CN114361194A - 显示设备及制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及显示设备和制造显示设备的方法。显示设备包括：像素电极，设置在衬底上；发光二极管元件，设置在像素电极上；绝缘膜，设置在像素电极中的每个的至少一侧上并且设置在发光二极管元件中的每个的至少一侧上；分隔壁，设置在绝缘膜上；以及公共电极，设置在分隔壁和发光二极管元件上。

Description

显示设备及制造其的方法
技术领域
本公开涉及显示设备及制造其的方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示设备的需求已经增强。这里，显示设备可以是平板显示设备，诸如液晶显示(LCD)设备，场发射显示(FED)设备或发光显示设备，并且发光显示设备可以是包括有机发光二极管(OLED)作为发光元件的有机发光显示设备、包括无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示设备和包括微发光二极管(mLED)作为发光元件的mLED显示设备中的一种。
已经开发了配备有发光显示设备的头戴式显示器(HMD)。HMD是可以像眼镜或头盔一样佩戴并且在距用户的眼睛近距离处形成焦点以提供虚拟现实(VR)或增强现实(AR)的设备。
包括mLED的高分辨率mLED显示面板可以应用于HMD。为了防止从一个mLED发射的光与从其它相邻的mLED发射的光混合，可以在mLED之间设置分隔壁。然而，由于mLED的集成密度高，所以分隔壁需要薄，并且因此可能难以制造分隔壁。
应当理解，该背景技术部分旨在部分地提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该背景技术部分还可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的观点、构思或认识。
发明内容
实施方式提供了能够简化发光二极管(LED)之间的分隔壁的制造的显示设备。
实施方式还提供了能够简化LED之间的分隔壁的制造的显示设备的制造方法。
实施方式的附加特征将在随后的描述中阐述，并且部分地可以从描述中显而易见，或者可以通过实践本文中的一个或多个实施方式来习得。
根据实施方式，显示设备可以包括：像素电极，设置在衬底上；发光二极管元件，设置在像素电极上；绝缘膜，设置在像素电极中的每个的至少一侧上并且设置在发光二极管元件中的每个的至少一侧上；分隔壁，设置在绝缘膜上；以及公共电极，设置在分隔壁和发光二极管元件上。
发光二极管元件中的每个可以包括可以在衬底的厚度方向上顺序堆叠的第一电极、发光层和第二电极。
发光二极管元件中的每个的第一电极可以电接触像素电极中的一个。发光二极管元件中的每个的第二电极可以电接触公共电极。
公共电极可以包括透明导电材料。
分隔壁可以包括导电材料。
分隔壁可以包括不透明的金属材料。
分隔壁可以电连接到公共电极。
显示设备还可以包括：黑矩阵，设置在公共电极上并且在衬底的厚度方向上与分隔壁重叠。
分隔壁可以包括阻挡光的光敏树脂。
分隔壁的高度可以大于发光二极管元件的高度。
公共电极可以设置在分隔壁中的每个的至少一个侧表面上。
显示设备还可以包括：第一波长转换层，在衬底的厚度方向上与发光二极管元件中的在第一发射区域中的一个发光二极管元件重叠；第二波长转换层，在衬底的厚度方向上与发光二极管元件中的在第二发射区域中的一个发光二极管元件重叠；以及透明绝缘膜，在衬底的厚度方向上与发光二极管元件中的在第三发射区域中的一个发光二极管元件重叠。
第一波长转换层、第二波长转换层和透明绝缘膜可以设置在公共电极上。
第一波长转换层、第二波长转换层和透明绝缘膜可以设置在分隔壁之间。
显示设备还可以包括：第一滤色器，设置在第一波长转换层上；第二滤色器，设置在第二波长转换层上；以及第三滤色器，设置在透明绝缘膜上。
公共电极可以通过穿透绝缘膜的公共电极连接部电连接到公共连接电极。公共连接电极可以设置在衬底上。
根据实施方式，制造显示设备的方法可以包括：将第一衬底的像素电极与第二衬底的发光二极管元件结合；将发光二极管元件与第二衬底分离；在发光二极管元件上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成分隔壁材料；通过抛光将分隔壁材料平坦化形成分隔壁以暴露发光二极管元件的第二电极；以及在分隔壁和发光二极管元件上形成公共电极。
发光二极管元件中的每个可以包括可以在衬底的厚度方向上顺序堆叠的第一电极、发光层和第二电极。
根据实施方式，制造显示设备的方法可以包括：将第一衬底的像素电极与第二衬底的发光二极管元件结合；将发光二极管元件与第二衬底分离；在发光二极管元件上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成分隔壁材料；通过经由光刻去除分隔壁材料的一部分形成分隔壁，以暴露发光二极管元件的第二电极；以及在分隔壁和发光二极管元件上形成公共电极。
该方法还可以包括：在发光二极管元件中的第一发光二极管元件上形成第一波长转换层；在发光二极管元件中的第二发光二极管元件上形成第二波长转换层；在发光二极管元件中的第三发光二极管元件上形成透明绝缘膜；在第一波长转换层上形成第一滤色器；在第二波长转换层上形成第二滤色器；以及在透明绝缘膜上形成第三滤色器。
根据实施方式，由于LED元件是在第三方向(或Z轴方向)上延伸的竖直LED元件，因此可以在LED元件之间形成分隔壁材料，并且可以通过诸如化学机械抛光(CMP)的抛光来形成分隔壁以暴露LED元件的顶表面。因此，由于分隔壁不需要通过例如光刻而减薄，所以可以在LED元件之间方便地制造分隔壁。
根据实施方式，由于分隔壁包括具有高反射率的金属材料，因此从LED元件侧向发射的光可以输出到LED元件的顶部。因此，由于分隔壁的存在，可以提高LED元件的发射效率。
根据实施方式，当公共电极设置在分隔壁上时，公共电极可以电连接到分隔壁上。因此，可以降低公共电极的电阻，结果，可以防止施加到公共电极的公共电压由于公共电极的电阻而降低。
根据实施方式，通过将分隔壁形成为高于LED元件，可以将波长转换层布置或设置在LED元件上的间隔中，分隔壁之间。因此，可以提高显示设备的图像质量。
根据以下详细描述，附图和权利要求书，其它特征和实施方式将是显而易见的。
应当理解，前面的描述和下面的详细描述都不应被解释为对这里描述或要求保护的一个或多个实施方式的限制。
附图说明
附图示出了实施方式，附图被包括以提供对本公开的进一步理解，在附图中：
图1是根据实施方式的显示设备的立体图；
