CN114334712A - 基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质 - Google Patents

基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114334712A
CN114334712A CN202111149320.XA CN202111149320A CN114334712A CN 114334712 A CN114334712 A CN 114334712A CN 202111149320 A CN202111149320 A CN 202111149320A CN 114334712 A CN114334712 A CN 114334712A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
cleaning
inclined surface
cleaning liquid
supplied
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111149320.XA
Other languages
English (en)
Inventor
伊藤优树
伊藤规宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN114334712A publication Critical patent/CN114334712A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02082Cleaning product to be cleaned
    • H01L21/0209Cleaning of wafer backside
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明说明能够简易且高效地除去附着于支承基片的支承部及其周边部件的异物的基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质。基片清洗装置包括:支承部,其构成为能够与基片的背面抵接来支承基片;环状部件,其以包围由支承部支承的基片的周围的方式配置,并包含沿环状部件的径向相对于水平方向倾斜的倾斜面;旋转部,其构成为能够使支承部和环状部件旋转;第1供给部,其构成为能够向由支承部支承的基片的背面供给清洗液;以及第2供给部,其构成为能够向倾斜面供给清洗液。

Description

基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质
技术领域
本发明涉及基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质。
背景技术
专利文献1公开了一种利用清洗液(例如,药液、冲洗液等)清洗基片的背面的液处理装置。该液处理装置包括:支承基片的支承部;使由支承部支承的基片旋转的旋转部;对由支承部支承的基片的背面供给清洗液的供给部;和配置成包围由支承部支承的基片的周围的杯状体。在从供给部对旋转中的基片的背面供给清洗液时,清洗液因离心力从基片的背面的中心部流向周缘部。由此,对基片的背面进行清洗。从基片甩掉的清洗液向杯状体飞散,在由杯状体收集后,被排出到液处理装置的外部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-021279号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明说明能够简易且高效地除去附着在支承基片的支承部及其周边部件的异物(例如,颗粒、药液残渣等)的基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质。
用于解决技术问题的技术方案
基片清洗装置的一例包括:支承部,其构成为能够与基片的背面抵接来支承基片;环状部件,其以包围由支承部支承的基片的周围的方式配置,并包含沿环状部件的径向相对于水平方向倾斜的倾斜面;旋转部,其构成为能够使支承部和环状部件旋转;第1供给部,其构成为能够向由支承部支承的基片的背面供给清洗液;以及第2供给部,其构成为能够向倾斜面供给清洗液。
发明效果
依照本发明的基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质,能够简易且高效地除去附着在支承基片的支承部及其周边部件的异物。
附图说明
图1是表示基片清洗装置的一例的概要截面图。
图2是局部地表示图1的环状部件的附近的概要截面图。
图3是表示基片清洗装置的主要部的一例的框图。
图4是表示控制器的硬件构成的一例的概要图。
图5是用于说明基片的清洗处理的一例的图。
图6是用于说明图5的后续的步骤的图。
图7是用于说明图6的后续的步骤的图。
图8是用于说明图7的后续的步骤的图。
图9是用于说明基片的清洗处理的一例的流程图。
图10是局部地表示基片清洗装置的另一例的概要截面图。
附图标记说明
1……基片清洗装置;20……旋转部;21……旋转轴;24……支承销(支承部);25……环状部件;30……升降部;40……遮挡部;50……供给部(第1供给部);60……供给部(第2供给部);65……喷嘴;Ax……中心轴;Ctr……控制器(控制部);H1……贯通孔(喷嘴);RM……存储介质;S1、S2……倾斜面;W……基片;Wa……背面。
具体实施方式
在以下的说明中,对具有相同要素或相同功能的要素标注相同的附图标记,并省略重复的说明。
[基片清洗装置的结构]
首先,参照图1~图4,对基片清洗装置1的一例的结构进行说明。基片清洗装置1利用清洗液清洗基片W的背面Wa。基片W例如可以为半导体(硅晶片)。基片W的直径例如可以为200mm~450mm程度。基片W可以呈圆板状,可以呈多边形等圆形以外的板状。基片W可以具有一部分缺失的缺口部。缺口部例如可以为切口(U字形、V字形等的槽),也可以为呈直线状延伸的直线部(即,定向平面)。
