CN113046016A - 粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法及电子部件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法及电子部件的制造方法。其课题在于提供耐热性高且粘接层的除去容易的粘接剂组合物、使用该粘接剂组合物制造的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用该粘接剂组合物的电子部件的制造方法。本发明的解决手段为下述粘接剂组合物，其用于形成将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接的粘接层，所述粘接剂组合物含有：包含聚合性碳‑碳双键的聚氨酯树脂；和聚合引发剂。

Description

粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法及电子部件的制造 方法

技术领域

本发明涉及粘接剂组合物、层叠体、层叠体的制造方法及电子部件的制造方法。

背景技术

在包含半导体元件的半导体封装体(电子部件)中，根据相对应的尺寸而存在各种形态，例如有WLP(晶圆级封装，Wafer Level Package)、PLP(面板级封装，Panel LevelPackage)等。

作为半导体封装的技术，可举出扇入型技术、扇出型技术。作为基于扇入型技术的半导体封装，将位于裸芯片端部的端子再配置于芯片区域内的扇入型WLP(扇入型晶圆级封装，Fan-in Wafer Level Package)等是已知的。作为基于扇出型技术的半导体封装，将该端子再配置于芯片区域外的扇出型WLP(扇出型晶圆级封装，Fan-out Wafer LevelPackage)等是已知的。

近年来，特别地，扇出型技术作为能够实现半导体封装的更进一步的高集成化、薄型化及小型化等的方法而受到关注，如被应用于将半导体元件配置于面板上并进行封装化的扇出型PLP(扇出型面板级封装，Fan-out Panel Level Package)，等等。

为了实现半导体封装的小型化，重要的是将所组装的元件中的基板的厚度减薄。然而，若将基板的厚度减薄，则其强度会降低，制造半导体封装体时容易发生基板的破损。针对于此，已知下述技术：使用粘接剂将基板临时粘接于支撑体，进行基板的加工之后，将基板与支撑体分离。

作为基板与支撑体的临时粘接中使用的粘接剂，从容易利用溶剂等将粘接层除去的方面考虑，大多情况下使用热塑性粘接剂。例如，专利文献1中公开了含有热塑性弹性体、高沸点溶剂和低沸点溶剂的粘接剂组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/052315号

发明内容

发明要解决的课题

另一方面，在半导体封装体的制造中，有时实施薄膜形成、烧成、芯片接合等高温处理。若粘接剂的耐热性低，则在高温处理时，粘接层的弹性模量降低，担忧发生基板的位置偏移、基板的下沉等。另一方面，若提高粘接剂的耐热性，则有向基板或支撑体的涂布性降低的倾向。

在支撑体与基板的粘接中使用热固性粘接剂的情况下，高温处理时不会发生位置偏移、下沉等问题。但是，难以利用溶剂等将粘接层除去，并且即使设置了分离层的情况下，在利用分离层的改性将支撑体与基板分离后，也难以将附着于基板的粘接层除去。

本发明是鉴于上述情况而作出的，其课题在于提供耐热性高且粘接层的除去容易的粘接剂组合物、使用该粘接剂组合物制造的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用该粘接剂组合物的电子部件的制造方法。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明采用以下的构成。

即，本发明的第1方式为粘接剂组合物，其用于形成将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接的粘接层，所述粘接剂组合物含有：包含聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂；和聚合引发剂。

本发明的第2方式为层叠体，其是依次层叠有支撑体、粘接层、以及半导体基板或电子器件的层叠体，上述粘接层为上述第1方式涉及的粘接剂组合物的固化体。

本发明的第3方式为层叠体的制造方法，其为依次层叠有支撑体、粘接层及半导体基板的层叠体的制造方法，所述制造方法具有下述工序：在上述支撑体或半导体基板上涂布上述第1方式涉及的粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层的工序；介由上述粘接剂组合物层，将上述半导体基板载置于上述支撑体上的工序；以及，通过上述聚氨酯树脂的聚合反应使上述粘接剂组合物层固化而形成上述粘接层的工序。

本发明的第4方式为层叠体的制造方法，所述层叠体依次层叠有支撑体、粘接层及电子器件，所述制造方法中，在利用上述第3方式涉及的层叠体的制造方法得到层叠体之后还具有形成电子器件的电子器件形成工序，所述电子器件为由金属或半导体构成的构件与将上述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。

本发明的第5方式为电子部件的制造方法，其中，在利用上述第4方式涉及的层叠体的制造方法得到层叠体之后，具有下述工序：通过用酸或碱将上述聚氨酯树脂的氨基甲酸酯键分解，从而将上述粘接层除去。

发明的效果

根据本发明，可提供耐热性高、且粘接层的除去容易的粘接剂组合物、使用该粘接剂组合物制造的层叠体、该层叠体的制造方法、以及使用该粘接剂组合物的电子部件的制造方法。

附图说明

[图1]为示出应用本发明的层叠体的一个实施方式的示意图。

[图2]为示出应用本发明的层叠体的一个实施方式的示意图。

[图3]为示出应用本发明的层叠体的一个实施方式的示意图。

[图4]为示出应用本发明的层叠体的一个实施方式的示意图。

[图5]为对依次层叠有支撑体、粘接剂组合物层、及半导体基板的层叠体100’的制造方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。图5(a)为示出包含支撑基体及分离层的支撑体的图，图5(b)为对粘接剂组合物层形成工序进行说明的图，图5(c)为对半导体基板载置工序进行说明的图。

[图6]为说明粘接层形成工序的图。

[图7]为对制造层叠体120的方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。图7(a)为说明密封工序的图，图7(b)为说明磨削工序的图，图7(c)为说明布线层形成工序的图。

[图8]为对由层叠体120制造半导体封装体(电子部件)的方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。图8(a)为示出层叠体200的图，图8(b)为说明分离工序的图，图8(c)为说明粘接层除去工序的图。

附图标记说明

1支撑基体

2分离层

3粘接层

3’粘接剂组合物层

4半导体基板

5密封材料层

6布线层

12支撑体

20层叠体

50电子部件

100层叠体

100’层叠体

110层叠体

120层叠体

200层叠体

300层叠体

400层叠体

456电子器件

645电子器件

具体实施方式

本说明书及本权利要求书中，“脂肪族”是指相对于芳香族的相对概念，定义为不具有芳香性的基团、化合物等。

只要没有特别说明，“烷基”包括直链状、支链状及环状的一价饱和烃基。烷氧基中的烷基也是同样。

只要没有特别说明，“亚烷基”包括直链状、支链状及环状的二价饱和烃基。

“卤代烷基”为烷基的一部分或全部氢原子被卤素原子取代而得到的基团，作为该卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。

“氟代烷基”或“氟代亚烷基”是指烷基或亚烷基的一部分或全部氢原子被氟原子取代而得到的基团。

“结构单元”是指构成高分子化合物(树脂、聚合物、共聚物)的单体单元(单量体单元)。

记载为“可以具有取代基”或“可具有取代基”时，包括氢原子(-H)被一价基团取代的情况和亚甲基(-CH₂-)被二价基团取代的情况两者。

“曝光”为包括放射线的照射全体的概念。

“由羟基苯乙烯衍生的结构单元”是指羟基苯乙烯的烯键式双键断开而构成的结构单元。“由羟基苯乙烯衍生物衍生的结构单元”是指羟基苯乙烯衍生物的烯键式双键断开而构成的结构单元。

“羟基苯乙烯衍生物”是指包括羟基苯乙烯的α位氢原子被烷基、卤代烷基等其他取代基取代后的化合物、以及它们的衍生物的概念。作为它们的衍生物，可举出：以有机基团将α位氢原子可以被取代基取代的羟基苯乙烯的羟基的氢原子取代而成的化合物；在α位氢原子可以被取代基取代的羟基苯乙烯的苯环上键合有除羟基以外的取代基的化合物；等等。需要说明的是，只要没有特别说明，α位(α位碳原子)是指苯环所键合的碳原子。

作为将羟基苯乙烯的α位氢原子取代的取代基，可举出与上述α取代丙烯酸酯中作为α位取代基所列举的取代基同样的取代基。

作为上述α位取代基的烷基优选为直链状或支链状的烷基，具体而言，可举出碳原子数1～5的烷基(甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基)等。

另外，作为α位取代基的卤代烷基具体而言可举出用卤素原子将上述“作为α位取代基的烷基”的一部分或全部氢原子取代而得到的基团。作为该卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特别优选氟原子。

另外，作为α位取代基的羟基烷基具体而言可举出用羟基将上述“作为α位取代基的烷基”的一部分或全部氢原子取代而得到的基团。该羟基烷基中的羟基的数目优选为1～5，最优选为1。

本说明书及本权利要求书中，根据化学式所示的结构的不同，存在手性碳，有时可存在对映异构体(enantiomer)、非对映异构体(diastereomer)，该情况下，用一个式子代表性地表示这些异构体。这些异构体可以单独使用，也可以以混合物的形式使用。

(粘接剂组合物)

本发明的第1方式涉及的粘接剂组合物可用于形成将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接的粘接层，所述粘接剂组合物的特征在于，含有：包含聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂；和聚合引发剂。

<临时粘接的对象>

本实施方式涉及的粘接剂组合物可用于形成将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接的粘接层。本说明书中，“临时粘接”是指粘接对象被暂时(例如，任意的操作工序期间)粘接。更具体而言，为了进行器件的薄化、半导体基板的搬运、向半导体基板的安装等，半导体基板或电子器件暂时与支撑体粘接而固定(临时粘接)在支撑体上，该工艺结束后，从支撑体分离。

《半导体基板》

应用本实施方式涉及的粘接剂组合物的半导体基板没有特别限定，可以是作为半导体基板通常使用的基板。半导体基板(裸芯片)以被支撑体支撑的状态供于薄化、安装等工艺。半导体基板上例如可以安装有集成电路、金属凸块等构造物。

作为半导体基板，典型而言，可举出硅晶片基板，但不限于此，也可以为陶瓷基板、薄膜基板、柔性基板等。另外，半导体基板可以为模制基板等树脂基板。作为构成树脂基板的树脂，例如，可举出环氧系树脂或有机硅系树脂等。

《电子器件》

本说明书中，“电子器件”是指构成电子部件的至少一部分的构件。电子器件没有特别限定，可以为在半导体基板的表面形成有各种机械结构、电路的器件。电子器件优选可以为由金属或半导体构成的构件与将上述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。电子器件可以是后述的再布线层、以及/或者半导体元件或其他元件被密封材料或绝缘材料密封或绝缘而成的，可以具有单层或多层的结构。

《支撑体》

支撑体为对半导体基板或电子器件进行支撑的构件。如后文所述，支撑体可以由支撑基体和分离层构成，所述支撑基体为具有能使光透过的特性、对半导体基板进行支撑的构件，所述分离层能通过光的照射而改性。

<包含聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂：(P1)成分>

本实施方式涉及的粘接剂组合物含有包含聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂(以下，也称为“(P1)成分”)。(P1)成分可以通过聚合性碳-碳双键而聚合并固化，形成粘接层。由此，能够将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接。此外，(P1)成分中的氨基甲酸酯键具有在酸或碱的作用下分解的性质。因此，上述粘接层可通过包含酸或碱的处理液而容易地除去。

(P1)成分所包含的聚合性碳-碳双键没有特别限定，优选为自由基聚合性的键。作为聚合性碳-碳双键，例如，可举出甲基丙烯酰基、及丙烯酰基。(P1)成分所包含的聚合性碳-碳双键可以为一种，也可以为两种以上。

(P1)成分所包含的聚合性碳-碳双键的当量优选为200～2000g/eq.以上，更优选为300～1500g/eq.以上，进一步优选为400～1200g/eq.以上，特别优选为500～1000g/eq.。聚合性碳-碳双键当量为上述优选范围的下限值以上时，粘接层的弹性模量、耐热性等进一步提高。聚合性碳-碳双键当量为上述优选范围的上限值以下时，粘接层不会变得过硬，清洗性良好。上述当量数为每1当量聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂的分子量。

(P1)成分的重均分子量(Mw)优选为5,000～100,000，更优选为1,000～50,000，进一步优选为12,000～30,000，特别优选为13,000～25,000。

(P1)成分可以通过多异氰酸酯化合物(以下，也称为“(I)成分”)与多元醇(以下，也称为“(O)成分”)的聚合加成反应来合成。即，(P1)成分为(I)成分与(O)成分的反应产物。就(P1)成分而言，优选(I)成分及(O)成分中的至少一种包含聚合性碳-碳双键。

《多异氰酸酯化合物：(I)成分》

本说明书中，“多异氰酸酯化合物”是指具有2个以上的异氰酸酯基(-N＝C＝O)的化合物(多异氰酸酯)或者具有2个以上的经封端的异氰酸酯基的化合物(封端多异氰酸酯)。作为多异氰酸酯，没有特别限定，可以没有特别限定地使用聚氨酯树脂的制造中通常使用的多异氰酸酯。

封端多异氰酸酯是多异氰酸酯的异氰酸酯基通过与封端剂的反应而被封端、从而被非活性化的化合物。用作(I)成分的封端多异氰酸酯优选为利用热解离性封端剂将异氰酸酯基封端而得到的物质。作为热解离性封端剂，例如，可举出肟类、二酮类、酚类、己内酰胺类等封端剂。对于利用热解离性封端剂得到的封端多异氰酸酯而言，在常温下，异氰酸酯基为非活性，通过加热，热解离性封端剂解离而再次生成异氰酸酯基。

作为多异氰酸酯的具体例，例如，可举出：六亚甲基二异氰酸酯、三甲基六亚甲基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯等脂肪族二异氰酸酯；二环己基甲烷二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、氢化苯二甲撑二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯等脂环式二异氰酸酯；及甲苯二异氰酸酯、4,4’-二苯甲烷二异氰酸酯、2,4’-二苯甲烷二异氰酸酯、萘二异氰酸酯、苯二甲撑二异氰酸酯、二甲基联苯二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、萘二异氰酸酯等芳香族二异氰酸酯；以及，它们的缩二脲体、异氰脲酸酯体、三羟甲基丙烷的加合体等。多异氰酸酯可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

多异氰酸酯可以使用市售的物质。作为市售的多异氰酸酯，例如，可举出Duranate(注册商标)24A-100、Duranate 22A-75P、Duranate TPA-100、Duranate TKA-100、DuranateP301-75E、Duranate 21S-75E、Duranate MFA-75B、Duranate MHG-80B、Duranate TUL-100、Duranate TLA-100、Duranate TSA-100、Duranate TSS-100、Duranate TSE100、DuranateE402-80B、Duranate E405-70B、Duranate AS700-100、Duranate D101、Duranate D201、及Duranate A201H(以上为商品名，Asahi Kasei Chemicals公司制)等。这些制品可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

