CN114525584A - 一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法 - Google Patents
一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114525584A CN114525584A CN202111640464.5A CN202111640464A CN114525584A CN 114525584 A CN114525584 A CN 114525584A CN 202111640464 A CN202111640464 A CN 202111640464A CN 114525584 A CN114525584 A CN 114525584A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- laser
- bayf
- crystal growth
- temperature
- growth method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 7
- -1 rare earth fluoride Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 6
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 4
- 229910004650 HoF3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910009520 YbF3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- FDIFPFNHNADKFC-UHFFFAOYSA-K trifluoroholmium Chemical compound F[Ho](F)F FDIFPFNHNADKFC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 24
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/12—Halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/161—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth holmium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1645—Solid materials characterised by a crystal matrix halide
- H01S3/1646—BaY2F8
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明属于激光材料领域,公开了一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,首先将YF3和BaF2按照摩尔量称量,并与掺杂的稀土氟化物混合均匀,接着,将混合料进行高温烘料,将生长料装满坩埚,让其自发结晶,从而得到籽晶;最后,基于得到的籽晶进行种晶工作。本发明在激光通讯、信号传输、医疗和军事领域中可发挥重要作用;Yb3+离子因其可将980nm激光源吸收并传递给Ho3+离子而作为敏化离子,且可显著增强Ho3+离子对应2.0μm激光输出,最终采用坩埚下降法生长出了Yb,Ho:BaYF5激光晶体并进行相关性能表征。
Description
技术领域
本发明属于激光材料制备技术领域,涉及一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法。
背景技术
激光因具有高能量、高单色性等优点广泛应用于国防、医疗和工业等领域。固体激光器主要由促进光子震荡的谐振腔、激光工作介质和提供激发光的泵浦源所组成,其中激光器中的工作介质主要作用是吸收泵浦源能量,然后发生辐射跃迁,转化对应的波长输出光。可作为工作介质主要有陶瓷、玻璃和晶体等,随着不同的材料,应用的波段不同,因此工作介质材料的研发成为研究的热点,需要设计出性能优异且质量佳的激光晶体。
在0.8~1000μm的红外波段中,1~3μm与3~5μm是重要的大气窗口波段,对于分子识别和成像具有重要意义,在激光通讯、信号传输、医疗和军事领域中可发挥重要作用。
选择发光效率较高、声子噪声低和在红外波段输出的激光晶体是本发明主要考虑的三个方面,目前采用的基质材料主要有氟化物(LaF3)、氧化物和磷酸盐等,但都不能同时满足以上三个方面要求,因此设计并生长出用于红外波段且优异的激光晶体迫在眉睫。
发明内容
(一)发明目的
本发明的目的是:克服现有技术的缺陷,提供一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题,本发明提供一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法。
本方案中,将BaYF5作为基质,因为其具有发光效率高、声子噪声很低和透过波段宽的上转换基质材料,Ho3+离子作为激活离子,因为其可在红外波段获得多个波长的输出,Yb3+离子作为敏化离子,因为其可将980nm泵浦光传递给Ho3+离子。
Ho:BaYF5激光晶体生长方法的过程为:
