JP2015017017A

JP2015017017A - 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜

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Publication number: JP2015017017A
Application number: JP2013145677A
Authority: JP
Inventors: 公章玉野; Kimiaki Tamano; 倉持　豪人; Toshihito Kuramochi; 豪人倉持; 良秋池; Ryo Akiike
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2013-07-11
Filing date: 2013-07-11
Publication date: 2015-01-29
Anticipated expiration: 2033-07-11
Also published as: JP6155919B2

Abstract

【課題】
本発明は、上記の諸問題を鑑み、ＩＴＯと同等に低抵抗であり、かつ可視光領域から赤外領域の広い波長領域において低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を、従来よりも低温の製膜プロセスにおいて、得るための複合酸化物焼結体および酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。
【解決手段】
インジウム、ハフニウム及び酸素を有する複合酸化物焼結体であって、当該焼結体を構成する元素の原子比が、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％であり、相対密度が９７％以上であることを特徴とする複合酸化物焼結体。
【選択図】なし

Description

本発明は、酸化インジウムを主成分とする複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜に関するものである。

従来、液晶等の表示素子、太陽電池、およびタッチパネル検出素子等の各種素子で用いられてきたＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）薄膜は、キャリア密度が５．０×１０^２０ｃｍ^−３以上であり、低抵抗特性の発現に寄与する伝導電子が多いため、波長１０００ｎｍ以上の赤外領域の光を吸収し、極めて低い透過率となってしまう。

一般的に、物質の抵抗率は、キャリア電子量の指標であるキャリア密度と、その動きやすさの指標であるキャリア移動度の積に依存することが知られている。赤外領域における光吸収を抑制するためには、キャリア密度を少なくすれば良いが、同時に抵抗率を低く抑えるためにはキャリア移動度を大きくする必要がある。

そこで、ＩＴＯ膜においては、錫の添加量を調整することにより対応されてきたが、この方法では抵抗率と光吸収特性の両立が十分ではなく、その両立が望まれている。例えば、非特許文献１には、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系透明導電膜における電気光学特性のＳｎＯ_２量依存性が開示されている。これによれば、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２系透明導電膜はＳｎＯ_２量が１０ｗｔ％程度で最も抵抗が低くなるが、プラズマ波長が短波長側にシフトするため、赤外領域で光吸収率が大きくなることが示されている。

一方、酸化インジウムへの元素添加により、所望の特性を得ようとする試みもある。例えば、特許文献１にはインジウムと複数の金属元素の中から選ばれた少なくとも１種の元素と酸素から構成され、選択された金属元素が２．０〜４０ａｔ％である酸化物焼結体が開示されている。しかしながら、この文献では複数の金属元素として、ハフニウムが例示されているが、実施例ではハフニウムが１７．７ａｔ％と多量に添加された例示しかなく、低い抵抗率と広い波長領域に渡ってより広い光吸収特性を求めるためのアプローチではない。

また、特許文献２及び特許文献３には酸化インジウムと絶縁性酸化物が、インジウム１モルに対して０．００００１〜０．２６モル含有されているスパッタリングターゲットが開示され、絶縁性酸化物として酸化ハフニウムが例示されている。しかしながら、酸化ハフニウムを添加した実施例については一切記載がなく、また高抵抗の透明導電膜を得るための開示であって本発明の目的とは異なるものである。

また、特許文献４には、インジウムにハフニウムを添加したスパッタリングターゲットが開示されているが、実施例では酸化インジウムを８９ａｔ％、酸化亜鉛を６ａｔ％、酸化錫を５ａｔ％、酸化ハフニウム５ａｔ％を同時に添加したものが例示されているにすぎず、得られる膜の抵抗率も７５０μΩ・ｃｍと高い。

また、特許文献５には、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜にハフニウムを含有した透明導電膜が開示されているが、４００℃と高い製膜プロセスにより作製されており、ターゲットに関しても１４００℃で２時間焼成した例が開示されているのみで、相対密度は低いものと推察される。

特開平９−２０９１３４号公報特開２００３−１０５５３２号公報特開２００４−１４９８８３号公報特開２００４−０６８０５４号公報特開平４−３４１７０７号公報

ＴＯＳＯＨＲｅｓｅａｒｃｈ＆ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｖｉｅｗ、４７、ｐｐ．１１−２０（２００３）

