CN114447018A - 显示装置及该显示装置的制造方法 - Google Patents

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姜泰旭
徐甲锺
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Abstract

本发明涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法，显示装置包括：基板部；第一堤，在所述基板部上相隔而布置；第一电极和第二电极，布置于所述第一堤上，并且布置为覆盖所述第一堤并彼此隔开；发光元件，布置于所述第一电极与所述第二电极之间；第一接触电极，与所述第一电极连接，并且与所述发光元件的一端接触；以及第二接触电极，与所述第二电极连接，并且与所述发光元件的另一端接触，其中，所述第一接触电极包括第一物质，所述第二接触电极包括第二物质，所述第一物质与所述第二物质的物理性质不同。

Description

显示装置及该显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置及该显示装置的制造方法。
背景技术
随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的要求正以各种形式增加。例如，显示装置应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本电脑、导航仪及智能电视之类多种电子设备。显示装置可以是诸如液晶显示装置(Liquid Crystal Display Device)、场发射显示装置(Field Emission Display Device)、有机发光显示装置(Organic LightEmitting Display Device)等的平板显示装置。在这些平板显示装置中，发光显示装置包括能够使显示面板的像素分别独自发光的发光元件，从而在没有向显示面板提供光的背光单元的情况下也可以显示图像。
另外，显示面板具有包括堤层、多个电极层及多个绝缘层的多层结构。
尤其，在第一接触电极和第二接触电极形成于彼此不同的层的情况下，需要单独形成用于覆盖所述第一接触电极的元件绝缘层和用于覆盖所述第二接触电极的元件绝缘层。在此情况下，可能额外地消耗针对用于形成元件绝缘层的设备的费用。
因此，为了省略追加的元件绝缘层的形成，可以考虑将所述第一接触电极和所述第二接触电极形成在同一层的方式，在此情况下，在用于形成所述第一接触电极和所述第二接触电极的光刻机的分辨率或光刻机的套刻(Overlay)能力上存在限制。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种显示装置的制造方法，该方法可以将第一接触电极和第二接触电极形成于同一层，并且可以与光刻机的分辨率或光刻机的套刻能力无关地较简单地形成第一接触电极和第二接触电极。
本发明所要解决的另一技术问题是提供一种通过上述的显示装置的制造方法而制造的显示装置。
本发明的技术问题并不局限于以上所提及的技术问题，未提及的其他技术技术问题可以通过以下内容被本领域技术人员明确地理解。
用于解决上述技术问题的根据一实施例的显示装置包括：基板部；第一堤，在所述基板部上相隔而布置；第一电极和第二电极，布置于所述第一堤上，并且布置为覆盖所述第一堤并彼此隔开；发光元件，布置于所述第一电极与所述第二电极之间；第一接触电极，与所述第一电极连接，并且与所述发光元件的一端接触；以及第二接触电极，与所述第二电极连接，并且与所述发光元件的另一端接触，其中，所述第一接触电极包括第一物质，所述第二接触电极包括第二物质，所述第一物质与所述第二物质的物理性质不同。
用于解决上述另一技术问题的根据一实施例的显示装置的制造方法包括：基板准备步骤，准备布置有相隔而布置的第一堤的基板部；电极形成步骤，形成彼此隔开布置且布置于所述第一堤上而覆盖所述第一堤的第一电极和第二电极；第一元件绝缘层形成步骤，在所述第一电极及所述第二电极上形成第一元件绝缘层；发光元件布置步骤，在所述第一元件绝缘层上的所述第一电极与所述第二电极之间布置发光元件；第二元件绝缘层形成步骤，在所述发光元件的上表面形成第二元件绝缘层；第一接触电极物质形成步骤，在所述第二元件绝缘层上的整体表面上形成第一接触电极物质层；第一接触电极形成步骤，形成将所述第二元件绝缘层的中央部以及另一侧端部暴露的第一接触电极；第二接触电极物质形成步骤，在所述第一接触电极上的整体表面上形成第二接触电极物质层；以及第二接触电极形成步骤，形成使所述第二元件绝缘层的中央部及一侧端部暴露的第二接触电极，其中，所述第一接触电极包括第一物质，所述第二接触电极包括第二物质，所述第一物质和所述第二物质的物理性质不同。
其他实施例的具体事项包括于详细的说明以及附图。
根据基于实施例的显示装置及显示装置的制造方法，可以将第一接触电极和第二接触电极形成于同一层，并且可以与光刻机的分辨率或光刻机的套刻能力无关地较简单地形成第一接触电极和第二接触电极。
根据实施例的效果并不局限于以上举例示出的内容，更加多样的效果包括在本说明书内。
附图说明
图1是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
图2是沿图1的放大图的I-I’线切割的剖视图。
图3是示出根据一实施例的显示装置的一个像素的平面图。
图4是沿图3的II-II’线切割的剖视图。
图5是示出根据一实施例的发光元件的图。
图6是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
图7至图17是按照根据一实施例的显示装置的制造方法的工艺步骤的剖视图。
图18是示出根据光的波长的非结晶ITO、结晶ITO、非结晶IZO以及结晶IZO的透射率的曲线图。
图19是根据另一实施例的显示装置的剖视图。
附图标记说明：
SUB：基板部 DEP：显示元件层
ENC：封装部件 AE：第一电极
CE：第二电极 QPAS1：第一元件绝缘层
QPAS2：第二元件绝缘层 QPAS3：第三元件绝缘层
CTE1：第一接触电极 CTE2：第二接触电极
具体实施方式
参照与附图一起详细后述的实施例，可以明确本发明的优点和特征以及达成这些的方法。然而本发明可以呈现为互不相同的多种形态，并不局限于以下公开的实施例，本实施例仅用于使本发明的公开完整并为了向本发明所属技术领域中具有普通知识的人完整地告知发明的范围而提供，本发明仅由权利要求的范围来定义。
提及元件(elements)或者层在其他元件或者层“上(on)”的情形包括在其他元件的紧邻的上方的情形或者在中间夹设有其他层或者其他元件的情形。贯穿整个说明书，相同的附图标记指代相同的构成要素。用于说明实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，因此本发明并不局限于图示的事项。
虽然第一、第二等术语用于叙述多种构成要素，但这些构成要素显然不受限于这些术语。这些术语仅用于将一个构成要素与另一构成要素进行区分。因此，以下提及的第一构成要素在本发明的技术思想内，显然也可以是第二构成要素。
本发明的多个实施例的各个特征能够局部地或全部地相互结合或组合，并且能够在技术上进行多样的联动及驱动，各个实施例对于彼此而言能够独立地进行实施，也能够以相关关系一同实施。
以下，参照附图针对具体的实施例进行说明。
