CN114552198A - 一种轻质高性能电路的精密制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种轻质高性能电路的精密制备方法,包括:步骤S1:制作电路的基材层和预浸料层;步骤S101:将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;步骤S102:在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料;步骤S103:基于基材层预设外型面制作阴模;步骤S104:将敷制好预浸料的PMI基材置于阴模中,在高温高压下固化,其中温度和压力基于预浸料种类设置;步骤S105:将固化后的PMI基材层连同预浸料层进行脱模处理;步骤S2:制作传输电路层;步骤S3:制作电阻层。通过本发明方法能够在基材层上实现随形曲面结构的精密成型和表层薄层电路、以及简单器件的精密制备。
Description
技术领域
本发明属于电路制造领域,具体涉及一种拥有低介电常数的轻质电路的精密制备方法。
背景技术
随着辐射电路朝着高电磁性能、轻量化等要求的发展,对高功能密度的轻质随形辐射电路的需求越来越显著。近年来,这类设计趋势越来越明显,原因是此类电路结构与传统模式相比具有众多显著的优势:首先,随形辐射电路可提升产品的电性能;其次,具有低剖面特性,不会影响其安装结构的空气动力学性能;再次,可以最大程度利用安装空间,解决了安装平台与辐射电路外形的冲突;最后,可以减小辐射电路的厚度,简化各结构之间的互联结构,大大提高产品的功能密度和集成度。
目前辐射电路的制备主要集中在基于PEEK、PI等介电性能相对优异的塑料作为支撑和透波结构基体,在这类基体表面采用增材、有时也结合减材的方式制作所需要的电路。但是无论是PEEK还是PI这类工程塑料,均不是辐射电路的最佳载体,因为他们的相对介电常数较和损耗角正切均较大,介电常数在3.2—3.5之间,损耗角正切为3×10-3,会导致产品增益降低,方向图发生畸变。此外,PEEK的密度为1.35×103kg/m3,在多阵元、大尺寸、高轻量化要求的辐射电路中,PEEK、PI等塑料依然会存在重量瓶颈的问题。
发明内容
本发明的目的在于,为克服现有技术缺陷,提供了一种轻质高性能辐射电路的精密制备方法,通过本发明方法能够制作任意轻质辐射电路基材层,并在基材层上实现随形曲面结构的精密成型和表层薄层电路、以及简单器件的精密制备。可以有效降低电路的介电常数、介质损耗和比重,并可实现功能密度和集成度的显著提升,在电气性能、结构重量、以及制备工艺的便捷性上均有明显优势。
本发明目的通过下述技术方案来实现:
一种轻质高性能电路的精密制备方法,所述电路的结构由底部到顶部依次由基材层、预浸料层、传输电路层和电阻层构成;所述电路的精密制备方法包括:步骤S1:制作电路的基材层和预浸料层;步骤S101:将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;步骤S102:在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料;步骤S103:基于基材层预设外型面制作阴模,所述阴模表面加工精度为±0.05mm;步骤S104:将敷制好预浸料的PMI基材置于阴模中,在高温高压下固化成型。其中成型温度和压力基于预浸料种类设置。步骤S105:将固化后的PMI基材层连同预浸料层进行脱模处理;步骤S2:制作传输电路层;步骤S201:对曲面基材上的预浸料层用无水乙醇进行清洗;步骤S202:在预浸料层上采用干法增材技术制作电路图形;步骤S3:制作电阻层;步骤S301:对电路表面的传输电路层用无水乙醇进行清洗;步骤S302:在电路传输层表面采用干法增材技术制作电阻。
采用环氧树脂预浸料或者氰酸脂预浸料,保证了此胶膜层至少可以耐温120℃以上。从而实现了后续的电路传输层制造工序和电阻制造工序相兼容。
根据一个优选的实施方式,步骤S101中,对基材层的外形曲面加工过程中采用不沾油的干加工。
根据一个优选的实施方式,步骤S102中,若PMI泡沫表面为可展开曲面,则先裁切出展开后的形状的预浸料,若PMI泡沫表面为不可展开曲面,则将曲面进行分割,并裁切出对应的若干块预浸料进行拼接,然后完成预浸料的敷制。
根据一个优选的实施方式,步骤S103中,所述阴模的模具材料采用热模具钢,不限于为:铬锰钢、铬镍钢、铬钨钢的热模具钢,并采用数控铣削方法成型。
根据一个优选的实施方式,步骤S202和步骤S302中,干法增材技术包括:3D打印和磁控溅射。
通过采用干法增材技术,避免了湿法增材中溶液进入PMI的多孔结构导致材料尺寸和特性的不可控变化。且在电路制作过程中禁止引入减材技术,避免金属图形层与介质基材层之间产生过大的阶差,为后续电阻的制作带来较大误差。
