CN114188088A - 同轴电缆以及电缆组件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供难以产生屏蔽效果的降低且在预定的频带中难以产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。同轴电缆(1)的屏蔽层(4)具有：横绕屏蔽部(41)，其将在最外层具有镀层(411b)的多个金属线材(411)呈螺旋状地卷绕于绝缘体(3)的周围而构成；以及一并镀敷部(42)，其覆盖横绕屏蔽部(41)的周围，由热浸镀形成，在从绝缘体(3)剥离后的屏蔽层(4)的绝缘体(3)侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域(51)内进行了元素分析时，在分析区域(51)上氯存在的区域即氯存在区域(52)的面积为分析区域(51)的面积的5％以下。

Description

同轴电缆以及电缆组件
技术领域
本发明涉及同轴电缆以及电缆组件。
背景技术
作为在自动运转等中使用的拍摄装置、智能手机、平板终端等电子设备的内部布线、或者在工业用机器人等机床中作为布线使用的高频信号传输用的电缆，使用同轴电缆。
作为现有的同轴电缆，已知有将在树脂层上设有铜箔的铜带等带部件呈螺旋状地卷绕于绝缘体的周围来构成屏蔽层的同轴电缆(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-285747号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在上述现有的同轴电缆中，有发生在预定的频带(例如，1.25GHz等几GHz的频带)中产生急剧的衰减的被称为频带空段的现象的课题。
相对于此，例如，通过对绝缘体的外表面实施镀敷来构成屏蔽层，能够抑制频带空段的发生。但是，在反复弯曲同轴电缆时，有在由镀敷构成的屏蔽层发生龟裂、来自绝缘体外表面的剥离的情况。若在由镀敷构成的屏蔽层发生龟裂、来自绝缘体外表面的剥离，则屏蔽效果降低。即，利用屏蔽层遮蔽在同轴电缆中产生的噪声的效果降低。
因此，本发明的目的在于，提供难以产生屏蔽效果的降低且难以在预定的频带中产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。
用于解决课题的方案
本发明以解决上述课题为目的，提供一种同轴电缆，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，在从上述绝缘体剥离出的上述屏蔽层的上述绝缘体侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域内进行了元素分析时，在上述分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域的面积为上述分析区域的面积的5％以下。
并且，本发明以解决上述课题为目的，提供一种电缆组件，具备：上述同轴电缆；以及终端部件，其一体地设于上述同轴电缆的至少一方的端部。
本发明提供一种同轴电缆，具备：导体；绝缘体，其覆盖上述导体的周围；屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，上述屏蔽层在周向上相邻的上述金属线材彼此分离的分离部分，具有在周向上相邻的上述金属线材彼此由上述一并镀敷部连结的连结部，并且，上述屏蔽层具有上述多个金属线材未被上述一并镀敷部覆盖而上述镀层露出的内周部分，在相邻的上述内周部分之间设有上述连结部。
发明的效果如下。
根据本发明，能够提供难以产生屏蔽效果的降低且难以在预定的频带中产生急剧的衰减的同轴电缆以及电缆组件。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的同轴电缆的图，(a)是示出与长度方向垂直的截面的剖视图，(b)是其主要部分放大图。
图2是说明一并镀敷部的形成的图。
图3是剥离屏蔽层进行观察时的照片及其放大照片。
图4的(a)是示出对在剥离后的屏蔽层中存在银的区域进行分析后的结果的照片，(b)是示出对在剥离后的屏蔽层中存在锡的区域进行分析后的结果的照片。
图5是示出对氯存在区域进行分析时的步骤的流程图。
图6的(a)、(b)是示出SEM图像的一例的照片。
图7的(a)、(b)是示出氯映射图像的一例的照片。
图8是示出频率特性的评价结果的线图。
图9是示出本发明的一个实施方式的电缆组件的末端部的剖视图。
符号说明
