CN220065699U - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置包括：衬底，包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；第一堤部，在衬底上彼此间隔开；第一电极和第二电极，设置在第一堤部上，覆盖第一堤部，并且彼此间隔开；发光元件，分别设置在第一电极和第二电极之间；以及第二堤部，分别设置在第一电极和第二电极上，第二堤部包括限定第一发光区域的第二‑第一堤部、限定第二发光区域的第二‑第二堤部和限定第三发光区域的第二‑第三堤部，以及在平面图中，第二‑第一堤部的尺寸、第二‑第二堤部的尺寸和第二‑第三堤部的尺寸彼此不同。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。例如，显示装置已经应用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视机的各种电子装置。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置或有机发光显示装置的平板显示装置。在平板显示装置之中，发光显示装置可以包括其中显示面板的每个像素可以自己发光的发光元件，从而在不具有向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像。
将理解，本背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括不属于在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员知晓或理解的思想、构思或认识。
发明内容
本公开的方面提供了对每个子像素的电流密度均匀的显示装置。
然而，本公开的方面不限于在本文中所阐述的方面。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加显而易见。
根据实施方式，显示装置可以包括：衬底，包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；第一堤部，在衬底上彼此间隔开；第一电极和第二电极，设置在第一堤部上，覆盖第一堤部，并且彼此间隔开；发光元件，分别设置在第一电极和第二电极之间；以及第二堤部，分别设置在第一电极和第二电极上，其中，第二堤部包括限定第一发光区域的第二-第一堤部、限定第二发光区域的第二-第二堤部和限定第三发光区域的第二-第三堤部，以及在平面图中，第二-第一堤部的尺寸、第二-第二堤部的尺寸和第二-第三堤部的尺寸彼此不同。
在第一方向上，第二-第一堤部的宽度、第二-第二堤部的宽度和第二-第三堤部的宽度可以相同。
在第二方向上，第二-第一堤部的长度、第二-第二堤部的长度和第二-第三堤部的长度可以彼此不同。
发光元件可以包括设置在第一发光区域中的第一发光元件、设置在第二发光区域中的第二发光元件和设置在第三发光区域中的第三发光元件。
第一发光元件，第二发光元件和第三发光元件可以发射相同颜色的光。
由第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件发射的光的颜色可以是蓝色。
第一电极中的在平面图中与第一发光元件重叠的第一电极可以被施加第一电流，第一电极中的在平面图中与第二发光元件重叠的第一电极可以被施加第二电流，以及第一电极中的在平面图中与第三发光元件重叠的第一电极可以被施加第三电流。
第一电流的大小和第二电流的大小中的每个可以大于第三电流的大小。
第二-第一堤部的长度和第二-第二堤部的长度中的每个可以大于第二-第三堤部的长度。
第一发光区域中的第一发光元件的数量和第二发光区域中的第二发光元件的数量中的每个可以大于第三发光区域中的第三发光元件的数量。
第一电流的大小可以大于第二电流的大小。
第二-第一堤部的长度可以大于第二-第二堤部的长度。
显示装置还可以包括：第一接触电极，电连接到第一电极并且电接触发光元件中的每个的一端部；以及第二接触电极，电连接到第二电极并且电接触发光元件中的每个的另一端部。
显示装置还可以包括：第一元件绝缘层，设置在第一电极和第二电极与发光元件之间；以及第二元件绝缘层，设置在发光元件的顶表面上。
第一接触电极可以直接接触第二元件绝缘层的一侧上的顶表面，第二接触电极可以直接接触第二元件绝缘层的另一侧上的顶表面，以及第一接触电极和第二接触电极可以暴露第二元件绝缘层的中央部的顶表面。
显示装置还可以包括覆盖并且接触第一接触电极和第二接触电极的第三元件绝缘层。
根据实施方式，显示装置可以包括：衬底，包括第一发光区域、第二发光区域、第三发光区域以及设置在相邻的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域之间的光阻挡区域；第一堤部，在衬底上彼此间隔开；第一电极和第二电极，设置在第一堤部上，覆盖第一堤部，并且彼此间隔开；发光元件，分别设置在第一电极和第二电极之间；以及第二堤部，在光阻挡区域中分别设置在第一电极和第二电极上，其中，第二堤部可以包括限定第一发光区域的第二-第一堤部、限定第二发光区域的第二-第二堤部和限定第三发光区域的第二-第三堤部，以及在平面图中，第二-第一堤部的尺寸、第二-第二堤部的尺寸和第二-第三堤部的尺寸彼此不同。
发光元件可以包括设置在第一发光区域中的第一发光元件、设置在第二发光区域中的第二发光元件和设置在第三发光区域中的第三发光元件，且第一发光区域中的第一发光元件的数量、第二发光区域中的第二发光元件的数量和第三发光区域中的第三发光元件的数量可以彼此不同。
显示装置还可以包括在第一发光区域中设置在第一发光元件上的第一波长转换部、在第二发光区域中设置在第二发光元件上的第二波长转换部以及在第三发光区域中设置在第三发光元件上的光透射部。
显示装置还可以包括在光阻挡区域中设置在彼此相邻的第一波长转换部、第二波长转换部和光透射部之间的光阻挡构件。
其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
依照根据实施方式的显示装置，可以提高发光元件的效率。
然而，实施方式的效果不限于本文中所阐述的效果。通过参考权利要求书，实施方式的以上及其它效果对于实施方式所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面及特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据实施方式的显示装置的示意性平面图；
图2是沿图1的放大视图的线I-I'截取的示意性剖视图；
图3是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图；
图4是沿图3的线II-II'截取的示意性剖视图；
图5是示出根据实施方式的发光元件的视图；
图6是示出根据每个子像素的驱动时间的亮度变化率的曲线图；
图7是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图；
图8是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图；
图9是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图；
图10是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图；以及
图11是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考示出了实施方式的附图更全面地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，以使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
在附图中，为了便于描述和清楚起见，可能夸大了元件的尺寸、厚度、比例和大小。相同的标记始终指代相同的元件。
还将理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，其可以直接在该另一层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。
