CN114605945B - 一种耐高温电子元器件用胶及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种耐高温电子元器件用胶及其制备方法，属于胶黏剂领域。本发明的目的是为了解决现有的电子元器件用胶存在高温高湿环境下胶粘下降大的问题，所述电子元器件用胶按照质量百分比由10％‑35％SEBS，5％‑15％接枝单体，0.1％‑0.6％引发剂，0.5％‑3％交联单体，0.4％‑2.4％光引发剂，45％‑75％溶剂组成；所述SEBS可部分被SBS或SIS代替，代替比例小于等于45％；所述接枝单体为丙烯基氨和/或丙烯酰胺；所述引发剂为过氧化二异丙苯和/或异丙苯过氧化氢。本发明通过接枝的方式向SEBS接入‑NH2基团，然后通过以含有多个环氧基团环氧环己基‑笼形聚倍半硅氧烷或缩水甘油醚基倍半硅氧烷为交联单体对接枝后的SEBS进行交联，形成三维立体状的交联SEBS，极大增强了其热稳定性和耐高温性能。

Description

一种耐高温电子元器件用胶及其制备方法
技术领域
本发明属于胶黏剂领域，具体涉及一种耐高温电子元器件用胶及其制备方法。
背景技术
电子元器件胶用于电子产品、仪器仪表、电器设备中电子元件的粘接、密封、固定及电子、小家电的粘接密封等。目前，该技术存在在高温高湿环境下胶粘下降大，易于剥离的问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有的电子元器件用胶存在高温高湿环境下胶粘下降大的问题，提供一种耐高温电子元器件用胶及其制备方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种耐高温电子元器件用胶，所述电子元器件用胶按照质量百分比由10％-35％SEBS，5％-15％接枝单体，0.1％-0.6％引发剂，0.5％-3％交联单体，0.4％-2.4％光引发剂，45％-75％溶剂组成。
进一步地，所述SEBS可部分被SBS或SIS代替，代替比例小于等于45％。
进一步地，所述接枝单体为丙烯基氨和/或丙烯酰胺。
进一步地，所述引发剂为过氧化二异丙苯和/或异丙苯过氧化氢。
进一步地，所述交联单体为环氧环己基-笼形聚倍半硅氧烷和/或缩水甘油醚基倍半硅氧烷。
进一步地，所述光引发剂为安息香异丙醚和/或二苯甲酮。
进一步地，所述溶剂为甲苯、二甲苯、乙酸丁酯、N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。
一种上述耐高温电子元器件用胶的制备方法，所述方法具体为：
步骤一：将SEBS溶于部分溶剂，加入反应容器中，升温至100-140℃；
步骤二：滴入接枝单体、引发剂和剩余溶剂的混合液，滴加时间为0.5-2h；溶剂第一步没有全用，如果溶剂全在第一步使用，会导致滴加速率得控制非常缓慢，否则单体滴加浓度过高过快均会导致接枝单体的自聚的副反应产生；
步骤三：滴加完成后，恒温反应3-6h；
步骤四：自然降至30-40℃出料，使用前加入交联单体和光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
本发明相对于现有技术的有益效果为：本发明通过接枝的方式向SEBS接入-NH2基团，然后通过以含有多个环氧基团环氧环己基-笼形聚倍半硅氧烷或缩水甘油醚基倍半硅氧烷为交联单体对接枝后的SEBS进行交联，形成三维立体状的交联SEBS，极大增强了其热稳定性和耐高温性能，限制了其分子链因受高温而产生的滑动，保障了其高温粘接性能。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案作进一步的说明，但并不局限于此，凡是对本发明技术方案进行修正或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神范围，均应涵盖在本发明的保护范围之中。
实施例1：
步骤1：将35g SEBS溶于35g甲苯，加入反应容器中，升温至140℃；
步骤2：滴入15g接枝单体、0.6g引发剂和9g甲苯的混合液，滴加时间为0.5h；
步骤3：滴加完成后，恒温反应3h；
步骤4：降温出料，使用前加入3g交联单体和2.4g光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
实施例2：
步骤1：将30g SEBS溶于40g二甲苯，加入反应容器中，升温至132℃；
步骤2：滴入13g接枝单体、0.5g引发剂和12g二甲苯的混合液，滴加时间为0.8h；
步骤3：滴加完成后，恒温反应3.5h；
步骤4：降温出料，使用前加入2.5g交联单体和2.0g光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
实施例3：
步骤1：将25g SEBS溶于45g甲苯，加入反应容器中，升温至124℃；
步骤2：滴入11g接枝单体、0.4g引发剂和15g甲苯的混合液，滴加时间为1.2h；
步骤3：滴加完成后，恒温反应4h；
步骤4：降温出料，使用前加入2g交联单体和1.6g光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
实施例4：
步骤1：将20g SEBS溶于45g甲苯，加入反应容器中，升温至116℃；
步骤2：滴入9g接枝单体、0.3g引发剂和23g甲苯的混合液，滴加时间为1.5h；
步骤3：滴加完成后，恒温反应4h；
步骤4：降温出料，使用前加入1.5g交联单体和1.2g光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
实施例5：
步骤1：将15g SEBS溶于45g甲苯，加入反应容器中，升温至108℃；
步骤2：滴入7g接枝单体、0.2g引发剂和31g甲苯的混合液，滴加时间为1.8h；
步骤3：滴加完成后，恒温反应4h；
步骤4：降温出料，使用前加入1.0g交联单体和0.8g光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
实施例6：
步骤1：将10g SEBS溶于50g甲苯，加入反应容器中，升温至100℃；
步骤2：滴入5g接枝单体、0.1g引发剂和34g甲苯的混合液，滴加时间为2h；
步骤3：滴加完成后，恒温反应4h；
步骤4：降温出料，使用前加入0.5g交联单体和0.4g光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
对比例：SEBS胶
对以上实施例和对比例得到的胶进行不同温度下剥离力的测试，测试结果如下：
120℃剥离力(N/in) 150℃剥离力(N/in) 180℃下剥离力(N/in)
实施例1 9 9 9
实施例2 8.8 8.8 8.8
实施例3 8.2 8.2 8.2
实施例4 7.6 7.6 7.6
实施例5 7.2 7.2 7.2
实施例6 6.5 6.5 6.5
对比例 6 3.5 0.6

