KR20220060074A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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고민석
강태욱
서갑종
전보건
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 기판부; 상기 기판부 상에 이격되어 배치된 제1 뱅크들; 상기 제1 뱅크 상에 배치되고 상기 제1 뱅크를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 소자; 상기 제1 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 일단과 접촉하는 제1 접촉 전극; 및 상기 제2 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 타단과 접촉하는 제2 접촉 전극을 포함하고, 상기 제1 접촉 전극은 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 접촉 전극은 제2 물질을 포함하되, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 물성은 상이하다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING FOR THE SAME}
본 발명은 표시 장치, 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다. 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다. 이러한 평판 표시 장치 중에서 발광 표시 장치는 표시 패널의 화소들 각각이 스스로 발광할 수 있는 발광 소자를 포함함으로써, 표시 패널에 광을 제공하는 백라이트 유닛 없이도 화상을 표시할 수 있다.
한편, 표시 패널은 뱅크층, 복수의 전극층들, 및 복수의 절연층들을 포함하는 다층 구조를 갖는다.
특히, 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극이 서로 다른 층에 형성될 경우, 상기 제1 접촉 전극을 커버하기 위한 소자 절연층과 상기 제2 접촉 전극을 커버하기 위한 소자 절연층이 개별적으로 형성되어야 한다. 이 경우, 소자 절연층을 형성하기 위한 설비에 대한 비용이 추가적으로 소모될 수 있다.
이에, 추가적인 소자 절연층 형성을 생략하기 위해 상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극을 동일층에 형성하는 방식을 고려할 수 있는데, 이 경우 상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극을 형성하기 위한 노광기의 해상력이나 노광기의 오버레이(Overlay) 능력에 한계가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극을 동일층에 형성하되, 노광기의 해상력이나 노광기의 오버레이 능력에 무관하게 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극을 쉽게 형성할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상술한 표시 장치의 제조 방법을 통해 제조된 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판부; 상기 기판부 상에 이격되어 배치된 제1 뱅크들; 상기 제1 뱅크 상에 배치되고 상기 제1 뱅크를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 소자; 상기 제1 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 일단과 접촉하는 제1 접촉 전극; 및 상기 제2 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 타단과 접촉하는 제2 접촉 전극을 포함하고, 상기 제1 접촉 전극은 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 접촉 전극은 제2 물질을 포함하되, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 물성은 상이하다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 이격되어 배치된 제1 뱅크들이 배치된 기판부를 준비하는 기판 준비 단계; 상기 제1 뱅크 상에 배치되고 상기 제1 뱅크를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 전극 형성 단계; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 제1 소자 절연층을 형성하는 제1 소자 절연층 형성 단계; 상기 제1 소자 절연층 상의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 발광 소자를 배치하는 발광 소자 배치 단계; 상기 발광 소자의 상면에 제2 소자 절연층을 형성하는 제2 소자 절연층 형성 단계; 상기 제2 소자 절연층 상에 전면적으로 제1 접촉 전극 물질층을 형성하는 제1 접촉 전극 물질 형성 단계; 상기 제2 소자 절연층의 중앙부, 및 타측 단부를 노출하는 제1 접촉 전극을 형성하는 제1 접촉 전극 형성 단계; 상기 제1 접촉 전극 상에 전면적으로 제2 접촉 전극 물질을 형성하는 제2 접촉 전극 물질 형성 단계; 및 상기 제2 소자 절연층의 중앙부, 및 일측 단부를 노출하는 제2 접촉 전극을 형성하는 제2 접촉 전극 형성 단계를 포함하고, 상기 제1 접촉 전극은 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 접촉 전극은 제2 물질을 포함하되, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 물성은 상이하다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극을 동일층에 형성하되, 노광기의 해상력이나 노광기의 오버레이 능력에 무관하게 제1 접촉 전극과 제2 접촉 전극을 쉽게 형성할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 확대도의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 7 내지 도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
도 18은 광의 파장에 따른 비결정 ITO, 결정 ITO, 비결정 IZO, 및 결정 IZO의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 직사각형 평면 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 표시 장치의 평면 형상은 정사각형, 원형, 타원형, 또는 기타 다각형을 가질 수도 있다. 이하에서, 표시 장치의 평면 형상으로 직사각형이 적용된 경우를 중심으로 설명한다.
표시 장치는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 장치는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)를 포함하여 영상을 표시할 수 있다. 복수의 화소(PX)들은 매트릭스 방식으로 배열될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 배치되어 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있고, 영상을 표시하지 않을 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 평면상 표시 영역(DA)을 완전히 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다. 표시 영역(DA)은 대체로 표시 장치의 중앙을 차지할 수 있다.
비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1) 타측, 제1 방향(DR1) 일측, 제2 방향(DR2) 일측, 및 제2 방향(DR2) 타측에 각각 위치할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 제1 방향(DR1) 일측과 타측에만 위치하거나, 제2 방향(DR2) 일측과 타측에만 위치할 수도 있다. 각 비표시 영역(NDA)들에는 표시 장치에 포함되는 배선들 또는 회로 구동부들이 배치되거나, 외부 장치들이 실장될 수 있다.
도 1의 확대도를 참조하면, 표시 장치의 화소(PX)는 복수의 화소 각각은 화소 정의막에 의해 정의되는 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 포함할 수 있고, 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 통해 소정의 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치의 표시 영역(DA)은 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각은 표시 장치의 발광 소자에서 생성된 광이 표시 장치의 외부로 방출되는 영역일 수 있다.
제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)은 소정의 피크 파장을 갖는 광을 표시 장치의 외부로 방출할 수 있다. 제1 발광 영역(LA1)은 제1 색의 광을 방출할 수 있고, 제2 발광 영역(LA2)은 제2 색의 광을 방출할 수 있으며, 제3 발광 영역(LA3)은 제3 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 색의 광은 610nm 내지 650nm 범위의 피크 파장을 갖는 적색 광일 수 있고, 제2 색의 광은 510nm 내지 550nm 범위의 피크 파장을 갖는 녹색 광일 수 있으며, 제3 색의 광은 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 청색 광일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
표시 장치의 표시 영역(DA)은 인접한 발광 영역(LA1, LA2, LA3)의 사이에 위치하는 발광 영역 간 차광 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 영역 간 차광 영역은 제1 발광 영역(LA1) 내지 제3 발광 영역(LA3)을 둘러쌀 수 있다.
도 2는 도 1의 확대도의 I-I' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치는 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 걸쳐 배치된 기판부(SUB), 표시 영역(DA)에 배치된 기판부(SUB) 상의 표시 소자층(DEP), 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)에 걸쳐 배치되며 표시 소자층(DEP)을 밀봉하는 봉지 부재(ENC)를 포함할 수 있다.