如图1所示,基片清洗装置1包括壳体10、旋转部20(支承部)、升降部30、遮挡部40、供给部50(第1供给部)、供给部60(第2供给部)和控制器Ctr(控制部)。壳体10主要在内部收纳旋转部20、升降部30和遮挡部40。在壳体10的侧壁11形成送入送出口12。基片W由未图示的输送机构(例如机械臂等)通过送入送出口12被送入壳体10的内部,或者从壳体10被送出到外部。
旋转部20包括旋转轴21、驱动机构22、支承板23、多个支承销24(支承部)和环状部件25。旋转轴21是沿着铅垂方向延伸的中空的管状部件。旋转轴21以能够绕中心轴Ax旋转的方式安装于壳体10的底壁13。
驱动机构22与旋转轴21连接。驱动机构22构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,使旋转轴21旋转。驱动机构22例如可以为电动机等动力源。
支承板23例如为呈圆环状的平板,沿水平方向延伸。即,在支承板23的中央部形成有贯通孔。支承板23的内周部与旋转轴21的前端部连接。因此,支承板23构成为能够绕旋转轴21的中心轴Ax伴随旋转轴21的旋转而旋转。
多个支承销24以从支承板23的上表面向上方突出的方式设置于支承板23。多个支承销24构成为通过上述的前端与基片W的背面Wa的抵接,对基片W大致水平地进行支承。多个支承销24例如可以呈圆柱形状,也可以呈圆台状。多个支承销24可以以从上方观察时整体呈圆形形状的方式大致等间隔地配置在支承板23的外周部的附近。例如,在多个支承销24为12个的情况下,多个支承销24可以以大致30°间隔配置。
环状部件25呈圆环状,以包围支承板23的外周部的方式配置。环状部件利用多个连接部件26与支承板23的外周部连接。因此,环状部件25构成为能够绕旋转轴21的中心轴Ax伴随旋转轴21的旋转而旋转。
如图1和图2所示,环状部件25可以包含上壁部25a和侧壁部25b。上壁部25a例如是呈圆环状的板状体,沿水平方向延伸。上壁部25a的内周缘可以与由多个支承销24支承的状态的基片W的端面相对。即,上壁部25a也可以被配置成包围由多个支承销24支承于的状态的基片W。
上壁部25a的内周部的上表面可以包含相对于水平方向倾斜的倾斜面S1。上壁部25a的内周部的上表面的整体可以为倾斜面S1,上壁部25a的内周部的上表面的一部分可以为倾斜面S1。倾斜面S1随着去往径向内侧而向下方倾斜。
上壁部25a的内周部的下表面可以包含相对于水平方向倾斜的倾斜面S2。可以为上壁部25a的内周部的下表面的整体为倾斜面S2,也可以为上壁部25a的内周部的下表面的一部分为倾斜面S2。倾斜面S2随着去往径向内侧而向上方倾斜。
也可以为,上壁部25a的内周部由于倾斜面S1、S2的存在因此形成为随着去往径向内侧而变窄的前端细形状。倾斜面S1、S2各自可以为平坦面,也可以为非平坦面(例如,弯曲面)。为了提高清洗液的流动性,包含倾斜面S1、S2的环状部件25的表面例如通过凹凸(dimple)加工和/或压花加工,而可以具有多个凹凸,也可以具有沿着径向延伸的槽或者突条。或者,为了提高清洗液的流动性,对包含倾斜面S1、S2的环状部件25的表面实施可以表面处理,也可以形成覆膜。
侧壁部25b例如可以呈圆筒状。侧壁部25b的上端部可以与上壁部25a的外周部一体地连接。侧壁部25b可以形成为随着去往下方而变窄的前端细形状。
如图1所示,升降部30包括轴部件31、驱动机构32和多个支承销33。轴部件31是沿着铅垂方向延伸的中空的管状部件。轴部件31能够绕中心轴Ax旋转,并且,能够在上下方向上升降。轴部件31插通于旋转轴21的内部。
驱动机构32与轴部件31连接。驱动机构32构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,使轴部件31升降。驱动机构32使轴部件31升降,由此,轴部件31可以在多个支承销33处于比多个支承销24靠上方处的上升位置(参照图1)与多个支承销33处于比多个支承销24靠下方处的下降位置(参照后述的图7)之间上下移动。驱动机构22例如可以为线性致动器等动力源。
多个支承销33以从轴部件31的上端向上方突出的方式设置于轴部件31。多个支承销33构成为能够通过其前端与基片W的背面Wa抵接,来支承基片W。多个支承销33例如可以呈圆柱形状,也可以呈圆台状。多个支承销33可以以从上方观察时整体呈圆形形状的方式大致等间隔地配置。
遮挡部40呈圆环状,以包围环状部件25和支承板23的外周部的方式配置。遮挡部40作为收集被供给到基片W并从基片W被甩掉的清洗液的集液容器发挥作用。
如图1和图2所示,遮挡部40可以包括上壁部41、侧壁部42和底壁部43。上壁部41例如是呈圆环状的板状体,沿水平方向延伸。在从上方观察时,上壁部41与倾斜面S1至少部分地重叠,但是,与由多个支承销24支承的状态的基片W不重叠。在上壁部41中的与倾斜面S1重叠的部分设置有贯通孔H1(喷嘴)。即,贯通孔H1位于倾斜面S1的上方,贯通孔H1的下端部向倾斜面S1开口。
侧壁部42例如可以呈圆筒状。侧壁部42的上端部可以与上壁部41的外周部一体地连接。侧壁部42的下端部可以与底壁部43的外周部一体地连接。底壁部43可以随着去往径向内侧而向上方倾斜。在底壁部43的底部设置有贯通孔H2。贯通孔H2作为用于将在遮挡部40中收集到的清洗液排出到基片清洗装置1的外部的排液流路发挥作用。
如图1所示,供给部50构成为能够通过轴部件31的内部将清洗液L1、L2供给到基片W的背面Wa。即,轴部件31作为用于将清洗液L1、L2供给到基片W的背面Wa的喷嘴发挥作用。供给部50包括液源51A、51B、泵52A、52B、泵53A、53B和配管54A、54B。
液源51A作为清洗液L1的供给源发挥作用。清洗液L1例如可以为用于除去附着在基片W的背面Wa的SiN等不需要的膜的清洗用药液(例如,稀氢氟酸(SC1))。泵52A构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,从液源51A吸引清洗液L1,经由泵53A和配管54A将清洗液L1送到轴部件31。泵53A构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,在泵53A的前后使配管54A开放和封闭。配管54A从上游侧起依次连接有液源51A、泵52A和泵53A。