本発明は、上記の諸問題を鑑み、ＩＴＯと同等に低抵抗であり、かつ可視光領域から赤外領域の広い波長領域において低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜、当該膜を２００℃以下の低温プロセスで作製する酸化物透明導電膜の製造方法、および当該膜を作成するための複合酸化物焼結体を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記の目的を達成するために鋭意検討した結果、特定の元素を、特定の組成で添加することにより、２００℃以下の低い製膜プロセスにおいても、ＩＴＯと同等に低抵抗であり、かつ可視光領域から赤外領域の広い波長領域において低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を得ることが可能な複合酸化物焼結体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明の態様は以下の通りである。
（１）インジウム、ハフニウム及び酸素を有する複合酸化物焼結体であって、当該焼結体を構成する元素の原子比が、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％であり、相対密度が９７％以上であることを特徴とする複合酸化物焼結体。
（２）（１）に記載の複合酸化物焼結体を含んでなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
（３）（２）に記載のスパッタリングターゲットを用いて２００℃以下の製膜プロセスで製膜することを特徴とする酸化物透明導電膜の製造方法。
（４）構成元素としてインジウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物透明導電膜であって、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％であり、抵抗率が３００μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする酸化物透明導電膜。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明の複合酸化物焼結体は、インジウムおよびハフニウム及び酸素を有する複合酸化物焼結体であって、当該焼結体を構成する元素の原子比が、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％であり、好ましくは原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が１．５〜３．５ａｔ％である。

複合酸化物焼結体において、ハフニウム添加量が原子比換算で上述の範囲である場合、当該焼結体を用いてＩＴＯよりも低抵抗であり、かつ可視光領域から赤外領域の広い波長領域において低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を２００℃以下の低温プロセスで得ることができる。

なお、本発明においては、不可避的な微量の不純物の混入は問わない。このような不純物としては、Ｉｎ、Ｈｆ以外の金属元素を有する酸化物などの化合物が挙げられる。酸化物焼結体におけるこれらの不純物の合計含有量は、金属元素に換算して、Ｉｎ及びＨｆの合計に対し、好ましくは１ａｔ％以下であり、より好ましくは０．５ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．１ａｔ％以下であり、特に好ましいのは０．０１ａｔ％以下である。

本発明の複合酸化物焼結体は、相対密度が９７％以上であり、９９％以上とすることが好ましい。相対密度が９７％未満となると透明導電膜を製膜中の異常放電が発生する頻度が高くなり、膜組成の不均一化、膜へのパーティクル付着などが引き起こされ、透明導電膜の電気抵抗や光学特性、熱化学的挙動が損なわれる恐れがある。このことから、複合酸化物焼結体の相対密度をこのような範囲として、スパッタリング中の異常放電現象を抑制する必要がある。

ここで、本発明の複合酸化物の相対密度（％）は、理論密度に対する焼結密度の相対値として算出した。ここで複合酸化物の理論密度は、各構成元素の酸化物の理論密度（Ｉｎ_２Ｏ_３：７．１８ｇ／ｃｍ^３、ＨｆＯ_２：９．６８ｇ／ｃｍ^３）の重量比率から所望の理論密度を算出した。また、複合酸化物の焼結密度（ｇ／ｃｍ^３）は、ＪＩＳ−Ｒ１６３４−１９９８に準拠しアルキメデス法で測定することにより求めた。

本発明の複合酸化物焼結体の平均粒径は好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは８μｍ以下である。こうすることにより、複合酸化物焼結体の強度を高めることが可能となる。

なお、本発明における焼結体中の粒子の平均粒径の測定は以下のように行う。すなわち、本発明の酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希塩酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化する。この試料をＥＰＭＡ、ＳＥＭ／ＥＤＳ、ＸＲＤ等を用いて、焼結体の研磨面の観察写真を撮る。観察写真の粒子５００個以上の長径を求め、その算術平均を平均粒径とした。

次に、本発明の複合酸化物焼結体の製造方法について説明する。

本発明においては、原料粉末の混合方法には特に限定はなく、インジウム源となる粉末及びハフニウム源となる粉末を同時に混合してもよく、又は一部を予備混合した後に、さらに残部を追加して混合してもよい。原料粉末としては、特に限定されるものではなく、酸化インジウム、酸化ハフニウムが適するが、焼成により酸化インジウム又は酸化ハフニウムとなるインジウム又はハフニウムの硝酸塩、塩化物、炭酸塩、アルコキシド等も使用することができる。特に取り扱い性を考慮すると、酸化物粉末が好適に用いられるので、ここでは酸化物粉末を原料として用いた場合について説明する。これら粉末の粒径は、取扱性を考慮すると平均１次粒径１．５μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜１．５μｍである。このような粉末を使用することにより、焼結体密度の改善効果が得られる。各酸化物粉末の純度は、９９．９７％以上であることが好ましい。各酸化物の純度が９９．９７％未満では、所望の組成を有する酸化物焼結体を得ることが困難になり、高密度な酸化物焼結体を得ることが困難になる可能性がある。