1—同轴电缆，2—导体，3—绝缘体，4—屏蔽层，4a—外周部分，4b—内周部分，41—横绕屏蔽部，411—金属线材，411a—金属线，411b—镀层，411c—金属间化合物，42—一并镀敷部，43—连结部，45—分离部分，5—护套，10—电缆组件，11—终端部件，51—分析区域，52—氯存在区域。
具体实施方式
[实施方式]
以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。
(同轴电缆1的整体结构)
图1是示出本实施方式的同轴电缆1的图，(a)是示出与长度方向垂直的截面的剖视图，(b)是其主要部分放大图。
如图1的(a)、(b)所示，同轴电缆1具备导体2、覆盖导体2的周围地设置的绝缘体3、覆盖绝缘体3的周围地设置的屏蔽层4、以及覆盖屏蔽层4的周围地设置的护套5。
导体2由将多根金属线材21绞合而成的绞线导体构成。在本实施方式中，使用了将七根由外径0.023mm的软铜线构成的金属线材21绞合而成的导体2。并不限定于此，作为导体2，也能够使用压缩绞线导体，即，在将金属线材21绞合之后，以与电缆长度方向垂直的截面形状呈圆形的方式进行压缩加工而形成压缩绞线导体。通过使用压缩绞线导体作为导体2，能够提高导电率，得到良好的传输特性，并且还能够维持弯曲容易性。另外，从提高导电率、机械强度的观点出发，金属线材21也可以是含锡(Sn)、银(Ag)、铟(In)、钛(Ti)、镁(Mg)、铁(Fe)等的铜合金线。
绝缘体3例如由PFA、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物)氟树脂、聚乙烯、聚丙烯等构成。绝缘体3可以是发泡树脂，也可以由为了提高耐热性而交联形成的树脂构成。并且，绝缘体3也可以进一步成为多层构造。例如，也能够成为三层结构：在导体2的周围设置由非发泡的聚乙烯构成的第一非发泡层，在第一非发泡层的周围设置由发泡聚乙烯构成的发泡层，在发泡层的周围设置由非发泡的聚乙烯构成的第二非发泡层。在本实施方式中，在导体2的周围，通过管材挤出来形成由PFA构成的绝缘体3。通过管材挤出来形成绝缘体3，从而在末端加工时容易从导体2剥离绝缘体3，提高末端加工性。
护套5例如由PFA、FEP等氟树脂、聚氯乙烯、交联聚烯烃等构成。在本实施方式中，通过管材挤出来形成由氟树脂构成的护套5。
(屏蔽层4)
在本实施方式的同轴电缆1中，屏蔽层4具有：横绕屏蔽部41，其在绝缘体3的周围呈螺旋状地卷绕有多个金属线材411；以及导电性的一并镀敷部42，其一并地覆盖横绕屏蔽部41的整个周围地设置。
在本实施方式中，由于利用一并镀敷部42来固定金属线材411，所以为了确保同轴电缆1的弯曲容易度，作为金属线材411，需要使用由容易塑性变形的低屈服强度的材质构成的线材。更具体而言，作为金属线材411，使用拉伸强度为200MPa以上且380Pa以下、且伸长率为7％以上且20％以下的金属线材较好。
在本实施方式中，作为金属线材411，使用了在由软铜线构成的金属线411a的周围具有由银构成的镀层411b的镀银软铜线。此外，作为金属线411a，不限定于软铜线，可以使用铜合金线、铝线、铝合金线、或者在纯铜中添加有微量的金属元素(例如钛、镁等)的低软化温度的线材等。并且，构成镀层411b的金属不限定于银，例如也可以是锡、金。其中，为了使同轴电缆1的电特性变得良好，镀层411b优选导电率较高，优选使用由导电率至少比一并镀敷部42的导电率高的材质构成的镀层。即，可以说更优选使用由导电率较高的银构成的镀层411b。此处，通过使用22根由外径0.025mm的镀银软铜线构成的金属线材411，来形成横绕屏蔽部41。
并且，在本实施方式中，作为由热浸镀形成的一并镀敷部42，使用由锡构成的一并镀敷部。但并不限定于此，作为一并镀敷部42，例如能够使用由银、金、铜、锌等构成的部件。但是，从制造的容易度的观点出发，可以说更优选使用由锡构成的一并镀敷部42。
图2是对一并镀敷部42的形成进行说明的图。首先，在形成一并镀敷部42之前，在绝缘体3的周围，使多根金属线材411绞合而形成横绕屏蔽部41。将在绝缘体3的周围形成有横绕屏蔽部41的结构称为电缆基体101。在形成一并镀敷部42时，首先，在送出装置102设置卷绕有电缆基体101的卷筒102a，从送出装置102送出电缆基体101。从送出装置102送出的电缆基体101被导入到助熔剂槽103，在电缆基体101的周围(即横绕屏蔽部41的周围)涂敷助熔剂。助熔剂用于使熔融的锡容易一并地附着于横绕屏蔽部41的整个周围，以氯和锌为主要成分。作为助熔剂，例如能够使用松香系的助熔剂等。
