A和1B所示的不可逆电路装置的磁场分布；

图3A到3C是图1A和1B的不可逆电路装置的其它例子的截面图；

图4A是根据本发明的第二实施例的不可逆电路装置的分解透视图；

图4B是沿图4A中的A-A取得的不可逆电路装置的分解透视图；

图5A是根据本发明的第三实施例的不可逆电路装置的分解透视图；

图5B是沿图5A中的线A-A取得的不可逆电路装置的截面图；

图5C是一个磁部件的透视图，该磁部件具有不同于图5A中所示的图案；

图6A是根据本发明的第四实施例的不可逆电路装置的透视图；

图6B是沿图6A中的线A-A取得的不可逆电路装置的截面图；

图6C是图6A的另一个修改的实施例的透视图；

图7A和7B是沿图6A和6B的线A-A取得的截面图，用于通过示图说明图6A和6B中的不可逆电路装置的磁场分布；

图8A到8C是图6A和6B所示的不可逆电路装置的其它例子的截面图；

图9A是根据本发明的第五实施例的不可逆电路装置的分解透视图；

图9B是与沿图9A中的线A-A取得的不可逆电路装置的截面图；

图10是根据本发明的第六实施例的隔离器的分解透视图；

图11A是图10所示的隔离器的透视图；

图11B是图10中所示的隔离器的截面图；

图12是根据本发明的第七实施例的隔离器的分解透视图；

图13A是图12所示的隔离器的透视图；

图13B是图12所示的隔离器的截面图；

图14是一个具有不可逆电路特性的装置和另一个电路装置的连接结构；及

图15是毫米波雷达模块的框图。

参照图1A和1B、图2A和2B，和图3A到3C，描述根据本发明的第一实施例的不可逆电路装置的结构。

图1A和1B是不可逆电路装置的透视图，示出两个不同的例子。具有铁磁性的磁部件包括铁或钇铁石榴石(yttrium-iron-garnet)(YIG)。在磁部件1的表面上(图1A和1B的顶表面)形成具有第一缝隙3a的导电薄膜2a和2b。在另一个表面上(底表面)形成具有第二缝隙3b的导电薄膜2c和2d。在导电薄膜2a和2b的顶上，沿缝隙3a在其两侧上形成电阻薄膜4a和4b。在图1A和1B中，电阻薄膜4a和4b形状是不同的。在图1A中，电阻薄膜4a和4b沿着离开缝隙的方向逐渐变细。在图1B中，它们的底边沿离开缝隙的方向分叉。如图1A和1B所示，沿平行于磁部件1，并垂直于缝隙3a和3b的方向，施加外部DC磁场Ho。

上述导电薄膜2a到2d和磁部件1形成平面介质传输线。在这个实施例中，如图1A和1B所示，将平面介质传输线用作不可逆电路装置，该装置具有两个端口：左前的端口#1和右后的端口#2。

图2A和2B是沿图1A和1B的线A-A取得的截面图，用于说明平面介质传输线通过施加外部DC磁场的传播模式(下面称为“PDTL模式”，该传播模式被揭示在JP8-265007中)中电磁场分布的变化。虽然在图2A和2B中省略，但是，以预定的距离，分别在磁部件1的上侧和下侧，平行于磁部件地设置用于屏蔽的导电部件。

在这个实施例中，信号从后面传播到前面(从图1A和1B中的端口#2到端口#1)。参照图2A和2B，实线表示电场分布，虚线表示磁场分布。当未施加DC磁场Ho时，信号以标准PDTL模式传播，如图2A中所示。当施加DC磁场Ho时，如图2B所示，PDTL的电磁场分布在图2B中是向上画的，从而电磁场的能量密集在形成有电阻薄膜的第一缝隙部分。结果，当电流在电阻薄膜4a和4b中流动时，消耗电功率。由此，PDTL模式的信号大大减弱。相反，当信号从前面传播到后面(从端口#1传播到端口#2)时，PDTL模式的电磁场分布画得朝下。由此，电磁场能量分布在电阻薄膜4a和4b的侧面变得稀疏。结果，抑制了由电阻薄膜4a和4b引起的功率消耗，并且信号传播没有被显著地衰减。通过这样的工作，可以将装置用作选择性地将信号从端口#1传播到端口#2的隔离器。当以相反的方向施加DC磁场时，传播模式的电磁场分布的位置的方向(该方向根据DC磁场方向和信号的传播方向确定)相反。由此隔离器的方向相反。