将理解，在说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，其可以直接设置在以上提及的另一元件上、连接到或联接到另一元件，或者介于中间的元件可以插置于其间。
将理解，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理的或电的连接或联接。
如本文中所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，短语“……中的至少一个”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B或者A和B”。
将理解，虽然在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者到第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括分层方式、层叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖、或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被描述为与另一元件“不重叠”或“不”与另一元件“重叠”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移、彼此分开、或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
术语“面对”和“面向”意指第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件与第二元件之间的情况下，尽管第一元件和第二元件仍然彼此面对，但第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。
术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变型，当在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
短语“在平面图中”意指从顶部观察对象，且短语“在示意性剖视图中”意指从侧面观察对象被竖直切割的截面。
如本文中所使用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员鉴于所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非在本文中另外定义或暗示，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应被解释为理想的或过于形式化的含义，除非在本文中明确地如此定义。
在下文中，将参考附图描述实施方式。
图1是示出根据实施方式的显示装置的平面图。
参考图1，根据实施方式的显示装置可以具有矩形平面形状。然而，显示装置的平面形状不限于此，并且可以具有正方形、圆形、椭圆形或其它多边形形状。在下文中，将描述矩形形状被应用为显示装置的平面形状的情况。将理解，本文中公开的形状也可以包括与本文中所公开的形状基本上相同的形状。
显示装置可以包括提供显示屏幕的显示面板。在本公开的精神和范围内，显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，将以示例的方式描述其中无机发光二极管显示面板被应用为显示面板的示例的情况，但是本公开不限于此，并且如果可适用，则相同的技术思想可以应用于其它显示面板。
显示装置可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括像素PX以显示图像。像素PX可以以矩阵方式布置或设置。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。非显示区域NDA可以在平面图中完全围绕显示区域DA。显示区域DA也可以被称为有效区域，且非显示区域NDA也可以被称为无效区域。显示区域DA可以基本上占据显示装置的中央。非显示区域NDA可以与显示区域DA相邻。
非显示区域NDA可以分别位于显示区域DA的在第一方向DR1上的另一侧、显示区域DA的在第一方向DR1上的一个侧或一侧、显示区域DA的在第二方向DR2上的一个侧或一侧以及显示区域DA的在第二方向DR2上的另一侧上。然而，非显示区域NDA不限于此，并且也可以仅位于显示区域DA的在第一方向DR1上的一个侧或一侧以及其它侧或另一侧上，或者也可以位于显示区域DA的在第二方向DR2上的一个侧或一侧以及其它侧或另一侧上。包括在显示装置中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中的每个中，或者外部装置可以安装在非显示区域NDA中。
参考图1的放大视图，显示装置的像素PX中的每个可以包括由像素限定层限定的发光区域LA1、LA2和LA3，并且可以通过发光区域LA1、LA2和LA3发射具有峰值波长的光。例如，显示装置的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个可以是由显示装置的发光元件生成的光在其中发射到显示装置的外部的区域。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以向显示装置的外部发射具有峰值波长的光。第一发光区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发射第二颜色的光，以及第三发光区域LA3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红色光，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿色光，以及第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝色光，但是本公开不限于此。
显示装置的显示区域DA可以包括位于彼此相邻的发光区域LA1、LA2和LA3之间的、发光区域之间的光阻挡区域BA。例如，发光区域之间的光阻挡区域BA可以围绕第一发光区域LA1至第三发光区域LA3。在实施方式中，第一发光区域LA1在平面图中的尺寸、第二发光区域LA2在平面图中的尺寸和第三发光区域LA3在平面图中的尺寸可以彼此不同。例如，第一发光区域LA1在平面图中的尺寸可以大于第二发光区域LA2在平面图中的尺寸，并且第二发光区域LA2在平面图中的尺寸可以大于第三发光区域LA3在平面图中的尺寸。发光区域LA1、LA2和LA3中的每个可以由稍后将描述的第二堤部BNK2(图3中的BNK21、BNK22和BNK23)限定。第二堤部BNK2(BNK21、BNK22和BNK23)可以与发光区域之间的光阻挡区域BA重叠，但不限于此。
图2是沿图1的放大视图的线I-I'截取的示意性剖视图。
参考图2，显示装置可以包括跨显示区域DA和非显示区域NDA设置的基础衬底SUB、在显示区域DA中设置在基础衬底SUB上的显示元件层DEP以及跨显示区域DA和非显示区域NDA设置并且密封显示元件层DEP的封装构件ENC。
基础衬底SUB可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。绝缘材料可以包括例如聚酰亚胺(PI)，但不限于此。基础衬底SUB也可以包括相同材料或类似材料的第一基础衬底SUB1和第二基础衬底SUB2。
显示元件层DEP可以包括缓冲层BF、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、第二平坦化层OC2、第一盖层CAP1、第一光阻挡构件BK1、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、光透射部LTU、第二盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二光阻挡构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第三钝化层PAS3。
