CN114552200A - 一种曲面多层立体互联结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种曲面多层立体互联结构，所述曲面多层立体互联结构至少包括：基体，基体配置为实现本曲面多层立体互联结构的电信号传递和力学承载；第一吸波层，第一吸波层覆盖于所述基体之上，并由具有电磁波吸收功能的材料制得；第一介质层，第一介质层为透波泡沫材料，第一介质层为辐射图形层的依附基层，并基于预设电性能需求完成材料选择；第一预浸料层，第一预浸料层设置于第一介质层之上；第一辐射图形层，所述第一辐射图形层制备于第一预浸料层之上，其中的图形不限于采用预制掩膜法、激光加工法或者机械加工法制得。本发明结构具有宽带、轻量化、低损耗、一致性高、电性能稳定、高强度和高可靠性特征，适合批量化制造。

Description

一种曲面多层立体互联结构

技术领域

本发明属于立体电路制造领域，尤其涉及一种具有低损耗和高一致性特征的曲面多层立体互联结构。

背景技术

曲面多层立体互联结构由于其外形为曲面的需求，一般其核心的辐射部位都是一层或多层薄层金属面，曲面状又可分为可展开曲面和不可展开曲面。又由于使用需求，这种曲面辐射体有很高的力学性能要求。在这种力学性能要求的情况下，这层薄层的金属面的结构强度本身不可能满足，因此必须要支撑结构。支撑结构必须要非金属材料，需要有良好的电气性能，如良好的介电常数和损耗角正切，且还需要有良好的力学性能和环境适应性能。

随着电路性能需求的提升，一方面，辐射体金属图形的精度和线宽线距等要求越来越高；另一方面，从无源向有源发展，这就提出了在辐射体上增加阻容器件的需求；更进一步，从单层辐射体向多层辐射体发展，且对层间互联提出了迫切的需求。

随着物理性能需求的提升，就对辐射体本身的物理性能提出了严苛的要求，包括相对密度、尺寸精度特征、介质电性能特征（介电常数、损耗角正切）、可靠性要求（结构刚强度、耐温性能、三防性能等）以及相对密度。

在尺寸精度上，要求越来越高。如金属图形单元为尺寸5mm×5mm的异形曲面结构，尺寸精度要求±0.02mm以内，一个辐射体上有数百个图形单元。

在介质电性能特征上，为了降低损耗，提升性能，对辐射体介质的电性能要求是介电常数稳定、损耗角正切越低越好。

在可靠性要求方面，对曲面辐射体的结构力学性能要求很高，应用环境条件也很严苛，如一般温度条件都有-55~100℃的要求，甚至有些平台的温度条件达到-55~200℃，除了温度条件，搭载平台还对共形天线阵的三防性能（霉菌、盐雾、潮湿）有很高的要求。

针对上述曲面多层立体互联辐射体需求，常用的柔性印制板弯曲或者金属薄片弯曲制造的方法的应用受到越来越多的限制，而在高性能非金属材料上直接制备金属辐射面的方法越来越受到重视。

申请号为202010490076.2的专利申请介绍了一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法及产品，先利用3D打印的方式制备电路的支撑结构基体，再通过激光熔覆和湿法镀覆的方式制备金属图案层，接着通过3D打印或喷涂的方式制备介质层，然后通过激光或机械钻孔方式制备层间垂直互联孔，进而通过激光熔覆和湿法镀覆的方式使孔金属化，反复执行上述步骤，最终获得多层互联立体电路。但是，该方法存在的问题是，一方面，3D打印以及喷涂制备的多层异质材料本身力学性能较差，且材料间相容性差，结合强度差且不可控；另一方面，该方法通过3D打印或喷涂方式制备的介质层厚度无法精确控制，且所能制备的材料介电常数不稳定，损耗角正切大，且打印表面粗糙度高，必须要砂光，但进行了砂光后就无法保证曲面的尺寸公差，因此不能满足天线设计需要的低损耗和一致性要求。

