CN114175222A - 功率半导体模块 - Google Patents

功率半导体模块 Download PDF

Info

Publication number
CN114175222A
CN114175222A CN202080053766.XA CN202080053766A CN114175222A CN 114175222 A CN114175222 A CN 114175222A CN 202080053766 A CN202080053766 A CN 202080053766A CN 114175222 A CN114175222 A CN 114175222A
Authority
CN
China
Prior art keywords
connection
layer
region
hardness
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080053766.XA
Other languages
English (en)
Inventor
柳春雷
F·莫恩
D·托雷辛
E·梅诺蒂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Energy Co ltd
Original Assignee
Hitachi Energy Switzerland AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Energy Switzerland AG filed Critical Hitachi Energy Switzerland AG
Publication of CN114175222A publication Critical patent/CN114175222A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/16—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating with interposition of special material to facilitate connection of the parts, e.g. material for absorbing or producing gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/22—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating taking account of the properties of the materials to be welded
    • B23K20/233—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating taking account of the properties of the materials to be welded without ferrous layer
    • B23K20/2333—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating taking account of the properties of the materials to be welded without ferrous layer one layer being aluminium, magnesium or beryllium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/32—Bonding taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/323—Bonding taking account of the properties of the material involved involving parts made of dissimilar metallic material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
    • B23K35/002—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces at least one of the workpieces being of light metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/001—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces
    • B23K35/007—Interlayers, transition pieces for metallurgical bonding of workpieces at least one of the workpieces being of copper or another noble metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/10—Aluminium or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/12—Copper or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/18—Dissimilar materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8122—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/81224—Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser

Abstract

本发明涉及一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且具有较低硬度的第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将端子(22)连接到基板(12)，其特征在于,在将端子(22)连接到基板(12)之前,该方法包括提供连接层(32)的步骤，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层(32)设置在连接基部区域上，并且其中，表面子层面向连接配合区域。