液源51B作为清洗液L2的供给源发挥作用。清洗液L2例如可以为用于洗去异物(例如,颗粒、药液残渣等)的冲洗液(例如,纯水(DIW))。泵52B构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,从液源51B吸引清洗液L2,经由泵53B和配管54A、54B将清洗液L2送到轴部件31。泵53B构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,在泵53B的前后使配管54B开放和封闭。配管54B从上游侧起依次连接有液源51B、泵52B和泵53B。配管54B的下游端在泵53A与轴部件31之间连接到配管54A。
供给部60构成为能够经由贯通孔H1的内部将清洗液L1、L2供给到倾斜面S1。即,贯通孔H1作为用于将清洗液L1、L2供给到倾斜面S1的喷嘴发挥作用。供给部60包括液源61A、61B、泵62A、62B、泵63A、63B和配管64A、64B。
液源61A作为清洗液L1的供给源发挥作用。泵62A构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,从液源61A吸引清洗液L1,经由泵63A和配管64A将清洗液L1送到贯通孔H1。泵63A构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,在泵63A的前后使配管64A开放和封闭。配管64A从上游侧起依次连接有液源61A、泵62A和泵63A。
液源61B作为清洗液L2的供给源发挥作用。泵62B构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,从液源61B吸引清洗液L2,经由泵63B和配管64A、64B将清洗液L2送到贯通孔H1。泵63B构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,在泵63B的前后使配管64B开放和封闭。配管64B从上游侧起依次连接有液源61B、泵62B和泵63B。配管64B的下游端在泵63A与贯通孔H1之间连接到配管64A。
如图3所示,控制器Ctr作为功能模块包括读取部M1、存储部M2、处理部M3和指示部M4。上述的功能模块不过是为了方便而将控制器Ctr的功能划分成的多个模块,并不一定意味着构成控制器Ctr的硬件被划分为这样的模块。各功能模块不限于通过执行程序来实现,也可以利用专用的电路(例如,逻辑电路)或者将上述电路集成而得的集成电路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit,专用集成电路)实现。
读取部M1构成为能够从计算机可读取的存储介质RM读取程序。存储介质RM存储用于使基片清洗装置1的各部动作的程序。作为存储介质RM,例如可以为半导体存储器、光存储盘、磁存储盘、磁光存储盘。
存储部M2构成为能够存储各种数据。存储部M2例如可以存储从存储介质RM读取到读取部M1中的程序、由操作员经由外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。
处理部M3构成为能够处理各种数据。处理部M3例如可以基于存储在存储部M2中的各种数据,生成用于使基片清洗装置1的各部(例如,驱动机构22、32、泵52、62A、62B和泵53、63A、63B等)动作的动作信号。
指示部M4构成为能够将处理部M3中生成的动作信号发送到基片清洗装置1的各部。
指示部M4也可以执行控制供给部50以使得从轴部件31向由支承销24支承的基片W的背面Wa供给清洗液L1、L2的第1处理。指示部M4也可以执行在第1处理后控制驱动机构32以使得一边用支承销33支承基片W一边使轴部件31上升至上升位置的第2处理。指示部M4也可以在第2处理后,执行控制供给部60以使得从贯通孔H1向倾斜面S1供给清洗液L1、L2的第3处理。
指示部M4也可以在第3处理中,在不同的处理条件(例如,第1处理条件和第2处理条件)下控制供给部60。在该情况下,指示部M4也可以在第3处理中,在第1处理条件下对供给部60进行了控制之后,在第2处理条件下对供给部60进行控制。指示部M4也可以在第3处理中,控制供给部60以使得在向倾斜面S1供给清洗液L1之后,向倾斜面S1供给清洗液L2。
第1处理条件可以为对倾斜面S1供给的清洗液L1、L2主要流向环状部件25的径向内侧这样的处理条件。第1处理条件例如可以包括来自贯通孔H1的清洗液L1、L2的供给流量相对较小的情况(例如,100ml/min~200ml/min程度)、经由旋转轴21(旋转)的支承板23和环状部件25的转速相对较小的情况(例如,10rpm~100rpm程度)。
第2处理条件可以为对倾斜面S1供给的清洗液L1、L2主要流向环状部件25的径向外侧这样的处理条件。第2处理条件例如可以包括来自贯通孔H1的清洗液L1、L2的供给流量相对较大的情况(例如,200ml/min~500ml/min程度)、经由旋转轴21(旋转)的支承板23和环状部件25的转速相对较大的情况(例如,100rpm~300rpm程度)。
指示部M4也可以执行在第3处理后控制驱动机构32以使由支承销33支承的基片W旋转规定角度的第4处理。指示部M4也可以执行在第4处理后控制驱动机构32以使轴部件31下降至下降位置而将基片W支承在支承销24的第5处理。指示部M4也可以执行在第5处理后控制供给部50以使得从轴部件31向由支承销24支承的基片W的背面Wa供给清洗液L1、L2的第6处理。
控制器Ctr的硬件例如可以包括一个或者多个控制用的计算机。控制器Ctr作为硬件上的结构可以包含例如图4所示的电路Ctr1。电路Ctr1可以由电路系统(circuitry)构成。电路Ctr1例如可以包括处理器Ctr2、内存Ctr3(存储部)、存储器Ctr4(存储部)、驱动器Ctr5和输入输出端口Ctr6。处理器Ctr2与内存Ctr3和存储器Ctr4中的至少一者协作地执行程序,执行经由输入输出端口Ctr6的信号的输入输出,由此构成上述的各功能模块。内存Ctr3和存储器Ctr4作为存储部M2发挥作用。驱动器Ctr5是分别驱动基片清洗装置1的各部的电路。输入输出端口Ctr6在驱动器Ctr5与基片清洗装置1的各部(例如,驱动机构22、32、泵52、62A、62B和泵53、63A、63B等)之间,进行信号的输入输出。
