JPH04287403A - エッジガイドモード型アイソレータ - Google Patents
エッジガイドモード型アイソレータInfo
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- JPH04287403A JPH04287403A JP7675391A JP7675391A JPH04287403A JP H04287403 A JPH04287403 A JP H04287403A JP 7675391 A JP7675391 A JP 7675391A JP 7675391 A JP7675391 A JP 7675391A JP H04287403 A JPH04287403 A JP H04287403A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、エッジガイドモード型アイソレ
ータに係り、特にマイクロ波の集積回路を保護するべく
、マイクロ波を一方向のみに通過させるために用いられ
る、マイクロ波通信用アイソレータに関するものである
。
ータに係り、特にマイクロ波の集積回路を保護するべく
、マイクロ波を一方向のみに通過させるために用いられ
る、マイクロ波通信用アイソレータに関するものである
。
【０００２】
【背景技術】従来から、マイクロ波の如き電磁波を一方
向のみに通過させるために、各種のアイソレータが用い
られてきているが、その中でも、磁性体から成る基板の
両面にそれぞれ導体を設け、順方向の電磁波の伝送（伝
搬）に対しては減衰させず、逆方向の電磁波の伝送に対
しては大きな減衰が惹起されるように構成した、マイク
ロ波集積回路用のエッジガイドモード型アイソレータは
、その構造が簡単であり、またその導体の形状を工夫す
ることにより、特性改良が可能であるところから、各種
の改良が為されてきている。
向のみに通過させるために、各種のアイソレータが用い
られてきているが、その中でも、磁性体から成る基板の
両面にそれぞれ導体を設け、順方向の電磁波の伝送（伝
搬）に対しては減衰させず、逆方向の電磁波の伝送に対
しては大きな減衰が惹起されるように構成した、マイク
ロ波集積回路用のエッジガイドモード型アイソレータは
、その構造が簡単であり、またその導体の形状を工夫す
ることにより、特性改良が可能であるところから、各種
の改良が為されてきている。
【０００３】しかしながら、このようなエッジガイドモ
ード型アイソレータにおいて、その基板としては、従来
より、ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）多結晶を用
いたものが明らかにされているが、そのようなアイソレ
ータにおいては、挿入損失が大きい、換言すれば順方向
の電磁波の伝送に対する減衰が大きくなる、という問題
があった。
ード型アイソレータにおいて、その基板としては、従来
より、ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）多結晶を用
いたものが明らかにされているが、そのようなアイソレ
ータにおいては、挿入損失が大きい、換言すれば順方向
の電磁波の伝送に対する減衰が大きくなる、という問題
があった。
【０００４】
【解決課題】ここにおいて、本発明は、かかる事情を背
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、上記の如きエッジガイドモード型アイソレータにお
いて、その順方向の電磁波の伝送に対する減衰を抑制し
て、挿入損失を効果的に小さくすることにある。
景にして為されたものであって、その課題とするところ
は、上記の如きエッジガイドモード型アイソレータにお
いて、その順方向の電磁波の伝送に対する減衰を抑制し
て、挿入損失を効果的に小さくすることにある。
【０００５】
【解決手段】そして、本発明は、かかる課題解決のため
に、基板の両面にそれぞれ導体を設け、順方向の電磁波
の伝送に対しては減衰させず、逆方向の電磁波の伝送に
対しては大きな減衰が惹起されるように上記導体を配置
したエッジガイドモード型アイソレータにおいて、前記
基板として、ＹＩＧ単結晶、またはＹＩＧ単結晶とＹＩ
Ｇ多結晶との接合体を用いることとしたのである。
に、基板の両面にそれぞれ導体を設け、順方向の電磁波
の伝送に対しては減衰させず、逆方向の電磁波の伝送に
対しては大きな減衰が惹起されるように上記導体を配置
したエッジガイドモード型アイソレータにおいて、前記
基板として、ＹＩＧ単結晶、またはＹＩＧ単結晶とＹＩ
Ｇ多結晶との接合体を用いることとしたのである。
【０００６】
【具体的構成・作用】ところで、エッジガイドモード型
アイソレータは、よく知られているように、磁性体から
成る所定の基板の両面にそれぞれ導体を設けて成る構造
を有するものであって、例えば図１に示される如く、基
板２の上面に、所定パターンで上部導体４が設けられて
いる。一方、基板２の下面には、下部導体６が設けられ
た構造を呈しており、そしてそれら上部及び下部の導体
４，６を、図示の如く接続せしめた構造の一端短絡型の
ものが、効率が良いことで知られている。そして、この
ようなアイソレータにおいては、順方向からのマイクロ
波の如き電磁波は、矢印：Ａのように上部導体４のスト
レートの一方のエッジ部４ａに沿って進み、減衰させら
れないようにして、出力されることとなるが、逆方向か