首先将YF3和BaF2按照设定摩尔量称量,并与掺杂的稀土氟化物混合均匀,接着,将混合料进行高温烘料,将生长料装满坩埚,让其自发结晶,从而得到籽晶。然后,得到的籽晶进行种晶工作,将BaYF5籽晶部分重熔以暴露新的生长界面,开始晶体生长,晶体生长条件为:先升温至1000~1100℃,保温3h,随后将坩埚升至合适位置,以0.3mm/h的降温速率诱发籽晶处引晶,待生长界面变大后,将下拉速度调整为0.2mm/h,等径生长后,以1~4℃的速率降温至600℃,最后,生长出来的晶体进行退火,将其放入真空电阻炉升温至600℃以上,恒温36h,随后降温取出。
采用以上设计方案和坩埚下降法进行生长,成功获得了Yb,Ho:BaYF5激光晶体,该材料可用于红外波段固体激光器的工作介质。
(三)有益效果
上述技术方案所提供的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
(1)BaYF5作为基质材料,对泵浦能量吸收截面大、机械性能优异、热性能稳定和可长时间在高温条件下工作,稀土离子Ho3+具有丰富的能级,通过辐射跃迁可获得红外波段的激光输出,Yb3+离子在红外波段(980nm)表现出良好的吸收特性,并且能够将能量转移给Ho3 +离子。
(2)本发明的Yb,Ho:BaYF5激光晶体是有序结构晶体,可以进行较高浓度稀土离子掺杂,并可以提供稳定的晶体场环境。
(3)本发明的Yb,Ho:BaYF5激光晶体采用坩埚下降法进行生长,可以有效避免提拉法生长的缺陷、光学均匀性优异且晶体开裂少。
附图说明
图1表示980nm激光泵浦下Yb,Ho:BaYF5激光晶体的上转换发光基质;
图2表示Yb,Ho:BaYF5激光晶体的波前强度图;
图3表示Yb,Ho:BaYF5激光晶体在1064nm处的透过率光谱图;
图4表示Yb,Ho:BaYF5激光晶体实物图。
具体实施方式
为使本发明的目的、内容和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
本发明将BaYF5作为基质,因为其具有发光效率高、声子噪声很低和透过波段宽的上转换基质材料,Ho3+离子作为激活离子,因为其可在红外波段获得多个波长的输出,Yb3+离子作为敏化离子,因为其可将980nm泵浦光传递给Ho3+离子,基于此,本发明设计出一种用于红外激光领域的Yb,Ho:BaYF5激光晶体生长方法。
原料准备:YbF3(99.99%),HoF3(99.99%),YF3(99.99%),BaF2(99.9%),其中YF3和BaF2按照设定的摩尔量称量,并与掺杂的稀土氟化物混合均匀。
具体实施例1-3的原料数据表如下表所示:
表1各实施例原料组分
BaYF5晶体因具有发光效率较高、声子噪声低而作为上转换基质材料;Ho3+离子因其可在红外波段获得多个波长的输出而作为激活离子,其中5I7→5I8跃迁可产生2.1μm波段激光输出,5I6→578跃迁可产生2.9μm激光输出,5I5→5I6跃迁可产生3.9μm激光输出,在激光通讯、信号传输、医疗和军事领域中可发挥重要作用;Yb3+离子因其可将980nm激光源吸收并传递给Ho3+离子而作为敏化离子,且可显著增强Ho3+离子对应2.0μm激光输出,最终采用坩埚下降法生长出了Yb,Ho:BaYF5激光晶体并进行相关性能表征.
实施例1
1)按照以上具体实施方式所述的原料以及摩尔比例进行称量并混合均匀;
2)将混合好的料倒入坩埚中,然后放入真空电阻炉中,进行高温烘料处理,处理过程中真空度不低于1×10-3,温控程序为:用60min从50℃升温至200℃,然后,保温20min;用180min从200℃升温至550℃,然后,保温60min;用60min从500℃升温至600℃,然后,保温60min;用120min从600℃升温至800℃,然后,保温60min,最终程序降温;
3)混合料装满坩埚,采用混合气焊接封口以密封坩埚,将坩埚置于炉管中,以生长晶体的流程自发结晶,从而得到小尺寸的单晶用作籽晶;
4)将得到的籽晶进行种晶工作,将BaYF5籽晶部分重熔以暴露新的生长界面,然后开始晶体生长,晶体生长条件为:先升温至1000~1100℃,保温3h,随后将坩埚升至合适位置,以0.3mm/h的降温速率诱发籽晶处引晶,待生长界面变大后,将下拉速度调整为0.2mm/h,等径生长后,以1~4℃的速率降温至600℃;
5)最后将晶体进行退火处理,将其放入真空电阻炉升温至600℃以上,恒温36h,随后降温取出。
经过切割和抛光最终获得Yb,Ho:BaYF5激光晶体,并用于相关性能测试。
实施例2
1)按照以上具体实施方式所述的原料以及摩尔比例进行称量并混合均匀;
2)将混合好的料倒入坩埚中,然后放入真空电阻炉中,进行高温烘料处理,处理过程中真空度不低于1×10-3,温控程序为:用30min从50℃升温至200℃,然后,保温10min。用90min从200℃升温至550℃,然后,保温30min。用30min从500℃升温至600℃,然后,保温30min。用60min从600℃升温至800℃,然后,保温30min。最终程序降温;
3)混合料装满坩埚,采用混合气焊接封口以密封坩埚,将坩埚置于炉管中,以生长晶体的流程自发结晶,从而得到小尺寸的单晶用作籽晶;
4)将得到的籽晶进行种晶工作,将BaYF5籽晶部分重熔以暴露新的生长界面,然后开始晶体生长,晶体生长条件为:先升温至1050℃,保温4h,随后将坩埚升至合适位置,以0.5mm/h的降温速率诱发籽晶处引晶,待生长界面变大后,将下拉速度调整为0.3mm/h,等径生长后,以1~4℃的速率降温至600℃;
5)最后将晶体进行退火处理,将其放入真空电阻炉升温至600℃以上,恒温72h,随后降温取出。
经过切割和抛光最终获得Yb,Ho:BaYF5激光晶体,并用于相关性能测试。
实施例3
1)按照以上具体实施方式所述的原料以及摩尔比例进行称量并混合均匀;