通过助熔剂槽103后的电缆基体101被导入到贮存有在250℃以上且小于300℃的温度下熔融的锡的镀敷槽104，并通过模具105。在通过模具105后残留的锡冷却，从而形成一并镀敷部42。即，一并镀敷部42是由热浸镀而形成的热浸镀。之后，利用卷绕机106对形成有一并镀敷部42的电缆基体101进行卷绕。此外，使形成有横绕屏蔽部41的电缆基体101通过镀敷槽104时的线速度例如为40m/min以上且80m/min以下，更优选为50m/min以上且70m/min以下。
在形成一并镀敷部42时，构成与熔融的锡(即，热浸镀)接触的部分的镀层411b的银扩散至镀敷槽104内的锡，在金属线材411与一并镀敷部42之间(即，金属线411a与一并镀敷部42之间且与该金属线411a的表面接触的部分)形成含铜和锡的金属间化合物411c。发明人等进行了使用SEM(扫描型电子显微镜)的EDX分析(基于能量分散型X射线光谱法的分析)，结果能够确认到在金属线材411的表面(金属线材411与一并镀敷部42之间)层状地存在由铜和锡构成的金属间化合物411c。即，金属间化合物411c是构成由热浸镀构成的一并镀敷部42的金属元素(锡等)与构成金属线材411的主成分的金属元素(铜等)金属地进行扩散反应而在金属线材411的表面形成有化合物层。金属间化合物411c的层的厚度例如为0.2μm～1.5μm左右。此外，认为在金属间化合物411c中含有构成镀层411b的银，但金属间化合物411c中的银的含量为在EDX分析中难以检测的程度的极微量。
屏蔽层4在金属线材411与一并镀敷部42之间形成金属间化合物411c，从而在使同轴电缆1反复弯曲时或扭转时，一并镀敷部42难以从金属线材411的表面剥离，在金属线材411与一并镀敷部42之间难以产生间隙。由此，在同轴电缆1中，即使在施加了弯曲、扭转的情况下，也能够保持从横绕屏蔽部41的外侧由一并镀敷部42固定有横绕屏蔽部41的状态，屏蔽层4与导体2的距离难以变化。因此，在同轴电缆1中，难以因弯曲、扭转而产生屏蔽效果的降低，也难以在预定的频带中产生急剧的衰减。金属间化合物411c的层的厚度例如通过使用光学显微镜或电子显微镜观察同轴电缆1的横截面(与同轴电缆1的长度方向垂直的截面)来求出。
在不与一并镀敷部42接触的部分的金属线材411(在镀敷时不与熔融的锡接触的部分的金属线材411)，残留有由银构成的镀层411b。即，在电缆径向上的内侧(绝缘体3侧)的部分的金属线材411，残留有由银构成的镀层411b。即，在本实施方式的同轴电缆1中的屏蔽层4中，多个金属线材411未被一并镀敷部42覆盖而镀层411b露出的内周部分4b的导电率比多个金属线材411被一并镀敷部42覆盖的外周部分4a高。在高频信号的传输中，电流集中在屏蔽层4中的绝缘体3侧，因而在屏蔽层4的内周部分4b存在银等具有高导电率的镀层411b，从而能够抑制屏蔽层4的导电性的降低，维持良好的衰减特性。构成一并镀敷部42的镀锡的导电率为15％IACS，构成镀层411b的镀银的导电率为108％IACS。
此外，此处所说的外周部分4a是指金属线材411与在热浸镀时熔融的镀敷(锡等)接触的部分(即形成有金属间化合物411c的部分)。并且，内周部分4b是指残存有由镀银等构成的镀层411b的部分。
(连结部43的说明)
屏蔽层4具有在周向上相邻的金属线材彼此分离的分离部分45。其中，不需要所有的金属线材411分离，也可以存在在周向上相邻的一部分金属线材411彼此接触的接触部分。此外，在接触部分中，在横绕屏蔽部41的外周，具有在周向上相邻的金属线材411彼此之间由一并镀敷部42填充而成的填充部。
而且，屏蔽层4具有在周向上相邻的金属线材411彼此由一并镀敷部42连结的连结部43。一并镀敷部42优选设置为，在周向及轴向上一并地覆盖横绕屏蔽部41的整个周围，并且机械地及电地连接多个金属线材411。在本实施方式的同轴电缆1的屏蔽层4中，在相邻的内周部分4b之间设有连结部43。由于内周部分4b的周围未被一并镀敷部42覆盖，所以在相邻的金属线材411的内周部分4b彼此之间且在绝缘体3的外表面与一并镀敷部42(连结部43)的内表面之间存在空气层44。关于该空气层44，与绝缘体3的外表面对置的连结部43的内表面具有以向连结部43的内部侧凹入的方式弯曲的形状。由于具有这样的弯曲的形状，能够在绝缘体3的外表面与连结部43的内表面之间设置预定大小的空气层44，因而能够成为难以产生屏蔽效果的降低、难以在预定的频带(例如，直至26GHz的频带)中产生急剧的衰减的同轴电缆1。
