CN219658711U - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及显示设备。显示设备包括：堤，在衬底上彼此间隔开；第一电极，设置在堤上；第二电极，设置在堤上并且与第一电极间隔开；以及发光元件，设置在第一电极和第二电极之间。第一电极和第二电极覆盖堤。第一电极包括：第一电极部分，在平面图中与堤重叠；以及第一图案部分，与第一电极部分分离。第二电极包括：第二电极部分，在平面图中与堤重叠；以及第二图案部分，与第二电极部分分离。

Description

显示设备
技术领域
本公开涉及显示设备，其能够改善对准以防止发光元件的偏心。
背景技术
由于信息技术的日益发展，作为通信媒介的显示设备的重要性日益增加。例如，显示设备已经应用于各种电子设备，诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航设备和智能电视。显示设备可以是平板显示设备，诸如液晶显示设备、场发射显示设备或有机发光显示设备。在平板显示设备中，发光显示设备可以包括能够独立于单独的光源发光的发光元件。因此，平板显示设备在没有向显示面板提供光的发光部分的情况下显示图像。
应当理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分还可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员所理解的部分的构思、概念或认识。
实用新型内容
实施方式提供一种能够改善对准以防止发光元件的偏心的显示设备。
实施方式还提供了一种制造能够改善对准以防止发光元件的偏心的显示设备的方法。
然而，本公开的实施方式不限于本文中所阐述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，以上和其它实施方式对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更显而易见。
根据本公开的实施方式，显示设备包括：堤，在衬底上彼此间隔开；第一电极，设置在堤上；第二电极，设置在堤上并且与第一电极间隔开；以及发光元件，设置在第一电极和第二电极之间。第一电极和第二电极覆盖堤。第一电极包括：第一电极部分，在平面图中与堤重叠；以及第一图案部分，与第一电极部分分离。第二电极包括：第二电极部分，在平面图中与堤重叠；以及第二图案部分，与第二电极部分分离。
第一图案部分可以在平面图中不与堤重叠，并且第二图案部分可以在平面图中不与堤重叠。
第一图案部分可以在平面图中与发光元件重叠，并且第二图案部分可以在平面图中与发光元件重叠。
第一图案部分和第一电极部分可以彼此电分离。
第一电极部分和第一图案部分可以是被独立地驱动的。
第二图案部分和第二电极部分可以彼此电分离。
第二电极部分和第二图案部分可以是被独立地驱动的。
第一图案部分可以设置在第一电极部分和第二图案部分之间，并且第二图案部分可以设置在第二电极部分和第一图案部分之间。
第一图案部分与第二图案部分之间的间隔距离可以在发光元件的长度的约0.7倍至约1倍的范围内。
第一图案部分的宽度和第二图案部分的宽度可以分别等于或小于发光元件的长度的约0.2倍。
显示设备还可以包括：第一接触电极，电连接到第一电极并且与发光元件的一端接触。
显示设备还可以包括：第二接触电极，电连接到第二电极并且与发光元件的另一端接触。
根据本公开的实施方式，显示设备包括：堤，在衬底上彼此间隔开；第一电极，设置在衬底上；第二电极，设置在衬底上并且与第一电极间隔开；以及发光元件，设置在第一电极和第二电极上。第一电极和第二电极在平面图中分别不与堤重叠。
第一电极可以在平面图中与发光元件重叠，并且第二电极可以在平面图中与发光元件重叠。
第一电极与第二电极之间的间隔距离可以在发光元件的长度的约0.7倍至约1倍的范围内。
第一电极的宽度和第二电极的宽度可以分别等于或小于发光元件的长度的约0.2倍。
根据本公开的实施方式，制造显示设备的方法包括：制备目标衬底，目标衬底包括：堤，在衬底上彼此间隔开；第一电极，设置在堤上并且包括：第一电极部分，在平面图中与堤重叠；以及第一图案部分，与第一电极部分分离；以及第二电极，设置在堤上，与第一电极间隔开并且包括：第二电极部分，在平面图中与堤重叠；以及第二图案部分，与第二电极部分分离；以及喷射包括待设置在第一电极和第二电极之间的多个发光元件的墨水。第一电极和第二电极覆盖堤。
该方法还可以包括：在喷射包括待设置在第一电极和第二电极之间的多个发光元件的墨水之后，向第一电极部分和第一图案部分施加第一电力电压；以及向第二电极部分和第二图案部分施加第二电力电压。
该方法还可以包括：在向第一电极部分和第一图案部分施加第一电力电压并且向第二电极部分和第二图案部分施加第二电力电压之后，仅向第一图案部分施加第一电力电压；以及仅向第二图案部分施加第二电力电压。
第一图案部分可以设置在第一电极部分和第二图案部分之间，并且第二图案部分可以设置在第二电极部分和第一图案部分之间。
其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
依据根据实施方式的显示设备和制造显示设备的方法，可以改善发光元件的对准，并且可以防止发光元件的偏心。
然而，实施方式的效果不限于本文中所阐述的效果。通过参考权利要求，实施方式的以上和其它效果对于实施方式所属领域的普通技术人员将变得更显而易见。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，根据本公开的另外的理解将变得更显而易见，在附图中：
图1是示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图；
图2是沿着图1的放大视图的线I-I'截取的示意性剖视图；
图3是示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图；
图4是沿着图3的线II-II'截取的示意性剖视图；
图5是图4的区域A的示意性放大剖视图；
图6是示出根据实施方式的发光元件的示意图；
图7至图9是示出根据比较例的发光元件的精确对准和未对准的示意图；
图10是示意性地示出发光元件的精确对准和未对准的曲线图；
图11和图12是示出根据实施方式的制造显示设备的方法中的对准发光元件的示意图；
图13是通过图11的第一图案部分和第二图案部分示出电场的示意图；
图14是示出根据实施方式的制造显示设备的方法中的对准发光元件的示意图；以及
图15是根据另一实施方式的显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对本公开的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”是可互换的词，它们是采用本文中所公开的设备或方法的非限制性示例。然而，显而易见，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实践各种实施方式。这里，各种实施方式不必是排他的或限制本公开。例如，实施方式的特定形状、配置和特性可以在另一实施方式中使用或实现。