缓冲层BF可以设置在基础衬底SUB上。缓冲层BF可以由防止空气或湿气渗透的无机膜形成。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜GI、层间绝缘膜ILD、第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以构成像素PX中的每个的像素电路。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE重叠。半导体层ACT可以与源电极SE和漏电极DE直接接触，并且可以面对栅电极GE且栅极绝缘膜GI插置于半导体层ACT与栅电极GE之间。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘膜GI的上侧上。栅电极GE可以与半导体层ACT重叠且栅极绝缘膜GI插置于栅电极GE与半导体层ACT之间。
源电极SE和漏电极DE可以设置成在层间绝缘膜ILD上彼此间隔开。源电极SE可以通过设置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中的接触孔与半导体层ACT的一个端部或一端部接触。漏电极DE可以通过设置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中的接触孔与半导体层ACT的另一个端部接触。漏电极DE可以通过设置在第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1中的接触孔连接到发光构件EL的第一电极AE。
栅极绝缘膜GI可以设置在半导体层ACT的上侧上。例如，栅极绝缘膜GI可以设置在半导体层ACT和缓冲层BF的上侧上，并且可以使半导体层ACT和栅电极GE绝缘。栅极绝缘膜GI可以包括源电极SE穿过其的接触孔和漏电极DE穿过其的接触孔。
层间绝缘膜ILD可以设置在栅电极GE的上侧上。例如，层间绝缘膜ILD可以包括源电极SE穿过其的接触孔和漏电极DE穿过其的接触孔。
第一钝化层PAS1可以设置在薄膜晶体管TFT的上侧上，以保护薄膜晶体管TFT。例如，第一钝化层PAS1可以包括第一电极AE穿过其的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1的上侧上，以使薄膜晶体管TFT的上端部平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括发光构件EL的第一电极AE穿过其的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光构件EL、第一堤部BNK1、第二堤部BNK2、第一元件绝缘层QPAS1和第二钝化层PAS2。
发光构件EL可以设置在薄膜晶体管TFT上。发光构件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE和发光元件ED。
第一电极AE可以设置在第一平坦化层OC1的上侧上。例如，第一电极AE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤部BNK1上以覆盖第一堤部BNK1。第一电极AE可以设置成与由第二堤部BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。第一电极AE可以连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
第二电极CE可以设置在第一平坦化层OC1的上侧上。例如，第二电极CE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤部BNK1上以覆盖第一堤部BNK1。第二电极CE可以设置成与由第二堤部BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。例如，第二电极CE可以接收供应到所有像素PX的公共电压。
第一元件绝缘层QPAS1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。
发光元件ED可以在第一平坦化层OC1的上侧上设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光元件ED可以设置在第一元件绝缘层QPAS1上。发光元件ED的一个端部或一端部可以连接到第一电极AE，并且发光元件ED的另一个端部可以连接到第二电极CE。例如，发光元件ED可以包括具有相同材料或类似材料的有源层以发射相同波长带的光或相同颜色的光。从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光元件ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光。
第二堤部BNK2可以设置在第一平坦化层OC1上以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如，第二堤部BNK2可以围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每个，但不限于此。第二堤部BNK2可以设置在光阻挡区域BA中。
第二钝化层PAS2可以设置在发光构件EL和第二堤部BNK2上。第二钝化层PAS2可以覆盖发光构件EL并且可以保护发光构件EL。
显示装置还可以包括第二平坦化层OC2、第一盖层CAP1、第一光阻挡构件BK1、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、光透射部LTU、第二盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二光阻挡构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3、第三钝化层PAS3以及封装构件ENC。
第二平坦化层OC2可以设置在发光元件层EML的上侧上，以使发光元件层EML的上端部平坦化。第二平坦化层OC2可以包括有机材料。
第一盖层CAP1可以设置在第二平坦化层OC2上。第一盖层CAP1可以密封第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU的底表面。第一盖层CAP1可以包括无机材料。
第一光阻挡构件BK1可以在光阻挡区域BA中设置在第一盖层CAP1上。第一光阻挡构件BK1可以在厚度方向上与第二堤部BNK2重叠。第一光阻挡构件BK1可以阻挡光的透射。
第一光阻挡构件BK1可以包括有机光阻挡材料和拒液成分。
由于第一光阻挡构件BK1可以包括拒液成分，因此第一光阻挡构件BK1可以将第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU分离到相应的发光区域LA1、LA2或LA3中。
第一波长转换部WLC1可以在第一发光区域LA1中设置在第一盖层CAP1上。第一波长转换部WLC1可以被第一光阻挡构件BK1围绕。第一波长转换部WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长移位器WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括具有相对高的光透射率的材料。第一基础树脂BS1可以由透明有机材料制成。例如，第一基础树脂BS1可以包括诸如环氧基树脂、丙烯酸树脂、cardo基树脂和酰亚胺基树脂的有机材料中的至少一种。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射粒子。
第一波长移位器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或移位到第一峰值波长。例如，第一波长移位器WLS1可以将从显示装置提供的蓝色光转换成具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红色光并发射红色光。第一波长移位器WLS1可以是量子点、量子棒或磷光体。量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射特定颜色的粒子物质。
