JP2017155170A - 接着剤組成物、積層体、及び、積層体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に係る接着剤組成物は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体における、上記接着層を形成するための接着剤組成物である。言い換えれば、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を支持体上に形成するための接着層を、当該支持体上に形成するための接着剤組成物である。
ブロック共重合体は、モノマー単位が連続して結合したブロック部位が2種以上結合した重合体であり、典型的には、重合体ブロックを有する熱可塑性エラストマーである。ブロック共重合体を含んでいることで、高い洗浄性、及び高い耐薬品性を備えた接着層を形成することができる。
接着剤組成物には、重合性モノマーが含まれている。重合性モノマーは、ラジカル重合により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能(メタ)アクリル酸エステルを挙げることができる。
接着剤組成物によって形成される接着層は、ブロック共重合体、および重合性モノマーの重合体により、高温に加熱したときにおける複素弾性率が高められている。このため、接着層上において、封止体を形成するときにおける、高温(100℃以上、400℃以下)、高圧(10kgf以上)の環境下において接着層が歪むことを防止することができる。ここで、接着剤組成物により形成される接着層の複素弾性率(E*)は、適応される温度条件により異なるが、例えば、1000Pa以上であることが好ましく、10000Pa以上であることがより好ましい。封止体を形成するときに適応される温度において、接着層の動的複素弾性率(E*)が、10000Pa以上であれば、その高温プロセスにおいて、圧力が加えられたときに接着層が歪むことをより好適に防止することができる。なお、動的複素弾性率(E*)は、6インチSiウェハに対して接着剤組成物をスピンコートし、所定の厚さの膜(接着層)を形成する。その膜を剥離して所定の大きさにカットすることで試料を作製するとよい。また、当該試料を周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、封止体を形成するときに想定される温度以上の温度まで昇温させながら、動的複素弾性率(E*)を測定すればよい。例えば、封止体を形成するときに想定される温度が100〜200℃程度であれば、例えば、50℃から250℃まで温度を上昇させながら、動的複素弾性率(E*)を測定するとよい。
接着剤組成物に含まれる希釈溶剤は、ブロック共重合体、及び重合性モノマーを溶解することができるものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。
重合開始剤は、上述の重合性モノマーを重合させることができればよく、特に限定されるものではないが、熱重合開始剤又は光重合開始剤等が好ましく、熱重合開始剤であることがより好ましい。
熱重合開始剤としては、例えば、過酸化物及びアゾ系重合開始剤等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、加熱されることにより発生するラジカルによって、重合性モノマーを重合させる。
接着剤組成物は、光重合開始剤によって、重合性モノマーを重合させることで、高い耐薬品性、及び、高い耐熱性を備え、さらに、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる。なお、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、遮光状態を維持することができるように接着剤組成物を包装すれば、光重合開始剤を配合した状態で当該接着剤組成物を製品化することができる。
熱重合開始剤及び光重合開始剤は、添加溶剤に溶解して接着剤組成物に配合することが好ましい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。
本発明の一実施形態に係る積層体は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体であって、上記接着層は、ブロック共重合体と、重合性モノマーの重合体と、重合開始剤と、を含んでなる。また、支持体と接着層との間に分離層を備えている。
封止体は、素子が実装される配線層と、素子と、素子を封止する封止材とを備えている。封止体は複数の素子を備えていることが好ましく、このような封止体をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。
配線層は、RDL(Redistribution Layer:再配線層)とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。一実施形態において、配線層は、誘電体(例えば、酸化シリコン(SiOx)、感光性エポキシ等の感光性樹脂等)に、導電体(例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金)によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
素子は、半導体素子又はその他の素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。なお、素子が半導体素子である場合、封止体をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。
封止材としては、例えば、エポキシ樹脂を含有する封止材等を用いることができる。封止材は、素子毎に設けられているものではなく、配線層に実装された複数の素子の全てを一体的に封止しているものであることが好ましい。
支持体は、封止体の形成時に、封止体の各構成要素の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、支持体は、当該支持体上に形成された分離層を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されている。