2)将混合好的料倒入坩埚中,然后放入真空电阻炉中,进行高温烘料处理,处理过程中真空度不低于1×10-3,温控程序为:用80min从50℃升温至200℃,然后,保温25min。用240min从200℃升温至550℃,然后,保温80min,用80min从500℃升温至600℃,然后,保温80min,用150min从600℃升温至800℃,然后,保温80min,最终程序降温;
3)混合料装满坩埚,采用混合气焊接封口以密封坩埚,将坩埚置于炉管中,以生长晶体的流程自发结晶,从而得到小尺寸的单晶用作籽晶;
4)将得到的籽晶进行种晶工作,将BaYF5籽晶部分重熔以暴露新的生长界面,然后开始晶体生长,晶体生长条件为:先升温至1100℃,保温3h,随后将坩埚升至合适位置,以0.2mm/h的降温速率诱发籽晶处引晶,待生长界面变大后,将下拉速度调整为0.1mm/h,等径生长后,以1~4℃的速率降温至600℃;
5)最后将晶体进行退火处理,将其放入真空电阻炉升温至600℃以上,恒温48h,随后降温取出。
经过切割和抛光最终获得Yb,Ho:BaYF5激光晶体,并用于相关性能测试。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,首先将YF3和BaF2按照设定的摩尔量称量,并与掺杂的稀土氟化物混合均匀,接着,将混合料进行高温烘料,然后装满坩埚,让其自发结晶,从而得到籽晶;最后,基于得到的籽晶进行种晶工作。
2.如权利要求1所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,所述掺杂的稀土氟化物包括YbF3和HoF3。
3.如权利要求2所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,所述混合料的组分的摩尔百分比为:xYb,yHo:BaYF5,其中2≤x≤20,1≤y≤2。
4.如权利要求3所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,所述混合料放入真空电阻炉进行高温烘料,真空度要求不低于1×10-3,温度达到800℃。
5.如权利要求4所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,高温烘料后的所述混合料装满坩埚,采用混合气焊接封口以密封坩埚,将坩埚置于炉管中,以生长晶体的流程自发结晶,得到小尺寸的单晶用作籽晶。
6.如权利要求5所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,将BaYF5籽晶部分重熔以暴露新的生长界面,然后开始晶体生长,生长出来的晶体放入真空电阻炉升温至600℃以上,恒温36h,随后降温取出。
7.如权利要求6所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,高温烘料采用多段温度升温,先升至200℃保温20min,然后升至550℃保温2h,最后升至800℃。
8.如权利要求7所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,晶体生长条件为:先升温至1000~1100℃,保温3h,随后移动坩埚,以0.3mm/h的降温速率诱发籽晶处引晶,待生长界面变大后,将下拉速度调整为0.2mm/h,等径生长后,以1~4℃的速率降温至600℃。
9.如权利要求8所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法,其特征在于,所述混合料中,YF3、BaF2、YbF3、HoF3的摩尔百分比为44:50:5:1,或者39:50:10:1,或者38:50:10:2。
10.一种基于权利要求1-9中任一项所述的用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法在激光材料制备技术领域中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111640464.5A CN114525584A (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111640464.5A CN114525584A (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114525584A true CN114525584A (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=81620643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111640464.5A Pending CN114525584A (zh) | 2021-12-29 | 2021-12-29 | 一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114525584A (zh) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103924297A (zh) * | 2014-03-04 | 2014-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 钬镱镨三掺氟化镥锂中红外激光晶体及其制备方法 |
CN105463568A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-06 | 哈尔滨工业大学 | 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法 |
