CN114203057A - 拼接式显示器 - Google Patents

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丁世勳
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Abstract

拼接式显示器包括：第一显示装置，包括第一显示区域和具有凹槽的第一焊盘区域；以及第二显示装置，包括第二显示区域和与第二显示区域重叠的第二焊盘区域，第二焊盘区域具有突起，其中，突起插入到凹槽中以将第一焊盘区域与第二焊盘区域连接。

Description

拼接式显示器
技术领域
本公开涉及一种拼接式显示器。
背景技术
随着信息化社会的发展，对显示装置的各种需求正在不断增加。例如，显示装置正用在诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置。在这种平板显示装置中，发光显示装置可以包括能够依靠其本身发光的发光元件，使得显示面板的像素中的每一个能够自发光。因此，发光显示装置可以在没有向显示面板提供光的背光部分的情况下显示图像。
对于具有大屏幕的显示装置，可以设置大量的像素，并且因此发光元件的缺陷率可能增加，同时生产率或可靠性可能降低。为了克服这些问题，拼接式显示器可以通过连接具有相对小的尺寸的多个显示装置来提供大屏幕。然而，这种拼接式显示器可包括多个显示装置之间的边界，这是因为在彼此相邻的多个显示装置之间可存在非显示区域或边框。显示装置之间的这种边界可能导致可见的接缝，从而阻碍观看者沉浸到图像中。
应当理解，本背景技术部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。然而，本背景技术部分也可以包括不是在本文所公开主题的相应有效申请日之前相关领域的技术人员已知或理解的一部分的思想、构思或认识。
发明内容
本公开的方面提供拼接式显示器，其可以通过防止显示装置之间的边界被识别的方式来消除多个显示装置之间的可见的接缝，使得观看者可以沉浸到所显示的图像中。
应当注意，本公开的方面不限于上述方面。根据以下描述，本公开的其它方面对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
根据本公开的实施方式，拼接式显示器可以通过连接具有凹槽的第一显示装置与具有突起的第二显示装置来形成。因此，拼接式显示器可以通过抑制显示装置的显示区域之间的边界被观看者察觉来使观看者沉浸到图像中。
应当注意，本公开的效果不限于以上描述的那些，并且根据以下描述，本公开的其它效果对于本领域技术人员而言将是显而易见的。
根据本公开的实施方式，拼接式显示器可以包括：第一显示装置，包括第一显示区域和具有凹槽的第一焊盘区域；以及第二显示装置，包括第二显示区域和与第二显示区域重叠的第二焊盘区域，第二焊盘区域具有突起，其中，突起可以插入到凹槽中以连接第一焊盘区域与第二焊盘区域。
在实施方式中，第一焊盘区域可以包括接触凹槽的内部的第一连接图案。第二焊盘区域可以包括形成突起的第二连接图案。
在实施方式中，第一焊盘区域可以包括从第一显示区域延伸的第一信号线。凹槽可以暴露第一信号线。第一连接图案可以通过凹槽接触第一信号线。
在实施方式中，第二焊盘区域可以包括从第二显示区域延伸的第二信号线以及暴露第二信号线的孔。
在实施方式中，第二连接图案可以通过孔接触第二信号线。
在实施方式中，第二连接图案的直径可以等于孔的直径，并且第二连接图案的直径小于凹槽的直径。
在实施方式中，第二显示装置可以包括衬底，第二连接图案可以突出到衬底的外部，并且第二连接图案的从衬底突出的高度可以大于第一焊盘区域的凹槽的深度。
在实施方式中，第一连接图案中的每一个可以包括ITO、IZO和ITZO中的至少一种。
在实施方式中，第二连接图案可以包括金属层、金属引脚和银(Ag)点中的至少一者。
在实施方式中，第一焊盘区域可以不与第一显示区域重叠，并且可以与第二焊盘区域重叠。
根据本公开的实施方式，拼接式显示器可以包括：第一显示装置，包括第一显示区域和具有凹槽的第一焊盘区域；以及第二显示装置，包括第二显示区域和与第二显示区域重叠的第二焊盘区域，第二焊盘区域具有突起。第二显示装置可以包括衬底和在第二焊盘区域中的台阶，台阶可以包括衬底的较薄的部分，并且突起可以插入到凹槽中以将第一焊盘区域与第二焊盘区域连接。
在实施方式中，衬底可以包括第一基础衬底、设置在第一基础衬底上的阻挡层以及设置在阻挡层上的第二基础衬底，台阶可以通过在第二焊盘区域中去除第一基础衬底、阻挡层和第二基础衬底中的至少一部分来形成、通过在第二焊盘区域中去除第一基础衬底的至少一部分形成或者通过在第二焊盘区域中去除阻挡层的至少一部分和第一基础衬底形成。
在实施方式中，第一焊盘区域可以包括接触凹槽的内部的第一连接图案。第二焊盘区域可包括形成突起的第二连接图案。
在实施方式中，第一焊盘区域可以包括从第一显示区域延伸的第一信号线，凹槽可以暴露第一信号线，并且第一连接图案可以通过凹槽接触第一信号线。
在实施方式中，第二焊盘区域可以包括从第二显示区域延伸的第二信号线以及暴露第二信号线的孔，并且第二连接图案可以通过孔接触第二信号线。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的实施方式，本公开的上述和其它方面和特征将变得更加明显。
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的拼接式显示器的平面图。
图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图。
图4是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。
图5是沿着图4的线II-II'截取的示意性剖视图。
图6是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光元件的视图。
图7是示意性地示出根据本公开的实施方式的拼接式显示器的连接结构的平面图。
图8是示意性地示出根据本公开的实施方式的第一显示装置的平面图。
图9是示意性地示出根据本公开的实施方式的第一显示装置的剖视图。
图10是示意性地示出图9的区域A的放大图。
图11是示意性地示出根据本公开的实施方式的第二显示装置的平面图。
图12是示意性地示出根据本公开的实施方式的第二显示装置的剖视图。
图13是示意性地示出图12的区域B的放大图。
图14是示意性地示出根据本公开的实施方式的彼此连接的第一显示装置和第二显示装置的剖视图。
图15是示意性地示出图14的区域C的放大图。
图16是沿着图7的线III-III'截取的示意性地示出第一显示装置的剖视图。
图17是沿着图7的线IV-IV'截取的示意性地示出第二显示装置的剖视图。
图18是示意性地示出根据另一实施方式的第二显示装置的剖视图。
图19是示意性地示出图18的区域D的放大图。
图20是示意性地示出根据另一实施方式的彼此连接的第一显示装置和第二显示装置的剖视图。
图21和图22是示意性地示出根据本公开的其它实施方式的拼接式显示器的平面图。
具体实施方式
现在将参照附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的示例性实施方式。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。
应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
本公开的各种实施方式的特征中的每一个可以部分地或整体地组合或彼此结合，并且技术上的互联和驱动是可能的。每个实施方式可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以合取或析取的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“选自……组的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B或A和B”。
当术语“包括(comprised)”、“包括(comprising)”、“包括(includes”和/或“包括(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和/或“具有(having)”及其变型用在本说明书中时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意指第一物体可以在第二物体的上方或下方，或者在第二物体的一侧，反之亦然。此外，术语“重叠(overlap)”可以包括分层、层叠、面对、在……之上延伸、在……下面延伸、覆盖或部分地覆盖或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。当元件被描述为“不与另一元件重叠(notoverlapping)”或“不与另一元件重叠(to not overlap)”时，这可以包括元件彼此隔开、彼此偏移、或彼此分开或本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被称为与另一元件接触或接触另一元件等时，元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”。这种接触可以是不存在介于中间的元件的“直接接触”，或者是存在介于中间的元件的“间接接触”。
当层被称为在另一个层或衬底“上”时，它可以直接在另一个层或衬底上，或者也可以存在介于中间的层。
本文所用的“约”、“近似”和“基本上”包括所述值和在本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非在本文中另外定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语，诸如在常用词典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不应当被解释为理想的或过于形式化的含义，除非在本文中明确地如此定义。
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的拼接式显示器的平面图。
参照图1，拼接式显示器TD可以包括多个显示装置10。显示装置10可以布置成格子图案，但不限于此。显示装置10可以在第一方向(X轴方向)或第二方向(Y轴方向)上连接，并且拼接式显示器TD可以具有特定的形状。例如，显示装置10可以都具有相同的尺寸。然而，应当理解，本公开不限于此。作为另一示例，显示装置10可以具有不同的尺寸。