기판부(SUB)는 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 절연 물질은 예를 들어, 폴리 이미드(PI)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 기판부(SUB1) 및 제2 기판부(SUB2)는 서로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
표시 소자층(DEP)은 버퍼층(BF), 박막 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 제2 평탄화층(OC2), 제1 캡핑층(CAP1), 제1 차광 부재(BK1), 제1 파장 변환부(WLC1), 제2 파장 변환부(WLC2), 광 투과부(LTU), 제2 캡핑층(CAP2), 제3 평탄화층(OC3), 제2 차광 부재(BK2), 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3), 제3 보호층(PAS3), 및 봉지 부재(ENC)를 포함할 수 있다.
버퍼층(BF)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(BF)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다.
박막 트랜지스터층(TFTL)은 박막 트랜지스터(TFT), 게이트 절연막(GI), 층간 절연막(ILD), 제1 보호층(PAS1), 및 제1 평탄화층(OC1)을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터(TFT)는 버퍼층(BF) 상에 배치될 수 있고, 복수의 화소 각각의 화소 회로를 구성할 수 있다.
반도체층(ACT)은 버퍼층(BF) 상에 마련될 수 있다. 반도체층(ACT)은 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)과 중첩될 수 있다. 반도체층(ACT)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 직접 접촉될 수 있고, 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 게이트 전극(GE)과 마주할 수 있다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI)의 상부에 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고, 반도체층(ACT)과 중첩될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(ILD) 상에서 서로 이격되어 배치될 수 있다. 소스 전극(SE)은 게이트 절연막(GI) 및 층간 절연막(ILD)에 마련된 컨택홀을 통해 반도체층(ACT)의 일단과 접촉될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 게이트 절연막(GI) 및 층간 절연막(ILD)에 마련된 컨택홀을 통해 반도체층(ACT)의 타단과 접촉될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 제1 보호층(PAS1) 및 제1 평탄화층(OC1)에 마련된 컨택홀을 통해 발광 부재(EL)의 제1 전극(AE)과 접속될 수 있다.
게이트 절연막(GI)은 반도체층(ACT)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연막(GI)은 반도체층(ACT) 및 버퍼층(BF)의 상부에 배치될 수 있고, 반도체층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다. 게이트 절연막(GI)은 소스 전극(SE)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(DE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
층간 절연막(ILD)은 게이트 전극(GE)의 상부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(ILD)은 소스 전극(SE)이 관통하는 컨택홀 및 드레인 전극(DE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
제1 보호층(PAS1)은 박막 트랜지스터(TFT)의 상부에 마련되어, 박막 트랜지스터(TFT)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 제1 보호층(PAS1)은 제1 전극(AE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
제1 평탄화층(OC1)은 제1 보호층(PAS1)의 상부에 마련되어, 박막 트랜지스터(TFT)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(OC1)은 발광 부재(EL)의 제1 전극(AE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
발광 소자층(EML)은 발광 부재(EL), 제1 뱅크(BNK1), 제2 뱅크(BNK2), 제1 소자 절연층(QPAS1) 및 제2 보호층(PAS2)을 포함할 수 있다.
발광 부재(EL)는 박막 트랜지스터(TFT) 상에 마련될 수 있다. 발광 부재(EL)는 제1 전극(AE), 제2 전극(CE), 및 발광 소자(ED)를 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제1 평탄화층(OC1)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(AE)은 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치된 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치되어 제1 뱅크(BNK1)를 덮을 수 있다. 제1 전극(AE)은 제2 뱅크(BNK2)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 중 하나의 발광 영역과 중첩되게 배치될 수 있다. 그리고, 제1 전극(AE)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(DE)에 접속될 수 있다.
제2 전극(CE)은 제1 평탄화층(OC1)의 상부에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(CE)은 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치된 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치되어 제1 뱅크(BNK1)를 덮을 수 있다. 제2 전극(CE)은 제2 뱅크(BNK2)에 의해 정의되는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 중 하나의 발광 영역과 중첩되게 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(CE)은 전체 화소에 공급되는 공통 전압을 수신할 수 있다.
제1 소자 절연층(QPAS1)은 서로 인접한 제1 전극(AE)의 일부와 제2 전극(CE)의 일부를 덮을 수 있고, 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE)을 절연시킬 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 평탄화층(OC1)의 상부에서 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 소자 절연층(QPAS1) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 일단은 제1 전극(AE)에 접속될 수 있고, 발광 소자(ED)의 타단은 제2 전극(CE)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광 소자(ED)는 동일 물질을 갖는 활성층을 포함하여, 동일 파장대의 광, 또는 동일 색의 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에서 방출되는 광은 동일 색을 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광 소자(ED)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다.
제2 뱅크(BNK2)는 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치되어 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 정의할 수 있다. 예를 들어, 제2 뱅크(BNK2)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각을 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(BNK2)는 차광 영역(BA)에 배치될 수 있다.
제2 보호층(PAS2)은 복수의 발광 부재(EL) 및 제2 뱅크(BNK2) 상에 배치될 수 있다. 제2 보호층(PAS2)은 복수의 발광 부재(EL)를 덮을 수 있고, 복수의 발광 부재(EL)를 보호할 수 있다.
표시 장치는 제2 평탄화층(OC2), 제1 캡핑층(CAP1), 제1 차광 부재(BK1), 제1 파장 변환부(WLC1), 제2 파장 변환부(WLC2), 광 투과부(LTU), 제2 캡핑층(CAP2), 제3 평탄화층(OC3), 제2 차광 부재(BK2), 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3), 제3 보호층(PAS3), 및 봉지 부재(ENC)를 더 포함할 수 있다.
제2 평탄화층(OC2)은 발광 소자층(EML)의 상부에 마련되어, 발광 소자층(EML)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 제2 평탄화층(OC2)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 캡핑층(CAP1)은 제2 평탄화층(OC2) 상에 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1)은 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)의 하면을 밀봉할 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1)은 무기 물질을 포함할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 차광 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 제2 뱅크(BNK2)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 광의 투과를 차단할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 유기 차광 물질과 발액 성분을 포함할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 발액 성분을 포함함으로써, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 대응되는 발광 영역(LA)으로 분리시킬 수 있다.
제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 제1 발광 영역(LA1)에 배치될 수 있다. 제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 베이스 수지(BS1), 제1 산란체(SCT1) 및 제1 파장 시프터(WLS1)를 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(BS1)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제1 베이스 수지(BS1)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스 수지(BS1)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 및 이미드계 수지 등의 유기 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 산란체(SCT1)는 제1 베이스 수지(BS1)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제1 베이스 수지(BS1)와 광학 계면을 형성할 수 있다.