基片清洗装置1可以具有一个控制器Ctr,也可以具有由多个控制器Ctr构成的控制器组(控制部)。在后者的情况下,上述的功能模块分别可以由一个控制器Ctr实现,也可以由2个以上的控制器Ctr的组合来实现。在控制器Ctr由多个计算机(电路Ctr1)构成的情况下,上述的功能模块分别可以由一个计算机(电路Ctr1)实现,也可以由2个以上的计算机(电路Ctr1)的来实现。也可以为,控制器Ctr包含多个处理器Ctr2。在该情况下,上述的功能模块分别可以由一个处理器Ctr2实现,也可以由2个以上的处理器Ctr2的组合来实现。
[清洗处理]
下面,参照图5~图9,对基片清洗装置1的清洗处理进行说明。
首先,利用未图示的输送机构,将基片W送入壳体10内(参照图9的步骤S10)。此时,控制器Ctr控制驱动机构32,使轴部件31位于上升位置。通过送入送出口12被送入壳体10内的基片W,从输送机构被交接到支承销33。由此,将基片W以背面Wa与支承销33抵接的方式载置在支承销33上(升降部30)。
接着,控制器Ctr控制驱动机构32,使轴部件31下降至下降位置为止。在轴部件31下降的过程中,基片W从支承销33被交接到支承销24。由此,将基片W以背面Wa与支承销24抵接的方式载置在支承销24上(旋转部20)(参照图9的步骤S11)。
接着,控制器Ctr控制驱动机构22,使旋转轴21以规定的转速旋转(参照图5和图9的步骤S12)。此时,经由旋转轴21,支承板23和环状部件25旋转,并且载置于支承销24的基片W也旋转。
接着,控制器Ctr控制供给部50,通过轴部件31向旋转中的基片W的背面Wa供给清洗液L1、L2(参照图5、图6和图9的步骤S13)。由此,如图6例示的那样,清洗液L1、L2因离心力而沿背面Wa向基片W的外周缘流动后,从基片W的外周缘向外方被甩掉。其结果,整个背面Wa被清洗液L1、L2清洗。从基片W甩掉的清洗液L1、L2在环状部件25与支承板23的外周部之间、以及环状部件25与遮挡部40之间流动,在遮挡部40中被收集后,通过贯通孔H2被排出到基片清洗装置1的外部。在经过规定时间后,控制器Ctr控制供给部50,使清洗液L1、L2的供给停止。
在步骤S13中,也可以为,控制器Ctr控制供给部50,以使得向旋转中的基片W的背面Wa供给了清洗液L1之后,向旋转中的基片W的背面Wa供给清洗液L2。在步骤S13中,也可以向旋转中的基片W的背面Wa供给清洗液L1,但是不供给清洗液L2。
接着,控制器Ctr控制驱动机构22,以使旋转轴21的旋转停止(参照图9的步骤S14)。此时,可以使用未图示的位置传感器(例如编码器)等,使旋转轴21停止,以使得绕旋转轴21的中心轴Ax的旋转位置成为规定的原点位置(例如,旋转轴21的旋转角成为0°的位置)。
另外,在从停止向背面Wa供给清洗液L1、L2起至旋转轴21的旋转停止为止期间,通过基片W旋转,附着于背面Wa的清洗液L1、L2一定程度上干燥。但是,并不是完全干燥,因此如图8例示的那样,在背面Wa中的与支承销24抵接的部分、支承销24的前端部分、环状部件25的表面、遮挡部40的内面等残留清洗液L1、L2。
接着,控制器Ctr控制驱动机构32,使轴部件31上升至上升位置。在轴部件31上升的过程中,基片W从支承销24被交接到支承销33,并且基片W也上升(参照图7和图9的步骤S15)。由此,基片W以背面Wa与支承销33抵接的方式载置在支承销33上。
接着,控制器Ctr控制驱动机构22,使旋转轴21以规定的转速旋转(参照图7和图9的步骤S16)。此时,经由旋转轴21,支承板23和环状部件25旋转。
接着,控制器Ctr控制供给部60,通过贯通孔H1向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给清洗液L1、L2(参照图8和图9的步骤S17)。控制器Ctr也可以在不同的处理条件下控制供给部60。在该情况下,也可以为,控制器Ctr在控制供给部60以使得在第1处理条件下从贯通孔H1向倾斜面S1供给清洗液L1、L2之后,控制供给部60以使得在第2处理条件下向倾斜面S1从贯通孔H1供给清洗液L1、L2。
在第1处理条件下,从贯通孔H1向倾斜面S1供给了清洗液L1、L2的情况下,清洗液L1、L2因重力的作用沿倾斜面S1流向下方(参照图8的箭头Ar1)。其结果,从倾斜面S1流下的清洗液L1、L2被供给到支承销24,将残留在支承销24的前端部的残留液洗去。
另一方面,在第2处理条件下,从贯通孔H1向倾斜面S1供给了清洗液L1、L2的情况下,清洗液L1、L2因离心力的作用沿倾斜面S1流向上方(参照图8的箭头Ar2)。其结果,登上了倾斜面S1的清洗液L1、L2被供给到环状部件25的表面和遮挡部40的内表面,将残留在上述位置的残留液希望。在经过规定时间后,控制器Ctr控制供给部60,以使清洗液L1、L2的供给停止。
在步骤S17中,也可以为,控制器Ctr控制供给部60,以使得在向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给了清洗液L1后,向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给清洗液L2。也可以为,控制器Ctr在向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给清洗液L1时,在不同的处理条件下(例如,在第1处理条件之后第2处理条件下)控制供给部60。也可以为,控制器Ctr在向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给清洗液L2时,在不同的处理条件下(例如,在第1处理条件之后第2处理条件下)控制供给部60。在步骤S17中,也可以向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给清洗液L2,但是不供给清洗液L1。
接着,控制器Ctr控制驱动机构22使旋转轴21的旋转停止(参照图9的步骤S18)。此时,也可以使用未图示的位置传感器(例如编码器)等,使旋转轴21停止,以使得绕旋转轴21的中心轴Ax的旋转位置成为规定的原点位置(例如,旋转轴21的旋转角成为0°的位置)。