接着層は、ブロック共重合体と、重合性モノマーの重合体と、重合開始剤と、を含んでなり、封止体を支持体上に固定するため、並びに、分離層を保護するために用いられる。
分離層は、光を照射することで変質する層である。支持体を介して分離層に光を照射して分離層を変質させることによって、支持体を封止体から分離させることができる。
分離層は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
分離層は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
上記の“化1”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
分離層は、無機物からなっていてもよい。分離層は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体1を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記化学式(2)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)、及び特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止体とを分離し易くすることができる。
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより、分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法は、素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、上記支持体上に、上述の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。ここで、上記支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、上記接着層形成工程前に、上記支持体上に光を照射することにより変質する分離層が形成されている。
図1は、本発明の実施形態1の封止体の製造方法の各工程を説明する図である。本実施形態に係る封止体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
図1の(a)に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体1の一方の平面部1aに、例えば、化学気相成長(CVD)法等により、光を照射することで変質する分離層2を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体1が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。
図1の(b)に示すように、接着層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により上述の接着剤組成物を塗布し、加熱するか、又は、減圧環境下に置くことにより、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去する。その後、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、加熱することにより、当該接着層が含んでいる重合性モノマーを重合させるとよい。なお、接着層3を加熱する条件は、熱重合開始剤における1分間半減温度、及び、1時間半減温度に基づき、適宜設定すればよいが、例えば、50℃以上、300℃以下の範囲内の温度において、真空下又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて行うことがより好ましい。
図1の(c)〜(f)に示すように、封止体形成工程では、配線層4上に、封止体7を形成する。本実施形態における封止体形成工程では、配線層形成工程、実装工程、封止工程、薄化工程、及び接着層除去工程をこの順に行う。
図1の(c)に示すように、配線層形成工程では、接着層3上に配線層4を形成する。
図1の(h)に示すように、分離工程では、支持体1を介して、分離層2に光Lを照射することで、分離層2を変質させる。照射する光Lの種類及び波長は、支持体1の透過性及び分離層2の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVO4レーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、CO2レーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層2を変質させて、支持体1と封止体7とを容易に分離可能な状態とすることができる。
図1の(h)に示すように、洗浄工程では、支持体1が分離された封止体7に残留している接着層3と分離層2とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層3及び分離層2の残渣を除去する洗浄工程を行う。接着層3は、洗浄液として、接着剤組成物に用いられる希釈溶剤、つまり、炭化水素系溶剤を好ましく用いることができ、特に、p−メンタン等のテルペン系溶剤、及び、テトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることがより好ましい。
本発明の別の実施形態(実施形態2)について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態2に係る積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び分離工程洗浄工程をこの順に実施し、封止体形成工程では、接着層3上に素子を配置する。
図2の(a)及び(b)に示すように、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程及び接着層形成工程は、実施形態1と同様であるため、その説明を省略する。
