CN106012020A - 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法 - Google Patents

铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106012020A
CN106012020A CN201610345768.1A CN201610345768A CN106012020A CN 106012020 A CN106012020 A CN 106012020A CN 201610345768 A CN201610345768 A CN 201610345768A CN 106012020 A CN106012020 A CN 106012020A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
codoped
doped
preparation
conversion laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610345768.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106012020B (zh
Inventor
刘广锦
尹浩
李�真
陈振强
朱思祁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jinan University
Original Assignee
Jinan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jinan University filed Critical Jinan University
Priority to CN201610345768.1A priority Critical patent/CN106012020B/zh
Publication of CN106012020A publication Critical patent/CN106012020A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106012020B publication Critical patent/CN106012020B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/32Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7776Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明属于近红外上转换激光材料技术领域,公开了一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及其制备方法。所述材料为铥镱掺杂四钼酸钆钡单晶,其化学式为BaYb2xTm2yGd2(1‑x‑y)(MoO4)4,其中x=0.01~0.1,y=0.01~0.1。本发明还提供了一种上述激光材料的制备方法,通过高温固相合成法和单晶提拉法制备得到。本发明的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料光学性能好,具有较好的强度和化学稳定性,能为激活离子提供合适的晶体场,使其产生合适的发射,对阈值功率和输出水平具有很大影响,本基质材料的声子震荡相对减小,提高了上转换激光的运转效率,可应用于激光学和光谱学等领域中。