接着,控制器Ctr控制驱动机构22,使旋转轴21旋转规定的偏移角δ(参照图9的步骤S19)。在12个支承销24以大致30°间隔配置于支承板23的情况下,偏移角δ例如可以为大致15°。
接着,控制器Ctr控制驱动机构32,使轴部件31下降至下降位置为止。在轴部件31下降的过程中,基片W从支承销33被交接到支承销24。由此,将基片W以背面Wa与支承销24抵接的方式载置在支承销24上(旋转部20)(参照图9的步骤S20)。
在步骤S13中,基片W相对于旋转部20位于原点位置(参照步骤S14),但是,通过步骤S19中的旋转轴21的旋转,在步骤S20中,基片W相对于旋转部20位于错开偏移角δ的位置。因此,在步骤S20中,支承销24与背面Wa中的不同于步骤S13的区域接触。因此,即使如图8例示的那样在背面Wa存在残留液,也能够避免在步骤S17中已清洁的支承销24与该残留液接触。
接着,控制器Ctr控制驱动机构22,使旋转轴21以规定的转速旋转(参照图9的步骤S21)。接着,控制器Ctr控制供给部50,通过轴部件31向旋转中的基片W的背面Wa供给清洗液L1、L2(参照图9的步骤S22)。接着,控制器Ctr控制驱动机构22,使旋转轴21的旋转停止(参照图9的步骤S23)。上述的步骤S21~S23的处理与步骤S12~S14的处理相同。
接着,控制器Ctr控制驱动机构32,使轴部件31上升至上升位置。在轴部件31上升的过程中,基片W从支承销24被交接到支承销33,并且基片W也上升。之后,未图示的输送机构从支承销33接收基片W,将基片W从壳体10送出(参照图9的步骤S24)。通过以上方式,基片W的背面Wa、支承销24、环状部件25、遮挡部40等的清洗处理完成。
[作用]
依照以上的例子,被供给到倾斜面S1的清洗液L1、L2例如在重力、离心力等的作用下,在倾斜面S1上向环状部件25的径向内侧或者径向外侧游动。因此,无需分别单独设置对支承销24供给清洗液L1、L2的机构和对支承销24的周边部件(环状部件25、遮挡部40等)供给清洗液L1、L2的机构,就能够对位于环状部件25的径向内侧的支承销24或者位于环状部件25的径向外侧的周边部件供给清洗液L1、L2。因此,通过对倾斜面S1供给清洗液L1、L2这样简单的方法,就能够简易且高效地利用清洗液L1、L2除去附着于支承销24及其周边部件的异物。
依照以上的例子,倾斜面S1随着去往径向内侧而向下方倾斜,在倾斜面S1的上方配置有贯通孔H1。因此,被供给到倾斜面S1的清洗液L1、L2在重力的作用下容易向环状部件25的径向内侧流动。因此,能够更有效地清洗支承销24。
依照以上的例子,在轴部件31位于上升位置时,即基片W位于比支承销24靠上方处时,对倾斜面S1供给清洗液L1、L2。因此,即使从供给部50供给到背面Wa的清洗液L1、L2残留在支承销24,也能够利用从供给部60供给的清洗液L1、L2将该残留液洗去。因此,能够更有效地清洗支承销24。此外,接着在下一基片W被支承在支承销24时,能够抑制对背面Wa的该残留液的转印。
依照以上的例子,通过步骤S19中的旋转轴21的旋转,在步骤S20中,基片W相对于旋转部20位于错开偏移角δ的位置。因此,即使在背面Wa存在如图8例示的残留液,也能够利用从供给部50供给到背面Wa的第二次的清洗液L1、L2将该残留液洗去。因此,能够更有效地清洗背面Wa。
依照以上的例子,在步骤S17中,控制器Ctr能够在不同的处理条件下控制供给部60。在该情况下,伴随处理条件的变化,清洗液L1、L2被供给到支承销24或其周边部件。因此,根据处理条件的不同,能够控制重点地清洗支承销24或其周边部件中的哪一者。
依照以上的例子,在步骤S17中,控制器Ctr能够在第1处理条件下控制了供给部60后,在第2处理条件下控制供给部60。在该情况下,在对支承销24供给了清洗液L1、L2后,对支承销24的周边部件供给清洗液L1、L2。因此,即使在第1处理条件下控制供给部60时,清洗液L1、L2从支承销24向周围飞散,通过之后在第2处理条件下控制供给部60,也能够将飞散的清洗液L1、L2洗去。因此,能够更有效地清洗周边部件。
依照以上的例子,在步骤S17中,控制器Ctr能够控制供给部60,以使得在向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给了清洗液L1后,向旋转中的环状部件25的倾斜面S1供给清洗液L2。在该情况下,在利用清洗用药液更强力地清洗了支承销24及其周边部件后,利用冲洗液将该清洗用药液洗去。因此,能够更有效地除去附着于支承销24及其周边部件的异物,并且,能够提高清洗后的支承销24及其周边部件的清洁度。
[变形例]
本说明书的发明在所有方面均是例示而不应该认为是限制性的。在不脱离权利要求及其主旨的范围内,可以对以上的例子进行各种的省略、替换、改变等。
(1)基片清洗装置1中,也可以代替设置于遮挡部40的贯通孔H1,而如图10例示的那样,具有能够利用驱动机构66移动的喷嘴65。例如,也可以为,喷嘴65与配管64A的下游端连接。也可以为,驱动机构66与喷嘴65连接。也可以为,驱动机构66构成为能够基于来自控制器Ctr的动作信号进行动作,使喷嘴65在环状部件25的径向上移动。也可以为,驱动机构66例如为电动机等动力源。
在该情况下,伴随喷嘴65的移动,清洗液L1、L2相对于倾斜面S1的着液位置发生变化。因此,伴随着液位置的变化,清洗液L1、L2变得容易向环状部件25的径向内侧流动还是清洗液L1、L2变得容易向环状部件25的径向外侧流动这样的流动性的倾向也发生变化。因此,能够控制重点地清洗支承销24及其周边部件中的哪一者。
(2)也可以不执行步骤S14中的旋转轴21在原点位置的停止和步骤S19中的旋转轴21的偏移角δ的旋转。
(3)当支承销24位于环状部件25的倾斜面S1的内侧时,也可以不设置在支承板23。例如,支承销24也可以设置在环状部件25的内周缘。
(4)也可以为,在步骤S24中基片W上升后,至将下一基片W载置在被送入壳体10内的支承销24为止的期间,控制器Ctr控制供给部60对倾斜面S1供给清洗液L1、L2。换言之,也可以为,在支承销24没有载置基片W的状态下,进行支承销24及其周边部件的清洗。
[其他例]
