CN114113974A - 芯片系统级测试方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种芯片系统级测试方法，包括：依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。本发明提供的芯片系统级测试方法及装置，能够使芯片在测试环境下和使用环境下工作在同一个电压频率曲特性曲线上，提高测试的涵盖范围。

Description

芯片系统级测试方法及装置

技术领域

本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种芯片系统级测试方法及装置。

背景技术

随着半导体设计复杂程度以及制造工艺提升，超高集成度超高性能以及超高功耗芯片也越来越成为主流，芯片应用和测试的硬件设计也越来越复杂，针对芯片系统级测试System Level Test(简称SLT)要求和品质也带来巨大的挑战。

目前系统测试SLT采用通用硬件主板设计，一般采用插槽式(简称socket)设计来连接芯片与主板，测试中依据每颗芯片特性曲线规律和设计规范定义的电压和频率进行测试。在客户平台则根据实际需求采用定制化主板设计，同时芯片一般都是通过焊接方式连接在主板，应用程序和服务采用与SLT测试中同样条件运行。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：

芯片与主板连接方式的不同或者测试用主板等硬件设计的不同，会导致芯片在同等负载条件下表现出电压或者频率等特性参数的差异，这些差异会成为测试中的盲点，导致测试涵盖范围不足。

发明内容

本发明提供的芯片系统级测试方法及装置，能够使芯片在测试环境下和使用环境下工作在同一个电压频率曲特性曲线上，提高测试的涵盖范围。

第一方面，本发明提供一种芯片系统级测试方法，包括：

依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；

依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；

采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。

可选地，依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线包括：

将芯片通过焊接的方式安装在主板上，并获取所述芯片的第一电压和第一频率的对应关系，将第一电压和第一频率的对应关系拟合为第一预定环境下的电压频率特性曲线；

将芯片通过插槽连接的方式安装在主板上，并获取所述芯片的第二电压和第二频率的对应关系，将第二电压和第二频率的对应关系拟合为第二预定环境下的电压频率特性曲线。

可选地，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据包括：

获取所述第二预定环境下的电压频率特性曲线和所述第一预定环境下的电压频率特性曲线在同频率下的电压差值；

依据所述电压差值和对应的频率，确定所述电压差值基于所述频率的变化趋势曲线。

可选地，依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值包括：

确定当前测试的目标频率，在所述变化趋势曲线上搜索与所述目标频率对应的目标点；

依据所述目标点，确定对应的电压补偿值。

可选地，采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿包括：

将所述电压补偿值转换为二进制的熔丝值；

将所述熔丝值软写入所述芯片，以使所述熔丝值作为配置参数存储在所述芯片上；

对存储有熔丝值的所述芯片进行测试。

第二方面，本发明提供一种芯片系统级测试装置，包括：

原始数据模块，用于依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；

补偿数据模块，用于依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；

电压补偿模块，用于采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。

可选地，原始数据模块包括：

第一拟合单元，用于获取所述芯片的第一电压和第一频率的对应关系，将第一电压和第一频率的对应关系拟合为第一预定环境下的电压频率特性曲线；其中，所述芯片通过焊接的方式安装在主板上；

第二拟合单元，用于获取所述芯片的第二电压和第二频率的对应关系，将第二电压和第二频率的对应关系拟合为第二预定环境下的电压频率特性曲线；其中，所述芯片通过插槽连接的方式安装在主板上。

可选地，原始数据模块包括：

差值获取单元，用于获取所述第二预定环境下的电压频率特性曲线和所述第一预定环境下的电压频率特性曲线在同频率下的电压差值；

曲线拟合单元，用于依据所述电压差值和对应的频率，确定所述电压差值基于所述频率的变化趋势曲线。

可选地，补偿数据模块包括：

目标频率单元，用于确定当前测试的目标频率，在所述变化趋势曲线上搜索与所述目标频率对应的目标点；

电压确定单元，用于依据所述目标点，确定对应的电压补偿值。

可选地，电压补偿模块包括：

转换单元，用于将所述电压补偿值转换为二进制的熔丝值；

写入单元，用于将所述熔丝值软写入所述芯片，以使所述熔丝值作为配置参数存储在所述芯片上；

测试单元，用于对存储有熔丝值的所述芯片进行测试。

在本发明提供的技术方案中，通过对第一预定环境和第二预定环境下曲线进行获取，得到了第二预定环境相对于第一预定环境的原始补偿数据，再通过原始补偿数据的转换，转换为芯片内部的补偿电压，在测试过程中对芯片内部的电压进行补偿，使芯片内部电压频率特性曲线与使用过程中的电压频率特性曲线一致。从而，能够提高测试过程中的覆盖范围，避免在测试过程中出现盲点。