図2の(c)〜(f)に示すように、封止体形成工程では、接着層3上に、封止体7を形成する。本実施形態における封止体形成工程では、素子配置工程、封止工程、薄化工程、及び配線層形成工程をこの順に行う。
本発明の実施形態3について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1及び2にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態3に係る積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
図3の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1及び2と同様であるため、その説明を省略する。
図3の(b)に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、EBR(Edge Bead Removal)処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去する。周縁部分1bは、平面部1aの周縁部分である。これにより、図3の(b)に示すように、平面部1a上には、分離層2が除去された周縁部分1bに囲まれた部分に、分離層2が形成されている状態となる。EBR処理の詳細については後述する。
図3の(c)に示すように、接着層形成工程では、支持体1における周縁部分1b全周の分離層2を除去した側の面に、接着層3を形成する。これにより、支持体1上に形成された分離層2の全面を接着層3によって被覆する。なお、接着層3を形成する方法は、実施形態1〜2と同じであるため、その説明を省略する。
図3の(d)〜(g)に示すように、封止体形成工程では、接着層3上に、封止体7’を形成する。本実施形態における封止体形成工程では、配線層形成工程、素子配置工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
図3の(h)に示すように、接着層除去工程では、例えば、EBR処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去する。接着層3のうち、支持体1の周縁部分1b全周に形成された部分は、分離層2を介さずに、支持体1と封止体7’とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止体7’とを円滑に分離することができる。
図3の(i)〜(k)に示すように、実施形態1と同様に、分離工程、及び洗浄工程を行うことにより、封止体7’を製造することができる。
上述の(A)分離層周縁部分除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去するためのEBR処理、及び、(B)接着層除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去するためのEBR処理は、例えば、(i)溶剤によって溶解して除去する方法、(ii)カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、(iii)大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。
本発明の実施形態4について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1〜3にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態4に係る積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止体形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、及び、接着層形成工程は、実施形態3と同じであるため、その説明を省略する。
封止体形成工程では、接着層3上に、素子5を配置して封止する。つまり、実施形態2と同じ工程によって、封止体7’を形成する。その後、図4の(a)に示すように、封止体7’の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、封止体4のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体9’(図4)においアミンR処理を好適に行うことができる。
図4の(b)に示すように、実施形態3と同じく、実施形態4においても、封止体7’の外周端部をトリミング処理することにより、分離層2の外周端部2aよりも外側に形成された接着層3を除去することができる。このため、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止体7’とをより円滑に分離することができる。
本発明の一実施形態に係る、接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び封止体の製造方法は、上述の実施形態に限定されない。上述の実施形態1〜4において、WLP技術では、支持体1として、上面視における形状が円形である支持体1が好適に使用され得る。しかしながら、半導体装置の技術分野では、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持体1のサイズの大型化の他に、上面視における形状が四角形である大型パネルを支持体として使用することが検討されている。このような四角形の大型パネルを用いて半導体装置を製造する方法は、PLP(Panel level Package)技術として知られ、ファンアウト型技術により実施され得る。ここで、本願の一実施形態に係る接着剤組成物は、ブロック共重合体と重合性モノマーとを含んだ硬化型接着剤組成物を用いることで、高温に加熱したときに高い粘弾性を維持することができる。このため、パネル上において素子を配置して封止するPLP(Panel level Package)技術においても、封止体に歪みが生じることを防止することができる。従って、ファンアウト型のPLP技術において使用する実施形態も、一実施形態に係る接着剤組成物、積層体、積層体の製造方法、及び封止体の製造方法本発明の範疇である。なお、PLP技術において、パネルには、ガラス又はシリコン等の材料によって形成されたパネルを好適に使用することができる。