除非另外说明，否则所说明的实施方式应理解为提供本公开的特征。因此，除非另有说明，否则在不背离本公开的情况下，各种实施方式的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独或统称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供来阐明相邻元件之间的边界。如此，除非指定，否则交叉影线或阴影的存在或缺失都不传达或表示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。此外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方式可以不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。然而，当元件或层被称为直接在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。
尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
出于描述的目的，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一元件(多个元件)的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以包含上方和下方两种定向。另外，装置可以另外定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且因此，本文中使用的空间相对描述语应相应地解释。
本文中使用的术语是出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在限制。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另有明确表示。此外，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
本文中参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图描述各种实施方式。因此，应预期例如由于制造技术和/或公差而导致的、图示的形状的变型。因此，本文中所公开的实施方式不应一定被解释为受限于特定示出的区域形状，而是应包括例如由制造而导致的形状的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的实际形状，并且不一定旨在限制。
如本领域中惯用的那样，针对功能性块、单元和/或模块，描述了并且在附图中示出了一些实施方式。本领域技术人员将理解，这些块、单元和/或模块通过可利用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、离散组件、微处理器、硬布线电路、存储器元件、布线连接器等的电气电路(或光学电路)物理上地实现。在块、单元和/或模块通过微处理器或其他相似硬件实现的情况下，可以利用软件(例如，微代码)对它们进行编程并控制它们以执行本文中所讨论的各种功能，并且可以选择性地通过固件和/或软件来驱动它们。还设想到，每个块、单元和/或模块可以通过专用硬件来实现，或者可以实现为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程式微处理器和关联电路)的组合。另外，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的每个块、单元和/或模块可以在物理上分离成两个或更多个交互且离散的块、单元和/或模块。此外，在不背离本公开的范围的情况下，一些实施方式的块、单元和/或模块可以在物理上组合成更复杂的块、单元和/或模块。
如本文中所使用的，术语“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
出于本公开的目的，短语“A和B中的至少一个”可以被解释为仅A、仅B或者A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的群组的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
除非在本文中另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于形式化的含义进行解释。
在下文中，参考附图描述实施方式。
图1是示出根据实施方式的显示设备的示意性平面图。
参考图1，根据实施方式的显示设备可以具有矩形平面形状。然而，显示设备的平面形状不限于此，并且可以具有正方形形状、圆形形状、椭圆形形状或其它多边形形状。在下文中，为了便于解释，下面提供具有矩形平面形状的显示设备的描述。
显示设备可以包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，为了便于解释，下面提供包括无机发光二极管显示面板的显示设备的描述。然而，本公开不限于此，并且如果适用的话，相同的技术思想可以应用于其它显示面板。
显示设备可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括像素PX以显示图像。像素PX可以布置成矩阵形式。非显示区域NDA可以与显示区域DA相邻(例如，设置在显示区域DA周围)，并且可以不显示图像。在平面图中，非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。显示区域DA也可以称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以称为非有效区域。显示区域DA可以占据显示设备的中央。
非显示区域NDA可以分别位于显示区域DA的第一方向DR1上的另一侧、显示区域DA的第一方向DR1上的一侧、显示区域DA的第二方向DR2上的一侧以及显示区域DA的第二方向DR2上的另一侧上。例如，非显示区域NDA可以位于显示区域DA的第一方向DR1和第二方向DR2上的四条边上。然而，非显示区域NDA不限于此。在其它实施方式中，多个非显示区域NDA也可以仅位于显示区域DA的第一方向DR1上的一侧和另一侧上，或者也可以仅位于显示区域DA的第二方向DR2上的一侧和另一侧上。包括在显示设备中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中的每一个中，或者外部设备可以安装在其上。第三方向DR3可以是与第一方向DR1和第二方向DR2垂直的方向，并且可以是显示设备的厚度方向。
参考图1的放大视图，显示设备的像素PX中的每一个可以包括由像素限定层限定的发光区域LA1、LA2和LA3，并且可以通过发光区域LA1、LA2和LA3发射具有峰值波长(例如，预定或可选的峰值波长)的光。例如，显示设备的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个可以是其中由显示设备的发光元件产生的光发射到显示设备的外部的区域。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以将具有峰值波长(例如，预定或可选的峰值波长)的光发射到显示设备的外部。第一发光区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发射第二颜色的光，并且第三发光区域LA3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光，第二颜色的光可以是具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，并且第三颜色的光可以是具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，但是本公开不限于此。