图2是示出图1的显示设备的发光元件层的发射区域的布局图；
图3是沿着图2的线I-I'和II-II'截取的示意性剖视图；
图4是示出图3的发光元件的示意性立体图；
图5是沿着图2的线I-I'截取的根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图6是沿着图2的线I-I'截取的根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图7是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的流程图；
图8至图14是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图；
图15是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的流程图；
图16至图20是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图；以及
图21是根据实施方式的包括显示设备的虚拟现实(VR)设备的立体图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述实施方式。然而，实施方式可以以不同的形式提供，并且不应被解释为限制性的。在整个公开中，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。
如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
为了描述本公开的实施方式，可不提供可不与说明书关联的部分中的一些。
还应当理解，当层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在居间层。相反，当元件被称为直接在另一元件“上”时，可不存在居间元件。
此外，短语“在平面图中”意味着从上方观察对象部分，并且短语“在示意性剖视图中”意味着从侧面观察通过竖直切割对象部分而截取的示意性截面。术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可以在第二对象上方或下方，且反之亦然。另外，术语“重叠(overlap)”可以包括分层、堆叠、面对(face)或面对(facing)、在…之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。表述“不重叠(not overlap)”可包括“间隔开”或“偏移”或“分开”以及如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的等同表述。术语“面对(face)”和“面对(facing)”意味着第一对象可以与第二对象直接相对或间接相对。在第三对象插入在第一对象和第二对象之间的情况下，第一对象和第二对象可以被理解为彼此间接相对，但是仍然彼此面对。
为了易于描述，可在本文中使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。应当理解，除了图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同定向。例如，在图中示出的设备被翻转的情况下，定位在另一设备“下方”或“下面”的设备可以放置在另一设备“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。设备还可以定向在其他方向上，并且因此，可以根据定向不同地解释空间相对术语。
当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到另一元件，或者在它们之间插置有一个或多个居间元件的情况下“电连接”到另一元件。还应当理解，当使用术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“具有(has)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”及其变型时，它们可以指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合的存在或添加。
应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者为了方便描述和说明元件。例如，当在说明书中讨论“第一元件”时，它可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且在不脱离本文中的教导的情况下，“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式命名。
如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，短语“…中的至少一个”旨在包括“从由…的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是指“A、B或A和B”。
除非另有定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中明确地定义，否则将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
图1是根据实施方式的显示设备的立体图。
参考图1，显示设备10可以包括半导体电路单元110和发光元件层120。
在图1中，显示设备10被示为包括微发光二极管(mLED)元件的mLED显示设备，但是本公开不限于此。在下文中，显示设备10将被描述为硅上LED(LEDoS)，其中，LED元件可以布置或设置在通过半导体工艺获得的半导体电路单元110上，但是本公开不限于此。
半导体电路单元110可以是通过半导体工艺形成的硅晶片衬底。半导体电路单元110在平面图中被示出为具有大致矩形形状，但是本公开不限于此。作为示例，半导体电路单元110在平面图中可以具有各种其它形状，诸如大致非四边形的多边形形状、大致圆形形状、大致椭圆形形状或非晶形形状。
半导体电路单元110可以包括扫描线、数据线、像素电路单元、扫描驱动器111、数据驱动器112和焊盘部分113。