作为封端异氰酸酯，可举出上述这样的多异氰酸酯的异氰酸酯基通过与封端剂的反应而被保护的化合物。就封端剂而言，只要是热解离性的封端剂、即加成于异氰酸酯基且在常温下稳定但加热至解离温度以上时游离而生成异氰酸酯基的化合物即可，没有特别限定，可以没有特别限定地使用已知的化合物。

作为封端剂的具体例，例如，可举出：γ-丁内酰胺、ε-己内酰胺、γ-戊内酰胺、丙内酰胺等内酰胺化合物；甲基乙基酮肟、甲基异戊基酮肟、甲基异丁基酮肟、甲酰胺肟、乙酰胺肟、丙酮肟、二乙酰基单肟、二苯甲酮肟、环己酮肟等肟化合物；苯酚、甲酚、邻苯二酚、硝基苯酚等单环酚化合物；1-萘酚等多环酚化合物；甲醇、乙醇、异丙醇、叔丁醇、三羟甲基丙烷、2-乙基己基醇等醇化合物；乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇单丁基醚等醚化合物；丙二酸烷基酯、丙二酸二烷基酯、乙酰乙酸烷基酯、乙酰丙酮等活性亚甲基化合物；等等。封端剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

封端多异氰酸酯可通过使多异氰酸酯与封端剂反应而制造。多异氰酸酯与封端剂的反应例如在不具有活性氢的溶剂(1,4-二氧杂环己烷、溶纤剂乙酸酯等)中，在50～100℃左右的加热下，及在根据需要加入的封端化催化剂的存在下进行。多异氰酸酯与封端剂的使用比例没有特别限定，以多异氰酸酯中的异氰酸酯基与封端剂的当量比计，优选为0.95：1.0～1.1：1.0，进一步优选为1：1.05～1.15。作为封端化催化剂，可以使用已知的物质，例如，可举出：甲醇钠、乙醇钠、苯酚钠、甲醇钾等金属醇盐；四甲基铵、四乙基铵、四丁基铵等四烷基铵的氢氧化物；它们的乙酸盐、辛酸盐、肉豆蔻酸盐、苯甲酸盐等有机弱酸盐；以及乙酸、己酸、辛酸、肉豆蔻酸等烷基羧酸的碱金属盐；等等。封端化催化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

封端多异氰酸酯可以使用市售的物质。作为市售的封端多异氰酸酯，例如，可举出Duranate MF-K60B、Duranate SBB-70P、Duranate SBN-70D、Duranate MF-B60B、Duranate17B-60P、Duranate TPA-B80E、及Duranate E402-B80B(以上为商品名，旭化成株式会社制)等。

作为(I)成分，优选利用热解离性封端剂将异氰酸酯基封端而得到的封端多异氰酸酯。

(I)成分可以单独使用一种，也可以并用两种以上。例如，(I)成分可以使用脂肪族二异氰酸酯与芳香族二异氰酸酯的混合物。作为上述脂肪族二异氰酸酯，优选氢化二甲苯二异氰酸酯。作为上述芳香族二异氰酸酯，优选4,4-二苯甲烷二异氰酸酯。

《多元醇：(O)成分》

多元醇((O)成分)为具有2个以上羟基(-OH)的化合物。作为多元醇，没有特别限定，可以没有特别限定地使用聚氨酯树脂的制造中通常使用的多元醇。作为(O)成分，例如，可举出包含聚合性碳-碳双键的多元醇(以下，也称为“(O1)成分”)、及其他多元醇(以下，也称为“(O2)成分”)。

·包含聚合性碳-碳双键的多元醇((O1)成分)

作为(O1)成分，可举出包含选自由甲基丙烯酰基及丙烯酰基组成的组中的至少一种的多元醇。(O1)成分所具有的聚合性碳-碳双键可以为1个，也可以为2个以上。

作为(O1)成分，例如，可举出3元以上的多元醇与甲基丙烯酸、丙烯酸或它们的衍生物形成的酯等。作为上述3元以上的多元醇，优选3元以上的低分子多元醇。作为上述3元以上的低分子多元醇，可举出：丙三醇、三羟甲基丙烷等3元醇；四羟甲基甲烷(季戊四醇)、双甘油等4元醇；木糖醇等5元醇；山梨糖醇、甘露糖醇、阿里糖醇、艾杜糖醇、卫矛醇、糖醇、肌醇、二季戊四醇等6元醇；甘露庚糖醇等7元醇；以及蔗糖等8元醇；等等。

作为(O1)成分的具体例，可举出丙三醇单(甲基)丙烯酸酯、二丙三醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇单(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇单(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇二(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇三(甲基)丙烯酸酯、山梨糖醇四(甲基)丙烯酸酯等。

“(甲基)丙烯酸酯”为包括甲基丙烯酸酯及丙烯酸酯的概念，是指甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯。

(O1)成分可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

其中，作为(O1)成分，优选含有甲基丙烯酰基或丙烯酰基的二醇，更优选丙三醇单(甲基)丙烯酸酯、或季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯。

·其他多元醇((O2)成分)

(O2)成分为上述(O1)成分以外的多元醇。(O2)成分没有特别限定，可以为脂肪族多元醇，也可以为芳香族多元醇。(O2)成分可以为低分子多元醇(例如，分子量小于500)，也可以为高分子多元醇(例如，分子量为500以上)。

作为低分子多元醇，例如，可举出：乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、碳原子数7～22的烷烃二醇、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-乙基-2-丁基-1,3-丙二醇、碳原子数17～20的烷烃-1,2-二醇、1,3-环己烷二甲醇、1,4-环己烷二甲醇、1,4-环己二醇、氢化双酚A、1,4-二羟基-2-丁烯、2,6-二甲基-1-辛烯-3,8-二醇、双酚A等2元醇；丙三醇、三羟甲基丙烷等3元醇；四羟甲基甲烷(季戊四醇)、双甘油等4元醇；木糖醇等5元醇；山梨糖醇、甘露糖醇、阿里糖醇、艾杜糖醇、杜尔糖醇、海藻糖醇、肌醇、二季戊四醇等6元醇；甘露庚糖醇等7元醇；以及蔗糖等8元醇；等等。

其中，低分子多元醇优选为二元醇(二醇)。

作为高分子多元醇，例如，可举出酚醛树脂、含有羟基苯乙烯骨架的树脂、聚酯多元醇、聚醚多元醇、聚醚酯多元醇、聚酯酰胺多元醇、丙烯酸多元醇(acrylpolyol)、聚碳酸酯多元醇、多羟基烷烃、聚氨酯多元醇、及植物油系多元醇等。高分子多元醇的数均分子量优选为500～100,000。

使用低分子多元醇作为(O2)成分时，低分子多元醇相对于(O1)成分而言的比例(低分子多元醇/(O1)成分(质量比))优选为0.01～0.1，更优选为0.03～0.08。

〔酚醛树脂〕

酚醛树脂可以为Novolac型酚醛树脂，也可以为Resol型酚醛树脂。Novolac型酚醛树脂可以通过使具有酚式羟基的芳香族化合物(以下，称为“酚类”)与醛类在酸催化剂下进行加成缩合而得到。Resol型酚醛树脂可以通过使酚类与醛类在碱催化剂下进行加成缩合而得到。

作为上述酚类，例如，可举出：苯酚；间甲酚、对甲酚、邻甲酚等甲酚类；2,3-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚等二甲苯酚类；间乙基苯酚、对乙基苯酚、邻乙基苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5-三乙基苯酚、4-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、2-叔丁基苯酚、2-叔丁基-4-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚等烷基酚类；对甲氧基苯酚、间甲氧基苯酚、对乙氧基苯酚、间乙氧基苯酚、对丙氧基苯酚、间丙氧基苯酚等烷氧基酚类；邻异丙烯基苯酚、对异丙烯基苯酚、2-甲基-4-异丙烯基苯酚、2-乙基-4-异丙烯基苯酚等异丙烯基酚类；苯基苯酚等芳基酚类；4,4’-二羟基联苯、双酚A、间苯二酚、氢醌、连苯三酚、9,9-双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)芴、9,9-双(4-羟基-3-甲基苯基)芴、1,1-双(4-羟基-3-甲基苯基)环己烷等多羟基酚类等。

作为上述醛类，例如，可举出甲醛、多聚甲醛、三聚甲醛、糠醛、苯甲醛、对苯二甲醛、苯乙醛、α-苯丙醛、β-苯丙醛、邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、邻甲基苯甲醛、间甲基苯甲醛、对甲基苯甲醛、邻氯苯甲醛、间氯苯甲醛、对氯苯甲醛、肉桂醛、4-异丙基苯甲醛、4-异丁基苯甲醛、4-苯基苯甲醛等。

加成缩合反应时的酸催化剂没有特别限定，例如可使用盐酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸等。加成缩合反应时的碱催化剂没有特别限定，可使用氢氧化钠、氢氧化锂、氢氧化钾、氨水、三乙胺、碳酸钠、六亚甲基四胺等。

〔含有羟基苯乙烯骨架的树脂〕

作为含有羟基苯乙烯骨架的树脂，只要具有由羟基苯乙烯或羟基苯乙烯衍生物衍生的结构单元即可，没有特别限定。作为由羟基苯乙烯或羟基苯乙烯衍生物衍生的结构单元的具体例，可举出下述通式(a10-1)表示的结构单元。

[化学式1]

[式中，R为氢原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的卤代烷基。Ya^x1为单键或二价连接基团。Wa^x1为(n_ax1+1)价的芳香族烃基。n_ax1为1～3的整数。]

上述式(a10-1)中，R为氢原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的卤代烷基。

R的碳原子数1～5的烷基优选为碳原子数1～5的直链状或支链状的烷基，具体而言，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基等。R的碳原子数1～5的卤代烷基为上述碳原子数1～5的烷基的一部分或全部氢原子被卤素原子取代的基团。作为该卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特别优选氟原子。

作为R，优选氢原子、碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～5的氟代烷基，从工业上的获得容易性方面考虑，最优选氢原子或甲基。

上述式(a10-1)中，Ya^x1为单键或二价连接基团。

作为Ya^x1中的二价连接基团，例如，可以具有取代基的二价烃基、包含杂原子的二价连接基团可作为合适的基团举出。

·可以具有取代基的二价烃基：

Ya^x1为可以具有取代基的二价烃基时，该烃基可以为脂肪族烃基，也可以为芳香族烃基。

··Ya^x1中的脂肪族烃基

该脂肪族烃基是指不具有芳香性的烃基。该脂肪族烃基可以是饱和的，也可以是不饱和的，通常优选是饱和的。

作为上述脂肪族烃基，可举出直链状或支链状的脂肪族烃基、或者结构中含有环的脂肪族烃基等。

···直链状或支链状的脂肪族烃基

该直链状的脂肪族烃基的碳原子数优选为1～10，更优选为碳原子数1～6，进一步优选为碳原子数1～4，最优选为碳原子数1～3。

作为直链状的脂肪族烃基，优选直链状的亚烷基，具体而言，可举出亚甲基[-CH₂-]、亚乙基[-(CH₂)₂-]、三亚甲基[-(CH₂)₃-]、四亚甲基[-(CH₂)₄-]、五亚甲基[-(CH₂)₅-]等。

该支链状的脂肪族烃基的碳原子数优选为2～10，更优选为碳原子数3～6，进一步优选为碳原子数3或4，最优选为碳原子数3。

作为支链状的脂肪族烃基，优选支链状的亚烷基，具体而言，可举出：-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等烷基亚甲基；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-、-C(CH₂CH₃)₂-CH₂-等烷基亚乙基；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等烷基三亚甲基；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等烷基四亚甲基等烷基亚烷基等。作为烷基亚烷基中的烷基，优选碳原子数1～5的直链状烷基。

上述的直链状或支链状的脂肪族烃基可以具有取代基，也可以不具有取代基。作为该取代基，可举出氟原子、被氟原子取代的碳原子数1～5的氟代烷基、羰基等。

···结构中含有环的脂肪族烃基

作为该结构中含有环的脂肪族烃基，可举出环结构中可以含有包含杂原子的取代基的环状的脂肪族烃基(从脂肪族烃环中除去2个氢原子而得到的基团)、上述环状的脂肪族烃基与直链状或支链状的脂肪族烃基的末端键合而成的基团、上述环状的脂肪族烃基介在于直链状或支链状的脂肪族烃基中间的基团等。作为上述的直链状或支链状的脂肪族烃基，可举出与上述同样的基团。

环状的脂肪族烃基的碳原子数优选为3～20，更优选为碳原子数3～12。

环状的脂肪族烃基可以为多环式基团，也可以为单环式基团。作为单环式的脂环式烃基，优选从单环烷烃中除去2个氢原子而得到的基团。作为该单环烷烃，优选碳原子数3～6的单环烷烃，具体而言可举出环戊烷、环己烷等。作为多环式的脂环式烃基，优选从多环烷烃(polycycloalkane)中除去2个氢原子而得到的基团，作为该多环烷烃，优选为碳原子数7～12的多环烷烃，具体而言，可举出金刚烷、降冰片烷、异莰烷、三环癸烷、四环十二烷等。

环状的脂肪族烃基可以具有取代基，也可以不具有取代基。作为该取代基，可举出烷基、烷氧基、卤素原子、卤代烷基、羟基、羰基等。

关于作为上述取代基的烷基，优选碳原子数1～5的烷基，最优选甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。

关于作为上述取代基的烷氧基，优选碳原子数1～5的烷氧基，更优选甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基，最优选甲氧基、乙氧基。

关于作为上述取代基的卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，优选氟原子。

关于作为上述取代基的卤代烷基，可举出上述烷基的一部分或全部氢原子被上述卤素原子取代而得到的基团。

就环状的脂肪族烃基而言，构成其环结构的碳原子的一部分可以被含有杂原子的取代基取代。作为该含有杂原子的取代基，优选-O-、-C(＝O)-O-、-S-、-S(＝O)₂-、-S(＝O)₂-O-。

··Ya^x1中的芳香族烃基

该芳香族烃基为具有至少一个芳香环的烃基。

该芳香环只要为具有4n+2个π电子的环状共轭体系即可，没有特别限定，可以为单环式，也可以为多环式。芳香环的碳原子数优选为5～30，更优选为碳原子数5～20，进一步优选为碳原子数6～15，特别优选为碳原子数6～12。其中，该碳原子数不包括取代基中的碳原子数。作为芳香环，具体而言，可举出：苯、萘、蒽、菲等芳香族烃环；构成上述芳香族烃环的一部分碳原子被杂原子取代而得到的芳香族杂环等。作为芳香族杂环中的杂原子，可举出氧原子、硫原子、氮原子等。作为芳香族杂环，具体而言，可举出吡啶环、噻吩环等。