らの電磁波は、矢印：Ｂのように上部導体４の他方のエ
ッジ部４ｂに沿って進み、所望の減衰が惹起されるよう
に構成されている。
アイソレータは、よく知られているように、磁性体から
成る所定の基板の両面にそれぞれ導体を設けて成る構造
を有するものであって、例えば図１に示される如く、基
板２の上面に、所定パターンで上部導体４が設けられて
いる。一方、基板２の下面には、下部導体６が設けられ
た構造を呈しており、そしてそれら上部及び下部の導体
４，６を、図示の如く接続せしめた構造の一端短絡型の
ものが、効率が良いことで知られている。そして、この
ようなアイソレータにおいては、順方向からのマイクロ
波の如き電磁波は、矢印：Ａのように上部導体４のスト
レートの一方のエッジ部４ａに沿って進み、減衰させら
れないようにして、出力されることとなるが、逆方向か
らの電磁波は、矢印：Ｂのように上部導体４の他方のエ
ッジ部４ｂに沿って進み、所望の減衰が惹起されるよう
に構成されている。
【０００７】本発明は、このようなエッジガイドモード
型アイソレータにおいて、その基板２として、従来のＹ
ＩＧ多結晶に代えて、ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネッ
ト）単結晶を用いたものであり、これによって、順方向
の電磁波の伝送に対する減衰を抑制して、その挿入損失
（順方向損）を小さくすることが出来たのである。これ
は、ＹＩＧ多結晶においては、磁気共鳴半値幅：ΔＨが
５０Ｏｅ以上と大きく、磁気的な損失が生じるのに対し
て、ＹＩＧ単結晶は、そのΔＨが１０Ｏｅ以下と小さく
、磁気的損失をあまり生じないからであると考えられて
いる。
型アイソレータにおいて、その基板２として、従来のＹ
ＩＧ多結晶に代えて、ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネッ
ト）単結晶を用いたものであり、これによって、順方向
の電磁波の伝送に対する減衰を抑制して、その挿入損失
（順方向損）を小さくすることが出来たのである。これ
は、ＹＩＧ多結晶においては、磁気共鳴半値幅：ΔＨが
５０Ｏｅ以上と大きく、磁気的な損失が生じるのに対し
て、ＹＩＧ単結晶は、そのΔＨが１０Ｏｅ以下と小さく
、磁気的損失をあまり生じないからであると考えられて
いる。
【０００８】また、このような効果は、前記基板２とし
て、ＹＩＧ単結晶とＹＩＧ多結晶との接合体を用いた場
合にあっても、同様に奏され得るものであるが、特に図
２に示されるように、順方向（Ａ）の電磁波の伝送に際
して電磁波をガイドする上部導体４のストレートなエッ
ジ部４ａの部分が、少なくともＹＩＧ単結晶８ａ上に位
置するように、かかるＹＩＧ単結晶８ａとＹＩＧ多結晶
８ｂとを接合一体化せしめて成る接合体８を基板として
用いることが望ましい。なお、４ｂは、逆方向の電磁波
の伝送に際して、電磁波が案内される上部導体４の他方
のエッジ部を示している。
て、ＹＩＧ単結晶とＹＩＧ多結晶との接合体を用いた場
合にあっても、同様に奏され得るものであるが、特に図
２に示されるように、順方向（Ａ）の電磁波の伝送に際
して電磁波をガイドする上部導体４のストレートなエッ
ジ部４ａの部分が、少なくともＹＩＧ単結晶８ａ上に位
置するように、かかるＹＩＧ単結晶８ａとＹＩＧ多結晶
８ｂとを接合一体化せしめて成る接合体８を基板として
用いることが望ましい。なお、４ｂは、逆方向の電磁波
の伝送に際して、電磁波が案内される上部導体４の他方
のエッジ部を示している。
【０００９】なお、かかる本発明において用いられる、
ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）単結晶は、フラッ
クス法、フローティングゾーン法、エピタキシャル法、
固相反応法等の公知の手法に従って製造され、それら公
知のＹＩＧ単結晶の中から、適宜に選択使用されるもの
であるが、特に本発明にあっては、特開昭５５−１３２
４９６号公報や特開昭６３−３５４９０号公報、更には
特開昭６３−３５４９６号公報等に明らかにされている
如き固相反応法、具体的には単結晶化されるべき多結晶
材と所定の種単結晶材とを接触させて、加熱せしめるこ
とにより、所定の単結晶を前記種単結晶材より、前記多
結晶材方向に結晶成長させて、単結晶を育成する手法に
よって、製造されるＹＩＧ単結晶が、有利に用いられる
こととなる。
ＹＩＧ（イットリウム鉄ガーネット）単結晶は、フラッ
クス法、フローティングゾーン法、エピタキシャル法、
固相反応法等の公知の手法に従って製造され、それら公
知のＹＩＧ単結晶の中から、適宜に選択使用されるもの
であるが、特に本発明にあっては、特開昭５５−１３２
４９６号公報や特開昭６３−３５４９０号公報、更には
特開昭６３−３５４９６号公報等に明らかにされている
如き固相反応法、具体的には単結晶化されるべき多結晶
材と所定の種単結晶材とを接触させて、加熱せしめるこ
とにより、所定の単結晶を前記種単結晶材より、前記多
結晶材方向に結晶成長させて、単結晶を育成する手法に
よって、製造されるＹＩＧ単結晶が、有利に用いられる
こととなる。
【００１０】また、本発明において、ＹＩＧ単結晶とＹ
ＩＧ多結晶との接合体としては、それらＹＩＧ単結晶と
ＹＩＧ多結晶との間に、それらを溶解する酸、例えば塩
酸、硝酸、硫酸等を介在せしめて突き合わせ、熱処理し
て一体化する等の、公知の各種の手法によって接合され