제1 파장 시프터(WLS1)는 입사광의 피크 파장을 제1 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 시프터(WLS1)는 표시 장치에서 제공된 청색 광을 610nm 내지 650nm 범위의 단일 피크 파장을 갖는 적색 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 제1 파장 시프터(WLS1)는 양자점, 양자 막대 또는 형광체일 수 있다. 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
제1 파장 시프터(WLS1)가 방출하는 광은 45nm 이하, 또는 40nm 이하, 또는 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(Full Width of Half Maximum, FWHM)을 가질 수 있고, 표시 장치가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다.
발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광의 일부는 제1 파장 시프터(WLS1)에 의해 적색 광으로 변환되지 않고 제1 파장 변환부(WLC1)를 투과할 수 있다. 발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광 중 제1 파장 변환부(WLC1)에 의해 변환되지 않고 제1 컬러 필터(CF1)에 입사한 광은 제1 컬러 필터(CF1)에 의해 차단될 수 있다. 그리고, 표시 장치에서 제공된 청색 광 중 제1 파장 변환부(WLC1)에 의해 변환된 적색 광은 제1 컬러 필터(CF1)를 투과하여 외부로 출사될 수 있다. 따라서, 제1 발광 영역(LA1)은 적색 광을 방출할 수 있다.
제2 파장 변환부(WLC2)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 제2 발광 영역(LA2)에 배치될 수 있다. 제2 파장 변환부(WLC2)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 파장 변환부(WLC2)는 제2 베이스 수지(BS2), 제2 산란체(SCT2) 및 제2 파장 시프터(WLS2)를 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(BS2)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제2 베이스 수지(BS2)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다.
제2 산란체(SCT2)는 제2 베이스 수지(BS2)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제2 베이스 수지(BS2)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(SCT2)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다.
제2 파장 시프터(WLS2)는 입사광의 피크 파장을 제1 파장 시프터(WLS1)의 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 시프터(WLS2)는 표시 장치에서 제공된 청색 광을 510nm 내지 550nm 범위의 단일 피크 파장을 갖는 녹색 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)는 양자점, 양자 막대 또는 형광체일 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)는 제1 파장 시프터(WLS1)에서 예시된 물질과 동일 취지의 물질을 포함할 수 있다.
광 투과부(LTU)는 제1 캡핑층(CAP1) 상의 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다. 광 투과부(LTU)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 광 투과부(LTU)는 입사광의 피크 파장을 유지하여 투과시킬 수 있다. 광 투과부(LTU)는 제3 베이스 수지(BS3) 및 제3 산란체(SCT3)를 포함할 수 있다.
제3 베이스 수지(BS3)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제3 베이스 수지(BS3)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다.
제3 산란체(SCT3)는 제3 베이스 수지(BS3)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제3 베이스 수지(BS3)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(SCT3)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)는 제2 평탄화층(OC2) 및 제1 캡핑층(CAP1)을 통해 발광 소자층(EML) 상에 배치됨으로써, 표시 장치는 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 위한 별도의 기판을 필요로 하지 않을 수 있다.
제2 캡핑층(CAP2)은 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2), 광 투과부(LTU), 및 제1 차광 부재(BK1)를 덮을 수 있다.
제3 평탄화층(OC3)은 제2 캡핑층(CAP2)의 상부에 배치되어, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 제3 평탄화층(OC3)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제2 차광 부재(BK2)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 차광 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제2 차광 부재(BK2)는 제1 차광 부재(BK1) 또는 제2 뱅크(BNK2)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 차광 부재(BK2)는 광의 투과를 차단할 수 있다.
제1 컬러 필터(CF1)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 제1 발광 영역(LA1)에 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제2 차광 부재(BK2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 파장 변환부(WLC1)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 색의 광(예를 들어, 적색 광)을 선택적으로 투과시키고, 제2 색의 광(예를 들어, 녹색 광) 및 제3 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다.
제2 컬러 필터(CF2)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 제2 발광 영역(LA2)에 배치될 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 차광 부재(BK2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 파장 변환부(WLC2)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 색의 광(예를 들어, 녹색 광)을 선택적으로 투과시키고, 제1 색의 광(예를 들어, 적색 광) 및 제3 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다.
제3 컬러 필터(CF3)는 제3 평탄화층(OC3) 상의 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 제2 차광 부재(BK2)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 광 투과부(LTU)와 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제3 컬러 필터(CF3)는 제3 색의 광(예를 들어, 청색 광)을 선택적으로 투과시키고, 제1 색의 광(예를 들어, 적색 광) 및 제2 색의 광(예를 들어, 녹색 광)을 차단하거나 흡수할 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)는 표시 장치의 외부에서 유입되는 광의 일부를 흡수하여 외광에 의한 반사광을 저감시킬 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)는 외광 반사에 의한 색의 왜곡을 방지할 수 있다.
제3 보호층(PAS3)은 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)를 덮을 수 있다. 제3 보호층(PAS3)은 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)를 보호할 수 있다.
봉지 부재(ENC)는 제3 보호층(PAS3) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 봉지 부재(ENC)는 적어도 하나의 무기막을 포함하여, 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 봉지 부재(ENC)는 적어도 하나의 유기막을 포함하여, 표시 장치를 먼지와 같은 이물질로부터 보호할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3의 II-II' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 2와 함께 도 3 및 도 4를 참조하면, 복수의 화소 각각은 제1 내지 제3 서브 화소를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에 대응될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각의 발광 소자(ED)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 통해 광을 방출할 수 있다.
제1 내지 제3 서브 화소 각각은 동일 색의 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 서브 화소 각각은 동일 종류의 발광 소자(ED)를 포함할 수 있고, 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 서브 화소는 제1 색의 광 또는 적색 광을 방출할 수 있고, 제2 서브 화소는 제2 색의 광 또는 녹색 광을 방출할 수 있으며, 제3 서브 화소는 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다.
제1 내지 제3 서브 화소 각각은 제1 및 제2 전극(AE, CE), 발광 소자(ED), 복수의 접촉 전극(CTE), 및 복수의 제2 뱅크(BNK2)를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 전극(AE, CE)은 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되어 소정의 전압을 인가받을 수 있고, 발광 소자(ED)는 특정 파장대의 광을 방출할 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE)의 적어도 일부는 화소 내에 전기장을 형성할 수 있고, 발광 소자(ED)는 전기장에 의해 정렬될 수 있다.
예를 들어, 제1 전극(AE)은 제1 내지 제3 서브 화소 마다 분리된 화소 전극일 수 있고, 제2 전극(CE)은 제1 내지 제3 서브 화소에 공통으로 연결된 공통 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE) 중 어느 하나는 발광 소자(ED)의 애노드(Anode) 전극일 수 있고, 다른 하나는 발광 소자(ED)의 캐소드(Cathode) 전극일 수 있다.
제1 전극(AE)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 제1 전극 줄기부(AE1), 및 제1 전극 줄기부(AE1)로부터 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 적어도 하나의 제1 전극 가지부(AE2)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 서브 화소 각각의 제1 전극 줄기부(AE1)는 인접한 서브 화소의 제1 전극 줄기부(AE1)와 이격될 수 있고, 제1 전극 줄기부(AE1)는 제1 방향(DR1)으로 인접한 서브 화소의 제1 전극 줄기부(AE1)와 가상의 연장 선 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각의 제1 전극 줄기부(AE1)는 서로 다른 신호를 인가받을 수 있고, 독립적으로 구동될 수 있다.
제1 전극 가지부(AE2)는 제1 전극 줄기부(AE1)로부터 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 전극 가지부(AE2)의 일단은 제1 전극 줄기부(AE1)에 연결될 수 있고, 제1 전극 가지부(AE2)의 타단은 제1 전극 줄기부(AE1)와 대향하는 제2 전극 줄기부(CE1)와 이격될 수 있다.
제2 전극(CE)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 제2 전극 줄기부(CE1), 및 제2 전극 줄기부(CE1)로부터 분지되어 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 전극 가지부(CE2)를 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소 각각의 제2 전극 줄기부(CE1)는 인접한 서브 화소의 제2 전극 줄기부(CE1)와 접속될 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 제1 방향(DR1)으로 연장되어 복수의 화소를 가로지를 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 표시 영역(DA)의 외곽부, 또는 비표시 영역(NDA)에서 일 방향으로 연장된 부분과 연결될 수 있다.
제2 전극 가지부(CE2)는 제1 전극 가지부(AE2)와 이격되어 대향할 수 있다. 제2 전극 가지부(CE2)의 일단은 제2 전극 줄기부(CE1)에 연결될 수 있고, 제2 전극 가지부(CE2)의 타단은 제1 전극 줄기부(AE1)와 이격될 수 있다.
제1 전극(AE)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 표시 장치의 박막 트랜지스터층(TFTL)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 전극(CE)은 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 표시 장치의 박막 트랜지스터층(TFTL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 컨택홀(CNT1)은 복수의 제1 전극 줄기부(AE1) 각각에 배치될 수 있고, 제2 컨택홀(CNT2)은 제2 전극 줄기부(CE1)에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 뱅크(BNK2)는 복수의 화소 간의 경계에 배치될 수 있다. 복수의 제1 전극 줄기부(AE1)는 제2 뱅크(BNK2)를 기준으로 서로 이격될 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있고, 제1 방향(DR1)으로 배열된 화소들(SP)의 경계에 배치될 수 있다. 추가적으로, 제2 뱅크(BNK2)는 제2 방향(DR2)으로 배열된 화소들(SP)의 경계에도 배치될 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 복수의 화소의 경계를 정의할 수 있다.
제2 뱅크(BNK2)는 표시 장치의 제조 시, 발광 소자(ED)가 분산된 잉크를 분사할 때 잉크가 화소들(SP)의 경계를 넘는 것을 방지할 수 있다. 제2 뱅크(BNK2)는 서로 다른 발광 소자들(ED)이 분산된 잉크가 서로 혼합되지 않도록 이들을 분리시킬 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 일단은 제1 전극(AE)에 접속될 수 있고, 발광 소자(ED)의 타단은 제2 전극(CE)에 접속될 수 있다.
복수의 발광 소자(ED)는 서로 이격되게 배치될 수 있고, 실질적으로 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자들(ED)이 이격되는 간격은 특별히 제한되지 않는다.
복수의 발광 소자(ED)는 동일 물질을 갖는 활성층을 포함하여, 동일 파장대의 광 또는 동일 색의 광을 방출할 수 있다. 제1 내지 제3 서브 화소는 동일 색의 광을 방출할 있다. 예를 들어, 복수의 발광 소자(ED)는 440nm 내지 480nm 범위의 피크 파장을 갖는 제3 색의 광 또는 청색 광을 방출할 수 있다.
접촉 전극(CTE)은 제1 및 제2 접촉 전극(CTE1, CTE2)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)의 일부를 덮을 수 있고, 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)의 다른 일부를 덮을 수 있고, 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 발광 소자(ED)의 일단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 접촉 전극(CTE1)을 통해 제1 전극(AE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제1 접촉 전극(CTE1)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 발광 소자(ED)의 타단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제2 접촉 전극(CTE2)을 통해 제2 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
표시 장치의 발광 소자층(EML)은 박막 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있고, 제1 내지 제3 소자 절연층(QPAS1, QPAS2, QPAS3)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 뱅크(BNK1)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에 배치될 수 있다. 복수의 제1 뱅크(BNK1) 각각은 제1 전극(AE) 또는 제2 전극(CE)에 대응될 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE) 각각은 대응되는 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 뱅크(BNK1)는 제1 평탄화층(OC1) 상에 배치될 수 있고, 복수의 제1 뱅크(BNK1) 각각의 측면은 제1 평탄화층(OC1)으로부터 경사질 수 있다. 제1 뱅크(BNK1)의 경사면은 발광 소자(ED)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다.
제1 전극 줄기부(AE1)는 제1 평탄화층(OC1)을 관통하는 제1 컨택홀(CNT1)을 포함할 수 있다. 제1 전극 줄기부(AE1)는 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 박막 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전극 줄기부(CE1)는 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있고, 발광 소자(ED)가 배치되지 않는 비발광 영역에도 배치될 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 제1 평탄화층(OC1)을 관통하는 제2 컨택홀(CNT2)을 포함할 수 있다. 제2 전극 줄기부(CE1)는 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 전원 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(CE)은 전원 전극으로부터 소정의 전기 신호를 수신할 수 있다.
제1 및 제2 전극(AE, CE)은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE)은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(AE, CE)은 투명 전도성 물질과 반사율이 높은 금속 각각이 한층 이상 적층된 구조를 이루거나, 이들을 포함하여 하나의 층으로 형성될 수 있다.