图1是示出根据一实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据一实施例的显示装置可以具有矩形平面形状。然而，不限于此，显示装置的平面形状也可以具有正方形、圆形、椭圆形或其他多边形。以下，以将矩形作为显示装置的平面形状而应用的情况为中心进行说明。
显示装置包括提供显示画面的显示面板。作为显示面板的例可以列举无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。以下，以将无机发光二极管显示面板作为显示面板的一例而应用的情况进行示例，然而不限于此，只要能够应用相同的技术思想，也可以应用其他显示面板。
显示装置可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括多个像素PX而显示图像。多个像素PX可以以矩阵方式排列。非显示区域NDA可以布置于显示区域DA的周边而围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。非显示区域NDA可在平面上完全围绕显示区域DA。显示区域DA可以被称为活性区域，并且非显示区域NDA可以被称为非活性区域。显示区域DA通常可以占据显示装置的中心。
非显示区域NDA可分别位于显示区域DA的第一方向DR1上的另一侧、第一方向DR1上的一侧、第二方向DR2上的一侧及第二方向DR2上的另一侧。然而，并不限于此，非显示区域NDA也可以仅位于显示区域DA的第一方向DR1上的一侧和另一侧，或者也可以仅位于显示区域DA的第二方向DR2上的一侧和另一侧。在每个非显示区域NDA可以布置有包括在显示装置的布线或电路驱动部，或者可以安装有外部装置。
参照图1的放大图，显示装置的多个像素PX中的每一个可以包括由像素定义膜限定的发光区域LA1、LA2、LA3，并且可以通过发光区域LA1、LA2、LA3发出具有预定的峰值波长的光。例如，显示装置的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3中的每一个可以是由显示装置的发光元件产生的光向显示装置的外部发出的区域。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3可以向显示装置的外部发出具有预定的峰值波长的光。第一发光区域LA1可以发出第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发出第二颜色的光，并且第三发光区域LA3可以发出第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有610nm至650nm范围的峰值波长的红光，第二颜色的光可以是具有510nm至550nm范围的峰值波长的绿光，并且第三颜色的光可以是具有440nm至480nm范围的峰值波长的蓝光，然而不限于此。
显示装置的显示区域DA可以包括位于相邻的发光区域LA1、LA2、LA3之间的发光区域间的遮光区域。例如，发光区域间的遮光区域可以围绕第一发光区域LA1至第三发光区域LA3。
图2是沿图1的放大图的I-I'线切割的剖视图。
参照图2，显示装置可以包括经显示区域DA和非显示区域NDA而布置的基板部SUB、布置于显示区域DA的基板部SUB上的显示元件层DEP、经显示区域DA和非显示区域NDA而布置并且封装显示元件层DEP的封装部件ENC。
基板部SUB可以利用诸如高分子树脂等的绝缘物质构成。所述绝缘物质可以包括例如聚酰亚胺(PI)，然而不限于此。
显示元件层DEP可以包括缓冲层BF、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、第二平坦化层OC2、第一覆盖层CAP1、第一遮光部件BK1、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、光透射部LTU、第二覆盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二遮光部件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、第三保护层PAS3及封装部件ENC。
缓冲层BF可以布置于基板部SUB上。缓冲层BF可以利用能够防止空气或水分渗透的无机膜构成。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜GI、层间绝缘膜ILD、第一保护层PAS1及第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以布置于缓冲层BF上，并且可以构成多个像素中的每一个的像素电路。
半导体层ACT可以配备于缓冲层BF上。半导体层ACT可以与栅极电极GE、源极电极SE及漏极电极DE重叠。半导体层ACT可以与源极电极SE及漏极电极DE直接接触，并且可以将栅极绝缘膜GI置于中间而与栅极电极GE面对。
栅极电极GE可以布置于栅极绝缘膜GI的上部。栅极电极GE可以将栅极绝缘膜GI置于中间而与半导体层ACT重叠。
源极电极SE及漏极电极DE可以在层间绝缘膜ILD上彼此隔开而布置。源极电极SE可以通过配备于栅极绝缘膜GI及层间绝缘膜ILD的接触孔而与半导体层ACT的一端接触。漏极电极DE可以通过配备于栅极绝缘膜GI及层间绝缘膜ILD的接触孔而与半导体层ACT的另一端接触。漏极电极DE可以通过配备于第一保护层PAS1及第一平坦化层OC1的接触孔而连接于发光部件EL的第一电极AE。
栅极绝缘膜GI可以配备于半导体层ACT的上部。例如，栅极绝缘膜GI可以布置于半导体层ACT及缓冲层BF的上部，并且可以使半导体层ACT与栅极电极GE绝缘。栅极绝缘膜GI可以包括使源极电极SE贯通的接触孔及使漏极电极DE贯通的接触孔。
层间绝缘膜ILD可以布置于栅极电极GE的上部。例如，层间绝缘膜ILD可以包括使源极电极SE贯通的接触孔及使漏极电极DE贯通的接触孔。
第一保护层PAS1可以配备于薄膜晶体管TFT的上部而保护薄膜晶体管TFT。例如，第一保护层PAS1可以包括使第一电极AE贯通的接触孔。
第一平坦化层OC1可以配备于第一保护层PAS1的上部而使薄膜晶体管TFT的上端平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括使发光部件EL的第一电极AE贯通的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光部件EL、第一堤BNK1、第二堤BNK2、第一元件绝缘层QPAS1及第二保护层PAS2。
发光部件EL可以配备于薄膜晶体管TFT上。发光部件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE及发光元件ED。
第一电极AE可以配备于第一平坦化层OC1的上部。例如，第一电极AE可以布置于在第一平坦化层OC1上布置的第一堤BNK1上而覆盖第一堤BNK1。第一电极AE可以布置为与由第二堤BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3中的一个发光区域重叠。并且，第一电极AE可以连接于薄膜晶体管TFT的漏极电极DE。
第二电极CE可以配备于第一平坦化层OC1的上部。例如，第二电极CE可以布置于在第一平坦化层OC1上布置的第一堤BNK1上而覆盖第一堤BNK1。第二电极CE可以布置为与由第二堤BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3中的一个发光区域重叠。例如，第二电极CE可以接收供应至所有像素的公共电压。