作为芳香族烃基，具体而言，可举出：从上述芳香族烃环或芳香族杂环中除去2个氢原子而得到的基团(亚芳基或亚杂芳基)；从含有2个以上芳香环的芳香族化合物(例如联苯、芴等)中除去2个氢原子而得到的基团；从上述芳香族烃环或芳香族杂环中除去1个氢原子而得到的基团(芳基或杂芳基)的1个氢原子被亚烷基取代而得到的基团(例如，从苄基、苯乙基、1-萘甲基、2-萘甲基、1-萘乙基、2-萘乙基等芳基烷基中的芳基中进一步除去1个氢原子而得到的基团)等。与上述的芳基或杂芳基键合的亚烷基的碳原子数优选为1～4，更优选为碳原子数1～2，特别优选碳原子数为1。

就上述芳香族烃基而言，该芳香族烃基所具有的氢原子可以被取代基取代。例如，与该芳香族烃基中的芳香环键合的氢原子可以被取代基取代。作为该取代基，例如，可举出烷基、烷氧基、卤素原子、卤代烷基、羟基等。

关于作为上述取代基的烷基，优选碳原子数1～5的烷基，最优选甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。

关于作为上述取代基的烷氧基、卤素原子及卤代烷基，可举出作为对上述环状的脂肪族烃基所具有的氢原子进行取代的取代基而示例的基团。

·含有杂原子的二价连接基团：

Ya^x1为含有杂原子的二价连接基团时，关于作为该连接基团而优选的基团，可举出-O-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-NH-、-NH-C(＝NH)-(H可以被烷基、酰基等取代基取代。)、-S-、-S(＝O)₂-、-S(＝O)₂-O-、通式-Y²¹-O-Y²²-、-Y²¹-O-、-Y²¹-C(＝O)-O-、-C(＝O)-O-Y²¹-、-[Y²¹-C(＝O)-O]_m”-Y²²-、-Y²¹-O-C(＝O)-Y²²-或-Y²¹-S(＝O)₂-O-Y²²-表示的基团[式中，Y²¹及Y²²各自独立地为可以具有取代基的二价烃基，O为氧原子，m”为0～3的整数。]等。

上述的含有杂原子的二价连接基团为-C(＝O)-NH-、-C(＝O)-NH-C(＝O)-、-NH-、-NH-C(＝NH)-时，其H可以被烷基、酰基等取代基取代。该取代基(烷基、酰基等)的碳原子数优选为1～10，进一步优选为1～8，特别优选为1～5。

通式-Y²¹-O-Y²²-、-Y²¹-O-、-Y²¹-C(＝O)-O-、-C(＝O)-O-Y²¹-、-[Y²¹-C(＝O)-O]_m”-Y²²-、-Y²¹-O-C(＝O)-Y²²-或-Y²¹-S(＝O)₂-O-Y²²-中，Y²¹及Y²²各自独立地为可以具有取代基的二价烃基。作为该二价烃基，可举出与作为上述二价连接基团的说明中举出的(可以具有取代基的二价烃基)同样的二价烃基。

作为Y²¹，优选直链状的脂肪族烃基，更优选直链状的亚烷基，进一步优选碳原子数1～5的直链状的亚烷基，特别优选亚甲基或亚乙基。

作为Y²²，优选直链状或支链状的脂肪族烃基，更优选亚甲基、亚乙基或烷基亚甲基。该烷基亚甲基中的烷基优选为碳原子数1～5的直链状的烷基，更优选为碳原子数1～3的直链状的烷基，最优选为甲基。

式-[Y²¹-C(＝O)-O]_m”-Y²²-表示的基团中，m”为0～3的整数，优选为0～2的整数，更优选为0或1，特别优选为1。即，作为式-[Y²¹-C(＝O)-O]_m”-Y²²-表示的基团，特别优选式-Y²¹-C(＝O)-O-Y²²-表示的基团。其中，优选式-(CH₂)_a’-C(＝O)-O-(CH₂)_b’-表示的基团。该式中，a’为1～10的整数，优选为1～8的整数，更优选为1～5的整数，进一步优选为1或2，最优选为1。b’为1～10的整数，优选为1～8的整数，更优选为1～5的整数，进一步优选为1或2，最优选为1。

作为Ya^x1，优选单键、酯键[-C(＝O)-O-]、醚键(-O-)、-C(＝O)-NH-、直链状或支链状的亚烷基、或者它们的组合，其中，尤其更优选单键。

上述式(a10-1)中，Wa^x1为(n_ax1+1)价的芳香族烃基。

作为Wa^x1中的芳香族烃基，可举出从芳香环中除去(n_ax1+1)个氢原子而得到的基团。此处的芳香环只要为具有4n+2个π电子的环状共轭体系即可，没有特别限定，可以为单环式，也可以为多环式。芳香环的碳原子数优选为5～30，更优选为碳原子数5～20，进一步优选为碳原子数6～15，特别优选为碳原子数6～12。作为芳香环，具体而言，可举出：苯、萘、蒽、菲等芳香族烃环；构成上述芳香族烃环的一部分碳原子被杂原子取代的芳香族杂环等。作为芳香族杂环中的杂原子，可举出氧原子、硫原子、氮原子等。作为芳香族杂环，具体而言，可举出吡啶环、噻吩环等。

上述式(a10-1)中，n_ax1为1～3的整数，优选为1或2，更优选为1。

以下，示出上述通式(a10-1)表示的结构单元的具体例。

下式中，R^α表示氢原子、甲基或三氟甲基。

[化学式2]

含有羟基苯乙烯骨架的树脂优选为羟基苯乙烯或羟基苯乙烯衍生物的聚合物，更优选为羟基苯乙烯的聚合物(聚羟基苯乙烯)。

〔聚碳酸酯多元醇〕

作为聚碳酸酯多元醇，例如，可举出通过使乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,9-壬二醇、1,8-壬二醇、新戊二醇、二乙二醇、二丙二醇、1,4-环己二醇、1,4-环己烷二甲醇、双酚A、或氢化双酚A等一种或两种以上的二醇与碳酸二甲酯、碳酸二苯酯、碳酸亚乙酯、碳酰氯等反应而得到的聚碳酸酯多元醇。

其中，聚碳酸酯多元醇优选为下述通式(PC-1)表示的聚碳酸酯二醇。

[化学式3]

[式中，Rp¹及Rp²各自独立地为二价烃基。np为2以上的整数。]

上述通式(PC-1)中，Rp¹及Rp²各自独立地为二价烃基。上述二价烃基可以为芳香族烃基，也可以为脂肪族烃基。作为上述二价烃基，可举出与上述通式(a10-1)的Ya^x1中所举出的同样的二价烃基。作为Rp¹及Rp²中的二价烃基，优选脂肪族烃基，更优选直链状或支链状的亚烷基。上述二价烃基优选为碳原子数1～10，更优选为碳原子数3～8，进一步优选为碳原子数4～6。作为Rp¹及Rp²的具体例，可举出-(CH₂)₆-、或-(CH₂)₅-。

聚碳酸酯多元醇的重均分子量(Mw)优选为500～5000，更优选为500～3000，进一步优选为500～2000，特别优选为500～1000。

使用聚碳酸酯多元醇作为(O2)成分时，聚碳酸酯多元醇相对于(O1)成分的比例(聚碳酸酯多元醇/(O1)成分(质量比))优选为0.1～5，更优选为0.3～3，进一步优选为0.4～3。

〔其他多元醇〕

作为聚酯多元醇，例如，可举出：使对苯二甲酸、间苯二甲酸、己二酸、壬二酸、癸二酸等二元酸或它们的二烷基酯或者它们的混合物与例如乙二醇、丙二醇、二乙二醇、丁二醇、新戊二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、3,3’-二羟甲基庚烷、聚氧乙二醇、聚氧丙二醇、聚四亚甲基醚二醇等二醇类或它们的混合物反应而得到的聚酯多元醇；或者，将聚己内酯、聚戊内酯、聚(β-甲基-γ-戊内酯)等内酯类开环聚合而得到的聚酯多元醇。

作为聚醚多元醇，例如，可举出将环氧乙烷、环氧丙烷、环氧丁烷、四氢呋喃等环氧烷化合物以例如水、乙二醇、丙二醇、三羟甲基丙烷、丙三醇等低分量多元醇作为引发剂进行聚合而得到的聚醚多元醇。

作为聚醚酯多元醇，例如，可举出使对苯二甲酸、间苯二甲酸、己二酸、壬二酸、癸二酸等二元酸或它们的二烷基酯或者它们的混合物与上述聚醚多元醇反应而得到的聚醚酯多元醇。

作为聚酯酰胺多元醇，可举出在上述酯化反应时，通过将例如乙二胺、丙二胺、1,6-己二胺等具有氨基的脂肪族二胺作为原料组合使用而得到的聚酯酰胺多元醇。

作为丙烯酸多元醇，可举出通过使在1分子中含有1个以上羟基的丙烯酸羟基乙酯、丙烯酸羟基丙酯、丙烯酸羟基丁酯等、或它们对应的甲基丙烯酸衍生物等、与例如丙烯酸、甲基丙烯酸或其酯共聚而得到的聚酯酰胺多元醇。

作为多羟基烷烃(polyhydroxy alkane)，可举出将丁二烯或丁二烯与丙烯酰胺等共聚而得到的液状橡胶。

作为聚氨酯多元醇，为1分子中具有1个以上氨基甲酸酯键的多元醇，例如，可举出使数均分子量200～20,000的聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚醚酯多元醇等与多异氰酸酯以优选NCO/OH小于1、更优选为0.9以下的条件进行反应而得到的聚氨酯多元醇。

作为植物油系多元醇，可举出蓖麻油、蓖麻油改性多元醇、二聚酸改性多元醇、及大豆油改性多元醇等。其中，作为植物油系多元醇，优选蓖麻油改性多元醇，更优选蓖麻油改性二醇。

使用植物油系多元醇作为(O2)成分时，植物油系多元醇相对于(O1)成分的比例(植物油系多元醇/(O1)成分(质量比))优选为0.1～5，更优选为0.3～3，进一步优选为0.4～2.5。

(O2)成分可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

上述之中，作为(O2)成分，从调节粘接剂组合物的粘度、及粘接层的硬度的观点考虑，优选聚碳酸酯多元醇、及低分子多元醇。另外，从提高粘接层的耐热性的观点考虑，作为(O2)成分，可以使用蓖麻油改性多元醇。

从调节粘接剂组合物的粘度及粘接层的耐热性等的观点考虑，(O)成分优选为(O1)成分与(O2)成分的组合。作为上述(O2)成分，优选低分子多元醇、聚碳酸酯多元醇、或蓖麻油改性多元醇、或它们的组合。作为与(O1)成分组合的(O2)成分的具体例，可举出：聚碳酸酯多元醇、蓖麻油改性多元醇、及低分子多元醇的组合；聚碳酸酯多元醇、及蓖麻油改性多元醇的组合；以及聚碳酸酯多元醇等。

(O1)成分与(O2)成分的质量比优选为(O1)：(O2)＝1：5～5：1，更优选为1：4～2：1，进一步优选为1：4～1：1，特别优选为1：4～1：2。通过使(O1)成分与(O2)成分的质量比在上述范围内，能够提高粘接层的弹性模量及耐热性等。

(P1)成分可以通过下述方式合成：将(I)成分及(O)成分混合，按照已知的聚氨酯树脂的合成方法进行共聚。(I)成分及(O)成分的共聚优选在铋催化剂等已知的氨基甲酸酯化催化剂的存在下进行。另外，为了避免(O1)成分中的聚合性碳-碳双键的聚合，可以在反应体系中添加聚合抑制剂。

(P1)成分的合成中使用的(I)成分与(O)成分的比率(质量比)例如优选为(I)：(O)＝10：90～60：40，更优选为20：80～50：50，进一步优选为25：75～45：55。(O)成分中的羟基(-OH)相对于(I)成分中的异氰酸酯基(-NCO)的摩尔比(NCO/OH)优选为60：40～40：60，更优选为55：45～45：55。

(P1)成分可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

就本实施方式的粘接剂组合物中的(P1)成分的含量而言，只要为能够涂布于支撑体等的浓度即可，没有特别限定。作为粘接剂组合物中的(P1)成分的含量，相对于粘接剂组合物的总量(100质量％)而言，优选为10～60质量％，更优选为20～60质量％，进一步优选为30～60质量％。

<聚合引发剂：(A)成分>

本实施方式的粘接剂组合物除了含有上述(P1)成分外，还含有聚合引发剂(以下，也称为(A)成分)。聚合引发剂是指具有促进聚合反应的功能的成分。作为(A)成分，可举出热聚合引发剂、光聚合引发剂等。

作为热聚合引发剂，例如可举出过氧化物、偶氮系聚合引发剂等。

作为热聚合引发剂中的过氧化物，例如，可举出酮过氧化物、过氧缩酮、氢过氧化物、二烷基过氧化物、过氧酯等。作为这样的过氧化物，具体而言，可举出过氧化乙酰、过氧化二异丙苯、过氧化叔丁基、过氧化叔丁基异丙苯、过氧化丙酰、过氧化苯甲酰(BPO)、过氧化2-氯苯甲酰、过氧化3-氯苯甲酰、过氧化4-氯苯甲酰、过氧化2,4-二氯苯甲酰、过氧化4-溴甲基苯甲酰、过氧化月桂酰、过硫酸钾、过氧化碳酸二异丙酯、四氢化萘氢过氧化物、1-苯基-2-甲基丙基-1-氢过氧化物、过三苯基乙酸叔丁酯、叔丁基氢过氧化物、过甲酸叔丁酯、过乙酸叔丁酯、过苯甲酸叔丁酯、过苯基乙酸叔丁酯、过4-甲氧基乙酸叔丁酯、过N-(3-甲苯基)氨基甲酸叔丁酯等。

上述过氧化物中，例如，可以使用日本油脂株式会社制的商品名“Percumyl(注册商标)”、商品名“Perbutyl(注册商标)”、商品名“Peroyl(注册商标)”及商品名“Perocta(注册商标)”等市售的物质。

