CN114094373A - 导电端子、电连接器和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种导电端子、电连接器和电子设备，用以提高导电端子的抗电解腐蚀能力，提高电子设备的使用可靠性。本申请实施例所示导电端子包括导电基材和位于导电基材表面的金属镀层，导电基材的表面包括接触区，接触区用以与对端连接器接触，金属镀层包括依次层叠的第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层，中间层的材料与第一铂或铂合金层的材料及第二铂或铂合金层的材料不同，第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层均覆盖接触区。

Description

导电端子、电连接器和电子设备

本申请要求于2020年6月22日提交中国专利局、申请号为202010576328.3、申请名称为“一种提升电连接器抗腐蚀能力的电镀镀层及电子设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本申请涉及终端技术领域，尤其涉及一种导电端子、电连接器和电子设备。

背景技术

现有的手机等电子设备中，电连接器的导电端子通电时，其抗电解腐蚀能力较弱，容易被电解腐蚀，导致电连接器无法正常工作，从而影响了电连接器的使用，降低了电子设备的使用可靠性。

发明内容

本申请提供一种导电端子、电连接器和电子设备，用以提高导电端子的抗电解腐蚀能力，提高电子设备的使用可靠性。

第一方面，本申请提供一种导电端子，应用于电连接器。导电端子包括导电基材和位于导电基材表面的金属镀层，导电基材的表面包括接触区，接触区用以与对端连接器接触。金属镀层包括依次层叠的第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层，中间层的材料与第一铂或铂合金层的材料及第二铂或铂合金层的材料不同，第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层均覆盖接触区。

需要了解的是，金属的抗电解腐蚀能力与电极电位与沉积的金属形态两个因素相关。传统导电端子常采用金属铑用作镀层材料，金属铑的电极电位为0.758V，金属铂的电极电位为1.188V。即，金属铂的电极电位高于金属铑的电极电位。也即，相比于金属铑，金属铂为高电极电位金属，其活性较低，不容易发生反应。本申请实施例采用金属铂或铂合金用作导电端子的金属镀层的材料，更有利于提高金属镀层的抗电解腐蚀能力。

而且，相比于常用的金属铑或金属钌等镀层材料，金属铂的资源更为丰富，成本较低，本申请导电端子的金属镀层采用金属铂或铂合金材料不仅具有较佳的抗腐蚀性能，还能够降低成本，有利于采用金属铂或铂合金材料的金属镀层在电连接器领域的应用和推广。

在传统的导电端子的镀层中，往往采用增加镀层厚度的方法来提高镀层的抗腐蚀性。对于铂或铂合金镀层而言，大幅度增加铂或铂合金镀层的厚度不仅造成了成本的提高，而且铂或铂合金镀层在电镀过程中极易产生缺陷，单一地增加铂或铂合金镀层的厚度还会加深缺陷，由于铂或铂合金镀层的缺陷极易发生电解腐蚀，单一地增加铂或铂合金镀层的厚度会降低镀层的抗电解腐蚀性能。

本申请实施例中，金属镀层采用第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层复合方案，双层的铂或铂合金层不仅可以形成对接触区的双层保护，而且中间层可以使第一铂或铂合金层和第二铂或铂合金层之间的缺陷错开，进一步增加金属镀层的抗腐蚀性能，提高了导电端子的使用可靠性。

应当了解的是，在传统电镀铂或铂合金的过程中，铂或铂合金的沉积效率大约在一般金属的沉积效率的1/5～1/10之间，即铂或铂合金的沉积效率极低，较难实现铂或铂合金镀层的量产。本申请所示导电端子在形成铂或铂合金层的过程中，可以通过调整电镀药水、往电镀药水中加入不同药剂或者提高电镀电流的方式，来将铂或铂合金的沉积效率提高至一般金属的沉积效率的1/4以上，而且还可在电镀过程中加长电镀线体，来提高铂或铂合金层的沉积厚度，以实现铂或铂合金层的有效沉积，有助于实现铂或铂合金镀层的量产。此外，由于铂或铂合金在电镀过程中会产生许多的副产物，还可以通过试验设计(designof experiment，DOE)药水与产线的匹配性，在电镀铂或铂合金工艺过程中严格管控，维持电镀电流等参数以稳定沉积铂或铂合金镀层减少副产物的发生，提高铂或铂合金层的沉积质量。

一种实施方式中，中间层的抗电解腐蚀能力弱于第一铂或铂合金层和第二铂或铂合金层的抗电解腐蚀能力，以节省中间层的材料成本，降低金属镀层的成本。

一种实施方式中，中间层的材料包括银或银合金。

需要说明的是，银或银合金的抗腐蚀性较差，未曾考虑过采用银或银合金镀层作为抗腐蚀镀层。然而在现有的腐蚀环境下，腐蚀液中往往含有氯离子，中间层中的银可以与氯离子结合形成固态的氯化银。当腐蚀液穿过第二铂或铂合金层进入中间层时，由于氯化银不会溶于水，位于第一铂或铂合金层和第二铂或铂合金层之间的中间层仍然可以起到阻挡和延缓腐蚀液进入导电基材的作用，提高金属镀层的抗腐蚀性能。