제1 소자 절연층(QPAS1)은 제1 평탄화층(OC1), 제1 전극(AE), 및 제2 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 제1 소자 절연층(QPAS1)은 제1 및 제2 전극(AE, CE) 각각의 일부를 덮을 수 있다.
제1 소자 절연층(QPAS1)은 제1 및 제2 전극(AE, CE)을 보호할 수 있고, 제1 및 제2 전극(AE, CE)을 상호 절연시킬 수 있다. 제1 소자 절연층(QPAS1)은 발광 소자(ED)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수 있다.
발광 소자(ED)는 제1 소자 절연층(QPAS1) 상에서, 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 발광 소자(ED)의 일단은 제1 전극(AE)에 접속될 수 있고, 발광 소자(ED)의 타단은 제2 전극(CE)에 접속될 수 있다.
제2 소자 절연층(QPAS2)은 제1 및 제2 전극(AE, CE) 사이에 배치된 발광 소자(ED) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 제2 소자 절연층(QPAS2)은 발광 소자(ED)의 상면의 중앙부에 배치될 수 있다. 제3 절연층(QPAS3)은 발광 소자(ED)의 외면을 부분적으로 감쌀 수 있다. 제3 절연층(QPAS3)은 발광 소자(ED)를 보호할 수 있다. 제3 절연층(QPAS3)은 발광 소자(ED)의 외면을 감쌀 수 있다.
접촉 전극(CTE)은 제1 및 제2 접촉 전극(CTE1, CTE2)을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)의 일부를 덮을 수 있고, 제1 전극 가지부(AE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)의 다른 일부를 덮을 수 있고, 제2 전극 가지부(CE2)와 발광 소자(ED)를 전기적으로 연결시킬 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 전극 가지부(AE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 발광 소자(ED)의 일단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 접촉 전극(CTE1)을 통해 제1 전극(AE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)은 제2 소자 절연층(QPAS2)의 일단부측 상면에 직접 접할 수 있다.
제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 전극 가지부(CE2) 상에 배치되어 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 제1 접촉 전극(CTE1)과 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 제2 접촉 전극(CTE2)은 발광 소자(ED)의 타단과 접촉될 수 있다. 발광 소자(ED)는 제2 접촉 전극(CTE2)을 통해 제2 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 소자 절연층(QPAS2)의 타단부측 상면에 직접 접할 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)은 동일층에 배치될 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)은 각각 제2 소자 절연층(QPAS2)의 중앙부 상면을 노출할 수 있다.
제1 접촉 전극(CTE1) 및 제2 접촉 전극(CTE2)은 각각 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)은 제1 물질을 포함하고, 제2 접촉 전극(CTE2)은 제2 물질을 포함할 수 있다. 다만, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 서로 물성이 상이할 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하기로 한다.
도 5는 일 실시예에 따른 발광 소자를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 발광 소자(ED)는 발광 다이오드(Light Emitting diode)일 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(ED)는 마이크로 미터(Micro-meter) 또는 나노 미터(Nano-meter) 단위의 크기를 가질 수 있고, 무기물을 포함하는 무기 발광 다이오드일 수 있다. 무기 발광 다이오드는 서로 대향하는 두 전극들 사이에 특정 방향으로 형성된 전계에 따라 두 전극 사이에서 정렬될 수 있다.
발광 소자(ED)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 로드, 와이어, 튜브 등의 형상을 가질 수 있다. 발광 소자(ED)는 제1 반도체층(111), 제2 반도체층(113), 활성층(115), 전극층(117), 및 절연막(118)을 포함할 수 있다.
제1 반도체층(111)은 n형 반도체일 수 있다. 제2 반도체층(113)은 활성층(115) 상에 배치될 수 있다. 제1 및 제2 반도체층(111, 113) 각각은 하나의 층으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
활성층(115)은 제1 및 제2 반도체층(111, 113) 사이에 배치될 수 있다. 활성층(115)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 활성층(115)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층될 수 있다.
활성층(115)에서 방출되는 광은 발광 소자(ED)의 길이 방향으로 방출될 수 있고, 양 측면으로도 방출될 수 있다. 활성층(115)에서 방출되는 광은 방향성이 제한되지 않을 수 있다.
전극층(117)은 오믹(Ohmic) 접촉 전극일 수 있다. 다른 예를 들어, 전극층(117)은 쇼트키(Schottky) 접촉 전극일 수도 있다. 발광 소자(ED)는 적어도 하나의 전극층(117)을 포함할 수 있다.
절연막(118)은 복수의 반도체층 및 전극층들의 외면을 둘러쌀 수 있다. 절연막(118)은 활성층(115)의 외면을 둘러쌀 수 있고, 발광 소자(ED)가 연장된 방향으로 연장될 수 있다. 절연막(118)은 발광 소자(ED)를 보호할 수 있다.
절연막(118)은 절연 특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(Silicon oxide, SiOx), 실리콘 질화물(Silicon nitride, SiNx), 산질화 실리콘(SiOxNy), 질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN), 산화알루미늄(Aluminum oxide, Al2O3) 등을 포함할 수 있다.
절연막(118)의 외면은 표면 처리될 수 있다. 발광 소자(ED)는 표시 장치의 제조 시, 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 물성은 서로 상이할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 물성이 상이한 것은 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 특정 에천트(Etchant)에 대한 에칭 레이트(Etching rate)가 상이하기 때문이다. 도 6 내지 도 17에서 설명할 표시 장치의 제조 방법에서 후술하는 바와 같이, 특정 에천트에 대해 제1 접촉 전극(CTE1)의 에칭 레이트가 제2 접촉 전극(CTE2)의 에칭 레이트보다 작을 수 있다. 이는 에천트를 이용하여 제2 접촉 전극(CTE2)을 형성하는 공정에서 먼저 형성된 제1 접촉 전극(CTE1)이 해당 에천트에 의해 에칭되는 것을 미연에 방지고자 함이다.
제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)은 모두 발광 소자(ED)로부터 출사된 광의 경로 상에 위치하기 때문에, 투명 전도성 물질을 갖는 것이 바람직하며, 상술한 에천트를 이용하여 제2 접촉 전극(CTE2)을 형성하는 공정에서 제1 접촉 전극(CTE1)의 에칭을 방지하기 위해 제1 접촉 전극(CTE1)은 투명 전도성 물질 중 해당 에천트에 대해 에칭 레이트가 매우 작은 물질이 고려될 수 있다.
일 실시예에서는 제1 접촉 전극(CTE1)의 제1 물질과 제2 접촉 전극(CTE2)의 제2 물질이 동일한 인듐주석산화물(ITO)을 포함하되, 상기 제1 물질은 열처리에 의해 결정화된 인듐주석산화물(ITO)을 가짐으로써, 제1 접촉 전극(CTE1)의 상기 에천트에 대한 에칭 레이트를 매우 작게 설계할 수 있다. 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 상기 에천트에 대한 에칭 레이트는 상술한 제1 물질과 제2 물질의 서로 다른 물성 중 하나이며, 이외에도, 면저항이나, 특정 파장에 대한 투과율이 달라질 수 있다. 즉, 일 실시예에서, 제1 물질과 제2 물질의 면저항 차이나, 특정 파장에 대한 투과율은 인듐주석산화물(ITO)의 결정화 유무에 따라 발생된 물성이다.
먼저, 제1 물질과 제2 물질의 물성 중 특정 에천트에 대한 에칭 레이트를 살펴보면, 상기 에천트가 인산계 에천트인 경우, 제1 물질의 상기 인산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 거의 0에 가깝고, 제2 물질의 상기 인산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 약 0.2 내지 0.4nm/s일 수 있다. 또한, 상기 에천트가 황산계 에천트인 경우, 제1 물질의 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 거의 0에 가깝고, 제2 물질의 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 약 1.5nm/s일 수 있다.
그 다음, 제1 물질과 제2 물질의 물성 중 면저항을 살펴보면, 상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항보다 작을 수 있다. 상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항 대비 50% 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질의 면저항은 55,5Ω/m2이고, 상기 제2 물질의 면저항은 136.7Ω/m2일 수 있다.
마지막으로, 제1 물질과 제2 물질의 물성 중 특정 파장에 대한 투과율을 살펴보면, 상기 제1 물질의 투과율은 상기 제2 물질의 투과율과 상이하고, 상기 제1 물질의 550nm 파장에서의 투과율은 상기 제2 물질의 550nm 파장에서의 투과율보다 클 수 있다. 예컨대, 상기 제1 물질의 550nm 파장에서의 투과율은 상기 제2 물질의 550nm 파장에서의 투과율보다 5% 이상 클 수 있다.
이하, 도 18을 참조하여 제1 물질과 제2 물질의 특정 파장에 대한 투과율을 더욱 상세히 설명한다.
도 18은 광의 파장에 따른 비결정 ITO, 결정 ITO, 비결정 IZO, 및 결정 IZO의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 18과 함께 설명하면, 도 18에서 가로축은 광의 파장(nm)을 나타내고, 세로축은 특정 파장대의 광의 비결정화된 인듐주석산화물(ITO)(또는, 비결정 ITO), 비결정화된 인듐주석산화물(ITO)(또는 결정 ITO), 비결정화된 인듐아연산화물(IZO)(또는, 비결정 IZO), 및 비결정화된 인듐아연산화물(IZO)(또는, 결정 IZO) 별로의 투과율(%)을 나타낸다.
도 18에 도시된 바와 같이, 대체로 파장대가 커질수록 광의 비결정 ITO, 결정 ITO, 비결정 IZO, 및 결정 IZO 별로의 투과율이 커지는 것을 확인할 수 있고, 특히, 결정 ITO가 비결정 ITO, 결정 IZO, 및 비결정 IZO 대비하여 높은 투과율을 유지하고 있음을 확인할 수 있다. 약 550nm 파장대의 광에서 결정 ITO의 투과율은 약 88%이고, 비결정 ITO의 투과율은 약 80%인 것을 확인할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 대해 설명한다.
본 실시예에 따른 제1 물질과 제2 물질은 각각 투명 전도성 물질을 포함하고, 제1 물질과 제2 물질은 서로 상이하며, 다른 물성을 가질 수 있다.
본 실시예에 의하면, 상기 제1 물질은 인듐주석산화물(ITO)을 포함하고, 상기 제2 물질은 인듐아연산화물(IZO)를 포함할 수 있다. 상기 제1 물질은 결정화된 인듐주석산화물(ITO)일 수 있고, 비결정화된 인듐주석산화물(ITO)일 수 있다. 이하에서는 제1 물질이 비결정화된 인듐주석산화물(ITO)인 것을 중심으로 설명한다.
본 실시예의 경우에도 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 물성이 상이한 것은 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 특정 에천트(Etchant)에 대한 에칭 레이트(Etching rate)가 상이하기 때문이며, 특정 에천트에 대해 제1 접촉 전극(CTE1)의 에칭 레이트가 제2 접촉 전극(CTE2)의 에칭 레이트보다 작을 수 있다.
본 실시예에서는 제1 접촉 전극(CTE1)의 제1 물질과 제2 접촉 전극(CTE2)의 제2 물질이 서로 상이한 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)를 포함하도록 설계하여 제1 접촉 전극(CTE1)의 상기 에천트에 대한 에칭 레이트를 매우 작게 형성할 수 있다.
본 실시예의 경우에도, 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)의 상기 에천트에 대한 에칭 레이트는 상술한 제1 물질과 제2 물질의 서로 다른 물성 중 하나이며, 이외에도, 면저항 차이가 제1 물질과 제2 물질이 서로 다른 물질을 가짐으로써 발생된 물성이다.
먼저, 제1 물질과 제2 물질의 물성 중 특정 에천트에 대한 에칭 레이트를 살펴보면, 상기 제2 물질의 인산계 에천트, 또는 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 상기 제1 물질의 상기 인산계 에천트, 또는 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트보다 5배 이상일 수 있다.
상기 에천트가 인산계 에천트인 경우, 제1 물질의 상기 인산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 약 0.2 내지 0.4nm/s이고, 약 1.5 내지 2.5nm/s일 수 있다. 또한, 상기 에천트가 황산계 에천트인 경우, 제1 물질의 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 약 1.5nm/s이고, 제2 물질의 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 약 7.5nm/s일 수 있다.
그 다음, 제1 물질과 제2 물질의 물성 중 면저항을 살펴보면, 상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항보다 클 수 있다. 상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항 대비 1.5배 이상일 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 물질의 면저항은 136.7Ω/m2이고, 상기 제2 물질의 면저항은 71.3Ω/m2일 수 있다.
이하, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 7 내지 도 17은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 공정 단계별 단면도들이다.
도 1 내지 도 5와 함께, 도 6, 및 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 이격되어 배치된 제1 뱅크들(BNK1)이 배치된 기판부를 준비하는 기판 준비 단계(S10)를 포함한다.
이어서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 뱅크(BNK1) 상에 배치되고 제1 뱅크(BNK1)를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE)을 형성하는 전극 형성 단계(S20)를 포함한다.
이어서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 전극(AE) 및 제2 전극(CE) 상에 제1 소자 절연층(QPAS1)을 형성하는 제1 소자 절연층 형성 단계(S30)를 포함한다.
이어서, 제1 소자 절연층(QPAS1) 상의 제1 전극(AE)과 제2 전극(CE) 사이에 발광 소자(ED)를 배치하는 발광 소자 배치 단계(S40)를 포함한다.
이어서, 발광 소자(ED)의 상면에 제2 소자 절연층(QPAS2)을 형성하는 제2 소자 절연층 형성 단계(S50)를 포함한다. 제2 소자 절연층(QPAS2)은 발광 소자(ED)의 상면의 중앙부에 형성될 수 있다.
이어서, 도 1 내지 도 5와 함께, 도 6, 및 도 8을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제2 소자 절연층(QPAS2) 상에 전면적으로 제1 접촉 전극 물질층(CTE1')을 형성하는 제1 접촉 전극 물질 형성 단계(S60)를 포함한다. 제1 접촉 전극 물질층(CTE1')은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제1 접촉 전극 물질층(CTE1')은 인듐주석산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
이어서, 도 1 내지 도 5와 함께, 도 6, 및 도 9 내지 도 11을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제2 소자 절연층(QPAS2)의 중앙부, 및 타측 단부를 노출하는 제1 접촉 전극(CTE1)을 형성하는 제1 접촉 전극 형성 단계(S70)를 포함한다.
제1 접촉 전극 형성 단계(S70)는 도 10, 및 도 11에 도시된 바와 같이, 포토 리소그라피 공정을 통해 이루어질 수 있다.
즉, 제1 접촉 전극 형성 단계(S70)는 도 9에 도시된 바와 같이, 포토 레지스트(PR)를 제1 접촉 전극 물질층(CTE1')의 제2 소자 절연층(QPAS2)의 상면 중 중앙부를 기준으로 일측 방향에 위치한 상면(즉, 상면 중 일측 단부)과 중첩하는 영역을 포함한 일측 영역을 커버하도록 형성하는 단계, 포토 레지스트(PR)에 의해 노출되는 영역을 노광하는 단계, 제1 접촉 전극 물질층(CTE1') 중 노광된 영역을 에칭하여 제거하는 단계, 및 포토 레지스트(PR)를 박리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 노광된 영역의 에칭은 ? 에칭(Wet etching)을 통해 이루어질 수 있다.
이어서, 도 1 내지 도 5와 함께, 도 6, 및 도 12를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 형성된 제1 접촉 전극(CTE1'')을 열처리하여 결정화하는 제1 접촉 전극 결정화 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 접촉 전극 결정화 단계를 통해 제1 접촉 전극(CTE1)이 형성된다.
이어서, 도 1 내지 도 5와 함께, 도 6, 및 도 13을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 접촉 전극(CTE1) 상에 전면적으로 제2 접촉 전극 물질(CTE2')을 형성하는 제2 접촉 전극 물질 형성 단계(S80)를 포함한다.
제2 접촉 전극 물질층(CTE2')은 투명 전도성 물질을 포함할 수 있다. 제2 접촉 전극 물질층(CTE2')은 인듐주석산화물(ITO)을 포함할 수 있다.
이어서, 도 1 내지 도 5와 함께, 도 6, 및 도 14 내지 도 16을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제2 소자 절연층(QPAS2)의 중앙부, 및 타측 단부를 노출하는 제2 접촉 전극(CTE2)을 형성하는 제2 접촉 전극 형성 단계(S90)를 포함한다.
제2 접촉 전극 형성 단계(S90)는 도 14, 및 도 15에 도시된 바와 같이, 포토 리소그라피 공정을 통해 이루어질 수 있다.
즉, 제2 접촉 전극 형성 단계(S90)는 도 14에 도시된 바와 같이, 포토 레지스트(PR)를 제2 접촉 전극 물질층(CTE2')의 제2 소자 절연층(QPAS2)의 상면 중 중앙부를 기준으로 타측 방향에 위치한 상면(즉, 상면 중 타측 단부)과 중첩하는 영역을 포함한 타측 영역을 커버하도록 형성하는 단계, 포토 레지스트(PR)에 의해 노출되는 영역을 노광하는 단계, 제2 접촉 전극 물질층(CTE2') 중 노광된 영역을 에칭하여 제거하는 단계, 및 포토 레지스트(PR)를 박리하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 노광된 영역의 에칭은 ? 에칭(Wet etching)을 통해 이루어질 수 있다. 이 경우, 에천트는 인산계 에천트, 또는 황산계 에천트를 포함할 수 있다.
제2 접촉 전극 물질층(CTE2') 중 노광된 영역을 에칭하여 제거하는 단계에서, 제2 접촉 전극 물질층(CTE2')의 하부에 위치한 제1 접촉 전극(CTE1)은 상술한 바와 같이, 제2 접촉 극 물질층(CTE2') 대비 상기 에천트에 대한 에칭 레이트가 매우 작으므로, 해당 단계에서, 제1 접촉 전극(CTE1)은 상기 에천트에 대해 거의 에칭되지 않을 수 있다.
이를 통해 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)은 각각 제2 소자 절연층(QPAS2)의 중앙부 상면은 노출하도록 형성될 수 있다.
이어서, 도 6, 및 도 17을 참조하면, 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2) 상에 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)을 일체로 덮어 해당 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)과 접촉하는 제3 소자 절연층(QPAS3)을 형성한다.
본 실시예에 의하면, 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)이 동일층에 형성됨으로써, 제1 접촉 전극(CTE1) 및 제2 접촉 전극(CTE2)을 개별로 커버하기 위한 두 개 이상의 소자 절연층을 형성하지 않아도 되며, 제3 소자 절연층(QPAS3)만으로 제1 접촉 전극(CTE1)과 제2 접촉 전극(CTE2)을 커버하여 보호할 수 있다. 이로 인해, 별로의 증착 공정이 생략됨으로써 공정 간소화를 도모할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법의 다른 실시예의 경우에는, 제1 접촉 전극 물질층(CTE1')이 인듐주석산화물(ITO)을 포함하고, 제2 접촉 전극 물질층(CTE2')이 인듐아연산화물(IZO)를 포함한다는 점에서, 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법과 상이할뿐, 나머지 공정은 동일하므로, 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이하, 일 실시예에 따른 표시 장치의 또 다른 실시예에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치는 기판부(SUB)와 대향하는 상부 기판부(SUB_1)를 더 포함한다는 점에서 도 2에 따른 표시 장치와 상이하다.
더욱 구체적으로 설명하면, 상부 기판부(SUB_1)는 기판부(SUB)와 대향한다. 상부 기판부(SUB_1)는 기판부(SUB)의 예시된 물질과 동일 물질을 포함할 수 있다.
상부 기판부(SUB_1)의 기판부(SUB)을 바라보는 일면 상에 제1 차광 부재(BK1)가 배치된다. 제1 차광 부재(BK1)는 차광 영역(BA) 내에 배치될 수 있다.
제1 차광 부재(BK1) 및 상부 기판부(SUB_1)의 기판부(SUB)을 바라보는 일면 상에 제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3)가 배치될 수 있다. 제1 컬러 필터(CF1)는 제1 발광 영역(LA1)에, 제2 컬러 필터(CF2)는 제2 발광 영역(LA2)에, 제3 컬러 필터(CF3)는 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 컬러 필터(CF1, CF2, CF3) 상에 제1 캡핑층(CAP1)이 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1) 상에 제2 차광 부재(BK2)가 배치될 수 있다. 제2 차광 부재(BK2)는 차광 영역(BA) 내에 배치될 수 있다. 인접한 제2 차광 부재(BK2) 사이에 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)가 배치될 수 있다. 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU), 및 제2 차광 부재(BK2) 상에 제2 캡핑층(CAP2)이 배치될 수 있다.
제1 보호층(PAS1)과 제2 캡핑층(CAP2) 사이에는 충진층(FIL)이 배치될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
SUB: 기판부
DEP: 표시 소자층:
ENC: 봉지 부재:
AE: 제1 전극
CE: 제2 전극
QPAS1: 제1 소자 절연층
QPAS2: 제2 소자 절연층
QPAS3: 제3 소자 절연층
CTE1: 제1 접촉 전극
CTE2: 제2 접촉 전극

Claims (20)

  1. 기판부;
    상기 기판부 상에 이격되어 배치된 제1 뱅크들;
    상기 제1 뱅크 상에 배치되고 상기 제1 뱅크를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광 소자;
    상기 제1 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 일단과 접촉하는 제1 접촉 전극; 및
    상기 제2 전극과 연결되고 상기 발광 소자의 타단과 접촉하는 제2 접촉 전극을 포함하고,
    상기 제1 접촉 전극은 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 접촉 전극은 제2 물질을 포함하되, 상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 물성은 상이한 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 동일하고,
    상기 제1 물질, 및 상기 제2 물질은 각각 인듐주석산화물(ITO)을 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 물질은 결정화된 인듐주석산화물(ITO)을 포함하고, 상기 제2 물질은 비결정화된 인듐주석산화물(ITO)을 포함하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 인산계 에천트, 또는 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 상기 제2 물질의 상기 인산계 에천트, 또는 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트보다 작은 표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항보다 작고,
    상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항 대비 50% 이하인 표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 투과율은 상기 제2 물질의 투과율과 상이한 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 550nm 파장에서의 투과율은 상기 제2 물질의 550nm 파장에서의 투과율보다 큰 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 550nm 파장에서의 투과율은 상기 제2 물질의 550nm 파장에서의 투과율보다 5% 이상 큰 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 투명 전도성 물질을 포함하고,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 상이한 표시 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 물질은 인듐주석산화물(ITO)을 포함하고, 상기 제2 물질은 인듐아연산화물(IZO)를 포함하는 표시 장치.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 물질의 인산계 에천트, 또는 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트는 상기 제1 물질의 상기 인산계 에천트, 또는 상기 황산계 에천트에 대한 에칭 레이트보다 5배 이상인 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전극, 및 상기 제2 전극과 상기 발광 소자 사이에 배치된 제1 소자 절연층, 및
    상기 발광 소자의 상면에 배치된 제2 소자 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1 접촉 전극은 상기 제2 소자 절연층의 일측 상면과 직접 접하고,
    상기 제2 접촉 전극은 상기 제2 소자 절연층의 타측 상면과 직접 접하고,
    상기 제1 접촉 전극과 상기 제2 접촉 전극은 각각 상기 제2 소자 절연층의 중앙부 상면은 노출하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 접촉 전극, 및 상기 제2 접촉 전극을 일체로 덮어 접촉하는 제3 소자 절연층을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 이격되어 배치된 제1 뱅크들이 배치된 기판부를 준비하는 기판 준비 단계;
    상기 제1 뱅크 상에 배치되고 상기 제1 뱅크를 덮으며 상호 이격되어 배치된 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 전극 형성 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 제1 소자 절연층을 형성하는 제1 소자 절연층 형성 단계;
    상기 제1 소자 절연층 상의 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 발광 소자를 배치하는 발광 소자 배치 단계;
    상기 발광 소자의 상면에 제2 소자 절연층을 형성하는 제2 소자 절연층 형성 단계;
    상기 제2 소자 절연층 상에 전면적으로 제1 접촉 전극 물질층을 형성하는 제1 접촉 전극 물질 형성 단계;
    상기 제2 소자 절연층의 중앙부, 및 타측 단부를 노출하는 제1 접촉 전극을 형성하는 제1 접촉 전극 형성 단계;
    상기 제1 접촉 전극 상에 전면적으로 제2 접촉 전극 물질을 형성하는 제2 접촉 전극 물질 형성 단계; 및
    상기 제2 소자 절연층의 중앙부, 및 일측 단부를 노출하는 제2 접촉 전극을 형성하는 제2 접촉 전극 형성 단계를 포함하고,
    상기 제1 접촉 전극은 제1 물질을 포함하고, 상기 제2 접촉 전극은 제2 물질을 포함하되,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질의 물성은 상이한 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 동일하고,
    상기 제1 물질, 및 상기 제2 물질은 각각 인듐주석산화물(ITO)을 포함하되,
    상기 제1 물질은 결정화된 인듐주석산화물(ITO)을 포함하고,
    상기 제2 물질은 비결정화된 인듐주석산화물(ITO)을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 면저항은 상기 제2 물질의 면저항 대비 50% 이하인 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 물질의 550nm 파장에서의 투과율은 상기 제2 물질의 550nm 파장에서의 투과율보다 큰 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 투명 전도성 물질을 포함하고,
    상기 제1 물질과 상기 제2 물질은 상이하고,
    상기 제1 물질은 인듐주석산화물(ITO)을 포함하고,
    상기 제2 물질은 인듐아연산화물(IZO)를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 접촉 전극 형성 단계는 형성된 상기 제1 접촉 전극을 열처리하는 제1 접촉 전극 결정화 공정을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 접촉 전극 형성 단계, 및 상기 제2 접촉 전극 형성 단계는 포토 리소그라피 공정을 통해 이루어지는 표시 장치의 제조 방법.
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