显示设备的显示区域DA可以包括在彼此相邻的发光区域LA1、LA2和LA3之间的光阻挡区域。例如，发光区域LA1、LA2和LA3之间的光阻挡区域可以与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3相邻(例如，围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3)。
图2是沿着图1的放大视图的线I-I'截取的示意性剖视图。
参考图2，显示设备可以包括设置成跨过显示区域DA和非显示区域NDA的衬底SUB、在衬底SUB上设置在显示区域DA中的显示元件层DEP以及设置成跨过显示区域DA和非显示区域NDA并密封显示元件层DEP的封装构件ENC。
衬底SUB可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。衬底SUB的绝缘材料可以包括例如聚酰亚胺(PI)，但不限于此。
显示元件层DEP可以包括缓冲层BF、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、第二平坦化层OC2、第一封盖层CAP1、第一光阻挡构件BK1、第一波长转换部分WLC1、第二波长转换部分WLC2、透光部分LTU、第二封盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二光阻挡构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3和第三钝化层PAS3。
缓冲层BF可以设置在衬底SUB上。缓冲层BF可以由能够防止空气或湿气的渗透的无机膜形成。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘膜GI、层间绝缘膜ILD、第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以构成像素PX中的每一个的像素电路。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。在平面图中，半导体层ACT可以与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE重叠。半导体层ACT可以与源电极SE和漏电极DE直接接触，并且可以面对栅电极GE且栅极绝缘膜GI插置在其之间。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘膜GI的上侧上。在平面图中，栅电极GE可以与半导体层ACT重叠，并且栅极绝缘膜GI可以插置在栅电极GE和半导体层ACT之间。
源电极SE和漏电极DE可以在层间绝缘膜ILD上彼此间隔开。源电极SE可以通过设置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中(或穿过栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD)的接触孔与半导体层ACT的一端接触。漏电极DE可以通过设置在栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD中(或穿过栅极绝缘膜GI和层间绝缘膜ILD)的接触孔与半导体层ACT的另一端接触。漏电极DE可以通过设置在第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1中(或穿过第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1)的接触孔电连接到发光构件EL的第一电极AE。
栅极绝缘膜GI可以设置在半导体层ACT的上侧上。例如，栅极绝缘膜GI可以设置在半导体层ACT和缓冲层BF的上侧上，并且可以使半导体层ACT和栅电极GE电绝缘。栅极绝缘膜GI可以包括源电极SE穿过的接触孔和漏电极DE穿过的接触孔。
层间绝缘膜ILD可以设置在栅电极GE的上侧上。例如，层间绝缘膜ILD可以包括源电极SE穿过的接触孔和漏电极DE穿过的接触孔。
第一钝化层PAS1可以设置在薄膜晶体管TFT的上侧上，并保护薄膜晶体管TFT。例如，第一钝化层PAS1可以包括第一电极AE穿过的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1的上侧上，并且使薄膜晶体管TFT的上端平坦化。例如，第一平坦化层OC1可以包括发光构件EL的第一电极AE穿过的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光构件EL、第一堤BNK1、第二堤BNK2、第一元件绝缘层QPAS1和第二钝化层PAS2。
发光构件EL可以设置在薄膜晶体管TFT上。发光构件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE和发光元件ED。
第一电极AE可以设置在第一平坦化层OC1的上侧上。例如，第一电极AE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤BNK1上并覆盖第一堤BNK1。在平面图中，第一电极AE可以与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的任一个重叠。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以由第二堤BNK2限定。第一电极AE可以电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。
第二电极CE可以设置在第一平坦化层OC1的上侧上。例如，第二电极CE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤BNK1上并覆盖第一堤BNK1。在平面图中，第二电极CE可以与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的任一个重叠。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以由第二堤BNK2限定。例如，第二电极CE可以接收提供给所有像素PX的公共电压。
第一元件绝缘层QPAS1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE和第二电极CE电绝缘。