作为热聚合引发剂中的偶氮系聚合引发剂，例如，可举出2,2’-偶氮双丙烷、2,2’-二氯-2,2’-偶氮双丙烷、1,1’-偶氮(甲基乙基)二乙酸酯、2,2’-偶氮双(2-脒基丙烷)盐酸盐、2,2’-偶氮双(2-氨基丙烷)硝酸盐、2,2’-偶氮双异丁烷、2,2’-偶氮双异丁基酰胺、2,2’-偶氮二异丁腈、2,2’-偶氮双-2-甲基丙酸甲酯、2,2’-二氯-2,2’-偶氮双丁烷、2,2’-偶氮双-2-甲基丁腈、2,2’-偶氮双异丁酸二甲酯、1,1’-偶氮双(1-甲基丁腈-3-磺酸钠)、2-(4-甲基苯基偶氮)-2-甲基丙二腈4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸、3,5-二羟基甲基苯基偶氮-2-烯丙基丙二腈、2,2’-偶氮双-2-甲基戊腈、4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸二甲酯、2,2’-偶氮双-2,4-二甲基戊腈、1,1’-偶氮双环己烷腈、2,2’-偶氮双-2-丙基丁腈、1,1’-偶氮双环己烷腈、2,2’-偶氮双-2-丙基丁腈、1,1’-偶氮双-1-氯苯基乙烷、1,1’-偶氮双-1-环己烷甲腈、1,1’-偶氮双-1-环庚烷腈、1,1’-偶氮双-1-苯基乙烷、1,1’-偶氮双异丙苯、4-硝基苯基偶氮苄基氰基乙酸乙酯、苯基偶氮二苯基甲烷、苯基偶氮三苯基甲烷、4-硝基苯基偶氮三苯基甲烷、1,1’-偶氮双-1,2-二苯基乙烷、聚(双酚A-4,4’-偶氮双-4-氰基戊酸酯)、聚(四乙二醇-2,2’-偶氮双异丁酸酯)等。

作为光聚合引发剂，例如可举出：1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-〔4-(2-羟基乙氧基)苯基〕-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、双(4-二甲基氨基苯基)酮、2-甲基-1-〔4-(甲基硫基)苯基〕-2-吗啉代丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁烷-1-酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(o-乙酰基肟)、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、4-苯甲酰基-4’-甲基二甲基硫化物、4-二甲基氨基苯甲酸、4-二甲基氨基苯甲酸甲酯、4-二甲基氨基苯甲酸乙酯、4-二甲基氨基苯甲酸丁酯、4-二甲基氨基-2-乙基己基苯甲酸、4-二甲基氨基-2-异戊基苯甲酸、苄基-β-甲氧基乙基缩酮、苄基二甲基缩酮、1-苯基-1,2-丙二酮-2-(o-乙氧基羰基)肟、邻苯甲酰基苯甲酸甲酯、2,4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、噻吨、2-氯噻吨、2,4-二乙基噻吨、2-甲基噻吨、2-异丙基噻吨、2-乙基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰、过氧化异丙苯、2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并噁唑、2-巯基苯并噻唑、2-(邻氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻氯苯基)-4,5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚物、2-(邻氟苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(邻甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(对甲氧基苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2,4,5-三芳基咪唑二聚物、二苯甲酮、2-氯二苯甲酮、4,4’-双二甲基氨基二苯甲酮(即，米蚩酮)、4,4’-双二乙基氨基二苯甲酮(即，乙基米蚩酮)、4,4’-二氯二苯甲酮、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、苯偶酰、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻正丁基醚、苯偶姻异丁基醚、苯偶姻叔丁基醚、苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、对二甲基苯乙酮、对二甲基氨基苯丙酮、二氯苯乙酮、三氯苯乙酮、对叔丁基苯乙酮、对二甲基氨基苯乙酮、对叔丁基三氯苯乙酮、对叔丁基二氯苯乙酮、α,α-二氯-4-苯氧基苯乙酮、噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、二苯并环庚酮、4-二甲基氨基苯甲酸戊酯、9-苯基吖啶、1,7-双-(9-吖啶基)庚烷、1,5-双-(9-吖啶基)戊烷、1,3-双-(9-吖啶基)丙烷、对甲氧基三嗪、2,4,6-三(三氯甲基)均三嗪、2-甲基-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(4-二乙基氨基-2-甲基苯基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-(4-乙氧基苯乙烯基)-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2-(4-正丁氧基苯基)-4,6-双(三氯甲基)均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基均三嗪、2,4-双-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基均三嗪等。

上述的光聚合引发剂中，例如可以使用“IRGACURE OXE02”、“IRGACURE OXE01”、“IRGACURE 369”、“IRGACURE 651”、“IRGACURE 907”(均为商品名，BASF公司制)以及“NCI-831”(商品名，株式会社ADEKA制)等市售的物质。

(A)成分可以单独使用一种，也可以组合两种以上而使用。作为(A)成分，优选热聚合引发剂，更优选过氧化物。(A)成分的使用量可根据(P1)成分的使用量进行调节。相对于(P1)成分100质量份而言，本实施方式的粘接剂组合物中的聚合引发剂的含量优选为0.1～10质量份，更优选为0.5～5质量份。

<任选成分>

本实施方式的粘接剂组合物除了含有上述(P1)成分及(A)成分外，还可以在不损害本发明效果的范围内包含任选成分。任选成分没有特别限定，例如，可举出硅烷偶联剂、聚合抑制剂、溶剂成分、增塑剂、辅助粘接剂、稳定剂、着色剂、表面活性剂等。

《硅烷偶联剂：(B)成分》

本实施方式的粘接剂组合物优选除了含有上述(P1)成分及(A)成分外还含有硅烷偶联剂(以下，也称为(B)成分)。通过使用(B)成分，能够提高与基板的密合性。另外，模制基板等树脂基板中，高温下容易产生空隙。通过使用(B)成分，即使在树脂基板中也能够抑制空隙的产生。

硅烷偶联剂为具有反应性不同的2种官能团的硅烷化合物。2种官能团优选为水解性基团和除此以外的官能团。“水解性基团”是指：直接与硅原子连结，且通过水解反应及/或缩合反应而能够产生硅氧烷键的取代基。作为水解性基团，例如，可举出卤素原子、烷氧基、酰基氧基等。作为上述烷氧基及酰基氧基，优选碳原子数1～5，更优选碳原子数1～3。其中，作为水解性基团，优选烷氧基，更优选乙氧基或甲氧基。即，硅烷偶联剂优选为具有烷氧基甲硅烷基的化合物，更优选为具有乙氧基甲硅烷基或甲氧基甲硅烷基的化合物。

水解性基团以外的官能团没有特别限定，例如，可举出环氧基、氨基、异氰酸酯基、乙烯基、(甲基)丙烯酰基、巯基、脲基、苯乙烯基等，但并不限于这些。用于硅基板等无机基板的粘接时，优选环氧基、氨基、或异氰酸酯基。用于模制基板等树脂基板的粘接时，优选环氧基。“(甲基)丙烯酰基”为包括甲基丙烯酰基及丙烯酰基的概念，是指甲基丙烯酰基或丙烯酰基。

(B)成分例如可举出下述通式(b1)表示的化合物(以下，也称为“化合物(B1)”)。

Y-L-SiR_3-nX_n···(b1)

[式中，X表示水解性基团；Y表示水解性基团以外的官能团；L表示二价连接基团；R表示烷基；n表示1～3的整数。]

通式(b1)中的X表示直接与硅原子连结的水解性基团。X与上述中说明的水解性基团同样。

通式(b1)中的Y表示上述水解性基团以外的官能团。Y与上述中说明的官能团同样。

通式(b1)中的L表示二价连接基团。作为L中的二价连接基团，可举出与上述式(a10-1)的Ya^x1中所举出的同样的二价连接基团。L中的二价连接基团优选为可具有杂原子的脂肪族烃基，更优选为可具有杂原子的亚烷基。作为上述杂原子，可举出氧原子、氮原子、硫原子等。作为L，优选为亚甲基的一部分可以被-O-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-NH-、-NH-C(＝NH)-(H可以被烷基、酰基等取代基取代。)、-S-、-S(＝O)₂-、或-S(＝O)₂-O-替换的亚烷基。作为L，更优选为亚甲基的一部分可以被-O-或-NH-替换的亚烷基。上述亚烷基优选为碳原子数1～20，更优选为碳原子数3～15，进一步优选为碳原子数3～10。

通式(b1)中的R表示烷基。R的烷基优选为碳原子数1～3，优选碳原子数为1或2，更优选为甲基。

通式(b1)中的n表示1～3的整数。n优选为2或3，更优选为3。

作为Y为环氧基的化合物(B1)，例如，可举出3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、8-环氧丙氧基辛基三甲氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、及3-环氧丙氧基丙基乙基二乙氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为氨基的化合物(B1)，例如，可举出N-2-(氨基乙基)-8-氨基辛基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基-亚丁基)丙基胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为异氰酸酯基的化合物(B1)，例如，可举出3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为乙烯基的化合物(B1)，例如，可举出乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为(甲基)丙烯酰基的化合物(B1)，例如，可举出3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为巯基的化合物(B1)，例如，可举出3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为脲基的化合物(B1)，例如，可举出3-脲基丙基三烷氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为Y为苯乙烯基的化合物(B1)，例如，可举出对苯乙烯基三甲氧基硅烷等，但并不限于这些。

作为化合物(B1)的市售品，例如，可举出KBM-303、KBM-402、KBM-403、KBE402、KBE-403、KBM-602、KBM-603、KBM-903、KBE-903、KBE-9103P、KBM-573、KBM-575、KBM-1003、KBE-1003、KBM-502、KBM-503、KBE-502、KBE-503、KBM-5103、KBM-802、KBM-803、KBE-585A、KBM-1403(均为信越化学工业制)；Z-6883、OFS-6032、Z-6269、OFS-6032、OFS-6032、Z-6119、Z-6120、Z-6675、OFS-6040、Z-6044、Z-6043、Z-6075、Z-6300、Z-6519、Z-6825、OFS-6030、Z-6033、Z-6062(均为Dow Toray株式会社制)等。

(B)成分可以为聚合物型硅烷偶联剂。作为聚合物型硅烷偶联剂，可举出聚硅氧烷型硅烷偶联剂、有机聚合物型硅烷偶联剂。

聚硅氧烷型硅烷偶联剂是水解性基团及上述水解性基团以外的官能团键合于在主链中具有聚硅氧烷骨架(由-Si-O-的重复单元形成的聚合物)的聚合物而成的硅烷偶联剂。聚硅氧烷型硅烷偶联剂为化合物(B1)的硅烷偶联剂的水解缩合物。

作为聚硅氧烷型硅烷偶联剂的市售品，例如，可举出KR-517、KR-516、KR-513、X-41-1805、X41-1810(均为信越化学工业制)等。

有机聚合物型硅烷偶联剂是在主链为有机结构的有机聚合物上键合有水解性基团及上述水解性基团以外的官能团的硅烷偶联剂。有机聚合物没有特别限定，可以使用任意的有机聚合物。有机聚合物型硅烷偶联剂优选为具有乙氧基或甲氧基作为水解性基团的硅烷偶联剂。用于硅基板时，作为官能团，优选具有环氧基、氨基、或异氰酸酯基。用于树脂基板时，作为官能团，优选具有环氧基。作为官能团当量(相对于1个硅原子而言的官能团数)，例如优选为1～10，更优选为1～5，进一步优选为2或3。

作为有机聚合物型硅烷偶联剂的市售品，例如，可举出X-12-972F、X-12-981S、X-12-984S、X-12-1048、X-12-1050、X-12-1154、X-12-1242、X-12-1159L(均为信越化学工业制)等。

作为(B)成分的优选例，可举出具有环氧基、氨基、或异氰酸酯基的化合物(B1)、或者具有环氧基、氨基、或异氰酸酯基的有机聚合物型硅烷偶联剂。用于树脂基板的粘接时，特别优选具有环氧基的化合物(B1)、或具有环氧基的有机聚合物型硅烷偶联剂。

(B)成分可以单独使用一种，也可以组合两种以上而使用。(B)成分可以根据基板的种类选择适当的物质。例如，粘接对象为硅基板时，可以使用具有环氧基、氨基、或异氰酸酯基的硅烷偶联剂。例如，粘接对象为树脂基板时，可以使用具有环氧基的硅烷偶联剂。

本实施方式的粘接剂组合物含有(B)成分时，相对于(P1)成分100质量份而言，(B)成分的含量例如优选为0.1～10质量份，更优选为1～10质量份，进一步优选为1～5质量份，特别优选为3～5质量份。

《聚合抑制剂》

聚合抑制剂是指具有防止由热、光引起的自由基聚合反应的功能的成分。聚合抑制剂对自由基显示出高的反应性。

作为聚合抑制剂，优选具有酚骨架。例如，该聚合抑制剂可以使用受阻酚系抗氧化剂，可举出连苯三酚、苯醌、氢醌、亚甲基蓝、叔丁基邻苯二酚、单苄基醚、甲基氢醌、戊醌、戊氧基氢醌、正丁基苯酚、苯酚、氢醌单丙基醚、4,4’-(1-甲基亚乙基)双(2-甲基苯酚)、4,4’-(1-甲基亚乙基)双(2,6-二甲基苯酚)、4,4’-[1-〔4-(1-(4-羟基苯基)-1-甲基乙基)苯基〕亚乙基]双酚、4,4’,4”-亚乙基三(2-甲基苯酚)、4,4’,4”-亚乙基三苯酚、1,1,3-三(2,5-二甲基-4-羟基苯基)-3-苯基丙烷、2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、2,2’-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、4,4’-亚丁基双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、4,4’-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)、3,9-双[2-(3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)-丙酰基氧基)-1,1-二甲基乙基]-2,4,8,10-四氧杂螺(5,5)十一烷、三乙二醇-双-3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯、3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸正辛基酯、季戊四醇四[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯](商品名IRGANOX1010，BASF公司制)、三(3,5-二叔丁基羟基苄基)异氰脲酸酯、硫代二亚乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯]等。

聚合抑制剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上而使用。

聚合抑制剂的含量根据树脂成分的种类、粘接剂组合物的用途及使用环境来适当确定即可。

《表面活性剂》

作为表面活性剂，例如，可举出氟系表面活性剂、有机硅系表面活性剂等。

作为氟系表面活性剂，例如，可举出BM-1000、BM-1100(均为BM Chemie公司制)、MEGAFACE F142D、MEGAFACE F172、MEGAFACE F173、MEGAFACE F183(均为DIC公司制)、FLUORAD FC-135、FLUORAD FC-170C、FLUORAD FC-430、FLUORAD FC-431(均为Sumitomo 3MLimited制)、Surflon S-112、Surflon S-113、Surflon S-131、Surflon S-141、Surflon S-145(均为旭硝子公司制)、SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428(均为Toray Silicon公司制)等市售的氟系表面活性剂。