显示装置10中的每一个可以具有包括较长边和较短边的矩形形状。显示装置10可以布置成使得显示装置10的较长边或较短边可以彼此连接。显示装置10中的一些可以设置在拼接式显示器TD的边缘上，以形成拼接式显示器TD的侧边。显示装置10中的另外一些可以设置在拼接式显示器TD的拐角处，并且可以形成拼接式显示器TD的两个相邻的侧边。显示装置10中的另外其它一些可以设置在拼接式显示器TD的内侧上，并且可以被其它显示装置10围绕。
显示装置10中的每一个可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括像素以显示图像。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的周围以围绕显示区域DA，并且可以不显示图像。
拼接式显示器TD可以具有但不限于大体上平面的形状。拼接式显示器TD可以具有三维的形状，给予观看者三维的体验。例如，在拼接式显示器TD具有三维的形状的情况下，显示装置10中的至少一些可以具有弯曲的形状。作为另一示例，显示装置10可以具有平坦的形状，并且可以以一角度彼此连接，使得拼接式显示器TD可以具有三维的形状。
拼接式显示器TD可以通过将相邻显示装置10的非显示区域NDA彼此连接来形成。显示装置10可以通过结合构件或粘合构件彼此连接。因此，显示装置10之间的非显示区域NDA可以被相邻的显示区域DA围绕。显示装置10的显示区域DA可以彼此非常接近，使得观看者不能识别显示装置10之间的非显示区域NDA或显示装置10之间的边界。外部光在显示装置10的显示区域DA处的反射率可以基本上等于外部光在显示装置10之间的非显示区域NDA处的反射率。因此，拼接式显示器TD可以通过防止非显示区域NDA或显示装置10之间的边界被察觉的方式来消除显示装置10之间的接缝，从而可使观看者沉浸到图像中。
图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。
参照图2，显示装置10可以包括在显示区域DA中布置成行和列的像素。像素中的每一个可以包括由像素限定层限定的发光区域LA，并且可以通过发光区域LA发射具有峰值波长的光。例如，显示装置10中的每一个的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个中，由显示装置10的发光元件生成的光可以从显示装置10出射。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以将具有峰值波长的光发射到显示装置10的外部。第一发光区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发射第二颜色的光，以及第三发光区域LA3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是具有在约610至约650nm范围内的峰值波长的红光，第二颜色的光可以是具有在约510至约550nm范围内的峰值波长的绿光，以及第三颜色的光可以是具有在约440至约480nm范围内的峰值波长的蓝光。然而，应当理解，本公开不限于此。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着显示区域DA的第一方向(X轴方向)重复且顺序地布置。例如，第一发光区域LA1在第一方向上(X轴方向)的宽度可以大于第二发光区域LA2在第一方向上的宽度。第二发光区域LA2在第一方向上的宽度可以大于第三发光区域LA3在第一方向上的宽度。作为另一示例，第一发光区域LA1在第一方向上(X轴方向)的宽度、第二发光区域LA2在第一方向上的宽度以及第三发光区域LA3在第一方向上的宽度可以基本上都相等。
第一发光区域LA1的面积可以大于第二发光区域LA2的面积，并且第二发光区域LA2的面积可以大于第三发光区域LA3的面积。作为另一示例，第一发光区域LA1的面积、第二发光区域LA2的面积和第三发光区域LA3的面积可以基本上都相等。
显示装置10的显示区域DA可以包括围绕发光区域LA的遮光区域BA。例如，显示区域DA可以包括第一遮光区域BA1、第二遮光区域BA2和第三遮光区域BA3。第一遮光区域BA1、第二遮光区域BA2和第三遮光区域BA3可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的一侧上，从而防止从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射的光的混合。
图3是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图。
参照图3，显示装置10中的每一个的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个中，由显示装置10的发光二极管ED生成的光可以从显示装置10出射。
显示装置10可以包括衬底SUB、缓冲层BF、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
衬底SUB可以包括第一基础衬底PI1、阻挡层BAR和第二基础衬底PI2。第一基础衬底PI1和第二基础衬底PI2可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料形成。例如，第一基础衬底PI1和第二基础衬底PI2可以是能够弯曲、折叠和/或卷曲的柔性衬底。第一基础衬底PI1和第二基础衬底PI2可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)。阻挡层BAR可以设置在第一基础衬底PI1与第二基础衬底PI2之间，并且可以实现为能够防止空气或湿气的渗透的无机层。例如，阻挡层BAR可以包括彼此交替堆叠的无机膜。
缓冲层BF可以设置在衬底SUB上。缓冲层BF可以由能够防止空气或湿气的渗透的无机膜形成。例如，缓冲层BF可以包括彼此交替堆叠的无机膜。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘体GI、层间介电层ILD、连接电极CNE、第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以形成多个像素中的每一个的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体区域ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体区域ACT、源电极SE和漏电极DE可以设置在缓冲层BF上。半导体区域ACT可以在厚度方向上与栅电极GE重叠，并且可以通过栅极绝缘体GI与栅电极GE绝缘。源电极SE和漏电极DE可以通过将半导体区域ACT的材料转换为导体来形成。
栅电极GE可以设置在栅极绝缘体GI上。栅电极GE可以与半导体区域ACT重叠，且栅极绝缘体GI插置于栅电极GE与半导体区域ACT之间。
栅极绝缘体GI可以设置在半导体区域ACT、源电极SE和漏电极DE上。例如，栅极绝缘体GI可以覆盖半导体区域ACT、源电极SE、漏电极DE和缓冲层BF，并且可以使半导体区域ACT与栅电极GE绝缘。栅极绝缘体GI可以包括连接电极CNE从中穿过的接触孔。
层间介电层ILD可以设置在栅电极GE之上。例如，层间介电层ILD可以包括连接电极CNE从中穿过的接触孔。层间介电层ILD的接触孔可以连接到栅极绝缘体GI的接触孔。
连接电极CNE可以设置在层间介电层ILD上。连接电极CNE可以将薄膜晶体管TFT的漏电极DE与发光元件EL的第一电极AE连接。连接电极CNE可以通过形成在栅极绝缘体GI和层间介电层ILD中的接触孔与漏电极DE接触。
第一钝化层PAS1可以设置在连接电极CNE之上以保护薄膜晶体管TFT。例如，第一钝化层PAS1可以包括发光元件EL的第一电极AE从中穿过的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上以在薄膜晶体管层TFTL之上提供平坦的表面。例如，第一平坦化层OC1可以包括发光元件EL的第一电极AE从中穿过的接触孔。第一平坦化层OC1中的接触孔可以连接到第一钝化层PAS1中的接触孔。
发射元件层EML可以包括发光元件EL、第一堤部BNK1、第二堤部BNK2、第二钝化层PAS2和第二平坦化层OC2。
发光元件EL可以设置在薄膜晶体管TFT上。发光元件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE和发光二极管ED。
第一电极AE可以设置在第一平坦化层OC1上。例如，第一电极AE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤部BNK1上以覆盖第一堤部BNK1。第一电极AE可以设置成与由第二堤部BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。第一电极AE可以连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE。第一电极AE可以是但不限于发光元件EL的阳极电极。
第二电极CE可以设置在第一平坦化层OC1上，使得第二电极CE可以与第一电极AE隔开。例如，第二电极CE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤部BNK1上以覆盖第一堤部BNK1。第二电极CE可以设置成与由第二堤部BNK2限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。例如，第二电极CE可以接收施加到所有像素的公共电压。第二电极CE可以是但不限于发光元件EL的阴极电极。
第一绝缘层IL1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。
发光二极管ED可以在第一平坦化层OC1的上方设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED可以设置在第一绝缘层IL1上。发光二极管ED的端部可以连接到第一电极AE，而发光二极管ED的另一端部可以连接到第二电极CE。例如，发光二极管ED可以包括具有相同材料的有源层，使得它们可以发射相同波长的光或相同颜色的光。从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光二极管ED可以发射具有在约440nm至约480nm范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。因此，发射元件层EML可以发射第三颜色的光或蓝光。