发光元件ED可以在第一平坦化层OC1的上侧上设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光元件ED可以设置在第一元件绝缘层QPAS1上。发光元件ED的一端可以电连接到第一电极AE，并且发光元件ED的另一端可以电连接到第二电极CE。例如，发光元件ED可以包括具有相同材料并发射相同波长带的光(或相同颜色的光)的有源层。从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个的发光元件ED发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光元件ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。
第二堤BNK2可以设置在第一平坦化层OC1上并限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如，第二堤BNK2可以与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个相邻(例如，围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个)，但不限于此。第二堤BNK2可以设置在光阻挡区域BA中。
第二钝化层PAS2可以设置在发光构件EL和第二堤BNK2上。第二钝化层PAS2可以覆盖发光构件EL并且可以保护发光构件EL。
显示设备还可以包括第二平坦化层OC2、第一封盖层CAP1、第一光阻挡构件BK1、第一波长转换部分WLC1、第二波长转换部分WLC2、透光部分LTU、第二封盖层CAP2、第三平坦化层OC3、第二光阻挡构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3、第三钝化层PAS3以及封装构件ENC。
第二平坦化层OC2可以设置在发光元件层EML的上侧上，并且使发光元件层EML的上端平坦化。第二平坦化层OC2可以包括有机材料。
第一封盖层CAP1可以设置在第二平坦化层OC2上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的底表面。第一封盖层CAP1可以包括无机材料。
第一光阻挡构件BK1可以在第一封盖层CAP1上设置在光阻挡区域BA中。第一光阻挡构件BK1可以在厚度方向上与第二堤BNK2重叠。第一光阻挡构件BK1可以阻挡光的透射。
第一光阻挡构件BK1可以包括有机光阻挡材料和液体排斥组分。
由于第一光阻挡构件BK1包括液体排斥组分，所以第一光阻挡构件BK1可以将第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU分离到相应的发光区域LA1、LA2和LA3中。
第一波长转换部分WLC1可以在第一封盖层CAP1上设置在第一发光区域LA1中。第一波长转换部分WLC1可以与第一光阻挡构件BK1相邻(例如，由第一光阻挡构件BK1围绕)。第一波长转换部分WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长变换体WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括具有相对高透光率的材料。第一基础树脂BS1可以由透明有机材料制成。例如，第一基础树脂BS1可以包括环氧基树脂、丙烯酸基树脂、卡多(cardo)基树脂和酰亚胺基树脂中的至少一种有机材料。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1形成光学界面。
第一波长变换体WLS1可以将入射光的峰值波长转换或变换到第一峰值波长。例如，第一波长变换体WLS1可以将从发光元件层EML提供的蓝光转换成具有在约610nm至约650nm的范围内的单峰值波长的红光并且发射红光。第一波长变换体WLS1可以是量子点、量子杆或磷光体。第一波长变换体WLS1的量子点可以是通过电子从导带跃迁到价带而发射颜色(例如，特定或可选的颜色)的颗粒物质。
由第一波长变换体WLS1发射的光可以是具有约45nm或更小或者约40nm或更小或者约30nm或更小的半高全宽(FWHM)的发射波长光谱的光，并且可以进一步改善由显示设备显示的颜色的颜色纯度和颜色再现性。
从发光元件层EML提供的蓝光的一部分可以透射通过第一波长转换部分WLC1，而不被第一波长变换体WLS1转换成红光。从发光元件层EML提供的蓝光中的、入射到第一滤色器CF1上而不由第一波长转换部分WLC1转换的光可以由第一滤色器CF1阻挡。从发光元件层EML提供的蓝光中的、由第一波长转换部分WLC1转换的红光可以透射通过第一滤色器CF1并发射到外部。因此，第一发光区域LA1可以发射红光。
第二波长转换部分WLC2可以在第一封盖层CAP1上设置在第二发光区域LA2中。第二波长转换部分WLC2可以与第一光阻挡构件BK1相邻(例如，由第一光阻挡构件BK1围绕)。第二波长转换部分WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长变换体WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括具有相对高透光率的材料。第二基础树脂BS2可以由透明有机材料制成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基础树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。
第二波长变换体WLS2可以将入射光的峰值波长转换或变换到与第一波长变换体WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长变换体WLS2可以将从发光元件层EML提供的蓝光转换成具有在约510nm至约550nm的范围内的单峰值波长的绿光并发射绿光。第二波长变换体WLS2可以是量子点、量子杆或磷光体。第二波长变换体WLS2和第一波长变换体WLS1可以包括相同的材料。
透光部分LTU可以在第一封盖层CAP1上设置在第三发光区域LA3中。透光部分LTU可以与第一光阻挡构件BK1相邻(例如，由第一光阻挡构件BK1围绕)。透光部分LTU可以通过其透射入射光并保持入射光的峰值波长。透光部分LTU可以包括第三基础树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括具有相对高透光率的材料。第三基础树脂BS3可以由透明有机材料制成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括散射透射光的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。
由于第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU通过第二平坦化层OC2和第一封盖层CAP1设置在发光元件层EML上，所以显示设备可以不需要用于第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的单独衬底。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2、透光部分LTU以及第一光阻挡构件BK1。