申请号为201910094608.8的专利申请介绍了一种曲面共形微带天线阵面的制备方法，先在金属结构件上用直写的方式制备聚酰亚胺介质层，然后采用激光烧蚀的方式加工垂直互联孔，进而通过在孔内填充导电银浆并烧结固化的方式使孔金属化，最后再通过直写并激光烧结导电银浆的方式制作表面阵元图形。该方法一方面没有解决多层辐射图形和层间互联问题，另外，采用聚酰亚胺前驱体直写并固化的方式需要直写一层，固化10小时左右，再直写一层，固化10小时左右，直到达到厚度要求，这在工程上是不能接受的，而且该方法制备的介质层尺寸精度和力学性能均不稳定；另一方面，通过在孔内填充导电银浆的方案，在盲孔情况下很容易出现填充不均匀，从而影响传输性能；而且，采用直写导电银浆的方式制备的阵元图形，图形精度差，同时导电银浆容易氧化，导电性能降低，因此也不能满足高性能高可靠的天线需求。

综上所述，基于现有技术的曲面多层立体互联辐射体均存在介质材料介电常数过高、损耗过大，无法满足电性能需求，以及通过3D打印的方式制造异质材料辐射体，制造一致性差、结构强度差且不可控的问题，因此，迫切需要开发一种具有低损耗和高一致性特征的曲面多层立体互联结构来解决技术瓶颈。

发明内容

本发明的目的在于，针对现有技术中存在的材料体系导致电性能损耗高、制备技术导致制造一致性差，最终导致电性能不能满足设计需求，结构强度差且不可控，环境适应性和可靠性差等问题，本发明公开了一种曲面多层立体互联结构，该结构具有宽带、轻量化、低损耗、一致性高、电性能稳定、高强度和高可靠性特征，适合批量化制造。

本发明目的通过下述技术方案来实现：

一种曲面多层立体互联结构，所述曲面多层立体互联结构至少包括：

基体，所述基体配置为实现本曲面多层立体互联结构的电信号传递和力学承载；

第一吸波层，所述第一吸波层覆盖于所述基体之上，并由具有电磁波吸收功能的材料制得；

第一介质层，第一介质层为透波泡沫材料，所述第一介质层为辐射图形层的依附基层，并基于预设电性能需求完成材料选择；

第一预浸料层，所述第一预浸料层设置于第一介质层之上；

第一辐射图形层，所述第一辐射图形层制备于第一预浸料层之上，其中的图形不限于采用预制掩膜法、激光加工法或者机械加工法制得。

根据一个优选的实施方式，所述第一介质层与第一吸波层之间设有第一胶膜层。

根据一个优选的实施方式，所述第一辐射图形层设置于所述第一预浸料层的顶侧或底侧。

根据一个优选的实施方式，所述曲面多层立体互联结构还包括若干循环设置于第一辐射图形层外侧的：第二介质层、第二预浸料层和第二辐射图形层，直至第N介质层、第N预浸料层和第N辐射图形层，且，所述第N辐射图形层设置于所述第N预浸料层的顶侧或底侧。

根据一个优选的实施方式，所述各预浸料层由石英布氰酸酯预浸料、环氧玻璃纤维预浸料、玄武岩纤维+聚酰亚胺预浸料制得。

根据一个优选的实施方式，所述第二介质层与所述第一辐射图形层之间设有第二胶膜层，所述第N介质层与所述第N-1辐射图形层之间设有第N胶膜层，且，所述第一胶膜层、第二胶膜层，直至第N胶膜层不由氰酸酯胶膜、改性氰酸酯胶膜、环氧胶膜制得。