如图1A所示，沿缝隙方向的电阻薄膜的两端逐渐缩小。当信号沿阻挡的方向传播时，传输线的阻抗特性逐渐变化，由此抑制信号的反射。当信号沿传输方向传播时，电阻薄膜没有显著的影响，因为电阻薄膜上的电磁场的能量密度低。如图1B所示，当电阻薄膜的宽度逐渐增加时，即使当信号沿传输方向传播时，传输线的阻抗特性逐渐地变化。由此，不由电阻薄膜引起显著的信号反射。

图3A到3C是图1A和1B所示的不可逆电路装置的其它修改的实施例的截面图。这些截面图与缝隙正交。这些实施例的电阻薄膜具有与图1A和1B相同的平面图案。在图3A所示的实施例中，电阻薄膜4a和4b形成在磁部件1的表面上，导电薄膜2a和2b形成在电阻薄膜上。在图3B所示的实施例中，电阻薄膜4a和4b、导电薄膜2a和2b以及额外的电阻薄膜4a和4b分别按照上述顺序堆叠。如图3A和3B所示，即使当将导电薄膜和电阻薄膜叠加到一起，由于趋肤效应，电流分布集中在电阻薄膜上。由此，有效地消耗了电功率。在如图3C所示的实施例中，在和导电薄膜2a和2b相同的平面内形成电阻薄膜4a和4b。

这些实施例的缝隙的两侧上形成有电阻薄膜。或者可以只形成电阻薄膜4a和4b中的一个。在这种情况下，当信号沿阻挡方向传播时，电功率在电阻薄膜部分中消耗。由此阻挡了信号的传播。

参照图4A和4B，描述根据本发明的第二实施例的不可逆电路装置的结构。图4A是不可逆电路装置的分解透视图。图4B是在装置装配好后，沿图4A中的线A-A取得的截面图。在介质部件5的一个表面上，形成具有第一缝隙3a的导电薄膜2a和2b。在介质部件5的另一个表面上，形成具有第二缝隙3b的导电薄膜2c和2d，它和第一缝隙3a相对。在导电薄膜2a和2b的顶部，沿第一缝隙3a在其两侧形成电阻薄膜4a和4b。在图4A和4B中，磁部件1具有铁磁性特性，并含有铁或YIG。将磁部件1和介质部件5叠起来，形成基片。将外部的DC磁场施加到基片，以平行于基片，并垂直于缝隙。由此，得到用作隔离器的不可逆电路装置。

如上所述，不可逆电路装置包含形成在介质部件上的平面介质传输线、沿缝隙部分形成在一个表面上的电阻薄膜，以及叠在其上的磁部件。按照这样的安排，当信号沿阻挡方向传播时，传播模式的电磁场分布位于磁部件的侧面，由此电功率在电组薄膜中消耗。当信号沿传输方向传播时，大部分电磁场分布包含在介质部件中。由此，信号以低的介入损耗而被传输。

参照图5A到5C，描述根据本发明的第三实施例的不可逆电路装置的结构。图5A是不可逆电路装置的分解透视图。图5B是在装置装配好后，沿图5A中的线A-A取得的截面图。图5C是一个磁部件的透视图，其图案和图5A中所示的不同。如在第二实施例中，在介质部件5的一个表面上形成具有第一缝隙3a的导电薄膜2a和2b，并在介质部件5的另一个表面上形成第二缝隙3b，该缝隙和第一缝隙3a相对。在这个实施例中，在介质部件5上没有形成电阻薄膜。

图5A到5C中，具有铁磁性特性的磁部件1由铁或YIG制成。在磁部件1的顶上在和第一缝隙3a相对的位置上设置电阻薄膜4。磁部件1和介质部件5被叠起来以形成基片。将外部DC磁场Ho施加给基片，以平行于基片，并垂直于缝隙。由此，构成用作隔离器的不可逆电路装置。

如上所述，不可逆电路装置包含形成在介质部件上的平面介质线以及叠在其上的磁部件，其中，一个表面上的缝隙和电阻薄膜相对，其间有磁部件。在这种安排下，当信号沿阻挡方向传播时，传播模式的电磁场分布位于磁部件的侧面上，由此，电功率在电阻薄膜中消耗。当信号沿传输方向传输时，几乎所有的电磁场分布都包含在介质部件中。由此，信号以低的介入损耗被传输。