-
2021
- 2021-12-29 CN CN202111640464.5A patent/CN114525584A/zh active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103924297A (zh) * | 2014-03-04 | 2014-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 钬镱镨三掺氟化镥锂中红外激光晶体及其制备方法 |
CN105463568A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-04-06 | 哈尔滨工业大学 | 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法 |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
DAYNE F. SWEARER等: "Single Particle Cathodoluminescence Spectroscopy with Sub-20 nm, Electron-Stable Phosphors", ACS PHOYONICS, vol. 8 * |
NA NIU等: "Controllable synthesis and up-conversion properties of tetragonal BaYF5:Yb/Ln (Ln = Er, Tm, and Ho) nanocrystals", JOURNAL OF COLLOID AND INTERFACE SCIENCE, vol. 362, pages 2 - 3 * |
方义权: "Re3+掺杂氟化物激光晶体的坩埚下降法生长研究", 无机化学 * |
罗辉;亓鲁;朱世富;官周国;张志斌;曾彬;郭春艳;: "Ho∶BaY_2F_8晶体生长及其光谱研究", 人工晶体学报, no. 06 * |
董国飞: "Tm,Ho:BaY2F8晶体生长及性能研究", 材料物理与化学 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101265028B (zh) | 一种稀土掺杂LiYF4微晶玻璃及其制备方法 | |
WO2020253337A1 (zh) | 一种可调谐激光晶体掺铬钪酸钆及其制备方法 | |
CN111377609B (zh) | 一种室温下具有中红外3.9 μm发光特性的透明玻璃的制备方法 | |
CN114411260A (zh) | 化合物硒铟钠及其非线性光学晶体及其制备方法和用途 | |
CN106521625B (zh) | 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用 | |
CN109516679B (zh) | 一种稀土离子掺杂微晶玻璃的中红外发光材料及其制备方法 | |
CN107841789A (zh) | 一种镝铽共掺的铝酸钇可见波段激光晶体及其制备方法 | |
CN110468452B (zh) | 一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用 | |
CN101880908B (zh) | 一种原生多段式钒酸钇激光晶体的制备方法 | |
CN114525584A (zh) | 一种用于红外激光领域的Ho:BaYF5激光晶体生长方法 | |
CN109023523B (zh) | 一种2.7-3微米波段中红外镱铒镝三掺氟化铅激光晶体及其制备方法 | |
CN109023524B (zh) | 一种铒钬镨三掺杂氟化铅中红外激光晶体及其制备方法 | |
CN114108072A (zh) | 稀土离子掺杂的GdScO3激光晶体制备及其应用 | |
CN114134575B (zh) | 含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体及制备方法和应用 | |
CN102086529B (zh) | 一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法 | |
CN105887200A (zh) | 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用 | |
CN101717998A (zh) | 掺钕的硅酸钇镥激光晶体及其制备方法 | |
CN105821478A (zh) | 一种铥钬共掺镓酸钡镧激光晶体、制造方法及其应用 | |
CN113699582A (zh) | 一种掺铥bgso人眼安全激光晶体及其制备方法 | |
CN106012020A (zh) | 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法 | |
CN113502530B (zh) | 一种Yb,Pr共掺氟化铅蓝、绿光及近红外激光晶体及其制备方法与应用 | |
CN101387010A (zh) | 掺钕硅酸钪激光晶体及其制备方法 | |
CN100365172C (zh) | 镱铒共掺的硅酸钆激光晶体及其制备方法 | |
CN110284192A (zh) | 一种掺铒钪酸钆3μm中红外波段激光晶体及其制备方法 | |
CN107604438A (zh) | 硼酸锌晶体在拉曼晶体中的用途 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |