CN114497413A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括开口区域、包围所述开口区域的周边区域以及包围所述周边区域的显示区域；晶体管，与所述显示区域重叠且位于所述基板上；绝缘层，位于所述晶体管上；第一电极，位于所述绝缘层上；像素定义膜，位于所述第一电极上；中间层及第二电极，与所述第一电极重叠，所述中间层包括功能层；堤坝，与所述周边区域重叠；以及第一层，与所述周边区域重叠并且与所述中间层间隔开，所述第一层与所述堤坝的上部面间隔开并且覆盖所述堤坝的侧面。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
近几年，随着各种便携式电子设备包括相机功能，与单独携带相机的情况相比，仅携带一个内置有相机功能的电子设备的情况快速追加。
以往，相机、闪光、扬声器、光传感器等存在于电子设备的显示区域的外部，从而存在电子设备可显示图像的空间减少的倾向。
发明内容
各实施例用于提供在包括开口区域的显示装置中可显示图像的空间更宽的显示装置。各实施例用于提供减少了开口区域周边的无效区域(dead space)的显示装置。
一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括开口区域、包围所述开口区域的周边区域以及包围所述周边区域的显示区域；晶体管，与所述显示区域重叠且位于所述基板上；绝缘层，位于所述晶体管上；第一电极，位于所述绝缘层上；像素定义膜，位于所述第一电极上；中间层及第二电极，与所述第一电极重叠，所述中间层包括功能层；堤坝，与所述周边区域重叠；以及第一层，与所述周边区域重叠并且与所述中间层间隔开，所述第一层与所述堤坝的上部面间隔开并且覆盖所述堤坝的侧面。
可以是，所述第一层的末端比所述堤坝的上部面突出。
可以是，所述显示装置还包括：封装层，位于所述第二电极上，所述封装层包括第一封装无机层、封装有机层以及第二封装无机层，所述第二电极的末端与所述封装有机层重叠。
可以是，所述显示装置还包括：无机绝缘层，位于所述晶体管与所述基板之间，所述第一层包括：第一区域，使所述堤坝的上部面露出；以及第二区域，使所述无机绝缘层的一部分露出。
可以是，在所述堤坝的上部面，所述第一封装无机层位于所述第一区域内。
可以是，所述第一封装无机层与在所述第二区域露出的所述绝缘层接触，并且具有高低差。
可以是，与所述周边区域重叠的所述第二电极的末端具有被卷曲而上升的形态。
可以是，所述堤坝包括高度彼此不同的多个堤坝。
可以是，所述第一区域与所述多个堤坝中的至少一个重叠。
可以是，所述堤坝包括高度彼此不同的多个堤坝，所述第一区域与所述多个堤坝中的至少一个重叠。
可以是，所述显示装置还包括：第二层，位于所述周边区域，并且包括与所述第二电极相同的物质。
可以是，所述基板、所述无机绝缘层、所述第一封装无机层和第二封装无机层的末端定义所述开口区域的内表面。
一实施例涉及的显示装置包括：基板，包括开口区域、包围所述开口区域的周边区域以及包围所述周边区域的显示区域；晶体管，位于所述基板上；绝缘层，位于所述晶体管上；第一电极，位于所述绝缘层上；像素定义膜，位于所述第一电极上；中间层及第二电极，与所述第一电极重叠，所述中间层包括功能层；多个堤坝，与所述周边区域重叠；以及第一层，位于所述周边区域，所述第一层在相邻的多个堤坝之间被间隔开，所述第一层使所述多个堤坝中的至少一个堤坝的上部面露出。
可以是，所述第一层覆盖所述多个堤坝的侧面。
可以是，所述显示装置还包括：封装层，位于所述第二电极上，所述封装层包括第一封装无机层、封装有机层和第二封装无机层，所述第一封装无机层在所述周边区域与所述多个堤坝的上部面接触。
可以是，所述第一层在所述堤坝的上部面包括突出的末端。
可以是，在所述周边区域，所述第一层包括使所述堤坝的上部面露出的第一区域。
可以是，在所述第一区域，所述第一封装无机层与所述第一层的末端及所述堤坝的上部面接触，并且具有高低差。
可以是，在所述周边区域，所述第一层包括使所述绝缘层的至少一部分露出的第二区域。
可以是，所述第一封装无机层与在所述第二区域露出的所述绝缘层接触，并且具有高低差。
可以是，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少任一个。
可以是，所述第一层包括与所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少任一个相同的物质。
(发明效果)
根据各实施例，可以减少包围开口区域的周边区域，并可以确保宽的显示区域。
附图说明
图1是一实施例涉及的显示装置的分解立体图。
图2是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图。
图3是示出一实施例涉及的显示面板的一部分构成要素的平面图。
图4是放大了图1和图3的A区域的平面图。
图5a是相当于显示区域的显示面板的剖视图，图5b是一实施例的显示装置的电路图，图5c是周边区域和开口区域所处的显示面板的剖视图。
图6、图7、图8、图9、图10和图11分别是对于基于制造工序的显示面板的部分区域的剖视图。
图12是表示一实施例涉及的显示面板的制造工序的顺序图。
图13、图14和图15分别是对于一实施例涉及的显示面板的部分区域的剖视图。
图16是根据一实施例表示与所照射的激光的能量密度相关的碳化的产生与否的图片。
(符号说明)
DTA：开口区域；LA：周边区域；DA：显示区域；110：基板；Tr：晶体管；181、182：绝缘层；191：第一电极；360：像素定义膜；370：中间层；270：第二电极；D1、D2：堤坝；L1：第一层；M1：第二层；Q1至Q5：第一区域。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的各实施例。
为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。
此外，在附图中示出的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层以及区域，有所夸张地示出了厚度。另外，在附图中，为了便于说明，有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间具有其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，是指其间不存在其他部分。此外，位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的上方或下方，并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。
此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成要素时，在没有特别相反的记载的情况下，并不是排除包括其他构成要素，而是指还可以包括其他构成要素。
此外，在整个说明书中，“平面上”是指从上观察对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
以下，参照图1至图3来大致观察一实施例涉及的显示装置。图1是一实施例涉及的显示装置的分解立体图，图2是一实施例涉及的显示装置的示意性剖视图，图3是示出一实施例涉及的显示面板的一部分构成要素的平面图。
首先，参照图1和图2，显示装置1000在由第一方向DR1和第二方向DR2定义的平面上朝向第三方向DR3显示图像。基于第三方向DR3划分各部件的前表面(或上表面)和背面(或下表面)。第一方向DR1至第三方向DR3所指示的方向是相对的概念，可以变换为其他方向。
显示装置1000包括盖窗WU、显示面板DP以及壳体部件HM。在本实施例中，盖窗WU、显示面板DP和壳体部件HM可以被结合而构成显示装置1000。