根据一个优选的实施方式，各辐射图形层之间通过层间金属互联孔选择导通。

根据一个优选的实施方式，各辐射图形层上还选择设置有电子元器件。

根据一个优选的实施方式，各辐射图形层的金属采用干法加工方式制备，不限于采用磁控溅射或者等离子沉积法制备。

根据一个优选的实施方式，各辐射图形层不限于采用金属Ni、Cu、Ti、Au中的一种或多种组合制得；且各辐射图形层厚度1μm~100μm。

前述本发明主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本发明可采用并要求保护的方案。本领域技术人员在了解本发明方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本发明所要保护的技术方案，在此不做穷举。

本发明的有益效果：

通过精确控制不同层的材料及其电性能、控制不同层的厚度和形状，从而精确满足电气设计的宽带、低损耗、一致性要求；通过预浸料作为中间层，通过阴模成型，既可以保证增加的结合强度，又可以保证外形曲面的尺寸公差以及表面粗糙度；通过胶膜作为粘接层，可以提供高可靠的粘接强度，以及高一致性的电性能；通过磁控溅射制备图形，可以精确制备辐射层，同时避免湿法电镀带来的对材料本身的影响；通过打印/焊接阻容器件可实现更大的带宽和其它电气指标；通过预浸料固化后通过激光/机械钻孔，再进行磁控溅射孔金属化实现层间互联，可以实现与辐射层同时制备高可靠（高深径比）的层间互联孔；通过预置层间金属导体的方式，可以实现磁控溅射无法金属化的弯孔、特长孔等层间互联通道的导通；通过在相应的辐射图形上制备电子元器件，并进行避让，可以拓宽辐射体的设计边际，从无源向有源发展。最终可实现宽带、轻量化、低损耗、性能可控、一致性好，且可靠性高的曲面多层立体互联辐射体。

附图说明

图1是本发明结构示意图；

图2是本发明实施例1的曲面多层立体互联结构示意图；

图3是本发明实施例1的阴模结构示意图；

图4是本发明实施例2的曲面多层立体互联结构示意图；

其中，1-基体，2-第一吸波层，3-第一胶膜层，4-第一介质层，5-第一预浸料层，6-第二胶膜层，7-第一辐射图形层，8-电子元器件，9-第二介质层，10-第二预浸料层，11-层间金属互联孔，12-第二辐射图形层，21-第一基体，211-第一连接器，212-第一对外安装孔，22-第三介质层，23-第三预浸料层，231-阴模，24-第三胶膜层，25-第三辐射图形层，26-第一电子元器件，27-第四介质层，28-第四预浸料层，29-第四胶膜层，30-第四辐射图形层，31-第一层间金属化互联孔，41-第二基体，411-第五辐射图形层，412-第二连接器，413-第二对外安装孔，42-第二吸波层，43-第五胶膜层，44-第五介质层，45-第六胶膜层，46-第六辐射图形层，47-第二电子元器件，48-第二层间金属化互联孔，481-金属导线，49-第六介质层，50-第五预浸料层，51-第七胶膜层，52-第七辐射图形层。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。

需要说明的是，为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

参考图1所示，本发明公开了一种曲面多层立体互联结构，所述曲面多层立体互联结构至少包括：基体1、第一吸波层2、第一介质层4、第一预浸料层5、第一辐射图形层7。

基体1配置为实现本曲面多层立体互联结构的电信号传递和力学承载；第一吸波层2，所述第一吸波层2覆盖于所述基体1之上，并由具有电磁波吸收功能的材料制得；第一介质层4，第一介质层4为透波泡沫材料，所述第一介质层4为辐射图形层的依附基层，并基于预设电性能需求完成材料选择；第一预浸料层5，所述第一预浸料层5设置于第一介质层4之上；第一辐射图形层7，所述第一辐射图形层7制备于第一预浸料层5之上，其中的图形不限于采用预制掩膜法、激光加工法或者机械加工法制得。