以下に示すベースポリマー(ブロック共重合体)、硬化モノマー(重合性モノマー)、及び重合開始剤を用いて接着剤組成物を調製し、当該接着剤組成物を用いて形成した接着層の薬品耐性及び洗浄性の評価、及び、動的複素弾性率の測定を行った。
〔実施例1〕
まず、実施例1の接着剤組成物として、80重量部のSepton2002(ベースポリマー:株式会社クラレ製、SEPS:スチレン−イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体、スチレン含有量30%、分子量53,000)と、20重量部のトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(硬化モノマー:新中村化学株式会社製、「A−DCP(商品名)」)とをデカヒドロナフタレン280重量部に溶解することにより、接着剤組成物の主剤を調製した。次いで、硬化剤として、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート20重量部に対する配合量が、0.4重量部となるように、ジアルキルパーオキサイド(熱重合開始剤:日本油脂株式会社製、「パークミルD(商品名)」)を酢酸ブチル20重量部に溶解した。その後、上記主剤に上記硬化剤を配合することで接着剤組成物を調製した。
薬品耐性の評価は、23℃、5分間の条件において、シクロペンタノン、シクロヘキサノン及びPGMEAの夫々に1枚ずつ接着層を形成したガラス支持体を浸漬し、その後、各薬品に対する積層体の重量変化及び外観変化に基づいて評価した。耐薬品性の評価は、重量及び外観に変化が見られない場合は「○」とし、重量変化又は外観変化(クラックの有無)が見られた場合は「×」と判定した。結果を表1に示す。
実施例1の接着層を形成したガラス支持体を、1,000rpmの条件で回転させ、剥離液としてp−メンタンを供給することにより、当該ガラス支持体をスピン洗浄した。洗浄後のガラス支持体における残渣の有無を顕微鏡により確認した。なお、残渣があると、目視により、顕微鏡から出る高輝度の光により残渣部分が乱反射して白く見える。残渣が多く見られた場合には、洗浄性を「×」と評価し、残渣がほとんど見られなかった場合に、洗浄性を「△」と評価し、残渣が全く見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価した。結果を表1に示す。
実施例2〜32として、実施例1と異なる組成において、ベース樹脂、硬化モノマー、及び重合開始剤を配合し、これら接着剤組成物を用いて、接着層を形成した。その後、実施例1と同じ条件にて、薬品耐性、及び、洗浄性の評価を行った。実施例2〜32の組成の詳細、及び、各評価結果を表1〜4に示す。
比較例1、2として、硬化モノマー及び、重合開始剤を含んでいない接着剤組成物を調製し、実施例1における200℃、1時間の条件で、接着層を加熱しないこと以外は、実施例1と同じ手順でガラス支持体上に接着層を形成した。また、実施例1と同じ条件にて、薬品耐性、及び、洗浄性の評価を行った。比較例1及び比較例2の組成の詳細、及び、各評価結果を、表5に示す。
・以下の化学式(9)で示されるスチレン−イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体:SEPS(クラレ社製、「Septon2002(商品名)」、スチレン含有量30%、分子量53000)
・以下の化学式(9)で示されるスチレン−イソプレン−スチレンのトリブロック共重合体:SEPS(クラレ社製、「Septon2004(商品名)」、スチレン含有量18%、分子量90000)
・以下の化学式(10)で示されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学株式会社製、「A−DCP(商品名)」)
・以下の化学式(11)で示されるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート(新中村化学株式会社製、「DCP(商品名)」)
・ジアルキルパーオキサイド(1分間半減温度/175.2℃、1時間半減温度/135.7℃、理論活性酸素量/5.92%:日本油脂株式会社製、「パークミルD(商品名)」)
・パーオキシエステル(1分間半減温度/124.3℃、1時間半減温度/84.4℃、理論活性酸素量/5.87%:日本油脂株式会社製、「パーオクタO(商品名)」)
表1〜5に示すように、実施例1〜32の接着層はいずれも、レジスト溶剤であるシクロペンタノン、シクロヘキサノン、及び、PGMEAに対する薬品耐性が良好であった(○)。これに対して、硬化モノマーを含まない比較例1及び2の接着層は、PGMEAに対する薬品耐性は良好であったものの、シクロペンタノン及びシクロヘキサノンへの薬品耐性は低かった(×)。これらの結果から、実施例1〜32の接着層を形成したガラス支持体上において、フォトリソグラフィー処理を行い、配線層を形成することができることを確認することができた。
上述の実施例2、6の接着層剤組成物と、比較例1、2の接着剤組成物とについて、夫々によって形成される接着層における動的複素弾性率(E*)を測定した。
比較例2におけるベースポリマーであるS2004をシクロオレフィンポリマーに置き換えた比較例3の接着剤組成物、及び、実施例22におけるベースポリマーであるS2004を、シクロオレフィンポリマーに置き換えた比較例4の接着剤組成物を調製した。また、実施例22と同じ手順にて比較例4の接着層を形成し、比較例2と同じ手順にて比較例3の接着層を形成した。その後、実施例22及び比較例2〜4の接着層における動的複素弾性率(E*)の測定を行った。また、比較例2の接着剤組成物と、比較例3の接着剤組成物とについて、夫々によって形成される接着層における溶解速度を測定した。