第二堤部BNK2可以设置在第一平坦化层OC1上，以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如，第二堤部BNK2可以围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个。然而，应当理解，本公开不限于此。第二堤部BNK2可以使发光元件EL的第一电极AE或第二电极CE与相邻发光元件EL的第一电极AE或第二电极CE分离并绝缘。第二堤部BNK2可以设置在第一遮光区域BA1、第二遮光区域BA2和第三遮光区域BA3中。
第二钝化层PAS2可以设置在发光元件EL和第二堤部BNK2上。第二钝化层PAS2可以覆盖发光元件EL以保护发光元件EL。第二钝化层PAS2可以防止诸如湿气和空气的杂质从外部的渗透，以防止对发光元件EL的损坏。
第二平坦化层OC2可以设置在第二钝化层PAS2上以在发射元件层EML之上提供平坦的表面。第二平坦化层OC2可以包括有机材料。例如，第二平坦化层OC2可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
波长转换层WLCL可以包括第一封盖层CAP1、第一遮光构件BK1、第一波长转换部WLC1、第二波长转换部WLC2、透光部LTU、第二封盖层CAP2和第三平坦化层OC3。
第一封盖层CAP1可以设置在发射元件层EML的第二平坦化层OC2上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的下表面。第一封盖层CAP1可以包括无机材料。例如，第一封盖层CAP1可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。
第一遮光构件BK1可以设置在第一封盖层CAP1上的第一遮光区域BA1、第二遮光区域BA2和第三遮光区域BA3中。第一遮光构件BK1可以在厚度方向上与第二堤部BNK2重叠。第一遮光构件BK1可阻挡光的透射。第一遮光构件BK1可通过防止光在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3之间侵入并混合来改善色域。当从顶部观察时，第一遮光构件BK1可以布置成围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的格子形状。
第一遮光构件BK1可以包括有机遮光材料和疏液组分。在本文中，疏液组分可以由含氟单体或含氟聚合物组成，并且具体地，可以包括含氟脂肪族聚碳酸酯。例如，第一遮光构件BK1可以由包括疏液组分的黑色有机材料形成。第一遮光构件BK1可以经由用于包含疏液组分的有机遮光材料等的涂覆和曝光工艺形成。
由于第一遮光构件BK1可以包括疏液组分，所以第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU可以分开，使得它们可以对应于各自的发光区域LA。例如，在第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU可通过喷墨方法形成的情况下，墨水组合物可以在第一遮光构件BK1的上表面上流动。就此而言，第一遮光构件BK1可以包括疏液组分，并且因此可以引导墨水组合物流向发光区域。因此，第一遮光构件BK1可防止墨水组合物混合。
第一波长转换部WLC1可以在第一封盖层CAP1上设置在第一发光区域LA1中。第一波长转换部WLC1可以被第一遮光构件BK1围绕。第一波长转换部WLC1可以包括第一基础树脂BS1、第一散射体SCT1和第一波长变换器WLS1。
第一基础树脂BS1可以包括具有相对高的透光率的材料。第一基础树脂BS1可以由透明有机材料形成。例如，第一基础树脂BS1可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂和酰亚胺树脂之中的至少一种有机材料。
第一散射体SCT1可以具有与第一基础树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以与第一基础树脂BS1形成光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括散射透射光中的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包括诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)的金属氧化物，或者可以包括诸如丙烯酸树脂和聚氨酯树脂的有机颗粒或其组合。不管入射光的入射方向如何，第一散射体SCT1可以在任意方向上散射光而基本上不改变入射光的峰值波长。
第一波长变换器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或变换成第一峰值波长。例如，第一波长变换器WLS1可以将从显示装置10提供的蓝光转换成具有在约610nm至约650nm范围内的单个峰值波长的红光，并发射该光。第一波长变换器WLS1可以是量子点、量子棒或磷光体。量子点可以是当电子从导带跃迁到价带时发射一颜色的颗粒物质。
例如，量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组成和尺寸具有特定的带隙，并且可吸收光并发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。
例如，量子点可以具有核-壳结构，核-壳结构包括含有纳米晶体的核以及围绕核的壳。量子点的壳可以用作通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层，并且可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单个层或多个层。在核与壳之间的界面处，壳中原子的浓度的梯度可以朝着中心减小。量子点的壳可以由金属或非金属的氧化物、半导体化合物、或其组合等形成。
从第一波长变换器WLS1发射的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或约30nm或更小的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)。以这种方式，可以进一步改善由显示装置10显示的颜色的色纯度和色域。不管入射光的入射方向如何，从第一波长变换器WLS1发射的光可以在不同的方向上传播。因此，可以改善在第一发光区域LA1中显示的红色的侧面可见性。
从发射元件层EML发射的蓝光的一部分可以穿过第一波长转换部WLC1而不被第一波长变换器WLS1转换为红光。在该蓝光可入射到第一滤色器CF1上的情况下，该蓝光可被第一滤色器CF1阻挡。另一方面，被第一波长转换部WLC1从蓝光转换的红光可以穿过第一滤色器CF1出射到外部。因此，第一发光区域LA1可以发射红光。
第二波长转换部WLC2可以在第一封盖层CAP1上设置在第二发光区域LA2中。第二波长转换部WLC2可以被第一遮光构件BK1围绕。第二波长转换部WLC2可以包括第二基础树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长变换器WLS2。
第二基础树脂BS2可以包括具有相对高的透光率的材料。第二基础树脂BS2可以由透明有机材料形成。例如，第二基础树脂BS2和第一基础树脂BS1可以由相同的材料形成，或者第二基础树脂BS2可以由第一基础树脂BS1的上述材料中的一种形成。
第二散射体SCT2可以具有与第二基础树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以与第二基础树脂BS2形成光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括散射透射光中的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2和第一散射体SCT1可以由相同的材料形成，或者第二散射体SCT2可以由以上列出的第一散射体SCT1的材料中的一种形成。不管入射光的入射方向如何，第二散射体SCT2可以在任意方向上散射光而基本上不改变入射光的峰值波长。
第二波长变换器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或变换成第二峰值波长，第二峰值波长可以不同于第一波长变换器WLS1的第一峰值波长。例如，第二波长变换器WLS2可以将从显示装置10提供的蓝光转换成具有在约510nm至约550nm范围内的单个峰值波长的绿光，并发射该光。第二波长变换器WLS2可以是量子点、量子棒或磷光体。第二波长变换器WLS2可以包括以上列出的第一波长变换器WLS1的材料。第二波长变换器WLS2可以由量子点、量子棒、磷光体或其组合形成，使得第二波长变换器WLS2的波长转换范围可以不同于第一波长变换器WLS1的波长转换范围。
透光部LTU可以在第一封盖层CAP1上设置在第三发光区域LA3中。透光部LTU可以被第一遮光构件BK1围绕。透光部LTU可以透射入射光而不转换其峰值波长。透光部LTU可以包括第三基础树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基础树脂BS3可以包括具有相对高的透光率的材料。第三基础树脂BS3可以由透明有机材料形成。例如，第三基础树脂BS3、第一基础树脂BS1和/或第二基础树脂BS2可以由相同的材料形成，或者第三基础树脂BS3可以由以上列出的第一基础树脂BS1和/或第二基础树脂BS2的材料中的一种形成。
第三散射体SCT3可以具有与第三基础树脂BS3的折射率不同的折射率，并且可以与第三基础树脂BS3形成光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括散射透射光中的至少一部分的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3、第一散射体SCT1和/或第二散射体SCT2可以由相同的材料形成，或者第三散射体SCT3可以由以上列出的第一散射体SCT1和/或第二散射体SCT2的材料中的一种形成。不管入射光的入射方向如何，第三散射体SCT3可以在任意方向上散射光而基本上不改变入射光的峰值波长。