Description

功率半导体模块
技术领域
本发明涉及一种形成功率半导体模块的方法。本发明还涉及一种功率半导体模块。本发明尤其涉及一种具有端子到基板金属化层的改进连接的功率半导体模块。
背景技术
功率半导体模块在本领域中通常是广为人知的。为了将端子分别连接到诸如基板或基板金属化层的导电结构，存在不同的连接技术。
超声波焊接(USW)是将端子连接到基板金属化层的已知技术，该技术可用于高可靠性和高温功率电子模块。具体地，超声波焊接被广泛用来将由铜制成的端子连接到具有铜金属化层的陶瓷基板。这主要是由于铜端子和铜金属化层二者都是具有低硬度(例如，在约50维氏硬度范围内)的退火铜。
然而，众所周知，功率半导体模块的高级设计需要焊接不同的材料，例如，铜端子到陶瓷基板的铝金属化、或硬铜端子(例如，由CuNiSi制成的压针辅助端子)到具有铜金属化层的陶瓷基板。当使用超声波焊接来连接不同材料时，较硬的材料很可能被压入较软的材料中或使较软的材料变形。
作为替代方案，已知使用激光焊接将端子分别连接到基板或基板金属化层。然而，在考虑这种技术时，在连接不同材料时存在形成脆性金属间相的风险。
因此，在连接不同材料方面可能存在改进空间，尤其是在考虑将端子与基板的基板金属化层连接时。
JP 2009302579描述了半导体芯片的正面电极和引线框架由相同的材料制成，并且引线框架的尖端部分被加工成凸形，并且半导体芯片的相应表面膜和引线框架面向彼此。通过在施加压力的同时进行超声波振动，形成在最外层表面的相同金属相互扩散，并且能够不使用焊料而直接进行金属接合。因此，半导体芯片与引线框架的连接成为焦点。没有描述将端子连接到导电结构的提示。
然而，这个步骤与将端子固定到基板上相比是完全不同的，因为它是一种完全不同的工艺。在这方面，根据现有技术，在半导体电极上进行引线接合的情况下应用最大100mW，并且与此相反，在端子的超声波焊接的情况下应用高达kW的范围。
JP 2008042039 A描述了将布线构件分为用作散热器的电极板和引线框架两部分，并且电极板在与引线框架未接合的状态下钎焊到半导体芯片的主表面。然后，将引线框架的接合端叠加在从电极板的周缘横向延伸的延伸部上，并通过激光焊接、电子束焊接等进行局部加热。
JP 2012039018 A描述了要接合到引线的布线图案的连接部分的一个表面在超声接合之前弯曲成凸形形状并且凸面朝向布线图案。超声波施加装置被压靠在与凸面相反的表面上来施加超声波，从而将引线和布线图案进行超声波接合。
CN 104241209涉及一种用于户外电源的专用电源模块，其作为专用的电源集成模块包括引线框架、控制芯片、热敏电阻、电源芯片、二极管、以及金属线。散热基板位于封装的底部。热敏电阻、功率芯片和二极管焊接在基板上。电源芯片和二极管通过超声波接合连接到引线框架，并且引线框架分布在散热基板的两侧，并且金属线将控制芯片连接到引线框架。
WO 2007/033829涉及一种用于生产功率半导体模块的方法，其中，在接触区域和接触元件之间形成超声波焊接接触形式的接触，用于超声波焊接工艺的超声焊极(sonotrode)还用于将接触区域与接触端组装在一起，并且因此用于将接触部与基部区域组装在一起。
JP 2011061105 A描述了为了在以超声波方式将引线端子连接到基板的焊盘时提供足够的连接强度并抑制焊盘破损的高可靠性连接技术，描述如下。在金属基部和绝缘膜上的焊盘上形成比焊盘和引线端子更硬的涂层。在超声波连接期间，对超声波工具施加超声波，以使镀层破裂，并且镀层两侧的引线端子和焊盘两者通过塑性流动直接彼此连接。
US 2014/021620 A1描述了根据实施例的一种功率器件，包括具有面向第二表面的第一表面、上电极、以及下电极的半导体结构。上电极可以包括在半导体结构的第一表面上的第一接触层以及在第一接触层上并且由含镍(Ni)的金属形成的第一接合焊盘层。下电极可以包括在半导体结构的第二表面下方的第二接触层以及在第二接触层下方并且由含Ni的金属形成的第二接合焊盘层。
然而，上述引用的参考文献仍然给出了改进的空间，特别是在以温和、可靠的方式将端子连接到功率半导体模块中的基板方面。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种至少部分地克服现有技术的至少一个缺点的解决方案。具体地，本发明的一个目的是提供一种将端子可靠且轻柔地连接到基板的解决方案。
这些目的至少部分地通过将端子连接到基板以形成功率半导体模块的方法(该方法具有独立权利要求1的特征)来解决。这些目的还至少部分地通过具有独立权利要求13的特征的功率半导体模块来解决。有利的实施例在从属权利要求、进一步的描述、以及附图中给出，其中，所描述的实施例可以单独或以各个实施例的任何组合提供本发明的特征，只要没有明确排除。
描述了一种将端子连接到基板以形成功率半导体模块的方法，其中，该端子具有由第一材料形成的第一连接区域，并且其中，该基板具有由第二材料形成的第二连接区域，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域或第二连接区域形成连接配合区域，并且具有较低硬度的这种第一连接区域或第二连接区域形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将端子连接到基板，其特征在于，在将端子连接到基板之前，该方法包括提供连接层的步骤，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层设置在连接基部区域上，并且其中，表面子层面向连接配合区域。