例1.基片清洗装置的一例包括:支承部,其构成为能够与基片的背面抵接来支承基片;环状部件,其以包围由支承部支承的基片的周围的方式配置,并包含沿环状部件的径向相对于水平方向倾斜的倾斜面;旋转部,其构成为能够使支承部和环状部件旋转;第1供给部,其构成为能够向由支承部支承的基片的背面供给清洗液;以及第2供给部,其构成为能够向倾斜面供给清洗液。在该情况下,被供给到倾斜面的清洗液例如在重力、离心力等的作用下,在倾斜面上向环状部件的径向内侧或者径向外侧流动。因此,无需分别单独设置对支承部供给清洗液的机构和对支承部的周边部件供给清洗液的机构,就能够对位于环状部件的径向内侧的支承部或者位于环状部件的径向外侧的周边部件供给清洗液。因此,通过对倾斜面供给清洗液这样简单的方法,能够简易且高效地利用清洗液除去附着于支承部及其周边部件的异物。
例2.在例1的装置中,也可以为,倾斜面随着去往径向内侧而向下方倾斜,第2供给部包含配置于倾斜面的上方的喷嘴。在该情况下,被供给到倾斜面的清洗液在重力的作用下,变得容易向环状部件的径向内侧流动。因此,能够更有效地清洗支承部。
例3.在例1或者例2的装置中,也可以为,第2供给部包含能够在环状部件的径向上移动的喷嘴。在该情况下,伴随喷嘴的移动,清洗液相对于倾斜面的着液位置发生变化。因此,伴随着液位置的变化,清洗液变得容易向环状部件的径向内侧流动还是清洗液变得容易向环状部件的径向外侧流动这样的流动性的倾向也发生变化。因此,能够控制重点地清洗支承部及其周边部件中的哪一者。
例4.在例1~例3中的任一装置中,也可以为,清洗液为清洗用药液或者冲洗液。
例5.在例1~例4中的任一装置中,也可以为,还包括升降部和控制部,该升降部构成为能够一边支承基片,一边在前端位于比支承部靠上方处的上升位置与前端位于比支承部靠下方处的下降位置之间升降。也可以为,控制部执行:第1处理,其控制第1供给部以使得向由支承部支承的基片的背面供给清洗液;第2处理,其在第1处理后,控制升降部以使得在支承基片的升降部位于上升位置;和第3处理,其在第2处理后,控制第2供给部以使得向倾斜面供给清洗液。在该情况下,即使从第1供给部供给到基片的背面的清洗液残留在支承部,也能够利用从第2供给部供给的清洗液将残留液洗去。因此,能够更有效地清洗支承部。此外,在下一基片被支承在支承部支承时,能够抑制对基片的背面的该残留液的转印。
例6.在例5的装置中,也可以为,控制部还执行:第4处理,其在第3处理后,控制升降部以使基片旋转规定角度;第5处理,其在第4处理后,控制升降部以使升降部下降至下降位置将基片支承在支承部;和第6处理,其在第5处理后,控制第1供给部以使得向基片的背面供给清洗液。在该情况下,从第4处理至第6处理,在将基片旋转了规定角度后再次将基片支承在支承部,从第1供给部对基片的背面供给第二次的清洗液。因此,即使从第1供给部供给到基片的背面的第一次的清洗液残留在基片的背面中的与支承部接触的区域,也能够利用第二次的清洗将基片的背面的残留液洗去。因此,能够更有效地清洗基片的背面。
例7.在例5或者例6的装置中,也可以为,第3处理包括以下处理:在被供给到倾斜面的清洗液主要向环状部件的径向内侧流动的第1处理条件和被供给到倾斜面的清洗液主要向环状部件的径向外侧流动的第2处理条件下,控制第2供给部。在该情况下,伴随处理条件的变化,将清洗液供给到支承部或者其周边部件。因此,根据处理条件的不能,能够控制重点地清洗支承部及其周边部件中的哪一者。
例8.在例7的装置中,也可以为,第3处理包括以下处理:在第1处理条件下控制了第2供给部后,在第2处理条件下控制第2供给部。支承部为了支承基片而位于环状部件的内侧,因此在对支承部供给清洗液时,由于离心力等而清洗液飞散到周围。但是,在例8的情况下,在对支承部供给了清洗液后,对周边部件供给清洗液。因此,即使清洗液从支承部飞散,由于在之后对周边部件进行清洗,所以能够将飞散的清洗液洗去。因此,能够更有效地清洗周边部件。
例9.在例5~例8中的任一装置中,也可以为,第3处理包括以下处理:控制第2供给部,以使得在向倾斜面供给了清洗用药液后向倾斜面供给冲洗液。在该情况下,在利用清洗用药液更强力地清洗了支承部及其周边部件后,利用冲洗液将该清洗用药液洗去。因此,能够更有效地除去附着于支承部及其周边部件的异物,并且能够提高清洗后的支承部及其周边部件的清洁度。
例10.基片清洗方法的一例包括:在与基片的背面抵接来支承基片的支承部和以包围基片的周围的方式配置的环状部件旋转的状态下,对环状部件的倾斜面供给清洗液的处理,倾斜面沿环状部件的径向相对于水平方向倾斜。在该情况下,能够得到与例1的装置相同的效果。
例11.在例10的方法中,也可以为,包括:倾斜面随着去往径向内侧而向下方倾斜,对倾斜面供给清洗液的处理包括对倾斜面从上方供给清洗液的处理。在该情况下,能够得到与例2的装置相同的效果。
例12.在例10或者例11的方法中,也可以为,对倾斜面供给清洗液的处理包括以下处理:一边使供给清洗液的喷嘴在环状部件的径向上移动,一边对倾斜面供给清洗液。在该情况下,能够得到与例3的装置相同的效果。
例13.在例10~例12中的任一方法中,也可以为,清洗液为清洗用药液或者冲洗液。
例14.在例10~例13中的任一方法中,也可以为,包括:在支承部和环状部件旋转的状态下,向支承于支承部的基片的背面供给清洗液的第1步骤;在第1步骤后,使基片向比支承部靠上方处上升的第2步骤;和在第2步骤后,对倾斜面供给清洗液的第3步骤。在该情况下,能够得到与例5的装置相同的效果。
例15.在例14的方法中,也可以为,还包括:在第3步骤后,使基片旋转规定角度的第4步骤;在第4步骤后,使基片下降并将其支承在支承部的第5步骤;和在第5步骤后,向基片的背面供给清洗液的第6步骤。在该情况下,能够得到与例6的装置相同的效果。
例16.在例14或者例15的方法中,也可以为,第3步骤包括以下处理:在被供给到倾斜面的清洗液主要向环状部件的径向内侧流动的第1处理条件和被供给到倾斜面的清洗液主要向环状部件的径向外侧流动的第2处理条件下,对倾斜面供给清洗液。在该情况下,能够得到与例7的装置相同的效果。
例17.在例16的方法中,也可以为,第3步骤包括以下处理:在第1处理条件下对倾斜面供给了清洗液后,在第2处理条件下对倾斜面供给清洗液。在该情况下,能够得到与例8的装置相同的效果。