Description

铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法
技术领域
本发明属于近红外上转换激光材料技术领域,特别涉及一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及其制备方法。
背景技术
稀土掺杂Tm3+、Yb3+离子的激光晶体的能级结构非常丰富,可以实现多个波长的激光震荡。能级跃迁由能级3F4至能级3H6的跃迁能够产生1.84μm的激光辐射,该波段处于水的吸收峰,能被水强烈吸收,属人眼安全波段。且1.84μm激光具有较好的大气传输性能,适合人眼安全激光测距仪、激光外科手术、激光雷达、大气传感等应用中的激光光源。两个物理上处于相当接近的激发态粒子通过非辐射跃迁耦合,返回较低能级的激发态,使另一个跃迁至上激发态能级,产生交叉驰豫现象,发射1.48μm光。Yb3+离子的掺杂浓度越高,Tm3+离子之间的交叉驰豫效率越高,因此Yb3+离子作为敏化剂可提高上转换效率。Yb3+离子作为敏化剂可以有效地吸收940nm泵浦光并将能量传递给Tm3+,从而提高Tm3+离子对泵浦光的吸收效率,因此可作为全固态激光器激光介质,可实现上转换蓝色激光输出,并可用于海底通信等领域之中,此种激光材料在两个同时位于激发态的Yb3+相互作用将能量同时传递给位于基态能级的Tm3+离子使其跃迁到高能级激发态能级,产生辐射跃迁返回基态产生上转换光。
Tm3+、Yb3+、Ba2+、Gd3+在类白钨矿结构中在Ba2+的位置上随机分布,因此其吸收光谱的吸收带和发射带会出现非均匀增宽的现象,更适合用于激光介质晶体。稀土掺杂此类激光晶体的稀土元素的量子损耗小,仅有微弱的热效应,适合高功率下连续激光输出。镱铥掺杂四钼酸钆钡上转换激发过程包含三步能量传递:(Yb2F5/2,Tm3H6)→(Yb2F7/2,Tm3H5),(Yb2F5/2,Tm3F4)→(Yb2F7/2,Tm3F2),(Yb2F5/2,Tm3H4)→(Yb2F7/2,Tm1G4)。由于基质的高度无序性,使用二极管激光器泵浦时Yb3+离子有较长的荧光寿命,因此其将会获得更高的储能效率,并且对其吸收和发射光谱具有一定程度的展宽
目前对铥镱掺杂四钼酸铋钾晶体、铥镱掺杂二钼酸镧钠晶体、铥镱掺杂二钼酸钆钾已有大量报道,但对铥镱掺杂四钼酸钆钡晶体研究尚少。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点与不足,本发明的首要目的在于提供一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。
本发明另一目的在于提供一种上述铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料的制备方法。
本发明再一目的在于提供上述铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料的应用。
本发明的目的通过下述方案实现:
一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料,所述材料为铥镱掺杂四钼酸钆钡单晶,其化学式为BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4,其中x=0.01~0.1,y=0.01~0.1。
本发明的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料适合用作二极管全固态激光器的泵浦激光介质。
本发明还提供了一种上述铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料的制备方法,包括以下步骤:
按照化学式BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4的摩尔原子比称量BaCO3、Gd2O3、Yb2O3、MoO3、Tm2O3作为原料,通过高温固相合成法,合成得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料,再通过单晶提拉法,得到单晶的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。
所述高温固相合成法具体包括以下步骤:将所述原料混合研磨均匀,压片,高温处理,冷却至室温后,再次研磨,无需压片,二次高温处理,重复上述操作,经过多次高温处理后,得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料。
所述高温处理的加热程序均为:以100~800℃/h的升温速度升至700~850℃,保温3~24h,然后再以50~100℃/h升温至900~1050℃,保温24~48h恒温烧结,烧结后降温至室温,降温时间为15~30h。所述高温处理的加热程序均优选为:以100℃/h的升温速度升至800℃,保温8h,然后再以100℃/h升温至1000℃,保温32h恒温烧结,烧结后降温至50℃,降温时间为15h。
所述高温固相合成法中优选进行两次或两次以上的高温处理。
所述单晶提拉法具体包括以下步骤:对合成得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料一次加热保温,再二次加热熔融,利用丘克拉斯基单晶提拉法,从上述熔融液中提拉单晶,得到单晶的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。
所述一次加热保温指先加热至750~850℃,保温0.5~5h。所述加热速率为350~800℃/h。
进一步地,所述一次加热保温优选指先加热至750℃,保温0.5h。所述加热速率优选为350℃/h。
所述丘克拉斯基单晶提拉法指通过试晶、缩颈、放肩、等径、收尾等过程进行提拉。
本发明上述铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料其制备过程中反应方程式如下:
BaCO3+(1-x-y)Gd2O3+x Yb2O3+y Tm2O3+MoO3
BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4+CO2
本发明的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料具有良好的化学稳定性,其吸收效率高,可应用于激光学和光谱学等领域中。
本发明相对于现有技术,具有如下的优点及有益效果:
本发明的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料光学性能好,具有较好的强度和化学稳定性,能为激活离子提供合适的晶体场,使其产生合适的发射,对阈值功率和输出水平具有很大影响,本基质材料的声子震荡相对减小,提高了上转换激光的运转效率,可应用于激光学和光谱学等领域中。
附图说明
图1为本发明铥镱掺杂比例不同的单晶图,其中,A为10%Yb3+5%Tm3+BGM,B为10%Yb3+2.5%Tm3+BGM,C为10%Yb3+0.5%Tm3+BGM。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