作为有机硅系表面活性剂，例如，可举出未改性有机硅系表面活性剂、聚醚改性有机硅系表面活性剂、聚酯改性有机硅系表面活性剂、烷基改性有机硅系表面活性剂、芳烷基改性有机硅系表面活性剂、及反应性有机硅系表面活性剂等。有机硅系表面活性剂可以使用市售的物质。作为市售的有机硅系表面活性剂的具体例，例如，可举出Paintad M(DowCorning Toray Co.,Ltd.制)、Topika K1000、Topika K2000、Topika K5000(均为高千穗产业公司制)、XL-121(聚醚改性有机硅系表面活性剂，Clariant公司制)、BYK-310(聚酯改性有机硅系表面活性剂，BYK Chemie公司制)等。

表面活性剂可以单独使用一种，也可以组合两种以上而使用。作为表面活性剂，优选有机硅系表面活性剂，更优选聚酯改性有机硅系表面活性剂。使用表面活性剂时，相对于(P1)成分100质量份而言，本实施方式的粘接剂组合物中的表面活性剂的含量优选为0.01～1质量份，更优选为0.05～0.5质量份。

《溶剂成分》

本实施方式的粘接剂组合物可以通过将(P1)成分及(A)成分、和根据需要添加的任选成分溶解于溶剂成分并混合而制备。作为溶剂成分，可以使用可溶解上述各成分的溶剂。

作为溶剂成分，例如，可举出烃溶剂、石油系溶剂、及上述溶剂以外的其他溶剂。以下，也将烃溶剂及石油系溶剂统称为“(S1)成分”。也将(S1)成分以外的溶剂成分称为“(S2)成分”。

作为烃溶剂，可举出直链状、支链状或环状的烃。作为烃溶剂，例如，可举出：己烷、庚烷、辛烷、壬烷、甲基辛烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷等直链状烃；异辛烷、异壬烷、异十二烷等支链状烃；对薄荷烷、邻薄荷烷、间薄荷烷、二苯基薄荷烷、1,4-萜二醇、1,8-萜二醇、莰烷、降冰片烷、蒎烷、侧柏烷、类萜、长叶烯、α-萜品烯、β-萜品烯、γ-萜品烯、α-松萜、β-松萜、α-侧柏酮、β-侧柏酮、环己烷、环庚烷、环辛烷等脂环式烃；甲苯、二甲苯、茚、戊搭烯、茚满、四氢茚、萘、四氢萘(四氢化萘)、十氢萘(十氢化萘)等芳香族烃。

石油系溶剂是指从重油纯化得到的溶剂，例如可举出白色煤油、石蜡系溶剂、异链烷烃系溶剂。

作为(S2)成分，可举出具有氧原子、羰基或乙酰氧基等作为极性基团的萜烯溶剂，例如，可举出香叶醇、橙花醇、沉香醇、柠檬醛、香茅醇、薄荷醇、异薄荷醇、新薄荷醇、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、萜品烯-1-醇、萜品烯-4-醇、二氢松香醇乙酸酯、1,4-桉树脑、1,8-桉树脑、冰片、香芹酮、紫罗酮、侧柏酮、樟脑等。

另外，作为(S2)成分，也可举出：γ-丁内酯等内酯类；丙酮、甲基乙基酮、环己酮(CH)、甲基正戊基酮、甲基异戊基酮、2-庚酮等酮类；乙二醇、二乙二醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇类；乙二醇单乙酸酯、二乙二醇单乙酸酯、丙二醇单乙酸酯、或二丙二醇单乙酸酯等具有酯键的化合物、上述多元醇类或上述具有酯键的化合物的单甲基醚、单乙基醚、单丙基醚、单丁基醚等单烷基醚或单苯基醚等具有醚键的化合物等多元醇类的衍生物(这些之中，优选丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲基醚(PGME))；二氧杂环己烷这样的环式醚类；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯类；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚等芳香族系有机溶剂。

溶剂成分可以单独使用一种，也可以组合两种以上而使用。作为溶剂成分，优选相对于(P1)成分而言为非活性的溶剂成分。作为优选的溶剂成分，例如，可举出酯系溶剂、酮系溶剂、芳香族烃系溶剂、PGMEA、PGME、及它们的混合溶剂等。

本实施方式的粘接剂组合物中的溶剂成分的含量根据粘接剂组合物层的厚度进行适当调整即可。作为溶剂成分的含量，例如，相对于粘接剂组合物的总量(100质量％)而言，优选在40～90质量％的范围内。即，就本实施方式的粘接剂组合物而言，固态成分(去除溶剂成分后的配合成分的总量)浓度优选在10～80质量％的范围内。溶剂成分的含量在上述的优选范围内时，容易调节粘度。

聚合引发剂可以在即将使用粘接剂组合物之前利用已知的方法配合。聚合引发剂或聚合抑制剂可以以预先溶解于上述(S2)成分而成的溶液的形态配合。(S2)成分的使用量根据聚合引发剂或聚合抑制剂的种类等进行适当调整即可，例如，相对于(S1)成分100质量份而言，优选为1～50质量份，更优选为5～30质量份。(S2)成分的使用量在上述的优选范围内时，能够将聚合引发剂或聚合抑制剂充分溶解。

根据本实施方式的粘接剂组合物，在将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接时，使(P1)成分利用聚合性碳-碳双键进行聚合并交联。由此，粘接剂组合物层固化而形成粘接层，半导体基板或电子器件与支撑体被临时粘接。该粘接层通过交联结构而固化，因此耐热性高，即使于高温(例如，200℃以上)下，弹性模量也不会降低。因此，即使在加工半导体基板或电子器件时进行高温处理的情况下，也不易发生位置偏移、下沉等不良情况。

另一方面，上述粘接层中，(P1)成分中的氨基甲酸酯键可通过酸或碱而分解。因此，在支撑体上的半导体基板或电子器件的加工完成后将半导体基板或电子器件与支撑体分离时，使酸或碱与粘接层作用。由此，氨基甲酸酯键发生分解，(P1)成分被分解，因此能够除去粘接层。结果，能够使半导体基板或电子器件与支撑体容易地分离。此外，附着于半导体基板或电子器件上的粘接层的残渣也可以通过酸或碱而容易地除去。

(层叠体)

本发明的第2方式涉及的层叠体为依次层叠有支撑体、粘接层、以及半导体基板或电子器件的层叠体，其特征在于，上述粘接层为第1方式涉及的粘接剂组合物的固化体。

图1示出第2方式涉及的层叠体的一个实施方式。

图1所示的层叠体100具备：层叠支撑基体1和分离层2而成的支撑体12；粘接层3；和半导体基板4。层叠体100中，依次层叠有支撑体12、粘接层3及半导体基板4。

图1的例子中，支撑体12包含支撑基体1及分离层2，但不限于此，也可以仅由支撑基体构成支撑体。

图2示出第2方式涉及的层叠体的另一实施方式。

就图2所示的层叠体200而言，除了由半导体基板4、密封材料层5及布线层6形成的电子器件456层叠于粘接层3上以外，为与层叠体100同样的构成。

图3示出第2方式涉及的层叠体的又一实施方式。

就图3所示的层叠体300而言，除了电子器件由布线层6形成以外，为与层叠体100同样的构成。

图4示出第2方式涉及的层叠体的又一实施方式。

就图4所示的层叠体400而言，除了由布线层6、半导体基板4及密封材料层5形成的电子器件645层叠于粘接层3上以外，为与层叠体100同样的构成。

<支撑体>

支撑体为支撑半导体基板或电子器件的构件。图1～4的例子中，支撑体12具备：支撑基体1、和设置于支撑基体1上的分离层2。本实施方式的层叠体中，支撑体可以具有分离层2，也可以不具有分离层2。支撑体不具有分离层2时，支撑基体1成为支撑体。

《支撑基体》

支撑基体为具有能使光透过的特性、对半导体基板或电子部件进行支撑的构件。如图1～4那样设置分离层时，支撑基体介由分离层及粘接层而贴合于半导体基板或电子器件。未设置分离层时，支撑基体介由粘接层而贴合于半导体基板或电子器件。因此，作为支撑基体，优选具有在器件的薄化、半导体基板的搬运、向半导体基板的安装等时为了防止半导体基板的破损或变形所需要的强度。另外，支撑体具有分离层时，支撑基体优选透过能够使分离层改性的波长的光。

作为支撑基体的材料，例如，可使用玻璃、硅、丙烯酸系树脂等。作为支撑基体的形状，例如，可举出矩形、圆形等，但并不限于这些。作为支撑基体，为了进一步高密度集成化、提高生产效率，也可以使用将呈圆形的支撑基体的尺寸大型化而成的支撑基体、俯视下的形状为四边形的大型面板。

《分离层》

分离层是与粘接层相邻、能通过光的照射而改性、从而能够将支撑基体从介由粘接层而固定于支撑体的半导体基板或电子器件分离的层。

该分离层可以使用后述的分离层形成用组合物来形成，例如，通过对分离层形成用组合物所含有的成分进行烧成、或者利用化学气相沉积(CVD)法而形成。该分离层通过对从支撑基体透过而照射的光进行吸收，从而合适地发生改性。

分离层优选仅由吸收光的材料形成，也可以为在不损害本发明的本质特性的范围内配合不具有吸收光的结构的材料而成的层。

分离层的厚度例如优选在0.05μm以上、50μm以下的范围内，更优选在0.3μm以上、1μm以下的范围内。分离层的厚度在0.05μm以上、50μm以下的范围内时，能够通过短时间的光照射及低能量的光照射使分离层发生所期望的改性。另外，从生产率的观点考虑，分离层的厚度特别优选在1μm以下的范围内。

分离层的与粘接层接触的一侧的面优选平坦(未形成凹凸)，由此，容易进行粘接层的形成，并且，容易将半导体基板或电子器件、与支撑基体均匀地粘贴。

·分离层形成用组合物

用于形成分离层的材料、即分离层形成用组合物例如可举出含有碳氟化合物、具有重复单元(其包含具有光吸收性的结构)的聚合物、无机物、具有红外线吸收性结构的化合物、红外线吸收物质、反应性聚倍半硅氧烷、或具有酚骨架的树脂成分的组合物。

另外，分离层形成用组合物可以含有填料、增塑剂、热产酸剂成分、光产酸剂成分、有机溶剂成分、表面活性剂、敏化剂、或能够提高支撑基体的分离性的成分等作为任选成分。

··碳氟化合物

分离层可以含有碳氟化合物。由碳氟化合物构成的分离层将通过吸收光而发生改性，结果，丧失接受光照射之前的强度或粘接性。因此，通过施加轻微的外力(例如，提起支撑体等)，分离层即被破坏，能够容易地将支撑体、与半导体基板或电子器件分离。构成分离层的碳氟化合物能够利用等离子体CVD法而合适地成膜。

碳氟化合物根据其种类吸收具有固有范围波长的光。通过将分离层中使用的碳氟化合物所吸收范围内的波长的光照射至分离层，能够使碳氟化合物合适地改性。分离层中的光的吸收率优选为80％以上。

作为向分离层照射的光，可以根据碳氟化合物可吸收的波长而适当使用例如YAG激光、红宝石激光、玻璃激光、YVO₄激光、LD激光、光纤激光等固体激光、色素激光等液体激光、CO₂激光、准分子激光、Ar激光、He-Ne激光等气体激光、半导体激光、自由电子激光等激光、或非激光。作为能够使碳氟化合物改性的波长，例如可以使用600nm以下的范围的波长。

··具有下述重复单元的聚合物，所述重复单元包含具有光吸收性的结构

分离层可以含有具有下述重复单元的聚合物，所述重复单元包含具有光吸收性的结构。该聚合物接受光的照射而改性。

具有光吸收性的结构例如可举出包含由取代或未取代的苯环、稠环或杂环形成的共轭π电子体系的原子团。更具体而言，具有光吸收性的结构可举出Cardo结构、或在该聚合物的侧链存在的二苯甲酮结构、二苯基亚砜结构、二苯砜结构(双苯砜结构)、二苯基结构或二苯基胺结构。

上述具有光吸收性的结构根据其种类，能够吸收具有所期望范围的波长的光。例如，上述具有光吸收性的结构可吸收的光的波长优选在100～2000nm的范围内，更优选在100～500nm的范围内。

上述具有光吸收性的结构可吸收的光例如为从高压汞灯(波长254nm以上、436nm以下)、KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)、F₂准分子激光(波长157nm)、XeCl激光(波长308nm)、XeF激光(波长351nm)或固体UV激光(波长355nm)发出的光、或者g线(波长436nm)、h线(波长405nm)或i线(波长365nm)等。

··无机物

分离层可以由无机物形成。该无机物只要为通过吸收光而改性的物质即可，例如，可合适地举出选自由金属、金属化合物及碳组成的组中的一种以上。金属化合物是指包含金属原子的化合物，例如可举出金属氧化物、金属氮化物。

作为这样的无机物，可举出选自由金、银、铜、铁、镍、铝、钛、铬、SiO₂、SiN、Si₃N₄、TiN、及碳组成的组中的一种以上。

需要说明的是，碳是也包括碳的同素异形体的概念，例如包括金刚石、富勒烯、类金刚石碳、碳纳米管等。

上述无机物根据其种类吸收具有固有范围波长的光。

作为向由无机物形成的分离层照射的光，根据上述无机物可吸收的波长，例如，可以适当使用YAG激光、红宝石激光、玻璃激光、YVO₄激光、LD激光、光纤激光等固体激光、色素激光等液体激光、CO₂激光、准分子激光、Ar激光、He-Ne激光等气体激光、半导体激光、自由电子激光等激光、或非激光。

由无机物形成的分离层可利用例如溅射、化学蒸镀(CVD)、电镀、等离子体CVD、旋涂等已知的技术形成于支撑基体上。

··具有红外线吸收性结构的化合物

分离层可以含有具有红外线吸收性结构的化合物。该具有红外线吸收性结构的化合物通过吸收红外线而发生改性。

作为具有红外线吸收性的结构、或具有该结构的化合物，例如，可举出烷烃、烯烃(乙烯基、反式、顺式、亚乙烯基、三取代、四取代、共轭、累积多烯、环式)、炔烃(一取代、二取代)、单环式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇或酚类(自由OH、分子内氢键、分子间氢键、饱和二级、饱和三级、不饱和二级、不饱和三级)、缩醛、缩酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯基醚、环氧乙烷环醚、过氧化物醚、酮、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮的烯醇、邻羟基芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚物、羧酸根阴离子)、甲酸酯、乙酸酯、共轭酯、非共轭酯、芳香族酯、内酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酰氯化物、芳香族酰氯化物、酸酐(共轭、非共轭、环式、非环式)、伯酰胺、仲酰胺、内酰胺、伯胺(脂肪族、芳香族)、仲胺(脂肪族、芳香族)、叔胺(脂肪族、芳香族)、伯胺盐、仲胺盐、叔胺盐、铵离子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二亚胺、脂肪族异腈、芳香族异腈、异氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族异硫氰酸酯、芳香族异硫氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝胺、亚硝胺、硝酸酯、亚硝酸酯、亚硝基键(脂肪族、芳香族、单体、二聚物)、硫醇或苯硫酚或硫醇酸等硫化合物、硫代羰基、亚砜、砜、磺酰氯、伯磺酰胺、仲磺酰胺、硫酸酯、碳-卤素键、Si-A¹键(A¹为H、C、O或卤素)、P-A²键(A²为H、C或O)或Ti-O键。

作为含有上述碳-卤素键的结构，例如可举出-CH₂Cl、-CH₂Br、-CH₂I、-CF₂-、-CF₃、-CH＝CF₂、-CF＝CF₂、氟代芳基或氯代芳基等。

作为含有上述Si-A¹键的结构，例如，可举出SiH、SiH₂、SiH₃、Si-CH₃、Si-CH₂-、Si-C₆H₅、SiO-脂肪族、Si-OCH₃、Si-OCH₂CH₃、Si-OC₆H₅、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF₂或SiF₃等。作为包含Si-A¹键的结构，特别优选形成了硅氧烷骨架或倍半硅氧烷骨架。

作为含有上述P-A²键的结构，例如，可举出PH、PH₂、P-CH₃、P-CH₂-、P-C₆H₅、A³ ₃-P-O(A³为脂肪族基团或芳香族基团)、(A⁴O)₃-P-O(A⁴为烷基)、P-OCH₃、P-OCH₂CH₃、P-OC₆H₅、P-O-P、P-OH或O＝P-OH等。

作为含有上述Ti-O键的化合物，例如，可举出：(i)四异丙氧基钛、四正丁氧基钛、四(2-乙基己氧基)钛或异丙氧基辛二醇钛等烷氧基钛；(ii)二异丙氧基·双(乙酰丙酮合)钛或丙烷二氧钛双(乙酰乙酸乙酯)等螯合钛；(iii)i-C₃H₇O-[-Ti(O-i-C₃H₇)₂-O-]_n-i-C₃H₇或n-C₄H₉O-[-Ti(O-n-C₄H₉)₂-O-]_n-n-C₄H₉等钛聚合物；(iv)三正丁氧基钛单硬脂酸酯、硬脂酸钛、二异丙氧基钛二异硬脂酸盐或(2-正丁氧基羰基苯甲酰氧基)三丁氧基钛等酰化钛；(v)二正丁氧基·双(三乙醇胺合)钛等水溶性钛化合物等。

这些之中，作为含有Ti-O键的化合物，优选二正丁氧基·双(三乙醇胺合)钛(Ti(OC₄H₉)₂[OC₂H₄N(C₂H₄OH)₂]₂)。

上述红外线吸收性的结构可以通过选择其种类来吸收具有所期望范围波长的红外线。具体而言，上述红外线吸收性的结构可吸收的红外线的波长例如在1～20μm的范围内，可更合适地在2～15μm的范围内吸收。

此外，上述结构为Si-O键、Si-C键或Ti-O键时，优选在9～11μm的范围内。

需要说明的是，就上述各结构能够吸收的红外线的波长而言，本领域技术人员能够容易地理解。例如，作为各结构中的吸收带，可参照非专利文献：SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL著“有机化合物的基于光谱的鉴定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV的并用-”(1992年发行)第146页至第151页的记载。

作为分离层的形成中使用的、具有红外线吸收性结构的化合物，只要是具有如上所述结构的化合物中的、可以为了进行涂布而溶解于溶剂中并且能够固化而形成固化层的化合物即可，没有特别限定。然而，为了使分离层中的化合物高效地改性、使支撑基体与基板的分离变得容易，分离层中的红外线的吸收大、即向分离层照射红外线时的红外线的透过率低是优选的。具体而言，分离层中的红外线的透过率优选低于90％，红外线的透过率更优选低于80％。

··红外线吸收物质

分离层可以含有红外线吸收物质。该红外线吸收物质只要为能通过吸收光而发生改性的物质即可，例如可合适地使用碳黑、铁粒子、或铝粒子。

红外线吸收物质根据其种类吸收具有固有范围波长的光。通过将分离层中使用的红外线吸收物质所吸收的范围的波长的光照射至分离层，从而能够使红外线吸收物质合适地改性。

··反应性聚倍半硅氧烷

分离层可以通过使反应性聚倍半硅氧烷聚合而形成。由此形成的分离层具备高的耐化学药品性和高的耐热性。

“反应性聚倍半硅氧烷”是指：在聚倍半硅氧烷骨架的末端具有硅烷醇基、或者具有能够通过水解而形成硅烷醇基的官能团的聚倍半硅氧烷。通过使该硅烷醇基、或能够形成硅烷醇基的官能团缩合，从而能够互相聚合。另外，反应性聚倍半硅氧烷只要具有硅烷醇基、或者能够形成硅烷醇基的官能团即可，可以采用具备无规结构、笼型结构、梯型结构等倍半硅氧烷骨架的反应性聚倍半硅氧烷。

反应性聚倍半硅氧烷的硅氧烷含量优选为70～99摩尔％，更优选为80～99摩尔％。

反应性聚倍半硅氧烷的硅氧烷含量在上述的优选范围内时，能够形成可通过照射红外线(优选为远红外线，更优选为波长9～11μm的光)而适当地改性的分离层。

反应性聚倍半硅氧烷的重均分子量(Mw)优选为500～50000，更优选为1000～10000。

反应性聚倍半硅氧烷的重均分子量(Mw)在上述的优选范围内时，能够合适地溶解于溶剂中，能够合适地涂布于支承板上。

作为能够用作反应性聚倍半硅氧烷的市售品，例如，可举出小西化学工业株式会社制的SR-13、SR-21、SR-23或SR-33(商品名)等。

··具有酚骨架的树脂成分

分离层可以含有具有酚骨架的树脂成分。通过具有酚骨架，容易通过加热等而改性(氧化等)，光反应性提高。

此处所谓的“具有酚骨架”，是指含有羟基苯结构。

具有酚骨架的树脂成分具有膜形成能力，优选分子量为1000以上。通过使该树脂成分的分子量为1000以上，膜形成能力提高。该树脂成分的分子量更优选为1000～30000，进一步优选为1500～20000，特别优选为2000～15000。通过使该树脂成分的分子量在上述的优选范围的上限值以下，可提高在分离层形成用组合物的溶剂中的溶解性。

需要说明的是，作为树脂成分的分子量，使用基于GPC(凝胶渗透色谱)的按聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)。

作为具有酚骨架的树脂成分，例如可举出Novolac型酚醛树脂、Resol型酚醛树脂、羟基苯乙烯树脂、羟基苯基倍半硅氧烷树脂、羟基苄基倍半硅氧烷树脂、含有酚骨架的丙烯酸树脂等。这些之中，更优选Novolac型酚醛树脂、Resol型酚醛树脂。

<粘接层>

粘接层是为了将半导体基板或电子器件临时粘接于支撑体而设置的。粘接层为上述第1实施方式涉及的粘接剂组合物的固化体。更具体而言，粘接层通过使上述第1实施方式涉及的粘接剂组合物中的(P1)成分利用聚合性碳-碳双键进行聚合并交联而形成。(P1)成分的聚合反应可通过加热粘接剂组合物来进行。粘接层的厚度例如优选在1μm以上、200μm以下的范围内，更优选在5μm以上、150μm以下的范围内。

如上所述，粘接层为粘接剂组合物的固化体，构成该粘接层的材料(固化体)优选满足以下特性。

即，按以下的条件测定固化体的复数弹性模量时，200℃时的复数弹性模量优选为1.0×10⁶Pa以上，更优选为5.0×10⁶Pa以上，进一步优选为1.0×10⁷Pa以上。作为200℃时的复数弹性模量的上限值，例如为1.0×10¹⁰Pa以下。

另外，按以下的条件测定固化体的复数弹性模量时，250℃时的复数弹性模量优选为5.0×10⁶Pa以上，更优选为1.0×10⁷Pa以上。作为250℃时的复数弹性模量的上限值，例如为1.0×10¹⁰Pa以下。

固化体的复数弹性模量可使用动态粘弹性测定装置Rheogel-E4000(UBM株式会社制)来测定。具体而言，可以将粘接剂组合物涂布于带有脱模剂的PET膜上，利用氮气氛下的烘箱，于180℃加热1小时而形成厚度50μm的试验片，然后，针对从PET膜剥下的试验片(尺寸为5mm×40mm，厚度为50μm)，使用上述的测定装置来测定。就测定条件而言，采用下述条件即可：以频率1Hz的拉伸条件，从起始温度50℃至300℃、以5℃/分钟的升温速度进行升温。

<半导体基板或电子器件>

半导体基板或电子器件介由粘接层而临时粘接于支撑体。

《半导体基板》

作为半导体基板，没有特别限定，可示例与上述“(粘接剂组合物)”中所示例的同样的半导体基板。半导体基板可以为半导体元件或其他元件，可以具有单层或多层的结构。

《电子器件》

作为电子器件，没有特别限定，可示例与上述“(粘接剂组合物)”中所示例的同样的电子器件。电子器件优选为由金属或半导体构成的构件与将上述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。具体而言，电子器件包含密封材料层及布线层中的至少一者，可以还包含半导体基板。

图2所示的层叠体200中，电子器件456由半导体基板4、密封材料层5、及布线层6构成。图3所示的层叠体300中，电子器件6由布线层6构成。图4所示的层叠体400中，电子器件645由布线层6、半导体基板4及密封材料层5构成。

〔密封材料层〕

密封材料层是为了将半导体基板密封而设置的，使用密封材料形成。密封材料使用能够将由金属或半导体构成的构件绝缘或密封的构件。

作为密封材料，例如，可以使用树脂组合物。密封材料层5优选以将粘接层3上的半导体基板4全部覆盖的方式设置，而不是设置于各半导体基板4中的每个上。密封材料中使用的树脂只要为能够将金属或半导体密封及/或绝缘的树脂即可，没有特别限定，例如，可举出环氧系树脂或有机硅系树脂等。

密封材料除了包含树脂外，还可以包含填料等其他成分。作为填料，例如，可举出球状二氧化硅粒子等。

《布线层》

布线层也称为RDL(Redistribution Layer：再布线层)，是构成与基板连接的布线的薄膜的布线体，可具有单层或多层的结构。布线层可以是在电介质(氧化硅(SiO_x)、感光性环氧化物等感光性树脂等)之间利用导电体(例如，铝、铜、钛、镍、金及银等金属以及银-锡合金等合金)形成布线而得到的层，但不限于此。

需要说明的是，图1～图4的层叠体中，支撑基体1与分离层2相邻，但不限于此，支撑基体1与分离层2之间可以还形成有其他层。该情况下，其他层由能使光透过的材料构成即可。由此，能够在不妨碍光向分离层2的入射的情况下适当追加对层叠体100～400赋予合适性质等的层。根据构成分离层2的材料的种类的不同，可使用的光的波长不同。因此，构成其他层的材料无需透过所有波长的光，可以从下述材料中适当选择，所述材料能透过可使构成分离层2的材料改性的波长的光。

(层叠体的制造方法(1))

本发明的第3方式涉及的层叠体的制造方法为依次层叠有支撑体、粘接层及半导体基板的层叠体的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在上述支撑体或半导体基板上涂布第1方式涉及的粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层的工序(以下，也称为“粘接剂组合物层形成工序”)；介由上述粘接剂组合物层，将上述半导体基板载置于上述支撑体上的工序(以下，也称为“半导体基板载置工序”)；以及，通过上述聚氨酯树脂的聚合反应使上述粘接剂组合物层固化而形成上述粘接层的工序(以下，也称为“粘接层形成工序”)。

图5～6为对本实施方式涉及的层叠体的制造方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。

图5(a)～(c)为对依次层叠有支撑体12、粘接剂组合物层3’、及半导体基板4的层叠体100’的制造工序进行说明的图。图5(a)为示出支撑体12的图。支撑体12由支撑基体1及分离层2构成。图5(b)为对粘接剂组合物层形成工序进行说明的图。图5(c)为对半导体基板载置工序进行说明的图。

图6为对粘接层形成工序进行说明的图。使层叠体100’中的粘接剂组合物层3’热固化而形成粘接层3，得到层叠体100。

[粘接剂组合物层形成工序]

本实施方式涉及的层叠体的制造方法包括粘接剂组合物层形成工序。粘接剂组合物层形成工序为在支撑体或半导体基板上涂布粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层的工序。支撑体具有分离层时，粘接剂组合物层形成于支撑体中具有分离层的一侧的面。

图5(b)中，在支撑体12的分离层2侧的面上，使用粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层3’。

粘接剂组合物层3’在支撑体12上的形成方法没有特别限定，例如，可举出旋涂、浸渍、辊刀涂布、喷涂、狭缝涂布等方法。

可以利用同样的方法使粘接剂组合物层形成于半导体基板4上。

形成粘接剂组合物层后，可以进行烘烤处理。就烘烤温度条件而言，设为比后述的粘接层形成工序中的加热温度低的温度。作为烘烤条件，可根据粘接剂组合物所含有的(P1)成分的种类而变化，例如，可举出70～100℃的温度条件下进行1～10分钟等。

[半导体基板载置工序]

本实施方式涉及的层叠体的制造方法包括半导体基板载置工序。半导体基板载置工序是介由粘接剂组合物层将半导体基板载置于支撑体上的工序。由此，能够得到层叠体100’。

图5(c)中，介由形成于支撑体12上的粘接剂组合物层3’，半导体基板4载置于支撑体12上。

介由粘接剂组合物层3’而在支撑体12上载置半导体基板4的方法没有特别限定，可以采用作为将半导体基板配置于规定位置的方法而通常使用的方法。

[粘接层形成工序]

本实施方式涉及的层叠体的制造方法包括粘接层形成工序。粘接层形成工序是通过粘接剂组合物层中的聚氨酯树脂((P1)成分)的聚合反应而使粘接剂组合物层固化并形成粘接层的工序。由此，能够得到层叠体100。

图6中，通过粘接剂组合物层3’的固化而形成粘接层3。

粘接剂组合物层中的(P1)成分的聚合反应可以根据(P1)成分所包含的聚合性碳-碳双键的种类来选择适当的方法进行。例如，(P1)成分包含甲基丙烯酰基或丙烯酰基时，(P1)成分的聚合反应可通过加热来进行。