例18.在例14~例17中的任一方法中,也可以为,第3步骤包括以下处理:在向倾斜面供给清洗用药液后向倾斜面供给冲洗液。在该情况下,能够得到与例9的装置相同的效果。
例19.计算机可读取的存储介质的一例中,也可以为,存储有用于使基片清洗装置执行例10~例18中的任一方法的程序。在该情况下,能够得到与例1的装置相同的作用效果。在本说明书中,计算机可读取的存储介质可以包含非暂时的有形的介质(non-transitory computer recording medium:非暂时性计算机记录介质)(例如,各种的主存储装置或者辅助存储装置)或者传播信号(transitory computer recording medium:临时计算机记录介质)(例如,能够经由网络提供的数据信号)。

Claims (19)

1.一种基片清洗装置,其特征在于,包括:
支承部,其构成为能够与基片的背面抵接来支承所述基片;
环状部件,其以包围由所述支承部支承的基片的周围的方式配置,并包含沿所述环状部件的径向相对于水平方向倾斜的倾斜面;
旋转部,其构成为能够使所述支承部和所述环状部件旋转;
第1供给部,其构成为能够向由所述支承部支承的基片的背面供给清洗液;以及
第2供给部,其构成为能够向所述倾斜面供给清洗液。
2.如权利要求1所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述倾斜面随着去往径向内侧而向下方倾斜,
所述第2供给部包含配置于所述倾斜面的上方的喷嘴。
3.如权利要求1或2所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述第2供给部包含能够在所述环状部件的径向上移动的喷嘴。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述清洗液为清洗用药液或者冲洗液。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基片清洗装置,其特征在于,还包括:
升降部,其构成为能够一边支承所述基片,一边在前端位于比所述支承部靠上方处的上升位置与前端位于比所述支承部靠下方处的下降位置之间升降;和
控制部,
所述控制部执行:
第1处理,其控制所述第1供给部以使得向由所述支承部支承的所述基片的背面供给清洗液;
第2处理,其在所述第1处理后,控制所述升降部以使得支承所述基片的所述升降部位于所述上升位置;和
第3处理,其在所述第2处理后,控制所述第2供给部以使得向所述倾斜面供给清洗液。
6.如权利要求5所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述控制部还执行:
第4处理,其在所述第3处理后,控制所述升降部以使所述基片旋转规定角度;
第5处理,其在所述第4处理后,控制所述升降部以使所述升降部下降至所述下降位置将所述基片支承在所述支承部;和
第6处理,其在所述第5处理后,控制所述第1供给部以使得向所述基片的背面供给清洗液。
7.如权利要求5或6所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述第3处理包括以下处理:在被供给到所述倾斜面的清洗液主要向所述环状部件的径向内侧流动的第1处理条件和被供给到所述倾斜面的清洗液主要向所述环状部件的径向外侧流动的第2处理条件下,控制所述第2供给部。
8.如权利要求7所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述第3处理包括以下处理:在所述第1处理条件下控制了所述第2供给部后,在所述第2处理条件下控制所述第2供给部。
9.如权利要求5~8中任一项所述的基片清洗装置,其特征在于:
所述第3处理包括以下处理:控制所述第2供给部,以使得在向所述倾斜面供给了清洗用药液后向所述倾斜面供给冲洗液。
10.一种基片清洗方法,其特征在于:
包括在与基片的背面抵接来支承所述基片的支承部和以包围所述基片的周围的方式配置的环状部件旋转的状态下,对所述环状部件的倾斜面供给清洗液的处理,
所述倾斜面沿所述环状部件的径向相对于水平方向倾斜。
11.如权利要求10所述的基片清洗方法,其特征在于:
所述倾斜面随着去往径向内侧而向下方倾斜,
对所述倾斜面供给清洗液的处理包括对所述倾斜面从上方供给清洗液的处理。
12.如权利要求10或者11所述的基片清洗方法,其特征在于:
对所述倾斜面供给清洗液的处理包括以下处理:一边使供给清洗液的喷嘴在所述环状部件的径向上移动,一边对所述倾斜面供给清洗液。
13.如权利要求10~12中任一项所述的基片清洗方法,其特征在于:
所述清洗液为清洗用药液或者冲洗液。
14.如权利要求10~13中任一项所述的基片清洗方法,其特征在于,包括:
在所述支承部和所述环状部件旋转的状态下,向由所述支承部支承的所述基片的背面供给清洗液的第1步骤;
在所述第1步骤后,使所述基片向比所述支承部靠上方处上升的第2步骤;和
在所述第2步骤后,对所述倾斜面供给清洗液的第3步骤。
15.如权利要求14所述的基片清洗方法,其特征在于,还包括:
在所述第3步骤后,使所述基片旋转规定角度的第4步骤;
在所述第4步骤后,使所述基片下降并将其支承在所述支承部的第5步骤;和
在所述第5步骤后,向所述基片的背面供给清洗液的第6步骤。
16.如权利要求14或15所述的基片清洗方法,其特征在于:
所述第3步骤包括以下处理:在被供给到所述倾斜面的清洗液主要向所述环状部件的径向内侧流动的第1处理条件和被供给到所述倾斜面的清洗液主要向所述环状部件的径向外侧流动的第2处理条件下,对所述倾斜面供给清洗液。
17.如权利要求16所述的基片清洗方法,其特征在于:
所述第3步骤包括以下处理:在所述第1处理条件下对所述倾斜面供给了清洗液后,在所述第2处理条件下对所述倾斜面供给清洗液。
18.如权利要求14~17中任一项所述的基片清洗方法,其特征在于:
所述第3步骤包括以下处理:在向所述倾斜面供给了清洗用药液后向所述倾斜面供给冲洗液。
19.一种计算机可读取的存储介质,其特征在于:
存储有用于使基片清洗装置执行权利要求10~18中任一项所述的方法的程序。