これらの原料の配合は、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％となるようにする。好ましくは原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が１．５〜３．５ａｔ％となるようにする。このような組成とすることで、ＩＴＯと同等に低抵抗であり、かつ可視光領域から赤外領域の広い波長領域において低い光吸収特性を有する酸化物透明導電膜を得ることが可能な複合酸化物焼結体を得ることができる。

各成分の酸化物原料粉末を混合する方法としては、特に限定されるものではないが、目的とする組成のターゲットが得られるように各原料粉末を秤量した後、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた乾式、湿式のメディア撹拌型ミルやメディアレスの容器回転式混合、機械撹拌式混合等の混合方法が例示される。具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル、Ｖ型混合機、パドル式混合機、二軸遊星撹拌式混合機等が挙げられる。なお、湿式法のボールミルやビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等を用いる場合には、粉砕後のスラリーを乾燥する必要がある。この乾燥方法は特に限定されるものではないが、例えば、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等が例示できる。

このとき、粉砕・混合時間は特に限定されるものではないが、２〜３０時間が好ましく、３〜２５時間がより好ましく、５〜２０時間がさらに好ましい。

得られた混合酸化物粉末の平均粒径は１．５μｍ以下、より好ましくは０．１〜１．５μｍとして成形用粉末とする。さらに造粒処理等により成形工程での操作性を改善しておくことも可能である。これらの操作は、成形性や焼結性の改善に効果を奏するものである。

次に原料調整工程で得られた成形用粉末で成形体を作製する。成形方法は、目的とする形状に成形可能な成形方法を適宜選択することができ、特に限定されるものではない。プレス成形法、鋳込み成形法等が例示できる。成形圧力は、割れ・クラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体を得ることができれば特に限定されるものではないが、成形体密度は可能な限り、高めた方がより好ましい。そのために冷間静水圧成形（ＣＩＰ）等の方法を用いることも可能である。この際、必要に応じ、成形性を改善するための有機系の添加剤を使用しても良い。

成形の際に添加剤を使用した場合には、成形体中に残存する水分や有機系の添加剤を除去するため、焼成の前に８０〜５００℃の温度で加熱処理を施すことが好ましい。この処理温度は、残存する水分や添加剤の量や種類により適宜選択されれば良い。

次に成形工程で得られた成形体を焼結することで焼結体を作製する。昇温速度は特に限定されないが焼成時間の短縮と割れ防止の観点から、１０〜４００℃／時間が好ましい。焼結温度は、１５８０〜１６４０℃とする。こうすることにより、相対密度９７％以上を有する高密度の焼結体が得ることができる。焼成時の保持温度は１時間以上が好ましく、３〜１０時間であることがより好ましい。こうすることにより、高密度でかつ平均粒径が小さい焼結体を得ることができる。降温速度については、通常の範囲内で設定されれば特に限定されるものではなく、焼成時間の短縮と割れ防止の観点から、５〜５００℃／時間とするのが好ましい。また、焼成時の雰囲気は、酸素雰囲気下で焼成を行うことが好ましい。このようにすることで、高密度の焼結体を得ることが可能となる。

本発明のスパッタリングターゲットは、前記の複合酸化物焼結体からなることを特徴とする。このようなスパッタリングターゲットは、製膜時の放電特性に優れ、異常放電が抑制され安定した製膜を可能とする。

本発明においては、複合酸化物焼結体をそのままスパッタリングターゲットとして用いても良く、また複合酸化物焼結体を所定の形状に加工してスパッタリングターゲットとして用いても良い。

スパッタリングターゲットは、スパッタリング面の表面粗さが中心線平均粗さ（Ｒａ）で２μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましい。これにより、製膜時の異常放電の回数を一層抑制することが可能となり、安定した製膜を可能とする。中心線平均粗さは、複合酸化物焼結体のスパッタリング面を、番手を変えた砥石等で機械加工する方法、サンドブラスト等で噴射加工する方法等により調整することが可能である。また中心線平均粗さは、例えば測定面を表面性状測定装置で評価することにより求めることができる。