扫描线可以在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，并且数据线可以在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。扫描线和数据线可以电连接到像素电路单元。像素电路单元中的每个可以包括电连接到扫描线中的一个和数据线中的一个的至少一个晶体管。响应于施加到扫描线的扫描信号，像素电路单元可以从数据线接收数据电压。像素电路单元可以向LED元件施加驱动电流或驱动电压，使得LED元件可以发射预定亮度的光。稍后将参考图3描述半导体电路单元110的扫描线、数据线和像素电路单元。
扫描驱动器111可以从数据驱动器112或焊盘部分113接收扫描时序信号。扫描驱动器111可以根据扫描时序信号产生扫描信号，并且可以将扫描信号输出到扫描线。扫描驱动器111可以包括多个晶体管。
数据驱动器112可以从焊盘部分113接收数字视频数据。数据驱动器112可以将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以将模拟数据电压输出到数据线。数据驱动器112可以包括多个晶体管。
焊盘部分113可以包括用于电连接到外部电路板的焊盘。焊盘可以电连接到扫描驱动器111和数据驱动器112。
电路板可以通过诸如各向异性导电膜或自组装各向异性导电膏(SAP)的低电阻、高可靠性材料电连接到焊盘部分113的焊盘。作为示例，电路板可以通过超声结合电连接到焊盘部分113的焊盘。电路板可以是柔性印刷电路板(FPCB)、印刷电路板(PCB)、柔性印刷电路(FPC)或诸如膜上芯片(COF)的柔性膜。
发光元件层120可以设置在半导体电路单元110上。发光元件层120可以具有比半导体电路单元110小的尺寸。发光元件层120可以在第三方向(或Z轴方向)上与半导体电路单元110的像素电路单元重叠。发光元件层120可以在第三方向(例如，Z轴方向)上不与半导体电路单元110的扫描驱动器111、数据驱动器112和焊盘部分113重叠。
发光元件层120可以包括其中设置有LED元件以发光的发射区域。发射区域可以包括LED元件。发射区域的LED元件可以电连接到半导体电路单元110的像素电路单元的晶体管。发射区域的LED元件可以从半导体电路单元110的像素电路单元接收驱动电压或驱动电流。发射区域的LED元件可以根据驱动电压或驱动电流发射预定亮度的光。
图2是示出图1的显示设备的发光元件层的发射区域的布局图。
参考图2，发光元件层EML可以包括第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和公共电极连接部CNT。
第一发射区域EA1可以指发射第一光的区域。发射第一光的第一LED元件LDC1可以设置在第一发射区域EA1中。第一光可以是红色波长范围的光。红色波长范围可以在约600nm至约750nm的范围内，但本公开不限于此。
第二发射区域EA2可以指发射第二光的区域。发射第二光的第二LED元件LDC2可以设置在第二发射区域EA2中。第二光可以是绿色波长范围的光。绿色波长范围可以在约480nm至约560nm的范围内，但本公开不限于此。
第三发射区域EA3可以指发射第三光的区域。发射第三光的第三LED元件LDC3可以设置在第三发射区域EA3中。第三光可以是蓝色波长范围的光。蓝色波长范围可以在约370nm至约460nm的范围内，但本公开不限于此。
第一发射区域EA1可以布置或定位在第二方向(例如，Y轴方向)上。第二发射区域EA2可以布置或定位在第二方向(例如，Y轴方向)上。第三发射区域EA3可以布置或定位在第二方向(例如，Y轴方向)上。
第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以交替地布置或定位在第一方向(例如，X轴方向)上。例如，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以以第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3的顺序依次布置或定位在第一方向(例如，X轴方向)上。
像素可以由在第一方向(例如，X轴方向)上的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3的阵列限定，但是本公开不限于此。像素可以限定为显示白色灰度的最小发射单位。
公共电极连接部CNT可以是电连接公共电极和公共连接电极的接触孔。公共电极可以经由可以电连接到焊盘部分113的公共连接电极接收公共电压。
第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与像素电路单元重叠，但是公共电极连接部CNT可以在第三方向(例如，Z轴方向)上不与像素电路单元重叠。
图3是沿着图2的线I-I'和II-II'截取的示意性剖视图。
参考图3，像素电路单元可以包括第一衬底SUB1，并且像素电路单元可以包括一个或多个晶体管TR和一个或多个像素电极PXE。晶体管TR可以包括有源层ACT、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
第一衬底SUB1可以是p-型或n-型硅衬底。
包括沟道区域CH、源极连接部SC和漏极连接部DC的有源层ACT可以设置在第一衬底SUB1的顶表面上。沟道区域CH可以是半导体区域，并且源极连接部SC和漏极连接部DC可以是导体区域。源极连接部SC和漏极连接部DC可以是掺杂有杂质的区域。
绝缘层ISO可以设置在第一衬底SUB1上。栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以设置在绝缘层ISO中。
栅电极GE可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与沟道区域CH重叠，源电极SE可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与源极连接部SC重叠，并且漏电极DE可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与漏极连接部DC重叠。源电极SE可以通过第一金属孔MH1电连接到源极连接部SC。第一金属孔MH1可以指在源电极SE和源极连接部SC之间从其去除绝缘层ISO并且填充有金属的区域。漏电极DE可以通过第二金属孔MH2电连接到漏极连接部DC。第二金属孔MH2可以指在漏电极DE和漏极连接部DC之间从其去除绝缘层ISO并且填充有金属的区域。
像素电极PXE可以设置在绝缘层ISO上。像素电极PXE可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与漏电极DE重叠。像素电极PXE可以通过第三金属孔MH3电连接到漏电极DE。第三金属孔MH3可以指在像素电极PXE和漏电极DE之间可以从其去除绝缘层ISO并且可以填充有金属的区域。像素电极PXE可以包括具有高反射率的金属材料。例如，像素电极PXE可以包括不透明的金属材料，诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)或铜(Cu)。作为示例，像素电极PXE可以包括具有高反射率的金属材料，诸如Al和Ti的叠层(例如，Ti/Al/Ti)、Al和铟锡氧化物(ITO)的叠层(例如，ITO/Al/ITO)、银(Ag)-钯(Pd)-铜(Cu)(APC)合金或APC合金和ITO的叠层(例如，ITO/APC/ITO)。
LED元件LDC可以在像素电极PXE上设置成与像素电极PXE一一对应。LED元件LDC可以包括第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3。
第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以是在第三方向(例如，Z轴方向)上延伸的竖直LED元件。例如，第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以在第三方向(例如，Z轴方向)上比在水平方向上延伸更长。这里，水平方向可以指第一方向(例如，X轴方向)或第二方向(例如，Y轴方向)。
第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以是mLED元件。例如，第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以在第三方向(例如，Z轴方向)上具有约10μm的长度。例如，第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以在水平方向上具有约5μm的长度。
如图4中所示，第一LED元件LDC1可以包括p型电极PE、p型氮化镓(GaN)半导体层PSEM、有源层MQW、n型GaN半导体层NSEM和n型电极NE。p型电极PE可以是第一电极，并且n型电极NE可以是第二电极。
p型电极PE、p型GaN半导体层PSEM、有源层MQW、n型GaN半导体层NSEM和n型电极NE可以在第三方向(例如，Z轴方向)上顺序地彼此堆叠。
作为高反射率电极的p型电极PE可以包括Ag或Ag合金。p型电极PE将由有源层MQW发射的光朝向n型GaN半导体层NSEM反射。p型电极PE可以电连接到像素电极PXE中的一个。
p型GaN半导体层PSEM可以设置在p型电极PE上。p型GaN半导体层PSEM可以是通过用p型杂质掺杂GaN层获得的半导体层。
有源层MQW可以设置在p型GaN半导体层PSEM上。在有源层MQW中，来自n型GaN半导体层NSEM的电子和来自p型GaN半导体层PSEM的空穴复合在一起。有源层MQW可以发射与由有源层MQW的材料确定的带隙差对应的波长的光。有源层MQW可以是双异质结构、单量子阱或多量子阱。例如，如果第一LED元件LDC1发射蓝光或绿光，则多量子阱可以具有InGaN/GaN结构。在另一示例中，如果第一LED元件LDC1发射紫外(UV)光，则多量子阱可以具有AlGaN/InGaN结构。
n型GaN半导体层NSEM可以设置在有源层MQW上。n型GaN半导体层NSEM可以是通过用n型杂质掺杂GaN层获得的半导体层。
n型电极NE可以设置在n型GaN半导体层NSEM上。n型电极NE可以与n型GaN半导体层NSEM欧姆接触。n型电极NE可以包括Ni、Cr或Au。例如，n型电极NE可以具有基于Ti或Cr的多层结构，诸如Ti/Al、Ti/Al/Ni/Au、Cr/Al或Cr/Al/Ni/Au。n型电极NE可以电连接到公共电极CE。
第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以形成为具有与图4的第一LED元件LDC1基本相同的结构。
绝缘膜INS可以设置在LED元件LDC上。绝缘膜INS可以设置在第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3中的每个的侧表面上。绝缘膜INS也可以设置在像素电极PXE中的每个的侧表面上。
绝缘膜INS可以形成为无机膜，诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。作为示例，绝缘膜INS可以形成为包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
分隔壁PT可以设置在LED元件LDC之间。分隔壁PT可以设置在第一LED元件LDC1和第二LED元件LDC2之间、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3之间以及第一LED元件LDC1和第三LED元件LDC3之间。分隔壁PT可以设置在绝缘膜INS上。分隔壁PT中的每个的底表面和侧表面可以与绝缘膜INS接触。
分隔壁PT可以包括导电材料。分隔壁PT可以包括具有高反射率的金属材料。例如，分隔壁PT可以包括不透明的金属材料，诸如Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd或Cu。在该示例中，从LED元件LDC发射的光可以通过像素电极PXE和分隔壁PT反射，并且因此可以输出到LED元件LDC的顶部。因此，由于分隔壁PT的存在，可以改善LED元件LDC的发射效率。
LED元件LDC的顶表面、绝缘膜INS的顶表面和分隔壁PT的顶表面可以通过诸如化学机械抛光(CMP)的抛光工艺来平坦化。
公共电极CE可以设置在LED元件LDC的顶表面、绝缘膜INS的顶表面以及分隔壁PT的顶表面上。公共电极CE可以包括透明导电材料。例如，公共电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)，诸如ITO或铟锌氧化物(IZO)。
公共电极CE可以电连接到分隔壁PT。因此，可以降低公共电极CE的电阻，并且因此，可以防止施加到公共电极CE的公共电压由于公共电极CE的电阻而降低。
分隔壁PT可以不设置在公共电极连接部CNT中。因此，公共电极CE可以通过穿透绝缘膜INS的公共电极连接部CNT电连接到公共连接电极CBE。公共连接电极CBE可以设置在绝缘层ISO上。公共连接电极CBE可以设置在与像素电极PXE相同的层中，并且可以包括与像素电极PXE相同的材料或相似的材料。公共连接电极CBE可以通过设置在绝缘层ISO中的电极或布线通过金属孔电连接到焊盘部分113。因此，公共连接电极CBE可以从外部电路板接收公共电压。
黑矩阵BM可以设置在公共电极CE上。黑矩阵BM可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与分隔壁PT重叠。黑矩阵BM可以由阻挡光的光敏树脂形成。例如，黑矩阵BM可以包括诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料。由于黑矩阵BM的存在，可以防止从相邻的LED元件LDC发射的光混合在一起。
平坦化膜PLA可以设置在公共电极CE和黑矩阵BM上。平坦化膜PLA可以形成为包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
如图3中所示，由于LED元件LDC是在第三方向(例如，Z轴方向)上延伸的竖直LED元件，所以分隔壁PT可以形成在LED元件LDC之间的间隙中。因此，可以方便制造分隔壁PT。
此外，由于分隔壁PT包括具有高反射率的金属材料，因此从LED元件LDC侧向发射的光可以被分隔壁PT反射，并且因此可以输出到LED元件LDC的顶部。因此，由于分隔壁PT的存在，可以改善LED元件LDC的发射效率。
此外，由于公共电极CE设置在分隔壁PT上，所以公共电极CE可以电连接到分隔壁PT。因此，可以降低公共电极CE的电阻，并且因此可以防止施加到公共电极CE的公共电压由于公共电极CE的电阻而降低。
图5是根据实施方式的沿着图2的线I-I'截取的显示设备的示意性剖视图。
图5的实施方式与图3的实施方式的不同之处可以在于，分隔壁PT'可以由阻挡光的光敏树脂形成，而不是由具有高反射率的金属材料形成，并且因此，可以不设置黑矩阵BM。在下文中，将集中于与图3的实施方式的不同之处描述图5的实施方式。
参考图5，分隔壁PT'可以包括诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料。由于分隔壁PT'的存在，可以防止从相邻的LED元件LDC发射的光混合在一起。图3的黑矩阵BM执行与分隔壁PT'基本上相同的功能，并且因此可以不在图5的显示设备中设置图3的黑矩阵BM。
图6是根据实施方式的沿着图2的线I-I'截取的显示设备的示意性剖视图。
图6的实施方式与图3的实施方式的不同之处可以在于，第一波长转换层QD1和第二波长转换层QD2可以设置在LED元件LDC上。在下文中，将集中于与图3的实施方式的不同之处描述图6的实施方式。
参考图6，分隔壁PT的高度可以大于LED元件LDC的高度。分隔壁PT的高度可以大于第一LED元件LDC1的高度、第二LED元件LDC2的高度和第三LED元件LDC3的高度。分隔壁PT的高度可以限定为分隔壁PT在第三方向(或Z轴方向)上的最大长度。第一LED元件LDC1的高度可以限定为第一LED元件LDC1在第三方向(例如，Z轴方向)上的最大长度。第二LED元件LDC2的高度可以限定为第二LED元件LDC2在第三方向(例如，Z轴方向)上的最大长度。第三LED元件LDC3的高度可以限定为第三LED元件LDC3在第三方向(例如，Z轴方向)上的最大长度。
公共电极CE可以设置在LED元件LDC的顶表面、绝缘膜INS的顶表面、分隔壁PT的顶表面以及分隔壁PT中的每个的侧表面的一部分上。当分隔壁PT的高度大于LED元件LDC的高度时，公共电极CE可以设置在分隔壁PT的突出超过LED元件LDC的部分的侧表面上。
当分隔壁PT的高度大于LED元件LDC的高度时，在分隔壁PT之间在LED元件LDC上可存在空间。该空间可以具有大致孔状形状。
第一波长转换层QD1可以设置在第一LED元件LDC1上的空间中。第一波长转换层QD1可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第一LED元件LDC1重叠。第二波长转换层QD2可以设置在第二LED元件LDC2上的空间中。第二波长转换层QD2可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第二LED元件LDC2重叠。透明绝缘膜TINS可以设置在第三LED元件LDC3上的空间中。透明绝缘膜TINS可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第三LED元件LDC3重叠。
第一波长转换层QD1、第二波长转换层QD2和透明绝缘膜TINS可以设置在公共电极CE上。第一波长转换层QD1的底表面和侧表面可以与公共电极CE接触。第二波长转换层QD2的底表面和侧表面可以与公共电极CE接触。透明绝缘膜TINS的底表面和侧表面可以与公共电极CE接触。
第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3可以发射短波长光，诸如蓝光或UV光。短波长光可具有在约370nm至约460nm的范围内的波长，但本公开不限于此。
第一波长转换层QD1可以将短波长光转换为第一光。第一光可以是红色波长范围的光。红色波长范围可以在约600nm至约750nm的范围内，但本公开不限于此。
第二波长转换层QD2可以将短波长光转换为第二光。第二光可以是绿色波长范围的光。绿色波长范围可以在约480nm至约560nm的范围内，但本公开不限于此。
第一波长转换层QD1和第二波长转换层QD2中的每个可以包括基础树脂、波长变换体和散射体。
基础树脂可以具有高透光率，并且可以是对于波长变换体和散射体具有优异的色散特性的材料。例如，基础树脂可以包括有机材料，诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂或酰亚胺树脂。
波长变换体可以转换或变换入射光的波长。波长变换体可以包括量子点、量子杆或磷光体。第一波长转换层QD1的量子点尺寸可以不同于第二波长转换层QD2的量子点尺寸。
散射体可以在随机方向上散射入射光，而基本上不改变穿过第一波长转换层QD1或第二波长转换层QD2的光的波长。因此，可以增加光穿过第一波长转换层QD1或第二波长转换层QD2的路径，并且因此可以改善波长变换体的颜色转换效率。散射体可以包括光散射颗粒。例如，散射体可以包括金属氧化物(诸如氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO2))的颗粒。作为示例，散射体可以包括有机材料(诸如丙烯酸树脂或聚氨酯树脂)的颗粒。
透明绝缘膜TINS可以照原样透射短波长光(诸如蓝光或UV光)。透明绝缘膜TINS可以形成为具有高透射率的有机膜。
第一滤色器CF1可以设置在第一波长转换层QD1上。第一滤色器CF1可以透射通过其的第一光(例如，红波长光)。因此，从第一LED元件LDC1发射并且未被转换成第一光的短波长光可无法穿过第一滤色器CF1。相反，通过第一波长转换层QD1获得的第一光可以穿过第一滤色器CF1。
第二滤色器CF2可以设置在第二波长转换层QD2上。第二滤色器CF2可以透射通过其的第二光(例如，绿波长光)。因此，从第二LED元件LDC2发射并且不被转换成第二光的短波长光可无法穿过第二滤色器CF2。相反，通过第二波长转换层QD2获得的第二光可以穿过第二滤色器CF2。
第三滤色器CF3可以设置在透明绝缘膜TINS上。第三滤色器CF3可以透射通过其的第三光(例如，蓝波长光)。因此，从第三LED元件LDC3发射的短波长光可以穿过第三滤色器CF3。
黑矩阵BM可以设置在公共电极CE上。黑矩阵BM可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与分隔壁PT重叠。
如图6中所示，由于分隔壁PT可以形成为高于LED元件LDC，所以第一波长转换层QD1和第二波长转换层QD2可以在分隔壁PT之间设置在LED元件LDC上。因此，可以改善图6的显示设备的图像质量。
图7是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的流程图。图8至图14是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图8至图14是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图。
在下文中，将参考图7至图14描述根据实施方式的制造显示设备的方法。
参考图7和图8，结合第一衬底SUB1的像素电极PXE和第二衬底SUB2的LED元件LDC(S110)。
可以包括晶体管TR和像素电极PXE的像素电路单元可以形成在第一衬底SUB1上。第一衬底SUB1可以是p-型或n-型硅衬底。
LED元件LDC可以是在第三方向(或Z轴方向)上延伸的竖直LED元件。在下文中将描述LED元件LDC的形成。
LED元件LDC可以通过在用于单晶生长的衬底上形成n型电极NE并且在n型电极NE上依次生长n型GaN半导体层NSEM、有源层MQW和p型GaN半导体层PSEM来形成。用于单晶生长的衬底可以是蓝宝石衬底。n型GaN半导体层NSEM、有源层MQW和p型GaN半导体层PSEM可以通过诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)的沉积工艺形成。p型电极PE可以沉积在p型GaN半导体层PSEM上，并且可以通过激光剥离(LLO)工艺将用于单晶生长的衬底与n型电极NE分离。
与用于单晶生长的衬底分离的LED元件LDC可以被转移并结合到第二衬底SUB2。第二衬底SUB2可以由玻璃或塑料形成。
第二衬底SUB2的LED元件LDC可以结合到第一衬底SUB1的像素电极PXE。第二衬底SUB2的LED元件LDC可以通过热压工艺或激光工艺结合到第一衬底SUB1的像素电极PXE。
此后，参考图7和图9，可以将LED元件LDC与第二衬底SUB2分离(S120)。
为了促进第二衬底SUB2与LED元件LDC的分离，LED元件LDC和第二衬底SUB2之间的粘合性可以弱于LED元件LDC和像素电极PXE之间的粘合性。此外，第二衬底SUB2和LED元件LDC之间的粘合性可以通过激光进一步减弱，并且第二衬底SUB2可以与LED元件LDC分离。
此后，参考图7和图10，可以在LED元件LDC上形成绝缘膜INS(S130)。
绝缘膜INS可以沉积在像素电路单元的整个表面上。因此，绝缘膜INS可以沉积在LED元件LDC和绝缘层ISO上。绝缘膜INS可以形成在第一LED元件LDC1的侧表面、第二LED元件LDC2的侧表面、第三LED元件LDC3的侧表面以及像素电极PXE中的每个的侧表面上。
此后，参考图11，可以在绝缘膜INS上形成分隔壁材料PTM。此后，参考图7和图12，可以通过经由抛光平坦化分隔壁材料PTM形成分隔壁PT以暴露LED元件LDC的顶表面(S140)。
分隔壁材料PTM可以通过电镀形成。分隔壁材料PTM的高度可以大于LED元件LDC的高度。因此，LED元件LDC的顶表面可以被分隔壁材料PTM覆盖或重叠。
分隔壁材料PTM可以是阻挡光的导电材料或光敏材料。在分隔壁材料PTM是导电材料的情况下，分隔壁材料PTM可以包括具有高反射率的金属材料。例如，分隔壁材料PTM可以包括不透明的金属材料，诸如Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd或Cu。在分隔壁材料PTM是光敏材料的情况下，分隔壁材料PTM可以包括诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料。
此后，可以通过经由抛光(诸如CMP)去除分隔壁材料PTM的上部来形成分隔壁PT。因此，LED元件LDC的顶表面和绝缘膜INS的顶表面可以不被分隔壁PT覆盖或重叠，而是可以被分隔壁PT暴露。此外，LED元件LDC的顶表面、绝缘膜INS的顶表面和分隔壁PT的顶表面可以被平坦化。
此后，参考图7和图13，可以在分隔壁PT和LED元件LDC上形成公共电极CE(S150)。
公共电极CE可以沉积在LED元件LDC的顶表面、绝缘膜INS的顶表面和分隔壁PT的顶表面上。由于分隔壁PT不设置在公共电极连接部CNT中，所以公共电极CE可以通过穿透绝缘膜INS的公共电极连接部CNT电连接到公共连接电极CBE。公共连接电极CBE可以设置在绝缘层ISO上。公共电极CE可以包括诸如ITO或IZO的TCO。
此后，参考图7和图14，可以在公共电极CE上形成黑矩阵BM(S160)。
黑矩阵BM可以经由光刻形成为在第三方向(例如，Z轴方向)上与分隔壁PT重叠。黑矩阵BM可以由阻挡光的光敏树脂形成。例如，黑矩阵BM可以包括诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料。
在分隔壁PT可以由阻挡光的光敏树脂形成的情况下，可以不设置黑矩阵BM。
可以通过在公共电极CE和黑矩阵BM上沉积有机材料来形成平坦化膜PLA。平坦化膜PLA可以形成为包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
如图8至图14中所示，由于LED元件LDC是在第三方向(例如，Z轴方向)上延伸的竖直LED元件，因此分隔壁材料PTM可以形成为填充LED元件LDC之间的间隙，并且LED元件LDC的顶表面可以通过诸如CMP的抛光而暴露。因此，由于分隔壁PT不需要通过例如光刻而减薄，所以可以在LED元件LDC之间方便地制造分隔壁PT。
图15是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的流程图。图16至图20是示出根据实施方式的制造显示设备的方法的示意性剖视图。图16至图20是沿着图2的线I-I'截取的示意性剖视图。
图15的S210、S220和S230分别与图7的S110、S120和S130基本上相同，并且因此，将省略其详细描述。
参考图16，可以在绝缘膜INS上形成分隔壁材料PTM。此后，参考图15和图17，可以通过蚀刻分隔壁材料PTM形成分隔壁PT以暴露LED元件LDC的顶表面(S240)。
分隔壁材料PTM可以通过电镀形成。分隔壁材料PTM的高度可以大于LED元件LDC的高度。因此，LED元件LDC的顶表面可以被分隔壁材料PTM覆盖或重叠。
分隔壁材料PTM可以是导电材料。例如，分隔壁材料PTM可以包括不透明的金属材料，诸如Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd或Cu。
此后，可以通过经由光刻去除分隔壁材料PTM的部分来形成分隔壁PT。因此，LED元件LDC的顶表面和绝缘膜INS的顶表面可以不被分隔壁PT覆盖或重叠，而是可以被分隔壁PT暴露。分隔壁PT的高度可以大于LED元件LDC的高度，并且因此，在分隔壁PT之间在LED元件LDC上可存在空间。该空间可以具有大致孔状形状。
此后，参考图15和图18，可以在分隔壁PT和LED元件LDC上形成公共电极CE(S250)。
公共电极CE可以沉积在LED元件LDC的顶表面、绝缘膜INS的顶表面、分隔壁PT的顶表面以及分隔壁PT的侧表面的一部分上。当分隔壁PT高于LED元件LDC时，公共电极CE可以设置在分隔壁PT的突出超过LED元件LDC的部分的侧表面上。
公共电极CE可以经由穿透绝缘膜INS和分隔壁PT的公共电极连接部CNT电连接到公共连接电极CBE。公共连接电极CBE可以设置在绝缘层ISO上。公共电极CE可以包括诸如ITO或IZO的TCO。
此后，参考图15和图19，可以分别在第一LED元件LDC1、第二LED元件LDC2和第三LED元件LDC3上形成第一波长转换层QD1、第二波长转换层QD2和透明绝缘膜TINS(S260)。
第一波长转换层QD1、第二波长转换层QD2和透明绝缘膜TINS可以设置在公共电极CE上。第一波长转换层QD1的底表面和侧表面可以与公共电极CE接触。第二波长转换层QD2的底表面和侧表面可以与公共电极CE接触。透明绝缘膜TINS的底表面和侧表面可以与公共电极CE接触。
第一波长转换层QD1和第二波长转换层QD2中的每个可以包括基础树脂、波长变换体和散射体。透明绝缘膜TINS可以形成为具有高透射率的有机膜。
第一波长转换层QD1可以在第三方向(或Z轴方向)上与第一LED元件LDC1重叠。第二波长转换层QD2可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第二LED元件LDC2重叠。透明绝缘膜TINS可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第三LED元件LDC3重叠。
此后，参考图15和图20，可以分别在第一波长转换层QD1、第二波长转换层QD2和透明绝缘膜TINS上形成第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3，并且可以在分隔壁PT上形成黑矩阵BM(S270)。
第一滤色器CF1可以经由光刻形成在第一波长转换层QD1上。第一滤色器CF1可以是透射通过其的第一光(例如，红波长光)的红色滤色器。
第二滤色器CF2可以经由光刻形成在第二波长转换层QD2上。第二滤色器CF2可以是透过通过其的第二光(例如，绿波长光)的绿色滤色器。
第三滤色器CF3可以经由光刻形成在透明绝缘膜TINS上。第三滤色器CF3可以是透射通过其的第三光(例如，蓝波长光)的蓝色滤色器。
黑矩阵BM可以经由光刻形成在分隔壁PT上。黑矩阵BM可以由阻挡光的光敏树脂形成。例如，黑矩阵BM可以包括诸如炭黑的无机黑色颜料或有机黑色颜料。
平坦化膜PLA可以通过在公共电极CE和黑矩阵BM上沉积有机材料来形成。平坦化膜PLA可以形成为包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。
如图15至图20中所示，通过形成高于LED元件LDC的分隔壁PT，可以在分隔壁PT之间在LED元件LDC上的空间中提供或设置第一波长转换层QD1和第二波长转换层QD2。因此，可以改善显示设备的图像质量。
图21是根据实施方式的包括显示设备的虚拟现实(VR)设备的立体图。图21示出了应用根据实施方式的显示设备10的VR设备1。
参考图21，VR设备1可以是眼镜型设备。VR设备1可以包括显示设备10、左眼镜片10a、右眼镜片10b、支承框架20、第一眼镜腿30a和第二眼镜腿30b、反射构件40和显示设备存储部50。
图21示出了包括第一眼镜腿30a和第二眼镜腿30b的眼镜类型的VR设备1，作为示例，VR设备1也可以应用于包括头带的头戴式显示器(HMD)。例如，VR设备1不限于图21的实施方式，而是也可以应用于各种电子设备。
支承框架20支承左眼镜片10a和右眼镜片10b。支承框架20可以设置在左眼镜片10a和右眼镜片10b的顶表面上。支承框架20可以形成为在左眼镜片10a和右眼镜片10b的宽度方向上延伸。
第一眼镜腿30a可以固定到支承框架20的左端。第二眼镜腿30b可以固定到支承框架20的右端。
第一眼镜腿30a和第二眼镜腿30b可以经由诸如螺钉的固定构件固定到支承框架20。作为示例，支承框架20、第一眼镜腿30a和第二眼镜腿30b可以形成一体。支承框架20、第一眼镜腿30a和第二眼镜腿30b可以包括塑料、金属或两者。
左眼镜片10a和右眼镜片10b可以由透明或半透明的玻璃或塑料形成。因此，用户可以通过左眼镜片10a和右眼镜片10b观察真实世界图像。考虑到用户的视觉，左眼镜片10a和右眼镜片10b可以具有屈光力。
左眼镜片10a和右眼镜片10b可以形成为由六个矩形平面组成的六面体。左眼镜片10a可以设置成面向用户的左眼，并且右眼镜片10b可以设置成面向用户的右眼。左眼镜片10a和右眼镜片10b不限于图21的实施方式。作为示例，左眼镜片10a和右眼镜片10b可以形成为由除矩形平面之外的多边形平面组成的多面体。作为示例，左眼镜片10a和右眼镜片10b可以形成为圆柱体、椭圆柱体、半圆柱体、半椭圆柱体、扭曲圆柱体或扭曲半圆柱体。这里，扭曲圆柱体或扭曲半圆柱体是指具有不规则直径的圆柱体或半圆柱体。
显示设备存储部50可以设置在支承框架20的右端处。显示设备存储部50可以设置在支承框架20的前方处。显示设备10和反射构件40可以容纳在显示设备存储部50中。
由显示设备10显示的图像可以被反射构件40反射，并且因此可以通过右眼镜片10b提供给用户的右眼。由此，用户可以用他或她的右眼从显示设备10观察VR图像。
图21示出了显示设备存储部50设置在支承框架20的右端处，但是本公开不限于此。作为示例，显示设备存储部50可以设置在支承框架20的左端处，在这种情况下，由显示设备10显示的图像可以被反射构件40反射，并且因此可以通过左眼镜片10a提供给用户的左眼。由此，用户可以用他或她的左眼从显示设备10观察VR图像。作为示例，显示设备存储部50可以设置在支承框架20的左端和右端两者处，在这种情况下，用户可以用他或她的双眼从显示设备10观察VR图像。
虽然以上描述了实施方式，但是这些实施方式不旨在描述了其所有可能的形式。相反，说明书中使用的词语是描述性的词语而不是限制性的，并且应当理解，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以进行各种改变。各种实施方式的特征可以组合以形成其它实施方式。

Claims (20)

1.显示设备，包括：
像素电极，设置在衬底上；
发光二极管元件，设置在所述像素电极上；
绝缘膜，设置在所述像素电极中的每个的至少一侧上并且设置在所述发光二极管元件中的每个的至少一侧上；
分隔壁，设置在所述绝缘膜上；以及
公共电极，设置在所述分隔壁和所述发光二极管元件上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光二极管元件中的每个包括在所述衬底的厚度方向上顺序堆叠的第一电极、发光层和第二电极。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，
所述发光二极管元件中的每个的所述第一电极电接触所述像素电极中的一个，以及
所述发光二极管元件中的每个的所述第二电极电接触所述公共电极。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述公共电极包括透明导电材料。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述分隔壁包括导电材料。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述分隔壁包括不透明的金属材料。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述分隔壁电连接到所述公共电极。
8.根据权利要求5所述的显示设备，还包括：
黑矩阵，设置在所述公共电极上并且在所述衬底的厚度方向上与所述分隔壁重叠。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述分隔壁包括阻挡光的光敏树脂。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述分隔壁的高度大于所述发光二极管元件的高度。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述公共电极设置在所述分隔壁中的每个的至少一个侧表面上。
12.根据权利要求10所述的显示设备，还包括：
第一波长转换层，在所述衬底的厚度方向上与所述发光二极管元件中的在第一发射区域中的一个发光二极管元件重叠；
第二波长转换层，在所述衬底的所述厚度方向上与所述发光二极管元件中的在第二发射区域中的一个发光二极管元件重叠；以及
透明绝缘膜，在所述衬底的所述厚度方向上与所述发光二极管元件中的在第三发射区域中的一个发光二极管元件重叠。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述透明绝缘膜设置在所述公共电极上。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述透明绝缘膜设置在所述分隔壁之间。
15.根据权利要求12所述的显示设备，还包括：
第一滤色器，设置在所述第一波长转换层上；
第二滤色器，设置在所述第二波长转换层上；以及
第三滤色器，设置在所述透明绝缘膜上。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述公共电极通过穿透所述绝缘膜的公共电极连接部电连接到公共连接电极，以及
所述公共连接电极设置在所述衬底上。
17.制造显示设备的方法，包括：
将第一衬底的像素电极与第二衬底的发光二极管元件结合；
将所述发光二极管元件与所述第二衬底分离；
在所述发光二极管元件上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成分隔壁材料；
通过抛光将所述分隔壁材料平坦化形成分隔壁以暴露所述发光二极管元件的第二电极；以及
在所述分隔壁和所述发光二极管元件上形成公共电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述发光二极管元件中的每个包括在所述第一衬底的厚度方向上顺序堆叠的第一电极、发光层和所述第二电极。
19.制造显示设备的方法，包括：
将第一衬底的像素电极与第二衬底的发光二极管元件结合；
将所述发光二极管元件与所述第二衬底分离；
在所述发光二极管元件上形成绝缘膜；
在所述绝缘膜上形成分隔壁材料；
通过经由光刻去除所述分隔壁材料的一部分形成分隔壁，以暴露所述发光二极管元件的第二电极；以及
在所述分隔壁和所述发光二极管元件上形成公共电极。
20.根据权利要求19所述的方法，还包括：
在所述发光二极管元件中的第一发光二极管元件上形成第一波长转换层；
在所述发光二极管元件中的第二发光二极管元件上形成第二波长转换层；
在所述发光二极管元件中的第三发光二极管元件上形成透明绝缘膜；
在所述第一波长转换层上形成第一滤色器；
在所述第二波长转换层上形成第二滤色器；以及
在所述透明绝缘膜上形成第三滤色器。
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