第一元件绝缘层QPAS1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE和第二电极CE绝缘。
发光元件ED可以在第一平坦化层OC1的上部布置于第一电极AE与第二电极CE之间。发光元件ED可以布置于第一元件绝缘层QPAS1上。发光元件ED的一端可以连接于第一电极AE，发光元件ED的另一端可以连接于第二电极CE。例如，多个发光元件ED可以包括具有相同物质的活性层，从而可以发出相同波段的光或相同颜色的光。从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3中的每一个发出的光可以具有相同的颜色。例如，多个发光元件ED可以发出具有440nm至480nm范围的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。
第二堤BNK2可以布置于第一平坦化层OC1上而限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3。例如，第二堤BNK2可以围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3中的每一个，但不限于此。第二堤BNK2可以布置于遮光区域BA。
第二保护层PAS2可以布置于多个发光部件EL及第二堤BNK2上。第二保护层PAS2可以覆盖多个发光部件EL，并且可以保护多个发光部件EL。
显示装置还可以包括第二平坦化层OC2、第一覆盖层CAP1、第一遮光部件BK1、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、光透射部LTU、第二覆盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二遮光部件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、第三保护层PAS3及封装部件ENC。
第二平坦化层OC2可以配备于发光元件层EML的上部而使发光元件层EML的上端平坦化。第二平坦化层OC2可以包括有机物质。
第一覆盖层CAP1可以布置于第二平坦化层OC2上。第一覆盖层CAP1可以封装第一波长转换部WLC1及第二波长转换部WLC2和光透射部LTU的下表面。第一覆盖层CAP1可以包括无机物质。
第一遮光部件BK1可以布置于第一覆盖层CAP1上的遮光区域BA。第一遮光部件BK1可以沿厚度方向与第二堤BNK2重叠。第一遮光部件BK1可以阻挡光的透射。
第一遮光部件BK1可以包括有机遮光物质和疏液成分。
第一遮光部件BK1可以包括疏液成分，从而可以将第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU分离至对应的发光区域LA。
第一波长转换部WLC1可以布置于第一覆盖层CAP1上的第一发光区域LA1。第一波长转换部WLC1可以被第一遮光部件BK1围绕。第一波长转换部WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1及第一波长移位器WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括光透射率相对较高的物质。第一基础树脂BS1可以利用透明有机物质构成。例如，第一基础树脂BS1可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂及酰亚胺树脂等的有机物质中的至少一种。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1形成光学界面。
第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或移位成第一峰值波长。例如，第一波长移位器WLS1可以将从显示装置提供的蓝光转换为具有610nm至650nm范围的单一峰值波长的红光并发出。第一波长移位器WLS1可以是量子点、量子棒或荧光体。量子点可以是电子从导带转移至价带而发出特定的颜色的颗粒状的物质。
第一波长移位器WLS1发出的光可以具有45nm以下、40nm以下或者30nm以下的发光波长光谱半峰全宽(FWHM：Full Width of Half Maximum)，并且可以进一步改善显示装置显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。
从发光元件层EML提供的蓝光的一部分可以不借由第一波长移位器WLS1转换为红光而透过第一波长转换部WLC1。从发光元件层EML提供的蓝光中的不借由第一波长转换部WLC1转换而入射至第一滤色器CF1的光可以被第一滤色器CF1阻挡。并且，从显示装置提供的蓝光中的借由第一波长转换部WLC1转换的红光可以透过第一滤色器CF1并向外部射出。因此，第一发光区域LA1可以发出红光。
第二波长转换部WLC2可以布置于第一覆盖层CAP1上的第二发光区域LA2。第二波长转换部WLC2可以被第一遮光部件BK1围绕。第二波长转换部WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2及第二波长移位器WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括具有光透射率相对较高的物质。第二基础树脂BS2可以利用透明有机物质构成。
第二散射体SCT2可具有与第二基础树脂BS2不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括用于使透射光的至少一部分散射的光散射物质或光散射粒子。
第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或移位为与被第一波长移位器WLS1转换或移位的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位器WLS2可以将从显示装置提供的蓝光转换为具有510nm至550nm范围的单一峰值波长的绿光并发出。第二波长移位器WLS2可以是量子点、量子棒或荧光体。第二波长移位器WLS2可以包括与在第一波长移位器WLS1中示例的物质相同宗旨的物质。
光透射部LTU可以布置于第一覆盖层CAP1上的第三发光区域LA3。光透射部LTU可以被第一遮光部件BK1围绕。光透射部LTU可以维持入射光的峰值波长并使其透过。光透射部LTU可以包括第三基础树脂BS3及第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括光透射率相对较高的物质。第三基础树脂BS3可以利用透明有机物质构成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3不同的折射率，并且可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括用于使透射光的至少一部分散射的光散射物质或光散射粒子。
第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2和光透射部LTU可以通过第二平坦化层OC2及第一覆盖层CAP1而布置于发光元件层EML上，从而显示装置可以不需要用于第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2和光透射部LTU的单独的基板。