图3是实际上试制同轴电缆1、剥离屏蔽层4进行观察时的照片及其放大照片。如图3所示，在本实施方式中，在屏蔽层4的至少一部分中，在从电缆径向内侧(从绝缘体3的表面朝向屏蔽层4的方向)观察时，构成连结部43的一并镀敷部42和在内周部分4b露出的镀层411b在与金属线材411的长度方向垂直的方向上交替配置。即，若从电缆径向内侧观察屏蔽层4，则构成一并镀敷部42的锡和构成镀层411b的银成为呈条纹状地交替配置的状态。
在相邻的内周部分4b之间具有连结部43，从而与例如在周向上相邻的所有金属线材411彼此接触的情况相比，在施加弯曲、扭转时，一并镀敷部42难以裂缝或剥落。即，金属线材411彼此分离的部分由一并镀敷部42连结而成的连结部43仅利用由与金属线材411相比具有柔软性的热浸镀形成的一并镀敷部42来构成。在施加弯曲、扭转时，连结部分的一并镀敷部42以伸展的方式发挥作用，提高屏蔽层4整体的柔软性。由此，在施加弯曲、扭曲时，一并镀敷部42难以裂缝或剥落。此外，关于在周向上相邻的金属线材411彼此分离的距离，若从一方的金属线材411的表面到另一方的金属线材411的最短距离为金属线材411的外径的一半以下，则容易得到上述的作用效果。
并且，若连结部43的一并镀敷部42的沿着径向的厚度W(连结部43的一并镀敷部42的从内表面到外表面的最小直线距离)例如为金属线材411的外径(直径)d的30％(0.3×d)以上，则难以产生一并镀敷部42的裂缝。尤其，在连结部43中的一并镀敷部42的厚度W与金属线材411的外径(直径)d相同或比其大的情况下，金属线材411彼此的接合强度变大，更难以产生裂缝。并且，在同轴电缆1中，一并镀敷部42具有上述的连结部43，由此在进行电缆装配时，在构成横绕屏蔽部41的多个金属线材411紧贴于一并镀敷部42的状态下，容易沿多个金属线材411的卷绕方向呈螺旋状地卷绕的同时除去屏蔽层4。作为连结部43中的一并镀敷部42的厚度W的上限值，例如可以是金属线材411的外径d的130％(1.3×d)。此外，金属线材411的外径d为0.209mm以上且1.020mm以下。连结部43的厚度W、金属线材411的外径d例如通过使用光学显微镜或电子显微镜观察同轴电缆1的横截面(与同轴电缆1的长度方向垂直的截面)来求出。
例如，若仅由横绕屏蔽部41构成屏蔽层4，则在金属线材411间产生间隙而导致噪声特性降低。再有，因在金属线材411之间产生的间隙的影响，会产生在预定的频带(例如，10GHz～25GHz的频带)中产生急剧的衰减的被称为频带空段的现象。如本实施方式所记载，以覆盖横绕屏蔽部41的整个周围的方式设置由热浸镀形成的一并镀敷部42，从而能够利用一并镀敷部42封堵金属线材411间的间隙，能够提高屏蔽效果。由此，难以产生信号传输的损失。再有，由于金属线材411之间的间隙消失，所以能够抑制频带空段的产生。
再有，以覆盖横绕屏蔽部41的周围的方式设置一并镀敷部42，从而在末端加工时在电缆末端部除去护套5而使屏蔽层4露出时，金属线材411难以解开，从而能够容易地进行末端加工。再有，通过以覆盖横绕屏蔽部41的周围的方式设置一并镀敷部42，也能够在电缆长度方向上稳定地将阻抗维持为恒定。
图4的(a)是示出对在从绝缘体3剥离后的屏蔽层4中存在银(Ag)的区域进行分析后的结果的照片，图4的(b)是示出对在剥离后的屏蔽层4中存在锡(Sn)的区域进行分析后的结果的照片。图4的(a)、(b)均示出从电缆径向内侧观察剥离后的屏蔽层4的状态，两者的比例尺相同。在图4的(a)中，颜色淡的部分示出银(Ag)存在的区域，图4的(b)中，颜色淡的部分示出锡(Sn)存在的区域。此外，图4的(a)、(b)是对从使用了SEM的EDX分析得到的数据进行元素映射而得到的图像。
如图4的(a)、(b)所示，在屏蔽层4中，在从电缆径向内侧观察时，银(Ag)存在的区域的宽度比锡(Sn)存在的区域的宽度大。即，在本实施方式中，在从电缆径向内侧观察时，在内周部分4b露出的镀层411b的宽度比构成连结部43的一并镀敷部42的宽度大。此处所说的宽度是指镀层411b和一并镀敷部42的在排列方向(图4的(a)、(b)的上下方向)上的宽度，且指与金属线材411的长度方向垂直的方向的宽度。
在电流(屏蔽电流)从绝缘体3侧流向屏蔽层4时，该屏蔽电流流向由导电率高的银构成的镀层411b的情况下，损失变小，传输特性提高。因此，如本实施方式所示，在从电缆径向内侧观察时，通过使镀层411b的宽度比一并镀敷部42(连结部43)的宽度大，从而屏蔽电流容易流向镀层411b，能够提高传输特性。尤其，镀层411b的宽度越大，则内周部分4b的区域越大，从绝缘体3到一并镀敷部42(连结部43)的内表面为止的距离越远，因而屏蔽电流越难以流向由锡构成的一并镀敷部42，传输特性进一步提高。
