CN114059025A - 氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法，其中，氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2至5。氧化铟靶材制备方法包括：按照氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；对粒料进行冷等静压，获取素坯；对素坯进行烧结，获取靶材。本发明提供了的氧化铟靶材制备氧化铟靶材的原料组分包括氧化铈和氧化铟，氧化铈的质量百分比为2至5。通过该材料组分的选取及配比，使得制备获取的氧化铟靶材密度高、成分分布均匀性好，使得使用该靶材制备的导电氧化物薄膜性能得到提高。
Description
技术领域
本发明涉及靶材技术领域，具体而言，涉及一种氧化铟靶材和一种氧化铟靶材制备方法。
背景技术
透明导电氧化物薄膜(Transparent Conductive Oxide)因其具有金属般良好的导电性能、玻璃般的高透光性、红外区高反射率以及其他优良的半导体特性被广泛应用于显示器、太阳能电池、发光二极管、触摸屏、气体传感器，以及微电子、真空电子器件等领域。红外透明导电薄膜在军事以及民用领域都具有重要的应用价值。对于民用领域，可以应用于电子和能源工业、传感技术、光电技术等领域，例如作为红外透明电极应用于红外太阳能电池和红外激光器。对于军事领域，其可以应用于红外成像、航天器窗口等领域。因此，红外透明导电薄膜是非常有应用价值的材料。
现有的透明导电氧化物薄膜大多通过氧化锡掺杂氧化铟的靶材制备而成，由于锡取代铟使得这种靶材的电子浓度高、电子的迁移率低，导致经由这种靶材制备的透明导电氧化物薄膜红外波段透光能力差。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明第一方面提供了一种氧化铟靶材。
本发明第二方面提供了一种氧化铟靶材制备方法。
有鉴于此，根据本发明的第一方面提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2至5。
本发明提供了一种氧化铟靶材，其中制备氧化铟靶材的原料组分包括氧化铈和氧化铟，氧化铈的质量百分比为2至5。通过该材料组分的选取及配比，使得制备获取的氧化铟靶材密度高、成分分布均匀性好，使得使用该靶材的导电氧化物薄膜的红外波段的透光率得到提高，而且具有优异的导电性能，不影响作为导电电极使用，同时薄膜的其他物理化学性能与传统的氧化铟锡(ITO)薄膜一致。
具体地，靶材提高导电性依靠两个重要方面：一是掺杂形成的载流子浓度，二是载流子的迁移率。高掺杂浓度产生大量的载流子、提高导电性，但是高载流子浓度导致等离子体共振吸收边向短波长方向移动，严重降低了红外波段的透光率。因此，在适量杂质掺入的情况下，获得一定数量的载流子，降低电子散射，进而提高载流子的迁移率，有利于提高红外波段的透光率。传统靶材是Sn4+掺杂替代In3+，本申请通过氧化铈的引入，采用Ce4+替代In3+时可以产生高浓度的载流子，而且载流子的迁移率不降低，最终获得具有高电子浓度和高电子迁移率的靶材，进一步通过氧化铟靶材即可制备获取具有优异红外波段透光能力的透明导电氧化物薄膜。
另外，本发明提供的上述实施例中的氧化铟靶材还可以具有如下附加技术特征：
在上述实施例中，进一步地，氧化铈为中值粒径小于或等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径小于或等于0.62μm的氧化铟粉末。
在该技术方案中，进一步提供了氧化铈和氧化铟的选材，通过氧化铈为中值粒径小于或等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径小于或等于0.62μm的氧化铟粉末，选取该粒径范围的氧化铈粉末和氧化铟粉末作为制备氧化铟靶材的原料，能够进一步提高氧化铟靶材的致密度，使得氧化铟与氧化铈的成分分布均匀性更好，进一步提高了使用该靶材的导电氧化物薄膜的性能。
具体地，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
在上述任一技术方案中，进一步地，氧化铈粉末中氧化铈的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g至13m2/g；氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g至13m2/g。
在该技术方案中，进一步提供了氧化铈粉末和氧化铟粉末的纯度和比表面积，保障了氧化铟靶材的纯度，提高了氧化铟靶材的质量。
根据本发明的第二方面，提出了一种氧化铟靶材制备方法，包括：按照上述任一技术方案的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；对粒料进行冷等静压，获取素坯；对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
本发明提出的氧化铟靶材制备方法，因采用上述任一技术方案的氧化铟靶材的原料组分配比，因此，具有如上述技术方案中任一项的氧化铟靶材的全部有益效果，在此不做赘述。
本发明提供的氧化铟靶材制备方法，将氧化铟和氧化铈通过球磨研磨和砂磨研磨进行混合与细磨，对充分混合与细磨后的浆料进行造粒，对造粒获得的粒料进行冷等静压以获取素坯，对素坯进行烧结，冷却后获取氧化铟靶材。本发明通过球磨研磨和砂磨研磨的组合使用，使得氧化铈和氧化铟能够充分混合，同时进一步降低氧化铈和氧化铟的粒径，通过降低氧化铈和氧化铟的粒径，使得氧化铈颗粒之间、氧化铟颗粒之间及氧化铈颗粒与氧化铟颗粒之间的空隙减少，进而提高靶材的致密度，使得氧化铈和氧化铟的成分分布均匀性好，使得使用该靶材的导电氧化物薄膜性能得到提高，同时生产工艺简单，适用于工业化生产。
可以理解的是，在氧化铟和氧化铈球磨研磨和对一段研磨浆料进行砂磨研磨的过程中可以加入助剂，以提高助剂与氧化铟和氧化铈接触的概率，使得助剂起到更好的辅助作用。具体地，助剂可以为分散剂。
另外，本发明提供的上述技术方案中的氧化铟靶材制备方法还可以具有如下附加技术特征：
在上述技术方案中，进一步地，二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径为0.1μm至0.38μm。
在该技术方案中，进一步提供了经过砂磨研磨后获取的二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径，通过中值粒径为0.1μm至0.38μm的确定，能够更进一步地提高了靶材的致密度和成分分布均匀性，保障了使用该氧化铟靶材的导电氧化物薄膜的性能。
在上述任一技术方案中，进一步地，球磨研磨的时长为10h至16h；球磨研磨的浆料浓度为50％至60％。
在该技术方案中，进一步提供了球磨研磨的具体步骤，提供了球磨的浆料浓度和球磨时间，进一步保障了氧化铟和氧化铈的磨料细度，同时使得氧化铟和氧化铈充分混合，更进一步地提高了氧化铟靶材的致密度和成分分布均匀性，保障了使用该氧化铟靶材的导电氧化物薄膜的性能。
在上述任一技术方案中，进一步地，砂磨研磨为多次，每次砂磨研磨的时长为1h至2h。
在该技术方案中，砂磨研磨为多次，每次砂磨研磨的时长为1h至2h保障了砂磨研磨的细度，降低氧化铈和氧化铟的粒径，通过降低氧化铈和氧化铟的粒径，使得氧化铈颗粒之间、氧化铟颗粒之间及氧化铈颗粒与氧化铟颗粒之间的空隙减少，进而提高靶材的致密度，使得氧化铈和氧化铟的成分分布均匀性好。
具体地，砂磨研磨为3至7次。
在上述任一技术方案中，进一步地，砂磨研磨的磨料为粒径为0.2mm至0.4mm的氧化锆陶瓷。
在该技术方案中，进一步提供了砂磨研磨磨料的选材及粒径，避免了磨料污染用于制备氧化铟靶材的原材料，提高了靶材的纯度。
在上述任一技术方案中，进一步地，对粒料进行冷等静压，获取素坯的步骤，具体包括：将粒料放置在等静压模具内，对等静压模具施加160Mpa至220Mpa的压力，获取素坯。
在该技术方案中，进一步提供了获取素坯的具体步骤，通过采用压力为160Mpa至220Mpa通过冷等静压成型对粒料进行定型制备素坯。
在上述任一技术方案中，进一步地，对素坯进行烧结的烧结温度为1520℃至1600℃。
在该技术方案中，进一步提供了烧结的烧结温度，通过1520℃至1600℃的选取保障了氧化铟靶材的致密度。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1示出了根据本发明实施例十的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图2示出了根据本发明实施例十一的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图3示出了根据本发明实施例十二的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图4示出了根据本发明实施例十三的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图5示出了根据本发明实施例十四的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图6示出了根据本发明实施例十五的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图7示出了根据本发明实施例十六的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图8示出了根据本发明具体实施例的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图9示出了对比例1的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图10示出了对比例2的氧化铟靶材制备方法的流程示意图；
图11示出了根据本发明一个实施例的粒料放置在等静压模具内的示意图。
其中，图11中附图标记与部件名称之间的对应关系为：
100塞头，200包套，300铁芯，400粒料。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步地详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
下面参照图1至图11描述根据本发明一些实施例的氧化铟靶材和氧化铟靶材制备方法。
实施例一
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2。
实施例二
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为3.5。
实施例三
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为5。
实施例四
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2。
其中，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
实施例五
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为3.5。
其中，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
实施例六
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为5。
其中，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
实施例七
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为2。
其中，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
其中，氧化铈粉末中氧化铈的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g；氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为13m2/g。
实施例八
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为3.5。
其中，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
其中，氧化铈粉末中氧化铈的纯度大于99.99％，比表面积为13m2/g；氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g。
实施例九
本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为5。
其中，氧化铈为中值粒径等于0.4μm的氧化铈粉末；氧化铟为中值粒径等于0.62μm的氧化铟粉末，能够进一步降低制备氧化铟靶材的原料的成本。
其中，氧化铈粉末中氧化铈的纯度大于99.99％，比表面积为10m2/g；氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为10m2/g。
实施例十
如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤102：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤104：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤106：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤108：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤110：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤112：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
本发明提出的氧化铟靶材制备方法，因采用上述任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比，因此，具有如上述实施例中任一项的氧化铟靶材的全部有益效果，在此不做赘述。
本发明提供的氧化铟靶材制备方法，将氧化铟和氧化铈通过球磨研磨和砂磨研磨进行混合与细磨，对充分混合与细磨后的浆料进行造粒，对造粒获得的粒料进行冷等静压以获取素坯，对素坯进行烧结，冷却后获取氧化铟靶材靶材。本发明通过球磨研磨和砂磨研磨的组合使用，使得氧化铈和氧化铟能够充分混合，同时进一步降低氧化铈和氧化铟的粒径，通过降低氧化铈和氧化铟的粒径，使得氧化铈颗粒之间、氧化铟颗粒之间及氧化铈颗粒与氧化铟颗粒之间的空隙减少，进而提高靶材的致密度，使得氧化铈和氧化铟的成分分布均匀性好，使得使用该靶材的导电氧化物薄膜性能得到提高，同时生产工艺简单，适用于工业化生产。
可以理解的是，在氧化铟和氧化铈球磨研磨和对一段研磨浆料进行砂磨研磨的过程中可以加入助剂，以提高助剂与氧化铟和氧化铈接触的概率，使得助剂起到更好的辅助作用。具体地，助剂可以为分散剂。
如图11所示，在对粒料进行冷等静压的过程中，包套200套设在铁芯300上，包套200与铁芯之间形成粒料存储间隙，粒料400放置在粒料存储间隙内，塞头100设置在铁芯300的两端，封堵粒料存储间隙，即可通过冷等静压对粒料400进行冷等静压，以获取素坯。
实施例十一
如图2所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤202：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤204：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤206：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤208：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤210：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤212：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
进一步地，二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径为0.1μm至0.38μm。
在该实施例中，进一步提供了经过砂磨研磨后获取的二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径，通过中值粒径为0.1μm至0.38μm的确定，能够更进一步地提高了靶材的致密度和成分分布均匀性，保障了使用该氧化铟靶材的导电氧化物薄膜的性能。
实施例十二
如图3所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤302：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤304：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤306：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤308：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤310：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤312：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
进一步地，二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径为0.1μm至0.38μm。
在该实施例中，进一步提供了经过砂磨研磨后获取的二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径，通过中值粒径为0.1μm至0.38μm的确定，能够更进一步地提高了靶材的致密度和成分分布均匀性，保障了使用该氧化铟靶材的导电氧化物薄膜的性能。
实施例十三
如图4所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤402：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤404：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤406：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤408：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤410：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤412：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
进一步地，球磨研磨的时长为10h至16h；球磨研磨的浆料浓度为50％至60％。
在该实施例中，进一步提供了球磨研磨的具体步骤，提供了球磨的浆料浓度和球磨时间，进一步保障了氧化铟和氧化铈的磨料细度，同时使得氧化铟和氧化铈充分混合，更进一步地提高了氧化铟靶材的致密度和成分分布均匀性，保障了使用该氧化铟靶材的导电氧化物薄膜的性能。
实施例十四
如图5所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤502：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤504：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤506：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤508：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤510：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤512：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
进一步地，砂磨研磨为多次，每次砂磨研磨的时长为1h至2h。
在该实施例中，砂磨研磨为多次，每次砂磨研磨的时长为1h至2h保障了砂磨研磨的细度，降低氧化铈和氧化铟的粒径，通过降低氧化铈和氧化铟的粒径，使得氧化铈颗粒之间、氧化铟颗粒之间及氧化铈颗粒与氧化铟颗粒之间的空隙减少，进而提高靶材的致密度，使得氧化铈和氧化铟的成分分布均匀性好。
具体地，砂磨研磨为3至7次。
进一步地，砂磨研磨的磨料为粒径为0.2mm至0.4mm的氧化锆陶瓷。
在该实施例中，进一步提供了砂磨研磨磨料的选材及粒径，避免了磨料污染用于制备氧化铟靶材的原材料，提高了靶材的纯度。
实施例十五
如图6所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤602：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤604：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤606：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤608：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤610：将粒料放置在等静压模具内，对等静压模具施加160Mpa至200Mpa的压力，获取素坯；
步骤612：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
实施例十六
如图7所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤702：按照实施例一至实施例九中任一实施例的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
步骤704：将靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
步骤706：对一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
步骤708：对二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤710：将粒料放置在等静压模具内，对等静压模具施加160Mpa至200Mpa的压力，获取素坯；
步骤712：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
进一步地，对素坯进行烧结的烧结温度为1520℃至1600℃。
在该实施例中，进一步提供了烧结的烧结温度，通过1520℃至1600℃的选取保障了氧化铟靶材的致密度。
具体实施例
如图8所示，本发明的一个实施例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤802：将纯度大于99.99％，粒度D50＜0.62μm，BET＝10m2/g的氧化铟粉末和纯度大于99.95％，粒度D50＜0.4μm，BET＝10m2/g的氧化铈粉末投入球磨机混合，球磨时间15h；
步骤804：将球磨后的浆料打入砂磨机内进行砂磨，砂磨次数为5次，每次2h；
步骤806：通过喷雾造粒得到球形的粒料；
步骤808：将粒料放在冷等静压模具内，进行冷等静压成型，成型压力200MPa，得到素坯；
步骤810：将成型好的素坯放入烧结炉内，进行氧气气氛烧结，烧结温度1600℃。冷却后得到氧化铟靶材。
本实施例得到的氧化铟靶材致密度高，纯度高，成分分布均匀性好，晶粒尺寸小，工艺简单适合大规模生产。
对比例1
该对比例提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铟；氧化锡；其中，氧化锡的质量百分比为1至5。
对比例2
发明提供了一种氧化铟靶材，包括：氧化铟靶材的原料组分包括：氧化铈；氧化铟；其中，氧化铈的质量百分比为6。
对比例3
如图9所示，该对比例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤12：将氧化铟粉末和氧化铈粉末基材通过球磨研磨，获取浆料；
步骤14：对磨浆料进行造粒，获取粒料；
步骤16：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤18：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
对比例4
如图10所示，该对比例提供了一种氧化铟靶材制备方法，包括：
步骤22：对氧化铟粉末和氧化铈粉末进行砂磨研磨，获取浆料；
步骤24：对浆料进行造粒，获取粒料；
步骤26：对粒料进行冷等静压，获取素坯；
步骤28：对素坯进行烧结，冷却后获取靶材。
测试例
选取实施例一至实施例十六、具体实施例和对比例1至对比例4制备获取的靶材，采用内外圆磨和线切割机加工后的尺寸为：内径135mm，高度500mm，壁厚6mm，靶材密度测试采用阿基米德排水法，电阻率测试采用四探针法，电阻率均匀性分析采用九宫格方法在靶材表面测试9点不同位置的电阻率，然后用最大值与平均值的差值比上平均值进行均匀性的计算，分别测量实施例一至实施例十六、具体实施例和对比例1至对比例3制备获取的靶材的靶材密度、电阻率和电阻率均匀性，测试结果见表1。
表1测试例测量结果
基于表1的测量结果，通过实施例一至实施例十六和具体实施例的测量结果与对比例1至对比例4的测量结果对比可见，实施例一至实施例十六和具体实施例制备的靶材密度和电阻率均匀性得到显著的提高，靶材电阻率明显降低，使得使用该靶材的导电氧化物薄膜的红外波段的透光率得到提高，而且具有优异的导电性能，不影响作为导电电极使用。通过实施例四至实施例六的测量结果与实施例一至实施例三的测量结果对比可见，通过对氧化铈的中值粒径小于或等于0.4μm，氧化铟的中值粒径小于或等于0.62μm，能够进一步提高靶材密度和电阻率均匀性，能够进一步降低靶材电阻率。通过实施例七至实施例九的测量结果与实施例四至实施例六的测量结果对比可见，通过氧化铈粉末中氧化铈的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g至13m2/g；氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g至13m2/g的确定能够进一步地提高靶材性能。通过实施例十至实施例十六的测量结果与实施例一至实施例九的测量结果对比可见，通过本发明提供的氧化铟靶材制备方法能够更进一步地提高靶材性能。
在本发明中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种氧化铟靶材，其特征在于，所述氧化铟靶材的原料组分包括：
氧化铈；
氧化铟；
其中，所述氧化铈的质量百分比为2至5。
2.根据权利要求1所述的氧化铟靶材，其特征在于，
所述氧化铈为中值粒径小于或等于0.4μm的氧化铈粉末；
所述氧化铟为中值粒径小于或等于0.62μm的氧化铟粉末。
3.根据权利要求2所述的氧化铟靶材，其特征在于，
所述氧化铈粉末中氧化铈的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g至13m2/g；
所述氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为8m2/g至13m2/g。
4.一种氧化铟靶材制备方法，其特征在于，包括：
按照权利要求1至3中任一项所述的氧化铟靶材的原料组分配比获取靶材原料；
将所述靶材原料通过球磨研磨，获取一段研磨浆料；
对所述一段研磨浆料进行砂磨研磨，获取二段研磨浆料；
对所述二段研磨浆料进行造粒，获取粒料；
对所述粒料进行冷等静压，获取素坯；
对所述素坯进行烧结，冷却后获取所述靶材。
5.根据权利要求4所述的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，
所述二段研磨浆料中固体颗粒物的中值粒径为0.1μm至0.38μm。
6.根据权利要求4所述氧化铟靶材制备方法，其特征在于，
所述球磨研磨的时长为10h至16h；
所述球磨研磨的浆料浓度为50％至60％。
7.根据权利要求4所述的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，
所述砂磨研磨为多次，每次砂磨研磨的时长为1h至2h。
8.根据权利要求4所述的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，
所述砂磨研磨的磨料为粒径为0.2mm至0.4mm的氧化锆陶瓷。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，所述对所述粒料进行冷等静压，获取素坯的步骤，具体包括：
将所述粒料放置在等静压模具内；
对等静压模具施加160Mpa至200Mpa的压力，获取所述素坯。
10.根据权利要求4至8中任一项所述的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，
对所述素坯进行烧结的烧结温度为1520℃至1600℃。
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