第二覆盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、光透射部LTU及第一遮光部件BK1。
第三平坦化层OC3可以布置于第二覆盖层CAP2的上部而使第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2和光透射部LTU的上端平坦化。第三平坦化层OC3可以包括有机物质。
第二遮光部件BK2可以布置于第三平坦化层OC3上的遮光区域BA。第二遮光部件BK2可以沿厚度方向与第一遮光部件BK1或第二堤BNK2重叠。第二遮光部件BK2可以阻挡光的透射。
第一滤色器CF1可以布置于第三平坦化层OC3上的第一发光区域LA1。第一滤色器CF1可以被第二遮光部件BK2围绕。第一滤色器CF1可以沿厚度方向与第一波长转换部WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地使第一颜色的光(例如，红光)透射，并且可以阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)及第三颜色的光(例如，蓝光)。
第二滤色器CF2可以布置于第三平坦化层OC3上的第二发光区域LA2。第二滤色器CF2可以被第二遮光部件BK2围绕。第二滤色器CF2可以沿厚度方向与第二波长转换部WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地使第二颜色的光(例如，绿光)透射，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)及第三颜色的光(例如，蓝光)。
第三滤色器CF3可以布置于第三平坦化层OC3上的第三发光区域LA3。第三滤色器CF3可以被第二遮光部件BK2围绕。第三滤色器CF3可以沿厚度方向与光透射部LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地使第三颜色的光(例如，蓝光)透射，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3可以吸收从显示装置的外部流入的光的一部分而减少由外光引起的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3可以防止借由外光反射引起的颜色的失真。
第三保护层PAS3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3。第三保护层PAS3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3。
封装部件ENC可以布置于第三保护层PAS3上。例如，封装部件ENC可以包括至少一个无机膜而防止氧气或水分渗透。并且，封装部件ENC可以包括至少一个有机膜而保护显示装置免受诸如灰尘之类的杂质的影响。
图3是示出根据一实施例的显示装置的一个像素的平面图。图4是沿图3的II-II'线切割的剖视图。
与图2一同参照图3及图4，多个像素中的每一个可以包括第一子像素至第三子像素。第一子像素至第三子像素中的每一个可以分别对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3。第一子像素至第三子像素中的每一个的发光元件ED可以通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3发出光。
第一子像素至第三子像素中的每一个可以发出相同颜色的光。例如，第一子像素至第三子像素中的每一个可以包括相同种类的发光元件ED，并且可以发出第三颜色的光或蓝色光。作为另一例，第一子像素可以发出第一颜色的光或红光，第二子像素可以发出第二颜色的光或绿光，第三子像素可以发出第三颜色的光或蓝光。
第一子像素至第三子像素中的每一个可以包括第一电极AE、第二电极CE、发光元件ED、多个接触电极CTE及多个第二堤BNK2。
第一电极AE及第二电极CE可以与发光元件ED电连接而接收预定的电压，并且发光元件ED可以发出特定波段的光。第一电极AE及第二电极CE中的至少一部分可以在像素内形成电场，并且发光元件ED可以借由电场而被整齐排列。
例如，第一电极AE可以是按第一子像素至第三子像素中的每一个而分离的像素电极，并且第二电极CE可以是与第一子像素至第三子像素共同连接的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的任意一个可以是发光元件ED的阳极(Anode)电极，另一个可以是发光元件ED的阴极(Cathode)电极。
第一电极AE可包括：第一电极枝条部AE1，沿第一方向DR1延伸；以及至少一个第一电极分支部AE2，从第一电极枝条部AE1分支，并沿第二方向DR2延伸。
第一子像素至第三子像素中的每一个的第一电极枝条部AE1可以与相邻的子像素的第一电极枝条部AE1隔开，第一电极枝条部AE1可以布置于沿第一方向DR1相邻的子像素的第一电极枝条部AE1的虚拟的延伸线上。第一子像素至第三子像素中的每一个的第一电极枝条部AE1可以接收彼此不同的信号，并且可以被独立地驱动。
第一电极分支部AE2可以从第一电极枝条部AE1分支并沿第二方向DR2延伸。第一电极分支部AE2的一端可以与第一电极枝条部AE1连接，第一电极分支部AE2的另一端可以与和第一电极枝条部AE1对向的第二电极枝条部CE1隔开。
第二电极CE可以包括：第二电极枝条部CE1，沿第一方向DR1延伸；以及第二电极分支部CE2，从第二电极枝条部CE1分支，并且沿第二方向DR2延伸。第一子像素至第三子像素中的每一个的第二电极枝条部CE1可以与相邻的子像素的第二电极枝条部CE1连接。第二电极枝条部CE1可以沿第一方向DR1延伸而贯穿多个像素。第二电极枝条部CE1可以与显示区域DA的外围部或者在非显示区域NDA沿一方向延伸的部分连接。
第二电极分支部CE2可以与第一电极分支部AE2隔开而对向。第二电极分支部CE2的一端可以连接于第二电极枝条部CE1，并且第二电极分支部CE2的另一端可以与第一电极枝条部AE1隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔CNT1而与显示装置的薄膜晶体管层TFTL电连接，并且第二电极CE可以通过第二接触孔(未图示)而与显示装置的薄膜晶体管层TFTL电连接。例如，第一接触孔CNT1可以布置于多个第一电极枝条部AE1中的每一个，并且第二接触孔(未图示)可以布置于第二电极枝条部CE1，但不限于此。
第二堤BNK2可以布置于多个像素之间的边界。多个第一电极枝条部AE1可以以第二堤BNK2为基准彼此隔开。第二堤BNK2可以沿第二方向DR2延伸，并且可以布置于沿第一方向DR1排列的像素SP的边界。另外，第二堤BNK2也可以布置于沿第二方向DR2排列的像素SP的边界。第二堤BNK2可以限定多个像素的边界。
当制造显示装置时，第二堤BNK2可以防止在喷射分散有发光元件ED的墨水时墨水越过像素SP的边界。第二堤BNK2可以分离分散有彼此不同的发光元件ED的墨水而防止它们之间彼此混合。
发光元件ED可以布置于第一电极AE与第二电极CE之间。发光元件ED的一端可以与第一电极AE连接，发光元件ED的另一端可以与第二电极CE连接。
多个发光元件ED可以布置为彼此隔开，并且可以以实质上彼此平行的方式整齐排列。发光元件ED之间相隔的间距并不特别受限制。