当信号沿阻挡方向射入时，由于电阻薄膜4而使特性阻抗变化。如图5A或图5C中所示，电阻薄膜4的底边沿信号的传播方向逐渐缩小。当信号沿阻挡方向传播时，传输线的特性阻抗逐渐变化，由此抑制了信号的反射。当信号沿传输方向传输播时，没有没有由电阻薄膜引起的显著的影响，因为电阻薄膜一侧上的电磁场能量密度较低。

参照图6A到6C，图7A和7B以及图8A到8C，描述根据本发明的第四实施例的不可逆电路装置的结构。

图6A是不可逆电路装置的透视图。图6B是沿图6A中的线A-A取得的截面图。在图6A和6B中，具有亚铁磁特性的磁部件1由铁或YI6制成。在磁部件1的一个表面上形成确定了第一缝隙3a的导电薄膜2a和2b。磁部件1的另一个表面上，形成确定了第二缝隙3b的导电薄膜2c和2d，其中该第二缝隙3b和第一缝隙3a相对。在导电薄膜2b的表面上，沿第一缝隙3a形成电阻薄膜4a。在导电薄膜2d的一个表面上，沿第二缝隙3b形成电阻薄膜4b。将外部DC磁场Ho沿垂直方向施加给磁部件1。

图7A和7B是沿图6A中的线A-A的截面图，用于说明PDTL模式的电磁场分布的变化，其中该变化是用于施加了外部DC磁场引起的。在这个实施例中，信号从后面传播到前面(在图6A中从端口#2传播到端口#1)。在图7A和7B中，实线表示电场分布，虚线表示磁场分布。当不施加DC磁场Ho时，信号以正常PDTL模式传播，如图7A所示。当施加DC磁场Ho时，如图7B所示，PDTL模式的电磁场分布朝右画，电磁场的能量集中到设置在第一和第二缝隙的形成有电阻薄膜的右侧的导电薄膜中。由此，当电流在电阻薄膜4a和4b中流动时，消耗电功率，从而大大衰减了PDTL模式的信号。相反，当信号从前面传播到后面(从端口#1传播到端口#2)时，PDTL模式的电磁场分布画得朝左，并且电磁场能量分布在电阻薄膜4a和4b的侧面上变得稀疏。结果，抑制了由电阻薄膜4a和4b引起的功率消耗，从而传输信号而不会受到显著的衰减。按照这样的工作，可以将装置用作隔离器，它选择性地将信号沿从端口#1到端口#2地传播。当DC磁场方向相反时，传播模式的电磁场的位置方向(这根据DC磁场的方向以及信号的传播方向确定)相反。由此，隔离的方向相反。

如图6A和6B所示，沿缝隙的电阻薄膜4a的底边逐渐缩小。当信号沿阻挡方向传播时，传输线的特性阻抗逐渐改变，因此抑制了信号的反射。当信号沿传输方向传播时，没有由电阻薄膜引起的显著影响，因为电阻薄膜侧面上的电磁场能量密度较低。如图6A中所示，当电阻薄膜的宽度逐渐增加时，即使当信号沿传输方向传播时，传输线的特性阻抗也逐渐地变化。由此，将不会由电阻薄膜引起显著的信号反射。

图8A到8C是图6A和6B中所示的不可逆电路装置的其它实施例的截面图。截面图与缝隙正交。这些实施例的电阻薄膜具有和图6A所示的相同的平面图案。在图8A所示的实施例中，电阻薄膜4a和4b形成在磁部件1的表面上，导电薄膜2b和2d形成在电阻薄膜上。在图8B所示的实施例中，电阻薄膜4a和4b、导电薄膜2a和2d以及额外的电阻薄膜4a和4b按照上述顺序叠在一起。在这两个实施例中，如在图8A和8B中所述的，即使当将导电薄膜和电阻薄膜叠在一起时，电流的分布由于趋肤效应而集中在电阻薄膜中。由此，有效地消耗了电功率。在图8C所示的实施例中，电阻薄膜4a和4b形成在和导电薄膜2b和2d相同的平面内。

或者，可以只形成电阻薄膜4a和4b中的一个，如图6C所示。在这种情况下，当信号沿阻挡方向传输时，电功率在电阻薄膜部分中消耗。由此，信号传播受到阻挡。

现在参照图9A和9B，描述根据本发明的第五实施例的不可逆电路装置的结构。图9A是不可逆电路装置的分解透视图；图9B是在该装置装配好后，沿图9A中的线A-A取得的不可逆电路装置。在图9A和9B中，确定了第一缝隙3a的导电薄膜2a和2b形成在介质部件5的一个表面上。在介质部件5的另一个表面形成确定第二缝隙3b的导电薄膜2c和2d，该缝隙和第一缝隙3a是相对的。在导电薄膜2b的表面上(它是导电薄膜2a和2b的一侧)，沿第一缝隙3a形成电阻薄膜4a。在导电薄膜2d的的表面上(它是导电薄膜2c和2d的一侧)，沿第二缝隙3b形成电阻薄膜4b。具有铁磁特性的磁部件由铁或YIG制成。将磁部件1和介质部件5叠起来，以形成基片。沿垂直方向施加外部DC磁场Ho，从而得到一种不可逆电路装置，它可以用作隔离器。

如上所述，不可逆电路装置包含形成在介质部件上的平面介质线、沿缝隙形成的电阻薄膜以及叠在其上面的磁部件。按照这样的安排，当信号沿阻挡方向传播时，传播模式的电磁场分布位于沿电阻薄膜的方向，由此，电功率在电阻薄膜中消耗。当信号沿传输方向传播时，电磁场分布沿电阻薄膜的方向逐渐稀疏，从而几乎没有电功率被电阻薄膜消耗。由此，以较低的介入损耗传输信号。

在上述实施例中，只描述了形成不可逆电路装置的基本部件。现在参照图10和图11A和11B，描述根据本发明的第六实施例的不可逆电路设备，即隔离器的实施例。

图10是整个隔离器的分解图。基片10包含例如图1A中所示的不可逆电路装置的基片。图1B-5C中的任何其它实施例都可以使用。磁铁11提供了一个平行于基片10，并垂直于缝隙的DC磁场。托架13支持基片10和磁铁11。托架13还用作磁铁11的轭装置，因此它由磁性材料制成。盖子12覆盖顶部。

图11A是图10中的隔离器的透视图。图11B是隔离器的截面图。参照图11A和11B，盖子12小于托架13，从而基片10的这两个输入/输出端口暴露。参照图11B，将两个磁铁11的磁极设置在两侧时，并将托架13用作轭装置。特别地，托架13和基片10形成磁铁11的磁路，它沿平行的方向，将DC磁场施加给基片10。

将基片10上的导电薄膜与托架13的内部表面之间的距离h1和基片10上的导电薄膜与盖子12的内部表面之间距离h2都设置得不大于波导中的波长λg的一半。由此，在基片10和托架13之间的空间中，以及在基片10和盖子12之间的空间中，将激励不需的平行板模式的电磁场。将平行导电薄膜之间的磁部件或介质部件的相对介质常数εr设置为例如15。当在20GHz的频带中使用隔离器时，厚度设置为1mm或者更小。

参照图12和图13A以及13B，描述根据本发明的第七实施例的隔离器的结构。通过将DC磁场沿垂直方向施加到基片来使隔离器工作。

图12是整个隔离器的分解透视图。基片10包括不可逆电路装置的基片，诸如图6A和6B中所示的基片。还可以使用图8A-9B中的实施例。磁铁11沿垂直方向将DC磁场施加给基片10。托架13将基片10和下部的磁铁11支持在适当的位置上。盖子12将上部磁铁11支持在适当的位置上，并覆盖托架13。托架13和盖子12用作磁铁11的轭装置，因此它们由磁性材料制成。

图13是所述隔离器的透视图。图13B是上述隔离器的截面图。参照图13B，将两个磁铁11的磁极设置在两侧上，磁铁13和盖子12用作磁铁11的轭装置。特别地，托架13、盖子12和基片10形成磁铁11的磁路，它沿垂直方向将磁场施加给基片10。

将基片10上的导电薄膜和托架13的内部表面之间的距离h1和基片10上的导电薄膜和盖子12的内部表面之间的距离h2设置得不大于波导中的波长λg的一半。将基片10上的导电薄膜之间的厚度设置得不大于基片10中的波长的一半。因此，在基片10的顶部和托架13之间、在基片10的底部和盖子12之间、以及在基片10上的顶部和底部导电薄膜之间不会激励不需的平行板模式的磁场。