第三平坦化层OC3可以设置在第二封盖层CAP2的上侧上，并且使第一波长转换部分WLC1和第二波长转换部分WLC2以及透光部分LTU的上端平坦化。第三平坦化层OC3可以包括有机材料。
第二光阻挡构件BK2可以在第三平坦化层OC3上设置在光阻挡区域BA中。第二光阻挡构件BK2可以在厚度方向上与第一光阻挡构件BK1和/或第二堤BNK2重叠。第二光阻挡构件BK2可以阻挡光的透射。
第一滤色器CF1可以在第三平坦化层OC3上设置在第一发光区域LA1中。第一滤色器CF1可以与第二光阻挡构件BK2相邻(例如，可以由第二光阻挡构件BK2围绕)。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部分WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。
第二滤色器CF2可以在第三平坦化层OC3上设置在第二发光区域LA2中。第二滤色器CF2可以与第二光阻挡构件BK2相邻(例如，可以由第二光阻挡构件BK2围绕)。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部分WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。
第三滤色器CF3可以在第三平坦化层OC3上设置在第三发光区域LA3中。第三滤色器CF3可以与第二光阻挡构件BK2相邻(例如，可以由第二光阻挡构件BK2围绕)。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光部分LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示设备的外部引入的光的一部分，并减少由于外部光而引起的光反射(或反射光)。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由于外部光的反射而引起的颜色失真。
第三钝化层PAS3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第三钝化层PAS3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装构件ENC可以设置在第三钝化层PAS3上。例如，封装构件ENC可以包括至少一个无机膜并防止氧气或湿气的渗透。封装构件ENC可以包括至少一个有机膜并且保护显示设备免受诸如灰尘的异物的影响。
图3是示出根据实施方式的显示设备的像素的示意性平面图。图4是沿着图3的线II-II'截取的示意性剖视图。图5是图4的区域A的示意性放大剖视图。
参考图2至图5，像素PX中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的发光元件ED可以通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的发光元件ED可以发射相同颜色的光。例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的发光元件ED可以是相同的类型，并且可以发射第三颜色的光或蓝光。作为另一示例，第一子像素SP1可以发射第一颜色的光或红光，第二子像素SP2可以发射第二颜色的光或绿光，并且第三子像素SP3可以发射第三颜色的光或蓝光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以包括第一电极AE和第二电极CE、发光元件ED、接触电极CTE和第二堤BNK2。
第一电极AE和第二电极CE可以电连接到发光元件ED并且被施加电压(例如，预定或可选的电压)。发光元件ED可以发射波长带(例如，特定或可选的波长带)中的光。第一电极AE和第二电极CE的至少一部分可以在像素PX中形成电场，并且发光元件ED可以通过电场在第一电极AE和第二电极CE之间对准。
例如，第一电极AE可以是针对第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个分离的像素电极，并且第二电极CE可以是公共且电连接到第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是发光元件ED的阳极电极，并且第一电极AE和第二电极CE中的另一个可以是发光元件ED的阴极电极。
第一电极AE可以包括在第一方向DR1上延伸的第一电极杆部分AE1和从第一电极杆部分AE1分支并在第二方向DR2上延伸的至少一个第一电极分支部分AE2。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的第一电极杆部分AE1可以与相邻子像素的另一个第一电极杆部分AE1间隔开。第一电极杆部分AE1可以与在第一方向DR1上彼此相邻的相邻子像素的另一第一电极杆部分AE1设置在假想延长线上。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的第一电极杆部分AE1可以接收不同的信号并且可以被独立地驱动。
第一电极分支部分AE2可以从第一电极杆部分AE1分支并且在第二方向DR2上延伸。第一电极分支部分AE2的一端可以电连接到第一电极杆部分AE1，并且第一电极分支部分AE2的另一端可以与面对第一电极杆部分AE1的第二电极杆部分CE1间隔开。
第二电极CE可以包括在第一方向DR1上延伸的第二电极杆部分CE1和从第二电极杆部分CE1分支并在第二方向DR2上延伸的第二电极分支部分CE2。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的第二电极杆部分CE1(例如，第二电极杆部分CE1的一部分)可以电连接到相邻子像素的第二电极杆部分CE1(例如，第二电极杆部分CE1的另一部分)。第二电极杆部分CE1可以在第一方向DR1上延伸并且与像素PX(例如，子像素SP1、SP2和SP3)相交(或交叉)。第二电极杆部分CE1可以电连接到显示区域DA的外部部分或者电连接到非显示区域NDA的在一方向上延伸的部分。
第二电极分支部分CE2可以与第一电极分支部分AE2间隔开以彼此面对。第二电极分支部分CE2的一端可以电连接到第二电极杆部分CE1，并且第二电极分支部分CE2的另一端可以与第一电极杆部分AE1间隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔CNT1电连接到显示设备的薄膜晶体管层TFTL。第二电极CE可以通过第二接触孔CNT2电连接到显示设备的薄膜晶体管层TFTL。例如，第一接触孔CNT1可以设置在第一电极杆部分AE1中的每一个中，并且第二接触孔CNT2可以设置在第二电极杆部分CE1中，但不限于此。
第二堤BNK2可以设置在像素PX之间的边界处。第一电极杆部分AE1可以基于第二堤BNK2彼此间隔开。第二堤BNK2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在布置在第一方向DR1上的像素PX(例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的相邻子像素)之间的边界处。第二堤BNK2也可以设置在布置在第二方向DR2上的像素PX的边界处。第二堤BNK2可以限定像素PX(例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3)之间的边界。
