CN1145686A - 固体电解电容器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明的固体电解电容器是由以下部分构成的，即包括芯基板片(12)、装在此芯基板片(12)上的金属粉末烧结芯体(21)、通过此芯体的金属粉末和电介质膜，以电绝缘状态在该芯体(21)上形成的固体电解质层(23)、使此固体电解质层的一部分露出地，覆盖上述芯体(21)的被复树脂(25)、在上述固体电解质层(23)的露出部分上形成的导电的阴极侧端子电极膜(27)、为了使上述芯体(21)的金属粉末可导电而形成在上述芯基片(12)上的阳极侧端子电极膜(28)。本发明也提供了具有上述构成的固体电解电容器的制造方法。

Description

固体电解电容器及其制造方法

本发明涉及广泛使用的钽固体电解电容器等固体电解电容器。更具体地说是涉及有适于面安装结构的固体电解电容器。进而，本发明也涉及到这样的固体电解电容器的制造方法。

以往，使用于此种固体电解电容器的电容器元件，最典型的是按以下的方法制造的。

首先，如附图57所示，将钽等金属制的阳极棒3突出地固定形成在多孔质的芯体2上后，烧结钽粉末等的金属粉末。

接着，如图58所示，在将此芯体2浸渍在磷酸水溶液等的合成液A中的状态下，在阳极棒3和合成液A之间加上直流电流，进行阳极氧化。其结果，在芯体2上的金属粒子表面上形成五氧化钽等介电质膜4。

继而，如图59所示反复进行以下的工序，即将上述芯体2浸渍在硝酸锰水溶液B中，使硝酸锰水溶液B浸透芯体2的内部后，取出，进行烧结。其结果，在上述介电质膜4的表面上形成由二氧化锰等金属氧化物构成的固体电解质层5。

最后，在上述的芯体2上的固体电解质层5的表面上进行石墨层加工处理后，形成用银或镍等金属膜等构成的阴极膜。用此方法得到电容器元件1。

以上所述的过去的固体电解电容器，在制造该电容器元件1时，从芯体2突出的阳极棒3是必不可少的，除去阳极棒3也是不可能的。因此，使用这种电容器元件1作为面安装型的固体电解电容时，以往的作法是采用图60或图61的结构。

亦即，在图60的结构中，电容器元件1配置在阴极引线端子6a和阳极引线端子6b之间，在该电容器元件1的芯体2上固定着阴极引线端子6a，在阳极棒3上固定着阳极引线端子6b。而后，电容器元件1及两引线端子6a、6b的内端部包入到由模铸的合成树脂制的包封体7中。在特开昭60-220922号公报中公开了这样结构的固体电解电容器。

另一方面，在图61所示的结构中，是将电容器元件1包封在模铸的合成树脂制的包封体8中，并使得与芯体2上的阳极棒3相对的端面以及阳极棒3的顶端露出。而后，在上述阳极棒3的露出顶端通过锡焊形成阳极端子部9a，在芯体2的露出端面上通过锡焊形成阴极端子部9b。

可是，上述的任何一种固体电解电容，都是含有芯体2及突出的阳极棒3，并且必须把电容器元件1包封在合成树脂制的包封体7、8中。因此，此包封体7、8的大小，与电容器元件1上的芯体2大小相比，只阳极棒3从芯体2突出部分变大，芯体2对于电容全部体积的比例变小，所以体积效率降低。进而，上述芯体2的有效体积，由于在该芯体2中埋设着上述阳极棒3而相应地变小。由于这些原因，以往的固体电解电容器存在着增加单位体积容量困难、重量大等的问题。这种问题，对于组装了2根引线端子6a、6b的图60结构的固体电解电容器更为显著。

而且，对于上述以往的固体电解电容器，由于模铸合成树脂制的包封体7、8时，对芯体2产生大的应力作用，往往产生漏电流(LC)增大或发生绝缘不良的现象。这在制造时就会造成次品率高、成品率降低。

另外，在过去同时制造多个电容器元件1时，是如图62所示，将从多个烧结芯体1突出的各阳极棒3安装在钽等金属棒10上，在此状态下进行以下各工序后，即，浸渍在合成液A中，通过阳极氧化形成介电质膜4(图58)、浸渍在硝酸锰水溶液B中，形成固体电解质层5(图59)、形成石墨层以及形成阴极膜等后，将各电容器元件1从上述金属棒分离下来。因此，使用一根金属棒10可以制造的电容器元件1的个数是有限的，不能大量地提高产品个数，大量生产困难。其结果，上述制造方法的成品率低，同时制造成本却大幅度地提高。