按照符合化学式BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4的摩尔原子比x=0.1,y=0.025分别称取纯度为99.99%的BaCO3、Gd2O3、Yb2O3、MoO3、Tm2O3,合计250g作为原料。将上述原料置入玛瑙研钵中经过反复研磨,均匀混合之后进行压片,压片后原料放入刚玉舟中,置于高温炉膛。以100℃/h的升温速度将炉膛内温度升至800℃,在此温度保温8h,然后再以100℃/h升温至1000℃,保温32h,恒温烧结,烧结后以恒定的速度开始降温,至50℃,降温时间为15h,将反应后原料研磨精细,不经压片,以上述保温程序重新烧结,如此经过3~5次高温固相反应得到四钼酸钆钡多晶粉末。将四钼酸钆钡多晶体置于铂金坩埚,放于单晶提拉炉中,对单晶提拉炉抽真空后充入氮气保护,以350℃/h升温速度将提拉炉内温度升温至750℃,保温0.5h,人工缓慢升温使坩埚中原料全部融化。通过850℃试晶,847℃缩颈,10℃/h放肩,833℃等径,855℃收尾过程,等径过程中提拉速度为0.5mm/h,得到铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料,将其命名为10%Yb3+2.5%Tm3+BGM。
实施例2
按照符合化学式BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4的摩尔原子比x=0.1,y=0.05分别称取纯度为99.99%的BaCO3、Gd2O3、Yb2O3、MoO3、Tm2O3,合计250g作为原料。将上述原料置入玛瑙研钵中经过反复研磨,均匀混合之后进行压片,压片后原料放入刚玉舟中,置于高温炉膛。以100℃/h的升温速度将炉膛内温度升至800℃,在此温度保温8h,然后再以100℃/h升温至1000℃,保温32h,恒温烧结,烧结后以恒定的速度开始降温,至50℃,降温时间为15h,将反应后原料研磨精细,不经压片,以上述保温程序重新烧结,如此经过3~5次高温固相反应得到四钼酸钆钡多晶粉末。将四钼酸钆钡多晶体置于铂金坩埚,放于单晶提拉炉中,对单晶提拉炉抽真空后充入氮气保护,以350℃/h升温速度将提拉炉内温度升温至750℃,保温0.5h,人工缓慢升温使坩埚中原料全部融化。通过850℃试晶,847℃缩颈,10℃/h放肩,833℃等径,855℃收尾过程,等径过程中提拉速度为0.5mm/h,得到铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料,将其命名为10%Yb3+5%Tm3+BGM。
实施例3
按照符合化学式BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4的摩尔原子比x=0.1,y=0.005分别称取纯度为99.99%的BaCO3、Gd2O3、Yb2O3、MoO3、Tm2O3,合计250g作为原料。将上述原料置入玛瑙研钵中经过反复研磨,均匀混合之后进行压片,压片后原料放入刚玉舟中,置于高温炉膛。以100℃/h的升温速度将炉膛内温度升至800℃,在此温度保温8h,然后再以100℃/h升温至1000℃,保温32h,恒温烧结,烧结后以恒定的速度开始降温,至50℃,降温时间为15h,将反应后原料研磨精细,不经压片,以上述保温程序重新烧结,如此经过3~5次高温固相反应得到四钼酸钆钡多晶粉末。将四钼酸钆钡多晶体置于铂金坩埚,放于单晶提拉炉中,对单晶提拉炉抽真空后充入氮气保护,以350℃/h升温速度将提拉炉内温度升温至750℃,保温0.5h,人工缓慢升温使坩埚中原料全部融化。通过850℃试晶,847℃缩颈,10℃/h放肩,833℃等径,855℃收尾过程,等径过程中提拉速度为0.5mm/h,得到铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料,将其命名为10%Yb3+0.5%Tm3+BGM。
对实施例1~3制备得到的激光材料的单晶进行观察,结果见图1。由图可见,本发明制备得到的三种铥镱掺杂四钼酸钆钡晶体为深色透明状晶体。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料,其特征在于所述材料为铥镱掺杂四钼酸钆钡单晶,其化学式为BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4,其中x=0.01~0.1,y=0.01~0.1。
2.一种根据权利要求1所述的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
按照化学式BaYb2xTm2yGd2(1-x-y)(MoO4)4的摩尔原子比称量BaCO3、Gd2O3、Yb2O3、MoO3、Tm2O3作为原料,通过高温固相合成法,合成得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料,再通过单晶提拉法,得到单晶的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述高温固相合成法具体包括以下步骤:将所述原料混合研磨均匀,压片,高温处理,冷却至室温后,再次研磨,无需压片,二次高温处理,重复上述操作,经过多次高温处理后,得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述高温处理的加热程序均为:以100~800℃/h的升温速度升至700~850℃,保温3~24h,然后再以50~100℃/h升温至900~1050℃,保温24~48h恒温烧结,烧结后降温至室温,降温时间为15~30h。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所述高温处理的加热程序均为:所述高温处理的加热程序均为:以100℃/h的升温速度升至800℃,保温8h,然后再以100℃/h升温至1000℃,保温32h恒温烧结,烧结后降温至50℃,降温时间为15h。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述高温处理的加热程序均为:所述单晶提拉法具体包括以下步骤:对合成得到掺杂铥镱的四钼酸钆钡多晶材料一次加热保温,再二次加热熔融,利用丘克拉斯基单晶提拉法,从上述熔融液中提拉单晶,得到单晶的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:所述一次加热保温指先加热至750~850℃,保温0.5~5h;所述加热速率为350~800℃/h。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于:所述一次加热保温指先加热至750℃,保温0.5h;所述加热速率为350℃/h。
9.根据权利要求1所述的铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料在激光学和光谱学领域中的应用。
CN201610345768.1A 2016-05-20 2016-05-20 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法 Expired - Fee Related CN106012020B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610345768.1A CN106012020B (zh) 2016-05-20 2016-05-20 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610345768.1A CN106012020B (zh) 2016-05-20 2016-05-20 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106012020A true CN106012020A (zh) 2016-10-12
CN106012020B CN106012020B (zh) 2018-03-20