与现有技术的解决方案相比，这种方法提供了显着的优势，特别是在分别将端子可靠且牢固地连接到基板或基板金属化层方面。
因此，本发明涉及一种将端子连接到基板以形成功率半导体模块的方法。因此，该方法适用于并且旨在用于在生产功率半导体模块的过程中执行，并且详细地涉及将端子连接到基板，并且因此特别地连接到基板金属化层。
端子通常可以具有L型形式，其下部通过其第一连接区域(例如，焊接区域)连接到基板。本发明意义上的端子可以具有等于或大于600μm(例如，等于或大于1000μm)的厚度以及等于或大于2mm的宽度。此外，连接区域(例如，焊接区域)可以具有等于或大于2mm×2mm的尺寸。端子的横截面可以为矩形，并且L形的两个不同定向部分之间的角度可以是成直角的或大于90°。此外，端子可以是非柔性的。
与端子相比，引线接合部的典型参数包括等于或小于400μm的直径以及等于或小于0.5mm x 1mm的连接区域(例如，焊接区域)。连接区域与相邻部分之间的角度可以是倾斜的(例如，远大于90°)，并且横截面可以为圆形的。此外，引线接合部可以是柔性的(即，可弯曲的)。
此外，关于相对于端子的条带，典型参数包括等于或小于300μm的厚度、等于或大于2mm的宽度、以及等于或小于0.5mm x 2mm的连接区域(例如，焊接区域)。连接区域与相邻部分之间的角度可以是倾斜的(例如，远大于90°)，并且横截面可以为矩形。此外，条带可以是柔性的(即，可弯曲的)。
因此，本发明意义上的连接应意味着将端子分别机械和/或电连接到基板或基板金属化层。
就这点而言，通常，功率半导体模块可以具有本领域已知的功能。例如，应当生产的功率半导体模块包括金属化层，该金属化层适于将应当连接到该金属化层的端子与相应的功率半导体器件电连接。
位于基板金属化层上的也是功率半导体器件。这样的功率半导体器件通常可以如本领域已知的那样形成并且可以分别包括尤其晶体管或开关(例如，MOSFET和/或IGBT)和/或多个功率半导体器件可以包括二极管。功率半导体器件可以分别互连并且因此可以与金属化层电接触(例如，电流接触)。
关于应该相互连接的端子和金属化层，规定端子具有由第一材料形成的第一连接区域，并且基板具有由第二材料形成的第二连接区域，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度。
因此，第一连接区域是端子的旨在连接到基板金属化层的区域，并且相应地，第二连接区域是基板或基板金属化层各自的旨在连接到端子的区域。在许多应用中，是第一连接区域和第二连接区域由不同的材料形成并且因此具有不同的硬度的情况。可能是这样的情况，第一材料、即设置在第一连接区域的该材料具有比第二材料、即设置在第二连接区域的该材料更高的硬度，或者可以规定第二材料具有比第一材料更高的硬度。
根据所描述的方法，规定具有较高硬度的这种第一连接区域或第二连接区域形成连接配合区域，并且具有较低硬度的这种第一连接区域或第二连接区域形成连接基部区域。
事实上，还已知，功率半导体模块的高级设计需要焊接不同的材料。例如，已知将铜基端子连接到陶瓷基板的铝金属化层。此外，可能需要在具有铜金属化层的陶瓷基板上连接硬铜端子(例如，CuNiSi压针辅助端子)。
独立于特定的第一和第二材料，通常希望通过使用超声波焊接或激光焊接将端子连接到基板。这可能是由于已知用于将端子连接到基板以形成可靠和高温的功率电子模块的技术的情况。具体地，超声波焊接广泛用来将例如，由铜制成的端子连接到具有铜金属化层的陶瓷基板。这主要是因为铜端子和铜金属化层都是具有低硬度的退火铜(例如，在约50维氏硬度范围内)。
然而，使用这些焊接技术可能会导致缺点，尤其是在第一材料与第二材料相比具有不同硬度的情况下。当使用超声波焊接连接不同材料时，较硬的材料很可能被压入较软的材料中或使较软的材料变形从而损坏它。
为了克服现有技术的这个缺点并且根据这里描述的方法，规定在将端子连接到基板之前，提供连接层，该连接层具有由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，连接层设置在连接基部区域上，并且其中，表面层面向连接配合区域。
关于连接层，可以规定连接层可以由表面子层构成，或者它可以包括比表面子层更多的层，如下所述。在仅从连接层来说的情况下，在连接层由表面子层构成的情况下，可以规定该术语描述表面子层。
如前所述的提供连接层的这个步骤允许在通过超声波焊接或通过激光焊接将端子连接到导电结构时接触的表面具有相应的硬度，该硬度特别对应于第一材料和第二材料中具有较高硬度的材料。在本发明的意义上，相应的硬度应特别表示相同的硬度或具有相同的硬度和相对于较高硬度值+/-30％的公差。
因此，可以避免根据现有技术可能出现的涉及相应不同硬度的缺点。
因此，尤其可以避免在使用超声波焊接或激光焊接连接不同材料时，较硬的材料容易被压入较软的材料中或使较软的材料变形。因此，可以防止具有较低硬度的材料在连接工艺的过程中被损坏。