多个发光元件ED可以包括具有相同物质的活性层，并且可以发出相同波段的光或相同颜色的光。第一子像素至第三子像素可以发出相同颜色的光。例如，多个发光元件ED可以发出具有440nm至480nm范围的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部AE2和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部AE2和发光元件ED电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部CE2和发光元件ED的另一部分，并且可以将第二电极分支部CE2和发光元件ED电连接。
第一接触电极CTE1可以布置于第一电极分支部AE2上，并且沿第二方向DR2延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一端接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1而与第一电极AE电连接。
第二接触电极CTE2可以布置于第二电极分支部CE2上，并且沿第二方向DR2延伸。第二接触电极CTE2可以沿第一方向DR1与第一接触电极CTE1隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一端接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2而与第二电极CE电连接。
显示装置的发光元件层EML可以布置于薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一元件绝缘层QPAS1、第二元件绝缘层QPAS2及第三元件绝缘层QPAS3。
多个第一堤BNK1可以分别布置于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2及第三发光区域LA3。多个第一堤BNK1中的每一个可以对应于第一电极AE或第二电极CE。第一电极AE及第二电极CE中的每一个可以布置于对应的第一堤BNK1上。例如，多个第一堤BNK1可以布置于第一平坦化层OC1上，并且多个第一堤BNK1中的每一个的侧表面可以从第一平坦化层OC1倾斜。第一堤BNK1的倾斜面可以反射从发光元件ED发出的光。
第一电极枝条部AE1可以包括贯通第一平坦化层OC1的第一接触孔CNT1。第一电极枝条部AE1可以通过第一接触孔CNT1而与薄膜晶体管TFT电连接。
第二电极枝条部CE1可以沿第一方向DR1延伸，并且也可以布置于未布置发光元件ED的非发光区域中。第二电极枝条部CE1可以包括贯通第一平坦化层OC1的第二接触孔(未图示)。第二电极枝条部CE1可以通过第二接触孔(未图示)而与电源电极电连接。第二电极CE可以从电源电极接收预定的电信号。
第一电极AE及第二电极CE可以包括透明导电性物质。第一电极AE及第二电极CE可以包括反射率较高的导电性物质。第一电极AE及第二电极CE构成为透明导电性物质和反射率较高的金属分别层叠有一层以上的结构，或者可以包括这些而形成为一个层。
第一元件绝缘层QPAS1可以布置于第一平坦化层OC1、第一电极AE及第二电极CE上。第一元件绝缘层QPAS1可以覆盖第一电极AE及第二电极CE中的每一个的一部分。
第一元件绝缘层QPAS1可以保护第一电极AE及第二电极CE，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。第一元件绝缘层QPAS1可以防止发光元件ED与其他部件直接接触而受损。
发光元件ED可以在第一元件绝缘层QPAS1上布置于第一电极AE与第二电极CE之间。发光元件ED的一端可以连接于第一电极AE，发光元件ED的另一端可以连接于第二电极CE。
第二元件绝缘层QPAS2可以局部地布置于布置在第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件ED上。第二元件绝缘层QPAS2可以布置于发光元件ED的上表面的中央部。第三元件绝缘层QPAS3可以局部地覆盖发光元件ED的外表面。第三元件绝缘层QPAS3可以保护发光元件ED。第三元件绝缘层QPAS3可以包覆发光元件ED的外表面。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部AE2和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部AE2和发光元件ED电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部CE2和发光元件ED的另一部分，并且可以将第二电极分支部CE2和发光元件ED电连接。
第一接触电极CTE1可以布置于第一电极分支部AE2上，并且沿第二方向DR2延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一端接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1而与第一电极AE电连接。
第一接触电极CTE1可以直接与第二元件绝缘层QPAS2的一端部侧的上表面接触。
第二接触电极CTE2可以布置在第二电极分支部CE2上，并且沿第二方向DR2延伸。第二接触电极CTE2可以沿第一方向DR1与第一接触电极CTE1隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一端接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2而与第二电极CE电连接。
第二接触电极CTE2可以与第二元件绝缘层QPAS2的另一端部侧的上表面直接接触。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以布置于同一层。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以分别暴露第二元件绝缘层QPAS2的中央部的上表面。
第一接触电极CTE1及第二接触电极CTE2可以分别包括导电性物质。第一接触电极CTE1可以包括第一物质，并且第二接触电极CTE2可以包括第二物质。然而，所述第一物质和所述第二物质的物理性质可以彼此不同。对此的详细说明将后述。
图5是示出根据一实施例的发光元件的图。
参照图5，发光元件ED可以是发光二极管(Light Emitting diode)。例如，发光元件ED可以具有微米或纳米单位的大小，并且可以是包括无机物的无机发光二极管。无机发光二极管可以根据在彼此对向的两个电极之间沿特定方向形成的电场而在两个电极之间整齐排列。
发光元件ED可以具有沿一方向延伸的形状。发光元件ED可以具有杆、导线、管等的形状。发光元件ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、活性层115、电极层117及绝缘膜118。
第一半导体层111可以是n型半导体。第二半导体层113可以布置于活性层115上。第一半导体层111及第二半导体层113中的每一个可以构成为一个层，但不限于此。
活性层115可以布置于第一半导体层111与第二半导体层113之间。活性层115可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的物质。在活性层115包括多量子阱结构的物质的情况下，量子层(Quantum layer)和阱层(Well layer)可以彼此交替地层叠多个层。
从活性层115发出的光可以沿发光元件ED的长度方向发出，或者也可以沿发光元件ED的两侧面发出。从活性层115发出的光的方向性可以不受限制。