由第一波长移位器WLS1发射的光可以具有约45nm或更小、或者约40nm或更小或者约30nm或更小的发光波长光谱半峰全宽(FWHM)，并且可以进一步改善由显示装置显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。
从发光元件层EML提供的蓝色光的一部分可以透射通过第一波长转换部WLC1，而不被第一波长移位器WLS1转换成红色光。从发光元件层EML提供的蓝色光中的在未被第一波长转换部WLC1转换的情况下入射到第一滤色器CF1上的光可以被第一滤色器CF1阻挡。从显示装置提供的蓝色光中的被第一波长转换部WLC1转换后的红色光可以透射通过第一滤色器CF1并发射到外部。因此，第一发光区域LA1可以发射红色光。
第二波长转换部WLC2可以在第二发光区域LA2中设置在第一盖层CAP1上。第二波长转换部WLC2可以被第一光阻挡构件BK1围绕。第二波长转换部WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长移位器WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括具有相对高的光透射率的材料。第二基础树脂BS2可以由透明有机材料制成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基础树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射粒子。
第二波长移位器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或移位到与第一波长移位器WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长移位器WLS2可以将从显示装置提供的蓝色光转换成具有在约510nm至约550nm的范围内的单峰值波长的绿色光并发射绿色光。第二波长移位器WLS2可以是量子点、量子棒或磷光体。第二波长移位器WLS2可以包括与第一波长移位器WLS1的材料相同的材料或类似的材料。
光透射部LTU可以在第三发光区域LA3中设置在第一盖层CAP1上。光透射部LTU可以被第一光阻挡构件BK1围绕。光透射部LTU可以使入射光通过其透射，同时保持入射光的峰值波长。光透射部LTU可以包括第三基础树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括具有相对高的光透射率的材料。第三基础树脂BS3可以由透明有机材料制成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射粒子。
由于第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU通过第二平坦化层OC2和第一盖层CAP1设置在发光元件层EML上，因此显示装置可以不需要用于第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU的单独衬底。
第二盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2、光透射部LTU以及第一光阻挡构件BK1。
第三平坦化层OC3可以设置在第二盖层CAP2的上侧上，以使第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU的上端部平坦化。第三平坦化层OC3可以包括有机材料。
第二光阻挡构件BK2可以在光阻挡区域BA中设置在第三平坦化层OC3上。第二光阻挡构件BK2可以在厚度方向上与第一光阻挡构件BK1或第二堤部BNK2重叠。第二光阻挡构件BK2可以阻挡光的透射。
第一滤色器CF1可以在第一发光区域LA1中设置在第三平坦化层OC3上。第一滤色器CF1可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红色光)，并且阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿色光)和第三颜色的光(例如，蓝色光)。
第二滤色器CF2可以在第二发光区域LA2中设置在第三平坦化层OC3上。第二滤色器CF2可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿色光)，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红色光)和第三颜色的光(例如，蓝色光)。
第三滤色器CF3可以在第三发光区域LA3中设置在第三平坦化层OC3上。第三滤色器CF3可以被第二光阻挡构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与光透射部LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝色光)，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红色光)和第二颜色的光(例如，绿色光)。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示装置的外部引入的光的一部分，以减少由于外部光引起的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由于外部光的反射而引起的颜色失真。
第三钝化层PAS3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第三钝化层PAS3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装构件ENC可以设置在第三钝化层PAS3上。例如，封装构件ENC可以包括至少一个无机膜以防止氧气或湿气的渗透。封装构件ENC可以包括至少一个有机膜以保护显示装置免受诸如灰尘的异物的影响。
第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU中的每个可能由于从其下侧上的发光元件层EML的发光元件ED产生的热而劣化。例如，发光元件ED可以包括设置在第一发光区域LA1中的第一发光元件、设置在第二发光区域LA2中的第二发光元件和设置在第三发光区域LA3中的第三发光元件。设置在发光区域LA1、LA2和LA3中的每个中的发光元件ED中的每个可以被供应有来自第一电极AE的电流。设置在发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的发光元件ED中的每个可以通过从第一电极AE供应的电流发光。电流可以包括供应到第一发光区域LA1的第一电流、供应到第二发光区域LA2的第二电流和供应到第三发光区域LA3的第三电流。第一电流至第三电流可以彼此不同。下面将提供其详细描述。
图3是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的示意性平面图。图4是沿图3的线II-II'截取的示意性剖视图。
结合图2参考图3和图4，像素PX中的每个可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的相应一个。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个的发光元件ED可以通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发光。
第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个的发光元件ED可以发射相同颜色的光，并且可以通过分别设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的波长转换部WLC1和WLC2以及光透射部LTU向外部发射不同颜色的光。例如，从第一子像素可以发射红色光，从第二子像素可以发射绿色光，以及从第三子像素可以发射蓝色光。
作为另一示例，第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个的发光元件ED也可以发射不同颜色的光。从第一子像素可以发射红色光，从第二子像素可以发射绿色光，以及从第三子像素可以发射蓝色光。