Claims (5)

1.一种耐高温电子元器件用胶的制备方法，其特征在于：所述电子元器件用胶按照质量百分比由10％-35％SEBS，5％-15％接枝单体，0.1％-0.6％引发剂，0.5％-3％交联单体，0.4％-2.4％光引发剂，45％-75％溶剂组成；所述接枝单体为丙烯基氨和/或丙烯酰胺；所述交联单体为环氧环己基-笼形聚倍半硅氧烷和/或缩水甘油醚基倍半硅氧烷；
所述方法具体为：
步骤一：将SEBS溶于部分溶剂，加入反应容器中，升温至100-140℃；
步骤二：滴入接枝单体、引发剂和剩余溶剂的混合液，滴加时间为0.5-2h；
步骤三：滴加完成后，恒温反应3-6h；
步骤四：自然降至30-40℃出料，使用前加入交联单体和光引发剂即制备完成耐高温电子元器件用胶。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温电子元器件用胶的制备方法，其特征在于：所述SEBS可部分被SBS或SIS代替，代替比例小于等于45％。
3.根据权利要求1或2所述的一种耐高温电子元器件用胶的制备方法，其特征在于：所述引发剂为过氧化二异丙苯和/或异丙苯过氧化氢。
4.根据权利要求1或2所述的一种耐高温电子元器件用胶的制备方法，其特征在于：所述光引发剂为安息香异丙醚和/或二苯甲酮。
5.根据权利要求1或2所述的一种耐高温电子元器件用胶的制备方法，其特征在于：所述溶剂为甲苯、二甲苯、乙酸丁酯、N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。
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