Family

ID=57095635

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610345768.1A Expired - Fee Related CN106012020B (zh) 2016-05-20 2016-05-20 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106012020B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110932082A (zh) * 2019-11-28 2020-03-27 西安戴森电子技术有限公司 一种掺杂有钴铯的激光材料及其制备方法
CN116285984A (zh) * 2023-03-31 2023-06-23 安徽工业大学 一种铒离子激活的钼酸镱钾自激活上转换绿光发光材料及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1347958A (zh) * 2001-11-16 2002-05-08 清华大学 一种纳米级钼酸盐基质上转换荧光材料及其制备方法
CN101054728A (zh) * 2006-04-11 2007-10-17 中国科学院福建物质结构研究所 用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途
CN101928564A (zh) * 2010-07-05 2010-12-29 北京工商大学 碱金属或碱土金属的钼酸盐系双模式发光材料及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1347958A (zh) * 2001-11-16 2002-05-08 清华大学 一种纳米级钼酸盐基质上转换荧光材料及其制备方法
CN101054728A (zh) * 2006-04-11 2007-10-17 中国科学院福建物质结构研究所 用于激光和受激拉曼频移的钼酸盐晶体及其制备方法和用途
CN101928564A (zh) * 2010-07-05 2010-12-29 北京工商大学 碱金属或碱土金属的钼酸盐系双模式发光材料及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110932082A (zh) * 2019-11-28 2020-03-27 西安戴森电子技术有限公司 一种掺杂有钴铯的激光材料及其制备方法
CN116285984A (zh) * 2023-03-31 2023-06-23 安徽工业大学 一种铒离子激活的钼酸镱钾自激活上转换绿光发光材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106012020B (zh) 2018-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Vetrone et al. Concentration-dependent near-infrared to visible upconversion in nanocrystalline and bulk Y2O3: Er3+
Liu et al. Efficient near-infrared quantum cutting in Ce3+–Yb3+ codoped glass for solar photovoltaic
CN101702070B (zh) 一种可见光下转换红外频移材料及其制备方法
Qijing et al. Upconversion luminescence of KGd (MoO4) 2: Er3+, Yb3+ powder prepared by Pechini method
Adhikari et al. Microwave hydrothermal synthesis and infrared to visible upconversion luminescence of Er3+/Yb3+ co-doped bismuth molybdate nanopowder
CN106012020B (zh) 铥镱共掺以四钼酸盐为基质的上转换激光材料及制备方法
CN103275716B (zh) 一种铒镱共掺杂钨酸盐上转换发光材料、制备方法及其应用
CN110468452A (zh) 一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用
CN101148357A (zh) 掺Yb3+的氧化镧钇上转换发光透明激光陶瓷的制备方法
CN109252219A (zh) 一种镱钬镝三掺氟化铅新型中红外激光晶体及其制备方法
CN105970293B (zh) 一种以四钼酸钆钡为基质掺杂稀土元素镱钕的激光材料及其制备方法和应用
Chen et al. Growth and spectroscopy of Er: LuYO3 single crystal
CN103756679A (zh) 一种可被宽谱非相干光激发的上转换材料及其制备方法
CN102517011A (zh) 钕掺杂钛酸铋纳米晶上转换材料及其制备方法
Sun et al. Photoluminescence properties and lasing performance of Dy3+/Tb3+ co-doped antimony phosphate glasses
CN102181287B (zh) 镱铥双掺杂钨酸钙多晶粉蓝光上转换材料及其制备方法
CN101092747A (zh) 掺铥钬硅酸镥钇激光晶体及其制备方法
CN107474843A (zh) 上转换白光荧光材料的制备方法
Ding et al. High-concentration Er 3+ ion singly doped GaTaO 4 single crystal for promising all-solid-state green laser and solid-state lighting applications
CN101067083B (zh) 具光色可调性的上转换荧光粉及其制备方法
CN105887200A (zh) 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用
Zhang et al. Spectroscopic and energy transfer properties of NaTb (WO4) 2 phosphor and crystal sensitized by Dy3+
CN102191049A (zh) 镱铒双掺杂钨酸钙多晶粉绿光上转换材料及其制备方法
CN103113893B (zh) 一种Yb3+激活的硼钨酸盐上转换发光材料及其制备方法
CN110713833A (zh) 一种稀土掺杂上转换发光材料及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180320

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee