CN114041108A - 静电容传感器以及输入装置 - Google Patents

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Abstract

静电容传感器具备相互正交地配设的多个第一检测电极以及多个第二检测电极，多个第一检测电极以及多个第二检测电极分别具有直线状排列配置的多个检测面以及将相邻的两个检测面之间连接的多个连接部，其中，具有配置成矩阵状的多个第一检测电极与多个第二检测电极的多个交叉点，交替配置在第一检测电极的连接部设有电阻的交叉点和在第二检测电极的连接部设有电阻的交叉点。

Description

静电容传感器以及输入装置
技术领域
本发明涉及静电容传感器以及输入装置。
背景技术
以往，已知有如下技术：通过具备相互正交的多个纵电极和多个横电极的静电容传感器，检测操作体相对于输入装置的操作面的接近状态，生成表示该接近状态的图像数据。
例如，在下述专利文献1中公开了如下技术：针对构成静电容传感器的相互正交的多个纵电极以及多个横电极的每一个，基于由该各电极的一端侧的检测部检测出的电流值与由该各电极的另一端侧的检测部检测出的电流值的比率，来检测该各电极中的操作体的接近位置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/012030号
发明内容
-发明所要解决的课题-
然而，在以往的静电容传感器中，在多个纵电极以及多个横电极中，利用多个检测面呈直线状排列设置且相邻的两个检测面通过连接部连接的检测电极。在这样的静电容传感器中，纵电极的检测面和横电极的检测面以在俯视时不重叠的方式配置，但需要使纵电极的连接部与横电极的连接部交叉。此外，在这样的静电容传感器中，如上所述，为了检测各检测电极上的操作体的接近位置，有时在纵电极和横电极交叉的各交叉点处，在纵电极的连接部和横电极的连接部分别设置电阻。
然而，在以往的静电容传感器中，在各交叉点处，设置于纵电极的连接部的电阻与设置于横电极的连接部的电阻重叠，因此需要为了使各个电阻间绝缘而将纵电极和横电极设置于相互不同的层，因此，难以使静电容传感器整体薄型化。此外，在纵电极和横电极交叉的各交叉点处，在纵电极的连接部和横电极的连接部分别设置电阻的情况下，有如下问题：为了形成电阻而使用的材料的使用量增加，从而成本增大，并且具有制作工序数增加。
-用于解决课题的手段-
一个实施方式的静电容传感器具备相互正交地配设的多个第一检测电极以及多个第二检测电极，多个第一检测电极以及多个第二检测电极分别具有直线状排列配置的多个检测面以及将相邻的两个检测面之间连接的多个连接部，其中，具有配置成矩阵状的多个第一检测电极与多个第二检测电极的多个交叉点，交替配置在第一检测电极的连接部设有电阻的交叉点和在第二检测电极的连接部设有电阻的交叉点。
-发明效果-
根据一个实施方式，通过在各检测电极设置电阻，能够在能够检测各检测电极的接近位置的静电容传感器中实现静电容传感器整体的薄型化。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的静电容传感器的结构的图。
图2是一个实施方式所涉及的静电容传感器的侧视图。
图3是表示一个实施方式所涉及的输入装置的装置结构的框图。
图4是表示一个实施方式所涉及的运算装置的功能结构的框图。
图5是表示一个实施方式所涉及的运算装置的处理的步骤的流程图。
图6是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部左系数表格的计算例的图。
图7是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部的右系数表格的计算例的图。
图8是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部的上系数表格的计算例的图。
图9是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部的下系数表格的计算例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对一个实施方式进行说明。
(静电容传感器100的结构)
图1是表示一个实施方式所涉及的静电容传感器100的结构的图。图1的(a)表示静电容传感器100的整体。图1的(b)放大表示静电容传感器100的一部分。
如图1所示，静电容传感器100具备相互正交地配设的多个(在图1所示的例子中为5个)第一检测电极Xa～Xe、和多个(在图1所示的例子中为4个)第二检测电极Ya～Yd。
第一检测电极Xa～Xe均为沿纵向延伸的检测电极。第一检测电极Xa～Xe在横向上具有一定的间隔而相互平行地排列配置。第一检测电极Xa～Xe均具有如下形状：多个(在图1所示的例子中为5个)菱形的检测面F在纵向上以直线状排列配置，并且，相邻的检测面F彼此通过带状的连接部C(在图1所示的例子中，从检测部D1前往检测部D2而存在的四个连接部C1～C4)连接。即，在图1所示的例子中，在静电容传感器100中，通过5根第一检测电极Xa～Xe，将25个检测面F配置成5行×5列的矩阵状。第一检测电极Xa～Xe均在上端部具有用于检测各第一检测电极Xa～Xe的静电容值的检测部D1，在下端部具有用于检测各第一检测电极Xa～Xe的静电容值的检测部D2。第一检测电极Xa～Xe均使用金属膜(例如，铜膜)、ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)、其他具有导电性的材料而形成。
第二检测电极Ya～Yd均为沿横向延伸的检测电极。第二检测电极Ya～Yd在纵向上具有一定的间隔而相互平行地排列配置。第二检测电极Ya～Yd均具有如下形状：多个(在图1所示的例子中为6个)菱形的检测面F在横向上直线状地排列配置，并且，相邻的检测面F彼此通过带状的连接部C(在图1所示的例子中，从检测部D3前往检测部D4而存在的5个连接部C1～C5)连接。即，在图1所示的例子中，在静电容传感器100中，通过4根第二检测电极Ya～Yd，将24个检测面F配置成4行×6列的矩阵状。第二检测电极Ya～Yd均在左端部具有用于检测各第二检测电极Ya～Yd的静电容值的检测部D3，在右端部具有用于检测各第二检测电极Ya～Yd的静电容值的检测部D4。第二检测电极Ya～Yd均使用金属膜(例如，铜膜)、ITO、其他具有导电性的材料而形成。此外，第一检测电极Xa～Xe的检测面F与第二检测电极Ya～Yd的检测面F被配置为相互不重叠。
如图1所示，静电容传感器100具有配置成矩阵状的第一检测电极Xa～Xe与第二检测电极Ya～Yd的多个交叉点M。在图1所示的例子中，静电容传感器100通过第一检测电极Xa～Xe和第二检测电极Ya～Yd，将20个交叉点M配置成4行×5列的矩阵状。各交叉点M是第一检测电极Xa～Xe的连接部C与第二检测电极Ya～Yd的连接部C交叉的部分。
在此，如图1所示，静电容传感器100交替配置：在第一检测电极Xa～Xe的连接部C设有电阻R且在第二检测电极Ya～Yd的连接部C未设有电阻R的交叉点M；和在第二检测电极Ya～Yd的连接部C设有电阻R且在第一检测电极Xa～Xe的连接部C未设有电阻R的交叉点M。即，在各交叉点M中，仅在第一检测电极Xa～Xe的连接部C、或者第二检测电极Ya～Yd的连接部C中的任一方设有电阻R。
具体而言，第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自交替地设置设有电阻R的连接部C和未设有电阻R的连接部C。
而且，在静电容传感器100中，在某交叉点M(设为“第一交叉点M1”)中，第一检测电极Xa～Xe中的未设有电阻R的连接部C与第二检测电极Ya～Yd中的设有电阻R的连接部C交叉。
此外，在静电容传感器100中，在与第一交叉点M相邻的交叉点M(设为“第二交叉点M2”)中，第一检测电极Xa～Xe中的设有电阻R的连接部C与第二检测电极Ya～Yd中的未设有电阻R的连接部C交叉。
由此，静电容传感器100交替配置：在第一检测电极Xa～Xe的连接部C设有电阻R且在第二检测电极Ya～Yd的连接部C未设有电阻R的第二交叉点M2；和在第二检测电极Ya～Yd的连接部C设有电阻R且在第一检测电极Xa～Xe的连接部C未设有电阻R的第一交叉点M1。
图2是一个实施方式所涉及的静电容传感器100的侧视图。在图2中，表示从左侧观察的静电容传感器100的侧面。此外，在图2中，表示设置于设置对象物12(例如，部件等)的表面的状态的静电容传感器100。
如图2所示，本实施方式的静电容传感器100在基板102上安装有图1所示的第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd。此外，如图1所说明的那样，本实施方式的静电容传感器100采用在多个交叉点M的每一个中，仅在第一检测电极Xa～Xe的连接部C、或者第二检测电极Ya～Yd的连接部C中的任一方设置电阻R的结构。
即，本实施方式的静电容传感器100在多个交叉点M的每一个中，设置于第一检测电极Xa～Xe的连接部C或者第二检测电极Ya～Yd的连接部C的各个两个电阻R不重叠。因此，如图2所示，本实施方式的静电容传感器100无需使第一检测电极Xa～Xe和第二检测电极Ya～Yd在上下方向上分离，因此，能够设置在相同平面上。
由此，本实施方式的静电容传感器100能够实现该静电容传感器100整体的薄型化。此外，在本实施方式的静电容传感器100中，由于第一检测电极Xa～Xe和第二检测电极Ya～Yd设置在相同平面上，因此能够使第一检测电极Xa～Xe的检测灵敏度和第二检测电极Ya～Yd的检测灵敏度为相同程度。
另外，在相互交叉的第一检测电极Xa～Xe的连接部C与第二检测电极Ya～Yd的连接部C之间，通过极薄地涂敷阻挡剂，形成有绝缘部，以使得两者不导通。或者，也可以形成为通过经由通孔将未设有电阻R的一侧的连接部C连接，从而两者不导通。
(输入装置10的装置结构)
图3是表示一个实施方式所涉及的输入装置10的装置结构的框图。图3所示的输入装置10是能够检测操作体相对于操作面10A的接近状态(位置、范围以及距离)、并生成以及输出表示检测出的接近状态的图像数据的装置。
如图3所示，输入装置10具备静电容传感器100(参照图1)、检测电路120以及运算装置140。
静电容传感器100相对于操作面10A重叠设置。静电容传感器100中，根据操作体相对于操作面10A的接近状态，第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自的静电容值发生变化。
检测电路120针对每个第一检测电极Xa～Xe，检测上端的检测部D1中的静电容值以及下端的检测部D2中的静电容值。由于第一检测电极Xa～Xe各自具有多个电阻R，因此在每个第一检测电极Xa～Xe中，在上端的检测部D1中检测出的静电容值和在下端的检测部D2中检测出的静电容值根据操作体的接近位置而不同。
此外，检测电路120针对每个第二检测电极Ya～Yd检测左端的检测部D3中的静电容值以及右端的检测部D4中的静电容值。由于各个第二检测电极Ya～Yd具有多个电阻R，因此在各个第二检测电极Ya～Yd中，在左端的检测部D3中检测出的静电容值和在右端的检测部D4中检测出的静电容值根据操作体的接近位置而不同。
运算装置140基于由检测电路120检测出的各静电容值，来计算表示操作体相对于输入装置10的操作面10A的接近状态的图像数据。运算装置140例如由IC(IntegratedCircuit：集成电路)实现。
在此，本实施方式的运算装置140能够计算出第一检测电极Xa～Xe所具备的多个连接部C各自的静电容值(以下，表示为“静电容计算值”)和第二检测电极Ya～Yd所具备的多个连接部C各自的静电容计算值。而且，本实施方式的运算装置140能够基于第一检测电极Xa～Xe所具备的多个连接部C各自的静电容计算值和第二检测电极Ya～Yd所具备的多个连接部C各自的静电容计算值，来计算表示操作体的接近状态的图像数据。
(运算装置140的功能结构)
图4是表示一个实施方式所涉及的运算装置140的功能结构的框图。如图4所示，运算装置140具备存储部141、系数表格计算部142、检测值取得部143以及图像数据计算部145。
存储部141存储用于基于各静电容计算值来计算操作体的图像数据的各种表格。例如，存储部141存储横面积比表格501、纵面积比表格502、左电阻比表格511、右电阻比表格512、上电阻比表格513以及下电阻比表格514。
系数表格计算部142基于存储在存储部141中的各种表格计算系数表格。例如，系数表格计算部142基于存储在存储部141中的横面积比表格501和存储在存储部141中的左电阻比表格511，来计算左系数表格521。
此外，例如，系数表格计算部142基于存储在存储部141中的横面积比表格501和存储在存储部141中的右电阻比表格512，来计算右系数表格522。
此外，例如，系数表格计算部142基于存储在存储部141中的纵面积比表格502和存储在存储部141中的上电阻比表格513，来计算上系数表格523。
此外，例如，系数表格计算部142基于存储在存储部141中的纵面积比表格502和存储在存储部141中的下电阻比表格514，来计算下系数表格524。
检测值取得部143从检测电路120取得第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自的静电容检测值。在此，检测值取得部143针对每个第一检测电极Xa～Xe，各自取得在上端侧(“第一检测电极的一端侧”的一例)的检测部D1(“第一检测部”的一例)检测出的静电容检测值和在下端侧(“第一检测电极的另一端侧”的一例)的检测部D2(“第二检测部”的一例)检测出的静电容检测值。此外，检测值取得部143针对每个第二检测电极Ya～Yd各自取得在左端侧(“第二检测电极的一端侧”的一例)的检测部D3(“第三检测部”的一例)检测出的静电容检测值和在右端侧(“第二检测电极的另一端侧”的一例)的检测部D4(“第四检测部”的一例)检测出的静电容检测值。
图像数据计算部144基于由检测值取得部143取得的多个静电容检测值和由系数表格计算部142计算出的各系数表格521～524，来计算包括每个交叉点M的静电容计算值的图像数据。该图像数据表示操作体相对于输入装置10的操作面10A的接近状态。由图像数据计算部144计算出的图像数据例如被输出到后续的应用程序，用于在该应用程序中执行与操作体的接近状态相应的处理。另外，针对图像数据计算部144的图像数据的具体的计算方法，使用图5的流程图在后面叙述。
图4所示的运算装置140的各功能例如通过在运算装置140(“计算机”的一例)中处理器执行存储于存储器的程序来实现。
(运算装置140的处理的步骤)
图5是表示一个实施方式所涉及的运算装置140的处理的步骤的流程图。
首先，系数表格计算部142基于存储于存储部141中的横面积比表格501、纵面积比表格502、左电阻比表格511、右电阻比表格512、上电阻比表格513以及下电阻比表格514，来计算各系数表格521～524(步骤S501)。
接下来，检测值取得部143从检测电路120取得第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自的静电容检测值(步骤S502)。具体而言，检测值取得部143取得第一检测电极Xa～Xe各自的由上侧的检测部D1检测出的静电容检测值和由下侧的检测部D2检测出的静电容检测值。此外，检测值取得部143取得第二检测电极Ya～Yd各自的由左侧的检测部D3检测出的静电容检测值和由右侧的检测部D4检测出的静电容检测值。
接下来，图像数据计算部144生成初始的图像数据(步骤S503)。初始的图像数据是按每个第一检测电极Xa～Xe与第二检测电极Ya～Yd的交叉点M设定了给定的静电容值的数据。例如，图像数据计算部144生成在各交叉点M设定了任意0以外的正的静电容值(例如“1”)的图像数据。
接下来，图像数据计算部144基于在步骤S501中计算出的各系数表格521～524和在步骤S503中生成的初始的图像数据，来针对第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd的每一个，计算静电容检测值的预测值(步骤S504)。
具体而言，图像数据计算部144针对每个第二检测电极Ya～Yd，对位于各交叉点M的每个连接部C，通过对在初始的图像数据中设定的静电容值乘以在左系数表格521中设定的系数，来计算第一计算值。然后，图像数据计算部144针对每个第二检测电极Ya～Yd，对计算出的多个第一计算值进行合计，由此计算由左侧的检测部D3检测出的静电容检测值的预测值。
此外，图像数据计算部144针对每个第二检测电极Ya～Yd，对每个连接部C，通过对图像数据中设定的值乘以在右系数表格522中设定的系数，来计算第二计算值。然后，图像数据计算部144针对每个第二检测电极Ya～Yd，对计算出的多个第二计算值进行合计，由此计算由右侧的检测部D4检测出的静电容检测值的预测值。
此外，图像数据计算部144针对每个第一检测电极Xa～Xe，对每个连接部C，通过对图像数据中设定的值乘以在上系数表格523中设定的系数，来计算出第三计算值。然后，图像数据计算部144针对每个第一检测电极Xa～Xe，对计算出的多个第三计算值进行合计，来计算由上侧的检测部D1检测出的静电容检测值的预测值。
此外，图像数据计算部144针对每个第一检测电极Xa～Xe，对每个连接部C，通过对图像数据中设定的值乘以在下系数表格524中设定的系数，来计算第四计算值。然后，图像数据计算部144针对每个第一检测电极Xa～Xe，对计算出的多个第四计算值进行合计，来计算由下侧的检测部D2检测出的静电容检测值的预测值。
接下来，图像数据计算部144针对第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd的每一个，基于在步骤S502中取得的静电容检测值的实测值和在步骤S504中计算出的静电容检测值的预测值，来计算系数校正值(步骤S505)。
具体而言，图像数据计算部144针对每个第二检测电极Ya～Yd，通过将在步骤S502中取得的左侧的检测部D3的静电容检测值除以在步骤S504中计算出的检测部D3的预测值，来计算由检测部D3检测出的静电容检测值的校正值(以下，表示为“第一系数校正值”)。
此外，图像数据计算部144针对每个第二检测电极Ya～Yd，通过将在步骤S502中取得的右侧的检测部D4的静电容检测值除以在步骤S504中计算出的检测部D4的预测值，来计算由检测部D4检测出的静电容检测值的校正值(以下，表示为“第二系数校正值”)。
此外，图像数据计算部144针对每个第一检测电极Xa～Xe，通过将在步骤S502中取得的上侧的检测部D1的静电容检测值除以在步骤S504中计算出的检测部D1的预测值，来计算由检测部D1检测出的静电容检测值的校正值(以下，表示为“第三系数校正值”)。
此外，图像数据计算部144针对每个第一检测电极Xa～Xe，通过将在步骤S502中取得的下侧的检测部D2的静电容检测值除以在步骤S504中计算出的检测部D2的预测值，来计算由检测部D2检测出的静电容检测值的校正值(以下，表示为“第四系数校正值”)。
接下来，图像数据计算部144基于在步骤S505中计算出的各系数校正值，来对各系数表格521～524进行校正(步骤S506)。
具体而言，图像数据计算部144通过对在左系数表格521中设定的各系数乘以在步骤S505中计算出的第一系数校正值，来校正在左系数表格521中设定的各系数。
此外，图像数据计算部144通过对在右系数表格522中设定的各系数乘以在步骤S505中计算出的第二系数校正值，来校正在右系数表格522中设定的各系数。
此外，图像数据计算部144通过对在上系数表格523中设定的各系数乘以在步骤S505中计算出的第三系数校正值，来校正在上系数表格523中设定的各系数。
此外，图像数据计算部144通过对在下系数表格524中设定的各系数乘以在步骤S505中计算出的第四系数校正值，来校正在下系数表格524中设定的各系数。
接下来，图像数据计算部144基于在步骤S506中校正后的各系数表格521～524，对在步骤S503中生成的图像数据进行校正，由此计算包括每个交叉点M的静电容计算值的校正后的图像数据(步骤S507)。
具体而言，图像数据计算部144针对每个连接部C，对在步骤S503中生成的图像数据中设定的值乘以在校正后的左系数表格521中设定的系数，由此计算校正后的图像数据的第一值。
此外，图像数据计算部144针对每个连接部C，对在步骤S503中生成的图像数据中设定的值乘以在校正后的右系数表格522中设定的系数，由此计算校正后的图像数据的第二值。
此外，图像数据计算部144针对每个连接部C，对在步骤S503中生成的图像数据中设定的值乘以在校正后的上系数表格523中设定的系数，由此计算校正后的图像数据的第三值。
此外，图像数据计算部144针对每个连接部C，对在步骤S503中生成的图像数据中设定的值乘以在校正后的下系数表格524中设定的系数，由此计算校正后的图像数据的第四值。
然后，图像数据计算部144针对每个交叉点M，将对在该交叉点M相交的两个检测电极计算出的四个值(第一值～第四值)进行合计，由此计算包括每个交叉点M的静电容计算值的校正后的图像数据的值。
在步骤S507之后，运算装置140结束图5所示的一系列的处理。另外，运算装置140也可以将在步骤S507中得到的校正后的图像数据用作初始的图像数据，反复执行步骤S504～S507，直到满足给定的结束条件(例如，实施一定次数的、在步骤S507中得到的校正后的图像数据满足期望的品质(即，在步骤S507中得到的校正量成为一定以下)等)为止。由此，运算装置140能够将图像数据中的各连接部C的静电容计算值缓缓地引导至最优解。
(左系数表格521的计算例)
图6是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部142的左系数表格521的计算例的图。如图6所示，横面积比表格501针对每个第二检测电极Ya～Yd没定有针对从检测部D3前往检测部D4而存在的5个连接部C1～C5的每一个的面积比。另外，在本实施方式中，在各个第二检测电极Ya～Yd中，多个检测面F的面积相同，因此在图6所示的横面积比表格501中，对5个连接部C1～C5的每一个设定了相同的面积比。
此外，如图6所示，左电阻比表格511针对每个第二检测电极Ya～Yd设定有针对5个连接部C1～C5的每一个的电阻比。左电阻比表格511针对5个连接部C1～C5的每一个，表示对由设置于第二检测电极Ya～Yd的左端部的检测部D3检测出的静电容值的影响度，因此越是接近检测部D3的连接部C，越设定更高的电阻比。例如，最靠近检测部D3的连接部C1的电阻比为“1”，离检测部D3最远的连接部C5的电阻比为“0”。
其中，设有电阻的连接部C被设定为与检测部D3侧(即左侧)前一个的未设有电阻的连接部C相同的电阻比。这是因为，从检测部D1观察，该相邻的两个连接部C的电阻值相同。例如，在图6所例示的左电阻比表格511中，关于第二检测电极Ya，设有电阻的连接部C2被设定为与检测部D3侧前一个的未设有电阻的连接部C1相同的电阻比(“1”)。
系数表格计算部142基于横面积比表格501和左电阻比表格511，来计算左系数表格521。具体而言，系数表格计算部142针对第二检测电极Ya～Yd各自的各连接部C，通过对在横面积比表格501中设定的面积比乘以在左电阻比表格511中设定的电阻比，来计算系数。由此，如图6所示，系数表格计算部142针对每个第二检测电极Ya～Yd计算设定了每个连接部C的系数的左系数表格521。
(右系数表格522的计算例)
图7是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部142的右系数表格522的计算例的图。如图7所示，横面积比表格501针对每个第二检测电极Ya～Yd设定有针对从检测部D3前往检测部D4而存在的5个连接部C1～C5的每一个的面积比。另外，在本实施方式中，在各个第二检测电极Ya～Yd中，由于多个检测面F的面积相同，因此在图7所示的横面积比表格501中，对5个连接部C1～C5的每一个设定了相同的面积比。
此外，如图7所示，右电阻比表格512针对每个第二检测电极Ya～Yd设定有针对5个连接部C1～C5的每一个的电阻比。右电阻比表格512针对5个连接部C1～C5的每一个，表示对由设置于第二检测电极Ya～Yd的右端部的检测部D4检测出的静电容值的影响度，因此越是接近检测部D4的连接部C，越设定更高的电阻比。例如，最靠近检测部D4的连接部C5的电阻比为“1”，离检测部D4最远的连接部C1的电阻比为“0”。
其中，设有电阻的连接部C被设定为与检测部D4侧(即右侧)前一个的未设有电阻的连接部C相同的电阻比。这是因为，从检测部D4观察，该相邻的两个连接部C的电阻值相同。例如，在图7所例示的右电阻比表格512中，关于第二检测电极Ya，设有电阻的连接部C4被设定为与检测部D4侧前一个的未设置电阻的连接部C5相同的电阻比(“1”)。
系数表格计算部142基于横面积比表格501和右电阻比表格512，来计算右系数表格522。具体而言，系数表格计算部142针对第二检测电极Ya～Yd各自的各连接部C，通过对在横面积比表格501中设定的面积比乘以在右电阻比表格512中设定的电阻比，来计算系数。由此，如图7所示，系数表格计算部142针对每个第二检测电极Ya～Yd计算设定了每个连接部C的系数的右系数表格522。
(上系数表格523的计算例)
图8是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部142进行的上系数表格523的计算例的图。如图8所示，纵面积比表格502针对每个第一检测电极Xa～Xe，设定有针对从检测部D1前往检测部D2而存在的四个连接部C1～C4的每一个的面积比。另外，在本实施方式中，在各个第一检测电极Xa～Xe中，多个检测面F的面积相同，因此在图8所示的纵面积比表格502中，对四个连接部C1～C4的每一个设定有相同的面积比。
此外，如图8所示，上电阻比表格513针对每个第一检测电极Xa～Xe设定有针对四个连接部C1～C4的每一个的电阻比。上电阻比表格513针对四个连接部C1～C4的每一个，表示对由设置于第一检测电极Xa～Xe的上端部的检测部D1检测出的静电容值的影响度，因此越是接近检测部D1的连接部C，越设定更高的电阻比。例如，在第一检测电极Xa、Xc、Xe中，最靠近检测部D1的连接部C1的电阻比为“1”，离检测部D1最远的连接部C4的电阻比为“0”。此外，在第一检测电极Xb、Xd中，最靠近检测部D1的连接部C1的电阻比为“0.75”，离检测部D1最远的连接部C4的电阻比为“0.25”。
其中，设有电阻的连接部C被设定为与检测部D1侧(即，上侧)前一个的未设有电阻的连接部C相同的电阻比。这是因为，从检测部D1观察，该相邻的两个连接部C的电阻值相同。例如，在图8所例示的上电阻比表格513中，关于第一检测电极Xb、Xd，设有电阻的连接部C2被设定为与检测部D1侧前一个的未设有电阻的连接部C1相同的电阻比(“0.75”)。
系数表格计算部142基于纵面积比表格502和上电阻比表格513，来计算上系数表格523。具体而言，系数表格计算部142针对第一检测电极Xa～Xe各自的各连接部C，通过对在纵面积比表格502中设定的面积比乘以在上电阻比表格513中设定的电阻比，来计算系数。由此，系数表格计算部142如图8所示，针对每个第一检测电极Xa～Xe，来计算设定了每个连接部C的系数的上系数表格523。
(下系数表格524的计算例)
图9是表示一个实施方式所涉及的系数表格计算部142进行的下系数表格524的计算例的图。如图9所示，纵面积比表格502针对第一检测电极Xa～Xe的每一个，设定有针对从检测部D1前往检测部D2而存在的四个连接部C1～C4的每一个的面积比。另外，在本实施方式中，在各个第一检测电极Xa～Xe中，多个检测面F的面积相同，因此在图9所示的纵面积比表格502中，对四个连接部C1～C4的每一个设定相同的面积比。
此外，如图9所示，下电阻比表格514针对每个第一检测电极Xa～Xe，设定有针对四个连接部C1～C4的每一个的电阻比。下电阻比表格514针对四个连接部C1～C4的每一个表示对由设置于第一检测电极Xa～Xe的下端部的检测部D2检测出的静电容值的影响度，因此，越是接近检测部D2的连接部C，设定越高的电阻比。例如，在第一检测电极Xb、Xd中，最靠近检测部D2的连接部C4的电阻比为“1”，离检测部D2最远的连接部C1的电阻比为“0”。此外，在第一检测电极Xa、Xc、Xe中，最靠近检测部D2的连接部C4的电阻比为“0.75”，离检测部D2最远的连接部C1的电阻比为“0.25”。
其中，设有电阻的连接部C被设定为与检测部D2侧(即，下侧)前一个的未设有电阻的连接部C相同的电阻比。这是因为，从检测部D2观察，该相邻的两个连接部C的电阻值相同。例如，在图9所例示的下电阻比表格514中，关于第一检测电极Xa、Xc、Xe，设有电阻的连接部C3被设定为与检测部D2侧前一个的未设有电阻的连接部C4相同的电阻比(“0.75”)。
系数表格计算部142基于纵面积比表格502和下电阻比表格514，来计算下系数表格524。具体而言，系数表格计算部142针对第一检测电极Xa～Xe各自的各连接部C，通过对在纵面积比表格502中设定的面积比乘以在下电阻比表格514中设定的电阻比，来计算系数。由此，系数表格计算部142如图9所示，针对每个第一检测电极Xa～Xe，计算设定了每个连接部C的系数的下系数表格524。
如以上说明的那样，本实施方式所涉及的静电容传感器100具备相互正交地配设的第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd，第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自具有以直线状排列配置的多个检测面F、以及将相邻的检测面F彼此连接的多个连接部C，其中，具有配置为矩阵状的第一检测电极Xa～Xe与第二检测电极Ya～Yd的多个交叉点M，交替配置在第一检测电极Xa～Xe的连接部C设有电阻R的交叉点M和在第二检测电极Ya～Yd的连接部C设有电阻R的交叉点M。
由此，本实施方式所涉及的静电容传感器100不具有设置于第一检测电极Xa～Xe的电阻R与设置于第二检测电极Ya～Yd的电阻R重叠的交叉点M，因此能够缩短第一检测电极Xa～Xe与第二检测电极Ya～Yd的分离距离。因此，根据本实施方式所涉及的静电容传感器100，能够实现该静电容传感器100整体的薄型化。
此外，根据本实施方式所涉及的静电容传感器100，在纵电极和横电极交叉的各交叉点，与在纵电极的连接部和横电极的连接部分别设置电阻的情况相比，通过削减用于形成电阻的材料的使用量，能够削减成本，并且能够削减制作工序数。
此外，在本实施方式所涉及的静电容传感器100中，第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自交替地设置设有电阻R的连接部C和未设有电阻R的连接部C，第一检测电极Xa～Xe中的未设有电阻R的连接部C与第二检测电极Ya～Yd中的设有电阻R的连接部C交叉，第一检测电极Xa～Xe中的设有电阻R的连接部C与第二检测电极Ya～Yd中的未设有电阻R的连接部C交叉。
由此，本实施方式所涉及的静电容传感器100能够构成为，仅使第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd相互正交地配设，不具有设置于第一检测电极Xa～Xe的电阻R与设置于第二检测电极Ya～Yd的电阻R重叠的交叉点M。因此，根据本实施方式所涉及的静电容传感器100，能够容易地实现该静电容传感器100整体的薄型化。
此外，在本实施方式所涉及的静电容传感器100中，第一检测电极Xa～Xe和第二检测电极Ya～Yd设置于相同平面上。
由此，本实施方式所涉及的静电容传感器100能够实现该静电容传感器100整体的进一步薄型化。
此外，本实施方式所涉及的输入装置10具备：静电容传感器100；以及运算装置140，基于在静电容传感器100的检测部D1～D4中检测出的第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自的静电容检测值，来计算表示操作体相对于操作面10A的接近状态的图像数据，运算装置140具备：检测值取得部143，取得第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd各自的静电容检测值；以及图像数据计算部144，基于由检测值取得部143取得的多个静电容检测值、以及针对第一检测电极Xa～Xe以及第二检测电极Ya～Yd的每一个预先设定的与每个连接部C的位置相应的电阻比，来计算包括每个交叉点M的静电容计算值的图像数据，图像数据计算部144对相互相邻且从检测部D1～D4起的电阻值相同的两个连接部C，使用相同的电阻比。
由此，本实施方式所涉及的输入装置10通过在各检测电极中交替地配置电阻R，从而产生了从检测部D1～D4起的电阻值相同的相互相邻的两个连接部C，通过对应于此对这两个连接部C使用相同的电阻比，能够更高精度地计算图像数据。
以上，对本发明的一个实施方式进行了详述，但本发明并不限定于这些实施方式，在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内，能够进行各种变形或者变更。
例如，在运算装置140中，也可以使由系数表格计算部142计算出的各系数表格521～524存储在存储部141中。在这种情况下，运算装置140也可以在下次以后的处理中，从存储部141读出各系数表格521～524。
此外，例如，在运算装置140中，在各面积比表格501、502的设定值全部为相同值的情况下，也可以将各电阻比表格511～514直接用作各系数表格521～524。
本国际申请是基于2019年9月18日申请的基于日本专利申请第2019-169683号的优先权，将该申请的全部内容引用于本国际申请。
-附图标记说明-
10 输入装置
10A 操作面
100 静电容传感器
120 检测电路
140 运算装置
141 存储部
142 系数表格计算部
143 检测值取得部
144 图像数据计算部
501 横面积比表格
502 纵面积比表格
511 左电阻比表格
512 右电阻比表格
513 上电阻比表格
514 下电阻比表格
521 左系数表格
522 右系数表格
523 上系数表格
524 下系数表格
C 连接部
D1、D2、D3、D4 检测部
F 检测面
M 交叉点
Xa、Xb、Xc、Xd、Xe 第一检测电极
Ya、Yb、Yc、Yd 第二检测电极。

Claims (4)

1.一种静电容传感器，具备相互正交地配设的多个第一检测电极以及多个第二检测电极，所述多个第一检测电极以及所述多个第二检测电极分别具有直线状地排列配置的多个检测面以及将相邻的两个所述检测面之间连接的多个连接部，所述静电容传感器的特征在于，
所述静电容传感器具有配置成矩阵状的所述多个第一检测电极与所述多个第二检测电极的多个交叉点，
交替配置在所述第一检测电极的所述连接部设有电阻的所述交叉点和在所述第二检测电极的所述连接部设有电阻的所述交叉点。
2.根据权利要求1所述的静电容传感器，其特征在于，
所述多个第一检测电极以及所述多个第二检测电极分别交替地设置设有电阻的所述连接部和未设有电阻的所述连接部，
所述第一检测电极中的未设有所述电阻的连接部与所述第二检测电极中的设有所述电阻的连接部交叉，
所述第一检测电极中的设有所述电阻的连接部与所述第二检测电极中的未设有所述电阻的连接部交叉。
3.根据权利要求1或2所述的静电容传感器，其特征在于，
所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极设置在相同平面上。
4.一种输入装置，其特征在于，具备：
权利要求1～3中任一项所述的静电容传感器；以及
运算装置，基于在所述静电容传感器的检测部中检测出的所述多个第一检测电极以及所述多个第二检测电极各自的静电容检测值，来计算表示操作体相对于操作面的接近状态的图像数据，
所述运算装置具备：
检测值取得部，取得所述多个第一检测电极以及所述多个第二检测电极各自的所述静电容检测值；以及
图像数据计算部，基于由所述检测值取得部取得的多个所述静电容检测值和针对所述多个第一检测电极以及所述多个第二检测电极的每一个预先设定的与每个所述连接部的位置相应的电阻比，来计算包括每个所述交叉点的静电容计算值的所述图像数据，
所述图像数据计算部对于相互相邻并且从所述检测部起的电阻值相同的两个连接部使用相同的所述电阻比。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7216388B2 (ja) 2018-01-12 2023-02-01 株式会社サンセイアールアンドディ 遊技機

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06317813A (ja) * 1994-03-14 1994-11-15 Asahi Glass Co Ltd 薄膜能動素子基板
US20100182255A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Touch screen panel
JP2010231533A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Citizen Electronics Co Ltd 透明電極基板及びそれを備えたタッチパネル
CN102096532A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 索尼公司 静电电容型输入装置及其制造方法
CN102163111A (zh) * 2010-02-19 2011-08-24 罗姆股份有限公司 静电电容式输入装置和用于计算导体接近位置的计算方法
CN102362245A (zh) * 2009-03-04 2012-02-22 南东植 触摸屏传感器
JP2012053804A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Rohm Co Ltd 静電容量式入力装置、これを用いた電子機器、および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法
CN103168283A (zh) * 2010-10-18 2013-06-19 高通Mems科技公司 组合触摸、手写及指纹传感器
WO2014136155A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 パナソニック株式会社 入力装置
CN104238849A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 日本电产理德株式会社 检查装置、检查装置的校正方法及检查方法
US9829523B1 (en) * 2012-12-27 2017-11-28 Cypress Semiconductor Corporation Offset sensor pattern
WO2018012030A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 アルプス電気株式会社 入力装置、イメージデータ算出方法、及びイメージデータ算出プログラム
CN109791458A (zh) * 2016-10-06 2019-05-21 阿尔卑斯阿尔派株式会社 静电电容式传感器
CN110023892A (zh) * 2016-12-12 2019-07-16 阿尔卑斯阿尔派株式会社 静电电容式传感器以及设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8901944B2 (en) * 2010-01-15 2014-12-02 Cypress Semiconductor Corporation Lattice structure for capacitance sensing electrodes
FR2971346A1 (fr) 2011-02-03 2012-08-10 Stantum Procede et dispositif d'acquisition de donnees d'un capteur tactile matriciel multicontacts
JP2014199492A (ja) 2013-03-29 2014-10-23 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器および電子機器の制御方法
TW201504886A (zh) * 2013-07-29 2015-02-01 Wintek Corp 觸控面板
KR102194607B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-23 동우 화인켐 주식회사 터치 스크린 패널
CN104484069B (zh) * 2014-12-18 2017-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种触摸传感器及显示装置
KR102351618B1 (ko) * 2017-08-28 2022-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP7072416B2 (ja) 2018-03-26 2022-05-20 エイブリック株式会社 半導体装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06317813A (ja) * 1994-03-14 1994-11-15 Asahi Glass Co Ltd 薄膜能動素子基板
US20100182255A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Touch screen panel
CN102362245A (zh) * 2009-03-04 2012-02-22 南东植 触摸屏传感器
JP2010231533A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Citizen Electronics Co Ltd 透明電極基板及びそれを備えたタッチパネル
CN102096532A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 索尼公司 静电电容型输入装置及其制造方法
CN102163111A (zh) * 2010-02-19 2011-08-24 罗姆股份有限公司 静电电容式输入装置和用于计算导体接近位置的计算方法
JP2012053804A (ja) * 2010-09-03 2012-03-15 Rohm Co Ltd 静電容量式入力装置、これを用いた電子機器、および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法
CN103168283A (zh) * 2010-10-18 2013-06-19 高通Mems科技公司 组合触摸、手写及指纹传感器
US9829523B1 (en) * 2012-12-27 2017-11-28 Cypress Semiconductor Corporation Offset sensor pattern
WO2014136155A1 (ja) * 2013-03-04 2014-09-12 パナソニック株式会社 入力装置
CN104238849A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 日本电产理德株式会社 检查装置、检查装置的校正方法及检查方法
WO2018012030A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 アルプス電気株式会社 入力装置、イメージデータ算出方法、及びイメージデータ算出プログラム
CN109791458A (zh) * 2016-10-06 2019-05-21 阿尔卑斯阿尔派株式会社 静电电容式传感器
CN110023892A (zh) * 2016-12-12 2019-07-16 阿尔卑斯阿尔派株式会社 静电电容式传感器以及设备

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