(助熔剂残渣的影响的抑制)
如上所述，在形成一并镀敷部42时，在横绕屏蔽部41的周围涂敷助熔剂之后，向镀敷槽104导入而利用热浸镀来形成一并镀敷部42。发明人等进行了研究，结果确认到即使在一并镀敷部42的形成后，在屏蔽层4也存在助熔剂的残渣。可知：助熔剂的残渣存在于在热浸镀时不与熔融的锡接触的部分、即金属线材411未被一并镀敷部42覆盖而镀层411b露出的内周部分4b。如上所述，由于助熔剂含氯，所以若存在助熔剂的残渣，则有因该残渣所含的氯的影响而在由锡构成的一并镀敷部42产生腐蚀的担忧。若在一并镀敷部42产生腐蚀，则例如有可能在连结部43产生裂缝、或产生在径向上贯通连结部43的孔，由此有屏蔽效果降低而传输特性劣化的担忧。
因此，在本实施方式中，通过减少残存于内周部分4b的作为助熔剂的成分的氯，实现了难以在一并镀敷部42产生腐蚀的耐腐蚀性优异的同轴电缆1。更具体而言，在本实施方式的同轴电缆1中，在从绝缘体3剥离后的屏蔽层4的绝缘体3侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域内进行了元素分析时，在分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域的面积为分析区域的面积的5％以下(0％以上且5％以下)。以下，对分析氯存在区域的方法进行详细说明。
(氯存在区域的分析)
图5是示出分析氯存在区域时的步骤的流程图。如图5所示，首先，在步骤S1中，在成为评价对象的同轴电缆1中，从绝缘体3剥离屏蔽层4。之后，在步骤S2中，将剥离后的屏蔽层4的绝缘体3侧的面(电缆径向内侧的面、内周部分4b侧的面)的任意区域设定为分析区域，通过SEM获取该分析区域的图像(以下，称为SEM图像)。
关于分析区域，若设定得过宽，则有评价精度不好的担忧，若设定得过窄，则有成为评价对象的氯存在区域的面积根据分析区域的选择方式而大不相同的担忧。因此，需要根据要评价的同轴电缆1的大小(更详细而言是金属线材411的粗细)来适当地设定分析区域的大小(即SEM的倍率)。发明人等进行了研究，结果确认到：在使横绕屏蔽部41的金属线材411的外径d为0.209mm以上且1.020mm以下的情况下，通过使分析区域的面积为0.015mm2以上且0.300mm2以下，能够进行适当的评价。
之后，在步骤S3中，通过EDX分析进行元素分析，获取在SEM图像上映射有氯的图像(以下，称为氯映射图像)。之后，在步骤S4中，通过进行氯映射图像的图像解析，来提取在分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域。此时，在分析区域内进行氯存在的区域和氯不存在的区域的二值化处理。并且，在进行二值化处理时，以仅抽出氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的方式进行校准为好。这是因为，氯存在的区域内的过小的区域有可能不是来自助熔剂的残渣的氯，并且有可能是分析精度上的噪声。
之后，在步骤S5中，根据二值化处理后的图像来求出氯存在区域的面积。如上所述，通过二值化处理，氯存在的区域内的面积小于2μm2的区域不包括在氯存在区域内，因而在本实施方式中，在氯映射图像中，氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的面积的总和为氯存在区域的面积。之后，在步骤S6中，通过下式求出氯存在区域相对于分析区域的面积比。
面积比＝{(氯存在区域的面积)/(分析区域的面积)}×100
(氯存在区域的分析的具体例)
准备没有由氯的残留引起的劣化的担忧的两根同轴电缆1，对该同轴电缆1进行了元素分析。在两根同轴电缆1中，将金属线材411的外径d分别设为0.209mm、1.020mm。图6的(a)示出在金属线材411的外径d为0.209mm的同轴电缆1中由SEM得到的图像(SEM像)。并且，图6的(b)示出在金属线材411的外径d为1.020mm的同轴电缆1中得到的SEM图像。分析区域51为SEM图像的整体，分析区域51的面积为SEM图像整体的面积。在图6的(a)中，SEM的倍率为800倍，分析区域51的面积为18276μm2(0.018mm2)。图6的(b)中，SEM的倍率为200倍，分析区域51的面积为282238μm2(0.28mm2)。此外，此处，作为SEM，使用日立高新技术公司制造的S-4800。