波长转换层WLCL可以设置在(例如，直接设置在)发射元件层EML的第二平坦化层OC2上，使得显示装置10可以不需要用于第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的单独衬底。因此，第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU可以容易地分别与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3对准，使得显示装置10的厚度可以相对地减小。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2、透光部LTU以及第一遮光构件BK1。例如，第二封盖层CAP2可以密封第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU，从而防止对第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的损坏或污染。第二封盖层CAP2和第一封盖层CAP1可以由相同的材料形成，或者第二封盖层CAP2可以由以上列出的第一封盖层CAP1的材料形成。
第三平坦化层OC3可以设置在第二封盖层CAP2上，以提供第一波长转换部WLC1和第二波长转换部WLC2以及透光部LTU的平坦的顶表面。第三平坦化层OC3可以包括有机材料。例如，第三平坦化层OC3可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
滤色器层CFL可以包括第二遮光构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第三钝化层PAS3。
第二遮光构件BK2可以在波长转换层WLCL的第三平坦化层OC3上设置在第一遮光区域BA1、第二遮光区域BA2和第三遮光区域BA3中。第二遮光构件BK2可以在厚度方向上与第一遮光构件BK1或第二堤部BNK2重叠。第二遮光构件BK2可以阻挡光的透射。第二遮光构件BK2可通过防止光在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3之间侵入和混合来改善色域。当从顶部观察时，第二遮光构件BK2可以布置成围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的格子形状。
第一滤色器CF1可以在第三平坦化层OC3上设置在第一发光区域LA1中。第一滤色器CF1可以被第二遮光构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换部WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡和吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，并且可以包括红色着色剂。红色着色剂可以由红色染料或红色颜料形成。
第二滤色器CF2可以在第三平坦化层OC3上设置在第二发光区域LA2中。第二滤色器CF2可以被第二遮光构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换部WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡和吸收第一颜色的光(例如，红光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂。绿色着色剂可以由绿色染料或绿色颜料形成。
第三滤色器CF3可以在第三平坦化层OC3上设置在第三发光区域LA3中。第三滤色器CF3可以被第二遮光构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光部LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡和吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器，并且可以包括蓝色着色剂。蓝色着色剂可以由蓝色染料或蓝色颜料形成。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示装置10的外部引入的光的一部分，以减少外部光的反射。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由于外部光的反射而引起的颜色失真。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以设置在(例如，直接设置在)波长转换层WLCL的第三平坦化层OC3上，并且因此显示装置10可以不需要用于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的单独衬底。因此，显示装置10的厚度可以相对地减小。
第三钝化层PAS3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第三钝化层PAS3可以保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装层TFE可以设置在滤色器层CFL的第三钝化层PAS3上。封装层TFE可以覆盖显示装置10的上表面和侧表面。例如，封装层TFE可以包括至少一个无机层以防止氧气或湿气的渗透。封装层TFE可以包括至少一个有机层以保护显示装置10免受诸如灰尘的杂质的影响。
图4是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。
参照图4，像素PX中的每一个可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以分别对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的发光二极管ED可以分别通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以发射相同颜色的光。例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以包括相同类型的发光二极管ED，并且可以发射第三颜色的光或蓝光。作为另一示例，第一子像素SP1可以发射第一颜色的光或红光，第二子像素SP2可以发射第二颜色的光或绿光，以及第三子像素SP3可以发射第三颜色的光或蓝光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以包括第一电极AE和第二电极CE、发光二极管ED、接触电极CTE和第二堤部BNK2。
第一电极AE和第二电极CE可以电连接到发光二极管ED以接收电压，并且发光二极管ED可以发射某一波长带的光。第一电极AE的至少一部分和第二电极CE的至少一部分可以在像素PX中形成电场，并且发光二极管ED可以通过电场对准。
例如，第一电极AE可以是针对第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个分离的像素电极，且第二电极CE可以是遍及第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3延伸的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是发光二极管ED的阳极电极，而另一个可以是发光二极管ED的阴极电极。
第一电极AE可以包括在第一方向(X轴方向)上延伸的第一电极干AE1以及从第一电极干AE1分支并且在与第二方向(Y轴方向)相反的方向上延伸的至少一个第一电极分支AE2。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的第一电极干AE1可以与相邻子像素的第一电极干AE1隔开，并且第一电极干AE1可以与在第一方向(X轴方向)上相邻的子像素的第一电极干AE1设置在假想的延伸线上。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的第一电极干AE1可以分别接收不同的信号，并且可以被单独地驱动。
第一电极分支AE2可以从第一电极干AE1分支，并且可以在与第二方向(Y轴方向)相反的方向上延伸。第一电极分支AE2的一端可以连接到第一电极干AE1，而第一电极分支AE2的另一端可以与和第一电极干AE1相对的第二电极干CE1隔开。
第二电极CE可以包括在第一方向(X轴方向)上延伸的第二电极干CE1以及从第二电极干CE1分支并且在第二方向(Y轴方向)上延伸的第二电极分支CE2。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的第二电极干CE1可以连接到相邻子像素的第二电极干CE1。第二电极干CE1可以在第一方向(X轴方向)上延伸以横穿像素PX中的子像素。第二电极干CE1可以连接到在显示区域DA的外部部分处或在非显示区域NDA中在一方向上延伸的部分。
第二电极分支CE2可以与第一电极分支AE2隔开并且面对第一电极分支AE2。第二电极分支CE2的一端可以连接到第二电极干CE1，而第二电极分支CE2的另一端可以与第一电极干AE1隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔CNT1电连接到显示装置10的薄膜晶体管层TFTL，且第二电极CE可以通过第二接触孔CNT2电连接到显示装置10的薄膜晶体管层TFTL。例如，第一接触孔CNT1可以形成在第一电极干AE1中的每一个中，且第二接触孔CNT2可以形成在第二电极干CE1中。然而，应当理解，本公开不限于此。
第二堤部BNK2可以设置在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3之间的边界处。第一电极干AE1可以相对于第二堤部BNK2彼此隔开。第二堤部BNK2可以在第二方向(Y轴方向)上延伸，并且可以设置于在第一方向(X轴方向)上布置的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的边界处。第二堤部BNK2也可以设置于在第二方向(Y轴方向)上布置的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的边界处。第二堤部BNK2可以限定第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的边界。