继而，可以允许在第一材料和连接层或第二材料和连接层之间的界面处实现非常高质量的冶金接合。
因此，可以实现各个表面的非常可靠的连接，这反过来可以允许功率半导体模块的高工作能力(这可以避免由于低质量接合而造成的损坏)。
除此之外，由于端子分别与基板或基板金属化层之间的稳定、可靠的连接，功率半导体模块可以高安全性地工作。
除此之外，还可以避免超声焊接时陶瓷基板可能的开裂，并且减少甚至缩短金属化间隙。这可能是因为所描述的方法允许端子和基板的温和且有效的连接技术。
可以规定提供连接层的步骤包括冷气喷涂(CGS)的步骤。对于CGS，此工艺是一种涂层沉积方法。固体粉末在超音速气体射流中被加速到高速。在与待涂材料的冲击过程中发生塑性变形并粘附在表面上。根据该方法，例如关于厚度和使用的材料，可以施加特别可靠和自适应的连接层。除此之外，该方法可以独立于相应的第一和第二连接区域的几何形状而执行。
冷气喷涂通常可以独立于第一材料和第二材料使用。
然而，作为非限制性示例，可以规定该实施例结合铜和铝作为第一和第二材料使用。在这方面，高电压功率模块通常优选Al/AlN/Al基板，因为它具有高循环可靠性，并且与活性金属钎焊的Cu/AIN/Cu基板相比，不会出现银离子迁移问题。然而，根据现有技术，在这种Al/AlN/Al基板上焊接铜基端子是非常具有挑战性的。这可能是由于铝金属化层比作为端子材料的铜软得多，因此铜基端子可能被压入铝金属化层中。此外，在这种情况下，基板的陶瓷材料AlN很容易开裂。
因此，冷气喷涂是提供连接层以通过焊接连接铜和铝的非常有效的实施例。
因此，可以通过CGS在选择性区域内的基板的现有铝金属化层上提供额外的铜层，在该区域(即，第二连接区域)内将进行端子接合。通过用连接层保护铝金属化层和陶瓷AlN基板，这种镀铜区域能够使铜端子在铝金属化层上的超声焊接或激光焊接。
还可以规定冷气喷涂可以通过其他方法来交换，例如，多层的选择性激光熔化(SLM)或多层冷气喷涂可用于或在诸如改变层的成分时，使得材料逐渐从铝变为铜。这将在下面更详细地描述。
还可以规定提供连接层的步骤包括金属镀层的步骤。就此而言，金属镀层是一种将金属沉积在导电表面上的表面覆盖工艺。它包括例如，电镀和化学镀。
金属镀层通常可以独立于第一材料和第二材料使用。
然而，作为非限制性示例，可以规定该实施例用于将压装端子连接到基板的金属化层(例如，陶瓷基板的金属化层，特别是铝金属化层或特别是铜金属化层)。
压装端子因其在组装(例如，逆变器组装)期间的高可靠性、耐高温能力、和其简单性而被广泛用于功率模块封装中的辅助端子。然而，压装端子必须是硬铜合金(例如，由CuNiSi制成)，才能在组装期间中形成冶金接合，并且即使在高工作温度下也能保持接触可靠。根据现有技术，压装端子在铜金属化层上的超声波焊接非常具有挑战性，尤其是在辅助端子的接合脚通常很小并且基板的铜金属化层比CuNiSi合金软得多时。
使用镀层允许非常简单的生产过程并且进一步允许形成非常薄的层作为连接层。特别是在本实施例中，可以在铜金属化层上提供连接层，其中，连接层或至少其表面子层由合金(如NiAg合金)或具有层序列Ni/Au或Ni/Cu的多层结构形成，以相对于铜金属化层增加硬度。这允许在焊接期间中在界面处提供更强的摩擦力，从而形成稳定、可靠的冶金接合。
如上所述，例如在压装辅助端子应连接到作为导电结构的基板金属化层的情况下，本方法可以非常有效，因为在这种情况下通常必须将不同的材料焊接在一起。因此，本发明允许形成具有焊接的辅助压装端子的高温和高功率半导体模块。
根据以上所述，可以规定端子是辅助压装端子。在这方面，压装端子被用来实现永久的电气和机械的端子到PCB连接，它可以由不同的材料制成(通常由硬铜合金，即CuNiSi、CuSn合金制成)。
还可以规定提供连接层的步骤包括将预先形成的层接合到连接基部区域上的步骤。这可以通过例如，烧结来完成。
本实施例允许提供具有大厚度的连接层，这可能在应使用苛刻的焊接条件的情况下以及在功率模模块以高功率和高温工作的情况下显示出优势。
作为非约束性示例，根据本实施例可以规定，例如在同一时间并因此在芯片附接的同一工艺步骤中，将具有较小或大厚度的铜板或由铜合金(例如，CuNiSi合金)制成的板烧结在第一连接区域上(例如，在端子上)。这也实现了铜端子在铝金属化层上的超声波焊接以及进一步地包括铜合金的压装端子在铜或铝金属化层上的超声波焊接两者。
因此可以具体地规定，提供连接层的步骤包括将预先形成的层烧结到连接基部区域上的步骤。尤其是关于将预先形成的层烧结到第一连接区域或第二连接区域上，该步骤可以提供耐用且可靠的连接，从而不存在上述优点因提供预先形成的层作为连接层而被抵消的危险。
还可以规定，通过使用超声波焊接将端子连接到基板。已经发现，特别是通过使用超声波焊接，可能会出现这样的问题，根据该问题，相对较软的材料被相对较硬的材料损坏，或者换句话说，相对较硬的材料被压入相对较软的材料中，如上所述。因此，所描述的优点在通过超声焊接将端子连接到基板(并且因此，特别是连接到基板金属化层)的情况下特别有效。
还可以规定，第一材料包括例如铜合金(并且因此，特别是高硬度铜合金)(例如，由铜合金、并且因此特别是高硬度铜合金组成)并且第二材料包括例如铜(并且因此，特别是软铜)(例如，由铜、并且因此特别是软铜组成)，或者第二材料包括例如铜合金(并且因此，特别是高硬度铜合金)(例如，由铜合金、并且因此特别是高硬度铜合金组成)并且第一材料包括例如铜(并且特别是软铜)(例如，由铜、并且特别是软铜组成)。在这方面并且更详细地，可以规定软铜是软退火铜，其硬度在示例而非不限制的50-70HV范围内，其中，该硬度可以根据DIN EN ISO 6507-1:2018至6507-4:2018确定。例如，陶瓷基板的基板金属化层通常由这种软退火铜形成。此外，关于高硬度铜合金，后者可例如具有示例性的而非限制的120-200HV的硬度。它可以包括CuNiSi合金或由CuNiSi合金组成，该合金例如可以是辅助端子(例如，压装端子)中的材料。
还可以规定，第一材料包括铝(例如，由铝组成)并且第二材料包括铜(例如，由铜组成)，或者第一材料包括铜(例如，由铜组成)并且第二材料包括铝(例如，由铝组成)。再次根据本实施例，铜和铝是具有不同硬度的材料，并且因此通过超声波焊接或激光焊接来连接这些材料可能会导致如上所述的问题。因此，同样，本方法在这种情况下可能非常有效。
这样的实施例可以存在，例如，在包括Al/AlN/Al基板的高压功率模块中实现。这种基板对于高压应用可能是优选的，因为它具有高循环可靠性，并且当使用活性金属钎焊(AMB)时可以避免银离子迁移，例如，与铜/陶瓷/铜基板相反。然而，将铜基端子焊接在相对较软的铝金属化层上具有挑战性，因为铜材料可能像上述那样被压入铝金属化层中。
还可以规定，连接层被形成为除了包括表面子层之外还包括基部子层，其中，基部子层被直接邻近连接基部区域放置，使得表面子层包括连接配合区域的材料而基部子层包括连接基部区域的材料。
换言之，表面子层在已附接到连接基部区域(即，附接到具有较低硬度的第一或第二连接区域)之后形成连接层的表面。因此，在连接层已附接到连接基部区域之后，表面子层面向连接配合区域，并且因此面向具有较高硬度的第一或第二连接区域。
这样的布置尤其是在具有多于两层的多层并且因此具有不止基部子层和表面子层时，也可以分别称为多层结构或多层布置。因此，可以直接在两层布置中，或在具有两层以上的布置中逐渐改变其成分，使得端子的第一材料连接到连接层的相同材料，并且相应地，基板金属化层的第二材料连接到连接层的相同材料。因此，材料变化存在于从端子到导电结构进行的方向上。
这样的实施例可以允许端子到基板的特别可靠和稳定的连接。因此，所描述的本发明的优点可以根据本实施例特别显著。
因此可以规定，连接层将其成分连续地从第一材料改变为第二材料。
还可以规定，连接层连续地设置在基板金属化层上和基板与基板金属化层相邻的主体上。因此，根据本实施例，提供了连续的连接层，该连接层既位于基板上(即，位于基板主体上)又位于基板金属化层上。这可以例如通过CGS或SLM来执行。根据本实施例，端子可以至少部分地(例如，完全地)位于金属化层旁边并且因此至少部分或完全地位于基板主体上。然而，由于连续的连接层，用于将电流或信号从端子传输到金属化层的连接仍然是可行的。
本实施例允许提供不具有下面的软层(例如，铝层)的端子。这可以拓宽超声波焊接或激光焊接的工艺窗口。进而，可以提供端子到导电结构的特别可靠的连接。因此，所描述的本发明的优点可以根据本实施例特别显著。
关于本方法的进一步的优点和技术特征，参见功率半导体模块、附图、和进一步的描述。
进一步描述了一种功率半导体模块，包括用于接触功率半导体器件并用于接触端子的基板金属化层，并且包括用于放置在基板金属化层上的端子，其中，端子具有由第一材料形成的第一连接区域，并且其中，基板具有由第二材料形成的第二连接区域，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度，并且其中，端子通过其第一连接区域并通过基板的第二连接区域连接到基板，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域或第二连接区域形成连接配合区域，并且具有较低硬度的该第一连接区域或第二连接区域形成连接基部区域，其特征在于，连接层设置在第一连接区域和第二连接区域之间，其中，连接层具有表面子层，该表面子层由硬度与连接配合区域的硬度对应的材料形成，其中，表面层面向连接配合区域。
端子优选地是辅助压装端子。这种端子通常由高硬度铜合金(例如，CuNiSi)制成，而基板金属化层通常由非常软的退火铜制成。特别是在通过超声波焊接或激光焊接连接这些部件时，可能会导致较软的材料，即金属化层或基板主体由于裂开而损坏。
这种功率半导体模块提供了相对于现有技术的、针对本方法详细描述的显著优势。综上所述，通过提供连接层，可以生产出功率半导体模块，而不具有在超声波焊接或激光焊接过程中损坏较软的材料的危险。相反，可以在端子和导电结构之间提供非常稳定、可靠的电连接，进而允许功率半导体模块的安全、可靠、和高性能的工作行为。
综上所述，本发明解决了一个重要目标，即如何将不同硬度的两种不同材料焊接在一起从而允许实现先进的功率模块设计。
关于功率半导体模块的进一步的优点和技术特点，参见本方法、附图、以及进一步说明。
附图说明
本发明的这些和其他方面将从下文描述的实施例中变得明显并且将参考下文来说明。实施例中公开的各个特征单独或组合构成本发明的一个方面。不同实施例的特征可以从一个实施例转移到另一实施例。
在附图中：
图1示出了根据本发明的功率半导体模块的第一实施例的部分分解的截面侧视图；
图2示出了根据本发明的功率半导体模块的第二实施例的部分分解的截面侧视图；以及
图3示出了根据本发明的功率半导体模块的第三实施例的部分分解的截面侧视图。
具体实施方式
图1示出了功率半导体模块10。功率半导体模块10包括基板12，基板12具有由陶瓷(例如，氮化铝)形成的基板主体14和基板金属化层16，基板金属化层16可以由铜(例如，退火软铜)形成。此外，基板主体14通过另外的铜层20连接到底板18，其中，层20可以被描述为底部金属化层。因此，这样的基板12分别是Cu/陶瓷/Cu基板或Cu/AlN/Cu基板。
基板金属化层16形成导电结构并且尤其用于将同样地未示出的功率半导体器件与诸如电源端子24和辅助端子26的端子22连接。端子22(并且尤其是辅助端子26)可以由硬铜合金(例如，CuNiSi)形成。
进一步示出了每个端子22包括由第一材料形成的第一连接区域28，并且基板12具有由第二材料形成的第二连接区域30，其中，第一材料具有第一硬度，并且其中，第二材料具有第二硬度，其中，第一硬度不同于第二硬度。
这主要是由于用于端子22和基板金属化层16的上述材料。
为了将端子22连接到基板12(即，基板金属化层16)，规定使用超声波焊接或激光焊接。由于各个连接区域28、30由不同的材料形成，这可能由于焊接步骤而导致缺点，因此通过连接层32来将端子22连接到基板12。
更详细地，规定通过使用超声波焊接或激光焊接将端子22(并且根据图1的实施例，尤其是辅助压装端子26)连接到基板12。在这方面，示出了焊接工具34，例如超声焊极。
进一步地，在将端子22连接到基板12之前，设置连接层32。连接层32具有表面子层，在图中表面子层是连接层32的唯一层。连接层32由具有与连接配合区域(即，具有较高硬度的连接区域28、30)的硬度对应的硬度的材料形成。连接层32设置在连接基部区域(即，具有较低硬度的连接区域28、30，在图1中，具有较低硬度的区域是第二连接区域30)上。因此，连接层32的材料及因此其硬度对应于辅助端子26的铜合金的硬度。
因此，连接层32设置在第二连接区域30上，其中，连接层32由具有与第一材料(即，辅助端子26的铜合金)的硬度对应的硬度的材料形成。
连接层32的设置可以至少包括冷气喷涂、金属镀层、和将预先形成的层接合到第二连接区域30上的步骤中的一个。
在图2中，示出了另一个实施例，其中与图2相比，相同或相当的组件由相同的附图标记定义。
根据图2，与图1相比，通常同样适用。
然而，根据图2，基板是Al/陶瓷/AlN基板，或者更详细地说是Al/AlN/Al基板。因此，规定功率半导体模块10包括基板12，基板12具有可由氮化铝形成的基板主体14和基板金属化层16，基板金属化层16可由铝形成。此外，基板主体14通过作为层20并因此作为底部金属化层的另一铝层连接到底板18。
因此，为了实现端子22到基板12的超声波焊接，再次在第二连接层30上设置相应的连接层32。
然而，由于基板金属化层16由铝形成，因此通过使用超声波焊接在电源端子24和基板12之间还设置了连接层32，此外，电源端子的铝和铜的组合也可能导致问题。
连接层32设置在第二连接区域30上，其中，连接层32由具有与第一材料(即，辅助端子26的铜合金或电源端子的铜)的硬度对应的硬度的材料形成。
在图3中，示出了另一个实施例，其中与图3相比，相同或可比较的组件由相同的附图标记定义。
根据图3，与图2相比，基板是Al/陶瓷/AlN基板，或者更详细地说是Al/AlN/Al基板。因此，规定功率半导体模块10包括基板12，基板12具有可由氮化铝形成的基板主体14和基板金属化层16，基板金属化层16可由铝形成。此外，基板主体14通过作为层20并因此作为底部金属化层的另一铝层连接到底板18。
因此，为了实现端子22到基板12的超声波焊接，再次在第二连接层30上设置相应的连接层32。
然而，由于基板金属化层16由铝形成，因此在电源端子24和基板12之间还设置有连接层32，因为使用超声波焊接，此外，电源端子的铝和铜的组合也可能导致问题。
连接层32设置在第二连接区域30上，其中，连接层32由具有与第一材料(即，辅助端子26的铜合金或电源端子的铜各自)的硬度对应的硬度的材料形成。
然而，除了图1和图2以外，还规定连接层32连续设置在金属化层16上并且连续地设置在与基板金属化层相邻的基板主体14上。例如，这可以通过CGS或SLM实现。
尽管本发明已在附图和前面的描述中详细说明和描述，但这种说明和描述应被认为是说明性或示例性的，而不是限制性的；本发明不限于所公开的实施例。通过对附图、本公开、和所附权利要求的研究，本领域技术人员在实践要求保护的发明时可以理解和实现作为将公开的实施例的其他变型。在权利要求中，“包括”一词不排除其他元件或步骤，并且不定冠词“一”或“一个”不排除复数。在相互不同的从属权利要求中列举了某些措施这一事实并不表明这些措施的组合不能有利地使用。权利要求中的任何参考符号不应被解释为限制范围。
参考符号列表
10 功率半导体模块
12 基板
14 主体
16 金属化层
18 底板
20 层
22 端子
24 电源端子
26 辅助端子
28 第一连接区域
30 第二连接区域
32 连接层
34 焊接工具

Claims (14)

1.一种将端子(22)连接到基板(12)以形成功率半导体模块(10)的方法，其中，所述端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，所述基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，所述第一材料具有第一硬度，并且其中，所述第二材料具有第二硬度，其中，所述第一硬度不同于所述第二硬度，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且，具有较低硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，并且其中，通过使用超声波焊接或激光焊接将所述端子(22)连接到所述基板(12)，其特征在于，在将所述端子(22)连接到所述基板(12)之前，所述方法包括提供连接层(32)的步骤，所述连接层具有由硬度与所述连接配合区域的硬度对应的材料形成的表面子层，其中，所述连接层(32)设置在所述连接基部区域上，并且其中，所述表面子层面向所述连接配合区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括冷气喷涂或选择性激光熔化的步骤。
3.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括金属镀层的步骤。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括将预先形成的层接合到所述连接基部区域上的步骤。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述提供连接层(32)的步骤包括将预先形成的层烧结到所述连接基部区域上的步骤。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述端子(22)通过使用超声焊接连接到所述基板(12)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括铜合金并且所述第二材料包括铜，或者其特征在于，所述第一材料包括铜并且所述第二材料包括铜合金。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料包括铝并且所述第二材料包括铜，或者其特征在于，所述第一材料包括铜并且所述第二材料包括铝。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述端子(22)是压装辅助端子(26)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，将所述连接层(32)形成为除了所述表面子层之外还包括基部子层，其中，所述基部子层与所述连接基部区域直接相邻地放置，使得所述表面子层包括所述连接配合区域的材料并且所述基部子层包括所述连接基部区域的材料。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述连接层(32)从所述第一材料到所述第二材料连续地改变其成分。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述连接层(32)连续设置在金属化层(16)上并且连续地设置在所述基板(12)的与所述金属化层(16)相邻的主体(14)上。
13.一种功率半导体模块(10)，包括用于接触功率半导体器件且用于接触端子(22)的基板金属化层(16)，并且包括用于放置在所述基板金属化层(16)上的端子(22)，其中，所述端子(22)具有由第一材料形成的第一连接区域(28)，并且其中，所述基板(12)具有由第二材料形成的第二连接区域(30)，其中，所述第一材料具有第一硬度，并且其中，所述第二材料具有第二硬度，其中，所述第一硬度不同于所述第二硬度，并且其中，所述端子(22)通过其第一连接区域(28)并通过所述基板(12)的第二连接区域(30)连接到所述基板，其中，具有较高硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接配合区域，并且具有较低硬度的这种第一连接区域(28)或第二连接区域(30)形成连接基部区域，其特征在于，在所述第一连接区域(28)和所述第二连接区域(30)之间设置有连接层(32)，其中，所述连接层(32)具有表面子层，所述表面子层由硬度与所述连接配合区域的硬度对应的材料形成，其中，所述表面层面向所述连接配合区域。
14.根据权利要求13所述的功率半导体模块(10)，其特征在于，所述端子(22)为压装辅助端子(22)。
CN202080053766.XA 2019-07-25 2020-07-24 功率半导体模块 Pending CN114175222A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19188374 2019-07-25
EP19188374.3 2019-07-25
PCT/EP2020/071018 WO2021014007A1 (en) 2019-07-25 2020-07-24 Power semiconductor module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114175222A true CN114175222A (zh) 2022-03-11

Family

ID=67438912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080053766.XA Pending CN114175222A (zh) 2019-07-25 2020-07-24 功率半导体模块

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7432075B2 (zh)
CN (1) CN114175222A (zh)
DE (1) DE112020003541T5 (zh)
WO (1) WO2021014007A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005045100A1 (de) 2005-09-21 2007-03-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls
JP4984730B2 (ja) 2006-08-09 2012-07-25 富士電機株式会社 半導体装置
JP2011061105A (ja) 2009-09-14 2011-03-24 Hitachi Automotive Systems Ltd 接続構造、パワーモジュール及びその製造方法
JP2009302579A (ja) 2009-09-28 2009-12-24 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP5433526B2 (ja) 2010-08-11 2014-03-05 株式会社日立製作所 電子機器とその製造方法
KR101998340B1 (ko) 2012-07-18 2019-07-09 삼성전자주식회사 전력 소자 모듈 및 그 제조 방법
DE102014109183A1 (de) 2014-07-01 2016-01-21 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers und zum Verbinden eines elektrischen Leiters mit einer Metallisierungsschicht eines Schaltungsträgers
CN104241209A (zh) 2014-10-02 2014-12-24 湖南德海通信设备制造有限公司 一种室外用电源专用功率模块
CN107615464B (zh) * 2015-06-11 2020-03-17 三菱电机株式会社 电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2021014007A1 (en) 2021-01-28
JP7432075B2 (ja) 2024-02-16
JP2022541325A (ja) 2022-09-22
DE112020003541T5 (de) 2022-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107615464B (zh) 电力用半导体装置的制造方法以及电力用半导体装置
JP4262672B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5011562B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US11114780B2 (en) Electronic module with an electrically conductive press-fit terminal having a press-fit section
JP2011253950A (ja) 電力半導体装置
JP3627591B2 (ja) パワー半導体モジュールの製造方法
JPH11214430A (ja) 配線基板及びその製造方法
US7911041B2 (en) Semiconductor device with gold coatings, and process for producing it
US20210082868A1 (en) Method of joining a surface-mount component to a substrate with solder that has been temporarily secured
JP2018517302A (ja) クリップシフトを低減させつつ半導体ダイを取り付けるための導電性クリップを具備するリードフレーム
JP6129090B2 (ja) パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法
JP6091443B2 (ja) 半導体モジュール
JP7432075B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP5755601B2 (ja) パワーモジュールおよびその製造方法
JP6011410B2 (ja) 半導体装置用接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP3199028B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4012527B2 (ja) 電子部品の製造方法
US20220246577A1 (en) Power Semiconductor Module and Method of Forming the Same
JP5151837B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20170323801A1 (en) Method of generating a power semiconductor module
JP2002184925A (ja) 半導体モジュール用リード端子部材とその製造方法、およびそれを用いた半導体モジュール
JP2007142054A (ja) シールカバーおよびその製造方法
JP2007317761A (ja) 半導体装置
JP2009049174A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2006295074A (ja) 半導体装置用パッケージの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20240110

Address after: Zurich, SUI

Applicant after: Hitachi Energy Co.,Ltd.

Address before: Swiss Baden

Applicant before: Hitachi energy Switzerland AG

TA01 Transfer of patent application right