在制造显示设备的情况下，发光元件ED可以分散在墨水中并被喷射。第二堤BNK2可以在显示设备的制造期间防止墨水跨过像素PX(例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3)之间的边界。第二堤BNK2可以将不同的发光元件ED彼此分开，并且其中分散有不同发光元件ED的墨水可以彼此不混合。
发光元件ED可以设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光元件ED的一端可以电连接到第一电极AE，并且发光元件ED的另一端可以电连接到第二电极CE。
发光元件ED可以彼此间隔开，并且可以在一个方向上对准(例如，基本上彼此平行)。彼此间隔开的发光元件ED之间的间隔不限于此。
发光元件ED可以包括具有相同材料并发射相同波长带的光(或相同颜色的光)的有源层。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的发光元件ED可以发射相同颜色的光。例如，发光元件ED可以发射具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部分AE2的一部分和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部分AE2和发光元件ED彼此电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部分CE2的一部分和发光元件ED的一部分，并且可以将第二电极分支部分CE2和发光元件ED彼此电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支部分AE2上并且在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一端接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支部分CE2上并且在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一端接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
显示设备的发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一元件绝缘层QPAS1、第二元件绝缘层QPAS2和第三元件绝缘层QPAS3。
第一堤BNK1可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。第一堤BNK1中的每一个可以对应于第一电极AE或第二电极CE。第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以设置在相应的第一堤BNK1上。例如，第一堤BNK1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且第一堤BNK1中的每一个的侧表面可以从第一平坦化层OC1倾斜。第一堤BNK1的倾斜表面可以反射从发光元件ED发射的光。
第一电极杆部分AE1可以包括穿过第一平坦化层OC1的第一接触孔CNT1。第一电极杆部分AE1可以通过第一接触孔CNT1电连接到薄膜晶体管TFT。
第二电极杆部分CE1可以在第一方向DR1上延伸，并且也可以设置在其中不设置发光元件ED的非发光区域中。第二电极杆部分CE1可以包括穿过第一平坦化层OC1的第二接触孔CNT2。第二电极杆部分CE1可以通过第二接触孔CNT2电连接到电力电极。第二电极CE可以从电力电极接收电信号(例如，预定或可选的电信号)。
第一电极AE和第二电极CE可以包括透明导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以包括具有高反射率的导电材料。第一电极AE和第二电极CE可以具有由透明导电材料制成的一个或多个叠层和由具有高反射率的金属制成的一个或多个层。在其它实施方式中，第一电极AE和第二电极CE可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的一个层。
第一元件绝缘层QPAS1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极AE和第二电极CE上。第一元件绝缘层QPAS1可以覆盖第一电极AE和第二电极CE中的每一个的一部分。
第一元件绝缘层QPAS1可以保护第一电极AE和第二电极CE，并且使第一电极AE和第二电极CE彼此电绝缘。第一元件绝缘层QPAS1可以防止发光元件ED与其它构件直接接触并且由其它构件损坏。
发光元件ED可以在第一元件绝缘层QPAS1的上侧上设置在第一电极AE和第二电极CE之间。发光元件ED的一端可以电连接到第一电极AE，并且发光元件ED的另一端可以电连接到第二电极CE。
第二元件绝缘层QPAS2可以部分地设置在设置于第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件ED上。第二元件绝缘层QPAS2可以设置在发光元件ED的顶表面的中央部分上。第三元件绝缘层QPAS3可以与发光元件ED的外表面相邻(例如，部分围绕发光元件ED的外表面)。第三元件绝缘层QPAS3可以保护发光元件ED。第三元件绝缘层QPAS3可以与发光元件ED的外表面相邻(例如，围绕发光元件ED的外表面)。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支部分AE2的一部分和发光元件ED的一部分，并且可以将第一电极分支部分AE2和发光元件ED彼此电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支部分CE2的一部分和发光元件ED的一部分，并且可以将第二电极分支部分CE2和发光元件ED彼此电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支部分AE2上并且在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光元件ED的一端接触。发光元件ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第一接触电极CTE1可以与第二元件绝缘层QPAS2的一端侧上的顶表面直接接触。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支部分CE2上并且在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向DR1上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光元件ED的另一端接触。发光元件ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
