CN114108051B - 一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，包括以下步骤：步骤1：机加工：对铝合金工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度符合要求；步骤2：表面处理：去除表面氧化皮直至表面光亮、无过抛；步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为5‑30g/L，所述硫酸的浓度为50‑250g/L，所述电解液的温度为8‑15℃，16±1V稳压，氧化时间为60±10min，结束后水洗，所述表面膜厚10‑15μm；步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90‑100℃纯水中封孔，封孔时间为0.5‑1小时，吹干，静置20‑26小时。本发明适用于半导体设备，精度好，得到氧化膜厚度小于20μm，且有很好的耐腐蚀性。

Description

一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，尤其是涉及一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，尤其是在芯片等高科技技术行业，半导体的重要性更加凸显，随着万物互联的推广和应用，全球对于半导体芯片的需求急剧增加，供不应求，造成了芯片短缺的现象，而国内半导体技术起步较晚，很多的半导体设备都依赖于国外进口，，如ETCH和CVD设备，即刻蚀机和气相沉积设备，这两个设备是半导体制造的关键设备，目前都高度依赖于国外进口，虽然也有不少国内的企业开始研究并制造，但精度都较低。这些半导体设备的内部工作环境为真空，往往核心部件都采用铝合金，铝合金因其较好的真空性能、耐腐蚀、耐高温等特点被广泛用于半导体设备，比如刻蚀腔体、内衬和套件都是由铝合金制成。

铝合金具有耐腐蚀等性能是因为氧化膜的作用，氧化膜的厚度和状态决定了氧化膜的性能，现有氧化工艺得到氧化膜在厚度和性能之间无法达到平衡，比如：硫酸硬质阳极氧化的膜层较厚在50-70μm，耐腐蚀时间为4小时以上；硫酸本色阳极氧化膜层较薄10-20μm，但是耐腐蚀时间只有1小时；草酸氧化膜层厚度为25-45μm，耐腐蚀时间为12小时以上；稳流的混酸氧化工艺得到的氧化膜厚度为40-50μm，耐腐蚀时间为12小时以上，由于半导体设备的核心部位对精度、耐腐蚀性和热冲击性较高，这时铝合金需要在氧化膜的厚度和性能之间达到平衡，在满足精度要求下，还要保证氧化膜有很好的耐腐蚀性和耐热冲击性，一般半导体设备中核心部位的铝合金的氧化膜的厚度要求低于20μm，但是国内目前的工艺无法达到，因此，亟需一种新的技术方案解决以上问题。

发明内容

本发明目的是提供一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，实现了氧化膜在20μm以下，并具有很好的耐腐蚀性，且无裂纹，耐热冲击性好。

为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本发明所采用的技术方案是一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，包括以下步骤：

步骤1：机加工：对铝合金工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度符合要求；

步骤2：表面处理：去除表面氧化皮直至表面光亮、无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为5-30g/L，所述硫酸的浓度为50-250g/L，所述电解液的温度为8-15℃，16±1V稳压，氧化时间为60±10min，结束后水洗，所述表面膜厚10-15μm；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90-100℃纯水中封孔，封孔时间为0.5-1小时，吹干，静置20-26小时。

作为优选的技术方案：所述步骤2的表面处理之前使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污。

作为优选的技术方案：所述步骤2中包括有步骤特殊功能面处理，所述特殊功能面处理是对密封圈区域进行研磨。

作为优选的技术方案：所述研磨是用600目或以上的砂纸研磨对密封圈区域磨出同心纹路。

作为优选的技术方案：清洗表面的油污后采用百洁布进行水磨。

作为优选的技术方案：所述表面处理中至少采用两种酸进行酸洗。

作为优选的技术方案：所述表面处理具体步骤如下：复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→酸性抛光→水洗。

作为优选的技术方案：所述复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为30±5秒，所述单酸为硝酸和去离子水，所述单酸酸洗时间为60±10秒。

作为优选的技术方案：所述酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，所述酸性抛光温度为100℃，所述酸性抛光时间为15±2秒。

作为优选的技术方案：所述步骤1中的关键尺寸的表面粗糙度Ra在0.4以上。

本发明的有益效果是：与传统结构相比：

1)机加工保证铝合金工件的粗糙度，通过优化草酸和硫酸的配比，严格控制电解温度和氧化时间，并采用稳压的工艺，使得表面膜厚在10-15μm，此时氧化膜厚度半导体设备的要求，又有很好的耐腐蚀性和耐热冲击性。

2)优选的，在真空设备对密封性较高，在核心部件会特殊功能面，即与密封圈配合的区域，研磨出同心纹路与密封圈能极大地提升密封性。

3)优选的，复合酸酸洗去除氧化皮，然后采用单酸去除杂质，保证表面质量符合要求，并用酸性抛光，为了生成氧化膜生长更为均匀。

附图说明

图1为混酸01的未进行热循环的金相显微图；

图2为混酸02的热循环20次的金相显微图；

图3为混酸03的热循环40次的金相显微图；

图4为混酸04的热循环60次的金相显微图；

图5为混酸05的热循环80次的金相显微图；

图6为混酸06的热循环100次的金相显微图；

图7为硫酸01的未进行热循环的金相显微图；

图8为硫酸02的热循环20次的金相显微图；

图9为硫酸03的热循环40次的金相显微图；

图10为硫酸04的热循环60次的金相显微图；

图11为硫酸05的热循环80次的金相显微图；

图12为硫酸06的热循环100次的金相显微图；

图13为工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明进一步描述；

一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，包括以下步骤：

步骤1：机加工：对铝合金工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度符合要求；

步骤2：表面处理：去除表面氧化皮直至表面光亮、无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为30g/L，所述硫酸的浓度为50-250g/L，所述电解液的温度为8-15℃，16±1V稳压，氧化时间为60±10min，结束后水洗，所述表面膜厚10-15μm；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90-100℃纯水中封孔，封孔时间为0.5-1小时，吹干，静置20-26小时。

本发明的氧化工艺原理如下：阳极氧过程是长膜和溶膜同时进行的过程

1)长膜：

在阴极上：2H⁺+2e→H₂

在阳极上：2Al+3[O]＝Al₂O₃+1675.7KJ

H₂O-2e→2H⁺+[O]。

阳极的铝被析出的氧所氧化,形成无水的Al₂O₃膜。

2)溶膜：

膜溶解过程：Al₂O₃+6H⁺→2Al³⁺+3H₂O。

采用硫酸为主要电解液的氧化工艺中，膜层的生成伴随着膜层的溶解，造成膜层孔隙率增加，膜层不够紧致，在氧化膜生成的过程中，由于氧化膜具有很大的内应力，所以被还原的氧化膜容易有裂纹。热冲击后，由于氧化膜热传导性能和热膨胀系数与基体存在差异，氧化膜产生很大的热应力，膜层裂纹进一步开裂，导致其膜层性能下降或者失效。草酸是有机酸，弱酸，在氧化过程中，对膜层的溶解能力极小，间接提升膜层的致密性，采用草酸+硫酸的氧化工艺中，草酸既是辅助剂，亦是抑制剂，膜层致密性优于硬质氧化膜层，热冲击后，膜层裂纹增加的比例较低，且膜层耐腐蚀性能优异，可以满足半导体设备的核心部位的要求。

现有的氧化工艺要求膜厚度在50μm-70μm，甚至达到100μm，均是在稳流的条件下进行氧化，因为稳流时电流密度较大，生成的氧化膜厚度较大，因为在传统的理念中，氧化膜厚度越大，氧化膜的性能越好，但是一般不超过100μm，超过100μm后，氧化膜的性能增长不明显，但是并不适合半导体设备，因为半导体设备要求氧化膜厚度在100μm以下，也有很多研究指出在恒压的条件下，氧化膜厚度较薄，但是耐腐蚀性却无法达到要求，半导体设备的核心部件需要很好的耐腐蚀性，比如刻蚀腔对耐腐蚀性要求很高，耐腐蚀性要求超过10个小时，而且在简单的恒压条件下，氧化膜的粗糙度达不到要求，而且氧化膜较为脆弱，热冲击后裂纹较大，目前国内市场上遇到半导体设备的难题就是精度、耐腐蚀性和耐冲击性之间如何达到一个平衡，工艺难点就是任何一个工艺参数的变动都会影响着氧化膜的性能，氧化膜厚度不能大于20μm，热冲击后表面裂纹不能过大，同时粗糙度也要符合新要求，这样才能满足半导体设备的精度要求，本发明人通过控制草酸和硫酸的浓度，合适的电解液温度，并通过稳压的方式来促使氧化膜生长，并控制氧化时间，使得氧化膜最终的厚度小于20μm，而且此工艺得到的氧化膜表面无裂纹。

在一些实施方式中，所述步骤2的表面处理之前使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污。

在一些实施方式中，所述步骤2中包括有步骤特殊功能面处理，所述特殊功能面处理是对密封圈区域进行研磨，半导体设备的核心部位的工作环境为真空，因此对密封性要求很好，往往会装配有密封圈，而密封圈与铝合金工件表面配合时密封性往往不太理想，于是本发明人在对铝合金工件进行表面处理时将与密封圈配合的区域进行研磨产生纹路，具体的，用600目或以上的砂纸研磨对密封圈区域磨出同心纹路，同心纹路使得密封圈配合有极佳的密封性。

在一些实施方式中，清洗表面的油污后采用百洁布进行水磨，水磨后更容易去除氧化皮。

在一些实施方式中，所述表面处理中至少采用两种酸进行酸洗，具体的，所述表面处理具体步骤如下：复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→酸性抛光→水洗，所述复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为30±5秒，所述单酸为硝酸和去离子水，所述单酸酸洗时间为60±10秒；酸洗往往是忽略的部分，传统的工艺均是单酸进行酸洗，简单出去氧化皮即可，但是由于半导体设备的核心部件对于精度要求较高，先用复合酸进行酸洗去除氧化皮，再用单酸去除杂质，然后通过酸性抛光使得铝合金的表面更加光滑，这样氧化膜的生长会更加均匀，致密性更好，最后氧化膜的表面粗糙度能够符合要求，以满足半导体设备的核心部件的要求。

在一些实施方式中，所述酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，所述酸性抛光温度为100℃，所述酸性抛光时间为15±2秒，磷酸抛光后形成磷化膜，起到润滑的作用，当氧化开始，氧化膜生长的基底更加平滑，使得最终的氧化膜表面无裂纹，致密性更好。

在一些实施方式中，清洗表面的油污采用超声波进行清洗。

实施例1

一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，包括以下步骤：

步骤1：机加工：对铝合金6061-T6/T651工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度Ra为0.4；

步骤2：表面处理：使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污，然后用3M7448#灰色百洁布对表面进行水磨，密封圈区域使用600目或以上的砂纸研磨出同心纹路，然后复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→磷酸抛光→水洗→喷淋水洗，复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为25秒，单酸为硝酸和去离子水，单酸酸洗时间为50秒，酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，酸性抛光温度为100℃，酸性抛光时间为13秒，最后检查表面是否光亮、有无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为10g/L，所述硫酸的浓度为60g/L，所述电解液的温度为9℃，15V稳压，氧化时间为60min，结束后水洗；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90℃纯水中封孔，封孔时间为0.5小时，吹干，静置20小时。

实施例2

步骤1：机加工：对铝合金6061-T6/T651工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度Ra为0.4；

步骤2：表面处理：使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污，然后用3M7448#灰色百洁布对表面进行水磨，密封圈区域可使用600目或以上的砂纸研磨出同心纹路，复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→磷酸抛光→水洗→喷淋水洗，复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为30秒，单酸为硝酸和去离子水，单酸酸洗时间为60秒，酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，酸性抛光温度为100℃，酸性抛光时间为15秒，最后检查表面是否光亮、有无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为25g/L，所述硫酸的浓度为200g/L，所述电解液的温度为10℃，16V稳压，氧化时间为60min，结束后水洗；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入100℃纯水中封孔，封孔时间为1小时，吹干，静置23小时。

实施例3

步骤1：机加工：对铝合金6061-T6/T651工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度Ra为0.4；

步骤2：表面处理：使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污，然后用3M7448#灰色百洁布对表面进行水磨，密封圈区域可使用600目的砂纸研磨出同心纹路，复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→磷酸抛光→水洗→喷淋水洗，复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为35秒，单酸为硝酸和去离子水，单酸酸洗时间为70秒，酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，酸性抛光温度为100℃，酸性抛光时间为17秒，最后检查表面是否光亮、有无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为30g/L，所述硫酸的浓度为250g/L，所述电解液的温度为8-15℃，17V稳压，氧化时间为70min，结束后水洗；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入100℃纯水中封孔，封孔时间为1小时，吹干，静置26小时。

实施例4

步骤1：机加工：对铝合金6061-T6/T651工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度Ra为0.4；

步骤2：表面处理：使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污，然后用3M7448#灰色百洁布对表面进行水磨，密封圈区域可使用600目或以上的砂纸研磨出同心纹路，复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→磷酸抛光→水洗→喷淋水洗，复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为30±5秒，单酸为硝酸和去离子水，单酸酸洗时间为70秒，酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，酸性抛光温度为100℃，酸性抛光时间为17秒，最后检查表面是否光亮、有无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为5g/L，所述硫酸的浓度为50g/L，所述电解液的温度为8℃，15V稳压，氧化时间为50min，结束后水洗；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90℃纯水中封孔，封孔时间为0.5-1小时，吹干，静置20小时。

实施例5

步骤1：机加工：对铝合金6061-T6/T651工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度Ra在0.4以上；

步骤2：表面处理：使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污，然后用3M7448#灰色百洁布对表面进行水磨，密封圈区域可使用600目或以上的砂纸研磨出同心纹路，复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→磷酸抛光→水洗→喷淋水洗，复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为35秒，单酸为硝酸和去离子水，单酸酸洗时间为50秒，酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，酸性抛光温度为100℃，酸性抛光时间为15秒，最后检查表面是否光亮、有无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为25g/L，所述硫酸的浓度为80g/L，所述电解液的温度为12℃，16V稳压，氧化时间为70min，结束后水洗；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90-100℃纯水中封孔，封孔时间为1小时，吹干，静置25小时。

实施例6

步骤1：机加工：对铝合金6061-T6/T651工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度Ra为0.4；

步骤2：表面处理：使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污，然后用3M7448#灰色百洁布对表面进行水磨，密封圈区域可使用600目的砂纸研磨出同心纹路，复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→磷酸抛光→水洗→喷淋水洗，复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为35秒，单酸为硝酸和去离子水，单酸酸洗时间为70秒，酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，酸性抛光温度为100℃，酸性抛光时间为17秒，最后检查表面是否光亮、有无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为10g/L，所述硫酸的浓度为60g/L，所述电解液的温度为15℃，16V稳压，氧化时间为70min，结束后水洗；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入100℃纯水中封孔，封孔时间为1小时，吹干，静置22小时。

对比例1

步骤1：将铝合金材料6061-T6/T651工件表面处理，首先抛光打磨工件表面，清洗干净后，进行碱咬去除表面氧化皮，水洗后使用硝酸洗去除表面杂质。

步骤2：对工件进行硬质阳极氧化处理，将工件放入12％的硫酸溶液，控制温度为0℃，调整电流密度为1A/dm²，升流时间为7min，反应时间为60min。

步骤3：将工件进行封孔处理，将阳极好工件放入96℃的纯水中经行封孔，封孔时间为5小时。使用压缩空气，静止24小时。

对比例2

步骤1：将铝合金6061-T6/T651工件进行阳极前处理，首先抛光打磨工件表面，清洗干净后，去除表面杂质。

步骤1：对工件进行硬质阳极氧化，将工件草酸为主要成份浓度为50g/L，硫酸为辅助成份浓度为2g/L混合溶液，控制温度为4-6℃，调整电流密度为1-3A/dm，升流时间为5-10min，控制膜的厚度为20μm。

(3)将工件进行封孔处理，将阳极好工件放入92-100℃的纯水中经行封孔，封孔时间为3-4小时，使用压缩空气吹干，静止24小时，得到具有较高耐腐性氧化膜。

试验对象

制作样块，编号为混酸01-06，用实施例2的工艺对混酸01-06进行氧化，制作样块，编号为硫酸01-06，用对比例1的工艺对混酸01-06进行氧化，编号为混酸07，用对比例2的工艺对混酸07进行氧化。

性能测试

1.微观状态，

用显微镜观察试验对象的膜层微观状态，结果如图1-12所示。

2.氧化膜厚度

用金相显微镜对横断面进行测量得到氧化膜厚度，测试方法按GB/6462-2005进行，结果如表1所示。

3.200℃热冲击试验

测试200℃热冲击对试验对象的氧化膜微观状态的影响，热循环方法如下：1)升温：150℃-200℃，时间为20mins；2)200℃保持5mins；3)降温：200℃-150℃，时间为20mins；4)150℃保持15mins。结果如表2所示。

4.对试验对象进行耐腐蚀测试，测试方法如下：用5％wt的盐酸溶液经行盐酸气泡耐腐蚀性测试，即将玻璃管使用遮封胶水，粘附在试片表面，在玻璃管内加入测试用5％wt盐酸溶液液位高2.5cm，测试区域溶液同一个点在一秒钟内连续冒三个以上气泡，代表测试结束，记录结束时间。结果如表1所示。

5.膜层耐击穿电压测试

按QJ483-1990执行。结果如表1所示。

6.膜层硬度

采用显微硬度计测定，测定方法按GB9790-2021执行。结果如表1所示。

7.粗糙度

测定氧化膜的粗糙度。结果如表2所示。

表1膜层性能测试表

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表2膜层性能测试表(续表)

如图1-12所示，在氧化工艺结束后，混酸01-06的氧化膜表面没有裂纹，硫酸01-06的氧化膜有裂纹，在经过200℃热冲击试验后，混酸氧化膜层表面出现较小尺寸裂纹；硫酸氧化工艺随着热冲击次数的增加，裂纹数量增多，裂纹宽度变大，而混酸01-06随着热冲击次数的增加，裂纹数量小，裂纹宽度小；采用实施例2的工艺，氧化后粗糙度明显更好，而硫酸01-06以及混酸07的表面粗糙度达不到要求；混酸01-06的膜层厚度均小于20μm，最大只有15.2μm，厚度明显减小，突破了技术难点，满足了半导体设备对精度的要求，而混酸07中的膜层厚度始终无法在20μm以下；混酸07的氧化膜耐腐蚀性仅为192分钟，无法达到要求，而混酸01-06的耐腐蚀性为640分钟，符合要求，且在经过200℃热冲击后，仍然有很好的耐腐蚀性；因此本发明的氧化工艺能够满足半导体设备的核心部位的要求。

上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的描述，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，包括以下步骤：

步骤1：机加工：对铝合金工件进行机加工，并使关键尺寸的表面粗糙度符合要求；

步骤2：表面处理：对工件表面进行复合酸酸洗→水洗→单酸酸洗→水洗→酸性抛光→水洗，去除表面氧化皮直至表面光亮、无过抛；

步骤3：氧化：选择草酸与硫酸混合的电解液,所述草酸的浓度为5-30g/L，所述硫酸的浓度为50-250g/L，所述电解液的温度为8-15℃，15-16V稳压，氧化时间为60±10min，结束后水洗，所述表面膜厚10-15μm；

步骤4：封孔：将工件封孔，将氧化好的工件放入90-100℃纯水中封孔，封孔时间为0.5-1小时，吹干，静置20-26小时。

2.根据权利要求1所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述步骤2的表面处理之前使用酸性或碱性的脱脂剂清洗表面的油污。

3.根据权利要求1所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述步骤2中包括有步骤特殊功能面处理，所述特殊功能面处理是对密封圈区域进行研磨。

4.根据权利要求3所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述研磨是用600目或以上的砂纸研磨对密封圈区域磨出同心纹路。

5.根据权利要求2所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：清洗表面的油污后采用百洁布进行水磨。

6.根据权利要求1所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述表面处理中至少采用两种酸进行酸洗。

7.根据权利要求1所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述复合酸为硝酸、氢氟酸和去离子水，复合酸酸洗时间为30±5秒，所述单酸为硝酸和去离子水，所述单酸酸洗时间为60±10秒。

8.根据权利要求1所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述酸性抛光采用纯磷酸进行抛光，所述酸性抛光温度为100℃，所述酸性抛光时间为15±2秒。

9.根据权利要求1所述的耐腐蚀性混酸阳极氧化工艺，其特征在于：所述步骤1中的关键尺寸的表面粗糙度Ra在0.4以上。

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