第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个可以包括第一电极AE和第二电极CE、发光元件ED、接触电极CTE和第二堤部BNK2。
第一电极AE和第二电极CE可以电连接到发光元件ED并被施加电压，并且发光元件ED可以发射特定波长带中的光。第一电极AE和第二电极CE的至少一部分可以在像素PX中形成电场，并且发光元件ED可以通过电场对准。
例如，第一电极AE可以是针对第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个分离的像素电极，且第二电极CE可以是公共地连接到第一子像素、第二子像素和第三子像素的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是发光元件ED的阳极电极，且第一电极AE和第二电极CE中的另一个可以是发光元件ED的阴极电极。
第一电极AE可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极干部AE1以及从第一电极干部AE1分支并且在第二方向DR2上延伸的至少一个第一电极分支部AE2。
第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个的第一电极干部AE1可以与相邻的子像素的第一电极干部AE1间隔开，并且第一电极干部AE1可以与在第一方向DR1上相邻的子像素的第一电极干部AE1不设置在同一假想的延伸线上。第一子像素、第二子像素和第三子像素的第一电极干部AE1可以接收不同的信号并且可以被独立地驱动。
第一电极分支部AE2可以从第一电极干部AE1分支并且在第二方向DR2上延伸。第一电极分支部AE2的一个端部或一端部可以连接到第一电极干部AE1，并且第一电极分支部AE2的另一个端部可以与面对第一电极干部AE1的第二电极干部CE1间隔开。
第二电极CE可以包括在第一方向DR1上延伸的第二电极干部CE1以及从第二电极干部CE1分支并且在第二方向DR2上延伸的第二电极分支部CE2。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个的第二电极干部CE1可以连接到相邻的子像素的第二电极干部CE1。第二电极干部CE1可以在第一方向DR1上延伸从而与像素PX交叉或相交。第二电极干部CE1可以连接到显示区域DA的外部分或从非显示区域NDA在一个方向或一方向上延伸的部分。
第二电极分支部CE2可以与第一电极分支部AE2间隔开从而彼此面对。第二电极分支部CE2的一个端部或一端部可以连接到第二电极干部CE1，并且第二电极分支部CE2的另一个端部可以与第一电极干部AE1间隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔电连接到显示装置的薄膜晶体管层TFTL，且第二电极CE可以通过第二接触孔电连接到显示装置的薄膜晶体管层TFTL。例如，第一接触孔可以设置在第一电极干部AE1中的每个中，且第二接触孔可以设置在第二电极干部CE1中，但不限于此。
第二堤部BNK2可以设置在像素PX之间的边界处。第一电极干部AE1可以基于第二堤部BNK2彼此间隔开。第二堤部BNK2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置于在第一方向DR1上布置或设置的像素PX之间的边界处。第二堤部BNK2也可以设置于在第二方向DR2上布置或设置的像素PX的边界处。第二堤部BNK2可以限定像素PX之间的边界。
第二堤部BNK2可以在制造显示装置时喷射其中分散有发光元件ED的墨水的情况下防止墨水与像素PX之间的边界交叉或相交。第二堤部BNK2可以将不同的发光元件ED彼此分离开，使得其中分散有不同的发光元件ED的墨水不彼此混合。
发光元件ED可以设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光元件ED的一个端部或一端部可以连接到第一电极AE，并且发光元件ED的另一个端部可以连接到第二电极CE。
发光元件ED可以设置成彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。彼此间隔开的发光元件ED之间的间隔不受特别限制。
发光元件ED可以包括具有相同材料或类似材料的有源层，以发射相同波长带的光或相同颜色的光。第一子像素、第二子像素和第三子像素可以发射相同颜色的光。例如，发光元件ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝色光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部AE2和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部AE2和发光元件ED彼此电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部CE2和发光元件ED的另一部分，并且可以将第二电极分支部CE2和发光元件ED彼此电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支部AE2上并且在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一个端部或一端部接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支部CE2上并且在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一个端部接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
显示装置的发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一元件绝缘层QPAS1、第二元件绝缘层QPAS2和第三元件绝缘层QPAS3。
第一堤部BNK1可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。第一堤部BNK1中的每个可以对应于第一电极AE或第二电极CE。第一电极AE和第二电极CE中的每个可以设置在相应的第一堤部BNK1上。例如，第一堤部BNK1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且第一堤部BNK1中的每个的侧表面可以从第一平坦化层OC1倾斜。第一堤部BNK1的倾斜表面可以反射从发光元件ED发射的光。
第一平坦化层OC1可以包括穿过其的第一接触孔。第一电极干部AE1可以通过第一接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。
第二电极干部CE1可以在第一方向DR1上延伸，并且还可以设置在其中未设置发光元件ED的非发光区域中。第一平坦化层OC1可以包括穿过其的第二接触孔。第二电极干部CE1可以通过第二接触孔电连接到电力电极。第二电极CE可以从电力电极接收电信号。
第一电极AE和第二电极CE可以包括透明导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以包括具有高反射率的导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以具有其中由透明导电材料制成的一个或更多个层和由具有高反射率的金属制成的一个或更多个层堆叠的结构，或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的一个层或一层。
第一元件绝缘层QPAS1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极AE和第二电极CE上。第一元件绝缘层QPAS1可以覆盖第一电极AE和第二电极CE中的每个的一部分。