一种实施方式中，中间层的材料包括金、金合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。

一种实施方式中，中间层的材料包括铑或铑合金，以提高金属镀层的抗腐蚀性能。

一种实施方式中，中间层包括多层依次堆叠的子镀层，中间层中相邻两层的子镀层的材料不同，中间层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜，以增加第一铂或铂合金层和第二铂或铂合金层之间的镀层数量，提高金属镀层的抗腐蚀性能。

一种实施方式中，金属镀层还包括间隔层和第三铂或铂合金层，间隔层和第三铂或铂合金层依次层叠于第二铂或铂合金层背离中间层的一侧，间隔层的材料与第二铂或铂合金层及第三铂或铂合金层的材料不同，间隔层和第三铂或铂合金层均覆盖接触区，以形成三层的铂或铂合金层对接触区的三层保护，间隔层将第二铂或铂合金层与第三铂或铂合金层之间的缺陷错开，进一步提高金属镀层的抗腐蚀性能，提高导电端子的使用可靠性。

一种实施方式中，间隔层为单层镀层结构，间隔层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜；

或者，间隔层包括多层依次堆叠的子镀层，间隔层中相邻两层的子镀层的材料不同，间隔层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。

一种实施方式中，导电基材包括具有接触区的接触段，第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层均覆盖接触段的表面，以实现对接触段的全面保护，提高导电端子的抗电解腐蚀能力。

一种实施方式中，导电端子还包括打底层，打底层位于金属镀层与导电基材之间，且覆盖导电基材的表面，打底层的材料包括镍或镍合金中的一种或多种，以改善金属镀层与导电基材之间的结合形，提高导电端子的抗腐蚀性。

一种实施方式中，接触段的表面粗糙Ra≤0.08mm，有助于提高形成于接触段的表面的打底层和金属镀层的致密度，提升导电端子的耐腐蚀能力。

一种实施方式中，金属镀层还包括过渡层，过渡层位于打底层与第一铂或铂合金层之间，且覆盖接触区，过渡层的材料与打底层和第一铂或铂合金层的材料不同，以提高金属镀层的抗腐蚀能力。

一种实施方式中，过渡层的抗电解腐蚀能力弱于第一铂或铂合金层和第二铂或铂合金层的抗电解腐蚀能力，以在提高金属镀层的抗腐蚀能力的同时节省过渡层的成本。

一种实施方式中，过渡层为单层镀层结构，过渡层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金；或者，过渡层包括多层依次堆叠的子镀层，过渡层中相邻两层的子镀层的材料不同，过渡层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金。

一种实施方式中，金属镀层还包括外观层，外观层位于第二铂或铂合金层背离中间层的一侧，且覆盖接触区，外观层为单层镀层结构，外观层的材料包括金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金；或者，外观层包括多层依次堆叠的子镀层，外观层中相邻两层的子镀层的材料不同，外观层的子镀层的材料包括金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金。外观层的存在可以改善导电端子的外观，提高金属镀层的硬度，并提高金属镀层的抗腐蚀能力。

第二方面，本申请提供一种电连接器，包括绝缘主体和上述任一种导电端子，导电端子嵌设于绝缘主体，至少部分金属镀层相对于绝缘主体露出。其中，绝缘主体包括基座和与基座固接的舌板，至少部分金属镀层相对于舌板露出。

本申请所示电连接器包括上述导电端子，由于上述导电端子的抗电解腐蚀能力强，因而保证了电连接器的正常使用，提高了电连接器的使用可靠性。

一种实施方式中，电连接器还包括固定壳，固定壳套设于绝缘主体的外周，且与绝缘主体彼此固定，以保护绝缘主体。

第三方面，本申请提供一种电子设备，包括壳体和上述任一种电连接器，电连接器固定于壳体的内部，壳体设有开孔，电连接器可通过开孔与对端连接插接。即，开孔用于允许对端连接器插入，以插接电连接器。

本申请所示电子设备包括上述电连接器，上述导电端子的抗电解腐蚀能力强，提高了上述电连接器的使用可靠性，进而提高了电子设备的使用可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或背景技术中的技术方案，下面将对本申请实施例或背景技术中所需要使用的附图进行说明。

图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；

图2是图1所示电子设备中电连接器的结构示意图；

图3是图2所示电连接器的分解结构示意图；

图4是图3所示电连接器中固定壳的结构示意图；

图5是图3所示电连接器中电连接器主体的结构示意图；

图6是图5所示电连接器主体沿A-A处剖开的结构示意图；

图7是图5所示电连接器主体中导电端子的结构示意图；

图8是图7所示导电端子沿B-B处剖开的剖面结构示意图；

图9是图7所示导电端子沿C-C处剖开的剖面结构示意图；

图10是图8所示D区域在一种实施方式下的放大结构示意图；

图11是图8所示D区域在另一种实施方式下的放大结构示意图；

图12是进行抗腐蚀能力测试的电解池的结构示意图。

具体实施方式

下面结合本申请实施例中的附图对本申请以下各个实施例进行描述。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种电子设备100的结构示意图。

本申请提供一种电子设备100，电子设备100可以为手机、平板、电子阅读器、笔记本电脑、车机、销售点终端(point of sales terminal，简称为POS机)、可穿戴设备或随身听等具有电连接器的电子产品。其中，可穿戴设备可以是智能手环、智能手表、增强现实(augmented reality，AR)眼镜、虚拟现实技术(virtual reality，VR)眼镜等。电子设备100可以通过电连接器电连接于外部设备或器件，实现电子设备100与外部设备或器件之间的充电或者通信等功能。本申请实施例以电子设备100是手机为例进行说明。

电子设备100包括壳体10、显示模组20、受话器30、摄像模组40、第一电路板50、第二电路板60、电池70及电连接器80。壳体10设有开孔101。壳体10包括边框11和后盖12。边框11设有开孔101，后盖12固定于边框11的一侧。其中，边框11与后盖12可以是一体成型结构，也可以为通过组装方式形成一体式结构。需要说明的是，本申请实施例所提及的“孔”是指具有完整孔壁的孔，后文中所提及的“孔”若无特殊说明，可做相同理解。

显示模组20固定于壳体10。具体的，显示模组20固定于边框11远离后盖12的一侧，且与边框11和后盖12围合形成电子设备100的内部。显示模组20设有透光部201和受话孔202，透光部201为显示模组20中允许光线穿过的区域，受话孔202为贯穿显示模组20的通孔。

其中，显示模组20包括盖板和显示面板，盖板固定于壳体10，显示面板固定于盖板朝向壳体10的内表面。具体的，盖板固定于壳体10的边框11，用于保护显示面板。显示面板固定于盖板朝向后盖12的内表面，用于显示图像。此外，显示面板还可以集成触摸功能。

在其他一些实施例中，显示模组20的边缘可与壳体10之间形成受话孔202。例如，显示模组20与壳体10的边框11的顶部边缘之间形成受话孔202。或者，在其他一些实施例中，壳体10设有受话孔202。例如，壳体10的边框11的顶部区域处形成受话孔202。应当理解的是，本申请不对受话孔202的具体形成结构及位置做严格限定。

受话器30、摄像模组40、第一电路板50、第二电路板60和电池70均收容于壳体10的内部，且均位于显示模组20与后盖12之间。其中，壳体10的内部即为上文中电子设备100的内部。具体的，受话器30和摄像模组40位于电子设备100的顶部。受话器30发出的声音经受话孔202传输至电子设备100的外部，以实现电子设备100的声音播放功能。摄像模组40经显示模组20的透光部201采集光线，以作为电子设备100的前置摄像模组40，进行图像或视频的拍摄。

示例性的，电子设备100还可以包括另一收容于壳体10的内部的摄像模组(图未示)。此时，后盖12可以设置拍摄通孔(图未示)，另一摄像模组可通过拍摄通孔采集光线，以作为电子设备100的后置摄像模组，进行图像或视频的拍摄。

第一电路板50位于电子设备100的顶部，第二电路板60位于电子设备100的底部，第一电路板50与第二电路板60之间可以通过柔性电路板、同轴线等导线连接，以实现彼此之间的电连接。其中，第一电路板50及第二电路板60上可以固定有处理器、存储器等多个功能器件(图未示)。处理器耦合显示模组20、受话器30及摄像模组40等电子设备100的功能模组。

应当理解的是，本申请不对第一电路板50及第二电路板60上固定的具体器件进行严格限定。其他一些实施例中，电子设备100也可以省去第一电路板50或第二电路板60，并将需要固定于电路板的器件固定在保留的电路板上。

电池70位于电子设备100的中部，且位于第一电路板50与第二电路板60之间。即，第一电路板50与第二电路板60分别位于电池70的两侧。电池70用于为电子设备100供电。

电连接器80固定于壳体10的内部，且对应于开孔101。具体的，电连接器80与第二电路板60电连接，以通过第二电路板60为电子设备100的各功能模组进行供电或者数据传输等。其中，电连接器80可以作为充电接口、耳机接口、数据传输接口等。

外部设备或器件具有与电连接器80相配合的对端连接器，对端连接器可插入开孔101与电连接器80进行插接，从而实现外部设备或器件与电子设备100之间的电连接。例如，将电源适配器的充电接头插入开孔101并插接至电连接器80，为电子设备100的电池70供电。此时，电连接器80作为电子设备100的充电接口。或者，将外部设备或器件通过连接线插入开孔101并连接至电连接器80，实现电子设备100与外部设备或器件之间的信号传输，此时，电连接器80作为数据传输接口。

需要说明的是，图1所示的显示模组20、受话器30、摄像模组40、第一电路板50、第二电路板60、电池70及电连接器80在电子设备100的内部的位置仅为示意，其并不造成各部件于电子设备100实际的内部的位置的限制。

请参阅图2和图3，图2是图1所示电子设备100中电连接器80的结构示意图，图3是图2所示电连接器80的分解结构示意图。

本实施例中，电连接器80为Type-C接口连接器。其他一些实施例中，电连接器80也可以为Type-A接口连接器、Type-B接口连接器、USB端口或Pogo pin等连接器。电连接器80包括固定壳81、电连接器主体82和屏蔽壳83。具体的，固定壳81套设于电连接器主体82的外周，且与电连接器主体82彼此固定。其中，电连接器主体82部分位于固定壳81的内部且与固定壳81彼此固定，部分位于固定壳81的外部。即，固定壳81包覆部分电连接器主体82，以对电连接器主体82进行保护。

屏蔽壳83固定于电连接器主体82伸出固定壳81的部分。其中，屏蔽壳83采用金属材料制成，以起到电磁屏蔽的作用，避免电连接器80的外部器件影响电连接器80的信号传输。

请参阅图4，图4是图3所示电连接器80中固定壳81的结构示意图。

固定壳81呈管状。其中，固定壳81并不仅限于图3和图4所示的椭圆形管状，也可以为圆形管状或矩形管状。固定壳81设有两个固定部811，两个固定部811对称排布于固定壳81的两侧。电连接器80固定于电子设备100的内部时，电连接器80通过两个固定部811与电子设备100的壳体10彼此固定，或者，电连接器80通过两个固定部811与电子设备100的内部的其他结构彼此固定。示例性的，固定部811为固定耳，固定耳设有固定孔812，电连接器80可通过穿过固定孔812的螺钉或螺栓固定于电子设备100的内部。其它一些实施例中，固定部811还可以为其他结构件，或者，固定部811还可以通过焊接或粘接等方式固定于电子设备100的内部。

请一并参阅图5，图5是图3所示电连接器80中电连接器主体82的结构示意图。

电连接器主体82包括绝缘主体84及嵌设于绝缘主体84的导电端子85。绝缘主体84采用绝缘材料制成，以支撑和保护导电端子85。其中，固定壳81套设于绝缘主体84的外周，且与绝缘主体84彼此固定。需要说明的是，本申请实施例所提及的“嵌设于”是指至少部分被覆盖，比如，导电端子85嵌设于绝缘主体84，是指导电端子85的表面至少部分被绝缘主体84覆盖，即至少部分导电端子85埋设于绝缘主体84。

本实施例中，绝缘主体84包括基座841和与基座841固接的舌板842。其中，舌板842与固定壳81相对设置。基座841包括相背设置的顶面843和底面844、以及连接于顶面843和底面844之间的前端面845。舌板842固接于基座841的前端面845的中间区域，且自基座841的前端面845向背离基座841的方向延伸。舌板842包括相背设置的顶面846和底面847。其中，舌板842的顶面846和底面847之间的距离小于基座841的顶面843和底面844之间的距离。即，基座841的厚度大于舌板842的厚度，以增加绝缘本体的整体强度。此外，舌板842与基座841一体成型，以增加绝缘主体84的整体强度。

应当理解的是，本申请实施例描述的绝缘主体84时所采用“顶”“底”等方位用词主要依据绝缘主体84于附图5中的展示方位进行阐述，以朝上为“顶”，以朝下为“底”，其并不形成对绝缘主体84于实际应用场景中的方位的限定。

请参阅图5和图6，图6是图5所示电连接器主体82沿A-A处剖开的剖面结构示意图。本申请附图中，沿“A-A处剖开”是指沿A-A线及A-A线两端箭头所在的平面剖开，后文中对附图的说明做相同理解。

导电端子85有多个，多个导电端子85与绝缘主体84一体成型。具体的，多个导电端子85排布形成两排导电端子，两排导电端子分别为第一排导电端子和第二排导电端子。第一排导电端子中的多个导电端子85嵌设于绝缘主体84的顶端，第二排导电端子中的多个导电端子85嵌设于绝缘主体84的底端。在同一排导电端子内，相邻导电端子85之间彼此间隔，以避免相邻导电端子85传输的信号之间产生干扰。其中，两排导电端子的数量相同。

请参阅图6和图7，图7是图5所示电连接器主体82中导电端子85的结构示意图。

每一导电端子85均包括相对设置的第一段851和第二段852、以及连接于第一段851与第二段852之间的第三段853。第一段851位于导电端子85的一端，用以与对端连接器实现电连接。第一段851包括顶面854，顶面854用以与对端连接器的弹片接触。具体的，第一段851嵌设于舌板842，至少部分第一段851相对于绝缘主体84的舌板842露出。在对端连接器与电连接器80插接时，对端连接器的弹片可以与导电端子85的第一段851接触，以实现对端连接器与电连接器80的电连接。其中，至少部分第一段851的顶面854相对于舌板842的顶面846或底面847露出。需要说明的是，至少部分第一段851的顶面854相对于舌板842的顶面846或底面847露出，是指舌板842不完全覆盖第一段851的顶面854。

本实施例中，第一排导电端子的导电端子85的第一段851嵌设于舌板842的顶端。第一段851的顶面854相对于舌板842的顶面846露出，以增加对端连接器的弹片与导电端子85的第一段851的接触区积，提高对端连接器与电连接器80之间电连接的稳定性。其中，第一段851的顶面854与舌板842的顶面846齐平。在其他一些实施例中，第一段851的顶面854可以凸出于舌板842的顶面846，或者，第一段851的顶面854也可以低于舌板842的顶面846。

第二排导电端子的导电端子85的第一段851嵌设于舌板842的底端，且第一段851的顶面854相对于舌板842的底面847露出，以增加对端连接器的弹片与导电端子85的第一段851的接触区积，提高了对端连接器与电连接器80之间电连接的稳定性。具体的，第二排导电端子的导电端子85的第一段851和第一排导电端子的导电端子85的第一端851相对于绝缘主体84对称设置，以使电连接器80可以实现正反插接功能。其中，第一段851的顶面854与舌板842的底面847平齐。在其他一些实施例中，第一段851的顶面854可以凸出于舌板842的底面847，或者，第一段851的顶面854也可以低于舌板842的底面847。

第三段853位于导电端子85的中部。具体的，第三段853内嵌于绝缘主体84。即，第三段853埋设于绝缘主体84。也即，第三段853不露出于绝缘主体84的表面。其中，第三段853部分内嵌于舌板842，部分内嵌于基座841。

第二段852位于导电端子85的另一端，用以电连接于电子设备100的第二电路板60(如图1所示)。具体的，第二段852相对于绝缘主体84的露出。由于第二段852通过第三段853与第一段851连接，在对端连接器的弹片与第一段851接触时，对端连接器能够通过第三段853和第二段852与电子设备100的第二电路板60电连接，进而实现与电子设备100的内部器件之间的电连接。其中，第二段852与电子设备100的第二电路板60可通过焊接等方式进行电连接，以实现电连接器80与电子设备100的内部器件之间的电连接。

请参阅图7至图9，图8是图7所示导电端子85沿B-B处剖开的剖面结构示意图，图9是图7所示导电端子85沿C-C处剖开的剖面结构示意图。

导电端子85包括导电基材86、打底层87和金属镀层88，金属镀层88位于导电基材86的表面，打底层87位于导电基材86与金属镀层88之间。即，打底层87和金属镀层88依次层叠于导电基材86的表面。导电基材86采用铜或不锈钢等导电材料制成。导电基材86包括相对设置的接触段861和焊接段(图未标)以及连接于接触段861和焊接段之间的连接段863。本实施例中，打底层87覆盖导电基材86的表面，金属镀层88层叠于打底层87背离接触段861的表面，且覆盖接触段861的表面。接触段861、部分打底层87和金属镀层88形成导电端子85的第一段851，焊接段和部分打底层87形成导电端子85的第二段852，连接段863和部分打底层97形成导电端子85的第三段853。

需要说明的是，在其他一些实施例中，金属镀层88也可以覆盖导电基材86的表面，以提高导电端子85的外表面的一致性。此时，接触段861、部分打底层87和部分金属镀层88形成导电端子85的第一段851，焊接段、部分打底层87和部分金属镀层88形成导电端子85的第二段852，连接段863、部分打底层87和部分金属镀层88形成导电端子85的第三段853。

如图7和图8所示，接触段861位于导电基材86的一端，焊接段位于导电基材86的另一端，连接段863位于导电基材86的中部。接触段861的表面包括接触区862，接触区862用以与对端连接器接触。本实施例中，接触区862为接触段861的顶面864。在其他实施例中，接触区862还可以为接触段861的底面865、左侧面866、右侧面867或前端面868，或者，接触区862可以为接触段861的顶面864、底面865、左侧面866、右侧面867和前端面868中的多者，本申请对此不作具体限定。

此外，接触段861的表面粗糙度Ra≤0.08mm，有助于提高形成于接触段861的表面的打底层87和金属镀层88的致密度，提升导电端子85的耐腐蚀能力。

打底层87覆盖接触段861的表面。具体的，打底层87覆盖接触段861的顶面864、底面865、左侧面866、右侧面867和前端面868。其中，打底层87的材料包括镍或镍合金。示例性的，打底层87可采用普通镍、金刚镍、镍磷合金或其他镍合金中的一种或多种材料通过电镀工艺形成。打底层87不仅可以改善金属镀层88与导电基材86之间的结合性，还可以增加导电端子85的抗腐蚀性。

金属镀层88覆盖打底层87背离接触段861的表面。即，金属镀层88也覆盖接触段861的顶面864、底面865、左侧面866、右侧面867和前端面868。其中，金属镀层88背离接触段861的顶面864的表面为第一段851的顶面854。本申请实施例中，金属镀层88覆盖接触段861的全部表面，可以实现对接触段861的全面保护，防止腐蚀液进入接触段861与绝缘主体84之间的间隙对接触段861进行腐蚀，有助于提高导电端子85的抗电解腐蚀能力。

在其他一些实施例中，接触段861可以位于导电基材86的中部，接触段861包括相背设置的顶面864和底面865、以及连接于顶面854与底面865之间的左侧面866和右侧面867，左侧面866和右侧面867相背设置。此时，打底层87和金属镀层88均覆盖接触段861的顶面864、底面865、左侧面866和右侧面867。

请参阅图10，图10是图8所示D区域在一种实施方式下的放大结构示意图。

金属镀层88包括依次层叠的第一铂或铂合金层881、中间层882和第二铂或铂合金层883，中间层882的材料和第一铂或铂合金层881的材料及第二铂或铂合金层的材料不同，第一铂或铂合金层881、中间层882和第二铂或铂合金层883均覆盖接触区862。

其中，第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883均采用铂或铂合金材料通过电镀工艺形成。本实施方式中，第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883的合金成分可以相同，也可以不同。此外，第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883的厚度均在1u"～100u"之间。应当理解的是，铂合金是指钯、铑、钇、钌、钴、锇、铜等金属掺杂于金属铂而形成的合金，且金属铂的元素含量高于其他金属元素的元素含量。其中，铂铑合金或铂钌合金等镀层可以显著提升镀层的硬度，提升导电端子85与对端连接器的接触界面的耐插拔和耐磨损能力。

需要说明的是，在过去的应用中，铂镀层会以挂镀、滚镀的方式应用在汽车行业的内燃机等器件上，没有将铂镀层采用连续电镀的方式使用在消费性领域产品的连接器端口上。铂镀层本身具有高电位、高抗腐蚀性的特点，适合用于提高镀层的抗腐蚀性，但纯铂电镀镀层有如下几项不足：如纯铂的硬度较低(摩式硬度仅有4-4.5)；成本虽然相比铑金属便宜，但价格仍然较贵；表面的光泽较低(外观较不好看)。这些特性使铂镀层应用在连接器的端口(如Type C、Micro B)会有一些困难。如连接器的端口在使用时会有多次插拔的需求，可以通过增加镀层厚度来避免插拔磨耗对该连接器的端口造成的影响，但增加厚度会带来成本的增加，故在保持成本不增加的情况下，使用铂镀层很难满足消费性领域产品的需求。另外，纯铂电镀镀层本身光泽度低的特点，使其无法达到对光泽度有更高要求的场景。

进一步要解决上述的硬度低、成本、外观的难点，本发明实施例采用铂与其他金属的合金来进一步改善铂镀层的特性。

铂属于铂系金属的一种，要合成具有某种特性的铂合金，需要在铂系金属中选择具有该种特性的金属与铂合成。如铂的硬度低，可以选用硬度较高的铑、钌等铂系金属。铑的硬度是6.0、钌的硬度6.5，与铂合成铂铑、铂钌合金可以有效提升铂镀层的硬度，合成的铂铑、铂钌等铂合金镀层更适用于连接器的端口(如Type C、Micro B)等需要插拔、抗磨耗的场景应用。另外，钌是铂系金属一种，成本又是铂的1/3，可以使用铂与钌合成铂钌合金，在适当的比例下既可以保持铂的抗腐蚀性又能降低镀层成本。此外，铂铑合金的表面的光泽也会较高，可以很好的满足对光泽度有更高要求的场景。

需要了解的是，金属的抗电解腐蚀能力与电极电位与沉积的金属形态两个因素相关。传统导电端子常采用金属铑用作镀层材料，金属铑的电极电位为0.758V，金属铂的电极电位为1.188V。即，金属铂的电极电位高于金属铑的电极电位。也即，相比于金属铑，金属铂为高电极电位金属，其活性较低，不容易发生反应。本申请实施例采用金属铂用作导电端子85的金属镀层88的材料，更有利于提高金属镀层88的抗电解腐蚀能力。而且，通过电镀工艺沉积的铂或铂合金层还具有高致密性、高硬度和耐磨等优点，有利于提高金属镀层88的抗腐蚀性能。

此外，相比于常用的金属铑或金属钌等镀层材料，金属铂的资源更为丰富，成本较低，本申请导电端子85的金属镀层88采用金属铂或铂合金材料不仅具有较佳的抗腐蚀性能，还能够降低成本，有利于采用金属铂或铂合金材料的金属镀层88在电连接器80领域的应用和推广。

本实施方式中，中间层882的抗电解腐蚀能力弱于第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883的抗电解腐蚀能力，以节省中间层的材料成本，降低金属镀层88的成本。其中，中间层882的材料包括银或银合金(比如银靶合金)。示例性的，中间层882采用银或银合金材料通过电镀工艺形成。

需要说明的是，银或银合金的抗腐蚀性较差，未曾考虑过采用银或银合金镀层作为抗腐蚀镀层。然而在现有的腐蚀环境下，腐蚀液中往往含有氯(chlorine，Cl)离子，中间层882中的银(argentum，Ag)可以与氯离子结合形成固态的氯化银(silver chloride，AgCl)。当腐蚀液穿过第二铂或铂合金层883进入中间层882时，由于氯化银不会溶于水，位于第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883之间的中间层882仍然可以起到阻挡和延缓腐蚀液进入导电基材86的作用，提高金属镀层88的抗腐蚀性能。

在其他一些实施例中，中间层882的材料也可以包括金、金合金、钯、钯合金(如钯镍合金)、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜等抗电解腐蚀性能较差的材料，或者，中间层882的材料也可以包括铑或铑合金，以进一步增加金属镀层88的抗腐蚀性能，或者，中间层882也可以包括多层依次堆叠的子镀层，中间层882中相邻两层的子镀层的材料不同，中间层882的子镀层的材料包括金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金(如钯镍合金)、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜，以增加第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883之间的镀层数量，提高金属镀层88的抗腐蚀性能。

应当理解的是，在传统的导电端子的镀层中，往往采用增加镀层厚度的方法来提高镀层的抗腐蚀性。对于铂或铂合金镀层而言，大幅度增加铂或铂合金镀层的厚度不仅造成了成本的提高，而且铂或铂合金镀层在电镀过程中极易产生缺陷，单一地增加铂或铂合金镀层的厚度还会加深缺陷，由于铂或铂合金镀层的缺陷极易发生电解腐蚀，单一地增加铂或铂合金镀层的厚度会降低镀层的抗电解腐蚀性能。

本申请实施例中，金属镀层88采用第一铂或铂合金层881、中间层882和第二铂或铂合金层883复合方案，双层的铂或铂合金层不仅可以形成对接触段861的双层保护，而且中间层882可以使第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层883之间的缺陷错开，进一步增加金属镀层88的抗电解腐蚀性能，提高了电子设备100的使用可靠性。

应当了解的是，在传统电镀铂或铂合金的过程中，铂或铂合金的沉积效率大约在一般金属的沉积效率的1/5～1/10之间，即铂或铂合金的沉积效率极低，较难实现铂或铂合金镀层的量产。本申请所示导电端子85在形成铂或铂合金层的过程中，可以通过调整电镀药水、往电镀药水中加入不同药剂或者提高电镀电流的方式，来将铂或铂合金的沉积效率提高至一般金属的沉积效率的1/4以上，而且还可在电镀过程中加长电镀线体，来提高铂或铂合金层的沉积厚度，以实现铂或铂合金层的快速沉积，有助于实现铂或铂合金镀层的量产。此外，由于铂或铂合金在电镀过程中会产生许多的副产物，还可以通过试验设计(design of experiment，DOE)药水与产线的匹配性，在电镀铂或铂合金工艺过程中严格管控，维持电镀电流等参数以稳定沉积铂或铂合金镀层减少副产物的发生，提高铂或铂合金层的沉积质量。

此外，金属镀层88还包括过渡层884和外观层885。过渡层884位于第一铂或铂合金层881和打底层87之间，且覆盖接触段861的表面，以提高金属镀层88的抗腐蚀能力。其中，过渡层884覆盖接触段861的接触区862。过渡层884的抗静电腐蚀能力弱于第一铂或铂合金层881和第二铂或铂合金层881的抗静电腐蚀能力，以节省过渡层884的成本。

本实施方式中，过渡层884为单层镀层结构，过渡层884的材料与打底层887和第一铂或铂合金层881的材料不同。具体的，过渡层884的材料包括金或金合金。示例性的，过渡层884采用金或金合金通过电镀工艺形成。在其他一些实施方式中，过渡层884也可以包括银、银合金(例如银靶合金)、钨镍合金或钯镍合金等抗电解腐蚀能力较弱的合金材料，或者，过渡层884的材料也可以包括铑或铑合金，或者，过渡层884包括多层依次层叠的子镀层，相邻两层的过渡层884的子镀层的材料不同，过渡层884的子镀层的材料包括金、金合金、银、银合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金等。

外观层885位于第二铂或铂合金层881背离中间层882的一侧。本实施例中，外观层885为单层镀层结构，外观层885的材料包括金或金合金，不仅可以改善导电端子85的外观，还可以提升金属镀层88的抗腐蚀能力。

在其他一些实施例中，外观层885的材料也可以包括铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金，以改善金属镀层88的硬度，并提高金属镀层88的抗腐蚀能力，或者，外观层885可以包括多层依次层叠的子镀层，外观层中相邻两层的子镀层的材料不同，外观层的子镀层的材料包括金、金合金、银、银合金、铑合金、钨镍合金或钯镍合金等。

请参阅图11，图11是图8所示D区域在另一种实施方式下的放大结构示意图。

本实施方式所示导电端子与上述实施例方式所示导电端子的不同之处在于，金属镀层88还包括间隔层886和第三铂或铂合金层887，间隔层886和第三铂或铂合金层887依次层叠于第二铂或铂合金层883背离中间层882的一侧，间隔层886的材料与第二铂或铂合金层883和第三铂或铂合金层887的材料不同，间隔层886和第三铂或铂合金层887均覆盖接触区(图未标)，以形成三层铂或铂合金层对接触区的三层保护，间隔层886将第二铂或铂合金层883和第三铂或铂合金层887之间的缺陷错开，以进一步提高金属镀层88的抗腐蚀性能，提高导电端子的使用可靠性。此时，外观层885位于第三铂或铂合金层887背离间隔层886的一侧。

其中，间隔层886的结构和材料可与中间层882的结构和材料相同，也可与中间层882的结构和材料不同。示例性的，间隔层886可为单层镀层结构，间隔层886的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。或者，间隔层886可包括多层依次堆叠的子镀层，间隔层886中相邻两层的子镀层的材料不同，间隔层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。

需要说明的是，在其他一些实施方式中，金属镀层88还可以包括四层以上的铂或铂合金层以及位于相邻两层铂或铂合金层之间的镀层，以进一步增加金属镀层88的抗腐蚀能力，本申请对此不作具体限定。

接下来，采用对比试验组对本申请上述实施例所示的包括双层铂或铂合金层的金属镀层88的抗腐蚀能力进行测试，对比实验组中各金属镀层的具体参数如下表1所示。其中，各对比试验组均采用厚度为80u"的镍磷合金层作为打底层，按照金层、铑钌合金层、金层、钯镍合金层、金层、铂层、铑钌合金层、铂铑合金层和金层的顺序依次层叠于打底层上，进行抗电解腐蚀测试。

表1各金属镀层的具体参数表

请参阅图12，图12是进行抗腐蚀能力测试的电解池300的结构示意图。

电解池300的实验条件：电解溶液为5％氯化钠(NaCl)溶液，电源310加载的电压为5V，阳极320和阴极330均为经过电解抛光的铜棒，且其表面均镀有相同的待测试的金属镀层，阳极320和阴极330之间的间距W为2mm。测试过程中，每隔一分钟取出阳极320，在显微镜下观察腐蚀情况，当出现腐蚀点直径大于0.05mm且在下一周期后腐蚀点直径继续扩大，则判定为失效，停止测试并记录时间，试验结果如表2所示。

表2各金属镀层的抗腐蚀能力测试结果表

由表2可知，铑合金镀层、单层铂合金镀层、单层铂镀层和双层铂合金镀层的抗腐蚀能力优于常规镀层的抗腐蚀能力。而且，单层铂合金镀层的抗电解腐蚀能力在5min-10min之间，单层铂镀层的抗电解腐蚀能力在13min-17min之间，相较于铑合金镀层的抗电解腐蚀能力在7min-10min，单层铂合金镀层和单层铂镀层的抗电解腐蚀能力与铑合金镀层的抗电解腐蚀能力相当。然而，双层铂合金镀层的抗电解腐蚀能力在60min-90min之间，远大于其他几组金属镀层的抗电解腐蚀能力。由此可知，本申请实施例所采用的双层铂合金镀层不仅具有较低的成本，而且具有较好的抗电解腐蚀能力，能够大幅度提升导电端子的耐腐蚀能力和使用寿命，有利于在电连接器领域的大量推广和应用。

以上，仅为本申请的具体实施例，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内；在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种导电端子，应用于电连接器，其特征在于，包括导电基材和位于所述导电基材表面的金属镀层，所述导电基材的表面包括接触区，所述接触区用以与对端连接器接触，所述金属镀层包括依次层叠的第一铂或铂合金层、中间层和第二铂或铂合金层，所述中间层的材料与所述第一铂或铂合金层的材料及所述第二铂或铂合金层的材料不同，所述第一铂或铂合金层、所述中间层和所述第二铂或铂合金层均覆盖所述接触区。

2.根据权利要求1所述的导电端子，其特征在于，所述中间层的抗电解腐蚀能力弱于所述第一铂或铂合金层和所述第二铂或铂合金层的抗电解腐蚀能力。

3.根据权利要求2所述的导电端子，其特征在于，所述中间层的材料包括银或银合金；或者，所述中间层的材料包括金、金合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。

4.根据权利要求1所述的导电端子，其特征在于，所述中间层的材料包括铑或铑合金。

5.根据权利要求1所述的导电端子，其特征在于，所述中间层包括多层依次堆叠的子镀层，所述中间层中相邻两层的子镀层的材料不同，所述中间层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的导电端子，其特征在于，所述金属镀层还包括间隔层和第三铂或铂合金层，所述间隔层和所述第三铂或铂合金层依次层叠于所述第二铂或铂合金层背离所述中间层的一侧，所述间隔层的材料与所述第二铂或铂合金层及所述第三铂或铂合金层的材料不同，所述间隔层和所述第三铂或铂合金层均覆盖所述接触区。

7.根据权利要求6所述的导电端子，其特征在于，所述间隔层为单层镀层结构，所述间隔层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜；

或者，所述间隔层包括多层依次堆叠的子镀层，所述间隔层中相邻两层的子镀层的材料不同，所述间隔层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钯、钯合金、钨镍、镍、镍合金、酸铜或碱铜。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的导电端子，其特征在于，所述导电基材包括具有所述接触区的接触段，所述第一铂或铂合金层、所述中间层和所述第二铂或铂合金层均覆盖所述接触段的表面。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的导电端子，其特征在于，所述导电端子还包括打底层，所述打底层位于所述金属镀层与所述导电基材之间，且覆盖所述导电基材的表面，所述打底层的材料包括镍或镍合金。

10.根据权利要求9所述的导电端子，其特征在于，所述金属镀层还包括过渡层，所述过渡层位于所述打底层与所述第一铂或铂合金层之间，且覆盖所述接触区，所述过渡层的材料与所述打底层和所述第一铂或铂合金层的材料不同。

11.根据权利要求10所述的导电端子，其特征在于，所述过渡层为单层镀层结构，所述过渡层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金；

或者，所述过渡层包括多层依次堆叠的子镀层，所述过渡层中相邻两层的子镀层的材料不同，所述过渡层的子镀层的材料包括银、银合金、金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的导电端子，其特征在于，所述金属镀层还包括外观层，所述外观层位于所述第二铂或铂合金层背离所述中间层的一侧，且覆盖所述接触区，所述外观层为单层镀层结构，所述外观层的材料包括金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金；

或者，所述外观层包括多层依次堆叠的子镀层，所述外观层中相邻两层的子镀层的材料不同，所述外观层的子镀层的材料包括金、金合金、铑、铑合金、钨镍合金或钯镍合金。

13.一种电连接器，其特征在于，包括绝缘主体和权利要求1-12中任一项所述的导电端子，所述导电端子嵌设于所述绝缘主体，至少部分所述金属镀层相对于所述绝缘主体露出。

14.根据权利要求13所述的电连接器，其特征在于，所述电连接器还包括固定壳，所述固定壳套设于所述绝缘主体的外周，且与所述绝缘主体彼此固定。

15.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和如权利要求13或14所述的电连接器，所述电连接器固定于所述壳体的内部，所述壳体设有开孔，所述电连接器通过所述开孔与所述对端连接器插接。

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