附图说明

图1为本发明一实施例芯片系统级测试方法的流程图；

图2为本发明另一实施例芯片系统级测试方法中得到电压频率特性曲线的流程图；

图3为本发明另一实施例芯片系统级测试方法中得到电压差值的变化趋势曲线的流程图；

图4为本发明另一实施例芯片系统级测试方法在一个预定的频率点值下获取的电压差值的示意图；

图5为本发明另一实施例芯片系统级测试方法的电压补偿值获取流程图；

图6为本发明另一实施例芯片系统级测试方法的完成电压补偿并进行测试的流程图；

图7为本发明一实施例芯片系统级测试装置的示意图；

图8为本发明另一实施例芯片系统级测试装置的原始数据模块的示意图；

图9为本发明另一实施例芯片系统级测试装置的原始数据模块的示意图；

图10为本发明另一实施例芯片系统级测试装置的补偿数据模块的示意图；

图11为本发明另一实施例芯片系统级测试装置的电压补偿模块的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种芯片系统级测试方法，如图1所示，包括：

步骤100，依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；

在一些实施例中，第一预定环境例如可以为目标客户的使用环境，第二预定环境例如可以为当前的测试环境。第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据是指第二预定环境的电压频率特性曲线与第一预定环境的电压频率特性曲线的差值。

步骤200，依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；

在一些实施例中，由于原始补偿数据中的差值是随频率或者电压的变化而变化的值，因为，在对不同的目标测试频率进行测试时，所需的补偿值时不同的，因此，在本步骤中，利用原始补偿数据和目标测试频率，确定目标测试频率对应的原始补偿数据的点值作为电压补偿值。

步骤300，采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。

在一些实施例中，在获取电压补偿值之后，配置芯片的配置参数，将电压补偿值写入到芯片的配置中，在测试过程中，测试主板向芯片提供测试电压，再经过电压补偿值对测试电压进行补偿之后，得到芯片的工作电压，从而使芯片在工作电压下进行测试。

在本实施例提供的技术方案中，通过对第一预定环境和第二预定环境下曲线进行获取，得到了第二预定环境相对于第一预定环境的原始补偿数据，再通过原始补偿数据的转换，转换为芯片内部的补偿电压，在测试过程中对芯片内部的电压进行补偿，使芯片内部电压频率特性曲线与使用过程中的电压频率特性曲线一致。从而，能够提高测试过程中的覆盖范围，避免在测试过程中出现盲点。

作为一种可选的实施方式，如图2所示，步骤100包括：

步骤110，将芯片通过焊接的方式安装在主板上，并获取所述芯片的第一电压和第一频率的对应关系，将第一电压和第一频率的对应关系拟合为第一预定环境下的电压频率特性曲线；

在一些实施例中，由于用户在使用过程中通常是将芯片焊接在主板上的，因此，在本步骤中，将芯片焊接在主板上，再获取第一预定环境下的电压频率特性曲线，从而，使第一预定环境获得的电压频率特性曲线与用户的使用过程中的电压频率特性曲线相同。

步骤120，将芯片通过插槽连接的方式安装在主板上，并获取所述芯片的第二电压和第二频率的对应关系，将第二电压和第二频率的对应关系拟合为第二预定环境下的电压频率特性曲线。

在一些实施例中，由于测试过程中的芯片通常是通过插槽连接的，因此，在本步骤中，将芯片通过插槽连接的方式安装在主板上，再获取第第二预定环境下的电压频率特性曲线，从而，使得第二预定环境获得的电压频率特性曲线与测试过程中的芯片内部的电压频率特性曲线相同。

在本实施方式中，将第一预定环境和第二预定环境分别对应于测试状态和使用状态的芯片连接方式，从而，获得不同环境下的电压频率特性曲线，为后续的补偿工作提供了基础。

作为一种可选的实施方式，如图3所示，步骤100包括：

步骤130，获取所述第二预定环境下的电压频率特性曲线和所述第一预定环境下的电压频率特性曲线在同频率下的电压差值；

在一些实施例中，预先选取大量的频率点值，然后，在每一个频率点值下，获取第一预定环境下的电压频率特性曲线与第二预定环境下的电压频率特性曲线的电压差值。如图4所示，示出了在一个预定的频率点值下获取的电压差值。

步骤140，依据所述电压差值和对应的频率，确定所述电压差值基于所述频率的变化趋势曲线。

在一些实施例中，由于步骤130中获取了多对频率点值与对应的电压差值，将多个频率点值与电压差值的进行拟合，形成一个曲线，从而可以获得连续变化的频率点值下对应的连续变化的电压差值，以便于获取准确的电压补偿值。

在本实施方式中，通过获取多个对应的频率点值与电压差值，再进行曲线拟合，能够获频率点值与电压差值的连续对应关系，从而，能够获得对应范围内任何频率点值下的电压差值，有利于获取电压补偿值。

作为一种可选的实施方式，如图5所示，步骤200包括：

步骤210，确定当前测试的目标频率，在所述变化趋势曲线上搜索与所述目标频率对应的目标点；

在一些实施例中，在当前测试的条件是以一个频率点值为目标频率进行测试时，将该目标频率在前述的变化趋势曲线上找到对应的点。尽管目标频率可能与前述步骤130中的多个频率点值不重合，但是由于变化趋势曲线的存在，仍能够找到与目标频率对应的点值。

步骤220，依据所述目标点，确定对应的电压补偿值。

在一些实施例中，在获取到对应的目标点后，该点对应的电压补偿值具有唯一确定性，可以通过目标点获取唯一的电压补偿值，以用于后续测试过程中的电压补偿。

在本实施方式中，通过在变化趋势曲线上进行目标频率的搜索，确定变化趋势曲线上的唯一的点，再通过该唯一的点，来确定唯一的电压补偿值，以便于后续测试过程中的电压补偿。尽管目标频率可能与前述步骤130中的多个频率点值不重合，但是由于变化趋势曲线的是连续存在的曲线，因此，仍能够找到与目标频率对应的点值。

作为一种可选的实施方式，如图6所示，步骤300包括：

步骤310，将所述电压补偿值转换为二进制的熔丝值；

在一些实施例中，熔丝值是写入到芯片中的一种配置参数，在本步骤中，将电压补偿值转换为二进制的熔丝值，以便于后续将其写入到芯片中作为配置参数。

步骤320，将所述熔丝值软写入所述芯片，以使所述熔丝值作为配置参数存储在所述芯片上；

在一些实施方式中，将熔丝值作为配置参数写入到芯片中，在测试过程中，熔丝值能够使得芯片在内部对电压进行补偿，从而，使芯片工作在补偿后的电压下。

步骤330，对存储有熔丝值的所述芯片进行测试。

在一些实施例中，在完成芯片配置后，将芯片在测试环境下对芯片进行测试，由于芯片内部会对芯片的工作电压进行补偿，因此，在测试过程中，芯片工作遵循的电压频率特性曲线与芯片在使用过程中的电压频率特性曲线一致。

在本实施方式中，对芯片中写入配置参数，从而，使芯片在测试环境下工作遵循的电压频率特性曲线与芯片在使用过程中的电压频率特性曲线一致。在本实施方式中，以熔丝值作为配置参数，通过联合测试工作组协议中的软写入方式进行写入，能够灵活的配置补偿电压。同时，在配置参数的过程中，可以配置多个目标频率对应的补偿电压，以便在测试过程中灵活的选取。

本发明实施例还提供一种芯片系统级测试装置，如图7所示，包括：

原始数据模块，用于依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；

在一些实施例中，第一预定环境例如可以为目标客户的使用环境，第二预定环境例如可以为当前的测试环境。第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据是指第二预定环境的电压频率特性曲线与第一预定环境的电压频率特性曲线的差值。

补偿数据模块，用于依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；

在一些实施例中，由于原始补偿数据中的差值是随频率或者电压的变化而变化的值，因为，在对不同的目标测试频率进行测试时，所需的补偿值时不同的，因此，在本步骤中，利用原始补偿数据和目标测试频率，确定目标测试频率对应的原始补偿数据的点值作为电压补偿值。

电压补偿模块，用于采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。

在一些实施例中，在获取电压补偿值之后，配置芯片的配置参数，将电压补偿值写入到芯片的配置中，在测试过程中，测试主板向芯片提供测试电压，再经过电压补偿值对测试电压进行补偿之后，得到芯片的工作电压，从而使芯片在工作电压下进行测试。

在本实施例提供的技术方案中，通过对第一预定环境和第二预定环境下曲线进行获取，得到了第二预定环境相对于第一预定环境的原始补偿数据，再通过原始补偿数据的转换，转换为芯片内部的补偿电压，在测试过程中对芯片内部的电压进行补偿，使芯片内部电压频率特性曲线与使用过程中的电压频率特性曲线一致。从而，能够提高测试过程中的覆盖范围，避免在测试过程中出现盲点。

作为一种可选的实施方式，如图8所示，原始数据模块包括：

第一拟合单元，用于获取所述芯片的第一电压和第一频率的对应关系，将第一电压和第一频率的对应关系拟合为第一预定环境下的电压频率特性曲线；其中，所述芯片通过焊接的方式安装在主板上；

在一些实施例中，由于用户在使用过程中通常是将芯片焊接在主板上的，因此，在本步骤中，将芯片焊接在主板上，再获取第一预定环境下的电压频率特性曲线，从而，使第一预定环境获得的电压频率特性曲线与用户的使用过程中的电压频率特性曲线相同。

第二拟合单元，用于获取所述芯片的第二电压和第二频率的对应关系，将第二电压和第二频率的对应关系拟合为第二预定环境下的电压频率特性曲线；其中，所述芯片通过插槽连接的方式安装在主板上。

在一些实施例中，由于测试过程中的芯片通常是通过插槽连接的，因此，在本步骤中，将芯片通过插槽连接的方式安装在主板上，再获取第第二预定环境下的电压频率特性曲线，从而，使得第二预定环境获得的电压频率特性曲线与测试过程中的芯片内部的电压频率特性曲线相同。

在本实施方式中，将第一预定环境和第二预定环境分别对应于测试状态和使用状态的芯片连接方式，从而，获得不同环境下的电压频率特性曲线，为后续的补偿工作提供了基础。

作为一种可选的实施方式，如图9所示，原始数据模块包括：

差值获取单元，用于获取所述第二预定环境下的电压频率特性曲线和所述第一预定环境下的电压频率特性曲线在同频率下的电压差值；

在一些实施例中，预先选取大量的频率点值，然后，在每一个频率点值下，获取第一预定环境下的电压频率特性曲线与第二预定环境下的电压频率特性曲线的电压差值。如图4所示，示出了在一个预定的频率点值下获取的电压差值。

曲线拟合单元，用于依据所述电压差值和对应的频率，确定所述电压差值基于所述频率的变化趋势曲线。

在一些实施例中，由于差值获取单元中获取了多对频率点值与对应的电压差值，将多个频率点值与电压差值的进行拟合，形成一个曲线，从而可以获得连续变化的频率点值下对应的连续变化的电压差值，以便于获取准确的电压补偿值。

在本实施方式中，通过获取多个对应的频率点值与电压差值，再进行曲线拟合，能够获频率点值与电压差值的连续对应关系，从而，能够获得对应范围内任何频率点值下的电压差值，有利于获取电压补偿值。

作为一种可选的实施方式，如图10所示，补偿数据模块包括：

目标频率单元，用于确定当前测试的目标频率，在所述变化趋势曲线上搜索与所述目标频率对应的目标点；

在一些实施例中，在当前测试的条件是以一个频率点值为目标频率进行测试时，将该目标频率在前述的变化趋势曲线上找到对应的点。尽管目标频率可能与前述差值获取单元中的多个频率点值不重合，但是由于变化趋势曲线的存在，仍能够找到与目标频率对应的点值。

电压确定单元，用于依据所述目标点，确定对应的电压补偿值。

在一些实施例中，在获取到对应的目标点后，该点对应的电压补偿值具有唯一确定性，可以通过目标点获取唯一的电压补偿值，以用于后续测试过程中的电压补偿。

在本实施方式中，通过在变化趋势曲线上进行目标频率的搜索，确定变化趋势曲线上的唯一的点，再通过该唯一的点，来确定唯一的电压补偿值，以便于后续测试过程中的电压补偿。尽管目标频率可能与前述步骤130中的多个频率点值不重合，但是由于变化趋势曲线的是连续存在的曲线，因此，仍能够找到与目标频率对应的点值。

作为一种可选的实施方式，如图11所示，电压补偿模块包括：

转换单元，用于将所述电压补偿值转换为二进制的熔丝值；

在一些实施例中，熔丝值是写入到芯片中的一种配置参数，在本步骤中，将电压补偿值转换为二进制的熔丝值，以便于后续将其写入到芯片中作为配置参数。

写入单元，用于将所述熔丝值软写入所述芯片，以使所述熔丝值作为配置参数存储在所述芯片上；

在一些实施方式中，将熔丝值作为配置参数写入到芯片中，在测试过程中，熔丝值能够使得芯片在内部对电压进行补偿，从而，使芯片工作在补偿后的电压下。

测试单元，用于对存储有熔丝值的所述芯片进行测试。

在一些实施例中，在完成芯片配置后，将芯片在测试环境下对芯片进行测试，由于芯片内部会对芯片的工作电压进行补偿，因此，在测试过程中，芯片工作遵循的电压频率特性曲线与芯片在使用过程中的电压频率特性曲线一致。

在本实施方式中，对芯片中写入配置参数，从而，使芯片在测试环境下工作遵循的电压频率特性曲线与芯片在使用过程中的电压频率特性曲线一致。在本实施方式中，以熔丝值作为配置参数，通过联合测试工作组协议中的软写入方式进行写入，能够灵活的配置补偿电压。同时，在配置参数的过程中，可以配置多个目标频率对应的补偿电压，以便在测试过程中灵活的选取。

本领域普通技术人员可以理解实现上述方法实施例中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory，ROM)或随机存储记忆体(Random AccessMemory，RAM)等。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种芯片系统级测试方法，其特征在于，包括：

依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；

依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；

采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。

2.根据权利要求1所述芯片系统级测试方法，其特征在于，依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线包括：

将芯片通过焊接的方式安装在主板上，并获取所述芯片的第一电压和第一频率的对应关系，将第一电压和第一频率的对应关系拟合为第一预定环境下的电压频率特性曲线；

将芯片通过插槽连接的方式安装在主板上，并获取所述芯片的第二电压和第二频率的对应关系，将第二电压和第二频率的对应关系拟合为第二预定环境下的电压频率特性曲线。

3.根据权利要求2所述芯片系统级测试方法，其特征在于，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据包括：

获取所述第二预定环境下的电压频率特性曲线和所述第一预定环境下的电压频率特性曲线在同频率下的电压差值；

依据所述电压差值和对应的频率，确定所述电压差值基于所述频率的变化趋势曲线。

4.根据权利要求3所述芯片系统级测试方法，其特征在于，依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值包括：

确定当前测试的目标频率，在所述变化趋势曲线上搜索与所述目标频率对应的目标点；

依据所述目标点，确定对应的电压补偿值。

5.根据权利要求1所述芯片系统级测试方法，其特征在于，采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿包括：

将所述电压补偿值转换为二进制的熔丝值；

将所述熔丝值软写入所述芯片，以使所述熔丝值作为配置参数存储在所述芯片上；

对存储有熔丝值的所述芯片进行测试。

6.一种芯片系统级测试装置，其特征在于，包括：

原始数据模块，用于依据芯片在第一预定环境和第二预定环境下的电压频率特性曲线，确定芯片在第二预定环境相对于第一预定环境所需的原始补偿数据；

补偿数据模块，用于依据所述原始补偿数据以及目标测试频率，确定芯片内的电压补偿值；

电压补偿模块，用于采用所述电压补偿值对测试电压进行补偿。

7.根据权利要求1所述芯片系统级测试装置，其特征在于，原始数据模块包括：

第一拟合单元，用于获取所述芯片的第一电压和第一频率的对应关系，将第一电压和第一频率的对应关系拟合为第一预定环境下的电压频率特性曲线；其中，所述芯片通过焊接的方式安装在主板上；

第二拟合单元，用于获取所述芯片的第二电压和第二频率的对应关系，将第二电压和第二频率的对应关系拟合为第二预定环境下的电压频率特性曲线；其中，所述芯片通过插槽连接的方式安装在主板上。

8.根据权利要求7所述芯片系统级测试装置，其特征在于，原始数据模块包括：

差值获取单元，用于获取所述第二预定环境下的电压频率特性曲线和所述第一预定环境下的电压频率特性曲线在同频率下的电压差值；

曲线拟合单元，用于依据所述电压差值和对应的频率，确定所述电压差值基于所述频率的变化趋势曲线。

9.根据权利要求8所述芯片系统级测试装置，其特征在于，补偿数据模块包括：

目标频率单元，用于确定当前测试的目标频率，在所述变化趋势曲线上搜索与所述目标频率对应的目标点；

电压确定单元，用于依据所述目标点，确定对应的电压补偿值。

10.根据权利要求1所述芯片系统级测试装置，其特征在于，电压补偿模块包括：

转换单元，用于将所述电压补偿值转换为二进制的熔丝值；

写入单元，用于将所述熔丝值软写入所述芯片，以使所述熔丝值作为配置参数存储在所述芯片上；

测试单元，用于对存储有熔丝值的所述芯片进行测试。

Images