当在制造显示装置10的工艺期间喷射可分散有发光二极管ED的墨水时，第二堤部BNK2可以防止墨水流出第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的边界。第二堤部BNK2可以将可分散有不同的发光二极管ED的墨水彼此分开，使得墨水不彼此混合。
发光二极管ED可以设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED的端部可以连接到第一电极AE，而发光二极管ED的另一端部可以连接到第二电极CE。例如，发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1连接到第一电极AE，并且可以通过第二接触电极CTE2连接到第二电极CE。
发光二极管ED可以彼此隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。在本文中，发光二极管ED之间的间隔没有特别限制。发光二极管ED中的一些可以彼此相邻地设置，发光二极管ED中的一些其它的发光二极管可以以恒定的间隔隔开，而发光二极管ED中的另外其它的发光二极管可以以不均匀的密度在某个方向上对准。例如，发光二极管ED可以布置在与第一电极分支AE2或第二电极分支CE2可延伸的方向垂直的方向上。作为另一示例，发光二极管ED可以布置在相对于第一电极分支AE2或第二电极分支CE2可以延伸的方向倾斜的方向上。
发光二极管ED可以包括具有相同材料的有源层，使得它们可以发射相同波长范围的光或相同颜色的光。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以发射相同颜色的光。例如，发光二极管ED可以发射具有在约440nm至约480nm范围内的峰值波长的第三颜色的光或蓝光。因此，显示装置10的发射元件层EML可以发射第三颜色的光或蓝光。作为另一示例，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以包括具有不同有源层的发光二极管ED，并且可以发射不同颜色的光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支AE2和发光二极管ED的一部分，并且可以电连接第一电极分支AE2与发光二极管ED。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支CE2和发光二极管ED的另一部分，并且可以电连接第二电极分支CE2与发光二极管ED。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支AE2上并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光二极管ED的第一端接触。发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支CE2上并且在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向(X轴方向)上与第一接触电极CTE1隔开。第二接触电极CTE2可以与发光二极管ED的第二端接触。发光二极管ED可以通过第二接触电极CTE2电连接到第二电极CE。
例如，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的宽度可以分别大于第一电极分支AE2和第二电极分支CE2的宽度。作为另一示例，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以分别覆盖第一电极分支AE2和第二电极分支CE2的一侧。
图5是沿着图4的线II-II'截取的示意性剖视图。
参照图5，显示装置10的发射元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。
第一堤部BNK1可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。第一堤部BNK1中的每一个可以对应于第一电极AE或第二电极CE。第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以设置在相应的第一堤部BNK1上。例如，第一电极分支AE2和第二电极分支CE2中的每一个可以设置在相应的第一堤部BNK1上。第一堤部BNK1可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)。
第一堤部BNK1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且第一堤部BNK1中的每一个的侧表面可以从第一平坦化层OC1倾斜。例如，第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以包含具有高反射率的材料，并且可以设置在第一堤部BNK1的倾斜的表面上，以朝向显示装置10的上侧反射从发光元件EL发射的光。
结合图4参照图5，第一电极干AE1可以包括贯穿第一平坦化层OC1的第一接触孔CNT1。第一电极干AE1可以通过第一接触孔CNT1电连接到薄膜晶体管TFT。因此，第一电极AE可以从薄膜晶体管TFT接收电信号。
第二电极干CE1可以在第一方向(X轴方向)上延伸，并且也可以设置在可未设置发光二极管ED的非发射区域中。第二电极干CE1可以包括贯穿第一平坦化层OC1的第二接触孔CNT2。第二电极干CE1可以通过第二接触孔CNT2电连接到电力电极。第二电极CE可以从电力电极接收电信号。
第一电极AE和第二电极CE可以包括透明导电材料。例如，第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以包括但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。
第一电极AE和第二电极CE可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极AE和第二电极CE可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)或其组合的具有高反射率的金属。第一电极AE和第二电极CE可以朝向显示装置10的上侧反射从发光二极管ED入射的光。
第一电极AE和第二电极CE可以由一种或多种透明导电材料和具有高反射率的一种或多种金属的叠层或包括它们的单个层构成。例如，第一电极AE和第二电极CE可以具有ITO/银(Ag)/ITO/IZO的叠层结构，或者可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。然而，应当理解，本公开不限于此。
第一绝缘层IL1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极AE和第二电极CE上。第一绝缘层IL1可以部分地覆盖第一电极AE和第二电极CE中的每一个。例如，第一绝缘层IL1可以暴露第一电极AE和第二电极CE的对应于第一堤部BNK1的上表面的部分，并且可以覆盖第一电极AE和第二电极CE的不对应于所述上表面的其它部分。因此，第一绝缘层IL1可以包括暴露第一电极AE和第二电极CE的对应于第一堤部BNK1的上表面的部分的开口。
例如，第一绝缘层IL1可以包括无机绝缘材料，并且可以包括第一电极AE与第二电极CE之间的凹陷的部分。第一绝缘层IL1的凹陷的部分可以被第二绝缘层IL2填充。因此，第二绝缘层IL2可以使第一绝缘层IL1的上表面均匀，并且因此发光二极管ED可以设置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上。
第一绝缘层IL1可以保护第一电极AE和第二电极CE，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。第一绝缘层IL1可以防止发光二极管ED可能与其它元件直接接触并被其它元件损坏。
发光二极管ED可以在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED的端部可以连接到第一电极AE，而发光二极管ED的另一端部可以连接到第二电极CE。例如，发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1连接到第一电极AE，并且可以通过第二接触电极CTE2连接到第二电极CE。
第三绝缘层IL3可以部分地设置在设置于第一电极AE与第二电极CE之间的发光二极管ED上。第三绝缘层IL3可以部分地覆盖发光二极管ED的外表面。第三绝缘层IL3可以保护发光二极管ED。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支AE2和发光二极管ED的一部分，并且可以电连接第一电极分支AE2与发光二极管ED。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支CE2和发光二极管ED的另一部分，并且可以电连接第二电极分支CE2与发光二极管ED。
接触电极CTE可以包括导电材料。例如，接触电极CTE可以包括但不限于ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等或其组合。
图6是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光元件的视图。
参照图6，发光二极管ED可以具有微米或纳米的尺寸，并且可以是包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管由于可以通过在两个电极之间的特定方向上形成电场而产生极性，因此可以在彼此面对的两个电极之间对准。
发光二极管ED可以具有在一方向上延伸的形状。发光二极管ED可以具有棒、线、管等的形状。例如，发光二极管ED可以具有圆柱形的或棒状的形状。作为另一示例，发光二极管ED可以具有多种形状，包括诸如立方体、长方体和六边形柱的多边形柱形状或具有可以在一个方向上延伸且具有部分地倾斜的部分的形状。包括在发光二极管ED中的半导体可以具有沿着一方向顺序地布置或堆叠的结构。
发光二极管ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、有源层115、电极层117和绝缘层118。