第二接触电极CTE2可以与第二元件绝缘层QPAS2的另一端侧上的顶表面直接接触。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以设置在相同的层上。第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以各自暴露第二元件绝缘层QPAS2的中央部分的顶表面。
第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2中的每一个可以包括导电材料。
第一电极AE可以包括第一电极部分AEa和第一图案部分AEb。第一电极部分AEa可以在平面图中与第一堤BNK1重叠，并且第一图案部分AEb可以与第一电极部分AEa分离。第二电极CE可以包括第二电极部分CEa和第二图案部分CEb。第二电极部分CEa可以在平面图中与第一堤BNK1重叠，并且第二图案部分CEb可以与第二电极部分CEa分离。
在平面图中，第一图案部分AEb可以不与第一堤BNK1重叠，并且在平面图中，第二图案部分CEb可以不与第一堤BNK1重叠。
第一图案部分AEb可以在平面图中与发光元件ED重叠，并且第二图案部分CEb可以在平面图中与发光元件ED重叠。
根据实施方式，第一图案部分AEb和第一电极部分AEa可以电分离。第一电极部分AEa和第一图案部分AEb中的每一个可以被独立地驱动。第一电力电压V1(参见图11)可以施加到第一图案部分AEb和第一电极部分AEa中的每一个。下面提供其详细描述。
类似地，第二图案部分CEb和第二电极部分CEa可以电分离。第二电极部分CEa和第二图案部分CEb中的每一个可以被独立地驱动。第二电力电压V2(参见图11)可以施加到第二图案部分CEb和第二电极部分CEa中的每一个。下面提供其详细描述。第二电力电压V2可以小于第一电力电压V1。第一电力电压V1可以是高电平电力电压，并且第二电力电压V2可以是低电平电力电压。
第一图案部分AEb可以设置在第一电极部分AEa和第二图案部分CEb之间，并且第二图案部分CEb可以设置在第二电极部分CEa和第一图案部分AEb之间。
第一图案部分AEb和第二图案部分CEb之间的间隔距离W1可以在稍后将在图6中描述的发光元件ED的长度h的约0.7倍至约1倍的范围内。第一图案部分AEb的宽度W2和第二图案部分CEb的宽度W2可以分别等于或小于发光元件ED的长度h的约0.2倍。
存在以下优点。在第一图案部分AEb和第二图案部分CEb之间的间隔距离W1等于或大于发光元件ED的长度h的约0.7倍的情况下，即使当显著出现发光元件ED的未对准(例如，误差距离d1(参见图8)和d2(参见图9))时，如稍后参考图8和图9所描述的，由第一图案部分AEb和第二图案部分CEb中的每一个形成的电场也可以影响未对准的发光元件ED，这可以增加精确地重新对准发光元件ED的可能性。在第一图案部分AEb和第二图案部分CEb之间的间隔距离W1等于或小于发光元件ED的长度h的约1倍的情况下，形成在第一电极AE和第二电极CE之间的第二平分线CL2(参见图7)上的、由第一图案部分AEb和第二图案部分CEb形成的电场的密度可以保持在一定水平(例如，预定或可选的水平)或更大的水平下。在实施方式中，第一图案部分AEb和第二图案部分CEb之间的间隔距离W1可以在发光元件ED的长度h的约0.8倍至约0.9倍的范围内。下面提供其详细描述。
在第一图案部分AEb的宽度W2和第二图案部分CEb的宽度W2分别等于或小于发光元件ED的长度h的约0.2倍的情况下，可以减小在第一图案部分AEb和第二图案部分CEb之间形成的电场的路径并且防止发生亚稳定状态，在亚稳定状态下，发光元件ED在第一电极AE和第二电极CE之间的第二平分线CL2以外的区域中对准，这可以改善发光元件ED的精确对准。
图6是示出根据实施方式的发光元件的示意图。
参考图6，发光元件ED可以是发光二极管。发光元件ED可以具有微米级或纳米级的尺寸，并且可以是包括无机材料的无机发光二极管。发光元件ED的无机发光二极管可以根据在一个方向(例如，特定或可选的方向)上形成在彼此面对的两个电极之间的电场在两个电极之间(例如，在第一电极AE和第二电极CE之间)对准。
发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有诸如杆、线或管的形状。发光元件ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、有源层115、电极层117和绝缘膜118。
第一半导体层111可以是n型半导体。第二半导体层113可以设置在有源层115上。第一半导体层111和第二半导体层113中的每一个可以配置为一层，但不限于此。
有源层115可以设置在第一半导体层111和第二半导体层113之间。有源层115可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当有源层115包括具有多量子阱结构的材料时，量子层和阱层可以彼此交替堆叠。
从有源层115发射的光可以在发光元件ED的长度方向上发射，并且还可以从其两侧发射。从有源层115发射的光的方向可以不限于此。
电极层117可以是欧姆接触电极。作为另一示例，电极层117可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层117。
绝缘膜118可以与半导体层和电极层的外表面相邻(例如，围绕半导体层和电极层的外表面)。绝缘膜118可以与有源层115的外表面相邻(例如，围绕有源层115的外表面)并且可以在发光元件ED延伸的方向上延伸。绝缘膜118可以保护发光元件ED。
绝缘膜118可以包括具有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)和氧化铝(Al2O3)中的至少一种绝缘材料的材料。
绝缘膜118的外表面可以被表面处理。当制造显示设备时，发光元件ED可以在分散在墨水(例如，预定或可选的墨水)中的状态下喷射到电极上并且在电极上对准。
图7至图9是示出根据比较例的发光元件的精确对准和未对准的示意图。图10是示意性地描述发光元件的精确对准和未对准的曲线图。
在图7至图9中，示出了将发光元件ED划分成相等部分的第一平分线CL1和将第一电极AE_1的一端和第二电极CE_1的一端之间的空间划分成相等部分的第二平分线CL2。在图10中，曲线#1可以是当第一电力电压(例如，预定或可选的第一电力电压)施加到图7至图9的第一电极AE_1并且第二电力电压(例如，预定或可选的第二电力电压)施加到其第二电极CE_1时的曲线。曲线#3可以是当大于第一电力电压的电力电压施加到图7至图9的第一电极AE_1并且小于第二电力电压的电力电压施加到其第二电极CE_1时的曲线。曲线#2可以是当第一电力电压(例如，预定或可选的第一电力电压)仅施加到根据图4的第一电极AE的第一图案部分AEb并且第二电力电压(例如，预定或可选的第二电力电压)仅施加到第二电极CE的第二图案部分CEb时的曲线。
参考图7，第一平分线CL1可以在与第二平分线CL2相同的线上，并且图7表示发光元件ED精确地对准。
在图8中，发光元件ED可以向左而不对准，因为第一平分线CL1比第二平分线CL2更靠近第一电极AE_1(误差距离d1)。
在图9中，发光元件ED可以向右而不对准，因为第一平分线CL1比第二平分线CL2更靠近第二电极CE_1(误差距离d2)。
参考图7至图9以及图10的曲线#1，当应用根据图7至图9的电极AE_1和CE_1时，三个区段可以具有低势能。在图7的发光元件ED通过电极AE_1和CE_1精确对准的情况下，曲线#1的低势能可以对应于三个区段的中央。在发光元件ED在图8中向左而未对准的情况下，曲线#1的低势能可以对应于三个区段的左侧。在发光元件ED在图9中向右而未对准的情况下，曲线#1的低势能可以对应于三个区段的右侧。
如图10的曲线#3所证实的，当较大电压施加到第一电极AE_1并且较小电压施加到第二电极CE_1时，与曲线#1的具有低势能的三个区段的左侧和右侧对应的区段的能量可以降低。
然而，当应用根据实施方式的电极AE和CE时，具有低势能的区段可以仅位于中央处，并且可以增加发光元件ED的精确对准的可能性。在其它实施方式中，未对准的发光元件ED可以容易且精确地对准。
在下文中，以下提供根据实施方式的制造显示设备的方法中的对准发光元件的描述。
图11和图12是示出根据实施方式的制造显示设备的方法中的对准发光元件的示意图。图13是通过图11的第一图案部分和第二图案部分示出电场的示意图。图14是示出根据实施方式的制造显示设备的方法中的对准发光元件的示意图。参考图1至图5以及图11至图14描述根据实施方式的制造显示设备的方法中的发光元件的对准。
根据实施方式的制造显示设备的方法包括：制备包括第一堤BNK1、第一电极AE和第二电极CE的目标衬底；以及喷射包括待设置在第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件ED的墨水。第一堤BNK1可以在衬底SUB上彼此间隔开。第一电极AE和第二电极CE可以设置在第一堤BNK1上并覆盖第一堤BNK1。第一电极AE和第二电极CE可以彼此间隔开。第一电极AE可以包括第一电极部分AEa和第一图案部分AEb。第一电极部分AEa可以在平面图中与第一堤BNK1重叠。第一图案部分AEb可以与第一电极部分AEa分离。第二电极CE可以包括第二电极部分CEa和第二图案部分CEb。第二电极部分CEa可以在平面图中与第一堤BNK1重叠，并且第二图案部分CEb可以与第二电极部分CEa分离。
如图11中所示，在喷射包括待设置在第一电极AE和第二电极CE之间的发光元件ED的墨水之后，第一电力电压V1可以施加到第一电极部分AEa和第一图案部分AEb，并且第二电力电压V2可以施加到第二电极部分CEa和第二图案部分CEb。
此后，如图12中所示，第一电力电压V1可以仅施加到第一图案部分AEb，并且第二电力电压V2可以仅施加到第二图案部分CEb。因此，如图12中所示，在图11中未对准的发光元件ED可以精确地对准。
为了便于解释(虽然不旨在通过理论解释限制本公开)，下面提供在图11中未对准的发光元件ED精确对准的原因。第一电力电压V1可以仅施加到第一图案部分AEb，并且第二电力电压V2可以仅施加到第二图案部分CEb。因此，如图10和图13中所示，具有低势能的区段可以仅位于中央的位置中，并且在图11中未对准的发光元件ED可以精确地对准。例如，参考图10和图13，在第一电力电压V1仅施加到第一图案部分AEb并且第二电力电压V2仅施加到第二图案部分CEb的情况下，因为低势能的区段可以仅位于其中央处，所以未对准的发光元件ED(例如，参考图11)可以转变为精确对准。
图14的发光元件ED与图11的发光元件ED的不同之处至少在于发光元件ED在不同的方向上未对准。因此，省略了相同组成元件的详细描述。
图15是根据另一实施方式的显示设备的示意性剖视图。
根据图15的实施方式的显示设备与根据图4的显示设备的不同之处至少在于可以省略第一电极部分AEa和第二电极部分CEa。
由于参考图4进行了其它描述，因此省略了相同组成元件的详细描述。
以上描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此，以上描述的本公开的实施方式可以单独实现或彼此组合实现。
因此，在本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开的保护范围应当由所附权利要求来解释，并且应当解释的是，等同范围内的所有技术精神均包括在本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
堤，在衬底上彼此间隔开；
第一电极，设置在所述堤上；
第二电极，设置在所述堤上并且与所述第一电极间隔开；以及
发光元件，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，其中，
所述第一电极和所述第二电极覆盖所述堤，
所述第一电极包括：
第一电极部分，在平面图中与所述堤重叠；以及
第一图案部分，与所述第一电极部分分离，以及
所述第二电极包括：
第二电极部分，在所述平面图中与所述堤重叠；以及
第二图案部分，与所述第二电极部分分离。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述第一图案部分在所述平面图中不与所述堤重叠，
所述第二图案部分在所述平面图中不与所述堤重叠,
所述第一图案部分在所述平面图中与所述发光元件重叠，以及
所述第二图案部分在所述平面图中与所述发光元件重叠。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述第一图案部分和所述第一电极部分彼此电分离并且被独立地驱动，以及
所述第二图案部分和所述第二电极部分彼此电分离并且被独立地驱动。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一图案部分设置在所述第一电极部分和所述第二图案部分之间，以及
所述第二图案部分设置在所述第二电极部分和所述第一图案部分之间。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述第一图案部分与所述第二图案部分之间的间隔距离在所述发光元件的长度的0.7倍至1倍的范围内。
6.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，所述第一图案部分的宽度和所述第二图案部分的宽度分别等于或小于所述发光元件的长度的0.2倍。
7.显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
堤，在衬底上彼此间隔开；
第一电极，设置在所述衬底上；
第二电极，设置在所述衬底上并且与所述第一电极间隔开；以及
发光元件，设置在所述第一电极和所述第二电极上，
其中，所述第一电极和所述第二电极在平面图中分别不与所述堤重叠。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，
所述第一电极在所述平面图中与所述发光元件重叠，以及
所述第二电极在所述平面图中与所述发光元件重叠。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极之间的间隔距离在所述发光元件的长度的0.7倍至1倍的范围内。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其特征在于，所述第一电极的宽度和所述第二电极的宽度分别等于或小于所述发光元件的长度的0.2倍。
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