たものが、適宜に用いられることとなる。
ＩＧ多結晶との接合体としては、それらＹＩＧ単結晶と
ＹＩＧ多結晶との間に、それらを溶解する酸、例えば塩
酸、硝酸、硫酸等を介在せしめて突き合わせ、熱処理し
て一体化する等の、公知の各種の手法によって接合され
たものが、適宜に用いられることとなる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明を更に具体的に明らかにする
ために、本発明の代表的な実施例を示すが、本発明が、
そのような実施例の記載によって、何等制限的に解釈さ
れるものでないことは、言うまでもないところである。
ために、本発明の代表的な実施例を示すが、本発明が、
そのような実施例の記載によって、何等制限的に解釈さ
れるものでないことは、言うまでもないところである。
【００１２】なお、本発明は、上述した本発明の具体的
な説明、並びに以下の実施例の他にも、各種の態様にお
いて実施され得るものであり、それ故、本発明の趣旨を
逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて実施
され得る種々なる態様のものが、何れも、本発明の範疇
に属するものと理解されるべきである。
な説明、並びに以下の実施例の他にも、各種の態様にお
いて実施され得るものであり、それ故、本発明の趣旨を
逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて実施
され得る種々なる態様のものが、何れも、本発明の範疇
に属するものと理解されるべきである。
【００１３】
【実施例１】固相反応法によって作製された、磁気共鳴
半値幅：ΔＨが約１０ＯｅのＹＩＧ単結晶体から、１０
ｍｍ×８ｍｍ×１ｍｍの大きさの基板を切り出し、その
上面及び下面に所定パターンの導体を形成せしめること
により、図１に示される如きエッジガイドモード型アイ
ソレータを作製した。
半値幅：ΔＨが約１０ＯｅのＹＩＧ単結晶体から、１０
ｍｍ×８ｍｍ×１ｍｍの大きさの基板を切り出し、その
上面及び下面に所定パターンの導体を形成せしめること
により、図１に示される如きエッジガイドモード型アイ
ソレータを作製した。
【００１４】次いで、このようにして得られたエッジガ
イドモード型アイソレータに対して、３．２ＫＯｅの磁
界を垂直方向に印加したところ、６〜１０ＧＨｚの領域
において、下記表１に示されるような、順方向の損失特
性が得られ、順方向損は最小１ｄＢ、最大５ｄＢで、平
均３ｄＢであった。なお、逆方向損は、平均３０ｄＢで
あった。
イドモード型アイソレータに対して、３．２ＫＯｅの磁
界を垂直方向に印加したところ、６〜１０ＧＨｚの領域
において、下記表１に示されるような、順方向の損失特
性が得られ、順方向損は最小１ｄＢ、最大５ｄＢで、平
均３ｄＢであった。なお、逆方向損は、平均３０ｄＢで
あった。
【００１５】
【実施例２】固相反応法によって得られた、磁気共鳴半
値幅：ΔＨが約１０ＯｅのＹＩＧ単結晶に対して、ＹＩ
Ｇ多結晶を、酸付与及び熱処理から成る公知の接合手法
に従って、接合して成る接合体を用い、実施例１と同様
なサイズにおいて、図２の如き構造のエッジガイドモー
ド型アイソレータを作製した。
値幅：ΔＨが約１０ＯｅのＹＩＧ単結晶に対して、ＹＩ
Ｇ多結晶を、酸付与及び熱処理から成る公知の接合手法
に従って、接合して成る接合体を用い、実施例１と同様
なサイズにおいて、図２の如き構造のエッジガイドモー
ド型アイソレータを作製した。
【００１６】そして、この得られたアイソレータについ
て、実施例１と同様にして、その評価を行なったところ
、順方向損は、下記表１に示される如く、実施例１と同
様に向上していることを認めた。また、逆方向損は、平
均３０ｄＢであった。
て、実施例１と同様にして、その評価を行なったところ
、順方向損は、下記表１に示される如く、実施例１と同
様に向上していることを認めた。また、逆方向損は、平
均３０ｄＢであった。
【００１７】
【比較例】磁気共鳴半値幅：ΔＨが１００ＯｅのＹＩＧ
多結晶材を基板として用いて、それに図１に示される如
きパターンの上部導体及び下部導体を形成して、エッジ
ガイドモード型アイソレータを作製した。そして、この
得られたアイソレータについて、実施例１と同様にして
、その性能を評価したところ、その順方向損は、下記表
１に示される如く、最小３ｄＢ、最大７ｄＢで、平均５
ｄＢであった。また、逆方向損は、平均３０ｄＢであっ
た。
多結晶材を基板として用いて、それに図１に示される如
きパターンの上部導体及び下部導体を形成して、エッジ
ガイドモード型アイソレータを作製した。そして、この
得られたアイソレータについて、実施例１と同様にして
、その性能を評価したところ、その順方向損は、下記表
１に示される如く、最小３ｄＢ、最大７ｄＢで、平均５
ｄＢであった。また、逆方向損は、平均３０ｄＢであっ
た。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に従って、ＹＩＧ単結晶若しくはＹＩＧ単結晶とＹＩＧ
多結晶との接合体を基板として用いた、エッジガイドモ
ード型アイソレータにおいては、順方向の電磁波の伝送
に対する減衰が効果的に抑制され得て、その挿入損失（
順方向損）が有利に小さく為され得たのであり、これに
よって、順方向の電磁波の伝送を有利に行なう一方、逆
方向の電磁波の伝送に対しては、大きな減衰を有利に発