以上の方法により作製した本発明のスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に設置しスパッタリング法で製膜することが可能となる。

スパッタリング方法に関しては、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、ＡＣスパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、ＤＭＳスパッタリング法等を適宜選択可能であるが、大面積に均一に、かつ高速製膜可能な点でＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法が好ましい。

スパッタリング時の温度は特に限定されるものではないが、用いた基材の耐熱性に影響される。例えば、無アルカリガラスを基材とした場合は通常２５０℃以下、樹脂製のフィルムを基材とした場合は、通常１５０℃以下が好ましい。このようにする事で、樹脂製基板を用いたフレキシブル太陽電池やタッチパネル用検出素子においても、低い製膜プロセス温度でＩＴＯ同等の低い抵抗率を有する透明導電膜の作製が可能となる。もちろん、石英、セラミックス、金属等の耐熱性に優れた基材を用いる場合には、それ以上の温度で製膜することも可能である。

スパッタリング時の雰囲気ガスは、通常、不活性ガス、例えばアルゴンガスを用いる。必要に応じて、酸素ガス、窒素ガス、水素ガス等を用いてもよい。

このようにして得られた酸化物透明導電膜の組成は、ターゲットの組成を直に反映された組成となる。よって、酸化物透明導電膜の組成は、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％の組成を有する酸化物透明導電膜が得られる。

また、本発明の酸化物透明導電膜は、抵抗率が３００μΩ・ｃｍ以下で波長８００〜１２００ｎｍにおける平均光吸収率が３．０％以下の低光吸収特性を示す。平均光吸収率が３．０％より大きくなった場合、太陽電池デバイスの光吸収特性の低下による変換効率の低下を引き起こす可能性がある。また、抵抗率が３００μΩ・ｃｍより大きくなるとフィルファクタの低下による太陽電池特性の低下を引き起こす可能性がある。

本発明の複合酸化物焼結体はスパッタリングターゲットとして用いた場合、２００℃以下の低温プロセスにおいても、低抵抗と低光吸収特性を両立した酸化物透明導電膜を得ることが可能となる。このため、本発明は、フラットパネルディスプレイ、タッチパネルなどの各種表示素子や太陽電池などの光学素子を製造するために産業上極めて有用な技術発明である。

本発明を以下の実施例により具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、評価方法は以下の通りである。

［酸化物焼結体の評価］
（組成）
ＩＣＰ−ＭＳ質量分析法により定量した。
（相対密度）
前述のように、アルキメデス法により焼結密度を測定し、理論密度に対する焼結密度の相対値として求めた。
（平均粒径）
複合酸化物焼結体を構成する粒子の平均粒径は、前述のようにして求めた。ただし、走査電子顕微鏡を用いて観察写真を得、平均粒径は粒子５００個から求めた。

［酸化物透明導電膜の評価］
（光吸収率）
基板を含めた光透過率、光反射率を分光光度計Ｕ−４１００（日立製作所社製）で波長４００−１２００ｎｍの範囲を測定した。得られた光透過率Ｔ（％）、光反射率Ｒ（％）としたとき、光吸収率Ａを以下の式より算出した。
Ａ（％）＝１００−Ｔ−Ｒ
（電気的特性）
ファンデル・パウ法により、ホール効果測定装置ＨＬ５５００（日本バイオ・ラッドラボラトリーズ社製）を用いて、抵抗率を測定した。
（放電特性）
下記スパッタリング条件下で１時間当たりに生じた異常放電回数を算出した。
スパッタリング条件
・装置：ＤＣマグネトロンスパッタリング装置（アルバック社製）
・磁界強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）
・基板温度：室温（約２５℃）
・到達真空度：５×１０^−４Ｐａ
・スパッタリングガス：アルゴン＋酸素
（酸素／（アルゴン＋酸素）で表１に記載）（体積比）
・スパッタリングガス圧：０．５Ｐａ
・ＤＣパワー：２００Ｗ
・スパッタリング時間：３０時間
・異常放電検出装置：μアークモニターＭＡＭｇｅｎｅｓｉｓ（ＬａｎｄｍａｒｋＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）を用いて３０時間の異常放電回数をカウント。下記式により、１時間当たりの異常放電回数を算出した。
１時間当たりの異常放電回数（回／ｈｒ）＝３０時間での積算異常放電回数（回）／３０（ｈｒ）
［実施例１〜１２、比較例１〜４］
酸化物焼結体の作製
純度９９．９９％、平均粒径０．５μｍの酸化インジウム粉末、純度９９．９９％、平均粒径０．２μｍの酸化ハフニウム粉末を原料粉末とし、表１に記載の最終組成となるように秤量してφ１５ｍｍのナイロンボールを用いた乾式ボールミルで２０時間混合した。混合粉末の平均粒径は０．２μｍ〜０．５μｍ、粉末タップ密度は１．８〜１．９ｇ／ｃｍ^３であった。得られた粉末を直径１５０ｍｍの金型を用いて、０．３ｔｏｎ／ｃｍ^２で金型成形し、次いで、３．０ｔｏｎ／ｃｍ^２でＣＩＰ成形し、純酸素雰囲気焼成炉を用いて下記条件で焼結を行った。
（焼成条件）
・昇温速度：５０℃／時間
・焼結保持温度：１５５０℃（比較例３，４）
１５８０℃（実施例７〜８）
１６００℃（実施例１〜６，９〜１０，比較例１〜２）
１６２０℃（実施例１１）
１６４０℃（実施例１２）
・保持時間：５時間（実施例７、９、１１、１２、比較例３）
１０時間（実施例１〜６、８、１０、較例１〜２、４）
・焼結雰囲気：昇温時の室温から降温時の１００℃まで純酸素ガスを炉内に導入
・降温速度：１００℃／時間
酸化物透明導電膜の作製
このようにして得た酸化物焼結体を４インチφサイズに加工し、ターゲットのスパッタリング面となる面は、平面研削盤とダイヤモンド砥石を用い、砥石の番手を変えることにより、中心線平均粗さ（Ｒａ）を調整し、ターゲットを作製した。このターゲットを用いて以下の条件で膜作製を行った。
（スパッタリング条件）
・装置：ＤＣマグネトロンスパッタリング装置
・磁場強度：１０００Ｇａｕｓｓ（ターゲット直上、水平成分）
・基板温度：室温（２５℃）
・到達真空度：５×１０^−４Ｐａ
・スパッタリングガス：アルゴン＋酸素
・スパッタリングガス圧：０．５ｐａ
・ＤＣパワー：２００Ｗ
・膜厚：１５０ｎｍ
・使用基板：無アルカリガラス（コーニング社製ＥＡＧＬＥＸＧガラス）
厚さ０．７ｍｍ
（製膜後の後処理条件）
基板上に製膜した試料を大気中で１９０℃、５分間熱処理を行った。

光吸収率、電気的特性及び放電特性の評価結果を表１に示す。

［参考例１］
酸化物焼結体の作製
純度９９．９９％、平均粒径０．５μｍの酸化インジウム粉末及び純度９９．９９％、平均粒径０．５μｍの酸化錫粉末を原料粉末とし、酸化インジウムと酸化錫が９０：１０の重量比となるように秤量して乾式ボールミルで混合した。平均粒径は０．２μｍであった。

酸化物透明導電膜の作製
得られた混合粉末を用いて、実施例１と同様にターゲットを作製し、実施例１〜１２と同一のＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて製膜し、後処理を行って透明導電膜を得た。

実施例７〜１２および比較例３、４から、焼結体の焼成温度を１５８０〜１６４０℃、焼成時の保持温度を５〜１０時間にすることにより、焼結体密度９７％以上を有する焼結体を作製する事が可能となる。そして、焼結体密度９７％以上のターゲットはスパッタリング中の異常放電が抑制されていることがわかる。

また、実施例１〜１２および比較例１、２を比較する事により、インジウムおよびハフニウムが原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％添加することにより、可視光領域に加えて近赤外領域においても光吸収率が低く、且つ抵抗率が３００μΩ・ｃｍ以下である酸化物透明導電膜を作製することが可能となることがわかる。

Claims

インジウム、ハフニウム及び酸素を有する複合酸化物焼結体であって、当該焼結体を構成する元素の原子比が、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％であり、相対密度が９７％以上であることを特徴とする複合酸化物焼結体。
請求項１に記載の複合酸化物焼結体を含んでなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
請求項２に記載のスパッタリングターゲットを用いて２００℃以下の製膜プロセスで製膜することを特徴とする酸化物透明導電膜の製造方法。
構成元素としてインジウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物透明導電膜であって、インジウム及びハフニウムをそれぞれＩｎ、Ｈｆとしたときに、原子比でＨｆ／（Ｉｎ＋Ｈｆ）が０．５〜４．０ａｔ％であり、抵抗率が３００μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする酸化物透明導電膜。