特别是对于图60形式的固体电解电容器，由于使用二个引线端子6a、6b，则需要将二个引线端子6a、6b固定在电容器元件1上的工序及将二个引线端子6a、6b弯曲加工成图示形状的加工工序，所以其制造成本比图61结构的固体电解电容器更要提高。

本发明的目的在于为了解决这些问题而提供面安装型固体电解电容器。

本发明其他的目的在于提供了这些固体电解电容器的制造方法。

按照本发明的第1方面提供的固体电解电容，它具有芯基板片、安装在此芯基板片上的金属粉末烧结芯体、通过此芯体的金属粉末和电介质膜、以电绝缘状态在该芯体上形成的固体电解质层、使此固体电解质层的一部分露出地覆盖上述芯体的被复树脂、在上述固体电解质层的露出部分上形成导电的阴极侧端子电极膜和为了使上述芯体的金属粉末可导电而形成在上述芯基片上的阳极侧端子电极膜。

按照以上结构，只要用被复树脂覆盖电容器元件的侧面即可，而且可以去掉从芯体突出的阳极棒。因此芯体的有效体积不会由于阳极棒而减少，所以芯体体积对于全部体积的比例，与以往的带阳极棒的固体电解电容相比确实可以增大，可以实现体积效率的提高和小型化。特别是与图60所示的具有金属板制的引线端子的固体电解电容器相比更可以实现小型化、轻量化。

在上述芯基板片上设置填充孔，在此填充孔内也可以填充芯体的金属粉末。按此构成，由于可以加大上述芯体的体积，更提高体积效率，所以每单位体积固体电解电容器的容量可以增大。特别是将填充孔作成贯通孔时，填充在此贯通孔的金属粉末部分与芯基板下的阳极侧端子电极膜直接结合，可以进一步增大芯体的体积，同时可以确实地提高芯体的金属粉末和阳极侧端子电极膜的导电性。

使用至少在厚度方向具有导电性的材料构成上述芯基板片，在此芯基板片上电接合着芯体的金属粉末的同时，也可以形成阳极侧端子电极膜。此时上述芯基板片自身成为代替以往的阳极棒，这对于提高体积效率是有效的。另外，在上述芯基板片的上面若形成环绕芯体周围的绝缘层时，可以使阳极侧芯基板片和阴极侧的固体电解质层进行电绝缘，所以可确实地防止其间的电流的短路。

按照本发明的第2方面，提供了固体电解电容器的制造方法，其中包括准备对应多个芯基板片大小的原材基板的工序，在此原材基板上面的上述每一个芯基板片的地方使金属粉末固着形成为多孔质的芯体的工序，加热此芯体的烧结工序，在上述各芯体的金属粉末上形成介电质膜的工序，在此介电质膜的表面形成固体电解质层的工序，在上述各芯体的至少一个侧面上涂敷被复树脂的工序，在上述各芯体的固体电解质层上形成阴极侧端子电极膜的同时，在原材基板的下面中至少各芯基板片的地方形成阳极侧端子电极膜的工序，和在各芯体间将上述原材基板切断成各芯基板片的工序。

按照以上的方法，在一个原材基板上，可以多个同时地进行将金属粉末固定形成为芯体的工序、加热、烧结此芯体的工序。而且，以后的介电质膜的形成、固体电解质层的形成、被复树脂的涂敷、阳极侧端子电极膜的形成及阴极侧端子电极膜的形成也可以在将多个芯体结合在原材基板上的状态下，一次性地进行。而且，最后在各芯体间只将原材料基片切成各芯基板片，能同时制造多个面安装型固体电解电容器。因此，与以往那样的分别制造多个固体电解电容器方法相比，本发明的制造方法适用于大量的生产。

此外，通过在各芯体的至少侧面涂敷树脂，与以往的将电容器元件用合成树脂膜部包封的制造方法比较，可以确实地减少漏电流(LC)的增加、发生绝缘不良的次数。所以，本发明的制造方法可以降低次品的发生率，并适合上述的大量生产，同时还有大幅度地降低成本的效果。