第一半导体层111可以是n型半导体。例如，在发光元件EL发射蓝光的情况下，第一半导体层111可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第一半导体层111可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料。第一半导体层111可掺杂有诸如Si、Ge和Sn的n型掺杂剂。第一半导体层111可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层111的长度可以在约1.5μm至约5μm的范围内，但不限于此。
第二半导体层113可以设置在有源层115上。例如，在发光元件EL发射蓝光或绿光的情况下，第二半导体层113可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第二半导体层113可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料。第二半导体层113可掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Se和Ba的p型掺杂剂。第二半导体层113可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层113的长度可以在约0.05μm至约0.10μm的范围内，但不限于此。
第一半导体层111和第二半导体层113中的每一个可以由单个层构成，但不限于此。例如，第一半导体层111和第二半导体层113中的每一个可以具有包括包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层的多个层。
有源层115可以设置在第一半导体层111与第二半导体层113之间。有源层115可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在有源层115包括具有多量子阱结构的材料的情况下，量子层和阱层可以彼此交替堆叠。当电子-空穴对可响应于通过第一半导体层111和第二半导体层113施加的电信号而在有源层115中复合时，有源层115可以发光。例如，在有源层115发射蓝光的情况下，它可以包括诸如AlGaN和AlGaInN的材料。在有源层115具有量子层和阱层彼此交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括AlGaN、AlGaInN等，并且阱层可以包括GaN、AlInN等或其组合。有源层115可以包括AlGaInN作为量子层以及AlInN作为阱层以发射蓝光。
在其它实施方式中，有源层115可以具有这样的结构并且可以根据发射光的波长范围而包括III族到V族半导体材料，在该结构中，具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料可以彼此交替堆叠。从有源层115发射的光不限于蓝光。在一些实施例中，有源层115可以发射红光或绿光。有源层115的长度可以在约0.05μm至约0.10μm的范围内，但不限于此。
从有源层115发射的光可以在发光二极管ED的纵向方向上出射以及通过两个侧表面出射。从有源层115发射的光的方向性可以不受限制。
电极层117可以是欧姆接触电极。作为另一示例，电极层117可以是肖特基接触电极。发光二极管ED可以包括至少一个电极层117。在发光二极管ED电连接到电极或接触电极CTE的情况下，电极层117可以减小发光二极管ED与电极或接触电极CTE之间的电阻。电极层117可以包括具有导电性的金属。例如，电极层117可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。电极层117可以包括掺杂有n型杂质或p型杂质的半导体材料。
绝缘层118可以围绕半导体层和电极层的外表面。绝缘层118可以围绕有源层115的外表面，并且可以在发光二极管ED可延伸的方向上延伸。绝缘层118可以保护发光二极管ED。例如，绝缘层118可以围绕发光二极管ED的侧表面，并且可以在纵向方向上暴露发光二极管ED的两个端部。
绝缘层118可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)或其组合的具有绝缘特性的材料。因此，绝缘层118可以防止在有源层115与电信号可以通过其传输到发光元件EL的电极接触的情况下可能发生的电短路。由于绝缘层118保护包括有源层115的发光二极管ED的外表面，所以可以防止发光效率的降低。
在下文中，将详细描述用于上述拼接式显示器TD的连接结构。
图7是示意性地示出根据本公开的实施方式的拼接式显示器的连接结构的平面图。
参照图7，拼接式显示器TD可以包括多个显示装置10。显示装置10可以包括第一显示装置PA1和第二显示装置PA2。第一显示装置PA1和第二显示装置PA2中的每一个可以包括显示区域DA和焊盘区域PDA。显示区域DA可以包括像素PX以显示图像。焊盘区域PDA可以从显示区域DA延伸以围绕显示区域DA或与显示区域DA重叠，并且可以不显示图像。
具体地，第一显示装置PA1中的每一个可以包括第一显示区域DA1和第一焊盘区域PDA1。第一焊盘区域PDA1可以从第一显示区域DA1延伸以围绕第一显示区域DA1。例如，第一焊盘区域PDA1可以分别设置在第一显示区域DA1的四个侧边上。第二显示装置PA2中的每一个可以包括第二显示区域DA2和第二焊盘区域PDA2。第二焊盘区域PDA2可以设置成在第三方向(Z轴方向)上与第二显示区域DA2重叠，并且可以设置在第二显示区域DA2的下方。第二焊盘区域PDA2可以围绕第二显示区域DA2。例如，第二焊盘区域PDA2可以分别设置在第二显示区域DA2的四个侧边上。
拼接式显示器TD可以通过将相邻的显示装置10彼此连接来形成。显示装置10可以通过连接构件或粘合构件彼此连接。相邻显示装置10中的每一个的焊盘区域PDA可以在相应显示区域DA中的厚度方向(或Z轴方向)上彼此重叠。因此，显示装置10的显示区域DA可以彼此非常接近，使得显示区域DA之间的空间可以不被观看者识别。因此，拼接式显示器TD可以通过防止显示装置10之间的空间被察觉的方式来消除显示装置10之间的接缝，从而可使观看者沉浸到图像中。
拼接式显示器TD可以包括四个第一显示装置PA1和五个第二显示装置PA2。显示装置10的数量和连接关系不限于图7的实施方式的数量和连接关系。显示装置10的数量可以根据显示装置10和拼接式显示器TD的尺寸来确定。
柔性膜FPCB可以设置在显示装置10中的每一个的焊盘区域PDA上。柔性膜FPCB可以附接到设置在显示装置10中的每一个的基础构件上的焊盘。柔性膜FPCB的一侧可以连接到焊盘区域PDA，而柔性膜FPCB的另一侧可以连接到源极电路板(未示出)。柔性膜FPCB可以将信号从源极驱动器SIC传输到显示装置10。
源极驱动器SIC可以分别设置在柔性膜FPCB上，并且可以连接到显示装置10的像素PX。例如，源极驱动器SIC中的每一个可以是集成电路(IC)。源极驱动器SIC可以基于来自时序控制器的源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜FPCB将模拟数据电压提供给显示区域DA的数据线。另外，栅极驱动器GIC也可设置在柔性膜FPCB上，并且栅极驱动器GIC可以向显示区域DA的栅极线提供栅极控制信号。
柔性膜FPCB可以设置在沿着拼接式显示器TD的边缘设置的焊盘区域PDA上。例如，柔性膜FPCB可以设置在第一显示装置PA1中的每一个的第一焊盘区域PDA1以及第二显示装置PA2中的每一个的第二焊盘区域PDA2上。然而，应当理解，本公开不限于此。
图8是示意性地示出根据本公开的实施方式的第一显示装置的平面图。图9是示意性地示出根据本公开的实施方式的第一显示装置的剖视图。图10是示意性地示出图9的区域A的放大图。
参照图8，根据本公开的实施方式的第一显示装置PA1可以包括第一显示区域DA1和围绕第一显示区域DA1的第一焊盘区域PDA1。第一焊盘区域PDA1可以从第一显示区域DA1的在第一方向(X轴方向)上延伸的较长边以及第一显示区域DA1的在第二方向(Y轴方向)上延伸的较短边延伸。
第一焊盘区域PDA1中的每一个可以包括凹槽HO。从第一显示区域DA1延伸的信号线可以通过凹槽HO暴露，从第一显示区域DA1延伸的信号线可以用作相邻的第二显示装置PA2和/或柔性膜FPCB之间的连接部件。
凹槽HO可以在第一焊盘区域PDA1中的每一个中以一间隙彼此隔开。每个凹槽HO可以对应于至少一个第一信号线。例如，信号线可以从第一显示区域DA1延伸到第一焊盘区域PDA1，并且可以在第一焊盘区域PDA1中组合成第一信号线，使得第一信号线可以通过一个凹槽HO暴露。然而，应当理解，本公开不限于此。一个第一信号线可以对应于一个凹槽HO。可以根据第一显示装置PA1的尺寸对凹槽HO的间隙和数量进行各种调整。
参照图9，第一显示装置PA1可以包括衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
在第一显示区域DA1中，衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE可以彼此重叠。在第一焊盘区域PDA1中，衬底SUB和薄膜晶体管层TFTL可以彼此重叠，而可以不设置发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
第一焊盘区域PDA1中的每一个可以包括凹槽HO。凹槽HO可以形成在薄膜晶体管层TFTL的至少一些层中。
参照图10，在第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1中，可以设置衬底SUB和薄膜晶体管层TFTL。
具体地，衬底SUB可以包括第一基础衬底PI1、阻挡层BAR和第二基础衬底PI2。薄膜晶体管层TFTL可以设置在衬底SUB上。在薄膜晶体管层TFTL中，栅极绝缘体GI可以设置在缓冲层BF上，并且层间介电层ILD可以设置在栅极绝缘体GI上。第一信号线SSL1可以设置在层间介电层ILD上。第一信号线SSL1可以连接到第一显示区域DA1的数据线。第一钝化层PAS1可以设置在第一信号线SSL1上，并且第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上。