电极层117可以是欧姆(Ohmic)接触电极。作为另一例，电极层117也可以是肖特基(Schottky)接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层117。
绝缘膜118可以围绕多个半导体层及电极层的外表面。绝缘膜118可以围绕活性层115的外表面，并且可以沿发光元件ED延伸的方向延伸。绝缘膜118可以保护发光元件ED。
绝缘膜118可以包括具有绝缘特性的物质，例如，可以包括硅氧化物(SiOx：Silicon oxide)、硅氮化物(SiNx：Silicon nitride)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN：Aluminum nitride)、氧化铝(Al2O3：Aluminum oxide)等。
绝缘膜118的外表面可以被表面处理。当制造显示装置时，发光元件ED可以以在预定的墨水内分散的状态喷射于电极上而被整齐排列。
如上所述，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的物理性质可以彼此不同。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的物理性质不同是因为对于第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的特定蚀刻剂(Etchant)的蚀刻率(Etching rate)不同。如参照图6至图17而将要后述的显示装置的制造方法，针对特定蚀刻剂，第一接触电极CTE1的蚀刻率可以小于第二接触电极CTE2的蚀刻率。这是为了在使用蚀刻剂形成第二接触电极CTE2的工艺中预先防止在先形成的第一接触电极CTE1被该蚀刻剂蚀刻。
由于第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2均位于从发光元件ED发出的光的路径上，因此第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2优选地具有透明导电性物质，并且为了在使用上述的蚀刻剂形成第二接触电极CTE2的工艺中防止第一接触电极CTE1被蚀刻，第一接触电极CTE1可以考虑在透明导电性物质中针对该蚀刻剂的蚀刻率非常小的物质。
在一实施例中，第一接触电极CTE1的第一物质和第二接触电极CTE2的第二物质包括相同的铟锡氧化物(ITO)，并且所述第一物质具有通过热处理而结晶化的铟锡氧化物(ITO)，从而可以将第一接触电极CTE1针对所述蚀刻剂的蚀刻率设计成非常小。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2针对所述蚀刻剂的蚀刻率是上述的第一物质和第二物质的彼此不同的物理性质中的一个，此外，薄层电阻或针对特定波长的透射率可以不同。即，在一实施例中，第一物质和第二物质的薄层电阻的差异或者针对特定波长的透射率是根据铟锡氧化物(ITO)是否结晶化而产生的物理性质。
首先，观察第一物质和第二物质的物理性质中针对特定蚀刻剂的蚀刻率，在所述蚀刻剂为磷酸类蚀刻剂的情况下，第一物质针对所述磷酸类蚀刻剂的蚀刻率可以接近于0，第二物质针对所述磷酸类蚀刻剂的蚀刻率可以为约0.2nm/s至0.4nm/s。并且，在所述蚀刻剂为硫酸类蚀刻剂的情况下，第一物质针对所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率可以接近于0，第二物质针对所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率可以为约1.5nm/s。
此后，观察第一物质和第二物质的物理性质中的薄层电阻，所述第一物质的薄层电阻可以小于所述第二物质的薄层电阻。所述第一物质的薄层电阻可以是相比所述第二物质的薄层电阻的50％以下。例如，所述第一物质的薄层电阻可以是55.5Ω/m2，并且所述第二物质的薄层电阻可以是136.7Ω/m2。
最后，观察第一物质和第二物质的物理性质中针对特定波长的透射率，所述第一物质的透射率可以与所述第二物质的透射率不同，所述第一物质在550nm波长下的透射率可以大于所述第二物质在550nm波长下的透射率。例如，所述第一物质在550nm波长下的透射率可以比所述第二物质在550nm波长下的透射率大5％以上。
以下，参照图18更加详细地说明第一物质和第二物质针对特定波长的透射率。
图18是示出根据光的波长的非结晶ITO、结晶ITO、非结晶IZO以及结晶IZO的透射率的曲线图。
如果与图18一同说明，则在图18中，横轴表示光的波长(nm)，纵轴表示特定波段的光的按非结晶化的铟锡氧化物(ITO，或者非结晶ITO)、结晶化的铟锡氧化物(ITO，或者结晶ITO)、非结晶化的铟锌氧化物(IZO，或者非结晶IZO)以及结晶化的铟锌氧化物(IZO，或者结晶IZO)的透射率(％)。
如图18所示，可以确认，光的按非结晶ITO、结晶ITO、非结晶IZO及结晶IZO的透射率大致上随着波段变大而增加，尤其，可以确认结晶ITO相比于非结晶ITO、结晶IZO及非结晶IZO维持着较高的透射率。在约550nm波段的光中可以确认结晶ITO的透射率为约88％，并且非结晶ITO的透射率为约80％。
以下，针对另一实施例进行说明。
根据本实施例的第一物质和第二物质可以分别包括透明导电性物质，第一物质和第二物质可以彼此不同，并且可以具有不同的物理性质。
根据本实施例，所述第一物质可以包括铟锡氧化物(ITO)，所述第二物质可以包括铟锌氧化物(IZO)。所述第一物质可以是结晶化的铟锡氧化物(ITO)或非结晶化的铟锡氧化物(ITO)。以下，以第一物质为非结晶化的铟锡氧化物(ITO)的情形为中心进行说明。
在本实施例的情况下，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的物理性质不同的原因同样是因为第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2针对特定蚀刻剂(Etchant)的蚀刻率(Etchingrate)彼此不同，并且第一接触电极CTE1针对特定蚀刻剂的蚀刻率可以小于第二接触电极CTE2针对特定蚀刻剂的蚀刻率。
在本实施例中，将第一接触电极CTE1的第一物质和第二接触电极CTE2的第二物质设计成包括彼此不同的铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)，从而可以将第一接触电极CTE1针对所述蚀刻剂的蚀刻率形成得非常小。
在本实施例的情况下，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2针对所述蚀刻剂的蚀刻率同样是上述的第一物质和第二物质之间的彼此不同的物理性质中的一个，此外，薄层电阻差异是第一物质和第二物质具有彼此不同的物质而产生的物理性质的差异。
首先，观察第一物质和第二物质的物理性质中针对特定蚀刻剂的蚀刻率，所述第二物质针对磷酸类蚀刻剂或硫酸类蚀刻剂的蚀刻率可以是所述第一物质针对所述磷酸类蚀刻剂或所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率的5倍以上。