揮することが出来ることとなり、そこに、本発明の大き
な工業的意義が存するのである。
に従って、ＹＩＧ単結晶若しくはＹＩＧ単結晶とＹＩＧ
多結晶との接合体を基板として用いた、エッジガイドモ
ード型アイソレータにおいては、順方向の電磁波の伝送
に対する減衰が効果的に抑制され得て、その挿入損失（
順方向損）が有利に小さく為され得たのであり、これに
よって、順方向の電磁波の伝送を有利に行なう一方、逆
方向の電磁波の伝送に対しては、大きな減衰を有利に発
揮することが出来ることとなり、そこに、本発明の大き
な工業的意義が存するのである。
【図１】エッジガイドモード型アイソレータの一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】図１のエッジガイドモード型アイソレータにお
いて、基板として、ＹＩＧ単結晶とＹＩＧ多結晶との接
合体を用いた例を示す正面図である。
いて、基板として、ＹＩＧ単結晶とＹＩＧ多結晶との接
合体を用いた例を示す正面図である。
２ 基板
４ 上部導体
６ 下部導体
８ 接合体
８ａ ＹＩＧ単結晶
８ｂ ＹＩＧ多結晶
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の両面にそれぞれ導体を設け、順
方向の電磁波の伝送に対しては減衰させず、逆方向の電
磁波の伝送に対しては大きな減衰が惹起されるように上
記導体を配置したエッジガイドモード型アイソレータに
おいて、前記基板として、ＹＩＧ単結晶を用いたことを
特徴とするエッジガイドモード型アイソレータ。 - 【請求項２】 基板の両面にそれぞれ導体を設け、順
方向の電磁波の伝送に対しては減衰させず、逆方向の電
磁波の伝送に対しては大きな減衰が惹起されるように上
記導体を配置したエッジガイドモード型アイソレータに
おいて、前記基板として、ＹＩＧ単結晶とＹＩＧ多結晶
との接合体を用いたことを特徴とするエッジガイドモー
ド型アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7675391A JPH04287403A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | エッジガイドモード型アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7675391A JPH04287403A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | エッジガイドモード型アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287403A true JPH04287403A (ja) | 1992-10-13 |
Family
ID=13614352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7675391A Pending JPH04287403A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | エッジガイドモード型アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04287403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245702B1 (en) | 1998-12-24 | 2001-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer and communication device |
| US6380820B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-04-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Isolator utilizing a planar dielectric transmission line with a resistive film |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP7675391A patent/JPH04287403A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245702B1 (en) | 1998-12-24 | 2001-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic composition, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer and communication device |
| US6380820B1 (en) | 1999-01-06 | 2002-04-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Isolator utilizing a planar dielectric transmission line with a resistive film |
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