当使用具有不可逆电路的装置形成高频电路，诸如上述的隔离器时，将具有不可逆电路特性的基片上的导电薄膜部分用作电极。例如，如图14中所示，将隔离器100和另一个电路装置安装在一个公用基础部件上，并且它们由导线14连接。

参照图15，将描述使用上述隔离器形成的收发机的毫米波雷达模块。

图15是整个收发机的框图。通过继续参照图15，隔离器产生一个发送信号。隔离器沿着一个方向传播信号，从而信号将不沿着反向传播，并返回到隔离器。循环器将发送信号引导到天线，并将接收信号从天线传播到混频器。天线将发送信号以电磁辐射发送，并接收从目标反射的波。两个耦合器中的一个耦合器通过与隔离器的输出信号耦合取出本地信号。另一个耦合器混合本地信号和接收信号，并将得到的信号传送给混频器。作为非线性装置的混频器产生谐波，该谐波具有本地信号和接收信号之间的差的频率成份。

使用上述毫米波雷达模块的控制器周期性地调制振荡器的振荡信号，并根据本地信号和接收信号之间的差的频率以及其随时间的变化，测量与目标的距离以及相对速度。

上述毫米波雷达模块的传输线包含形成在介质部件上的PDTL模式的线。每一个电路装置都整体安装在介质部件上。例如，将铁基片叠在介质部件上的预定位置，由此，隔离器构成得如图4A和4B中所示或如图5A到5C中所示。

虽然已经就本发明具体的实施例描述了本发明，对于熟悉本领域的人来说，许多其它的变化和修改是显然的。因此，本发明不限于这里所解释的具体情况。

Claims (9)

1.一种不可逆电路装置，其特征在于包含：

形成在具有铁磁性特性的基片的两侧上的导电薄膜，在导电薄膜中分别形成相对的第一和第二缝隙；及

形成在所述基片的一侧的所述缝隙的至少一部分附近的电阻薄膜；

所述不可逆电路装置用于接收沿平行于所述基片，并垂直于所述第一和第二缝隙的方向施加到所述基片的DC磁场。

2.如权利要求1所述的不可逆电路装置，其特征在于：

所述基片包含具有铁磁特性的磁部件以及叠在一起的介质部件；及

所述导电薄膜形成在所述介质部件上。

3.一种不可逆电路装置，其特征在于包含：

形成在具有铁磁特性的基片两侧上的导电薄膜，在导电薄膜上分别形成，相对的第一和第二缝隙；及

形成在所述基片上的电阻薄膜，它在所述第一和第二缝隙中的至少一个中的一侧上的至少一部分附近；

所述不可逆电路装置用于接收沿垂直于所述基片的方向施加给所述基片的DC磁场。

4.如权利要求3所述的不可逆电路装置，其特征在于：

所述基片包含具有铁磁特性的磁部件以及叠在一起的介质部件；并且

所述导电薄膜形成在所述介质部件上。

5.一种不可逆电路装置，其特征在于包含：

形成在介质部件的两侧上的导电薄膜，在导电薄膜中分别形成相对的第一和第二缝隙；

具有铁磁特性的磁部件；

电阻薄膜，与在所述磁部件上形成的第一和第二缝隙中的一个区域相对；及

基片，由所述磁部件和叠在一起的介质部件形成；

所述不可逆电路装置用于接收施加到由所述介质部件和磁部件形成的所述基片上的DC磁场，所述DC磁场沿平行于所述介质部件和磁部件，并垂直于所述第一和的第二缝隙的缝隙而施加。

6.如权利要求1到5中任一条所述的不可逆电路装置，其特征在于所述电阻薄膜沿底边缝隙的方向逐渐缩小。

7.一种不可逆电路设备，其特征在于包含：

如权利要求1到5任一条所述的不可逆电路装置；

形成所述DC磁场的磁路，并覆盖所述基片的周边的轭装置；及

产生DC磁场的磁铁。

8.一种通信设备，包含发送器和接收器中的一个，其特征在于还包含：

连接到其上的，如权利要求1到5中任一条所述的不可逆电路装置以及如权利要求7所述的不可逆电路设备中的一个。

9.一种通信设备，包含发送器和接收器中的一个，其特征在于还包含：

连接到其上的，如权利要求6中所述的不可逆电路装置。

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