実施例22、比較例3及び比較例4の接着剤組成物を用いた接着層について、上述の比較例2の接着剤組成物と同じ条件にて、動的複素弾性率を測定した。測定結果を以下の表8に示す。
比較例2及び3の接着剤組成物を実施例1と同様の条件でガラス支持体に塗布し、同様の条件でベークことにより、接着層を形成した(膜厚5μm)。接着剤層が形成された支持体を、25℃に保持したp−メンタンに浸漬させ、接着剤層が完全に溶解するまでの時間を測定した。この溶解時間(T(sec))と、予め測定しておいた接着剤層の厚さ(L(nm))とから溶解速度(L/T(nm/sec))を算出した。溶解速度の測定結果を表9に示す。
3 接着層
4 配線層
5 素子
6 封止材
7、7' 封止体
8、8'、9、9' 積層体
Claims (20)
- 素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体における、上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着剤組成物は、
ブロック共重合体と、
重合性モノマーと、
重合開始剤と、を含んでいることを特徴とする接着剤組成物。 - 上記ブロック共重合体は、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、又はこれらの組み合わせであり、スチレンブロックを有していることを特徴とする請求項1に記載の接着剤組成物。
- 上記ブロック共重合体は、両末端にスチレンブロックを有しているトリブロック共重合体であることを特徴とする請求項2に記載の接着剤組成物。
- 上記ブロック共重合体と上記重合性モノマーとの合計量に対する上記重合性モノマーの量が、1重量%以上、50重量%以下の範囲内であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の接着剤組成物。
- 上記ブロック共重合体のスチレンブロックの含有量は、10重量%以上、65重量%以下であることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の接着剤組成物。
- 上記ブロック共重合体の重量平均分子量は、50,000以上、150,000以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の接着剤組成物。
- 上記重合性モノマーは、(メタ)アクリル酸エステルであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の接着剤組成物。
- 上記(メタ)アクリル酸エステルは、多官能の(メタ)アクリル酸エステルであることを特徴とする請求項7に記載の接着剤組成物。
- 上記重合開始剤は、熱重合開始剤又は光重合開始剤であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の接着剤組成物。
- 素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体であって、
上記接着層は、
ブロック共重合体と、
重合性モノマーの重合体と、
重合開始剤と、を含んでなることを特徴とする積層体。 - 上記ブロック共重合体は、ジブロック共重合体、トリブロック共重合体、又はこれらの組み合わせであり、スチレンブロックを有していることを特徴とする請求項10に記載の積層体。
- 上記ブロック共重合体は、両末端にスチレンブロックを有しているトリブロック共重合体であることを特徴とする請求項11に記載の積層体。
- 上記ブロック共重合体と上記重合性モノマーの重合体との合計量に対する上記重合性モノマーの重合体の量が、1重量%以上、50重量%以下の範囲内であることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記ブロック共重合体のスチレンブロックの含有量は、10重量%以上、65重量%以下であることを特徴とする請求項11〜13のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記ブロック共重合体の重量平均分子量は、50,000以上、150,000以下であることを特徴とする請求項10〜14のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記重合性モノマーの重合体は、(メタ)アクリル酸エステルの重合体であることを特徴とする請求項10〜15のいずれか1項に記載の積層体。
- 上記(メタ)アクリル酸エステルの重合体は、多官能の(メタ)アクリル酸エステルの重合体であることを特徴とする請求項16に記載の積層体。
- 素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、
上記支持体上に、請求項1〜9のいずれか1項に記載の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。 - 素子が実装される配線層と、上記素子と、上記素子を封止する封止材とを備えている封止体を、上記封止体を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、
上記支持体上に、請求項9に記載の接着剤組成物を塗布し、加熱又は露光することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。 - 請求項18又は19に記載の積層体の製造方法により、積層体を製造する積層体製造工程を包含しており、
上記積層体において、上記支持体は光を透過する支持体であり、当該支持体と上記接着層との間には、光を吸収することにより変質する分離層が形成されており、
積層体製造工程後、上記支持体を介して上記分離層に光を照射することにより、上記分離層を変質させ、積層体から上記支持体を分離する分離工程と、
上記封止体側に残留する接着層を、炭化水素系溶剤により除去する洗浄工程と、を包含していることを特徴とする封止体の製造方法。
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