优选地，所述第一介质层4与第一吸波层2之间设有第一胶膜层3。

优选地，所述第一辐射图形层7设置于所述第一预浸料层5的顶侧或底侧。

优选地，所述曲面多层立体互联结构还包括若干循环设置于第一辐射图形层7外侧的：第二介质层9、第二预浸料层10和第二辐射图形层，直至第N介质层、第N预浸料层和第N辐射图形层，且，所述第N辐射图形层设置于所述第N预浸料层的顶侧或底侧。

优选地，所述各预浸料层由石英布氰酸酯预浸料、环氧玻璃纤维预浸料、玄武岩纤维+聚酰亚胺预浸料制得。

优选地，所述第二介质层9与所述第一辐射图形层7之间设有第二胶膜层6，所述第N介质层与所述第N-1辐射图形层之间设有第N胶膜层，且，所述第一胶膜层3、第二胶膜层6，直至第N胶膜层不由氰酸酯胶膜、改性氰酸酯胶膜、环氧胶膜制得。

优选地，各辐射图形层之间通过层间金属互联孔11选择导通。

优选地，各辐射图形层上还选择设置有电子元器件8。

优选地，各辐射图形层的金属采用干法加工方式制备，不限于采用磁控溅射或者等离子沉积法制备。各辐射图形层不限于采用金属Ni、Cu、Ti、Au中的一种或多种组合制得；且各辐射图形层厚度1μm~100μm。

在本实施方式中：

基体1为金属、非金属、进行了金属化的非金属或者制备了辐射图形的非金属，根据结构和电性能需求设计并预制好特定的形状和特定的功能，其主要功能是实现电信号传递、力学承载、对外安装接口，同时也是后续其它层的基础覆形层和承力层。

各吸波层为吸波泡沫、金属粉吸波材料等具有电磁波吸收功能的材料，根据电性能（主要是电磁吸收性能）需求进行材质选择和结构设计，通过机械加工或模具成型等方式预制成所需的特定结构体，其主要功能是实现预设的电磁波吸收性能，同时作为后续其它层的赋形层和承力层。

各介质层为透波泡沫，如PMI泡沫，也可以是高性能塑料，如PI、PEI、PEEK等。根据电性能（主要是介电常数和损耗角正切）需求进行材质选择和结构设计，通过机械加工、注塑成型或模具成型等方式预制成所需的特定结构体。其主要功能是实现预设的透波性能，以及保证材质的均匀性和高精度，作为辐射图形所依附的基础层，为高精度辐射图形的制备，以及宽带低损耗辐射性能的实现提供保障，同时也是后续其它层的赋形层和承力层。

各预浸料层与透波泡沫层组合使用，透波泡沫层虽具有良好的电性能，但由于是泡沫，其表面是微观多孔态，无法在其上直接制备高精度的辐射图形，因此必须先在透波泡沫层需要制备辐射图形的表面制备预浸料层，该预浸料层的材料为石英布氰酸酯预浸料、环氧玻璃纤维预浸料、玄武岩纤维+聚酰亚胺预浸料等，厚度为0.05mm~5mm，预浸料材质和厚度由电性能需求和环境适应性需求决定。

进一步，预浸料层需要与透波泡沫层固化为一体，在固化时，需要使用阴模覆盖于预浸料层的表面，通过阴模的内形面尺寸公差和粗糙度来保证预浸料层固化后的表面尺寸公差和表面粗糙度。

各胶膜层为氰酸酯胶膜、改性氰酸酯胶膜、环氧胶膜等，厚度0.05~0.5mm，材质和厚度由电性能需求和环境适应性需求决定，覆盖于层间的结合面，实现层与层之间的可靠胶接互联，同时也保障了电性能的一致性，不会因为胶接层的厚度不均匀，或者电性能指标不可控而导致影响辐射体电性能的一致性。

进一步，胶膜层需要与其胶接互联的另外两层固化为一体，可以根据设计需要，同时将多层胶膜层、预浸料层和其它层一起固化，在固化时，可以使用模具或者真空袋等共固化实现手段完成。