作为加热温度，例如，可举出80～350℃、100～300℃、130～300℃、或150～300℃等。

加热时间只要是对于(P1)成分聚合并固化而言足够的时间即可，没有特别限定。作为加热时间，例如，优选为30～180分钟，更优选为45～120分钟，或进一步优选为60～120分钟。上述固化反应例如可在氮气氛下进行。

通过本工序，粘接剂组合物层3’中的(P1)成分交联并固化，形成作为粘接剂组合物层3’的固化体的粘接层3。由此，支撑体12与半导体基板4被临时粘接。结果，能够得到层叠体100。

[任选工序]

本实施方式涉及的层叠体的制造方法除了包括上述工序外，还可以包括其他工序。作为其他工序，例如，可举出分离层形成工序、以及各种机械处理或化学处理(研磨、化学机械研磨(CMP)等薄膜化处理、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等高温·真空下的处理、使用了有机溶剂、酸性处理液、碱性处理液等化学药品的处理、电镀处理、活性光线的照射、加热·冷却处理等)等。

·分离层形成工序

支撑体包含分离层时，本实施方式涉及的层叠体的制造方法可以包括分离层形成工序。分离层形成工序是在支撑基体上的一侧使用分离层形成用组合物形成分离层的工序。

图5(a)中，在支撑基体1上，通过使用分离层形成用组合物(含有碳氟化合物的组合物)而形成了分离层2(即，制作了带有分离层的支撑基体)。

分离层2在支撑基体1上的形成方法没有特别限定，例如，可举出旋涂、浸渍、辊刀涂布、喷涂、狭缝涂布、化学气相沉积(CVD)等方法。

例如，在分离层形成工序中，在加热环境下或减压环境下，从涂布于支撑基体1上的分离层形成用组合物的涂布层中除去溶剂成分而成膜、或者在支撑基体1上利用蒸镀法成膜，由此能够得到支撑体12。

(层叠体的制造方法(2))

本发明的第4方式涉及的层叠体的制造方法的特征在于，在利用上述第3方式涉及的层叠体的制造方法得到层叠体之后还具有形成电子器件的电子器件形成工序，所述电子器件为由金属或半导体构成的构件与将上述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。

利用本实施方式的层叠体的制造方法得到的层叠体为依次层叠有支撑体、粘接层及电子器件的层叠体。该层叠体可通过对利用上述第3方式涉及的层叠体的制造方法得到的层叠体进行电子器件形成工序而得到。

[电子器件形成工序]

本实施方式涉及的层叠体的制造方法包括电子器件形成工序。电子器件形成工序为形成下述电子器件的工序，所述电子器件为由金属或半导体构成的构件与将上述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。

电子器件形成工序可以包括密封工序、磨削工序、布线层形成工序中的任一者。一个实施方式中，电子器件形成工序包括基板固定工序及密封工序。该情况下，电子器件形成工序可以还包括磨削工序及布线层形成工序。

·关于密封工序

密封工序是使用密封材料将固定于支撑体上的基板密封的工序。

图7(a)中，得到了层叠体110，所述层叠体110是介由粘接层3而与支撑体12临时粘接的半导体基板4整体被密封材料层5密封而成的。

密封工序中，例如加热至130～170℃的密封材料在维持高粘度的状态的同时以覆盖半导体基板4的方式被供给至粘接层3上，通过压缩成型，从而制作了在粘接层3上设置有密封材料层5的层叠体110。

此时，温度条件例如为130～170℃。

施加于半导体基板4的压力例如为50～500N/cm²。

密封材料层5优选以将粘接层3上的半导体基板4全部覆盖的方式设置，而不是设置于各半导体基板4中的每个上。

·关于磨削工序

磨削工序是在上述密封工序之后、以使半导体基板的一部分露出的方式对密封体中的密封材料部分(密封材料层5)进行磨削的工序。

例如，如图7(b)所示，密封材料部分的磨削以下述方式进行：将密封材料层5削至与半导体基板4大致同等的厚度。

·关于布线层形成工序

布线层形成工序是在上述磨削工序之后、在上述露出的半导体基板上形成布线层的工序。

图7(c)中，在半导体基板4及密封材料层5上形成布线层6。由此，能够得到层叠体120。层叠体120中，半导体基板4、密封材料层5及布线层6构成电子器件456。

作为形成布线层6的方法，例如，可举出以下的方法。

首先，在密封材料层5上形成氧化硅(SiO_x)、感光性树脂等的电介质层。由氧化硅形成的电介质层例如可利用溅射法、真空蒸镀法等来形成。由感光性树脂形成的电介质层例如可通过利用旋涂、浸渍、辊刀涂布、喷涂、狭缝涂布等方法在密封材料层5上涂布感光性树脂而形成。

接着，在电介质层上，由金属等导电体形成布线。作为形成布线的方法，例如，可以使用光刻(抗蚀剂光刻)等光刻处理、蚀刻处理等已知的半导体工艺方法。作为这样的光刻处理，例如，可举出使用了正型抗蚀剂材料的光刻处理、使用了负型抗蚀剂材料的光刻处理。

本实施方式涉及的层叠体的制造方法中，可以进一步在布线层6上进行凸点的形成、或元件的安装。元件向布线层6上的安装例如可以使用贴片机等进行。

(层叠体的制造方法(3))

本发明的第5方式涉及的层叠体的制造方法为依次层叠有支撑体、粘接层及电子器件的层叠体的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在上述支撑体上涂布上述第1方式涉及的粘接剂组合物而形成上述粘接剂组合物的层的工序(粘接剂组合物层形成工序)；在上述粘接剂组合物层上形成电子器件的电子器件形成工序(电子器件形成工序)，所述电子器件为由金属或半导体构成的构件与将上述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体；以及，通过上述聚氨酯树脂的聚合反应使上述粘接剂组合物层固化而形成粘接层的工序(粘接层形成工序)。

与上述第4方式涉及的制造方法同样地，利用本实施方式的层叠体的制造方法得到的层叠体为依次层叠有支撑体、粘接层及电子器件的层叠体。

本实施方式的制造方法中，粘接剂组合物层形成工序可以与上述第3方式涉及的层叠体的制造方法中的粘接剂组合物层形成工序同样地进行。

本实施方式的制造方法中，在粘接剂组合物层形成工序之后，进行电子器件形成工序。作为该电子器件形成工序，可包括布线层形成工序。电子器件形成工序可以还包括半导体基板载置工序、密封工序、及磨削工序等。另外，电子器件形成工序可以为介由粘接剂组合物层将密封体(其是用密封材料将半导体基板密封而成的)载置于支撑体上的工序。

粘接层形成工序可以与上述第3方式涉及的层叠体的制造方法中的粘接层形成工序同样地进行。

在粘接层形成工序之后，可以根据需要进一步进行电子器件形成工序。该电子器件形成工序例如可包括半导体基板载置工序、密封工序、及磨削工序等。

根据上述第3～第5方式涉及的层叠体的制造方法，由于介由耐热性高的粘接层将支撑体与半导体基板或电子器件临时粘接，因此能够稳定地制造依次层叠支撑体、粘接层、和半导体基板或电子器件而成的层叠体。该层叠体是在基于扇出型技术(其中，设置于半导体基板上的端子安装在向芯片区域外扩展的布线层上)的过程中制作的层叠体。

(电子部件的制造方法)

本发明的第6方式涉及的电子部件的制造方法的特征在于，在利用上述第3～第5中任一方式涉及的层叠体的制造方法得到层叠体之后，具有下述工序：通过酸或碱将上述聚氨酯树脂的氨基甲酸酯键分解，由此将上述粘接层除去(以下，也称为“粘接层除去工序”)。

支撑体由支撑基体和分离层构成时，本实施方式涉及的方法可以还具有下述分离工序：在粘接层除去工序之前，介由上述支撑基体向上述分离层照射光，使上述分离层改性，由此将上述电子器件和上述支撑基体分离。

图8为对半导体封装体(电子部件)的制造方法的一个实施方式进行说明的概略工序图。图8(a)为示出层叠体120的图，图8(b)为说明分离工序的图，图8(c)为对粘接剂除去工序进行说明的图。

[分离工序]

支撑体具有分离层时，本实施方式涉及的电子部件的制造方法可以具有分离工序。本实施方式中的分离工序是介由支撑基体1向分离层2照射光(箭头)而使分离层2改性、由此使支撑基体1从电子器件456分离的工序。

如图8(a)所示，分离工序中，介由支撑基体1向分离层2照射光(箭头)，由此使分离层2改性。

作为能够使分离层2改性的波长，例如可举出600nm以下的范围。

照射的光的种类及波长根据支撑基体1的透过性、及分离层2的材质进行适当选择即可，例如，可以使用YAG激光、红宝石激光、玻璃激光、YVO₄激光、LD激光、光纤激光等固体激光、色素激光等液体激光、CO₂激光、准分子激光、Ar激光、He-Ne激光等气体激光、半导体激光、自由电子激光等激光、非激光。由此，使分离层2改性，能够成为可容易地将支撑基体1与电子器件456分离的状态。

照射激光时，作为激光照射条件的一例，可举出以下的条件。

激光的平均输出值优选为1.0W以上、5.0W以下，更优选为3.0W以上、4.0W以下。激光的重复频率优选为20kHz以上、60kHz以下，更优选为30kHz以上、50kHz以下。激光的扫描速度优选为100mm/s以上、10000mm/s以下。

在向分离层2照射光(箭头)而使分离层2改性后，如图8(b)所示，将支撑基体1从电子器件456分离。

例如，通过沿着支撑基体1与电子器件456彼此分离的方向施加力，将支撑基体1与电子器件456分离。具体而言，在将支撑基体1或电子器件456侧(布线层6)中的一者固定于工作台的状态下，将另一者在利用具备吸附垫(波纹管垫等)的分离板进行吸附保持的同时提起，由此能够将支撑基体1与电子器件456分离。

对层叠体200施加的力根据层叠体200的大小等进行适当调整即可，没有特别限定，例如，若是直径为300mm左右的层叠体，则可以通过施加0.1～5kgf(0.98～49N)左右的力来使支撑基体1与电子器件456合适地分离。

支撑体不具有分离层时，支撑体、与半导体基板或电子器件的分离可以通过后述的粘接层除去工序来进行。

[粘接层除去工序]

本实施方式涉及的电子部件的制造方法具有粘接层除去工序。粘接层除去工序是利用酸或碱将粘接层中的交联结构分解、除去上述粘接层的工序。

图8(b)中，在分离工序之后，在电子器件456上附着有粘接层3及分离层2。本工序中，使用酸或碱将粘接层3分解，由此将粘接层3及分离层2除去，得到电子部件50。

本工序中，利用酸或碱将粘接层3中的(P1)成分的氨基甲酸酯键分解。氨基甲酸酯键的分解中使用的酸或碱只要为能够使氨基甲酸酯键分解的物质即可，没有特别限定。作为能够使氨基甲酸酯键分解的酸，例如，可举出盐酸、硫酸、硝酸等，但并不限于这些。另外，作为能够使氨基甲酸酯键分解的碱，可举出氢氧化钾、氢氧化钠等无机碱；及四甲基氢氧化铵、单乙醇胺等有机胺类，但并不限于这些。

上述的酸或碱可以溶解于溶剂中而以用于除去粘接层的处理液的形式使用。作为上述溶剂，优选极性溶剂，例如，可举出二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二乙二醇单丁基醚、二乙二醇、乙二醇、丙二醇等。

上述粘接剂除去用处理液除了含有上述成分外，还可以含有表面活性剂等已知的添加剂。

作为上述处理液中的酸或碱的含量，没有特别限定，例如，可举出1～50质量％。另外，作为上述处理液中的极性溶剂的含量，可举出50～99质量％。

用于除去粘接层的处理液可以使用市售的碱性处理液或酸性处理液。作为市售的处理液，例如，可举出ST-120、ST-121(均为东京应化工业公司制)等。

通过使含有酸或碱的上述这样的处理液与粘接层3接触，从而粘接层3中的(P1)成分的氨基甲酸酯键被分解，能够除去粘接层3。

根据本实施方式涉及的电子部件的制造方法，通过使用含有包含聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂的粘接剂组合物、并使上述粘接剂组合物固化，从而将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接。因此，能够形成对于电子器件形成工艺等中的高温处理也能够耐受的耐热性高的粘接层。另外，上述粘接层中的聚氨酯树脂被酸或碱分解，因此在完成电子器件形成工艺等之后，能够容易地进行粘接层的清洗除去。

就本实施方式的电子部件的制造方法而言，在上述粘接层除去工序之后，可以进一步对电子部件50进行焊球形成、切割、或氧化膜形成等处理。

实施例

以下，通过实施例更详细地说明本发明，但本发明不限于这些例子。

<聚氨酯树脂的合成例>

(合成例1：聚氨酯树脂(P1)-1)

向具备搅拌机、滴液漏斗、冷凝管及温度计的烧瓶中，添加丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、聚碳酸酯二醇(Mw为1,000)33份、聚碳酸酯二醇(Mw为500)9份、丙三醇单甲基丙烯酸酯18份、新戊二醇1份、及抑制剂，在氮气流下均匀地混合。接着，将二苯甲烷二异氰酸酯(以下，称为“MDI”)9份、及氢化苯二甲撑二异氰酸酯(以下，称为“H6XDI”)30份装入至滴液漏斗中，经30分钟匀速地滴加。在滴加结束后，进行30分钟熟化。然后，添加铋催化剂，升温至65℃，进行4～5小时熟化。接着，添加甲醇，进行1小时熟化，在异氰酸酯基(NCO)消失的时间点结束反应。

(合成例2：聚氨酯树脂(P1)-2)

向具备搅拌机、滴液漏斗、冷凝管及温度计的烧瓶中，添加PGMEA、蓖麻油改性二醇13份、聚碳酸酯二醇(Mw为1,000)29份、丙三醇单甲基丙烯酸酯18份、新戊二醇1份、及抑制剂，在氮气流下均匀地混合。接着，将MDI 9份、及H6XDI 30份装入至滴液漏斗中，经30分钟匀速地滴加。在滴加结束后，进行30分钟熟化。然后，添加铋催化剂，升温至65℃，进行4～5小时熟化。接着，添加甲醇，进行1小时熟化，在异氰酸酯基(NCO)消失的时间点结束反应。

(合成例3：聚氨酯树脂(P1)-3)

向具备搅拌机、滴液漏斗、冷凝管及温度计的烧瓶中，添加PGMEA、蓖麻油改性二醇36份、聚碳酸酯二醇(Mw为1,000)7.5份、丙三醇单甲基丙烯酸酯18份、新戊二醇1份、及抑制剂，在氮气流下均匀地混合。接着，将MDI 8份、及H6XDI 29.5份装入至滴液漏斗中，经30分钟匀速地滴加。在滴加结束后，进行30分钟熟化。然后，添加铋催化剂，升温至65℃，进行4～5小时熟化。接着，添加丙烯酸2-羟基乙酯(2HEA)，进行1小时熟化，在异氰酸酯基(NCO)消失的时间点结束反应。

(合成例4：聚氨酯树脂(P1)-4)

向具备搅拌机、滴液漏斗、冷凝管及温度计的烧瓶中，添加PGMEA、聚碳酸酯二醇(Mw为1,000)48份、丙三醇单甲基丙烯酸酯18份、新戊二醇1份、及抑制剂，在氮气流下均匀地混合。接着，将MDI 6份、及H6XDI 27份装入至滴液漏斗中，经30分钟匀速地滴加。在滴加结束后，进行30分钟熟化。然后，添加铋催化剂，升温至65℃，进行4～5小时熟化。接着，添加2HEA，进行1小时熟化，在异氰酸酯基(NCO)消失的时间点结束反应。

(合成例5：聚氨酯树脂(P1)-5)

向具备搅拌机、滴液漏斗、冷凝管及温度计的烧瓶中，添加PGMEA、蓖麻油改性二醇36份、聚碳酸酯二醇(Mw为1,000)17份、季戊四醇二丙烯酸酯18份、新戊二醇1份、及抑制剂，在氮气流下均匀地混合。接着，将MDI 7份、及H6XDI 21份装入至滴液漏斗中，经30分钟匀速地滴加。在滴加结束后，进行30分钟熟化。然后，添加铋催化剂，升温至65℃，进行4～5小时熟化。接着，添加2HEA，进行1小时熟化，在异氰酸酯基(NCO)消失的时间点结束反应。

(合成例6：聚氨酯树脂(P1)-6)

向具备搅拌机、滴液漏斗、冷凝管及温度计的烧瓶中，添加PGMEA、蓖麻油改性二醇34份、聚碳酸酯二醇(Mw为1,000)17份、季戊四醇二丙烯酸酯21份、新戊二醇1份、及抑制剂，在氮气流下均匀地混合。接着，将MDI 6份、及H6XDI 21份装入至滴液漏斗中，经30分钟匀速地滴加。在滴加结束后，进行30分钟熟化。然后，添加铋催化剂，升温至65℃，进行4～5小时熟化。接着，添加2HEA，进行1小时熟化，在异氰酸酯基(NCO)消失的时间点结束反应。

将聚氨酯树脂(P1)-1～(P1)-6的合成中使用的原料、以及合成后的聚氨酯树脂中包含的聚合性碳-碳双键的当量及重均分子量(Mw)归纳于表1。表1中的数值表示质量比。“C＝C当量”表示每1当量聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂的分子量(单位：g/eq.)。

[表1]

表1中，各简称分别具有以下的含义。

(O1)-1：丙三醇单甲基丙烯酸酯。

(O1)-2：季戊四醇二丙烯酸酯。

(O2)-1：下式(PC-1-1)表示的聚碳酸酯二醇(R＝-(CH₂)₆-、-(CH₂)₅-)，Mw＝1,000。

(O2)-2：下式(PC-1-1)表示的聚碳酸酯二醇(R＝-(CH₂)₆-、-(CH₂)₅-)，Mw＝500。

[化学式4]

(O2)-3：蓖麻油改性二醇(伊藤制油公司制，含芳香族的级别)。

(O2)-4：新戊二醇。

(I)-1：二苯甲烷二异氰酸酯。

(I)-2：氢化苯二甲撑二异氰酸酯。

<粘接剂组合物的制备>

(实施例1～6、比较例1～2)

将表2、3所示的成分混合，分别制备了各例的粘接剂组合物。

[表2]

[表3]

表2、3中，各简称分别具有以下的含义。[]内的数值为配合量(质量份)。

(P1)-1：上述合成例1中合成的聚氨酯树脂(P1)-1。

(P1)-2：上述合成例2中合成的聚氨酯树脂(P1)-2。

(P1)-3：上述合成例3中合成的聚氨酯树脂(P1)-3。

(P1)-4：上述合成例4中合成的聚氨酯树脂(P1)-4。

(P1)-5：上述合成例5中合成的聚氨酯树脂(P1)-5。

(P1)-6：上述合成例6中合成的聚氨酯树脂(P1)-6。

(P2)-1：环氧树脂(EXA4850-150(商品名)，DIC株式会社)。

(P2)-2：环氧树脂(HP-7200HH(商品名)，DIC株式会社)。

(A)-1：过氧化物系热聚合引发剂(Percumyl(注册商标)D，日本油脂株式会社)。

(Ad)-1：聚酯改性聚二甲基硅氧烷(BYK-310(商品名)，BYK Chemie公司)。

(Ad)-2：热产酸剂(TAG-2690(商品名)，楠本化成株式会社)。

(O2)-5：聚碳酸酯二醇(DURANOL T5650J(商品名)，旭化成株式会社)。

(S)-1：PGMEA。

<评价>

《涂布性》

利用旋涂法，在Si基板上以50μm的膜厚分别涂布各例的粘接剂组合物。涂布后，用肉眼进行观察，按照下述评价基准进行评价。将其结果作为“涂布性”示于表4中。

评价基准

〇：无不均、空隙

×：有不均、空隙

《弹性模量的测定》

利用旋涂法，在Si晶片上分别涂布各例的粘接剂组合物，利用氮气氛下的烘箱，于180℃加热60分钟使其固化(膜厚为50μm)。切出粘接剂组合物的固化膜的试验片(膜厚为50μm，宽度为5mm，长度为40mm)，使用Rheogel-E4000(UBM制)，以1Hz的频率，在50～300℃的范围内测定拉伸弹性模量。

《耐热性试验》

利用旋涂法，在半导体基板上分别涂布各例的粘接剂组合物，形成粘接剂组合物层(膜厚为50μm)。接着，在粘接剂组合物层上，层叠玻璃支撑基体(直径为200cm，厚度为760μm)。利用氮气氛下的烘箱，将该层叠体于180℃加热1小时，使粘接剂组合物层固化而形成粘接层。利用氮气氛下的烘箱，将该包含玻璃支撑基体、粘接层、及半导体基板的层叠体于200℃加热4小时。用肉眼观察加热后的层叠体，按照下述评价基准进行评价。将其结果作为“耐热性”示于表4中。

评价基准

〇：无空隙、裂纹

×：有空隙、裂纹

《芯片接合性(die bond)》

利用旋涂法，在Si基板上分别涂布各例的粘接剂组合物，利用氮气氛下的烘箱，于180℃加热1小时，形成了粘接层。针对该粘接层，使用工作台温度设定为60℃、接合器端子温度设定为380℃的台式芯片接合器T-3000-FC3，以1.67N的力对已切成2mm×2mm的Si芯片按压10秒。然后，将Si芯片剥下，对被Si芯片压入的粘接层的深度进行测定。将其结果作为“芯片接合性”示于表4。若为0.5μm以下的压入量，则判断为没有问题。

《清洗性》

利用旋涂法，在Si基板上分别涂布各例的粘接剂组合物，利用氮气氛下的烘箱，于180℃加热1小时，形成了粘接层。将该形成了粘接层的Si基板浸渍在70℃的含碱的清洗液(ST-120(商品名)，东京应化工业株式会社制)中，测定粘接层的溶解速度。按照下述评价基准来评价溶解速度，将其结果作为“清洗性”示于表4。

评价基准

〇：溶解速度为50nm/sec以上

×：溶解速度小于50nm/sec

[表4]

根据表4所示的结果确认到：就使用实施例1～6的粘接剂组合物形成的粘接层而言，与使用比较例1～2的粘接剂组合物形成的粘接层相比，弹性模量、耐热性、及清洗性等更优异。

<粘接剂组合物的制备>

(实施例7～17)

将表5所示的成分混合，分别制备了各例的粘接剂组合物。

[表5]

表5中，(B)-1～(B)-10分别具有以下的含义。(P1)-5、(A)-1、(Ad)-1、及(S)-1与上述同样。[]内的数值为配合量(质量份)。

(B)-1：环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(OFS-6040(商品名)，Dow Toray株式会社)。

(B)-2：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KBM-503(商品名)，信越化学工业株式会社)。

(B)-3：乙烯基三甲氧基硅烷(KBM-1003(商品名)，信越化学工业株式会社)。

(B)-4：单末端反应性硅油(X-22-2475(商品名)，信越化学工业株式会社)。

(B)-5：8-环氧丙氧基辛基三甲氧基硅烷(KBM-4803(商品名)，信越化学工业株式会社)。

(B)-6：N-2-(氨基乙基)-8-氨基辛基三甲氧基硅烷(KBM-6803(商品名)，信越化学工业株式会社)。

(B)-7：聚合物型多官能环氧硅烷偶联剂(水解性基团：乙氧基，官能团：环氧基，官能团当量(相对于Si(OR)₃)：3；X-12-981S(商品名)，信越化学工业株式会社)。

(B)-8：聚合物型多官能异氰酸酯硅烷偶联剂(水解性基团：甲氧基，官能团：异氰酸酯基，官能团当量(相对于Si(OR)₃)：2；X-12-1159L(商品名)，信越化学工业株式会社)。

<评价>

《相对于Si基板的剥离强度》

利用旋涂法，在Si基板上分别涂布实施例5、7～17的粘接剂组合物，于100℃加热10分钟，形成了粘接剂组合物层(膜厚为50μm)。接着，利用氮气氛下的烘箱，于180℃加热1小时，使粘接剂组合物层固化而形成了试验样品。接着，针对该试验样品，以1cm间隔刻上切痕，对于所形成的1cm宽的区域，利用粘合·被膜剥离分析装置VPA-H200(协和海面化学株式会社制)从Si基板剥离。对此时剥离所需要的力进行测定。将其结果作为“剥离强度(Si基板)”示于表6。

《相对于模制基板的剥离强度》

利用旋涂法，在包含环氧树脂和二氧化硅填料的模制基板上，分别涂布实施例5、7～17的粘接剂组合物，除此以外，利用与《相对于Si基板的剥离强度》同样的方法测定剥离强度。将其结果作为“剥离强度(模制基板)”示于表6。

[表6]

根据表6所示的结果确认到：就使用实施例7～13、15、17的粘接剂组合物形成的粘接层而言，与使用实施例5的粘接剂组合物形成的粘接层相比，与Si基板的密合性提高。另外，确认到：就使用实施例7～10、14、16的粘接剂组合物形成的粘接层而言，与使用实施例5的粘接剂组合物形成的粘接层相比，与模制基板的密合性提高。

《耐热性试验》

利用旋涂法，在包含环氧树脂和二氧化硅填料的模制基板上，分别涂布实施例5、7～10、14、16、17的粘接剂组合物，于100℃加热10分钟，形成了粘接剂组合物层(膜厚为50μm)。接着，在粘接剂组合物层上，层叠具有分离层的玻璃支撑体。在50℃的温度条件下，以140kgf加压150秒，进一步于100℃加热5分钟，将基板与玻璃支撑体粘接。利用氮气氛下的烘箱，于180℃加热1小时，使粘接剂组合物层固化而形成粘接层。接着，利用氮气氛下的烘箱，于230℃加热1小时或2小时。用肉眼观察加热后的层叠体，按照下述评价基准进行评价。将其结果作为“耐热性”示于表7。需要说明的是，关于实施例5，由于在230℃、1小时的条件下观察到了空隙，因此未实施进一步的测定。

评价基准

A：无空隙、裂纹

B：观察到少许空隙、裂纹

C：观察到大量空隙、裂纹

[表7]

根据表7所示的结果确认到：就使用实施例7～10、14、16、17的粘接剂组合物形成的粘接层而言，与使用了实施例5的粘接剂组合物形成的粘接层相比，耐热性提高。

Claims (11)

1.粘接剂组合物，其用于形成将半导体基板或电子器件与支撑体临时粘接的粘接层，

所述粘接剂组合物含有：包含聚合性碳-碳双键的聚氨酯树脂；和聚合引发剂。

2.如权利要求1所述的粘接剂组合物，其中，所述聚氨酯树脂为多元醇与多异氰酸酯的反应产物，

所述多元醇及所述多异氰酸酯中的至少一者包含所述聚合性碳-碳双键。

3.如权利要求1或2所述的粘接剂组合物，其特征在于，作为所述电子器件的、由金属或半导体构成的构件与将所述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体介由所述粘接层而层叠于所述支撑体。

4.如权利要求1或2所述的粘接剂组合物，其还含有硅烷偶联剂。

5.层叠体，其为依次层叠有支撑体、粘接层、以及半导体基板或电子器件的层叠体，

所述粘接层为权利要求1～4中任一项所述的粘接剂组合物的固化体。

6.如权利要求5所述的层叠体，其中，所述支撑体由能使光透过的支撑基体以及能通过光的照射而改性的分离层构成，所述粘接层与所述分离层相邻。

7.层叠体的制造方法，其是依次层叠有支撑体、粘接层及半导体基板的层叠体的制造方法，所述制造方法具有下述工序：

在所述支撑体或半导体基板上涂布权利要求1～4中任一项所述的粘接剂组合物而形成粘接剂组合物层的工序；

介由所述粘接剂组合物层，将所述半导体基板载置于所述支撑体上的工序；以及，

通过所述聚氨酯树脂的聚合反应使所述粘接剂组合物层固化而形成所述粘接层的工序。

8.层叠体的制造方法，所述层叠体依次层叠有支撑体、粘接层及电子器件，所述制造方法中，在利用权利要求7所述的层叠体的制造方法得到层叠体之后还具有形成电子器件的工序，所述电子器件为由金属或半导体构成的构件与将所述构件密封或绝缘的树脂形成的复合体。

9.如权利要求8所述的层叠体的制造方法，其中，所述支撑体由能使光透过的支撑基体及能通过光的照射而改性的分离层构成，在所述层叠体中，所述粘接层与所述分离层相邻。

10.电子部件的制造方法，其中，在利用权利要求8所述的层叠体的制造方法得到层叠体之后，具有下述工序：通过用酸或碱将所述聚氨酯树脂的氨基甲酸酯键分解，从而将所述粘接层除去。

11.电子部件的制造方法，其中，在利用权利要求9所述的层叠体的制造方法得到层叠体之后，具有下述工序：

介由所述支撑基体向所述分离层照射光而使所述分离层改性，由此将所述电子器件与所述支撑基体分离的工序；以及

通过用酸或碱将所述聚氨酯树脂的氨基甲酸酯键分解，从而将附着于所述电子器件的所述粘接层除去的工序。

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