在所述蚀刻剂为磷酸类蚀刻剂的情况下，第一物质针对所述磷酸类蚀刻剂的蚀刻率可以为约0.2nm/s至0.4nm/s，第二物质针对所述磷酸类蚀刻剂的蚀刻率可以为约1.5nm/s至2.5nm/s。并且，在蚀刻剂是硫酸类蚀刻剂的情况下，第一物质针对所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率可以为约1.5nm/s，并且第二物质针对所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率可以为约7.5nm/s。
随后，观察第一物质和第二物质的物理性质中的薄层电阻，所述第一物质的薄层电阻可以大于所述第二物质的薄层电阻。所述第一物质的薄层电阻可以是所述第二物质的薄层电阻的1.5倍以上。例如，所述第一物质的薄层电阻可以是136.7Ω/m2，并且所述第二物质的薄层电阻可以是71.3Ω/m2。
以下，对根据一实施例的显示装置的制造方法进行说明。在以下实施例中，对于与已说明的实施例相同的结构，用相同的附图标记表示，并省略或简化对此的说明。
图6是示出根据一实施例的显示装置的制造方法的流程图。图7至图17是根据一实施例的显示装置的制造方法的按照工艺步骤的剖视图。
与图1至图5一同参照图6及图7，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：基板准备步骤(S10)，准备布置有隔开而布置的第一堤BNK1的基板部。
接着，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：电极形成步骤(S20)，形成彼此隔开布置且布置于第一堤BNK1上而覆盖第一堤BNK1的第一电极AE和第二电极CE。
接着，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：第一元件绝缘层形成步骤S30，在第一电极AE及第二电极CE上形成第一元件绝缘层QPAS1。
接着，包括：发光元件布置步骤S40，在第一元件绝缘层QPAS1上的第一电极AE与第二电极CE之间布置发光元件ED。
接着，包括：第二元件绝缘层形成步骤(S50)，在发光元件ED的上表面形成第二元件绝缘层QPAS2。第二元件绝缘层QPAS2可以形成于发光元件ED的上表面的中央部。
接着，与图1至图5一同参照图6及图8，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：第一接触电极物质形成步骤(S60)，在第二元件绝缘层QPAS2上的整体表面上形成第一接触电极物质层CTE1'。第一接触电极物质层CTE1'可以包括透明导电性物质。第一接触电极物质层CTE1'可以包括铟锡氧化物(ITO)。
接着，与图1至图5一同参照图6及图9至图11，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：第一接触电极形成步骤(S70)，形成将第二元件绝缘层QPAS2的中央部以及另一侧端部暴露的第一接触电极CTE1。
如图10及图11所示，第一接触电极形成步骤(S70)可以通过光刻工艺来实现。
即，如图9所示，第一接触电极形成步骤(S70)可以包括如下步骤：以覆盖第一接触电极物质层CTE1'的一侧区域的方式形成光刻胶PR，所述一侧区域包括与第二元件绝缘层QPAS2的上表面中的以中央部为基准位于一侧方向的上表面(即，上表面中的一侧端部)重叠的区域；使借由光刻胶PR而暴露的区域曝光；蚀刻第一接触电极物质层CTE1'中的曝光的区域来去除；以及剥离光刻胶PR。
所述曝光的区域的蚀刻可以通过湿式蚀刻(Wet etching)来实现。
接着，与图1至图5一同参照图6及图12，根据一实施例的显示装置的制造方法还可以包括：第一接触电极结晶化步骤，对形成的第一接触电极CTE1″进行热处理来结晶化。通过上述第一接触电极结晶化步骤形成第一接触电极CTE1。
接着，与图1至图5一同参照图6及图13，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：第二接触电极物质形成步骤(S80)，在第一接触电极CTE1上的整体表面上形成第二接触电极物质层CTE2'。
第二接触电极物质层CTE2'可以包括透明导电性物质。第二接触电极物质层CTE2'可以包括铟锡氧化物(ITO)。
接着，与图1至图5一同参照图6及图14，根据一实施例的显示装置的制造方法包括：第二接触电极形成步骤(S90)，形成使第二元件绝缘层QPAS2的中央部及另一侧端部暴露的第二接触电极CTE2。
如图14及图15所示，第二接触电极形成步骤(S90)可以通过光刻工艺来实现。
即，如图14所示，第二接触电极形成步骤(S90)可以包括如下步骤：以覆盖第二接触电极物质层CTE2'的包括与以第二元件绝缘层QPAS2的上表面中的中央部为基准位于另一侧方向的上表面(即，上表面中的另一侧端部)重叠的区域的另一侧区域的方式形成光刻胶PR；使借由光刻胶PR而暴露的区域曝光；蚀刻第二接触电极物质层CTE2'中的曝光的区域来去除；以及剥离光刻胶PR。
所述曝光的区域的蚀刻可以通过湿式蚀刻(Wet etching)来实现。在此情况下，蚀刻剂可以包括磷酸类蚀刻剂或硫酸类蚀刻剂。
在蚀刻第二接触电极物质层CTE2'中的曝光的区域来去除的步骤中，如上所述，由于相比于第二接触电极物质层CTE2'，位于第二接触电极物质层CTE2'的下部的第一接触电极CTE1针对所述蚀刻剂的蚀刻率非常小，因此在该步骤中，针对所述蚀刻剂，第一接触电极CTE1可以几乎不会被蚀刻。
据此，如图16所示，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以分别以暴露第二元件绝缘层QPAS2的中央部的上表面的方式形成。
接着，参照图6及图17，在第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2上形成有将第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2一体地覆盖而与该第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2接触的第三元件绝缘层QPAS3。
根据本实施例，由于第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2形成在同一层，从而可以不需要形成用于单独覆盖第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的两个以上的元件绝缘层，并且可以仅通过第三元件绝缘层QPAS3覆盖第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2而进行保护。据此，由于省略了单独的沉积工艺，从而可以实现工艺简化。
在根据一实施例的显示装置的制造方法的另一实施例的情况下，由于仅在第一接触电极物质层CTE1'包括铟锡氧化物(ITO)并且第二接触电极物质层CTE2'包括铟锌氧化物(IZO)这一点上与根据一实施例的显示装置的制造方法不同，而其余工艺相同，因此省略详细说明。
以下，对根据一实施例的显示装置的另一实施例进行说明。在以下实施例中，对于与已说明的实施例相同的结构，用相同的附图标记表示，并省略或简化对此的说明。
图19是根据另一实施例的显示装置的剖面图。
参照图19，根据本实施例的显示装置在还包括与基板部SUB对向的上部基板部SUB_1这一点上与根据图2的显示装置不同。
更具体地说明，上部基板部SUB_1与基板部SUB对向。上部基板部SUB_1可以包括与基板部SUB的示例的物质相同的物质。
在上部基板部SUB_1的面向基板部SUB的一面上布置有第一遮光部件BK1。第一遮光部件BK1可以布置于遮光区域BA内。