各辐射图形层为金属Ni、Cu、Ti、Au等材质中的一种或多种组合，总厚度1μm~100μm，其材质、厚度、形状等根据电性能需求进行选择和设计，其主要功能是实现预设的电磁波接收和发射性能，因此需要具备材质、厚度和形状的一致性和高精度，才能实现辐射体的宽带低损耗辐射性能。

进一步，为了实现上述功能，各辐射图形层的金属采用磁控溅射或者等离子沉积等干法加工方式制备，图形则可以采用预制掩膜法、激光加工法或者机械加工等方法，这样做的目的是保证辐射体不会因为化学镀或者电镀等湿法加工方式造成辐射体本身的污染，影响电性能和可靠性。

进一步，辐射图形层可以先制备到预浸料层上，这种情况下，需要先将预浸料层单独置于阴模中固化，然后在完成固化的预浸料层上通过干法或者湿法的方式制备辐射图形层金属和图形。这层金属图形可以根据设计需要，制备到预浸料层的外表面或者内表面。制备到外表面的优点是可以继续在其上制备电子元件，并且也更利于实现层间互联。而制备到内表面的优点是，辐射金属图纸直接贴着介质层，而避免了预浸料层的阻挡，可以实现更低的介电损耗，可以实现近零损耗的效果。

各层间金属化互联孔通过激光或者机械钻孔等方式，根据设计需求，制备在需要互联的辐射图形层之间。金属化方式包括：1）在需要电气互联的（相对）底层辐射图形以及其上的中间层（包括胶膜层、介质层、预浸料层等）制备完成，并在所需的位置制备好层间通孔后，通过磁控溅射或者等离子沉积等干法加工方式将孔壁进行金属化，并与（相对）底层辐射图形导通，在此同时，制备需要电气互联的（相对）顶层辐射图形，这样就实现了两层辐射图形之间的层间垂直电气互联；2）也可以在需要电气互联的（相对）底层辐射图形制备完成后，通过焊接或者机械压接等方式先与层间互联金属导体连接，再装配胶接胶膜层、介质层、预浸料层等中间层，然后再制备需要电气互联的（相对）顶层辐射图形，最后通过焊接或者机械压接等方式实现层间垂直电气互联。

电子元器件8为电阻、电容等，根据电性能需求，置于相应的辐射图形上，其制备方式有多种，包括通过焊接的方式将封装元器件制备到相应位置，也可以通过3D打印的方式，将电子浆料打印在相应位置，固化后实现相应的功能。

进一步，如果是中间辐射图形层上制备了电子元器件，则其上的胶膜层、介质层需要对其进行避让，以避免胶接固化时的应力、压力以及使用过程中的环境应力对其造成损害。

本发明通过精确控制不同层的材料及其电性能、控制不同层的厚度和形状，从而精确满足电气设计的宽带、低损耗、一致性要求；通过预浸料作为中间层，通过阴模成型，既可以保证增加的结合强度，又可以保证外形曲面的尺寸公差以及表面粗糙度；通过胶膜作为粘接层，可以提供高可靠的粘接强度，以及高一致性的电性能；通过磁控溅射制备图形，可以精确制备辐射层，同时避免湿法电镀带来的对材料本身的影响；通过打印/焊接阻容器件可实现更大的带宽和其它电气指标；通过预浸料固化后通过激光/机械钻孔，再进行磁控溅射孔金属化实现层间互联，可以实现与辐射层同时制备高可靠（高深径比）的层间互联孔；通过预置层间金属导体的方式，可以实现磁控溅射无法金属化的弯孔、特长孔等层间互联通道的导通；通过在相应的辐射图形上制备电子元器件，并进行避让，可以拓宽辐射体的设计边际，从无源向有源发展。最终可实现宽带、轻量化、低损耗、性能可控、一致性好，且可靠性高的曲面多层立体互联辐射体。

实施例1

如图2所示，一种覆盖了低频到高频的低损耗高一致性曲面多层立体互联辐射体结构,包括：第一基体21，材料为铝合金，其上置有第一连接器211和第一对外安装孔212；第三介质层22，材料为PMI泡沫，密度110Kg/m³；第三预浸料层23，材料为石英布氰酸脂预浸料，厚度为1mm；第三胶膜层24，材料为改性氰酸脂树脂，厚度0.2mm；第三辐射图形层25，材料为Ni、Cu复合镀层，镀层总厚度10μm；电子元器件为碳浆电阻，阻值500Ω；第四介质层27，材料为PMI泡沫，密度71Kg/m³；第四预浸料层28，材料为石英布氰酸脂预浸料；第四胶膜层29，材料为改性氰酸脂树脂；第四辐射图形层30，材料为Ni、Cu、Au复合镀层，镀层总厚度10μm；第一层间金属化互联孔31，孔径2mm，金属化层材料为Ni、Cu、Au复合镀层，镀层总厚度5~10μm。

上述实施例中，第一基体21、第三介质层22、第三预浸料层23和第三胶膜层24一起固化胶接，胶接时，第三预浸料层23外表面使用阴模231作为成形模具，如图3所示，阴模的内表面粗糙度Ra0.8，曲面形状公差±0.05。

上述实施例中，第三辐射图形层25采用磁控溅射的方法制备镀层，为干法制备，制备过程不接触任何溶液，不会对产品产生污染；镀层制备完成后，采用激光加工的方式将没有设计图形的部位多余的镀层去除掉，形成所需要的辐射图形，图形精度±0.02。

上述实施例中，第一电子元器件26采用直写打印的方式制备于第三辐射图形层25上相应的位置。

上述实施例中，第四介质层27、第四预浸料层28和第四胶膜层29与前述已经共固化为一体的组合体再一起进行共固化胶接，胶接时，第四预浸料层28外表面使用阴模作为成形模具，阴模的内表面粗糙度Ra0.8，曲面形状公差±0.05。

上述实施例中，第一层间金属化互联孔31的底孔采用机械加工的方式制备，使用五轴数控机床，控制孔的尺寸、深度和精度。

上述实施例中，第四辐射图形层30和第一层间金属化互联孔31的金属化层一起采用磁控溅射的方法制备镀层，为干法制备，制备过程不接触任何溶液，不会对产品产生污染；镀层制备完成后，采用激光加工的方式将没有设计图形的部位多余的镀层去除掉，形成所需要的辐射图形，图形精度±0.02。

实施例2

如图4所示，一种覆盖低频段的低损耗高一致性曲面多层立体互联辐射体结构,包括：第二基体41，材料为聚酰亚胺PI，其凸表面上已经制备好了第五辐射图形层411，同时其上还置有第二连接器412和第二对外安装孔413；第二吸波层42，材料为金属粉吸波材料，第五胶膜层43，材料为氰酸脂改性环氧树脂；第五介质层44，材料为纯聚醚醚酮PEEK，密度1300Kg/m³；第六胶膜层45，材料为氰酸脂改性环氧树脂；第六辐射图形层46，材料为Ni、Cu复合镀层，镀层总厚度10μm；第二电子元器件47为碳浆电阻，阻值1000Ω；第二层间金属化互联孔48，孔径3mm，内置带绝缘外皮的金属导线481；第六介质层49，材料为PMI泡沫，密度110Kg/m³；第五预浸料层50，材料为环氧玻璃纤维预浸料，厚度为3mm；第七胶膜层51，材料为氰酸脂改性环氧树脂，厚度0.2mm；第七辐射图形层52，材料为Ni、Cu复合镀层，镀层总厚度10μm。

上述实施例中，先将带绝缘外皮的金属导线481焊接到第二基体41的第五辐射图形层411上的设计位置，再将导线穿过第五胶膜层43、第二吸波层42、第五介质层44以及第六胶膜层45上预先加工好的第二层间金属化互联孔48。注意，此时第五介质层44上已经通过磁控溅射的方式制备了表面镀层，再通过五轴精雕加工的方式制备了所需的第六辐射图形层46，图形精度±0.05。然后，将上述各层一起共固化胶接，此时第五介质层44和第六辐射图形层46的外表面不需要使用阴模，使用柔性均压板即可，表面粗糙度和曲面形状公差通过第五介质层44的成形来保证。进一步，第五介质层44的成形采用五轴数铣精密加工成形，表面粗糙度Ra1.6，曲面形状公差±0.1。

上述实施例中，第二电子元器件47采用直写打印的方式制备于第六辐射图形层46上相应的位置。

上述实施例中，第六介质层49、第五预浸料层50和第七胶膜层51与前述已经共固化为一体的组合体再一起进行共固化胶接，胶接时，第五预浸料层50外表面使用阴模作为成形模具，阴模的内表面粗糙度Ra1.6，曲面形状公差±0.1。

上述实施例中，各辐射图形层采用磁控溅射的方法制备镀层，为干法制备，制备过程不接触任何溶液，不会对产品产生污染；镀层制备完成后，采用激光加工的方式将没有设计图形的部位多余的镀层去除掉，形成所需要的辐射图形，图形精度±0.05。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种曲面多层立体互联结构，其特征在于，所述曲面多层立体互联结构至少包括：

基体（1），所述基体（1）配置为实现本曲面多层立体互联结构的电信号传递和力学承载；

第一吸波层（2），所述第一吸波层（2）覆盖于所述基体（1）之上，并由具有电磁波吸收功能的材料制得；

第一介质层（4），第一介质层（4）为透波泡沫材料，所述第一介质层（4）为第一辐射图形层（7）的依附基层，并基于预设电性能需求完成材料选择；

第一预浸料层（5），所述第一预浸料层（5）设置于第一介质层（4）之上；

第一辐射图形层（7），所述第一辐射图形层（7）制备于第一预浸料层（5）之上，其中的图形不限于采用预制掩膜法、激光加工法或者机械加工法制得。

2.如权利要求1所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，所述第一介质层（4）与第一吸波层（2）之间设有第一胶膜层（3）。

3.如权利要求2所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，所述第一辐射图形层（7）设置于所述第一预浸料层（5）的顶侧或底侧。

4.如权利要求3所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，所述曲面多层立体互联结构还包括若干循环设置于第一辐射图形层（7）外侧的：第二介质层（9）、第二预浸料层（10）和第二辐射图形层（12），直至第N介质层、第N预浸料层和第N辐射图形层，

且，所述第N辐射图形层设置于所述第N预浸料层的顶侧或底侧。

5.如权利要求4所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，各预浸料层由石英布氰酸酯预浸料、环氧玻璃纤维预浸料、玄武岩纤维+聚酰亚胺预浸料制得。

6.如权利要求4所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，所述第二介质层（9）与所述第一辐射图形层（7）之间设有第二胶膜层（6），所述第N介质层与第N-1辐射图形层之间设有第N胶膜层，

且，所述第一胶膜层（3）、第二胶膜层（6），直至第N胶膜层由氰酸酯胶膜、改性氰酸酯胶膜、环氧胶膜制得。

7.如权利要求4所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，各辐射图形层之间通过层间金属互联孔选择导通。

8.如权利要求4所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，各辐射图形层上还选择设置有电子元器件（8）。

9.如权利要求4所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，各辐射图形层的金属采用干法加工方式制备，不限于采用磁控溅射或者等离子沉积法制备。

10.如权利要求4所述的曲面多层立体互联结构，其特征在于，各辐射图形层不限于采用金属Ni、Cu、Ti、Au中的一种或多种组合制得；且各辐射图形层厚度1μm~100μm。

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