第一元件绝缘层QPAS1可以保护第一电极AE和第二电极CE，并且使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。第一元件绝缘层QPAS1可以防止发光元件ED与其它元件直接接触并且被其它元件损坏。
发光元件ED可以在第一元件绝缘层QPAS1的上侧上设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光元件ED的一个端部或一端部可以连接到第一电极AE，并且发光元件ED的另一个端部可以连接到第二电极CE。
第二元件绝缘层QPAS2可以部分地设置在设置于第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件ED上。第二元件绝缘层QPAS2可以设置在发光元件ED的顶表面的中央部上。第三元件绝缘层QPAS3可以部分地围绕发光元件ED的外表面。第三元件绝缘层QPAS3可以保护发光元件ED。第三元件绝缘层QPAS3可以围绕发光元件ED的外表面。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部AE2和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部AE2和发光元件ED彼此电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部CE2和发光元件ED的另一部分，并且可以将第二电极分支部CE2和发光元件ED彼此电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支部AE2上并且在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一个端部或一端部接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第一接触电极CTE1可以与第二元件绝缘层QPAS2的一个端部侧或一端部侧的顶表面直接接触。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支部CE2上并且在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一个端部接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
第二接触电极CTE2可以与第二元件绝缘层QPAS2的另一个端部侧的顶表面直接接触。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以设置在同一层上。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以分别暴露第二元件绝缘层QPAS2的中央部的顶表面。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2中的每个可以包括导电材料。第一接触电极CTE1可以包括第一材料，且第二接触电极CTE2可以包括第二材料。然而，第一材料和第二材料可以具有不同的物理性质。下面将提供其详细描述。
图5是示出根据实施方式的发光元件的视图。参考图5，发光元件ED可以是发光二极管。发光元件ED可以具有微米或纳米单位的尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以根据在特定方向上彼此面对的两个电极之间形成的电场在两个电极之间对准。
发光元件ED可以具有在一个方向或一方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有诸如棒、线或管的形状。发光元件ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、有源层115、电极层117和绝缘膜118。发光元件ED的长度h可以是约4μm。
第一半导体层111可以是n型半导体。第一半导体层111可以包括化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。第一半导体层111可以掺杂有n型掺杂剂，n型掺杂剂可以是在本公开的精神和范围内的Si、Ge、Sn等。例如，第一半导体层111可以由掺杂有作为n型掺杂剂的Si的n-GaN制成。第一半导体层111的厚度可以在约500nm至约1μm的范围内，但不限于此。
第二半导体层113可以是p型半导体，并且可以包括化学式为AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种或更多种。第二半导体层113可以掺杂有p型掺杂剂，p型掺杂剂可以是在本公开的精神和范围内的Mg、Zn、Ca、Ba等。例如，第二半导体层113可以由掺杂有作为p型掺杂剂的Mg的p-GaN制成。第二半导体层113的厚度可以在约30nm至约200nm的范围内。
有源层115可以设置在第一半导体层111和第二半导体层113之间。有源层115可以根据通过第一半导体层111和第二半导体层113施加的发光信号，通过电子和空穴的复合发光。有源层115可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在有源层115可以包括具有多量子阱结构的材料的情况下，有源层115也可以具有其中阱层和阻挡层可以彼此交替堆叠的结构。例如，有源层115可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料可以彼此交替堆叠的结构，并且可以根据所发射的光的波长带而包括III族至V族的其它半导体材料。
尽管未示出，但是在有源层115和第一半导体层111之间还可以设置有超晶格层。超晶格层可以减轻由于第一半导体层111和有源层115之间的晶格常数差而引起的应力。例如，超晶格层可以由InGaN或GaN形成。超晶格层的厚度可以在约50nm至约200nm的范围内。
再次参考图2和图3，第二堤部BNK2可以限定发光区域LA1、LA2和LA3中的每个。第二堤部BNK2可以包括限定第一发光区域LA1的第二-第一堤部BNK21、限定第二发光区域LA2的第二-第二堤部BNK22和限定第三发光区域LA3的第二-第三堤部BNK23。如图3中所示，第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸、第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸和第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸可以彼此不同。第二堤部BNK21、BNK22和BNK23中的每个具有沿第一方向DR1延伸的宽度W1、W2和W3以及沿第二方向DR2延伸的长度L1、L2和L3。第二堤部BNK21、BNK22和BNK23中的每个可以具有相同的沿第一方向DR1延伸的宽度W1、W2和W3。然而，第二堤部BNK21、BNK22和BNK23中的每个可以具有不同的沿第二方向DR2延伸的长度L1、L2和L3。
在实施方式中，供应到第一发光区域LA1的第一电流I1可以大于供应到第二发光区域LA2的第二电流I2和供应到第三发光区域LA3的第三电流I3，并且供应到第二发光区域LA2的第二电流I2可以大于供应到第三发光区域LA3的第三电流I3。
发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流密度可以意指通过将电流I1、I2和I3中的每个的强度除以相应发光区域LA1、LA2和LA3中的每个在平面图中的尺寸而获得的值。在实施方式中，由于供应到第一发光区域LA1的第一电流I1大于供应到第二发光区域LA2的第二电流I2和供应到第三发光区域LA3的第三电流I3，并且供应到第二发光区域LA2的第二电流I2大于供应到第三发光区域LA3的第三电流I3，因此可以通过将第一发光区域LA1在平面图中的尺寸设计成大于第二发光区域LA2在平面图中的尺寸和第三发光区域LA3在平面图中的尺寸并且将第二发光区域LA2在平面图中的尺寸设计成大于第三发光区域LA3在平面图中的尺寸来将发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流密度调节为均匀的水平。