另一方面,本发明还公开了:
一种轻质高性能电路的精密制备方法,所述电路的结构由基材层、预浸料层、传输电路层和电阻层构成;所述电路的精密制备方法包括:
步骤S1:制作电路的基材层;
将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;
步骤S2:制作预浸料层;步骤S201:基于基材层预设外型面制作阴模,所述阴模表面加工精度为±0.05mm;步骤S202:将环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料置于阴模中,固化成型。其中成型温度和压力基于预浸料种类设置。步骤S203:将固化后的预浸料层进行脱模处理;
步骤S3:制作传输电路层;步骤S301:对预浸料层用无水乙醇进行清洗;步骤S302:在预浸料层上采用干法或者湿法的方式制备传输电路层;步骤S303:将制作完传输电路层的预浸料层与基材层相贴合;
步骤S4:制作电阻层。
根据一个优选的实施方式,步骤S302中,所述传输电路层制备到预浸料层的外表面或者内表面。
根据一个优选的实施方式,当所述传输电路层制备到预浸料层的内表面,则所述传输电路层的辐射金属图形直接贴着基材层;所述电阻层设置于所述预浸料层的外表面。
根据一个优选的实施方式,当所述传输电路层制备到预浸料层的外表面,则所述预浸料层直接贴着基材层;所述电阻层设置于传输电路层的外表面。
前述本发明主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案,均为本发明可采用并要求保护的方案。本领域技术人员在了解本发明方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合,均为本发明所要保护的技术方案,在此不做穷举。
本发明的有益效果:
轻质、交联的硬质泡沫塑料——PMI泡沫,特别适合作为辐射电路的基体材料。首先,由于是多孔结构,它具有优异的电性能,它的相对介电常数接近1,损耗角正切为(1—2.1)×10-3,非常适合电磁波的传导;其次,它的密度很小,比PEEK和PI的密度至少轻1个数量级,具有优异的力学性能,比强度、比模量均高于其它结构泡沫塑料;再次,它具有较高的耐热变形温度,最高耐热变形温度可以达到220摄氏度,是目前耐热性能最好的结构泡沫塑料。
然而,PMI泡沫在应用到辐射电路中,出现了较明显的难题,首先,PMI泡沫为多孔疏松结构,在其表面直接成型电路会将表面凹凸不平的结构进行放大,影响表面电路的尺寸精度和粗糙度;其次,PMI泡沫如果采用湿法金属化的工艺,不可避免会在材料的多孔结构中发生残留,并无法彻底去除,这类杂质的引入会直接导致PMI材料的介电常数和损耗发生改变,并导致材料电性能的不均匀化。以上因素都会严重影响电路的增益、方向图等电性能指标。
而,本发明工卡的的精密制备技术和方法,可以实现以PMI泡沫为基材的曲面电路的制作。通过数控加工得到任意曲面的PMI泡沫基体,在任意曲面的PMI泡沫表层敷制厚度可控的预浸料并采用阴模固化成型,可以将精度不高、粗糙的PMI基材表面改善为粗糙度小、尺寸精度高的基材型面;再采用3D打印或者磁控溅射等干法增材技术在基材型面上制作电路和电阻,可以得到厚度均匀的薄层金属图形,以及尺寸和阻值精度可控的薄层电阻层。
通过以上工艺方法得到的电路具有优异的介电常数和介质损耗,电气传输性能卓越;整个电路重量轻、比强度大,结构性能优异;且由于各曲面结构功能层之间互联紧凑,因此功能密度高;以上特点可以完美满足现在及其未来辐射电路提出的高电磁性能、轻量化和任意部属的要求,具有显著的先进性和广阔的应用前景。
附图说明
图1是本发明轻质高性能电路实施例1的结构示意图;
图2是本发明轻质高性能电路实施例2的结构示意图;
其中,1-第一基材层,2-第一预浸料层,3-第一传输电路层,4-第一电阻层, 5-第二基材层,6-第二预浸料层,7-第二传输电路层,8-第二电阻层。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是,在不冲突的情况下,以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是,为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
实施例1:
参考图1所示,图中示出了一种不可展开曲面电路。具有以下典型特征和要求:(1)表面形状为不可展开曲面;(2)曲面为薄壳状结构;(3)要求电路的相对介电常数≤1.2,损耗角正切≤3.5×10-3;(3)电路重量要求≤0.2kg;(4)电路在后续封装过程中需要经历>100℃的工艺温度;(5)各功能层之间集成度高,互联可靠。
本实施例公开了针对该轻质高性能电路的精密制备方法,具体包括:
步骤一:第一基材层1的加工步骤;PMI泡沫烘干,采用数铣加工工艺铣削为预先设计的形状,为了防止变形,分为粗精加工,且在整个加工过程中采用干加工,勿沾油。
步骤二:在PMI泡沫表面敷制改性氰酸脂胶膜预浸料,分别裁剪出与基材层预先设计的平面和曲面相吻合的形状,由于此结构的曲面部分可以展开,故先将曲面部分展开为平面形状,再进行裁切。将裁切好的第一预浸料层2贴于第一基材层1表面。
步骤三:制作金属阴模,模具材料采用CrWMn,数铣加工内型面与基材层设计的外型面吻合,模具内型面尺寸精度控制在±0.05,粗糙度Ra1.6。
步骤四:在金属阴膜内壁涂抹脱膜剂,将步骤二中敷制好第一预浸料层2的PMI基材置于金属阴模中,装入真空袋抽真空并在高温高压下固化,固化工艺温度为(130±5)℃,固化压力为0.098MPa。
步骤五:固化完成后,取下真空袋并进行脱模,此时预浸料与PMI泡沫基材层已经固化在一起,且表面形状尺寸精度与金属模具内部一致,为±0.05,粗糙度测试值为Ra1.6。
步骤六:用无水乙醇清理干净的基体表面,采用3D打印光刻胶的方法制作曲面电路图形的掩膜,再用磁控溅射的方式在图形的部位溅射Cu,厚度8um,在铜层上再溅射Au,厚度0.5um,溅射完成后去除掩膜,得到电路图形。
步骤七:用无水乙醇清理干净第一传输电路层3的表面,采用3D打印的方法在要求位置打印第一电阻层4。
轻质、交联的硬质泡沫塑料——PMI泡沫,特别适合作为辐射电路的基体材料。首先,由于是多孔结构,它具有优异的电性能,它的相对介电常数接近1,损耗角正切为(1—2.1)×10-3,非常适合电磁波的传导;其次,它的密度很小,比PEEK和PI的密度至少轻1个数量级,具有优异的力学性能,比强度、比模量均高于其它结构泡沫塑料;再次,它具有较高的耐热变形温度,最高耐热变形温度可以达到220摄氏度,是目前耐热性能最好的结构泡沫塑料。
然而,PMI泡沫在应用到辐射电路中,出现了较明显的难题,首先,PMI泡沫为多孔疏松结构,在其表面直接成型电路会将表面凹凸不平的结构进行放大,影响表面电路的尺寸精度和粗糙度;其次,PMI泡沫如果采用湿法金属化的工艺,不可避免会在材料的多孔结构中发生残留,并无法彻底去除,这类杂质的引入会直接导致PMI材料的介电常数和损耗发生改变,并导致材料电性能的不均匀化。以上因素都会严重影响电路的增益、方向图等电性能指标。
而,本发明方法通过数控加工得到任意曲面的PMI泡沫基体,在任意曲面的PMI泡沫表层敷制厚度可控的预浸料并采用阴模固化成型,可以将精度不高、粗糙的PMI基材表面改善为粗糙度小、尺寸精度高的基材型面;再采用3D打印或者磁控溅射等干法增材技术在基材型面上制作电路和电阻,可以得到厚度均匀的薄层金属图形,以及尺寸和阻值精度可控的薄层电阻层。
实施例2:
参考图2所示,图中示出了典型的可展开曲面电路。具有以下典型特征:(1)电路表面为可展开曲面;(2)尺寸较大,长度和宽度方向尺寸均>500mm; (3)要求电路相对介电常数≤1.2,损耗角正切≤3×10-3;(4)电路重量要求≤0.7kg;(5)电路最终会完全被密封;(6)电路在后续封装过程中需要经历近200℃共固化温度;(7)电路表面在使用过程中需要承受剪切载荷。
本实施例公开了针对该轻质高性能电路的精密制备方法,具体包括:
步骤一:第二基材层5(PMI泡沫基材)加工;将PMI泡沫采用数铣加工的方式加工为设计的形貌,由于此结构不是薄壁结构,不易变形,可直接加工成型,不分粗精加工。
步骤二:在加工好的PMI泡沫基体表面敷制氰酸酯树脂基预浸料,由于此电路表面为可展开曲面,所以在三维建模软件中先将曲面做展开,裁剪出相应尺寸和形状的第二预浸料层6,再将其贴于第二基材层5外表面。
步骤三:按照第二基材层5预设计的外型面制作阴模,由于后续需要经过高温高压,为了防止变形,模具材料采用CrWMn,采用传统的数控铣削方法成型,内型面尺寸精度控制在±0.03mm,粗糙度为Ra1.6。
步骤四:将敷制好第二预浸料层6的PMI泡沫基件置于步骤三的阴模中,并将工件和模具装入真空袋,在高温高压下固化,固化工艺温度为(180±5)℃,固化压力为0.098MPa;
步骤五:将固化后的PMI工件连同第二预浸料层6脱模,此时PMI泡沫基材与表面的第二预浸料层6牢牢粘合在一起,且型面表面光滑,尺寸精度为±0.03mm,粗糙度为Ra1.6。
步骤六:由于电路最终会完全被封装,环境适应性要求不高,因此表面的第二传输电路层7金属可为银层。对树脂层表面用无水乙醇清洗干净,按照预设图形用压电喷射的方法打印纳米银浆电路,厚度为15um。
步骤七:对第二传输电路层7的金属图形表面用无水乙醇清洗干净,用压电喷射的方法打印的碳浆电阻构成第二电阻层8并固化。
实施例3
针对实施例1和实施例2,传输电路层也可以先制备到预浸料层上。