本发明的各种特征及优点，根据以下的附图，从对最佳实施例的说明中将更加清楚。

图1表示本发明第1实施例所使用的原材基板的立体图。

图2表示在上述原材基板上形成绝缘层状态的立体图。

图3表示沿图2的III-III线的放大剖视图。

图4表示在上述原材基板的绝缘层上穿设结合孔状态的立体图。

图5表示沿图4的V-V线的放大剖视图。

图6表示本发明第1实施例中，在上述结合孔内形成钽硅化物薄膜的放大剖视图。

图7表示上述钽硅化物的薄膜上形成结合用金属膜的状态的放大剖视图。

图8表示本发明第1实施例中，在上述原材基板上形成型模层状态的放大剖视图。

图9表示在上述型模层上穿设成形孔状态的立体图。

图10表示沿图9的X-X线的放大剖视图。

图11表示在上述型模层的成形孔内，将钽粉末加固成形芯体状态的放大剖视图。

图12表示本发明第1实施例中，除去上述型模层状态的立体图。

图13表示沿图12的XIII-XIII线的放大剖视图。

图14表示本发明第1实施例中，在上述芯体上形成电介质膜状态的放大剖视图。

图15表示本发明第1实施例中，在上述芯体上形成固体电解质层状态的放大剖视图。

图16表示本发明第1实施例中，在上述原材基板上涂敷被复树脂后状态的放大剖视图。

图17表示本发明第1实施例中，在上述被复树脂上穿设开孔状态的立体图。

图18表示沿图17的XVIII-XVIII线的放大剖视图。

图19表示本发明第1实施例中，形成阴极用端子电极膜及阳极用端子电极膜状态的放大剖视图。

图20表示本发明第1实施例中，制造的固体电解电容的立体图。

图21表示沿图20的XXI-XXI线的放大剖视图。

图22表示沿图20的XXII-XXII线的放大剖视图。

图23表示本发明第1实施例变形例中重要部件的放大剖视图。

图24表示图23的变形例的平面图。

图25表示图23的变形例中，在原材基板上形成用钽的硅化物构成的薄膜和结合用金属膜状态的放大剖视图。

图26表示本发明第2实施例所使用的原材基板的放大剖视图。

图27表示本发明第2实施例中，在绝缘层上穿设结合孔状态的放大剖视图。

图28表示本发明第2实施例中，在原材基板上固定成形芯片状态的放大剖视图。

图29表示本发明第2实施例中，在上述芯体上形成电介质膜状态的放大剖视图。

图30表示本发明第2实施例中，在上述芯体上形成固体电解质层膜状态的放大剖视图。

图31表示本发明第2实施例中，在上述原材基板上涂敷被复树脂后状态的放大剖视图。

图32表示本发明第2实施例中，在上述被复树脂上穿设开孔状态的放大剖视图。

图33表示本发明第2实施例中，形成阴极用端子电极膜及阳极用端子电极膜状态的放大剖视图。

图34表示本发明第2实施例中，制造的固体电解电容器的放大纵剖视图。

图35表示本发明第3实施例所使用的原材基板的放大剖视图。

图36表示本发明第3实施例中，在原材基板上固定成形芯片状态的放大剖视图。

图37表示本发明第3实施例中，在上述芯体上形成电介质膜状态的放大剖视图。

图38表示本发明第3实施例中，在上述芯体上形成固体电解质层状态的放大剖视图。

图39表示本发明第3实施例中，在上述原材基板上涂敷被复树脂后状态的放大剖视图。

图40表示本发明第3实施例中，在上述被复树脂上穿设开孔状态的放大剖视图。

图41表示本发明第3实施例中，形成阴极用端子电极膜及阳极用端子电极膜状态的放大剖视图。

图42表示本发明第3实施例中，制造的固体电解电容器的放大纵剖视图。

图43表示本发明第4实施例所使用的原材基板的放大剖视图。

图44表示本发明第4实施例中，在原材基板上固定成形芯片状态的放大剖视图。

图45表示本发明第4实施例中，制造的固体电解电容器的放大纵剖视图。

图46表示本发明第5实施例中，所使用的原材基板的立体图。

图47表示本发明第5实施例中，在原材基板上固定成形芯片状态的放大剖视图。

图48表示本发明第5实施例中，在上述芯体上形成电介质膜及固体电解质层的状态的放大剖视图。