盖窗WU配置在显示面板DP上而保护显示面板DP。盖窗WU可以包括透过区域TA以及阻断区域BA。透过区域TA可以是光学上透明的区域，是使入射的光透过的区域。阻断区域BA可以是与透过区域TA相比光透过率相对低的区域。阻断区域BA定义透过区域TA的形状。阻断区域BA可以包围透过区域TA。阻断区域BA可以表现出预定的颜色。阻断区域BA可以与显示面板DP的非显示区域PA重叠而阻断从外部识别出非显示区域PA的情况。
盖窗WU可以包括第一孔区域HA1以及第二孔区域HA2。第一孔区域HA1和第二孔区域HA2分别可以与后述的电子模块EM重叠。电子模块EM可以接收通过第一孔区域HA1和第二孔区域HA2提供的外部信号而工作。
根据一实施例，第一孔区域HA1可以位于透过区域TA，第二孔区域HA2可以位于阻断区域BA。但是这仅仅是例示，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以位于彼此相反的区域、或者都位于透过区域TA或者都位于阻断区域BA。
在第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以分别定义从盖窗WU的背面凹陷的预定的凹陷部。凹陷部可以包括深度比盖窗WU的厚度小的槽部或开口区域。
第一孔区域HA1和第二孔区域HA2可以具有彼此不同的形态。第一孔区域HA1可以在平面上具有圆形形态，第二孔区域HA2可以在平面上具有包括沿着第一方向DR1延伸的长轴的椭圆形态。但是，第一孔区域HA1和第二孔区域HA2的形态并不限于此，大小或形状可以以各种方式变形。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，但是并不限于此，可以是柔性显示面板。本发明的一实施例涉及的显示面板可以是发光型显示面板，但是并不特别限于此。例如，显示面板可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的中间层所包括的发光层可以包括有机发光物质。量子点发光显示面板的中间层所包括的发光层可以包括量子点和量子棒等。以下，以有机发光显示面板说明显示面板。
显示面板DP在前表面显示图像。显示面板DP的前表面包括显示区域DA和非显示区域PA。图像显示在显示区域DA中。非显示区域PA可以包围显示区域DA。
显示面板DP可以包括位于显示区域DA的多个像素PX。像素PX可以响应于电信号而表现出光。像素PX所表现的光可以实现图像。一像素PX所包括的晶体管的数量和电容器的数量以及连接关系可以以各种方式变形。
一实施例涉及的显示面板DP可以包括贯通显示面板DP的开口区域DTA。开口区域DTA可以位于显示区域DA。对于开口区域DTA所处的A区域将后述。开口区域DTA可以与盖窗WU的第一孔区域HA1重叠。多个像素PX中的一部分可以被配置成包围开口区域DTA。因此，图像也可以被显示在与开口区域DTA相邻的区域。
显示面板DP包括从显示区域DA延伸而设置多个信号线和焊盘部的非显示区域PA。数据驱动部50可以位于非显示区域PA。根据一实施例，非显示区域PA的焊盘部可以与包括驱动芯片80的印刷电路基板PCB电连接，以下在图3中进行更具体的说明。
如图2所示，结合显示面板DP和盖窗WU的粘接层AD可以位于显示面板DP与盖窗WU之间。另一方面，虽然未在本说明书中示出，但是还可以包括位于显示面板DP与盖窗WU之间的触摸单元。触摸单元可以为了显示装置1000的触摸屏功能而配置在显示面板DP上。触摸单元可以包括各种图案的触摸电极，可以是电阻膜方式或电容方式等。
电子模块EM包括用于使显示装置1000工作的各种功能性模块。电子模块EM可以通过未图示的连接器等而与显示面板DP电连接。例如，电子模块EM可以是相机、扬声器、或者光或热等的感知传感器。
电子模块EM可以包括第一电子模块EM1以及第二电子模块EM2。第一电子模块EM1可以感知通过开口区域DTA和第一孔区域HA1接收的外部被摄体。第一电子模块EM1可以接收通过开口区域DTA和第一孔区域HA1传递的外部输入或者可以通过开口区域DTA和第一孔区域HA1提供输出。
例如，第一电子模块EM1可以是发光模块、光感知模块和拍摄模块中的至少任一个。例如，第一电子模块EM1可以包括输出红外线的发光模块、用于感知红外线的CMOS传感器、拍摄外部被摄体的相机模块中的至少任一个。
第二电子模块EM2可以通过第二孔区域HA2收集声音等音响信号或者向外部提供处理过的声音等音响信号。例如，第二电子模块EM2可以包括音响输入模块和音响输出模块中的至少任一个。音响输入模块可以包括能够接收音响信号的输入的麦克风(microphone)。音响输出模块可以包括将音响数据作为音响信号来输出的扬声器。
但是，这是作为例示而示出的，电子模块EM可以由单一的模块构成或者还可以包括更多数量的电子模块，可以以各种配置关系进行排列，并不限于任一实施例。
壳体部件HM配置在显示面板DP的下侧。壳体部件HM与盖窗WU结合而构成显示装置1000的外观。壳体部件HM可以包括具有相对大的刚性的物质。例如，壳体部件HM可以包括由玻璃、塑料或金属构成的多个外壳和/或板。
壳体部件HM提供预定的收纳空间。显示面板DP可以被收纳在收纳空间内，从而可以保护显示面板DP免受外部冲击的影响。
以下，参照图3，显示面板DP包括具有显示区域DA和非显示区域PA的基板110。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边框来定义。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以配置在基板110上的显示区域DA内。各个像素PX包括发光元件以及与其连接的驱动电路部。各像素PX例如可以射出红色、绿色、蓝色或白色的光，作为一例可以包括有机发光元件(organic light emitting element)。
显示面板DP可以包括多个信号线和焊盘部。多个信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、在第二方向DR2上延伸的数据线DL以及驱动电压线PL等。
扫描驱动部20生成扫描信号并通过扫描线SL将其传递至各像素PX。根据一实施例，扫描驱动部20可以配置在显示区域DA的左侧和右侧。本说明书示出了扫描驱动部20配置在基板110的两侧的结构，但是作为其他实施例，扫描驱动部20也可以仅配置在基板110的一侧。
焊盘部PAD配置在显示面板DP的一端部，并且包括多个端子P1、P2、P3、P4。焊盘部PAD未被绝缘层覆盖而是被露出，从而可以与印刷电路基板PCB电连接。焊盘部PAD可以与印刷电路基板PCB的焊盘部PCB_P电连接。印刷电路基板PCB可以向焊盘部PAD传递驱动芯片80的信号或电源。
控制部将从外部传递的多个图像信号变更为多个图像数据信号，并将变更的信号通过端子P1传递至数据驱动部50。此外，控制部可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号的传递而生成用于控制扫描驱动部20和数据驱动部50的驱动的控制信号，从而分别通过端子P3、P1进行传递。控制部通过端子P2向驱动电压供给布线60传递驱动电压ELVDD(参照图5b)。此外，控制部通过端子P4分别向公共电压供给布线70传递公共电压ELVSS(参照图5b)。
数据驱动部50配置在非显示区域PA上，生成数据信号来传递给各像素PX。数据驱动部50可以配置在显示面板DP的一侧，例如可以配置在焊盘部PAD与显示区域DA之间。
驱动电压供给布线60配置在非显示区域PA上。例如，驱动电压供给布线60可以配置在数据驱动部50与显示区域DA之间。驱动电压供给布线60向像素PX提供驱动电压ELVDD。驱动电压供给布线60可以配置在第一方向DR1上，并且与配置在第二方向DR2上的多个驱动电压线PL连接。