这种情况下,需要先将预浸料层单独置于阴模中固化,然后在完成固化的预浸料层上通过干法或者湿法的方式制备传输电路层的辐射金属图形。
这层辐射金属图形可以根据设计需要,制备到预浸料层的外表面或者内表面。制备到外表面的优点是可以继续在其上制备电子元件。而制备到内表面的优点是,传输电路层的辐射金属图形直接贴着基材层,而避免了预浸料层的阻挡,可以实现更低的介电损耗,可以实现近零损耗的效果。
并且,当所述传输电路层制备到预浸料层的内表面,则所述传输电路层的辐射金属图形直接贴着基材层;所述电阻层则设置于所述预浸料层的外表面。
当所述传输电路层制备到预浸料层的外表面,则所述预浸料层直接贴着基材层;所述电阻层则设置于传输电路层的外表面。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,所述电路的结构由底部到顶部依次由基材层、预浸料层、传输电路层和电阻层构成;
所述电路的精密制备方法包括:
步骤S1:制作电路的基材层和预浸料层;
步骤S101:将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;
步骤S102:在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料;
步骤S103:基于基材层预设外型面制作阴模;
步骤S104:将敷制好预浸料的PMI基材置于阴模中,固化成型;
步骤S105:将固化后的PMI基材层连同预浸料层进行脱模处理;
步骤S2:制作传输电路层;
步骤S201:对曲面基材上的预浸料层用无水乙醇进行清洗;
步骤S202:在预浸料层上采用干法增材技术制作电路图形;
步骤S3:制作电阻层;
步骤S301:对电路表面的传输电路层用无水乙醇进行清洗;
步骤S302:在电路传输层表面采用干法增材技术制作电阻。
2.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,步骤S101中,对基材层的外形曲面加工过程中采用不沾油的干加工。
3.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,步骤S102中,若PMI泡沫表面为可展开曲面,则先裁切出展开后的形状的预浸料,若PMI泡沫表面为不可展开曲面,则将曲面进行分割,并裁切出对应的若干块预浸料进行拼接,然后完成预浸料的敷制。
4.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,步骤S103中,所述阴模的模具材料包括:铬锰钢、铬镍钢和铬钨钢,并采用数控铣削方法成型。
5.如权利要求1所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,步骤S202和步骤S302中,干法增材技术包括:3D打印和磁控溅射。
6.一种轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,所述电路的结构由基材层、预浸料层、传输电路层和电阻层构成;
所述电路的精密制备方法包括:
步骤S1:制作电路的基材层;
将PMI泡沫原材料烘干,并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工;
步骤S2:制作预浸料层;
步骤S201:基于基材层预设外型面制作阴模;
步骤S202:将环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料置于阴模中,固化成型;
步骤S203:将固化后的预浸料层进行脱模处理;
步骤S3:制作传输电路层;
步骤S301:对预浸料层用无水乙醇进行清洗;
步骤S302:在预浸料层上采用干法或者湿法的方式制备传输电路层;
步骤S303:将制作完传输电路层的预浸料层与基材层相贴合;
步骤S4:制作电阻层。
7.根据权利要求6所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,步骤S302中,所述传输电路层制备到预浸料层的外表面或者内表面。
8.根据权利要求7所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,当所述传输电路层制备到预浸料层的内表面,则所述传输电路层的辐射金属图形直接贴着基材层;所述电阻层设置于所述预浸料层的外表面。
9.根据权利要求7所述的轻质高性能电路的精密制备方法,其特征在于,当所述传输电路层制备到预浸料层的外表面,则所述预浸料层直接贴着基材层;所述电阻层设置于传输电路层的外表面。
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