在发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流密度高的情况下，由位于发光区域LA1、LA2和LA3中的每个中的发光元件ED产生的热量增加。因此，第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU各自有可能由于从其下侧上的发光元件层EML的发光元件ED产生的热而劣化。然而，根据实施方式，由于通过将第一发光区域LA1在平面图中的尺寸设计成大于第二发光区域LA2在平面图中的尺寸和第三发光区域LA3在平面图中的尺寸并且将第二发光区域LA2在平面图中的尺寸设计成大于第三发光区域LA3在平面图中的尺寸来将发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流密度调节为均匀的水平，因此具有可以最小化在上部分上的第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及光透射部LTU的劣化的优点。
此外，即使将发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流密度调节为均匀的水平，在施加到发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流I1、I2和I3大的情况下，由于位于发光区域LA1、LA2和LA3中的每个中的发光元件ED的劣化，也可能发生对发光元件ED的物理损坏，并且一些劣化的发光元件ED可能不工作。如图6中所示，可以看出，最多的劣化发生在最大的电流I1施加到其的第一发光区域LA1(图6中的R)中，第二多的劣化发生在具有次大小的电流I2施加到其的第二发光区域LA2(图6中的G)中，以及最少的劣化发生在最小的电流I3施加到其的第三发光区域LA3(图6中的B)中。
然而，根据实施方式，通过将第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸、第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸和第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸设计成彼此不同，可以调节设置在由第二堤部BNK21、BNK22和BNK23中的每个限定的发光区域LA1、LA2和LA3中的发光元件ED的数量。例如，第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸可以分别大于第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸和第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸，并且第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸可以大于第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸。因此，设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量可以大于设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量和设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量，并且设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量可以大于设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量。
如上所述，在施加到发光区域LA1、LA2和LA3中的每个的电流I1、I2和I3大的情况下，由于位于发光区域LA1、LA2和LA3中的每个中的发光元件ED的劣化，可能发生对发光元件ED的物理损坏，并且一些劣化的发光元件ED可能不工作。例如，以电流I1、I2和I3的大小的顺序，由于劣化而对设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED造成损坏的可能性可能大于由于劣化而对设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED造成损坏的可能性和由于劣化而对设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED造成损坏的可能性，并且由于劣化而对设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED造成损坏的可能性可能大于由于劣化而对设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED造成损坏的可能性。然而，如上所述，通过调节第二堤部BNK21、BNK22和BNK23的尺寸从而将设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量设计成大于设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量和设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量并且将设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量设计成大于设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量，可以将设置在发光区域LA1、LA2和LA3中的每个中并且未由于劣化而损坏的发光元件ED的数量保持在相同的水平处。
在下文中，将描述根据实施方式的显示装置。
在以下实施方式中，与先前描述的实施方式的组件相同的组件由相同的附图标记表示，并且将省略或简化其描述。
图7是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的平面图。
参考图7，根据实施方式的显示装置与参考图3描述的显示装置的不同之处在于，施加到第二发光区域LA2的第二电流I2_1的大小分别小于第一电流I1和第三电流I3_1，第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸分别小于第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸和第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸，以及设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量分别小于设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量和设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量。
由于已经参考图1至图6做出了其它描述，因此将省略其详细描述。
图8是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的平面图。
参考图8，根据实施方式的显示装置与参考图3描述的显示装置的不同之处在于，第一电流I1_1的大小小于第二电流I2_2的大小，第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸小于第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸，以及设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量小于设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量。
由于已经参考图1至图6进行了其它描述，因此将省略其详细描述。
图9是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的平面图。