根据本公开的实施方式，凹槽HO可以贯穿第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1以暴露第一信号线SSL1。凹槽HO可以包括贯穿第一钝化层PAS1的第一通孔PH1和贯穿第一平坦化层OC1的第二通孔PH2。当从顶部观察时，凹槽HO可以具有但不限于圆形形状、椭圆形形状、多边形形状等。凹槽HO的直径W1可以在约3μm至约500μm的范围内，并且可以根据拼接式显示器TD的尺寸进行各种调整。凹槽HO可以通过激光钻孔技术形成。绿色激光器、红外激光器、紫外激光器等可以用于激光钻孔技术。然而，应当理解，本公开不限于此。凹槽HO可以通过光刻工艺形成。
凹槽HO可以包括第一连接图案MTP1，以便于与第二显示装置PA2的连接。第一连接图案MTP1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且可以与凹槽HO的内部接触。具体地，第一连接图案MTP1可以与第一平坦化层OC1的上表面、第一平坦化层OC1的侧表面、第一钝化层PAS1的侧表面和第一信号线SSL1的上表面接触。
第一连接图案MTP1可以暴露于外部，并且因此可能易腐蚀或氧化。因此，第一连接图案MTP1可以由金属氧化物形成以防止腐蚀或氧化。例如，第一连接图案MTP1可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等或其组合形成，但不限于此。
图11是示意性地示出根据本公开的实施方式的第二显示装置的平面图。图12是示意性地示出根据本公开的实施方式的第二显示装置的剖视图。图13是示意性地示出图12的区域B的放大图。
参照图11，根据本公开的实施方式的第二显示装置PA2可以包括第二显示区域DA2和围绕第二显示区域DA2的第二焊盘区域PDA2。第二焊盘区域PDA2可以设置成使得它们分别与第二显示区域DA2的在第一方向(X轴方向)上延伸的较长边以及第二显示区域DA2的在第二方向(Y轴方向)上延伸的较短边重叠。
第二焊盘区域PDA2中的每一个可以包括孔HOL。从第二显示区域DA2延伸的第二信号线可以通过孔HOL暴露，从第二显示区域DA2延伸的第二信号线可以用作相邻的第一显示装置A1和/或柔性膜FPCB之间的连接部件。
孔HOL可以在第二焊盘区域PDA2中的每一个中以一间隙彼此隔开。每个孔HOL可以对应于至少一个第二信号线。例如，第二信号线可以从第二显示区域DA2延伸到第二焊盘区域PDA2，并且可以在第二焊盘区域PDA2中组合成第二信号线，使得它可以通过一个孔HOL暴露。然而，应当理解，本公开不限于此。一个第二信号线可以对应于一个孔HOL。可以根据第二显示装置PA2的尺寸对孔HOL的间隙和数量进行各种调整。
参照图12，第二显示装置PA2可以包括衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
在第二显示区域DA2中，衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE可以彼此重叠。第二焊盘区域PDA2可以与第二显示区域DA2重叠，并且可以是第二显示区域DA2的边缘。例如，在第二焊盘区域PDA2中，衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE可以彼此重叠。
第二焊盘区域PDA2可以包括多个孔HOL。孔HOL可以形成在衬底SUB和薄膜晶体管层TFTL的至少一些层中。
参照图13，在第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2中，可以设置衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
具体地，衬底SUB可以包括第一基础衬底PI1、阻挡层BAR和第二基础衬底PI2。薄膜晶体管层TFTL可以设置在衬底SUB上。在薄膜晶体管层TFTL中，栅极绝缘体GI可以设置在缓冲层BF上，并且层间介电层ILD可以设置在栅极绝缘体GI上。第二信号线SSL2可以设置在层间介电层ILD上。第二信号线SSL2可以连接到第二显示区域DA2的数据线。第一钝化层PAS1可以设置在第二信号线SSL2上，并且第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上。发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE可以设置在第一平坦化层OC1上。
根据本公开的实施方式，孔HOL可以形成在衬底SUB和薄膜晶体管层TFTL的至少一部分中。具体地，孔HOL可以贯穿第一基础衬底PI1、阻挡层BAR、第二基础衬底PI2、缓冲层BF、栅极绝缘体GI和层间介电层ILD以暴露第二信号线SSL2。孔HOL可以包括贯穿第一基础衬底PI1的第三通孔PH3、贯穿阻挡层BAR的第四通孔PH4、贯穿第二基础衬底PI2的第五通孔PH5、贯穿缓冲层BF的第六通孔PH6、贯穿栅极绝缘体GI的第七通孔PH7以及贯穿层间介电层ILD的第八通孔PH8。孔HOL可以通过激光钻孔技术以与前述凹槽HO相同的方式形成，但本公开不限于此。它可以经由光刻工艺形成。
当从顶部观察时，孔HOL可以具有但不限于圆形形状、椭圆形形状、多边形形状等。当从顶部观察时，孔HOL的形状可以与上述凹槽HO的形状相符。孔HOL的直径W2可以在约3μm至约500μm的范围内，并且可以小于凹槽HO的直径W1。
孔HOL可以包括第二连接图案MTP2，以便于与第一显示装置PA1的连接。孔HOL可以被第二连接图案MTP2填充，第二连接图案MTP2可以是连接到第二信号线SSL2并且突出到第一基础衬底PI1的外部的突起。具体地，第二连接图案MTP2可以与第一基础衬底PI1的侧表面、阻挡层BAR的侧表面、第二基础衬底PI2的侧表面、缓冲层BF的侧表面、栅极绝缘体GI的侧表面、层间介电层ILD的侧表面和第二信号线SSL2的下表面接触。
第二连接图案MTP2的直径可以等于孔HOL的直径W2。第二连接图案MPT2可以突出到第一基础衬底PI1的外部，以插入到第一显示装置PA1的凹槽HO中。第二连接图案MTP2的直径可以小于凹槽HO的直径W1，使得它可以容易地插入到凹槽HO中。突出到第一基础衬底PI1的外部的第二连接图案MTP2的高度H1可以大于第一显示装置PA1的凹槽HO的深度。因此，第二连接图案MPT2可以容易地插入到凹槽HO中。
第二连接图案MTP2可以由导电材料形成，使得孔HOL可以被第二连接图案MTP2填充，并且第二连接图案MTP2可以连接到凹槽HO的第一连接图案MTP1。例如，导电材料可以是金属，并且可以是可堆叠有金属的金属层、具有引脚形状的金属引脚或银(Ag)点。然而，应当理解，本公开不限于此。
在下文中，将描述根据上述实施方式的第一显示装置PA1与第二显示装置PA2的连接结构。
图14是示意性地示出根据本公开的实施方式的彼此连接的第一显示装置和第二显示装置的剖视图。图15是示意性地示出图14的区域C的放大图。
参照图14，第一显示装置PA1和第二显示装置PA2可以彼此连接成彼此电连接。第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1可以与第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2重叠。尽管第一显示装置PA1的第一显示区域DA1与第二显示装置PA2的第二显示区域DA2可以彼此接触，但是本公开不限于此。它们可以彼此隔开最小的距离。第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1的上表面可以与第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2的下表面接触。设置在第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2中的第二连接图案MTP2可以插入到形成在第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1中的凹槽HO中，使得第二连接图案MTP2和凹槽HO可以彼此连接。
具体地，参照图15，在第一显示装置PA1中，第一信号线SSL1可以设置在层间介电层ILD上。第一钝化层PAS1可以设置在第一信号线SSL1上，并且第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上。凹槽HO可以贯穿第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1以暴露第一信号线SSL1。第一连接图案MTP1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且可以与凹槽HO的内部接触。
在第二显示装置PA2中，第二信号线SSL2可以设置在层间介电层ILD上，第一钝化层PAS1可以设置在第二信号线SSL2上，并且第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上。孔HOL可以贯穿第一基础衬底PI1、阻挡层BAR、第二基础衬底PI2、缓冲层BF、栅极绝缘体GI和层间介电层ILD以暴露第二信号线SSL2。孔HOL可以被第二连接图案MTP2填充，第二连接图案MTP2可以连接到第二信号线SSL2并且突出到第一基础衬底PI1的外部。
第二显示装置PA2的第二连接图案MTP2可以插入到第一显示装置PA1的凹槽HO中。具体地，第二连接图案MTP2可以与设置在第一显示装置PA1的凹槽HO中的第一连接图案MTP1相邻地设置。各向异性导电膜ACF可以设置在第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1的第一连接图案MTP1与第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2的第二连接图案MTP2之间。在各向异性导电膜ACF中，导电球可以混合在粘合树脂中。因此，电可以通过导电球传输，并且连接图案可被附接。
各向异性导电膜ACF可以将第一连接图案MTP1与第二连接图案MTP2电联接。各向异性导电膜ACF可以与第一连接图案MTP1和第二连接图案MTP2中的每一个接触，并且还可以与第一显示装置PA1的第一平坦化层OC1的表面和第二显示装置PA2的第一基础衬底PI1的表面接触。第一显示装置PA1的第一连接图案MTP1可以通过各向异性导电膜ACF经由热压工艺连接到第二显示装置PA2的第二连接图案MTP2。
因此，由于第一连接图案MTP1可以连接到第二连接图案MTP2，第一显示装置PA1的数据线可以连接到第二显示装置PA2的数据线。同样，连接到栅极线的第一连接图案MTP1可以形成在第一显示装置PA1的另一个第一焊盘区域PDA1中，使得栅极线可以通过第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2中的连接到栅极线的第二连接图案MTP2和第一显示装置PA1的另一第一焊盘区域PDA1中的连接到栅极线的第一连接图案MPT1彼此连接。
这样连接的第一显示装置PA1和第二显示装置PA2可以通过其它第一焊盘区域PDA1和第二焊盘区域PDA2连接到柔性膜FPCB。
图16是示意性地示出沿着图7的线III-III'截取的第一显示装置的剖视图。图17是示意性地示出沿着图7的线IV-IV'截取的第二显示装置的剖视图。在下面的描述中，将简要描述或省略与上述元件相同的元件。
参照图16，第一显示装置PA1可以包括从第一显示区域DA1延伸的第一焊盘区域PDA1。柔性膜FPCB可以连接到第一焊盘区域PDA1。具体地，第一焊盘区域PDA1可以包括形成在薄膜晶体管层TFTL中的凹槽HO，并且第一连接图案MTP1可以设置在凹槽HO中。柔性膜FPCB可以通过各向异性导电膜ACF连接到第一连接图案MTP1，以将外部数据或栅极信号传输到第一显示区域DA1。
参照图17，第二显示装置PA2可以包括位于与第二显示区域DA2重叠的边缘处的第二焊盘区域PDA2。柔性膜FPCB可以连接到第二焊盘区域PDA2。具体地，第二焊盘区域PDA2可以包括形成在衬底SUB和薄膜晶体管层TFTL中的孔HOL，并且第二连接图案MTP2可以设置在孔HOL中。柔性膜FPCB可以通过各向异性导电膜ACF连接到第二连接图案MTP2，以将外部数据或栅极信号传输到第二显示区域DA2。
如上所述，根据本公开的实施方式，第一显示装置PA1可以具有凹槽HO，且第二显示装置PA2可以具有突起，并且因此拼接式显示器TD可以通过将凹槽HO与突起连接来形成。因此，拼接式显示器TD可以通过抑制显示装置10的显示区域DA之间的边界被观看者察觉来使观看者沉浸到图像中。
图18是示意性地示出根据另一实施方式的第二显示装置的剖视图。图19是示意性地示出图18的区域D的放大图。图20是示意性地示出根据另一实施方式的彼此连接的第一显示装置和第二显示装置的剖视图。
根据图18和图19的实施方式的第二显示装置PA2可以包括形成在第二焊盘区域PDA2中的多个孔HOL。图18和图19的实施方式与上述图11至图17的实施方式的不同之处可在于，第二焊盘区域PDA2的衬底SUB可以具有台阶ST。在下面的描述中，描述将集中于差异并且将省略冗余的描述。
参照图18，第二显示装置PA2可以包括衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
第二焊盘区域PDA2可以包括孔HOL。孔HOL可以形成在衬底SUB和薄膜晶体管层TFTL的至少一些层中。第二焊盘区域PDA2中的每一个可以包括台阶ST。台阶ST可以是第二焊盘区域PDA2中的每一个中的衬底SUB的可比另一部分薄的部分。台阶ST可以形成在第二焊盘区域PDA2的至少一部分中，或者可以形成在整个第二焊盘区域PDA2中。可以在台阶ST中形成多个孔HOL，并且可以设置第二连接图案MTP2。
参照图19，在第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2中，可以设置衬底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发射元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层TFE。
台阶ST可以形成在第二焊盘区域PDA2中。台阶ST可以通过去除第一基础衬底PI1、阻挡层BAR和第二基础衬底PI2的至少一部分来形成。台阶ST可减小在第一显示装置PA1和第二显示装置PA2可彼此连接的情况下可能形成的第一显示区域PA1与第二显示装置PA2之间的在第二方向(Y轴方向)上的水平面差异。
尽管根据实施方式，台阶ST可以通过部分地去除第一基础衬底PI1、阻挡层BAR和第二基础衬底PI2来形成，但是本公开不限于此。台阶ST可以通过去除第一基础衬底PI1的至少一部分、或阻挡层BAR的至少一部分和第一基础衬底PI1来形成。在其它实施方式中，台阶ST可以通过完全地去除第一基础衬底PI1、阻挡层BAR和第二基础衬底PI2来形成。在台阶ST中，第一基础衬底PI1的侧表面和阻挡层BAR的侧表面可以与第二基础衬底PI2的下表面重叠。
参照图20，第一显示装置PA1和第二显示装置PA2可以彼此连接并且可以彼此电连接。第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1可以与第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2重叠。
形成在第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2中的台阶ST可以与第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1接触。具体地，台阶ST的侧表面可以与第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1的侧表面接触，并且台阶ST的位于第二方向(Y轴方向)上的表面可以与第一焊盘区域PDA1的上表面接触。设置在第二显示装置PA2的第二焊盘区域PDA2的孔HOL中的第二连接图案MTP2可以插入到形成在第一显示装置PA1的第一焊盘区域PDA1中的凹槽HO中，使得它们可以彼此连接。
以这种方式，可以减小第一显示装置PA1的上表面与第二显示装置PA2的上表面之间的在第二方向(Y轴方向)上的水平面差异，从而避免拼接式显示器TD的接缝被察觉。
图21和图22是示意性地示出根据本公开的其它实施方式的拼接式显示器的平面图。
参照图21，与图7的平坦的拼接式显示器TD不同，根据图21的实施方式的拼接式显示器TD可以应用于三维的拼接式显示器TD。在拼接式显示器TD具有五边形柱形状的情况下，第二显示装置PA2可以设置在中心处，并且第一显示装置PA1可以分别设置在第二显示装置PA2的五个侧边上。第一显示装置PA1中的每一个的侧边可以与相邻的第一显示装置PA1的侧边接触。可以从第一显示装置PA1可彼此接触的侧边去除柔性膜FPCB，并且因此第一显示装置PA1可以彼此接触。
根据图22的实施方式，拼接式显示器TD的显示装置10中的每一个可以具有六边形形状。在本示例中，第二显示装置PA2可以设置在中心处，并且第一显示装置PA1可以分别设置在第二显示装置PA2的侧边上。与图21的实施方式类似，可以从第一显示装置PA1可彼此接触的侧边去除柔性膜FPCB，并且因此第一显示装置PA1可以彼此接触。
在总结详细描述时，本领域的技术人员将理解，在实质上不脱离本公开的原理的情况下，可以对实施方式作出许多变化和修改。因此，所公开的本公开的实施方式仅用于一般性和描述性的意义而不是限制的目的。

Claims (15)

1.拼接式显示器，包括：
第一显示装置，包括第一显示区域和具有凹槽的第一焊盘区域；以及
第二显示装置，包括第二显示区域和与所述第二显示区域重叠的第二焊盘区域，所述第二焊盘区域具有突起，
其中，所述突起插入到所述凹槽中以将所述第一焊盘区域与所述第二焊盘区域连接。
2.根据权利要求1所述的拼接式显示器，其中，
所述第一焊盘区域包括接触所述凹槽的内部的第一连接图案，以及
所述第二焊盘区域包括形成所述突起的第二连接图案。
3.根据权利要求2所述的拼接式显示器，其中，
所述第一焊盘区域包括从所述第一显示区域延伸的第一信号线，
所述凹槽暴露所述第一信号线，以及
所述第一连接图案通过所述凹槽接触所述第一信号线。
4.根据权利要求2所述的拼接式显示器，其中，所述第二焊盘区域包括：
第二信号线，从所述第二显示区域延伸；以及
孔，暴露所述第二信号线。
5.根据权利要求4所述的拼接式显示器，其中，所述第二连接图案通过所述孔接触所述第二信号线。
6.根据权利要求4所述的拼接式显示器，其中，
所述第二连接图案的直径等于所述孔的直径，以及
所述第二连接图案的所述直径小于所述凹槽的直径。
7.根据权利要求2所述的拼接式显示器，其中，
所述第二显示装置包括衬底，
所述第二连接图案突出到所述衬底的外部，以及
所述第二连接图案的从所述衬底突出的高度大于所述第一焊盘区域的所述凹槽的深度。
8.根据权利要求2所述的拼接式显示器，其中，所述第一连接图案中的每一个包括ITO、IZO和ITZO中的至少一种。
9.根据权利要求2所述的拼接式显示器，其中，所述第二连接图案包括金属层、金属引脚和银点中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的拼接式显示器，其中，所述第一焊盘区域不与所述第一显示区域重叠且与所述第二焊盘区域重叠。
11.拼接式显示器，包括：
第一显示装置，包括第一显示区域和具有凹槽的第一焊盘区域；以及
第二显示装置，包括第二显示区域和与所述第二显示区域重叠的第二焊盘区域，所述第二焊盘区域具有突起，其中，
所述第二显示装置包括衬底和在所述第二焊盘区域中的台阶，所述台阶包括所述衬底的较薄的部分，以及
所述突起插入到所述凹槽中以将所述第一焊盘区域与所述第二焊盘区域连接。
12.根据权利要求11所述的拼接式显示器，其中，所述衬底包括：
第一基础衬底；
阻挡层，设置在所述第一基础衬底上；以及
第二基础衬底，设置在所述阻挡层上，
其中，所述台阶通过在所述第二焊盘区域中去除所述第一基础衬底、所述阻挡层和所述第二基础衬底中的至少一部分来形成、通过在所述第二焊盘区域中去除所述第一基础衬底的至少一部分形成或者通过在所述第二焊盘区域中去除所述阻挡层的至少一部分和所述第一基础衬底形成。
13.根据权利要求11所述的拼接式显示器，其中，
所述第一焊盘区域包括接触所述凹槽的内部的第一连接图案，以及
所述第二焊盘区域包括形成所述突起的第二连接图案。
14.根据权利要求13所述的拼接式显示器，其中，
所述第一焊盘区域包括从所述第一显示区域延伸的第一信号线，
所述凹槽暴露所述第一信号线，以及
所述第一连接图案通过所述凹槽接触所述第一信号线。
15.根据权利要求14所述的拼接式显示器，其中，
所述第二焊盘区域包括：
第二信号线，从所述第二显示区域延伸；以及
孔，暴露所述第二信号线，以及
所述第二连接图案通过所述孔接触所述第二信号线。
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