公共电压供给布线70配置在非显示区域PA上。公共电压供给布线70可以具有包围基板110的形态。公共电压供给布线70向像素PX所包括的发光元件的一电级(例如，第二电极)传递公共电压ELVSS。
以下，参照图4来说明包括图3所示的开口区域DTA的A区域。图4是放大了图1和图3的A区域的平面图。
在上述的附图的基础上参照图4，显示面板DP包括位于基板110上的多个信号线SL、DL以及多个像素PX。多个像素PX分别可以与多个信号线SL、DL连接。图4例示性地说明多个信号线中的扫描线SL和数据线DL。但是，这是例示性示出的，本发明的一实施例涉及的多个像素PX分别还可以与各种信号线连接，并不限于任一实施例。
显示面板DP所包括的孔区域HA具备开口区域DTA以及包围开口区域DTA的周边区域LA。
周边区域LA是包围开口区域DTA的外廓的区域。周边区域LA可以在照射用于形成开口区域DTA的激光时保护布线不受损伤。周边区域LA需要将最小宽度维持一定水平。另一方面，周边区域LA包括堤坝D。图4示出了一个堤坝D，但是并不限于此，也可以包括多个堤坝D。
扫描线SL和数据线DL可以具有半圆结构且与周边区域LA重叠，并迂回开口区域DTA。多个扫描线SL沿着开口区域DTA的周边而横向延伸。在此，多个扫描线SL可以根据信号而由扫描线、发光控制线、初始化电压线等构成。多个数据线DL沿着开口区域DTA的周边而纵向延伸。多个数据线DL可以根据信号而由驱动电压线、驱动低电压线等构成。根据实施例，可以变更多个扫描线SL和多个数据线DL。
以下，参照图5a至图5c，观察包围开口区域DTA的区域。图5a是相当于显示区域的显示面板的剖视图，图5b是一实施例涉及的显示装置的电路图，图5c是设置有周边区域和开口区域的显示面板的剖视图。
首先，参照图5a，以显示区域DA为基准，观察层叠结构。
一实施例涉及的基板110可以包括玻璃等无机绝缘物质或如聚酰亚胺(PI)这样的塑料等有机绝缘物质。基板110可以具有各种程度的柔软性(flexibility)。基板110可以是刚性(rigid)基板或可以被弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。基板110可以是单层或多层。基板110可以交替地层叠包括依次层叠的高分子树脂的至少一个基底层和至少一个无机层。
缓冲层111可以位于基板110上。缓冲层111可以阻断杂质从基板110传递至缓冲层111的上部层的情况，尤其是阻断杂质从基板110传递至半导体层131的情况，从而阻止半导体层131的特性劣化，并且缓和应力。缓冲层111可以包括氮化硅或氧化硅等无机绝缘物质或者有机绝缘物质。也可以省略缓冲层111的一部分或全部。
半导体层131位于缓冲层111上。半导体层131可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层131包括沟道区域C、第一区域S以及第二区域D。第一区域S和第二区域D分别配置在沟道区域C的两边。沟道区域C可以包括与第一区域S和第二区域D相比掺杂有少量杂质或未掺杂杂质的半导体，第一区域S和第二区域D可以包括以高浓度掺杂了导电性杂质的半导体。半导体层131也可以由氧化物半导体形成，在该情况下，为了保护对高温等外部环境弱的氧化物半导体物质，可以追加单独的保护层(未图示)。
第一无机绝缘层141位于半导体层131上。第一无机绝缘层141可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
栅电极124和第一电容器电极CE1位于第一无机绝缘层141上。栅电极124和第一电容器电极CE1可以是层叠了包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任一种的金属膜的单层膜或多层膜。栅电极124可以与半导体层131的沟道区域C重叠。
第二无机绝缘层142位于栅电极124、第一电容器电极CE1和第一无机绝缘层141上。第二无机绝缘层142可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
上部电极154和第二电容器电极CE2位于第二无机绝缘层142上。第二电容器电极CE2和上部电极154可以是一个导电图案的彼此不同的部分。第二电容器电极CE2和上部电极154可以被电连接。
第二电容器电极CE2和上部电极154可以是层叠了包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)和钼合金中的任一种的金属膜的单层膜或多层膜。
第三无机绝缘层161位于上部电极154、第二电容器电极CE2和第二无机绝缘层142上。第三无机绝缘层161可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极173和漏电极175位于第三无机绝缘层161上。源电极173和漏电极175通过在第三无机绝缘层161、第二无机绝缘层142和第一无机绝缘层141形成的接触孔而分别与半导体层131的第一区域S和第二区域D连接。
源电极173和漏电极175可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，可以是包括这些物质的单层或多层的结构。
第一绝缘层181和第二绝缘层182依次位于第三无机绝缘层161、源电极173和漏电极175上。第一绝缘层181和第二绝缘层182可以包括如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
连接部件176可以位于第一绝缘层181与第二绝缘层182之间。连接部件176可以与漏电极175及第一电极191连接。但是，并不限于此，根据实施例，也可以在无连接部件的情况下直接连接漏电极175与第一电极191。
第一电极191位于第二绝缘层182上。第一电极191通过第二绝缘层182的接触孔而与连接部件176连接，并且与漏电极175电连接。
第一电极191可以包括如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)这样的金属，并且也可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)。第一电极191可以由包括金属物质或透明导电性氧化物的单层或包括这些的多层形成。例如，第一电极191可以具有铟锡氧化物(ITO)/银(Ag)/铟锡氧化物(ITO)的三层膜结构。
由栅电极124、半导体层131、源电极173和漏电极175形成的晶体管与第一电极191连接而向发光元件LD供给电流。
像素定义膜360和间隔物390位于第二绝缘层182和第一电极191上。
像素定义膜360具有与第一电极191的至少一部分重叠且定义发光区域的开口部。开口部可以具有与第一电极191几乎类似的平面形态。开口部可以在平面上具有菱形或与菱形类似的八角形状，但是并不限于此，也可以具有四边形、多边形、圆形、椭圆形等任意形状。
像素定义膜360和间隔物390可以包括如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)这样的通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
中间层370位于与开口部重叠的第一电极191上。中间层370可以包括发光层和功能层。
中间层370可以生成预定的有色彩色光。在本说明书中，示出了中间层370位于显示区域DA和周边区域LA的情况，但是中间层370的至少一部分可以仅位于显示区域DA且不位于周边区域LA。例如，可以利用掩模，将发光层形成为仅位于像素定义膜360的开口部内。此时，发光层位于显示区域DA，并且不位于周边区域LA。功能层可以位于显示区域DA和周边区域LA。