在第一遮光部件BK1及上部基板部SUB_1的面向基板部SUB的一面上可以布置有第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以布置于第一发光区域LA1，第二滤色器CF2可以布置于第二发光区域LA2，第三滤色器CF3可以布置于第三发光区域LA3。
在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3上可以布置有第一覆盖层CAP1。在第一覆盖层CAP1上可以布置有第二遮光部件BK2。第二遮光部件BK2可以布置于遮光区域BA内。在相邻的第二遮光部件BK2之间可以布置有第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU。在第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、光透射部LTU以及第二遮光部件BK2上可以布置有第二覆盖层CAP2。
在第一保护层PAS1与第二覆盖层CAP2之间可以布置有填充层FIL。
以上参照附图说明了本发明的实施例，但在本发明所属技术领域中具有普通知识的人员可以理解的是，可以在不改变本发明的其技术思想或者必要特征的情况下以其他具体形态实施。因此，以上记载的实施例应当理解为在所有方面均为示例性的，而不是限定性的。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基板部；
第一堤，在所述基板部上相隔而布置；
第一电极和第二电极，布置于所述第一堤上，并且布置为覆盖所述第一堤并彼此隔开；
发光元件，布置于所述第一电极与所述第二电极之间；
第一接触电极，与所述第一电极连接，并且与所述发光元件的一端接触；以及
第二接触电极，与所述第二电极连接，并且与所述发光元件的另一端接触，
其中，所述第一接触电极包括第一物质，所述第二接触电极包括第二物质，所述第一物质与所述第二物质的物理性质不同。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一物质和所述第二物质相同，
所述第一物质及所述第二物质分别包括铟锡氧化物。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一物质包括结晶化的铟锡氧化物，所述第二物质包括非结晶化的铟锡氧化物。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一物质针对磷酸类蚀刻剂或硫酸类蚀刻剂的蚀刻率小于所述第二物质针对所述磷酸类蚀刻剂或所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一物质的薄层电阻小于所述第二物质的薄层电阻，
所述第一物质的薄层电阻是所述第二物质的薄层电阻的50％以下。
6.如权利要求2所述的显示装置，其中，
所述第一物质的透射率与所述第二物质的透射率不同。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第一物质在550nm波长下的透射率大于所述第二物质在550nm波长下的透射率。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第一物质在550nm波长下的透射率比所述第二物质在550nm波长下的透射率大5％以上。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一物质和所述第二物质包括透明导电性物质，
所述第一物质和所述第二物质不同。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一物质包括铟锡氧化物，所述第二物质包括铟锌氧化物。
11.如权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第二物质针对磷酸类蚀刻剂或硫酸类蚀刻剂的蚀刻率是所述第一物质针对所述磷酸类蚀刻剂或所述硫酸类蚀刻剂的蚀刻率的5倍以上。
12.如权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一元件绝缘层，布置于所述第一电极及所述第二电极与所述发光元件之间；以及
第二元件绝缘层，布置于所述发光元件的上表面，
其中，所述第一接触电极与所述第二元件绝缘层的一侧上表面直接接触，
所述第二接触电极与所述第二元件绝缘层的另一侧上表面直接接触，
所述第一接触电极和所述第二接触电极分别使所述第二元件绝缘层的中央部的上表面暴露。
13.如权利要求12所述的显示装置，还包括：
第三元件绝缘层，将所述第一接触电极及所述第二接触电极一体地覆盖而与所述第一接触电极及所述第二接触电极接触。
14.一种显示装置的制造方法，包括：
基板准备步骤，准备布置有相隔而布置的第一堤的基板部；
电极形成步骤，形成第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此隔开布置且布置于所述第一堤上而覆盖所述第一堤；
第一元件绝缘层形成步骤，在所述第一电极及所述第二电极上形成第一元件绝缘层；
发光元件布置步骤，在所述第一元件绝缘层上的所述第一电极与所述第二电极之间布置发光元件；
第二元件绝缘层形成步骤，在所述发光元件的上表面形成第二元件绝缘层；
第一接触电极物质形成步骤，在所述第二元件绝缘层上的整体表面上形成第一接触电极物质层；
第一接触电极形成步骤，形成将所述第二元件绝缘层的中央部以及另一侧端部暴露的第一接触电极；
第二接触电极物质形成步骤，在所述第一接触电极上的整体表面上形成第二接触电极物质层；以及
第二接触电极形成步骤，形成使所述第二元件绝缘层的中央部及一侧端部暴露的第二接触电极，
其中，所述第一接触电极包括第一物质，所述第二接触电极包括第二物质，
所述第一物质和所述第二物质的物理性质不同。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一物质和所述第二物质相同，
所述第一物质及所述第二物质分别包括铟锡氧化物，
所述第一物质包括结晶化的铟锡氧化物，
所述第二物质包括非结晶化的铟锡氧化物。
16.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一物质的薄层电阻是所述第二物质的薄层电阻的50％以下。
17.如权利要求15所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一物质在550nm波长下的透射率大于所述第二物质在550nm波长下的透射率。
18.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一物质和所述第二物质包括透明导电性物质，
所述第一物质和所述第二物质不同，
所述第一物质包括铟锡氧化物，
所述第二物质包括铟锌氧化物。
19.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一接触电极形成步骤还包括：第一接触电极结晶化工艺，对形成的所述第一接触电极进行热处理。
20.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一接触电极形成步骤及所述第二接触电极形成步骤通过光刻工艺来实现。
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