在图6的(a)、(b)各自的情况下，通过EDX分析进行元素分析，在SEM图像上映射氯，得到氯映射图像。图7的(a)、(b)分别示出得到的氯映射图像。图7的(a)、(b)中，颜色淡的部分示出氯存在的区域、即氯存在区域52。此外，此处，使用EDAX公司的Octane Elect Super进行元素分析。
之后，基于得到的图7的(a)、(b)的氯映射图像，使用显微镜进行图像解析，求出氯存在区域52的面积。此时，在分析区域51内进行氯存在的区域和氯不存在的区域的二值化处理，根据二值化处理后的图像来求出氯存在区域52的面积。并且，在二值化处理中，以仅抽出氯映射图像的氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的方式进行了校准。其结果，在图7的(a)的例子中，氯存在区域52的面积为601μm2，在图7的(b)的例子中，氯存在区域52的面积为12302μm2。此外，作为显微镜，使用基恩士公司制造的VHX-5000。
之后，求出所得到的氯存在区域52的面积相对于分析区域51的面积的比例(面积比)。在图7的(a)的例子中，分析区域51的面积为18276μm2，氯存在区域52的面积为601μm2，因而氯存在区域52的面积为分析区域51的面积的3.289％。同样，在图7的(b)的例子中，分析区域51的面积为282238μm2，氯存在区域52的面积为12302μm2，因而氯存在区域52的面积为分析区域51的面积的4.359％。表1中汇总地示出以上的分析结果。
表1
金属线材的外径 0.209mm 1.020mm
分析区域的面积 18276μm<sup>2</sup> 282238μm<sup>2</sup>
氯存在区域的面积 601μm<sup>2</sup> 12302μm<sup>2</sup>
氯存在区域相对于分析面积的面积比 3.289％ 4.359％
如表1所示可知：在两个同轴电缆1中，氯存在区域52相对于分析区域51的面积比(Cl面积比)均为5％以下。即，使氯存在区域52相对于分析区域51的面积比为5％以下，能够得到抑制了由氯的残留引起的劣化的同轴电缆1。并且，根据表1，分析区域51的面积在两个同轴电缆1中分别为18276μm2、282238μm2。根据发明人的见解，通过使分析区域51的面积为0.015mm2以上且0.300mm2以下(更优选设为0.018mm2以上且0.280mm2以下)，能够高精度地评价氯存在区域52的面积比。
(同轴电缆1的特性评价)
制作本实施方式的同轴电缆1作为实施例，并进行了频率特性的评价。电缆长度为1m。并且，在实施例的同轴电缆1中，作为导体2，使用使七根由外径为0.023mm的软铜线构成的金属线材21绞合而成的导体，作为绝缘体3，使用以管材挤出的方式形成PFA(全氟烷氧基烷烃)而成的绝缘体，作为横绕屏蔽部41，使用将22根外径为0.025mm(43AWG)且在表面具有镀银的金属线材411卷绕成螺旋状而成的屏蔽部，作为一并镀敷部42，使用由熔融的锡构成的热浸镀，作为护套5，使用由氟树脂构成的护套。在频率特性的评价中，使用网络分析仪进行了传输特性S21的测定。测定范围为10MHz～30GHz，输出功率为－8dBm。图8示出测定结果。
如图8所示，在实施例的同轴电缆1中，在直至20GHz以后(例如，直至26GHz)未看到急剧的衰减，能够确认了抑制了频带空段。根据图5的结果，能够确认了至少在25GHz以下的频带中无频带空段。
(电缆组件)
接下来，对使用了同轴电缆1的电缆组件进行说明。图9是示出本实施方式的电缆组件的末端部的剖视图。
如图9所示，电缆组件10具备本实施方式的同轴电缆1和一体地设于同轴电缆1的至少一方的端部的终端部件11。
终端部件11例如是连接器、传感器、连接器、搭载在传感器内的基板、或者电子设备内的基板等。图9中示出了终端部件11为基板11a的情况。在基板11a形成有导体2所连接的信号电极12以及屏蔽层4所连接的接地电极13。基板11a由印刷基板构成，该印刷基板在由树脂构成的基材16上印刷有包括信号电极12及接地电极13的导体图案。
在同轴电缆1的末端部中，除去距末端为预定长度的部分的护套5而露出屏蔽层4，再有，除去露出的屏蔽层4及绝缘体3的末端部而露出导体2。露出的导体2由软钎料等连接材料14固定于信号电极12，导体2与信号电极12电连接。并且，露出的屏蔽层4由软钎料等连接材料15固定于接地电极13，屏蔽层4与接地电极13电连接。此外，导体2、屏蔽层4的连接也可以不使用软钎料等连接材料14、15，例如，也可以利用铆接等将导体2、屏蔽层4固定于固定用的金属零件来连接导体2、屏蔽层4。并且，在终端部件11为连接器、传感器的情况下，也可以构成为将导体2、屏蔽层4直接与电极、元件连接。