发光层可以包括有机物质和/或无机物质。此外，功能层可以包括空穴注入层(hole injection layer，HIL)、空穴传输层(hole transporting layer，HTL)、电子传输层(electron transporting layer，ETL)和电子注入层(electron injection layer，EIL)中的至少一个。功能层可以位于第一电极191与发光层之间或者位于发光层与第二电极270之间。功能层可以具有与基板110的整个面重叠的形态。功能层可以经由多个像素PX来配置。
本说明书中示出了中间层370与基板110的整个面重叠的形态，这表示功能层与基板110的整个面重叠的实施例。虽然未单独图示，但是发光层也可以仅形成在像素定义膜360的内部。
第二电极270位于中间层370上。第二电极270可以包括含有钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)等的反射性金属或如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)。
第一电极191、中间层370和第二电极270可以构成发光元件LD。在此，第一电极191可以是作为空穴注入电极的阳极，第二电极270可以是作为电子注入电极的阴极。但是，实施例并不一定限于此，根据显示装置1000的驱动方法，也可以是第一电极191为阴极且第二电极270为阳极。
从第一电极191和第二电极270分别向中间层370的内部注入空穴和电子，当被注入的空穴和电子结合的激发子(exciton)从激发态迁移至基态时实现发光。
封装层ENC位于第二电极270上。封装层ENC不仅可以覆盖发光元件LD的上部面，还可以覆盖至其侧面，从而进行密封。发光元件LD对水分和氧非常弱，因此封装层ENC对发光元件LD进行密封来阻断外部的水分和氧的流入。
封装层ENC可以包括多个层，可以形成为包括其中的封装无机层和封装有机层的全部的复合膜，作为一例，可以由依次形成了第一封装无机层IL1、封装有机层OL和第二封装无机层IL2的三层形成。
第一封装无机层IL1可以覆盖第二电极270。第一封装无机层IL1可以防止外部水分或氧渗透至发光元件LD。例如，第一封装无机层IL1可以包括硅氮化物、硅氧化物或组合了它们的化合物。第一封装无机层IL1可以通过沉积工序形成。
封装有机层OL可以配置在第一封装无机层IL1上而与第一封装无机层IL1接触。形成于第一封装无机层IL1的上表面的弯曲或者存在于第一封装无机层IL1上的粒子(particle)等被封装有机层OL覆盖，从而可以阻断第一封装无机层IL1的上表面的表面状态对形成在封装有机层OL上的构成带来的影响。此外，封装有机层OL可以缓和接触的各层之间的应力。封装有机层OL可以包括有机物，可以通过如旋涂、缝隙涂、喷墨工序这样的溶液工序来形成。
第二封装无机层IL2配置在封装有机层OL上而覆盖封装有机层OL。与第二封装无机层IL2配置在第一封装无机层IL1上的情况相比，可以在相对平坦的面稳定地形成第二封装无机层IL2。第二封装无机层IL2对从封装有机层OL释放的水分等进行封装来防止其流入到外部。第二封装无机层IL2可以包括硅氮化物、硅氧化物或由它们组合的化合物。第二封装无机层IL2可以通过沉积工序形成。
虽然在本说明书中未图示，但是还可以包括位于第二电极270与封装层ENC之间的盖层(capping layer)。盖层可以包括有机物质。盖层可以在后续的工序(例如，溅射工序)中保护第二电极270，从而提高发光元件LD的出光效率。盖层可以具有比第一封装无机层IL1大的折射率。
以上说明了一个像素PX所包括的多个晶体管中的一个晶体管，但是各像素PX可以包括多个晶体管。以下，参照图5b，说明各像素PX所包括的多个晶体管的例示。
如图5b所示，一实施例的显示装置的一个像素PX包括与各个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、维持电容器Cst、升压电容器Cbt以及发光二极管LED。
一个像素PX与各个布线127、128、151、152、153、154、155、171、172、741连接。各个布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描信号线151、第二扫描信号线152、初始化控制线153、旁路控制线154、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。
第一扫描信号线151与栅极驱动部(未图示)连接，从而向第二晶体管T2传递第一扫描信号GW。第二扫描信号线152可以在与第一扫描信号线151的信号相同的时刻被施加与施加至第一扫描信号线151的电压相反极性的电压。例如，在向第一扫描信号线151施加负极性的电压时，可以向第二扫描信号线152施加正极性的电压。第二扫描信号线152向第三晶体管T3传递第二扫描信号GC。
初始化控制线153向第四晶体管T4传递初始化控制信号GI。旁路控制线154向第七晶体管T7传递旁路信号GB。旁路控制线154可以由前级的第一扫描信号线151形成。发光控制线155向第五晶体管T5和第六晶体管T6传递发光控制信号EM。
数据线171是传递由数据驱动部(未图示)生成的数据电压DATA的布线，根据施加至像素PX的数据电压DATA，发光二极管LED发光的亮度会变化。
驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传递第一初始化电压VINT，第二初始化电压线128传递第二初始化电压AINT。公共电压线741向发光二极管LED的阴极施加公共电压ELVSS。在本实施例中，施加至驱动电压线172、第一初始化电压线127、第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压分别可以是恒定电压。
多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7。多个晶体管可以包括含氧化物半导体的氧化物晶体管以及含多晶硅半导体的硅晶体管。例如，第三晶体管T3和第四晶体管T4可以由氧化物晶体管形成，驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以由硅晶体管形成。但是，并不限于此，多个晶体管也可以均由硅晶体管形成。
以上说明了一个像素PX包括七个晶体管(T1至T7)、一个维持电容器Cst、一个升压电容器Cbt的情况，但是并不限于此，晶体管的数量和电容器的数量以及它们的连接关系可以以各种方式变更。
以下，参照图5c，说明包括开口区域DTA以及开口区域DTA的周边区域LA的孔区域HA。省略对于与上述的说明相同的构成要素的说明。
首先，在周边区域LA可以配置位于基板110上的缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142以及第三无机绝缘层161。缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142和第三无机绝缘层161可以是从显示区域DA延伸的形态。本说明书示出了缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142和第三无机绝缘层161均延伸至周边区域LA的实施例，但是根据实施例，缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142和第三无机绝缘层161中的至少一个也可以被省略。
按照与显示区域DA相邻的顺序，可以设置第一堤坝D1和第二堤坝D2。第一堤坝D1和第二堤坝D2可以位于周边区域LA且位于第三无机绝缘层161上。
第一堤坝D1可以包括第1-1子堤坝D1-a、第1-2子堤坝D1-b以及第1-3子堤坝D1-c。第1-1子堤坝D1-a可以利用与位于显示区域DA的第二绝缘层182相同的材料在相同的工序中制造。第1-2子堤坝D1-b可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第1-3子堤坝D1-c可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。第一堤坝D1可以在制造工序中控制封装层ENC所包括的封装有机层OL的扩散。
第二堤坝D2可以包括第2-1子堤坝D2-a、第2-2子堤坝D2-b以及第2-3子堤坝D2-c。第2-1子堤坝D2-a可以利用与位于显示区域DA的第二绝缘层182相同的材料在相同的工序中制造。第2-2子堤坝D2-b可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第2-3子堤坝D2-c可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。第二堤坝D2可以具有与第一堤坝D1实质上相同的形态。
一实施例涉及的周边区域LA还可以包括第三堤坝D3至第五堤坝D5。
第三堤坝D3可以包括第3-1子堤坝D3-a和第3-2子堤坝D3-b。第3-1子堤坝D3-a可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第3-2子堤坝D3-b可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。
第四堤坝D4可以包括第4-1子堤坝D4-a和第4-2子堤坝D4-b。第4-1子堤坝D4-a可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第4-2子堤坝D4-b可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。
第五堤坝D5可以包括第5-1子堤坝D5-a和第5-2子堤坝D5-b。第5-1子堤坝D5-a可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第5-2子堤坝D5-b可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。
第三堤坝D3至第五堤坝D5的形态可以相同。本说明书示出了包括具有相同的高度的第一堤坝D1和第二堤坝D2以及具有相同的高度的第三堤坝D3至第五堤坝D5的实施例。但是，并不限于此，也可以是包括第一堤坝D1和第二堤坝D2中的任一个并且包括第三堤坝D3至第五堤坝D5中的至少一个的实施例。此外，第一堤坝D1至第五堤坝D5之间的配置顺序也可以变更。根据实施例，堤坝的形状、个数以及配置可以以各种形式变更。
另一方面，本说明书所示的堤坝可以如图4所示那样在平面上具有包围开口区域DTA的环形状。但是，这是例示的形态，第一堤坝D1至第五堤坝D5可以具有与开口区域DTA不同的形状。作为一例，第一堤坝D1至第五堤坝D5可以具有多边形、椭圆或包括至少一部分的曲线的闭合线形状，或者也可以设置为包括部分截断的多个图案的形状，并不限于任一实施例。
从显示区域DA延伸至周边区域LA的至少一部分的中间层370和第二电极270可以位于周边区域LA。中间层370和第二电极270的末端可以与周边区域LA重叠。
第二电极270的末端可以是沿着第三方向DR3卷曲而上升的形态。第二电极270的末端可以包括毛边(Burr)CB1。除了从显示区域DA延伸至周边区域LA的第二电极270的一部分外，在周边区域LA可以去除位于与第二电极270相同的层上的层。
第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6可以位于周边区域LA。第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6可以包括与中间层370相同的物质，并且可以在相同的工序中形成。根据实施例，第一层的一部分L6可以延伸至周边区域LA的末端，可以形成开口区域DTA的内表面。
第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6可以位于一实施例涉及的周边区域LA。第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6按照与显示区域DA相邻的顺序可以包括第1-1层L1、第1-2层L2、第1-3层L3、第1-4层L4、第1-5层L5以及第1-6层L6。第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6可以彼此被间隔开。如上所述，根据实施例，作为第一层的一部分的第1-6层L6可以延伸至周边区域LA的末端，可以形成开口区域DTA的内表面。但是，并不限于此，根据实施例，也可以省略第1-6层L6。
第一层L1、L2、L3、L4、L5可以与堤坝D1、D2、D3、D4、D5重叠。第1-1层L1可以与第一堤坝D1重叠，尤其是可以与第一堤坝D1的侧面重叠。第1-2层L2可以与第二堤坝D2重叠，尤其是可以与第二堤坝D2的侧面重叠。第1-3层L3可以与第三堤坝D3重叠，尤其是可以与第三堤坝D3的侧面重叠。第1-4层L4可以与第四堤坝D4重叠，尤其是可以与第四堤坝D4的侧面重叠。第1-5层L5可以与第五堤坝D5重叠，尤其是可以与第五堤坝D5的侧面重叠。
第一层L1、L2、L3、L4、L5可以包括使堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面露出的第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5。第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5可以与堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面重叠的同时，与中间层370或第一层L1、L2、L3、L4、L5、第二电极270间隔开。第1-1层L1可以包括使第一堤坝D1的上部面露出的第1-1区域Q1。第1-2层L2可以包括使第二堤坝D2的上部面露出的第1-2区域Q2。第1-3层L3可以包括使第三堤坝D3的上部面露出的第1-3区域Q3。第1-4层L4可以包括使第四堤坝D4的上部面露出的第1-4区域Q4。第1-5层L5可以包括使第五堤坝D5的上部面露出的第1-5区域Q5。
第一层L1、L2、L3、L4、L5分别不与堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面重叠，因此可以处于与堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面间隔开的形态。
第一层L1、L2、L3、L4、L5的末端可以在第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5处比堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面更突出。在制造工序中，可以仅去除位于堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面的第一层L1、L2、L3、L4、L5，从堤坝D1、D2、D3、D4、D5的侧面延伸的第一层L1、L2、L3、L4、L5可以被残留。
位于周边区域LA的第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6可以彼此被间隔开。在相邻的第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6之间，第三无机绝缘层161被露出的区域是第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6。具体而言，位于延伸至周边区域LA的中间层370的末端与第1-1层L1之间且第三无机绝缘层161被露出的区域是第2-1区域P1。位于第1-1层L1与第1-2层L2之间且第三无机绝缘层161被露出的区域是第2-2区域P2。位于第1-2层L2与第1-3层L3之间且第三无机绝缘层161被露出的区域是第2-3区域P3。位于第1-3层L3与第1-4层L4之间且第三无机绝缘层161被露出的区域是第2-4区域P4。位于第1-4层L4与第1-5层L5之间且第三无机绝缘层161被露出的区域是第2-5区域P5。位于第1-5层L5与第1-6层L6之间且第三无机绝缘层161被露出的区域是第2-6区域P6。
与堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面重叠的第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2可以位于第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5。尤其是，第一封装无机层IL1可以在第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5具有填充由第一层L1、L2、L3、L4、L5形成的槽的形态，由此具有形成了高低差的形态。在堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面，第一封装无机层IL1可以具有位于第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5内的形态。第一封装无机层IL1可以在第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5与堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面接触。
位于第三无机绝缘层161上的第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2可以位于第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6。在位于显示区域DA与第一堤坝D1之间的第2-1区域P1，可以设有第一封装无机层IL1、封装有机层OL和第二封装无机层IL2。在第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6，第一封装无机层IL1可以与露出的第三无机绝缘层161接触。此外，第一封装无机层IL1可以位于第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6内的同时具有形成了高低差的形态。
通过开口区域DTA，第1-6层L6可以露出于外部。但是，中间层370或由与中间层370相同的物质形成的第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6具有在第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6被断开的形态，因此透湿路径被阻断，水分不会渗透到显示区域DA。
本说明书示出了分别在多个堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面去除了中间层370和第二电极270的形态。但是，并不限于此，可以在多个堤坝D1、D2、D3、D4、D5之中的至少一个堤坝中去除与中间层370相同的物质层和与第二电极270相同的物质层。可以防止流入至显示区域DA的水分的透湿。
在除了第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5和第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6以外的周边区域LA，可以层叠第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6以及位于其上的第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2。
在显示区域DA与第2-1区域P1之间，第二电极270的末端可以包括毛边CB1。第一封装无机层IL1、封装有机层OL和第二封装无机层IL2可以位于显示区域DA与第2-1区域P1之间。第二电极270所包括的毛边CB1即使贯通第一封装无机层IL1，也会被封装有机层OL覆盖，因此可以防止裂纹等的产生或者水分或异物质的渗透。
在开口区域DTA可以插入第一电子模块EM1。可以由基板110、缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142、第三无机绝缘层161、第1-6层L6、第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2的末端定义开口区域DTA的内表面。基板110、缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142、第三无机绝缘层161、第1-6层L6、第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2的末端彼此被对齐而形成开口区域DTA。根据实施例，缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142和第三无机绝缘层161中的至少一个也可以被省略。此外，根据实施例，第一层的一部分(即，第1-6层L6)可以被省略。
根据一实施例，中间层370断开的区域不仅可以位于第三无机绝缘层161上，还可以位于堤坝D1、D2、D3、D4、D5上。在中间层370断开的区域如第二区域P1、P2、P3、P4、P5、P6那样仅位于第三无机绝缘层161上的情况下，为了阻断透湿路径，第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5会位于堤坝与堤坝之间或者堤坝与开口区域DTA之间。由此，堤坝与堤坝之间的距离会增加或者堤坝与开口区域DTA之间的距离会增加，从而周边区域LA所占的面积会增加。但是，根据一实施例，阻断透湿路径的第一区域Q1、Q2、Q3、Q4、Q5位于堤坝D1、D2、D3、D4、D5上，从而可以减少周边区域LA的面积(即，无效区域(dead space))。
以下，参照图6至图11，说明制造工序涉及的显示面板。图6、图7、图8、图9、图10和图11分别是对于制造工序涉及的显示装置的部分区域的剖视图。对于与上述的构成要素相同的构成使用相同的符号，并省略重复的说明。
首先，如图6所示，一实施例涉及的显示装置形成与显示区域DA重叠且位于基板110上的晶体管Tr以及与晶体管Tr连接的第一电极191。晶体管Tr和第一电极191可以对导电物质进行图案化来形成。
在第一电极191上可以形成像素定义膜360和间隔物390。像素定义膜360可以形成为包括使第一电极191的至少一部分露出的开口部。与此同时，在周边区域LA可以形成第一堤坝D1至第五堤坝D5。第一堤坝D1至第五堤坝D5可以由包括有机物质的多层结构形成。
然后，在第一堤坝D1至第五堤坝D5的上表面以及与周边区域LA重叠的第三无机绝缘层161的上表面的一部分形成牺牲层。第一牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f可以位于第三无机绝缘层161的上表面，第二牺牲层S2-a、S2-b可以位于第一堤坝D1和第二堤坝D2的上部，第三牺牲层S3-a、S3-b、S3-c可以位于第三堤坝D3至第五堤坝D5的上部。第一牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f、第二牺牲层S2-a、S2-b和第三牺牲层S3-a、S3-b、S3-c分别可以包括金属物质，作为一例，可以包括银(Ag)、钛(Ti)、钼(Mo)中的任一种。
然后，如图7所示，利用沉积工序，形成中间物质层EL-a和第二电极物质层CAT-a。
中间物质层EL-a可以包括使用掩模而被形成为仅位于像素定义膜360的开口部的发光层以及被形成为与基板110的整个面重叠的功能物质层。功能物质层可以包括用于形成上述的空穴注入层(hole injection layer，HIL)、空穴传输层(hole transportinglayer，HTL)、电子传输层(electron transporting layer，ETL)和电子注入层(electroninjection layer，EIL)中的至少一个的物质层。
另一方面，本说明书未单独示出仅位于开口部内的发光层，并且示出了中间物质层EL-a与基板110的整个面重叠。这是示出了功能物质层与基板110的整个面重叠的形态，意味着省略了仅位于开口部内的发光层的图示。
然后，如图8所示，向周边区域LA的一部分IRA照射激光，从第三无机绝缘层161分离第一牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f，从堤坝D1、D2、D3、D4、D5分离第二牺牲层S2-a、S2-b和第三牺牲层S3-a、S3-b、S3-c。尤其是，通过激光烧蚀(Laser Ablation)，可以从第三无机绝缘层161或堤坝D1、D2、D3、D4、D5分离第一牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f、第二牺牲层S2-a、S2-b和第三牺牲层S3-a、S3-b、S3-c。
层叠在第一牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f、第二牺牲层S2-a、S2-b和第三牺牲层S3-a、S3-b、S3-c上的中间物质层EL-a和第二电极物质层CAT-a可以被去除。此外，在未设置牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f、S2-a、S2-b、S3-a、S3-b、S3-c但被照射激光的区域，第二电极物质层CAT-a可以被去除。
照射激光的区域IRA可以根据一实施例而被照射具有彼此不同的能量密度(Energy Density，ED)的激光。作为一例，可以向第一牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f、第二牺牲层S2-a、S2-b和第三牺牲层S3-a、S3-b、S3-c所处的区域照射具有高能量密度的激光a，并向其余区域照射具有低能量密度的激光b。
所照射的激光的能量密度可以在约1000mJ/cm2以下。这是为了防止绝缘层141、142、161和像素定义膜360的碳化。此外，所照射的激光束的尺寸、相邻的激光束之间的间隔等可以根据设计而变更。
另一方面，可以在从显示区域DA朝向将会形成开口区域DTA的区域的方向上照射激光a和激光b。
通过去除牺牲层S1-a、S1-b、S1-c、S1-d、S1-e、S1-f、S2-a、S2-b、S3-a、S3-b、S3-c，如图9所示，在周边区域LA形成第一层L1、L2、L3、L4、L5、L6。在显示区域DA形成包括第一电极191、中间层370和第二电极270的发光元件LD。除了从显示区域DA延伸而与周边区域LA的一部分重叠的第二电极270外，第二电极物质层CAT-a可以被去除。
第一层L1、L2、L3、L4、L5可以与堤坝D1、D2、D3、D4、D5的侧面重叠。第一层L1、L2、L3、L4、L5可以使堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面露出。此外，第一层L1、L2、L3、L4、L5可以包括比堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面突出的一末端。
然后，如图10所示，可以在基板110的整个面形成第一封装无机层IL1。然后，封装有机层OL可以被形成为与显示区域DA重叠的同时位于周边区域LA的一部分。在形成封装有机层OL的工序中，可以通过第一堤坝D1防止液状的有机物质的扩散。封装有机层OL可以通过将液状的有机物质涂布在第一封装无机层IL1上的喷墨方式形成。此时，第一堤坝D1设定涂布液状的有机物质的区域的边界且防止液状的有机物质向第一堤坝D1的外侧溢出。然后，在封装有机层OL上形成第二封装无机层IL2以使其与基板110的整个面重叠。第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2可以在周边区域LA彼此接触。
然后，如图11所示，形成开口区域DTA。开口区域DTA可以贯通基板110来形成。开口区域DTA可以通过激光照射工序或钻孔工序形成。
然后，在开口区域DTA可以安装上述的第一电子模块EM1。开口区域DTA可以由基板110的末端、缓冲层111的末端、第一无机绝缘层141和第二无机绝缘层142的末端、第三无机绝缘层161的末端、第1-6层L6的末端、第一封装无机层IL1的末端和第二封装无机层IL2的末端被对齐的内表面形成。
在一实施例涉及的激光照射工序或钻孔工序中，部分粒子可能会流入显示面板DP内。此时，在周边区域LA，即便粒子流入，在堤坝D1、D2、D3、D4、D5的上部面等处，由于作为透湿路径的中间层370被断开，因此可以阻断水分的渗透路径。
以下，参照图12、图13、图14和图15来说明一实施例涉及的显示面板。图12是表示一实施例涉及的显示面板的制造工序的顺序图，图13、图14和图15分别是对于一实施例涉及的显示面板的部分区域的剖视图。省略对于在前说明过的构成要素的说明。
在上述的附图的基础上参照图12，简单说明一实施例涉及的显示面板的制造方法时，首先在基板110上形成晶体管Tr(S100)。在晶体管Tr上形成绝缘层181、182(S200)。然后，在绝缘层181、182上形成与晶体管Tr电连接的第一电极191(S300)。然后，在第一电极191上形成像素定义膜360(S400)。在像素定义膜360的至少一部分上形成间隔物390(S500)。然后，形成中间层370和第二电极270(S600)。
参照图13，一实施例涉及的显示面板DP可以包括第一堤坝D1、第二堤坝D2和第三堤坝D3。
第一堤坝D1可以包括第1-1子堤坝D1-a、第1-2子堤坝D1-b和第1-3子堤坝D1-c。第1-1子堤坝D1-a可以利用与位于显示区域DA的第二绝缘层182相同的材料在相同的工序中制造。第1-2子堤坝D1-b可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第1-3子堤坝D1-c可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。第一堤坝D1可以在制造工序中控制封装层ENC所包括的封装有机层OL的扩散。
第二堤坝D2可以包括第2-1子堤坝D2-a、第2-2子堤坝D2-b、第2-3子堤坝D2-c和第2-4子堤坝D2-d。第2-1子堤坝D2-a可以利用与位于显示区域DA的第一绝缘层181相同的材料在相同的工序中制造。第2-2子堤坝D2-b可以利用与位于显示区域DA的第二绝缘层182相同的材料在相同的工序中制造。第2-3子堤坝D2-c可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第2-4子堤坝D2-d可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。
第三堤坝D3可以包括第3-1子堤坝D3-a和第3-2子堤坝D3-b。第3-1子堤坝D3-a可以利用与位于显示区域DA的像素定义膜360相同的材料在相同的工序中制造。第3-2子堤坝D3-b可以利用与位于显示区域DA的间隔物390相同的材料在相同的工序中制造。
参照图13，一实施例涉及的第一层L1、L2、L3可以包括第1-1层L1、第1-2层L2和第1-3层L3。在第一堤坝D1至第三堤坝D3中的第一堤坝D1上，第1-1层L1可以包括使第一堤坝D1的上部面露出的第一区域Q1。第一堤坝D1的上部面可以与第1-1层L1间隔开。第1-2层L2可以与第二堤坝D2的上部面重叠，第1-3层L3可以与第三堤坝D3的上部面重叠。此外，第一层L1、L2、L3可以包括使第三无机绝缘层161露出的第二区域P1、P2、P3、P4。
开口区域DTA的内表面可以由基板110、缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142、第三无机绝缘层161、第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2的末端定义。基板110、缓冲层111、第一无机绝缘层141、第二无机绝缘层142、第三无机绝缘层161、第一封装无机层IL1和第二封装无机层IL2的末端彼此被对齐而形成开口区域DTA。
根据一实施例，位于周边区域LA的堤坝D1、D2、D3可以以各种形态和配置被变形。此外，位于周边区域LA的第一层L1、L2、L3可以具有与至少一个堤坝(例如，第一堤坝D1)的上部面间隔开的形态。此外，开口区域DTA可以在由中间物质层EL-a和第二电极物质层CAT-a形成的层的末端不露出。
然后，如图14所示，一实施例涉及的第一层L1、L2、L3可以包括第1-1层L1、第1-2层L2和第1-3层L3。在第一堤坝D1至第三堤坝D3中的第一堤坝D1上，第1-1层L1可以包括使第一堤坝D1的上部面露出的第一区域Q1。此外，在第二堤坝D2上，第1-2层L2可以包括使第二堤坝D2的上部面露出的第二区域Q2。第一堤坝D1的上部面可以与第1-1层L1间隔开。第二堤坝D2的上部面可以与第1-2层L2间隔开。第1-3层L3可以与第三堤坝D3的上部面重叠。此外，第一层L1、L2、L3可以包括使第三无机绝缘层161露出的第二区域P1、P2、P3、P4。
根据一实施例，位于周边区域LA的堤坝D1、D2、D3可以以各种形态和配置被变形。此外，位于周边区域LA的第一层L1、L2、L3可以具有与至少一个堤坝(例如，第一堤坝D1和第二堤坝D2)的上部面间隔开的形态。此外，开口区域DTA可以在由中间物质层EL-a和第二电极物质层CAT-a形成的层的末端不露出。
另一方面，参照图15，一实施例涉及的第一层L1、L2、L3可以包括第1-1层L1、第1-2层L2和第1-3层L3。在第一堤坝D1至第三堤坝D3中的第一堤坝D1上，第1-1层L1可以包括使第一堤坝D1的上部面露出的第一区域Q1。此外，在第三堤坝D3上，第1-3层L3可以包括使第三堤坝D3的上部面露出的第二区域Q2。第一堤坝D1的上部面可以与第1-1层L1间隔开。第三堤坝D3的上部面可以与第1-3层L3间隔开。第1-2层L2可以与第二堤坝D2的上部面重叠。
此外，与第一堤坝D1重叠的第1-1层L1和与第二堤坝D2重叠的第1-2层L2可以彼此被连接。与第二堤坝D2重叠的第1-2层L2和与第三堤坝D3重叠的第1-3层L3可以彼此被连接。第一层L1、L2、L3的连接形态可以根据在制造工序中提供的牺牲层的位置而变形。根据一实施例，位于堤坝与堤坝之间的牺牲层可以被省略，根据这种实施例，如图15所示，相邻的第一层之间可以彼此被连接。
此外，根据一实施例，还可以包括与第二堤坝D2重叠的第二层M1。第二层M1可以在与位于显示区域DA的第二电极270相同的工序中制造，并且可以包括与第二电极270相同的物质。第二层M1的末端可以包括毛边CB′、CB″。一实施例涉及的第二电极物质层CAT-a可以与有无牺牲层无关地在照射激光的区域中被去除。在上述的图8中说明了激光照射连续的区域IRA的实施例，但是并不限于此，可以不连续地照射激光。在不照射激光的区域中，第二电极物质层CAT-a不会被去除。在不照射激光的区域，如第二层M1那样第二电极物质层CAT-a可以被残留。
然后，图16是根据一实施例表示与所照射的激光的能量密度相关的碳化的产生与否的图片。参照图16，根据一实施例所照射的激光的能量密度可以在约1000mJ/cm2以下。所照射的激光的能量密度在1000mJ/cm2以上、尤其是在1200至1400mJ/cm2、1600mJ/cm2、1800mJ/cm2的情况下，确认出在绝缘层、像素定义膜或间隔物中产生了碳化。
以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中定义的本发明的基本概念进行的各种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板，包括开口区域、包围所述开口区域的周边区域以及包围所述周边区域的显示区域；
晶体管，与所述显示区域重叠且位于所述基板上；
绝缘层，位于所述晶体管上；
第一电极，位于所述绝缘层上；
像素定义膜，位于所述第一电极上；
中间层及第二电极，与所述第一电极重叠，所述中间层包括功能层；
堤坝，与所述周边区域重叠；以及
第一层，与所述周边区域重叠并且与所述中间层间隔开，
所述第一层与所述堤坝的上部面间隔开并且覆盖所述堤坝的侧面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一层的末端比所述堤坝的上部面突出。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：封装层，位于所述第二电极上，
所述封装层包括第一封装无机层、封装有机层以及第二封装无机层，
所述第二电极的末端与所述封装有机层重叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括：无机绝缘层，位于所述晶体管与所述基板之间，
所述第一层包括：
第一区域，使所述堤坝的上部面露出；以及
第二区域，使所述无机绝缘层的一部分露出。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
在所述堤坝的上部面，所述第一封装无机层位于所述第一区域内。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一封装无机层与在所述第二区域露出的所述绝缘层接触，并且具有高低差。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
与所述周边区域重叠的所述第二电极的末端具有被卷曲而上升的形态。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述堤坝包括高度彼此不同的多个堤坝，
所述第一区域与所述多个堤坝中的至少一个重叠。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述堤坝包括高度彼此不同的多个堤坝，
所述第一区域与所述多个堤坝中的至少一个重叠。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少任一个，
所述第一层包括与所述空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少任一个相同的物质。
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