参考图9，根据实施方式的显示装置与参考图3描述的显示装置的不同之处在于，施加到第二发光区域LA2的第二电流I2_1的大小分别小于第一电流I1_1和第三电流I3_2，第一电流I1_1的大小小于第三电流I3_2，第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸分别小于第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸和第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸，第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸小于第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸，设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量分别小于设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量和设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量，以及设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量小于设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量。
由于已经参考图1至图6进行了其它描述，因此将省略其详细描述。
图10是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的平面图。
参考图10，根据实施方式的显示装置与参考图3描述的显示装置的不同之处在于，施加到第一发光区域LA1的第一电流I1_2的大小分别小于第二电流I2和第三电流I3_2，第二电流I2的大小小于第三电流I3_2，第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸分别小于第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸和第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸，第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸小于第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸，设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量分别小于设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量和设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量，以及设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量小于设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量。
由于已经参考图1至图6进行了其它描述，因此将省略其详细描述。
图11是示出根据实施方式的显示装置的一个像素的平面图。
参考图11，根据实施方式的显示装置与参考图3描述的显示装置的不同之处在于，施加到第一发光区域LA1的第一电流I1_2的大小分别小于第二电流I2_2和第三电流I3_1，第三电流I3_1的大小小于第二电流I2_2，第二-第一堤部BNK21在平面图中的尺寸分别小于第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸和第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸，第二-第三堤部BNK23在平面图中的尺寸小于第二-第二堤部BNK22在平面图中的尺寸，设置在第一发光区域LA1中的发光元件ED的数量分别小于设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量和设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量，以及设置在第三发光区域LA3中的发光元件ED的数量小于设置在第二发光区域LA2中的发光元件ED的数量。
由于已经参考图1至图6进行了其它描述，因此将省略其详细描述。
在总结详细描述，本领域的技术人员将理解，在基本上不背离本公开的原则的情况下，可以对所公开的实施方式做出许多变化和修改。因此，所公开的实施方式仅以概括性和描述性意义使用，而不是出于限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
衬底，包括第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域；
第一堤部，在所述衬底上彼此间隔开；
第一电极和第二电极，设置在所述第一堤部上，覆盖所述第一堤部，并且彼此间隔开；
发光元件，分别设置在所述第一电极和所述第二电极之间；以及
第二堤部，分别设置在所述第一电极和所述第二电极上，
其中，
所述第二堤部包括限定所述第一发光区域的第二-第一堤部、限定所述第二发光区域的第二-第二堤部和限定所述第三发光区域的第二-第三堤部，以及
在平面图中，所述第二-第一堤部的尺寸、所述第二-第二堤部的尺寸和所述第二-第三堤部的尺寸彼此不同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在第一方向上，所述第二-第一堤部的宽度、所述第二-第二堤部的宽度和所述第二-第三堤部的宽度相同。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在第二方向上，所述第二-第一堤部的长度、所述第二-第二堤部的长度和所述第二-第三堤部的长度彼此不同。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二-第一堤部的所述长度和所述第二-第二堤部的所述长度中的每个大于所述第二-第三堤部的所述长度。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述发光元件中的在所述第一发光区域中的第一发光元件的数量和所述发光元件中的在所述第二发光区域中的第二发光元件的数量中的每个大于所述发光元件中的在所述第三发光区域中的第三发光元件的数量。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述第一电极中的在所述平面图中与所述第一发光元件重叠的第一电极被施加第一电流，
所述第一电极中的在所述平面图中与所述第二发光元件重叠的第一电极被施加第二电流，以及
所述第一电流的大小大于所述第二电流的大小。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二-第一堤部的所述长度大于所述第二-第二堤部的所述长度。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一接触电极，电连接到所述第一电极并且电接触所述发光元件中的每个的一端部，以及
第二接触电极，电连接到所述第二电极并且电接触所述发光元件中的每个的另一端部。
9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：
第一元件绝缘层，设置在所述第一电极和所述第二电极与所述发光元件之间；以及
第二元件绝缘层，设置在所述发光元件的顶表面上。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一接触电极直接接触所述第二元件绝缘层的一侧上的顶表面，
所述第二接触电极直接接触所述第二元件绝缘层的另一侧上的顶表面，以及
所述第一接触电极和所述第二接触电极各自暴露所述第二元件绝缘层的中央部的顶表面。
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