(实施方式的作用及效果)
如上所述，在本实施方式的同轴电缆1中，屏蔽层4具有将在最外层具有镀层411b的多个金属线材411呈螺旋状地卷绕于绝缘体3的周围而构成的横绕屏蔽部41、以及覆盖横绕屏蔽部41的周围且由热浸镀形成的一并镀敷部42，屏蔽层4具有多个金属线材411未被一并镀敷部42覆盖而镀层411b露出的内周部分4b，在从绝缘体3剥离后的屏蔽层4的绝缘体3侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域51内进行了元素分析时，在内周部分4b露出的镀层411b上氯存在的区域亦即氯存在区域52的面积为分析区域51的面积的5％以下。
通过像这样构成，屏蔽层4经由一并镀敷部42在大致整周上相连，能够由一并镀敷部42封堵横绕屏蔽部41的金属线材411间的间隙，提高噪声特性，能够抑制频带空段的发生。即，根据本实施方式，能够实现难以产生屏蔽效果的降低且在预定的频带(例如，直至26GHz的频带)中难以产生急剧的衰减的同轴电缆1。再有，通过减小氯存在区域52，能够抑制残留的氯对一并镀敷部42的腐蚀，从而能够实现即使长期使用，特性劣化也较少的同轴电缆1。再有，以进入金属线材411彼此之间的方式设置一并镀敷部42，能够提高金属线材411彼此的接合强度，并且一并镀敷部42难以剥离。
(实施方式的总结)
接下来，引用实施方式中的符号等对从以上说明的实施方式掌握的技术思想进行记载。其中，以下记载中的各符号等并不将权利要求书中的构成要素限定于在实施方式中具体示出的部件等。
[1]一种同轴电缆1，具备：导体2；绝缘体3，其覆盖上述导体2的周围；屏蔽层4，其覆盖上述绝缘体3的周围；以及护套5，其覆盖上述屏蔽层4的周围，上述屏蔽层4具有：横绕屏蔽部41，其将在最外层具有镀层411b的多个金属线材411呈螺旋状卷绕于上述绝缘体3的周围而构成；以及一并镀敷部42，其覆盖上述横绕屏蔽部41的周围，由热浸镀形成，在从上述绝缘体3剥离后的上述屏蔽层4的上述绝缘体3侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域51内进行了元素分析时，在上述分析区域51上氯存在的区域亦即氯存在区域52的面积为上述分析区域51的面积的5％以下。
[2]根据[1]所述的同轴电缆1，上述元素分析通过使用了扫描型电子显微镜的能量分散型X射线光谱法来进行。
[3]根据[1]或[2]所述的同轴电缆1，在上述元素分析之后，进行在上述分析区域51内氯存在的区域和氯不存在的区域的二值化处理，根据二值化处理后的图像来求出上述氯存在区域52的面积。
[4]根据[3]所述的同轴电缆1，上述氯存在区域52的面积是上述氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的面积的总和。
[5]一种同轴电缆1，具备：导体2；绝缘体3，其覆盖上述导体2的周围；屏蔽层4，其覆盖上述绝缘体3的周围；以及护套5，其覆盖上述屏蔽层4的周围，上述屏蔽层4具有：横绕屏蔽部41，其将在最外层具有镀层411b的多个金属线材411呈螺旋状卷绕于上述绝缘体3的周围而构成；以及一并镀敷部42，其覆盖上述横绕屏蔽部41的周围，由热浸镀形成，上述屏蔽层4在周向相邻上的上述金属线材411彼此分离的分离部分45，具有在周向上相邻的上述金属线材411彼此由上述一并镀敷部42连结的连结部43，并且，上述屏蔽层4具有上述多个金属线材411未被上述一并镀敷部42覆盖而上述镀层411b露出的内周部分4b，在相邻的上述内周部分4b之间设有上述连结部43。
[6]根据[1]至[5]任一项中所述的同轴电缆1，上述横绕屏蔽部41的上述金属线材411的外径为0.209mm以上且1.020mm以下。
[7]根据[1]至[5]任一项中所述的同轴电缆1，在上述屏蔽层4的至少一部分中，在从电缆径向内侧观察时，构成上述连结部43的上述一并镀敷部42和在上述内周部分4b露出的上述镀层411b在与上述金属线材411的长度方向垂直的方向上交替配置。
[8]根据[1]至[6]任一项中所述的同轴电缆1，在从电缆径向内侧观察时，在上述内周部分4b露出的上述镀层411b的宽度比构成上述连结部43的上述一并镀敷部42的宽度大，上述镀层411b的导电率比上述一并镀敷部42的导电率高，上述镀层411b由银构成，上述一并镀敷部42由锡构成。
[9]根据[1]至[7]任一项中所述的同轴电缆1，上述屏蔽层4具有上述多个金属线材411被上述一并镀敷部42覆盖的外周部分4a，上述外周部分4a在上述多个金属线材411与上述一并镀敷部42之间具有金属间化合物411c。