CN202111149320.XA 2020-10-09 2021-09-29 基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质 Pending CN114334712A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-171353 2020-10-09
JP2020171353A JP2022063043A (ja) 2020-10-09 2020-10-09 基板洗浄装置、基板洗浄方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114334712A true CN114334712A (zh) 2022-04-12

Family

ID=81045343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111149320.XA Pending CN114334712A (zh) 2020-10-09 2021-09-29 基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11826794B2 (zh)
JP (1) JP2022063043A (zh)
KR (1) KR20220047526A (zh)
CN (1) CN114334712A (zh)
TW (1) TW202228868A (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6332723B1 (en) * 1999-07-28 2001-12-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and method
JP4920643B2 (ja) 2008-07-09 2012-04-18 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP6020271B2 (ja) * 2013-03-18 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220047526A (ko) 2022-04-18
JP2022063043A (ja) 2022-04-21
US20240033786A1 (en) 2024-02-01
US11826794B2 (en) 2023-11-28
US20220111422A1 (en) 2022-04-14
TW202228868A (zh) 2022-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI574301B (zh) Liquid handling device
TWI381435B (zh) Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media
TWI538044B (zh) 用來清洗基板處理裝置的清洗治具及清洗方法、與基板處理系統
TWI656570B (zh) Substrate liquid processing device, substrate liquid processing method, and memory medium
KR100885180B1 (ko) 기판 지지유닛, 그리고 상기 기판 지지유닛을 구비하는기판처리장치 및 방법
KR20150018383A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201624611A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20090095325A1 (en) Substrate processing apparatus and method of cleaning the same
JP6665042B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法及び記憶媒体
JP2007258565A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2014175532A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP5036415B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
CN114334712A (zh) 基片清洗装置、基片清洗方法和计算机可读取的存储介质
JP6735384B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5290837B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20220002532A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체
JP2015192049A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2020072135A (ja) 基板処理装置および排液管詰まり防止方法
JP7336967B2 (ja) 基板処理装置、および基板処理方法
WO2017010191A1 (ja) 基板処理装置及び記憶媒体
JP6513774B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2011205110A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102262112B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR20210075255A (ko) 기판 처리 장치
KR20210028985A (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination