CN114503286A - 太阳能电池模块 - Google Patents
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Abstract
太阳能电池模块(100)具备表面保护层(1)、背面保护层(2)、多个太阳能电池元件(31)和填料(4)。表面保护层(1)具有第一面(1f)以及位于该第一面(1f)的相反侧的第二面(1s)，具有透光性。背面保护层(2)处于与第二面(1s)对置的状态。多个太阳能电池元件(31)位于第二面(1s)与背面保护层(2)之间。填料(4)处于在表面保护层(1)与多个太阳能电池元件(31)之间覆盖多个太阳能电池元件(31)的状态。填料(4)的材料具有产生游离酸的化学结构。表面保护层(1)是由具有耐候性的树脂构成的层。第一面(1f)的至少一部分处于暴露于太阳能电池模块(100)的外部空间的状态。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池模块。
背景技术
已知一种太阳能电池模块，其中平面排列且电连接的多个太阳能电池元件，以夹在透光性构件与背面构件之间的状态配置(例如，参照日本特开2001-250965号公报、日本特开2004-014791号公报和日本特开2012-004146号公报的记载)。
在该太阳能电池模块中，例如，在玻璃基板等透光性构件与背部片材等背面构件之间，处于由以乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)为主成分的填料覆盖多个太阳能电池元件的状态。
发明内容
公开一种太阳能电池模块。
太阳能电池模块的一方案，具备表面保护层、背面保护层、多个太阳能电池元件、以及填料。所述表面保护层具有第一面以及位于该第一面的相反侧的第二面，并且具有透光性。所述背面保护层处于与所述第二面对置的状态。所述多个太阳能电池元件位于所述第二面与所述背面保护层之间。所述填料处于在所述表面保护层与所述多个太阳能电池元件之间覆盖所述多个太阳能电池元件的状态。所述填料的材料具有产生游离酸的化学结构。所述表面保护层是由具有耐候性的树脂构成的层。所述第一面的至少一部分处于暴露于所述太阳能电池模块的外部空间的状态。
太阳能电池模块的另一方案，具备表面保护层、背面保护层、多个太阳能电池元件、以及填料。所述表面保护层具有第一面以及位于该第一面的相反侧的第二面，并且具有透光性。所述背面保护层处于与所述第二面对置的状态。所述多个太阳能电池元件位于所述第二面与所述背面保护层之间。所述填料处于在所述表面保护层与所述多个太阳能电池元件之间覆盖所述多个太阳能电池元件的状态。所述填料的材料具有产生游离酸的化学结构。所述表面保护层具有多个分别从所述第一面到达所述第二面的微细贯通孔，并且具有耐候性。所述第一面的至少一部分处于暴露于所述太阳能电池模块的外部空间的状态。
附图说明
图1中图1(a)是表示俯视第一实施方式的太阳能电池模块时的外观的一个例子的俯视图。图1(b)是表示图1(a)的太阳能电池模块沿Ib-Ib线的假想切割面的一个例子的图。
图2中图2(a)是表示俯视太阳能电池元件的第一元件面时结构的一个例子的图。图2(b)是表示俯视太阳能电池元件的第二元件面时结构的一个例子的图。
图3中图3(a)是表示填料中产生的游离酸从太阳能电池模块向外部空间发散的状态的一个例子的图。图3(b)是表示太阳能电池模块中的表面保护层的各材料的水蒸气透过率和平均故障时间的具体例子的图。
图4中图4(a)～图4(c)是分别列举第一实施方式的太阳能电池模块的制造途中的剖面状态的图。
图5是表示在第二实施方式的太阳能电池模块中的与图1(b)的假想切割面对应的位置的假想切割面的一个例子的图。
图6中图6(a)是表示俯视第三实施方式的太阳能电池模块时结构的一个例子的图。图6(b)是表示图6(a)的太阳能电池模块沿VIb-VIb线的假想切割面的一个例子的图。
图7中图7(a)是表示俯视第三实施方式的太阳能电池部时结构的一个例子的图。图7(b)是表示图7(a)的太阳能电池部沿VIIb-VIIb线的假想切割面的一个例子的图。
图8是表示在第三实施方式的太阳能电池模块中的与图6(b)的假想切割面对应的位置的假想切割面的另一个例子的图。
图9中图9(a)是表示俯视第四实施方式的太阳能电池模块时外观的一个例子的俯视图。图9(b)是表示图9(a)的太阳能电池模块沿IXb-IXb线的假想切割面的一个例子的图。
图10中图10(a)是表示在第五实施方式的太阳能电池模块中第一布线材料和第一保护构件位于太阳能电池元件的第一元件面上的构成的一个例子的图。图10(b)是表示在第五实施方式的太阳能电池模块中第一布线材料和第二保护构件位于太阳能电池元件的第二元件面上的构成的一个例子的图。
图11是表示沿图10(a)和图10(b)的XI-XI线的位置处的第五实施方式的太阳能电池模块的一部分假想切割面的一个例子的图。
图12中图12(a)是表示在第五实施方式的一变形例的太阳能电池模块中第一布线材料和第二保护构件位于太阳能电池元件的第二元件面上的结构的一个例子的图。图12(b)是表示沿图12(a)的XIIb-XIIb线的位置处的第五实施方式的一变形例的太阳能电池模块的一部分假想切割面的一个例子的图。
图13中图13(a)是表示在第六实施方式的太阳能电池模块中的太阳能电池部中，第一输出用布线材料、第三保护构件、第二输出用布线材料和第四保护构件位于太阳能电池元件的电极上的构成的一个例子的图。图13(b)是表示图13(a)的太阳能电池部、第一输出用布线材料、第三保护构件、第二输出用布线材料和第四保护构件沿XIIIb-XIIIb线的假想切割面的一个例子的图。
图14中图14(a)是表示在第六实施方式的一变形例的太阳能电池模块中的与图6(b)的假想切割面对应的位置的假想切割面的一个例子的图。图14(b)是表示在第六实施方式的一变形例的太阳能电池模块中，太阳能电池部、第一输出用布线材料、第二输出用布线材料和第五保护构件的与图13(b)的假想切割面对应的位置的假想切割面的一个例子的图。
具体实施方式
例如，太阳能电池模块具备玻璃基板等透光性构件、背部片材等背面构件、在透光性构件与背面构件之间处于平面排列且电连接的状态的多个太阳能电池元件。另外，在该太阳能电池模块中，例如，处于以覆盖多个太阳能电池元件的方式填充的状态的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(ethylene-vinyl acetate copolymer：EVA)等填料位于透光性构件与背面构件之间。
在这样的太阳能电池模块中，例如，EVA因热和水分而产生乙酸等游离酸，存在太阳能电池元件的电极被该游离酸腐蚀的风险。另外，例如，还存在太阳能电池元件的电极与布线材料的接合部分被游离酸腐蚀的风险。另外，当太阳能电池元件的电极和接合部分被腐蚀时，存在太阳能电池模块的输出降低、太阳能电池模块的长时间保持输出(也称作长期可靠性)会降低的风险。
因此，本发明的发明人创造了能够提高太阳能电池模块的长期可靠性的技术。
基于此，以下，基于附图说明第一实施方式～第六实施方式。在附图中将具有相同的构成和功能的部分标记为同一附图标记，在下述说明中省略重复说明。附图示意性示出。图1(a)～图3(a)和图4(a)～图14(b)中附有右手系的XYZ坐标系。在该XYZ坐标系中，太阳能电池板10的前表面10f的长方向记作+X方向，前表面10f的短方向记作+Y方向，与+X方向和+Y方向两者正交的前表面10f的法线方向记作+Z方向。
＜1.第一实施方式＞
＜1-1.太阳能电池模块＞
基于图1(a)～图3(b)说明第一实施方式的太阳能电池模块100。
如图1(a)和图1(b)所示地，例如，太阳能电池模块100具备太阳能电池板10。例如，太阳能电池板10具有主要入射光的受光面(也称作前表面)10f和位于该前表面10f的相反侧的背面10b。在第一实施方式中，前表面10f处于朝向+Z方向的状态。背面10b处于朝向-Z方向的状态。例如，+Z方向设定为朝向正午的太阳的方向。在图1(a)的例子中，前表面10f具有长方形的形状。在此，如图1(b)所示，例如，太阳能电池模块100可以具备端子箱5。例如，端子箱5位于太阳能电池板10的背面10b上等，能够将太阳能电池板10中由发电而获得的电力向外部输出。例如，太阳能电池模块100可以用粘合剂等固定在具有优异的刚性的板状的构件(也称作板状构件)上。在这种情况下，例如，可以考虑将太阳能电池板10的背面10b用粘合剂等固定在板状构件的表面上的方案。另外，例如，端子箱5可以用粘合剂等固定在板状构件的背面上。另外，例如太阳能电池模块100可以具备框架等。在这种情况下，例如，框架处于沿太阳能电池板10的外周部的位置，能够保护太阳能电池板10的外周部。
如图1(a)和图1(b)所示，例如，太阳能电池板10具备表面保护层1、背面保护层2、太阳能电池部3和填料4。
＜1-1-1.表面保护层＞
例如，表面保护层1具有第一面1f和第二面1s。在第一实施方式中，例如，第一面1f处于构成太阳能电池板10的前表面10f的状态。在图1(a)和图1(b)的例子中，第一面1f处于暴露于太阳能电池模块100的外部空间(也称作外部空间)200的状态。另外，第二面1s是第一面1f的相反侧的面。
例如，表面保护层1具有透光性。具体而言，例如表面保护层1对特定范围的波长的光具有透光性。例如，特定范围的波长包含太阳能电池部3能够进行光电转换的光的波长。只要特定范围的波长中包含太阳光中照射强度高的光的波长，就能够提高太阳能电池模块100的光电转换效率。
例如，表面保护层1的材料应用具有耐候性的树脂。换言之，例如，表面保护层1应用由具有耐候性的树脂构成的层。在此，耐候性例如是指在室外使用的情况下，不易发生变形、变色和劣化等变质的性质。当表面保护层1的材料应用树脂时，例如，表面保护层1具有减少水滴等水从太阳能电池模块100的外部空间200向太阳能电池部3渗入，并且使湿气容易从填料4通向外部空间200的性质(也称作透湿防水性)。在此，具有耐候性的树脂，例如包含氟系树脂。氟系树脂例如包含氟化乙烯丙烯共聚物(Fluorinated Ethylene Propylene：FEP)、乙烯-四氟乙烯共聚物(Ethylene Tetrafluoroethylene：ETFE)和乙烯-三氟氯乙烯共聚物(Ethylene Chlorotrifluoroethylene：ECTFE)等。在此，例如表面保护层1可以由2层以上的具有耐候性的树脂构成。在这种情况下，应用于表面保护层1的氟系树脂，例如可以为两种以上树脂。因此，例如可以考虑应用于表面保护层1的氟系树脂包含FEP、ETFE和ECTFE中的至少一个树脂的方案。
另外，表面保护层1的厚度，例如为0.05毫米(mm)～0.5mm左右。
＜1-1-2.太阳能电池部＞
例如，太阳能电池部3位于表面保护层1与背面保护层2之间。如图1(a)和图1(b)所示，太阳能电池部3例如具有多个太阳能电池元件31。因此，例如多个太阳能电池元件31位于表面保护层1的第二面1s与背面保护层2之间。在第一实施方式中，多个太阳能电池元件31处于二维排列的状态。在图1(a)和图1(b)的例子中，多个太阳能电池元件31处于以沿表面保护层1的第二面1s配置的方式平面排列的状态。
另外，例如，太阳能电池部3具有多个第一布线材料32和多个第二布线材料33。例如，太阳能电池部3包含多个(在此，为10个)太阳能电池串(string)30。例如，多个太阳能电池串30分别包含多个(在此，为7个)太阳能电池元件31和多个第一布线材料32。例如，多个第一布线材料32处于将多个太阳能电池元件31中彼此相邻的两个太阳能电池元件31分别电连接的状态。多个第二布线材料33处于将多个太阳能电池串30中彼此相邻的两个太阳能电池串30分别电连接的状态。在图1(a)和图1(b)的例子中，与位于多个太阳能电池串30中最靠-X方向的端部的太阳能电池串30连接的第二布线材料33、以及与位于多个太阳能电池串30中最靠+X方向的端部的太阳能电池串30连接的第二布线材料33，处于被拉出到太阳能电池板10外部的状态。在此，两根第二布线材料33例如处于经由设置于背面保护层2的贯通孔被拉出到太阳能电池板10外部的状态。
例如，多个太阳能电池元件31分别能够将光能转换为电能。如图2(a)和图2(b)所示，多个太阳能电池元件31分别具有位于表(biǎo)面侧的面(也称作第一元件面)31f、以及位于该第一元件面31f的相反侧的面(也称作第二元件面)31s。在图2(a)和图2(b)的例子中，第一元件面31f处于朝向+Z方向的状态，第二元件面31s处于朝向-Z方向的状态。在这种情况下，例如，第一元件面31f主要作为光入射的面(也称作受光面)发挥作用，第二元件面31s主要作为光不入射的面(也称作非受光面)发挥作用。
在第一实施方式中，如图2(a)和图2(b)所示，多个太阳能电池元件31分别具有半导体基板310、第一输出取出电极311、第一集电电极312、第二输出取出电极313和第二集电电极314。
半导体基板310中，例如，应用晶体硅等结晶系半导体，非晶硅等非晶质系半导体，或者使用了铜、铟、镓、硒这四种元素或镉、碲这两种元素等的化合物半导体。在此，假定晶体硅应用于半导体基板310的情况。在这种情况下，半导体基板310主要具备具有第一导电型的区域(也称作第一导电型区域)和具有与第一导电型相反的第二导电型的区域(也称作第二导电型区域)。例如，第一导电型区域位于半导体基板310的-Z方向的第二元件面31s侧。例如，第二导电型区域位于半导体基板310的+Z方向的第一元件面31f侧的表层部。在此，例如，在第一导电型为p型的情况下，第二导电型为n型。另外，例如，在第一导电型为n型的情况下，第二导电型为p型。由此，半导体基板310具有位于第一导电型区域与第二导电型区域的界面的pn接合部。
例如，第一输出取出电极311和第一集电电极312位于半导体基板310中的第一元件面31f侧的面上。例如，第一输出取出电极311应用母线(busbar)电极。例如，第一集电电极312应用指状电极。在图2(a)的例子中，大致平行的两根第一输出取出电极311位于半导体基板310的第一元件面31f侧，大致平行的多根第一集电电极312以与两根第一输出取出电极311大致正交的方式位于半导体基板310的第一元件面31f侧。另外，例如，作为处于由氮化硅等构成的状态的防反射膜315的绝缘膜，可以位于在半导体基板310的第二导电型区域上的未形成有第一输出取出电极311和第一集电电极312的区域中。在此，例如，在第一输出取出电极311的主成分为银的情况下，能够通过丝网印刷等将银膏涂布成所期望的形状后烧成来形成第一输出取出电极311。主成分是指含有成分中含有比率(也称作含有率)最大(高)的成分。例如，银膏可以应用含有以银为主成分的金属粉末、有机载体和玻璃料的金属膏。例如，在第一集电电极312的主成分为银的情况下，能够与第一输出取出电极311同样地，通过丝网印刷等将银膏涂布成所期望的形状后烧成来形成第一集电电极312。例如，第一输出取出电极311和第一集电电极312可以由彼此不同的工序形成，也可以由相同的工序形成。
例如，第二输出取出电极313和第二集电电极314位于半导体基板310中的第二元件面31s侧的面上。例如，第二输出取出电极313应用母线电极。在图2(b)的例子中，沿+Y方向彼此大致平行的两列第二输出取出电极313位于半导体基板310的第二元件面31s侧。在半导体基板310的第二元件面31s侧，除了第二输出取出电极313和第二集电电极314通过重叠而彼此连接的部分以外，第二集电电极314位于未形成有第二输出取出电极313的区域的大致整个面。例如，两列第二输出取出电极313分别包含排列成一列的四个电极。另外，例如，氧化铝等氧化物或氮化物的薄膜可以以所期望的图案作为钝化膜存在于半导体基板310的第一导电型区域与第二输出取出电极313和第二集电电极314之间。在此，例如，在第二输出取出电极313的主成分是银的情况下，与第一输出取出电极311同样地，能够通过丝网印刷等将银膏涂布成所期望的形状后烧成来形成第二输出取出电极313。例如，在第二集电电极314的主成分为铝的情况下，能够通过丝网印刷等将铝膏涂布成所期望的形状后烧成来形成第二集电电极314。例如，铝膏可以应用含有以铝为主成分的金属粉末、有机载体和玻璃料的金属膏。
例如，第一布线材料32处于将一个太阳能电池元件31的第一输出取出电极311和与该一个太阳能电池元件31相邻的另一个太阳能电池元件31的第二输出取出电极313电连接的状态。在图2(a)和图2(b)的例子中，用假想双点划线绘制分别安装于多个太阳能电池元件31的第一布线材料32的外缘。在此，第一布线材料32例如处于与第一输出取出电极311和第二输出取出电极313接合的状态。具体而言，例如，存在位于第一布线材料32与第一输出取出电极311之间且将第一布线材料32与第一输出取出电极311接合的部分(也称作第一接合部分)321。因此，例如，第一布线材料32处于经由第一接合部分321与一个太阳能电池元件31的第一输出取出电极311接合的状态。另外，例如，存在位于第一布线材料32与第二输出取出电极313之间且将第一布线材料32与第二输出取出电极313接合的部分(也称作第二接合部分)322。因此，例如，第一布线材料32处于经由第二接合部分322和与一个太阳能电池元件31相邻的另一个太阳能电池元件31的第二输出取出电极313接合的状态。例如，第一布线材料32应用线状或带状的具有导电性的金属体。第一接合部分321和第二接合部分322的材料，例如，应用焊锡(hàn xī)等低熔点的合金或低熔点的单质金属等。更具体而言，例如，具有0.1mm～0.2mm左右的厚度和1mm～2mm左右的宽度的铜箔应用于第一布线材料32，且处于该第一布线材料32的整面被焊锡包覆的状态。例如，第一布线材料32处于通过焊接而与第一输出取出电极311和第二输出取出电极313电连接的状态。在这种情况下，例如，处于位于第一布线材料32与第一输出取出电极311之间的焊锡构成第一接合部分321的状态。另外，例如，处于位于第一布线材料32与第二输出取出电极313之间的焊锡构成第二接合部分322的状态。以下例如将第一接合部分321和第二接合部分322简称为“接合部分”。
＜1-1-3.填料＞
填料4处于在表面保护层1与背面保护层2之间覆盖太阳能电池部3的状态。换言之，填料4处于在表面保护层1与背面保护层2之间覆盖多个太阳能电池元件31的状态。从另一个观点而言，例如，填料4处于在覆盖太阳能电池部3的同时填充表面保护层1与背面保护层2之间的区域(也称作间隙区域)10g的状态。
在第一实施方式中，填料4例如包含位于前表面10f侧的填料(也称作第一填料)41和位于背面10b侧的填料(也称作第二填料)42。例如，第一填料41处于覆盖太阳能电池部3的表面保护层1侧的整面的状态。换言之，第一填料41例如处于在表面保护层1与多个太阳能电池元件31之间覆盖多个太阳能电池元件31的状态。例如，第二填料42处于覆盖太阳能电池部3的背面保护层2侧的整面的状态。换言之，第二填料42例如处于在背面保护层2与多个太阳能电池元件31之间覆盖多个太阳能电池元件31的状态。因此，在第一实施方式中，太阳能电池部3例如处于被第一填料41和第二填料42夹着包围的状态。由此，例如能够由填料4保持太阳能电池部3的姿势。
另外，填料4例如具有透光性。在此，填料4例如对上述特定范围的波长的光具有透光性。在此，例如，只要在构成填料4的第一填料41和第二填料42中，至少第一填料41具有透光性，来自前表面10f侧的入射光就能够到达太阳能电池部3。
另外，第一填料41的材料例如具有产生游离酸的化学结构。在此，作为第一填料41的材料，例如应用乙烯乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)等聚乙烯醇缩醛和酸改性树脂等。在此，例如当第一填料41的材料应用相对廉价的EVA时，能够容易地实现保护多个太阳能电池元件31的性能。例如，酸改性树脂应用能够通过由酸对聚烯烃等树脂进行接枝改性等而形成的改性聚烯烃树脂等。能用于酸改性树脂的接枝改性的酸，例如，应用丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、马来酸酐、纳迪克酸酐(Nadic anhydride)、衣康酸酐和柠康酸酐等。例如，游离酸是不与碱键合的酸。例如，游离酸是能够在溶液中形成溶剂化物但不与溶剂以外键合的酸。例如，EVA和PVB等中产生游离酸的化学结构，例如包含乙酰氧基。具有乙酰氧基的树脂，例如，存在因热分解和水解等而产生作为游离酸的乙酸的风险。作为第二填料42的材料，例如，与第一填料41相同地，应用EVA、PVB等聚乙烯醇缩醛和酸改性树脂等。例如，第一填料41和第二填料42可以由两种以上的材料构成。
＜1-1-4.背面保护层＞
例如，背面保护层2处于构成太阳能电池板10的背面10b的状态。例如，背面保护层2处于与表面保护层1的第二面1s对置的状态。
例如，背面保护层2能够从背面10b侧保护太阳能电池部3。例如，背面保护层2应用构成背面10b的背部片材。例如，背部片材的厚度为0.3mm～0.5mm左右。例如，背部片材的材料应用聚氟乙烯(PVF)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的一种树脂或这些树脂中的至少一种树脂。另外，在图1(b)的例子中，背面保护层2以从背面10b侧和侧面的外周部侧包围太阳能电池部3和填料4的方式配置。另外，背面保护层2处于与表面保护层1的外周部粘合的状态。此时，背面保护层2例如在从背面10b侧俯视透视的情况下，具有与表面保护层1相同的形状。例如，在从背面10b侧俯视透视的情况下，假定表面保护层1和背面保护层2两者都是具有长方形状的外形的构成。
＜1-2.太阳能电池模块的特性＞
如上所述，例如，当表面保护层1的材料是具有耐候性的树脂时，表面保护层1具有透湿防水性。因此，例如，假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，如图3(a)的双点划线箭头所示，填料4中产生的游离酸能够经由表面保护层1向外部空间200扩散。由此，例如，太阳能电池元件31的电极和接合部分变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
在此，列举出表面保护层1的材料分别应用作为具有耐候性的树脂的FEP和ETFE时的水蒸气透过率(Water Vapor Transmission Rate：WVTR)和平均故障时间(Mean Time ToFailure：MTTF)的测定结果的具体例子进行说明。另外，表面保护层1的材料应用玻璃时的水蒸气透过率(WVTR)和平均故障时间(MTTF)的测定结果的一个例子也作为参考例一并举出。在此，如图3(b)所示，作为表面保护层1，分别使用具有3.2mm的厚度的玻璃板(也称作玻璃板)、具有0.1mm的厚度的FEP膜(也称作FEP膜)和具有0.1mm的厚度的ETFE膜(也称作ETFE膜)。
根据日本工业标准(JIS)Z0208规定的“防湿包装材料的透湿度试验方法(杯式法)”测定以获得玻璃板、FEP膜和ETFE膜各自的水蒸气透过率(WVTR)。水蒸气透过率(WVTR)以克数表示24小时透过1平方米(1m2)的膜的水蒸气量。该水蒸气透过率(WVTR)的单位示为g/m2/天。
作为表面保护层1分别使用玻璃板、FEP膜和ETFE膜的太阳能电池模块100的平均故障时间(MTTF)，是通过使用恒光太阳模拟器(Solar Simulator)进行高温高湿试验，测定太阳能电池模块100的最大输出(Pm)从初始状态的值分别降低10％、15％、20％和30％的时间而获得的。因此，在此，平均故障时间(MTTF)表示高温高湿条件下太阳能电池模块100的耐久性。在图3(b)中，作为表面保护层1分别使用FEP膜和ETFE膜的太阳能电池模块100的平均故障时间(MTTF)，表示为以作为表面保护层1使用玻璃板的太阳能电池模块100的平均故障时间(MTTF)为基准值1的值。
具体而言，将玻璃板的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)作为基准值1。FEP膜的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)，是将FEP膜的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。ETFE膜的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)，是将ETFE膜的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。
另外，将玻璃板的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)作为基准值1。FEP膜的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)，是将FEP膜的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。ETFE膜的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)，是将ETFE膜的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。
另外，将玻璃板的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)作为基准值1。FEP膜的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)，是将FEP膜的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。ETFE膜的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)，是将ETFE膜的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。
另外，将玻璃板的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)作为基准值1。FEP膜的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)，是将FEP膜的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。ETFE膜的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)，是将ETFE膜的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)的实测值除以玻璃板的最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)的实测值而获得的。
如图3(b)所示，厚度为3.2mm的玻璃板的水蒸气透过率(WVTR)为0g/m2/天。厚度为0.1mm的FEP膜的水蒸气透过率(WVTR)为0.9g/m2/天。厚度为0.1mm的ETFE膜的水蒸气透过率(WVTR)为4.9g/m2/天。
另外，如图3(b)所示，在表面保护层1使用FEP膜的情况下，最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)为1.09，最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)为1.71，最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)为1.89，最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)为3.35。在表面保护层1使用FTFE膜的情况下，最大输出(Pm)降低10％的平均故障时间(MTTF)为0.81，最大输出(Pm)降低15％的平均故障时间(MTTF)为2.62，最大输出(Pm)降低20％的平均故障时间(MTTF)为3.39，最大输出(Pm)降低30％的平均故障时间(MTTF)为4.78。
因此，例如，确认表面保护层1使用水蒸气透过率(WVTR)为0.9g/m2/天的FEP膜的情况，与表面保护层1使用水蒸气透过率(WVTR)为0g/m2/天的玻璃板的情况相比，最大输出(Pm)的降低所需要的平均故障时间(MTTF)大幅延长。另外，确认表面保护层1使用水蒸气透过率(WVTR)为4.9g/m2/天的ETFE膜的情况，与表面保护层1使用水蒸气透过率(WVTR)为0.9g/m2/天的FEP膜的情况相比，最大输出(Pm)降低15％以上的平均故障时间(MTTF)进一步延长。
由上述测定结果的具体例和参考例可知，与表面保护层1的材料是湿气不会通过的玻璃的情况相比，当表面保护层1的材料是具有耐候性的FEP和ETFE等树脂时，太阳能电池元件31不易劣化。在此，推测当表面保护层1的材料是具有耐候性的FEP和ETFE等树脂时，由于表面保护层1具有透湿防水性，因此由于填料4中产生的游离酸经由表面保护层1向外部空间200扩散，使得太阳能电池元件31的电极和接合部分不易被腐蚀，从而提高太阳能电池元件31的长期可靠性。
＜1-3.太阳能电池模块的制造＞
基于图4(a)～图4(c)说明太阳能电池模块100的制造方法的一个例子。
首先，准备表面保护层1。在此，例如，作为表面保护层1，准备具有长方形状的表背面且具有耐候性的树脂制的膜。作为具有耐候性的树脂，例如，采用氟系树脂。作为氟系树脂，例如，采用FEP、ETFE或ECTFE等。在此，例如，对作为表面保护层1的单面的第二面1s实施电晕处理或等离子体处理等用于使表面活性化的处理。由此，在后述层压处理中，能够提高表面保护层1与填料4之间的密合性。
接着，例如，如图4(b)和图4(c)所示，通过按照表面保护层1、第一片材41s、太阳能电池部3、第二片材42s和背面保护层2的顺序层叠，从而形成层叠体10s。此时，适当配置从太阳能电池部3拉出到太阳能电池板10的外部并用于与端子箱等连接的布线。在此，第一片材41s例如是作为第一填料41的来源的树脂(EVA等)制的片材。第二片材42s例如是作为第二填料42的来源的树脂(EVA等)的片材。
接着，例如，以层叠体10s为对象进行层压处理。在此，例如，使用层压装置(层压机)使层叠体10s一体化。例如，在层压机中，在腔室内的加热盘上载置层叠体10s，在使腔室内减压至50帕斯卡(Pa)～150Pa左右的同时，将层叠体10s从摄氏100度(100℃)加热至摄氏200度(200℃)左右。此时，通过加热使第一片材41s和第二片材42s成为能某种程度流动的状态。在该状态下，在腔室内，通过用隔膜片材等按压层叠体10s，从而使层叠体10s一体化。由此，能够形成图1(a)和图1(b)所示的太阳能电池板10。
此后，例如，可以用粘合剂等将太阳能电池板10固定在板状构件的表面上，并用粘合剂等将端子箱5等安装在该板状构件的背面上。另外，例如，可以在太阳能电池板10上适当安装端子箱5和铝制的框架等。此时，例如，从太阳能电池部3拉出到太阳能电池板10的外部的布线，与端子箱内的端子适当连接。另外，例如，沿太阳能电池板10的侧面安装铝制的框架。此时，例如，可以在太阳能电池板10的侧面与框架之间填充丁基系树脂等透湿度低的密封材料。由此，能够形成太阳能电池模块100。在此，太阳能电池模块100例如可以不具有框架，可以不具有端子箱。换言之，太阳能电池模块100至少具有太阳能电池板10。
＜1-4.第一实施方式的总结＞
在第一实施方式的太阳能电池模块100中，例如，表面保护层1的材料是具有耐候性的树脂。当采用这样的构成时，例如，表面保护层1具有透湿防水性。因此，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，填料4中产生的游离酸也能够经由表面保护层1扩散到外部空间200。由此，例如，太阳能电池元件31中的电极和接合部分变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
＜2.其他实施方式＞
本发明不限定于上述第一实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内能进行各种变更和改良等。
＜2-1.第二实施方式＞
在上述第一实施方式中，例如，如图5所示，保护膜50A可以位于表面保护层1的第一面1f上的一部分。换言之，太阳能电池模块100例如可以具有保护膜50A。例如，该保护膜50A能够保护第一面1f。由此，例如，树脂制的表面保护层1的第一面1f不易产生划痕等。例如，保护膜50A的材料应用氧化硅和氮化硅等无机材料。例如，这些无机材料具有耐候性。例如，保护膜50A具有处于在厚度方向贯通的状态的贯通孔51A。由此，例如，即使存在保护膜50A，填料4中产生的游离酸也能够经由表面保护层1和保护膜50A的贯通孔51A等向外部空间200扩散。因此，例如，在用保护膜50A保护表面保护层1的第一面1f的同时，由填料4产生的游离酸能够经由表面保护层1向外部空间200扩散。因此，例如，只要表面保护层1的第一面1f的至少一部分处于暴露于太阳能电池模块100的外部空间200的状态，由填料4产生的游离酸就能够经由表面保护层1向外部空间200扩散。由此，例如，太阳能电池元件31的电极和接合部分变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
例如，能够通过溅射法或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition：CVD)等干式成膜法或涂布法等湿式成膜法来形成保护膜50A。例如，在用干式成膜法形成厚度非常薄的保护膜50A的情况下，能够形成具有大量贯通孔51A的保护膜50A。另外，例如，在用干式成膜法形成保护膜50A的情况下，能够通过使用网状掩模等形成具有所期望的形状和数量的贯通孔51A的保护膜50A。另外，例如，通过用网状掩模将使无机材料溶解于溶剂的液体(也称作涂布液)涂布于表面保护层1的第一面1f上之后，使涂布液干燥，从而能够形成具有所期望的形状和数量的贯通孔51A的保护膜50A。
＜2-2.第三实施方式＞
在上述第一实施方式和上述第二实施方式中，例如，如图6(a)～图7(b)所示，太阳能电池部3可以变更为具有分别包含薄膜系半导体和透明电极的多个薄膜系太阳能电池元件31B的太阳能电池部3B。例如，薄膜系半导体包含硅系、化合物系或其他类型的半导体。例如，硅系薄膜系半导体应用使用了非晶硅或薄膜多晶体硅等的半导体。例如，化合物系薄膜系半导体应用CIS半导体或CIGS半导体等具有黄铜矿结构的化合物半导体、具有钙钛矿结构的化合物等化合物半导体、具有锌黄锡矿结构的化合物半导体、或碲化镉(CdTe)半导体。CIS半导体是含铜(Cu)、铟(In)和硒(Se)的化合物半导体。CIGS半导体是含Cu、In、镓(Ga)和Se的化合物半导体。在此，列举出多个薄膜系太阳能电池元件31B位于基板6上的例子进行说明。
如图6(a)～图7(b)所示，太阳能电池部3B具有基板6和处于在该基板6上平面排列的状态的多个太阳能电池元件31B。在此，平面排列是指沿假想或实际的平面分别配置多个太阳能电池元件31B，并且排列多个太阳能电池元件31B。在图7(a)和图7(b)的例子中，多个太阳能电池元件31B处于在基板6上沿基板6的表面排列的状态。例如，基板6应用具有0.5mm～2mm左右的厚度的透明玻璃基板等。在此，例如，假定太阳能电池部3B中包含N个(N为2以上的自然数)太阳能电池元件31B的情况。在这种情况下，例如，当N个太阳能电池元件31B串联电连接时，数值N越大，太阳能电池部3B的输出电压就能够越大。图7(a)和图7(b)示出沿+Y方向排列多个(在此，为7个)太阳能电池元件31B的例子。在此，例如，太阳能电池元件31B分别具有细长形状，该细长形状具有沿+X方向的长方向。在这种情况下，例如，当太阳能电池元件31B在+Y方向的宽度为几毫米(mm)～1厘米(cm)左右时，太阳能电池部3B中能够排列几十个～几百个太阳能电池元件31B。
例如，如图7(b)所示，多个太阳能电池元件31B分别具有第一电极层8a、半导体层8b和第二电极层8c。另外，在太阳能电池部3B中，例如，如图7(b)所示，在相邻的太阳能电池元件31B之间存在连接部9和透明部7。在此，例如，只要第二电极层8c是对特定范围的波长的光的透光性比半导体层8b高的层(也称作透光性电极层)，在各太阳能电池元件31B中，入射光就能够透过第二电极层8c。由此，例如，透过表面保护层1的入射光能够透过第二电极层8c并照射半导体层8b。此时，例如，入射光能够被半导体层8b吸收。在此，例如，在背面保护层2与表面保护层1同样地由具有透光性的材料构成的情况下，只要第一电极层8a是对特定范围的波长的光的透光性比半导体层8b高的层(透光性电极层)，透过背面保护层2的入射光，就能够透过第一电极层8a并照射半导体层8b。
例如，第一电极层8a位于基板6中朝向+Z方向的面上。例如，第一电极层8a是能够收集因半导体层8b中的光照射而通过光电转换产生的电荷的电极(也称作第一电极)。例如，第一电极层8a的材料只要应用对特定范围的波长的光具有透光性的透明导电性氧化物(TCO：Transparent Conductive Oxide)等，特定范围的波长的光就能够透过背面保护层2和第一电极层8a并入射到半导体层8b。TCO中，例如，包含氧化铟锡(ITO：Indium TinOxide)、氟掺杂氧化锡(FTO：Fluorine-doped tin oxide)或氧化锌(ZnO)等。在作为TCO使用氧化锌的情况下，TCO根据需要可以包含铝(Al)、硼(B)或镓(Ga)。在图7(b)的例子中，在表面保护层1上，七个第一电极层8a处于沿+Y方向平面排列的状态。在此，处于第m太阳能电池元件31Bm(m为1～6的自然数)的第一电极层8a与第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)的第一电极层8a向第m太阳能电池元件31Bm延伸的部分夹着间隙(也称作第一间隙)G1排列的状态。例如，第一太阳能电池元件31B1的第一电极层8a与第二太阳能电池元件31B2中的第一电极层8a向第一太阳能电池元件31B1延伸的部分，夹着第一间隙G1排列。各第一间隙G1具有沿+X方向的长方向。在此，在各第一间隙G1中，存在将基板6的表面作为底面的第一槽部P1。
半导体层8b位于第一电极层8a与第二电极层8c之间。在此，第m太阳能电池元件31Bm的半导体层8b以延伸到在+Y方向相邻的第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)的第一电极层8a向-Y方向延伸的部分的端部上的方式配置。例如，第一太阳能电池元件31B1的半导体层8b以延伸到相邻的第二太阳能电池元件31B2的第一电极层8a向-Y方向延伸的部分的端部上的方式配置。例如，半导体层8b由上述薄膜系半导体构成。
第二电极层8c位于半导体层8b上。第二电极层8c是能够收集因半导体层8b中的光照射而通过光电转换产生的电荷的电极(也称作第二电极)。例如，第二电极层8c的材料与第一电极层8a的材料同样地，能够采用对特定范围的波长的光具有透光性的透明导电性氧化物(TCO)等。在图7(b)的例子中，七个第二电极层8c处于沿+Y方向平面排列的状态。在此，处于第m太阳能电池元件31Bm的第二电极层8c向第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)延伸的部分与第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)的第二电极层8c夹着间隙(也称作第二间隙)G2排列的状态。例如，处于第一太阳能电池元件31B1的第二电极层8c向+Y方向延伸的部分与第二太阳能电池元件31B2的第二电极层8c夹着间隙(第二间隙)G2排列的状态。各第二间隙G2具有沿+X方向的长方向。在此，在各第二间隙G2中，存在将第一电极层8a作为底面的第三槽部P3。另外，在此，例如，在+Y方向相邻的第m太阳能电池元件31Bm与第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)之间，第二间隙G2存在于比第一间隙G1更向+Y方向偏移的位置。因此，例如，在+Y方向相邻的第m太阳能电池元件31Bm与第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)之间的电池间区域31ga，位于从第一间隙G1的-Y方向的边缘部到第二间隙G2的+Y方向的边缘部。
连接部9处于将多个太阳能电池元件31B中相邻的两个太阳能电池元件31B串联电连接的状态。在图7(b)的例子中，第m连接部9m以贯通半导体层8b与透明部7之间的方式配置。该第m连接部9m处于将第m太阳能电池元件31Bm与第(m+1)太阳能电池元件31(m+1)电连接的状态。例如，第一连接部91处于将第一太阳能电池元件31B1与第二太阳能电池元件31B2电连接的状态。更具体而言，第m连接部9m处于将第m太阳能电池元件31Bm的第二电极层8c与第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)的第一电极层8a电连接的状态。例如，第一连接部91处于将第一太阳能电池元件31B1的第二电极层8c与第二太阳能电池元件31B2的第一电极层8a电连接的状态。由此，多个太阳能电池元件31B处于串联电连接的状态。另外，连接部9存在于第二槽部P2内，该第二槽部P2以半导体层8b朝向+Y方向的端面和透明部7朝向-Y方向的端面为两侧面，并以第一电极层8a朝向-Z方向的面为底面。各第二槽部P2具有沿+X方向的长方向。另外，处于连接部9填充于该第二槽部P2中的状态。
透明部7对特定范围的波长的光的透光性比半导体层8b高。例如，通过局部加热具有钙钛矿结构的半导体层的一部分，从而能够形成透明部7。在此，第m透明部7m位于第m太阳能电池元件31Bm的第m连接部9m与第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)之间。例如，第一透明部71位于第一太阳能电池元件31B1的第一连接部91与第二太阳能电池元件31B2之间。在图7(b)的例子中，第m透明部7m位于第m太阳能电池元件31Bm的第m连接部9m与存在于第m太阳能电池元件31Bm和第(m+1)太阳能电池元件31B(m+1)之间的第三槽部P3之间。例如，第一透明部71位于第一太阳能电池元件31B1的第一连接部91与存在于第一太阳能电池元件31B1和第二太阳能电池元件31B2之间的第三槽部P3之间。例如，透明部7可以由不透明的半导体层构成。
在第一太阳能电池元件31B1中，第一电极层8a具有比半导体层8b和第二电极层8c更向-Y方向延伸的部分(也称作第一延伸部)8ae。在第七太阳能电池元件31B7中，半导体层8b和第二电极层8c比第一电极层8a更向+Y方向延伸，且第二电极层8c具有比半导体层8b更向+Y方向延伸的部分(也称作第二延伸部)8ce。在第一延伸部8ae上，处于与第一极性的输出用布线材料(也称作第一输出用布线材料)32a电连接的状态。在此，第一输出用布线材料32a例如处于与作为第一太阳能电池元件31B1的电极的一部分的第一延伸部8ae接合的状态。具体而言，例如，存在位于第一输出用布线材料32a与第一延伸部8ae之间，且处于将第一输出用布线材料32a与第一延伸部8ae接合的状态的部分(也称作第三接合部分)321B。在图7(a)的例子中，沿位于第一太阳能电池元件31B1的-Y方向的端边配置第一输出用布线材料32a。在第二延伸部8ce上，处于与第二极性的输出用布线材料(也称作第二输出用布线材料)32b电连接的状态。在此，第二输出用布线材料32b例如处于与作为第七太阳能电池元件31B7的电极的一部分的第二延伸部8ce接合的状态。具体而言，例如，存在位于第二输出用布线材料32b与第二延伸部8ce之间，且处于将第二输出用布线材料32b与第二延伸部8ce接合的状态的部分(也称作第四接合部分)322B。在图7(a)的例子中，沿位于第七太阳能电池元件31B7的+Y方向的端边配置第二输出用布线材料32b。
例如，第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b分别应用线状或带状的具有导电性的金属体。例如，第三接合部分321B和第四接合部分322B的材料应用焊锡(hànxī)等低熔点的合金或低熔点的单质金属等。更具体而言，例如，将具有0.1mm～0.2mm左右的厚度和1mm～2mm左右的宽度的铜箔分别应用于第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b，处于这些第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的整面被焊锡包覆的状态。例如，第一输出用布线材料32a处于通过焊接与第一延伸部8ae电连接的状态。另外，例如，第二输出用布线材料32b处于通过焊接与第二延伸部8ce电连接的状态。在这种情况下，例如，处于位于第一输出用布线材料32a与第一延伸部8ae之间的焊锡构成第三接合部分321B的状态。另外，例如，处于位于第二输出用布线材料32b与第二延伸部8ce之间的焊锡构成第四接合部分322B的状态。以下，第三接合部分321B和四接合部分322B也适当简称为“接合部分”。另外，在此，例如，当第一极性为负极时，第二极性为正极。例如，当第一极性为正极时，第二极性为负极。另外，第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b例如分别处于经由贯通背面保护层2的贯通孔等被拉出到外部的状态。
在具有这样的构成的第三实施方式的太阳能电池模块100中，填料4中产生的游离酸也能够经由表面保护层1向外部空间200扩散。由此，例如，薄膜系太阳能电池元件31B中的第一电极层8a、第二电极层8c、第三接合部分321B和第四接合部分322B变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
在此，例如，如图8所示，填料4可以是不具有第二填料42且具有第一填料41的填料4B。在这种情况下，例如，填料4B处于在表面保护层1与含多个太阳能电池元件31B的太阳能电池部3B之间覆盖太阳能电池部3B的状态。因此，填料4B例如处于在表面保护层1与多个太阳能电池元件31B之间覆盖多个太阳能电池元件31B的状态。
在此，例如，太阳能电池部3B中的基板6可以是背面保护层2。
＜2-3.第四实施方式＞
在上述第一实施方式或上述第二实施方式中，例如，如图9(a)和图9(b)所示，表面保护层1可以变更为具有多个分别从第一面1f到达第二面1s的微细的贯通孔(也称作微细贯通孔)1Ct的表面保护层1C。微细贯通孔1Ct的直径，例如，小于雨滴和细雨等水滴的直径且为水蒸气中的水的粒径以上。在此，微细贯通孔1Ct的直径例如为0.1mm～1mm左右。例如，通过使用激光对具有耐候性的树脂的片材进行微细加工或冲切加工等，能够形成表面保护层1C中的多个微细贯通孔1Ct。在此，例如，表面保护层1C通过具有多个微细贯通孔1Ct，难以降低表面保护层1C的防水性，且能够提高表面保护层1C的透湿性。因此，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，填料4中产生的游离酸也能够经由表面保护层1C的多个微细贯通孔1Ct向外部空间200扩散。由此，例如，太阳能电池元件31中的电极和接合部分变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100中的长期可靠性。
在此，表面保护层1C的材料例如可以与上述第一实施方式或上述第二实施方式的表面保护构件1的材料同样地是具有耐候性的树脂，也可以是具有耐候性的其他材料。换言之，表面保护层1C例如可以具有多个分别从第一面1f到达第二面1s的微细贯通孔1Ct，并且具有耐候性。即使采用这样的构成，例如，由填料4产生的游离酸也能够经由表面保护层1C的微细贯通孔1Ct向外部空间200扩散。由此，例如，太阳能电池元件31中的电极和接合部分变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。在此，作为表面保护层1C的材料采用的具有耐候性的其他材料，例如应用玻璃等。例如，玻璃具有比树脂低的水蒸气透过率(WVTR)。例如，通过使用激光对玻璃板进行微细加工等，能够形成玻璃制的表面保护层1C中的多个微细贯通孔1Ct。另外，表面保护层1C的材料例如可以应用作为具有防水透湿性的材料的戈尔特斯(注册商标)膜等。戈尔特斯(注册商标)膜应用利用了PTFE的拉伸多孔质聚四氟乙烯(ePTFE)。因此，微细贯通孔1Ct的直径，例如，可以是作为ePTFE的平均孔径的0.2微米(μm)左右。换言之，微细贯通孔1Ct的直径例如可以为0.2μm～1mm左右。
另外，在此，表面保护层1C的多个微细贯通孔1Ct例如可以主要位于第一输出取出电极311的上方。在这种情况下，例如，由于多个微细贯通孔1Ct，从外部空间200向太阳能电池部3的第一输出取出电极311以外的部分照射的光难以被表面保护层1C漫反射。由此，例如，太阳能电池模块100的光电转换效率不易降低。另外，在这种情况下，例如，游离酸容易从填料4中的第一输出取出电极311上的区域经由表面保护层1C的微细贯通孔1Ct向外部空间200扩散。其结果是，例如，太阳能电池元件31中的电极和接合部分变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
＜2-4.第五实施方式＞
在上述第一实施方式、上述第二实施方式和上述第四实施方式中，例如，如图10(a)和图11所示，太阳能电池模块100可以具有以覆盖第一接合部分321的方式位于第一接合部分321与第一填料41之间的保护构件(也称作第一保护构件)81D。换言之，例如，第一保护构件81D位于第一填料41与太阳能电池元件31之间。例如，该第一保护构件81D能够保护第一接合部分321。因此，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，也因第一保护构件81D的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第一接合部分321。由此，例如，第一输出取出电极311与第一布线材料32之间的第一接合部分321变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。具体而言，例如，第一保护构件81D以覆盖第一接合部分321的方式，位于从第一填料41与第一布线材料32之间的区域到第一填料41与第一输出取出电极311之间的区域。在图11的例子中，第一布线材料32的整面处于被包覆层34包覆的状态。例如，第一布线材料32应用铜箔等金属制的带状金属体等。例如，包覆层34的材料应用焊锡等低熔点的金属。另外，包覆层34中将第一输出取出电极311与第一布线材料32接合的部分，具有作为第一接合部分321的作用。另外，包覆层34具有位于第一布线材料32与第一填料41之间的部分。另外，例如，第一保护构件81D处于与包覆层34和第一输出取出电极311接触的状态。在此，例如，在包覆层34不位于第一布线材料32与第一填料41之间的情况下，采用第一保护构件81D处于与第一布线材料32和第一输出取出电极311接触的状态的形态。
在此，第一保护构件81D例如超出至第一元件面31f中的未形成有第一输出取出电极311和第一集电电极312的区域(也称作光吸收区域)315a上的区域越小，经由表面保护层1到达半导体基板310的光的量越难降低。由此，例如，太阳能电池模块100的发电效率不易降低。另外，在此，当第一保护构件81D例如以覆盖第一输出取出电极311的方式配置时，第一保护构件81D能够保护第一输出取出电极311。在这种情况下，例如，由于第一保护构件81D的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第一输出取出电极311。由此，例如，第一输出取出电极311变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
另外，例如，如图10(b)和图11所示，太阳能电池模块100可以具有以覆盖第二接合部分322的方式位于第二接合部分322与第二填料42之间的保护构件(也称作第二保护构件)82D。换言之，例如，第二保护构件82D位于第二填料42与太阳能电池元件31之间。例如，该第二保护构件82D能够保护第二接合部分322。因此，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，也因第二保护构件82D的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第二接合部分322。由此，例如，第二输出取出电极313与第一布线材料32之间的第二接合部分322变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。具体而言，例如，第二保护构件82D以覆盖第二接合部分322的方式，位于从第二填料42与第一布线材料32之间的区域到第二填料42与第二输出取出电极313之间的区域。在图11的例子中，在处于包覆第一布线材料32的整面的状态的包覆层34中，将第二输出取出电极313与第一布线材料32接合的部分，具有作为第二接合部分322的作用。另外，包覆层34具有位于第一布线材料32与第二填料42之间的部分。另外，例如，第二保护构件82D处于与包覆层34和第二输出取出电极313接触的状态。在此，例如，在包覆层34不位于第一布线材料32与第二填料42之间的情况下，采用第二保护构件82D处于与第一布线材料32和第二输出取出电极313接触的状态的形态。
在此，例如，当第二保护构件82D以覆盖第二输出取出电极313的方式配置时，能够保护第二输出取出电极313。在这种情况下，例如，由于第二保护构件82D的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第二输出取出电极313。由此，例如，第二输出取出电极313变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
例如，第一保护构件81D和第二保护构件82D应用氟系带。在这种情况下，例如，由于氟系带具有优异的耐候性，因此能够提高第一保护构件81D和第二保护构件82D的耐久性。由此，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。在此，氟系带例如具有含氟系树脂的带状基材(也称作氟系基材)和位于该基材表面上的粘合剂。例如，氟系基材应用聚四氟乙烯(PTFE)、ETFE、ECTFE或FEP等氟系树脂的膜或者含浸有PTFE、ETFE、ECTFE或FEP等的膜等。例如，粘合剂应用丙烯酸系或硅酮系粘合剂等。另外，第一保护构件81D和第二保护构件82D例如可以应用氟系带以外的具有耐候性的带。例如，作为氟系基材的替代品，例如，可以使用利用了卡普顿(Kapton)(注册商标)等聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯酸、聚碳酸酯、玻璃纸(cellophane)或氯乙烯等材料的基材。在此，例如，当第一保护构件81D和第二保护构件82D具有粘合剂时，在太阳能电池模块100的制造工序中，就能够在形成层压处理用层叠体10s之前，对太阳能电池部3的所期望的位置贴附第一保护构件81D和第二保护构件82D。由此，例如，在层叠体10s的形成前移动太阳能电池部3时和进行层压处理时，第一保护构件81D和第二保护构件82D的位置不易偏移。其结果是，例如，第一接合部分321和第二接合部分322能够被第一保护构件81D和第二保护构件82D更可靠地保护。另外，例如，第一保护构件81D和第二保护构件82D可以不具有粘合剂。在这种情况下，例如，可以考虑在太阳能电池模块100的制造工序中，在形成层压处理用层叠体10s时，对太阳能电池部3的所期望的位置配置第一保护构件81D和第二保护构件82D的方案。
在此，例如，第一保护构件81D可以以覆盖第一接合部分321中的至少一部分的方式，位于第一接合部分321与第一填料41之间。在这种情况下，例如，填料4中产生的游离酸变得难以到达第一接合部分321。由此，例如，第一输出取出电极311与第一布线材料32之间的第一接合部分321变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。另外，例如，第二保护构件82D可以以覆盖第二接合部分322中的至少一部分的方式，位于第二接合部分322与第二填料42之间。在这种情况下，例如，填料4中产生的游离酸变得难以到达第二接合部分322。由此，例如，太阳能电池元件31的第二输出取出电极313与第一布线材料32之间的第二接合部分322变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
在此，例如，如图12(a)和图12(b)所示，第二保护构件82D可以位于第二集电电极314与第二填料42之间。在这种情况下，第二保护构件82D例如能够保护第二集电电极314。因此，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，也因第二保护构件82D的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第二集电电极314。由此，例如，第二集电电极314变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。在此，例如，当第二保护构件82D以覆盖第二集电电极314的方式位于第二集电电极314与第二填料42之间时，能够保护第二集电电极314。在这种情况下，例如，因第二保护构件82D的存在，填料4中产生的游离酸变得更难以到达第二集电电极314。由此，例如，第二集电电极314变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
在此，例如，第一接合部分321和第二接合部分322例如可以具有含有氧化锡、氧化铅、硫化锡和硫化铅中的至少一个材料的表面部34s。在此，例如，可以考虑第一布线材料32周围的包覆层34的外周部分是含有氧化锡、氧化铅、硫化锡和硫化铅中的至少一个材料的表面部34s的方案。在这种情况下，例如，第一接合部分321和第二接合部分322变得不易与乙酸等游离酸和水分等发生反应。由此，例如，第一接合部分321和第二接合部分322变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。在此，例如，在位于第一布线材料32的周围的包覆层34的材料为焊锡的情况下，当焊锡材料含有锡(Sn)时，在形成层压处理用层叠体10s前，通过在氧环境的加热炉内加热太阳能电池部3，能够使包覆层34的表面部34s含有氧化锡。另外，例如，当焊锡材料含有铅(Pb)时，在形成层压处理用层叠体10s前，通过在氧环境的加热炉内加热太阳能电池部3，能够使包覆层34的表面部34s含有氧化铅。另外，例如，当焊锡材料含有锡(Sn)时，在形成层压处理用层叠体10s前，通过在硫化氢环境的加热炉内加热太阳能电池部3，能够使包覆层34的表面部34s含有硫化锡。另外，例如，当焊锡材料含有铅(Pb)时，在形成层压处理用层叠体10s前，通过在硫化氢环境的加热炉内加热太阳能电池部3，能够使包覆层34的表面部34s含有硫化铅。
在此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一保护构件81D中的与表面保护层1对置的表面，可以具有与第一布线材料32或包覆层34的表面相比更接近太阳能电池元件31中的光吸收区域315a的色相的颜色。在这种情况下，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，位于第一保护构件81D背后的第一布线材料32和包覆层34的存在变得不显眼。其结果是，例如，配置太阳能电池模块100的部分，从外观上不易看出配置有太阳能电池模块100。因此，例如，能够提高配置了太阳能电池模块100的部分的设计性。在此，第一保护构件81D表面的颜色，例如，能够由第一保护构件81D基材本身的颜色或涂布于基材上的颜料等着色剂的颜色等实现。另外，在此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，当第一保护构件81D中的与表面保护层1对置的表面，具有与光吸收区域315a同色系的颜色时，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，位于第一保护构件81D背后的第一布线材料32和包覆层34的存在变得更不显眼。在此，“同色系”例如可以为具有相同色相且亮度或色度不同的颜色、具有相同色相且色调(tone)不同的颜色，以及相同色调的色相环中相邻的颜色中的任一个。例如，色相环应用孟塞尔表色系色相环(也称作孟塞尔色相环)、奥斯特瓦尔德表色系色相环(也称作奥斯特瓦尔德色相环)或PCCS(日本色彩研究配色体系，Practical Color Co-ordinate System)色相环等。另外，色相环例如可以是奥斯特瓦尔德色相环和PCCS的色相环这样环状排列24个色相的颜色的色相环，也可以是孟塞尔色相环这样环状排列20个色相的颜色的色相环。另外，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，当第一保护构件81D中的与表面保护层1对置的表面，具有与光吸收区域315a几乎相同的颜色时，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，位于第一保护构件81D背后的第一布线材料32和包覆层34的存在变得更不显眼。
在此，例如，在第一布线材料32与第一填料41之间，处于以覆盖第一布线材料32的方式配置的状态的包覆层34的表面部34s，可以包含硫化锡和硫化铅中的至少一个材料。在此，例如，硫化锡和硫化铅的颜色为黑色。例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，假如太阳能电池元件31的光吸收区域315a的颜色在外观上为黑色系，那么即使在第一布线材料32上存在未配置第一保护构件81D的部分，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一布线材料32的存在也变得不显眼。另外，例如，当背面保护层2的颜色在外观上为黑色系时，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，在相邻的太阳能电池元件31之间，第一布线材料32的存在变得不显眼。如此地，例如，当第一布线材料32的存在变得不显眼时，配置太阳能电池模块100的部分，从外观上不易看出配置有太阳能电池模块100。其结果是，例如，能够提高配置了太阳能电池模块100的部分的设计性。另外，在此，例如，在第一布线材料32与第一填料41之间，当包覆层34的表面部34s包含硫化锡时，因具有不易溶于水的性质的硫化锡的存在，从而提高包覆层34的耐久性。由此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一布线材料32的存在能够长时间变得不显眼。其结果是，例如，能够长时间提高配置了太阳能电池模块100的部分的设计性。
＜2-5.第六实施方式＞
在上述第三实施方式中，例如，如图13(a)和图13(b)所示，可以设置以覆盖第三接合部分321B的方式配置的保护构件(也称作第三保护构件)83F。换言之，例如，太阳能电池模块100可以具有以覆盖第三接合部分321B的方式位于第三接合部分321B与第一填料41之间的第三保护构件83F。在这种情况下，例如，第三保护构件83F位于第一太阳能电池元件31B1中的第一电极层8a的第一延伸部8ae与第一填料41之间。另外，例如，可以设置以覆盖第四接合部分322B的方式配置的保护构件(也称作第四保护构件)84F。换言之，例如，太阳能电池模块100可以具有以覆盖第四接合部分322B的方式位于第四接合部分322B与第一填料41之间的第四保护构件84F。在这种情况下，例如，第四保护构件84F位于第七太阳能电池元件31B7中的第二电极层8c的第二延伸部8ce与第一填料41之间。
例如，当第三保护构件83F以覆盖第三接合部分321B的方式配置时，能够保护第三接合部分321B。在此，例如，可以考虑第三保护构件83F以覆盖第三接合部分321B的方式，位于从第一填料41与第一输出用布线材料32a之间的区域到第一填料41与第一电极层8a的第一延伸部8ae之间的区域的形态。在这种情况下，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，也因第三保护构件83F的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第三接合部分321B。其结果是，例如，第一电极层8a的第一延伸部8ae与第一输出用布线材料32a之间第三接合部分321B变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
另外，例如，当第四保护构件84F以覆盖第四接合部分322B的方式配置时，能够保护第四接合部分322B。在此，例如，可以考虑第四保护构件84F以覆盖第四接合部分322B的方式，位于从第一填料41与第二输出用布线材料32b之间的区域到第一填料41与第二电极层8c的第二延伸部8ce之间的区域的形态。在这种情况下，例如，即使假如填料4因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，也因第四保护构件84F的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第四接合部分322B。其结果是，例如，第二电极层8c的第二延伸部8ce与第二输出用布线材料32b之间的第四接合部分322B变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
在此，例如，能够应用具有与上述第五实施方式的第一保护构件81D和第二保护构件82D相同构成的第三保护构件83F和第四保护构件84F。另外，例如，与上述第五实施方式的第一布线材料32同样地，当用与上述包覆层34相同的包覆层包覆第一输出用布线材料32a的整面时，包覆层中的第一延伸部8ae与第一输出用布线材料32a接合的部分，具有作为第三接合部分321B的作用。在这种情况下，例如，第三保护构件83F处于与第一输出用布线材料32a的包覆层和第一延伸部8ae接触的状态。在此，例如，在包覆层不位于第一输出用布线材料32a与第一填料41之间的情况下，采用第三保护构件83F处于与第一输出用布线材料32a和第一延伸部8ae接触的状态的形态。另外，例如，与上述第五实施方式的第一布线材料32同样地，当用与上述包覆层34相同的包覆层包覆第二输出用布线材料32b的整面时，包覆层中的第二延伸部8ce与第二输出用布线材料32b接合的部分，具有作为第四接合部分322B的作用。在这种情况下，例如，第四保护构件84F处于与第二输出用布线材料32b的包覆层和第二延伸部8ce接触的状态。在此，例如，在包覆层不位于第二输出用布线材料32b与第一填料41之间的情况下，采用第四保护构件84F处于与第二输出用布线材料32b和第二延伸部8ce接触的状态的形态。
在此，例如，当第三保护构件83F以覆盖第三接合部分321B中的至少一部分的方式，位于第三接合部分321B与第一填料41之间时，填料4中产生的游离酸变得难以到达第三接合部分321B。由此，例如，第一延伸部8ae与第一输出用布线材料32a之间的第三接合部分321B变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。另外，例如，当第四保护构件84F以覆盖第四接合部分322B中的至少一部分的方式，位于第四接合部分322B与第一填料41之间时，填料4中产生的游离酸变得难以到达第四接合部分322B。由此，例如，第二延伸部8ce与第二输出用布线材料32b之间的第四接合部分322B变得不易被游离酸腐蚀，从而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。
在此，例如，第三接合部分321B和第四接合部分322B例如与上述第五实施方式的第一接合部分321和第二接合部分322同样地，可以具有与含有氧化锡、氧化铅、硫化锡和硫化铅中的至少一个材料的上述表面部34s相同的表面部。在此，例如，可以考虑第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b各自周围的包覆层的外周部分，是含有氧化锡、氧化铅、硫化锡和硫化铅中的至少一个材料的表面部的方案。在这种情况下，例如，第三接合部分321B和第四接合部分322B变得不易与乙酸等游离酸和水分等发生反应，第三接合部分321B和第四接合部分322B变得不易腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。在此，例如，在位于第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b周围的包覆层的材料是焊锡的情况下，当焊锡材料含有锡时，在形成层压处理用层叠体前，通过在氧环境的加热炉内加热太阳能电池部3B，能够使包覆层的表面部含有氧化锡。另外，例如，当焊锡材料含有铅时，在形成层压处理用层叠体前，通过在氧环境的加热炉内加热太阳能电池部3B，能够使包覆层的表面部含有氧化铅。另外，例如，当焊锡材料含有锡时，在形成层压处理用层叠体前，通过在硫化氢环境的加热炉内加热太阳能电池部3B，能够使包覆层的表面部含有硫化锡。另外，例如，当焊锡材料含有铅时，在形成层压处理用层叠体前，通过在硫化氢环境的加热炉内加热太阳能电池部3B，能够使包覆层的表面部含有硫化铅。
在此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第三保护构件83F的与表面保护层1对置的表面，可以具有与包覆第一输出用布线材料32a的表面或第一输出用布线材料32a的状态的包覆层的表面相比更接近太阳能电池元件31B中的半导体层8b的表面保护层1侧的区域(也称作光吸收区域)的色相的颜色。另外，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第四保护构件84F的与表面保护层1对置的表面，可以具有与包覆第二输出用布线材料32b的表面或第二输出用布线材料32b的状态的包覆层的表面相比更接近太阳能电池元件31B中的半导体层8b的表面保护层1侧的区域(光吸收区域)的色相的颜色。在此，光吸收区域例如可以由第二电极层8c上形成的氮化硅等防反射膜构成。在此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的存在变得不显眼。其结果是，例如，配置有太阳能电池模块100的部分，从外观上不易看出配置有太阳能电池模块100。因此，例如，能够提高配置了太阳能电池模块100的部分的设计性。在此，第三保护构件83F和第四保护构件84F表面的颜色，例如，能够由第三保护构件83F和第四保护构件84F的基材本身的颜色或涂布于基材上的颜料等着色剂的颜色等实现。另外，在此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，当第三保护构件83F和第四保护构件84F中的与表面保护层1对置的表面，具有与光吸收区域同色系的颜色时，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的存在变得更不显眼。另外，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，当第三保护构件83F和第四保护构件84F中的与表面保护层1对置的表面，具有与光吸收区域几乎相同的颜色时，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的存在变得更不显眼。
在此，例如，在第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b与第一填料41之间，处于以覆盖第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的方式配置的状态的包覆层的表面部，可以包含硫化锡和硫化铅中的至少一个材料。在此，例如，硫化锡和硫化铅的颜色为黑色。因此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，假如太阳能电池元件31B的光吸收区域的颜色在外观上为黑色系，那么即使在第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b上存在未配置有第三保护构件83F和第四保护构件84F的部分，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的存在也变得不显眼。另外，例如，当背面保护层2的颜色为黑色系时，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，在太阳能电池部3B的周围第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的存在变得不显眼。如此地，例如，当第一输出用布线材料32a和第二输出用布线材料32b的存在变得不显眼时，配置有太阳能电池模块100的部分变得从外观上不易看出配置有太阳能电池模块。其结果是，例如，能够提高配置有太阳能电池模块100的部分的设计性。
另外，在此，例如，在第一输出用布线材料32a与第一填料41之间，以覆盖第一输出用布线材料32a的方式配置的包覆层的表面部包含硫化锡时，因具有不易溶于水的性质的硫化锡的存在，从而提高包覆层的耐久性。由此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第一输出用布线材料32a的存在能够长时间变得不显眼。其结果是，例如，能够长时间提高配置有太阳能电池模块100的部分的设计性。另外，在此，例如，在第二输出用布线材料32b与第一填料41之间，以覆盖第二输出用布线材料32b的方式配置的包覆层的表面部包含硫化锡时，因具有不易溶于水的性质的硫化锡的存在，从而提高包覆层的耐久性。由此，例如，在从表面保护层1侧观察太阳能电池模块100的情况下，第二输出用布线材料32b的存在能够长时间变得不显眼。其结果是，例如，能够长时间提高配置有太阳能电池模块100的部分的设计性。
在此，例如，如图14(a)和图14(b)所示，太阳能电池部3B可以是将太阳能电池部3B上下颠倒的太阳能电池部3G。在这种情况下，例如，如图14(a)所示，填料4可以是不具有第一填料41且具有第二填料42的填料4G。在此，例如，填料4G处于在背面保护层2与包含多个太阳能电池元件31B的太阳能电池部3G之间覆盖太阳能电池部3G的状态。因此，填料4G例如处于在背面保护层2与多个太阳能电池元件31B之间覆盖多个太阳能电池元件31B的状态。另外，例如，如图14(a)和图14(b)所示，第五保护构件85G可以位于各太阳能电池元件31B的第二电极层8c与第二填料42之间。在图14(b)的例子中，第三保护构件83F和第四保护构件84F的替代品可以为第五保护构件85G。具体而言，第五保护构件85G以覆盖第三接合部分321B、第四接合部分322B和第二电极层8c的方式配置。在这种情况下，第五保护构件85G例如能够保护各第二电极层8c。因此，例如，即使假如填料4G因热分解和水解等而产生乙酸等游离酸，也因第五保护构件85G的存在，使得填料4中产生的游离酸变得难以到达第二电极层8c。由此，例如，第二电极层8c变得不易被游离酸腐蚀。其结果是，例如，能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。例如，第五保护构件85G能够应用具有与上述第一保护构件81D、第二保护构件82D、第三保护构件83F和第四保护构件84F相同构成的构件。
＜3.其他＞
在上述第一实施方式～上述第六实施方式中，例如，作为应用于表面保护层1的材料的氟系树脂，当应用ECTFE时，能够容易地提高太阳能电池模块100的长期可靠性。这是由于已知ECTFE的水蒸气透过率(WVTR)处于FEP的水蒸气透过率(WVTR)与ETFE的水蒸气透过率(WVTR)之间，且ECTFE比ETFE廉价。
在上述第四实施方式中，例如，太阳能电池部3的替代品可以应用上述第三实施方式和上述第六实施方式的太阳能电池部3B、3G等不同形态的太阳能电池部。
在上述第五实施方式中，例如，表面保护层1即使应用玻璃板等不具有透湿性的构件，也因第一保护构件81D和第二保护构件82D的存在，而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。另外，例如，可以存在第一保护构件81D和第二保护构件82D中的至少一个保护构件。
在上述第六实施方式中，例如，表面保护层1即使应用玻璃板等不具有透湿性的构件，也因第三保护构件83F和第四保护构件84F或第五保护构件85G的存在，而能够提高太阳能电池模块100的长期可靠性。另外，例如，可以存在第三保护构件83F和第四保护构件84F中的至少一个保护构件。
当然能将分别构成上述各实施方式和各种变形例的全部或一部分在适当且不矛盾的范围内进行组合。
附图标记的说明
1、1C 表面保护层
1Ct 微细贯通孔
1f 第一面
1s 第二面
2 背面保护层
3、3B、3G 太阳能电池部
4、4B、4G 填料
10 太阳能电池板
10b 背面
10f 前表面
31、31B 太阳能电池元件
32 第一布线材料
32a 第一输出用布线材料
32b 第二输出用布线材料
33 第二布线材料
34 包覆层
34s 表面部
41 第一填料
42 第二填料
50A 保护膜
51A 贯通孔
81D 第一保护构件
82D 第二保护构件
83F 第三保护构件
84F 第四保护构件
85G 第五保护构件
100 太阳能电池模块
200 外部空间
315a 光吸收区域
321 第一接合部分
322 第二接合部分
321B 第三接合部分
322B 第四接合部分。
Claims (6)
1.一种太阳能电池模块，其中，
具备：表面保护层，具有第一面以及位于该第一面的相反侧的第二面，并且具有透光性；
背面保护层，处于与所述第二面对置的状态；
多个太阳能电池元件，位于所述第二面与所述背面保护层之间；以及
填料，处于在所述表面保护层与所述多个太阳能电池元件之间覆盖所述多个太阳能电池元件的状态，
所述填料的材料具有产生游离酸的化学结构，
所述表面保护层是由具有耐候性的树脂构成的层，
所述第一面的至少一部分处于暴露于所述太阳能电池模块的外部空间的状态。
2.如权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，
所述表面保护层的材料含氟系树脂。
3.如权利要求2所述的太阳能电池模块，其中，
所述氟系树脂包含氟化乙烯丙烯共聚物和乙烯-四氟乙烯共聚物和乙烯-三氟氯乙烯共聚物中的至少一个树脂。
4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池模块，其中，
进一步具备保护膜，所述保护膜用于保护所述第一面，所述保护膜处于位于所述第一面上的一部分的状态。
5.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池模块，其中，
所述表面保护层具有多个分别从所述第一面到达所述第二面的微细贯通孔。
6.一种太阳能电池模块，其中，
具备：表面保护层，具有第一面以及位于该第一面的相反侧的第二面，并且具有透光性；
背面保护层，处于与所述第二面对置的状态；
多个太阳能电池元件，位于所述第二面与所述背面保护层之间；以及
填料，处于在所述表面保护层与所述多个太阳能电池元件之间覆盖所述多个太阳能电池元件的状态，
所述填料的材料具有产生游离酸的化学结构，
所述表面保护层具有多个分别从所述第一面到达所述第二面的微细贯通孔，并且具有耐候性，
所述第一面的至少一部分处于暴露于所述太阳能电池模块的外部空间的状态。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204443B1 (en) * | 1997-06-09 | 2001-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having a specific front side covering material and a process for the production of said solar cell module |
| JP2014013838A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池用集電シート及び太陽電池モジュール |
| KR20150006944A (ko) * | 2013-07-09 | 2015-01-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| JP2016134575A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
| CN107863406A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-03-30 | 浙江宝利特新能源股份有限公司 | 一种用于光伏组件的反射膜及光伏组件和制备方法 |
| CN108521828A (zh) * | 2015-12-25 | 2018-09-11 | 京瓷株式会社 | 绝缘性糊剂、绝缘性糊剂的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池元件 |
| CN109326656A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-02-12 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件以及太阳能电池模块 |
| JP2019140273A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池モジュール |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08194117A (ja) * | 1995-01-18 | 1996-07-30 | Nippondenso Co Ltd | 偏光板 |
| JP4004203B2 (ja) | 2000-03-03 | 2007-11-07 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP4271412B2 (ja) | 2002-06-06 | 2009-06-03 | シャープ株式会社 | 太陽電池モジュールの再生方法 |
| US20090260675A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Serkan Erdemli | Encapsulation of solar modules |
| JP5395597B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-01-22 | 電気化学工業株式会社 | 太陽電池用表面保護シート |
| JP5805366B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2015-11-04 | 凸版印刷株式会社 | 太陽電池裏面保護シート及びそれを用いた太陽電池モジュール |
| JP2012004146A (ja) | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Bridgestone Corp | 太陽電池用封止膜及びこれを用いた太陽電池 |
| US20150027516A1 (en) * | 2012-03-12 | 2015-01-29 | Renolit Belgium N.V. | Backsheet and photovoltaic modules comprising it |
| JP2014060390A (ja) * | 2012-08-22 | 2014-04-03 | Mitsubishi Plastics Inc | 太陽電池用保護シート |
| JP2014225553A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 富士電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP6767681B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2020-10-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP7206809B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-01-18 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池モジュール用の透明保護シート |
-
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Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204443B1 (en) * | 1997-06-09 | 2001-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module having a specific front side covering material and a process for the production of said solar cell module |
| JP2014013838A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池用集電シート及び太陽電池モジュール |
| KR20150006944A (ko) * | 2013-07-09 | 2015-01-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 모듈 |
| JP2016134575A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池モジュール |
| CN108521828A (zh) * | 2015-12-25 | 2018-09-11 | 京瓷株式会社 | 绝缘性糊剂、绝缘性糊剂的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池元件 |
| CN109326656A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-02-12 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件以及太阳能电池模块 |
| CN107863406A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-03-30 | 浙江宝利特新能源股份有限公司 | 一种用于光伏组件的反射膜及光伏组件和制备方法 |
| JP2019140273A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池モジュール |
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