图49表示本发明第5实施例中，形成被复树脂及阴极用端子电极膜和阳极用端子电极膜状态的放大剖视图。

图50表示本发明第5实施例中，制造的固体电解电容器的放大纵剖视图。

图51表示本发明第6实施例所使用的原材基板的立体图。

图52表示本发明第6实施例中，在原材基板上形成金属膜状态的放大剖视图。

图53表示本发明第6实施例中，在上述基板上形成绝缘层状态的放大剖视图。

图54表示本发明第6实施例中，在原材基板上固定成形芯片的状态的放大剖视图。

图55表示本发明第6实施例中，在芯片上形成电介质膜、固体电解质层、被复树脂、阴极用端子电极膜和阳极用端子电极膜状态的放大剖视图。

图56表示本发明第6实施例中，制造的固体电解电容器的放大纵剖视图。

图57表示使用以往制造固体电解电容器方法的电容器元件的放大纵剖视图。

图58表示进行在图57的电容器元件上形成介电质膜的处理的状态图。

图59表示进行在图57的电容器元件上形成固体电解质层的处理的状态图。

图60表示以往固体电解电容器的纵剖俯视图。

图61表示以往其他的固体电解电容器的纵剖俯视图。

图62表示以往制造固体电解电容器方法中，将电容器元件装在金属棒上的状态的立体图。

以下，根据附图说明本发明的实施例。

图1～图12表示本发明的第1实施例。在此第1实施例中使用硅制的原材基板制造钽固体电解电容器30(图20)。

按照第1实施例，首先如图1所示，准备在厚度方向具有导电性的硅制原材基板11。与宽为W长为L的矩形形状的多个芯基板片对应的大小构成此原材料基板11。如后所述，原材基板11，在最终工序中，当沿纵向的切断线13及横向的切断线14切断时，可以得到多个芯基板片12。

接着，如图2及图3所示，在上述材料基板11上，用热酸处理、PV溅射或等离子CVD等方法形成硅氧化膜或氮化膜等的绝缘膜15。

接着，如图4及图5所示，在上述绝缘膜15中对应于各芯基板片12的部分上，用公知的方法，例如光刻法穿设矩形状结合孔16。此光刻法包括以下步骤，即在上述绝缘膜15上面形成光致抗蚀剂膜步骤、在此光致抗蚀剂膜上盖下具有与上述结合孔16相同形状的透窗的光掩膜的步骤、曝光就这样掩蔽的光致抗蚀剂膜后，进行显像处理，除去上述光致抗蚀剂膜中对应于透窗的部分的步骤，在此状态下，通过将绝缘膜15浸蚀处理，将此绝缘膜15中对应于上述透窗的部分用浸蚀液溶除去后，形成上述结合孔16的步骤。

接着，如图6所示，在上述材料基板11上的上述各结合孔16内的部分中，用溅射法等形成钽硅化物薄膜17。

接着，如图7所示，在此各薄膜17上，用相同的溅射法等形成作为结合层的钽结合用金属层18。

接着，如图8所示，在上述材料基板11的全体上面，形成比较厚的，用合成树脂等作成的型模层19。

接着，如图9及图10所示，在上述型模层19中对应于上述各芯基板片12的部分，用光蚀法等穿设成形孔20。但是代替图8～图10的工序，也可以在材料基板11上粘结上预先穿设了成形孔20的型模层19。

接着，如图11所示，在上述型模层19的各成形孔20内，充填适量预先混合了粘合剂的钽粉末，通过打实加固，形成多孔质芯体21后，进行用加热等方法除去上述粘合剂的脱粘合剂处理。

接着，如图12及图13所示，用剥离或浸蚀等适宜手段除去上述型模层19。另外，上述脱粘合剂处理，也可以在除去此型模层19步骤后进行。

接着，将原材基板11和在其上形成的相关部分一起放到真空式加热炉中(图中未示出)，在真空中加热到钽的烧结温度。其结果，构成各芯体21的钽粉末被烧结的同时，并熔融在由钽构成的上述结合用金属层18上，各芯体21可导电地连接在原材基板11上。在此烧结工序中，作为用钽结合用金属层18的衬底的钽硅化物薄膜17起着以下的作用。即，如果没有钽硅化物薄膜17时，由于烧结时的加热，结合用金属层18中的钽会异常地向硅制原材基板11中扩散，这样就会使得由钽粉末构成的芯体21对于硅制原材基板11的结合强度大幅度地下降。与此相反，由于钽硅化物的薄膜17存在，防止了从结合用金属层18向原材基板11进行钽的扩散，可以确保芯体21对于原材基板11的结合牢固性及稳定性。

接着，将上述原材基板11与其上面形成的有关部分一起浸渍在磷酸水溶液等的合成液中(图中未表示出)，在上述原材基板11和合成液之间加上直流电流，进行阳极氧化。其结果，如图14所示，在上述各芯体21上的钽粒子表面和上述薄膜17及结合用金属层18的露出部分的表面上形成五氧化钽电介质膜22。

接着，反复进行以下的步骤，即将上述原材基板11的各芯体21浸渍在硝酸锰水溶液中(图中未表示出)，将硝酸锰水溶液浸透到芯体21内部的步骤，而后，将各芯体21从硝酸锰水溶液中取出、烧成的步骤。其结果，如图15所示，得到在五氧化钽的电介质膜22的表面上形成了二氧化锰固体电解质层23的电容器元件24。再者，也可以将固体电解质层23作成像特开昭60-37114号公报及特开平1-253226号公报所记载的导电性高电解质分子，再用化学聚合方法、电解氧化聚合方法或气相聚合方法等形成。

接着，在上述的各电容器元件24的表面全体上施以包复用的石墨层(图中未表示出)后，在上述原材基板11上面的全体上被复如图16所示的聚酰胺树脂或环氧树脂等的合成树脂制的被复树脂25，复盖上述各电容器元件24全部表面那样形成。

接着，如图17及图18所示，在上述被复树脂25中相当于各电容器元件24上面的部分，用光刻法等穿设成开孔26。

接着，如图19所示，在上述各电容器元件24的上面，用溅射法等形成由衬底的镍层和上层的锡焊层构成的阴极用端子电极膜27。此阴极用端子膜27，通过上述石墨层与各电容器元件24上的固体电解质层23进行导电。

另一方面，同样是如图19所示，在上述原材基板的下面，用溅射法等形成由衬底的镍层和上层的焊锡层构成的阳极用端子电极膜28。

最后，同样如图19所示，沿着各切断线13、14，用高速旋转的切刀29切断原材基板11及上述被复树脂25，分割成每个芯基板片12。其结果，得到多数个钽固体电解电容器。

图20～图22表示了用以上工艺得到的钽固体电解电容器30的结构。钽固体电解电容器30的宽度尺寸为W、长度尺寸为L、高度尺寸为H。

钽固体电解电容器30包括芯基板片12，在此芯基板片12上形成的钽粉末烧结芯体21，通过介电质层22形成对于此芯体21的钽粒子电绝缘的固体电解质层23。进而，电容器30还包括，除去上述固体电解质层23上面的中央部，复盖上述芯体21的被复树脂25，为了使上述芯体21的固体电解质层23的露出部分可导电地形成的阴极侧端子电极膜27和在上述芯基板片12的下面形成的阳极侧端子电极膜28。芯体21的钽粒子通过钽硅化物的薄膜17、结合用金属层18及芯基板片12与阳极侧端子电极膜28导通。另一方面，钽固体电解电容30的阳极侧和阴极侧之间的电绝缘性，是通过在芯基板片12上面形成的绝缘膜15而确保的。

本发明的上述第1实施例也可以进行如图23～25那样的变形。即如图23及图24所示，在原材基板11的绝缘层15上穿设结合孔16时，在各结合孔16内将绝缘层的一部分，以多个的突起部15’形式残留下来。其结果，如图25那样地，后形成的结合用金属层18成为具有凹凸结构。

按照以上的变形例，电容器元件24的芯体21上的钽粉末对于上述结合用金属层18(结合层)的接触面积可以增加。由此，在上述芯体21烧结的同时，该芯体21对于原材基板11结合时的结合强度及牢固性可大幅度地提高。

图26～图34表示本发明的第2实施例。在此第2实施例中，使用钽制的原材基板，制造钽固体电解电容器30a(图34)。

按照第2实施例，首先如图26那样，准备具有与复数个芯基板片12a对应的大小的钽制原材基板11a，在此原材基板11a上，用热酸处理、PV溅射或等离子CVD等方法形成氧化膜或氮化膜类的绝缘膜15a。

接着，如图27所示，在此绝缘膜15a中与各芯基板片12a对应的部分，用光刻法等穿设结合孔16a。其结果，在各结合孔16a内，露出上述原材基板11a的底表面结合面18a。

接着，如图28所示，在上述各结合孔16a内，与上述第1实施例一样，将钽粉末固着成形为芯体21a，施以脱粘合剂处理后，将原材基板11a放入到真空式加热炉(图中未示出)，在真空中加热到钽的烧结温度。其结果，各芯体21a的钽粉末，在烧结的同时，熔融在上述结合面18a上后，与原材基板11a结合。

接着以上工序，进行与上述第1实施例相同的工序。这些工序包括了在上述各芯体21a上形成五氧化钽电介质膜22a工序(图29)、形成由二氧化锰构成的固体电解质层23a的工序(图30)、形成涂敷用石墨层后(图中未示出)，将各芯体21a作成电容器元件24a后，形成被复树脂25a的工序(图31)，在此被复树脂25a上穿设开孔26a工序(图32)，在各电容器元件24a上面，形成阴极用端子电极膜27a的工序(图33)、在原材基板11a的下面，形成阳极用端子电极膜28a的工序(图33)、以及用高速旋转切刀29a等切断原材基板11a及被复树脂25a的工序(图33)。

通过以上工序，可以同时制造如图34所示的，与上述第1实施例类似结构的多个钽固体电解电容30a。但是在第2实施例中，由于使用钽制的原材基板11a，所以不必象第1实施例那样，在原材基板的上面形成用钽结合的金属层18及其作为衬底的钽硅化物薄膜，可以将原材基板11a自身表面作为结合面(18a)加以利用。

再者，上述第2实施例中，在原材基板11a的结合面18a上，也可以设置上述图23～图25所示的凹凸结构。

图35～图42表示本发明的第3实施例。在此第3实施例中，使用通过添加BN(氮化硼)或SiC(碳化硅)等导电物质，付与导电性的陶瓷制的原材基板来制造钽固体电解电容器30b(图42)。

亦即，按照第3实施例，首先如图35所示，准备具有与复数个芯基板片12b对应的大小的导电性陶瓷制原材基板11b，在此原材基板11b上用溅射法等形成用钽结合用的金属层18b。

接着，如图36所示，在与上述结合用金属层18b中各芯基板片12b对应的部分，将钽粉末加固成形为芯体21b，施以脱粘合剂处理后，将原材基板11b加入到真空式加热炉(图中未表示出)，在真空中加热到钽的烧结温度。其结果，各芯体21b的钽粉末被烧结的同时，熔融在上述结合用金属层18b上后，并与原材基板11b结合。

接着上述工序，进行与上述第1实施例相同的操作工序。这些工序包括了在上述芯体21b上形成五氧化钽电介质膜22b工序(图37)、形成由二氧化锰构成的固体电解质层23b的工序(图38)、进行涂敷石墨层后(图中未表示出)，将各芯体21b作成电容器元件24b后被覆树脂25b工序(图39)、在此被覆25b上穿设开孔26b工序(图40)、在各电容器元件24b的上面，形成阴极用端子电极膜27(b)的工序(图41)、在原材基板11b的下面，形成阳极用端子电极膜28b的工序(同图41)、以及用高速旋转切刀29b等切断原材基板11b及被覆树脂25b的工序。用此方法，如图42所示，可以同时制造多个钽固体电解电容器30b。

按照上述第3实施例，由于使用了导电性陶瓷制的原材基板11b，所以与上述第2实施例中使用钽制的原材基板情况相比，具有节约材料费、降低成本的优点。

再者，在第3实施例中，可以在原材基板11b上形成与上述第1及第2实施例相同的绝缘层15或15a，也可以在原材基板11b的结合用金属层18b上设置图23～25所示的凹凸形状。

图43～45，表示了本发明的第4实施例。在第4实施例中，使用了硅、钽或导电性陶瓷等至少由在厚度方向具有导电性的材料构成的原材基板11c，制造大容量钽固体电解电容器30c。

亦即，如图43所示，在上述原材基板11c上形成绝缘膜15c后，在此绝缘膜15c中对应于各基板片12c的部分穿设结合孔16c，进而，在上述原材基板11c上的各芯基板片12c的地方穿设填充用贯通孔32。

接着，如图44所示，在上述原材基板11c下面，为了堵住上述各填充用贯通孔32，贴上胶带膜33后，在上述原材基板11c上面，使钽粉末加固形成芯体21c，该钽粉末也填充到上述各贯通孔32内。在芯体21c加固成形后，除去上述胶带膜33。

接着上述工序，进行与上述各实施例相同的操作工序。这些工序包括了各芯体21c的烧结工序、在各芯体21c上形成电介质膜22c的工序、形成固体电解质层23c的工序、形成涂敷用石墨层后作成电容器元件24c的工序、形成被覆树脂25c的工序、形成阴极用端子电极膜27c的工序、形成阳极用端子电极膜28c的工序、以及沿着切断线13c、14c切断，将原材基板11c分割成各芯基板片12c的工序。用此方法可以同时制造图45所示结构的复数钽固体电解电容30c。

按照上述第4实施例；由于各芯体21c上的钽粉末也可以填充到芯基板片12c上的填充用贯通孔内，所以相应地增大了芯体21c的体积，可以实现钽固体电解电容30c的大容量化。另外，突入填充用贯通孔32的芯体21c的部分，具有提高芯体21c对于芯基板片12c结合强度的附加效果。

在第4实施例中，也可以将填充用贯通孔32置换成有底孔(或凹部)。但是，通过作成贯通孔32，可以将在芯基板片12c下面形成的阳极用端子电极膜28c，不通过芯基板片12c，直接且确实地与上述芯体21c上的钽粉末电结合。因此就没有必要形成象上述第1及第2实施例这样的结合用金属层，或设置象图23～图25那样结合用金属层的凹凸。

图46～50，表示了本发明的第5实施例。在第5实施例中，使用了陶瓷等绝缘材料制的原材基板，可以制造大容量固体电解电容器30d(图50)。

按照第5实施例，首先准备如图46所示的，有与复数的芯基板片12d对应的大小的绝缘陶瓷制的原材基板11d，在此原材基板11d的各芯基板片12d的地方分别穿设填充用贯通孔32a。

接着，如图47所示，在上述原材基板11d下面，为了堵住上述各填充用贯通孔32a，贴上胶带膜33a后，在上述原材基板11d上面，将钽粉末加固形成芯体21d，该钽粉末也填充到上述各填充用贯通孔32a内。在芯体21d加固成形后，除去上述胶带膜33a。

接着上述工序，进行与上述各实施例相同的操作工序。这些工序包括了各芯体21d的烧结工序、在各芯体21d上形成电介质膜22d的工序(图48)、形成固体电解质层23d的工序(同图48)、形成涂敷用石墨层后作成电容器元件24d的工序(同图48)、形成被覆树脂25d的工序(图49)、形成阴极用端子电极膜27d的工序(同图49)、形成阳极用端子电极膜28d的工序(同图49)、以及沿着切断线13d、14d切断，将原材基板11d分割成各个芯基板片12d的工序。用此方法可以同时制造图50所示的结构的复数钽固体电解电容器30d。

以上的第5实施例中，由于各芯体21d的钽粉末也可以填充到芯基板片12d上的填充用贯通孔32a内，所以，可将钽固体电解电容30d作成大容量，此点是与第4实施例相同，此外，在第5实施例中，由于芯基板片12d是由陶瓷等绝缘体制成，所以在芯基板片12d上不用另外设置绝缘层，也可确保电容器元件24d的阴极侧和阳极侧的电绝缘。因此，比起将芯基板片12d作成导电体时，具有成本降低、轻量化的优点。

图51～图56，表示了本发明的第6实施例。在第6实施例中，与上述第5实施例相同，使用了陶瓷等绝缘材料制的原材基板，可以制造固体电解电容器30e(图56)。

亦即，按照第6实施例，首先如图51所示，准备具有与复数个芯基板片12e对应的大小的陶瓷制原材基板11e，在该原材基板11e的各芯基板片12e间的地方，分别穿设导通用贯通孔34。

接着，如图52所示，在上述原材基板11e的上面、下面及导通用贯通孔34的内面，形成钽等的金属层35。

接着，如图53所示，在上述原材基板11e的上面形成绝缘膜15e和在此绝缘膜15e上穿设结合孔16e。

接着，如图54所示，在上述原材基板11e的上面将钽粉末加固成形为芯体21e。

接着上述工序，进行与上述各实施例相同的操作工序。这些工序包括了各芯体21e的烧结工序、在各芯体21e上形成电介质膜22e的工序(图55)、形成固体电解质层23e的工序(同图55)、形成涂敷用石墨层后作成电容器元件24e的工序(同图55)、形成被覆树脂25e的工序(同图55)、形成阴极用端子电极膜27e的工序(同图55)、形成阳极用端子电极膜28e的工序(同图55)、以及沿着切断线13e、14e切断，将原材基板11e分割成各个芯基板片12e的工序。用此方法，可以同时制造图56所示结构的复数个钽固体电解电容器30e。

按照以上第6实施例，是用廉价的绝缘体作成芯基板片12e，使其下面的阳极用端子电极膜28e和芯体21e的钽粒子，通过在芯基板片12e上形成的金属膜35可以确实地导电地接合。

Claims (18)

1.固体电解电容器，它具有芯基板片、装在此芯基板片上的金属粉末烧结芯体、通过此芯体的金属粉末和电介质膜，以电绝缘状态在该芯体上形成的固体电解质层、使此固体电解质层的一部分露出地，覆盖上述芯体的被复树脂、在上述固体电解质层的露出部分上形成导电的阴极侧端子电极膜和为了使上述芯体的金属粉末可导电而形成在上述芯基板片上的阳极侧端子电极膜。

2.按权利要求1的固体电解电容器，其中在芯基板片的下面形成上述阳极侧端子电极膜，在芯体的上面形成上述阴极侧端子电极膜，上述被复树脂覆盖上述芯体的全侧面。

3.按权利要求1的固体电解电容器，其中上述芯基板片具有从其上面延伸的填充孔，上述芯体的金属粉末填充到上述填充孔内。

4.按权利要求1的固体电解电容器，其中上述芯基板片是至少在厚度方向具有导电性的材料，在此芯基板片上电结合着芯体金属粉末。

5.按权利要求1的固体电解电容器，其中上述芯基板片是由电绝缘材料形成的，上述芯基板片还具有可使上述芯体的金属粉末和阳极侧端子电极膜电气导通的金属层。

6.按权利要求3的固体电解电容器，其中上述芯基板片的填充孔是贯通孔的形式，上述芯基板片上的阳极侧端子电极膜结合在上述贯通孔内的金属粉末部分上。

7.按权利要求4的固体电解电容器，其中在上述芯基板片上面，形成包围上述芯体周围的用于电气绝缘该芯基板片和固体电解质层的绝缘层。

8.按权利要求4的固体电解电容器，其中上述芯基板片是硅制的。

9.按权利要求4的固体电解电容器，其中上述芯基板片是由与上述芯体上的金属粉末相同的材料构成的。

10.按权利要求4的固体电解电容器，其中上述芯基板片是由含有导电物质的导电性陶瓷制的。

11.固体电解电容的制造方法，其中包括准备具有对应多个芯基板片大小的原材基板工序、在此原材基板上面的每一个芯基板片的地方将金属粉末固着形成多孔质芯体的工序、加热此芯体的烧结工序、在上述各芯体的金属粉末上形成电介质膜的工序、在此介电质膜的表面形成固体电解质层的工序、在上述各芯体的至少一个侧面涂敷被复树脂的工序、在上述各芯体的固体电解质层上形成阴极侧端子电极膜的同时，在原材基板的下面中的至少各芯基板片的地方形成阳极侧端子电极膜的工序和在各芯体间将上述原材基板切断成各芯基板片的工序。

12.按权利要求11的固体电解电容器的制造方法，其中在上述原材基板上，每个芯基板片的地方，具有填充用的贯通孔，在形成上述芯片的工序中，将金属粉末填充到上述贯通孔内。

13.按权利要求11的固体电解电容器的制造方法，其中上述原材基板是由至少在厚度方向具有导电性材料构成的，在加固形成上述芯体工序之前，进而还包括形成绝缘层以使该绝缘层环绕在上述原材基板上的应加固形成的上述芯体部分的周围的工序。

14.按权利要求11的固体电解电容器的制造方法，其中在加固形成上述芯体工序之前，包括在上述原材基板的上面中至少在各个芯基板片的地方，用与上述芯体的金属粉末相同金属形成结合用金属层的工序。

15.按权利要求14的固体电解电容器的制造方法，其中上述原材基板是硅材料制的，在形成上述结合用金属层的工序之前，还包括在上述原材基板的上面中至少在每个芯基板片的地方，形成与上述结合用金属层相同的金属的硅化物的膜的工序。

16.按权利要求14的固体电解电容器的制造方法，其中形成上述结合用金属层工序中，此结合用金属层形成凹凸的形状。

17.按权利要求11的固体电解电容器的制造方法，其中上述基板是用与芯体的金属粉末相同的金属材料构成的，将上述原材基板本体的上面作为与上述各芯体的结合表面使用。

18.按权利要求11的固体电解电容器的制造方法，其中上述基板是用绝缘材料制的，而且各芯基板片间部分地具有导通用贯通孔，在加固形成上述芯体工序之前，进而包括在上述原材基板上面、下面及导通用贯通孔的内面形成导电膜的工序。

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