[10]一种电缆组件10，具备：根据[1]至[9]任一项中所述的同轴电缆1；以及一体地设于上述同轴电缆1的至少一方的端部的终端部件11。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述记载的实施方式并不对权利要求书的发明加以限定。并且，应该注意的是，在实施方式中说明的特征的组合不一定全部是用于解决发明的课题的方案所必需的。
并且，本发明能够在不脱离其主旨的范围内适当地变形来实施。例如，在上述实施方式中，通过使用了SEM的EDX分析进行了元素分析，但元素分析也可以通过其它方法来进行，例如，也能够通过使用了电子探针显微分析仪(Electron Probe Micro Analyzer：EPMA)的分析、使用了俄歇电子能谱法AES(Auger electron spectroscopy)的分析来进行元素分析。

Claims (10)

1.一种同轴电缆，其特征在于，具备：
导体；
绝缘体，其覆盖上述导体的周围；
屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及
护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，
上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，
在从上述绝缘体剥离后的上述屏蔽层的上述绝缘体侧的面中的0.015mm2以上且0.300mm2以下的任意的分析区域内进行了元素分析时，在上述分析区域上氯存在的区域亦即氯存在区域的面积为上述分析区域的面积的5％以下。
2.根据权利要求1所述的同轴电缆，其特征在于，
上述元素分析通过使用了扫描型电子显微镜的能量分散型X射线光谱法来进行。
3.根据权利要求1或2所述的同轴电缆，其特征在于，
在上述元素分析之后，进行在上述分析区域内氯存在的区域和氯不存在的区域的二值化处理，根据二值化处理后的图像来求出上述氯存在区域的面积。
4.根据权利要求3所述的同轴电缆，其特征在于，
上述氯存在区域的面积是上述氯存在的区域内的面积为2μm2以上的区域的面积的总和。
5.一种同轴电缆，其特征在于，具备：
导体；
绝缘体，其覆盖上述导体的周围；
屏蔽层，其覆盖上述绝缘体的周围；以及
护套，其覆盖上述屏蔽层的周围，
上述屏蔽层具有：横绕屏蔽部，其将在最外层具有镀层的多个金属线材呈螺旋状地卷绕于上述绝缘体的周围而构成；以及一并镀敷部，其覆盖上述横绕屏蔽部的周围，由热浸镀形成，
上述屏蔽层在周向上相邻的上述金属线材彼此分离的分离部分，具有在周向上相邻的上述金属线材彼此由上述一并镀敷部连结的连结部，
并且，上述屏蔽层具有上述多个金属线材未被上述一并镀敷部覆盖而上述镀层露出的内周部分，
在相邻的上述内周部分之间设有上述连结部。
6.根据权利要求1至5任一项中所述的同轴电缆，其特征在于，
上述横绕屏蔽部的上述金属线材的外径为0.209mm以上且1.020mm以下。
7.根据权利要求1至5任一项中所述的同轴电缆，其特征在于，
在上述屏蔽层的至少一部分中，在从电缆径向内侧观察时，构成上述连结部的上述一并镀敷部和在上述内周部分露出的上述镀层在与上述金属线材的长度方向垂直的方向上交替配置。
8.根据权利要求1至6任一项中所述的同轴电缆，其特征在于，
在从电缆径向内侧观察时，在上述内周部分露出的上述镀层的宽度比构成上述连结部的上述一并镀敷部的宽度大，
上述镀层的导电率比上述一并镀敷部的导电率高，
上述镀层由银构成，上述一并镀敷部由锡构成。
9.根据权利要求1至7任一项中所述的同轴电缆，其特征在于，
上述屏蔽层具有上述多个金属线材由上述一并镀敷部覆盖的外周部分，上述外周部分在上述多个金属线材与上述一并镀敷部之间具有金属间化合物。
10.一种电缆组件，其特征在于，具备：
权利要求1至9任一项中所述的同轴电缆；以及
一体地设于上述同轴电缆的至少一方的端部的终端部件。
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Applicant after: Bomeilicheng Co.,Ltd.

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Applicant before: HITACHI METALS, Ltd.

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