CN113972337B - 包含封盖层的有机电致发光器件以及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了有机电致发光器件相关的制备方法，根据本发明的一种实施例，有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。

Description

包含封盖层的有机电致发光器件以及其制备方法
技术领域
本发明属于光电材料技术领域，具体涉及包含封盖层的有机电致发光器件以及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(Organic light emitting diode)是一种基于有机电致发光材料的自发光显示器件，与现有液晶显示器件不同，具有无需背光源、厚度薄的的特点，是适合于柔性器件装置(柔性发光显示装置)的技术。
有机电致发光材料是在电场作用下能发出光的高分子或小分子有机材料，为了提高有机电致发光器件中有机电致发光材料的稳定性和效率，在阳极和阴极之间制备多层的有机物薄膜。上述有机物薄膜层可分为空穴注入层、空穴传输层、发光层主体、发光层掺杂、电子传输层、电子注入层。
基于上述发光层中使用的发光材料(蓝、绿、红的三色光材料)制备高色彩饱和度的显示器件。根据最新技术报道，大尺寸显示的白光基于蓝色发光材料和黄色发光材料或者与橙色发光材料的混合实现白色发光，小尺寸显示中使用蓝色发光材料、绿色发光材料以及红色发光材料。
在有机电致发光器件的阳极和阴极之间施加电场时，从阳极注入空穴、注入的空穴通过空穴传输层移动到发光层，同时从阴极注入电子、注入的电子通过电子传输层移动到发光层。移动到发光层的空穴和电子结合形成激子(exciton)，当激子由激发态(excitedstate)跃迁到基态(ground state)过程中会有能量以光的形式被释放出来，实现了器件的发光。
有机电致发光器件的效率一般可以分为内部发光效率和外部发光效率。内部发光效率与第1电极(例如，阳极)和第2电极(例如，阴极)之间的有机物层(例如，空穴传输层、发光层以及电子传输层等)产生激子的光转换效率相关，上述光转换效率的理论值中荧光为25％、磷光为100％。外部发光效率与有机物层产生的光发射到有机电致发光器件外部的光萃取效率相关，一般外部光萃取效率约为内部发光效率的20％。
光萃取技术对于高效率和高色彩饱和度至关重要，作为提高光萃取效率的方法，为了防止向外部的光因全反射产生的损失，应用了基于折射率大于1.7的多种有机物物制备的封盖层(capping layer)。为了改善有机电致发光器件的性能，提高低折射率半透明电极上的外部发光效率，要求开发具有高折射率、良好薄膜稳定性和耐久性的封盖层材料。
发明内容
要解决的问题
为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种有机电致发光器件的制备方法，通过应用具有高折射率和良好耐热性的封盖层，确保有机电致发光器件的高效率和高色彩饱和度。
上述有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。
本发明要解决的问题不限定于以上所述内容，根据以下的内容，相关技术领域的技术人员可以理解未提及的内容或其他要解决问题。
具体实施方式
根据本发明的一种实施例，有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。
根据本发明的一种实施例，封盖层基于氮为中心原子的同原子或双原子芳香族化合物制备。
根据本发明的一种实施例，封盖层在380nm至730nm波长下折射率为1.7至2.4，封盖层由下列结构式1的化合物进行制备。
结构式1中，Ar1和Ar1 ’为相同基团或不同基团取代或未取代的C6至C30的同原子多环芳烃化合物；Ar2为取代或未取代的C5至C15的双原子多环芳烃化合物，包含N1至N4、S1至S3、O1至O3或以上组合。
根据本发明的一种实施例，上述封盖层由如下结构式2至结构式43至少一种以上结构式化合物进行制备
结构式2至结构式43。
根据本发明的一种实施例，封盖层的厚度为10nm在150nm。
根据本发明的一种实施例，第1电极由铜、锌、金、银、钒、钼、钼钛合金、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化砷一种或以上材料组合。
根据本发明的一种实施例，第2电极由镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、氟化锂、铝、银、锡、铅中的一种或以上材料组合。
根据本发明的一种实施例，第1电极由钼、钼钛合金、银或以上材料组合制备；第2电极由氧化铟锌、银、镁、钇或以上材料组合制备的透明电极；封盖层在第2电极上。
根据本发明的一种实施例，空穴注入层包含最低未占分子轨道(LUMO)能级小于-4.8eV的p-掺杂剂的取代体。
根据本发明的一种实施例，p-掺杂剂取代体的母体为取代或未取代的苯、萘、菲、蒽、轴烯、二苯并呋喃以及二苯并噻吩等或者其组合。上述p-掺杂剂的取代体为下列结构式44至结构式61化合物或者以上结构式组合。
结构式44至结构式61
根据本发明的一种实施例，空穴注入层由m-MTDATA[4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺]、DNTPD(N,N'-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-联苯-4,4'-二胺)、NPB(Ν,Ν'-二(1-萘基)-Ν,Ν'-二苯基联苯胺(N,N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺))、TDATA和2T-NATA一种或以上材料组成。
根据本发明的一种实施例，上述空穴注入层、空穴传输层可包含最高占据分子轨道(HOMO)能级为-4.8eV至-5.8eV的三芳胺。
根据本发明的一种实施例，上述空穴传输层基于Spiro-BPA(2,2'-双(二苯基氨基)-9,9'-螺二芴)、MeO-spiro-TPD(2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨]-9,9-螺二芴)、Spiro-NPBN(7-二-1-萘基-N2,N7-联苯-9,9'-螺二[9H-芴]-2,7-二胺)一种或以上材料组合。
根据本发明的一种实施例，上述发光层基于包含芳胺取代体的荧光掺杂剂、含有铱或铂化物的磷光掺杂剂一种或以上材料组合。
根据本发明的一种实施例，上述电子传输层由三嗪取代体、吡啶、嘧啶取代体、二唑取代体、邻二氮菲取代体一种或以上材料组合。
根据本发明的一种实施例，上述电子传输层基于Bphen(4,7-二苯基-l,10-菲罗啉)、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)、Alq3(8-羟基喹啉铝)一种以及其组合。
根据本发明的一种实施例，有机电致发光器件的制备包括在基板上制备第1电极的阶段；在上述第1电极上制备空穴注入层的阶段；在上述空穴注入层上制备空穴传输层的阶段；在上述空穴传输层上制备发光层的阶段；在上述发光层上制备电子传输层的阶段；在上述电子传输层上制备电子注入层的阶段；在上述电子注入层上制备第2电极的阶段以及在上述第2电极上制备封盖层的阶段。
发明效果
根据本发明一种实施例，通过应用基于高折射率有机化合物的封盖层，有效改善了外部发光效率以及色坐标。
并保持宽的能带间隙，确保RGB波长不被吸收，可以有效抑制颜色变化现象，确保有机电致发光器件的高色彩饱和度。
附图说明
图1为本发明实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图。
图2为本发明实施例1至实施例6以及对比例制备的有机电致发光器件的电致发光波长测量结果图。
具体实施方式
以下根据附图具体说明实施例。实施例基础上可以增加多种变化，所以专利申请的权力范围不受本发明实施例的限制或限定。关于实施例的所有变化、等同物和替代物也包括在权力要求范围内。
实施例中使用的用语只用于说明，不能解释为限定条件。本说明书中的“包含”或者“具有”等的用语用于说明书上记载的特征、数字、阶段、动作、构成要素、部品或者以上多个组合，但是不排斥一个或多个不同的特征、数字、阶段、动作、构成要素、部品或以上组合。
除非另行定义其用语，实施例相关技术领域的人员一般可以正确理解本说明书中使用的包括技术或科学用语等的所有用语，本说明书使用的关于已经在相关技术文献中定义的用语，除非本发明中另行定义其用语，不另行定义其用语。
关于附图说明，与附图符号无关，相同的构成要素赋予相同的参照符号，并省略对此重复的说明。应用已公开的技术说明实施例时，根据情况省略已公开技术的详细说明。
关于实施例构成要素说明，使用第1、第2、A、B、(a)、(b)等的用语。以上用语只用于区分构成要素，未限定用语对应构成要素的本质或次序。
任一实施例包含的构成要素和包含相同性能的构成要素在其他实施例中以相同的名称进行说明。无相反内容的前提下，任一实施例中的内容适用于其他实施例，重复时省略具体说明。
本发明参照实施例以及附图具体说明有机电致发光器件以及其制备方法，但是本发明不局限于实施例和附图。
根据本发明的一种实施例，有机电致发光器件由基板、上述基板上的制备的第1电极、上述第1电极上制备的空穴注入层、上述空穴注入层上制备的空穴传输层、上述空穴传输层上制备的发光层、上述发光层上制备的电子传输层、上述电子传输层上制备的电子注入层、上述电子注入层上制备的第2电极，以及上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层组成。
上述有机电致发光器件包含基板、第1电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、第2电极以及封盖层。
上述基板一般使用有机发光器件中使用的基板。基板一般使用具有良好机械强度、热稳定性、透明度、表面平滑度、易用性和防水性的玻璃基板或者透明塑料基板，或者也可以使用如硅片、不锈钢等不透明物质。比如，玻璃基板一般用钠钙玻璃、无碱玻璃、高应变点玻璃(PD200等)等玻璃；透明塑料基板一般使用聚醚砜树脂(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维薄膜(TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)等材质。
根据本发明的实施例，在基板上制备第1电极，为阳极或阴极，一般为阳极。第1电极可以是反射电极，一般将阳极材料用溅镀方法在基板上制备电极。上述第1电极通常用银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al),铂(Pt)、铅(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)等或其合金制备，反射膜与上述反射膜之间形成功函数大的透明或半透明电极层。一般透明或半透明电极层基于钼钛合金、氧化铟、ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌),、AZO(氧化铝锌)、IGO(氧化铟镓)、In2O3(氧化铟)、SnO2(氧化锡)等制备。
上述空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等有机物层的厚度为至
上述第2电极一般为阴极，为透明或半透明电极。第2电极一般基于Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al,Ag,Mg或者以上合金制备功函数小的金属薄膜。
上述封盖层基于有机物、无机物或有机物和无机物的混合物进行制备，用折射率大的材料和折射率小的材料交替制备2层以上结构的封盖层。多层结构封盖层的增强干涉效应可提高光萃取效率。
根据本发明的一种实施例，封盖层基于氮为中心原子的同原子或双原子芳香族化合物制备。
上述封盖层与第1电极和/或第2电极相连，封盖层一般在第2电极上制备，可改善视角特性、外部发光效率、热稳定性和亮度稳定性。
封盖层可以阻隔水汽和空气，起到保护电极和有机物层的作用。
根据本发明的一种实施例，上述封盖层在380nm至730nm波长下其折射率为1.7至2.4，封盖层基于下列结构式1的化合物进行制备。
(结构式1中，Ar1和Ar1 ’为相同基团或不同基团取代或未取代的C6至C30的同原子多环芳烃化合物；Ar2为取代或未取代的C5至C15的双原子多环芳烃化合物，包含N1至N4、S1至S3、O1至O3或以上组合。)
上述Ar2为含有N，S或O的双原子芳烃化合物，此双原子芳烃化合物含有氢、氘、卤素、芳基、C1至C12的烷基或者烷氧基、氰基、腈基或其组合。Ar1’由Ar1中选择的化合物。
上述封盖层的折射率大于空气的折射率，封盖层的折射率为1.7至2.4之间时，可以有效减少在第2电极发生的全反射，提高外部光效率，并且可以有效降低视角变化带来的色坐标变化和发光变化程度。
上述结构式1化合物的Ar1和Ar1 ’至少包含一种下列的结构式。此时，Ar1和Ar1 ’的氘的替代为D1至D20，烷氧基含有甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基等的烃基基团，芳氧基为苯氧基或烷基苯氧基，并包含取代或未取代的一氨基，二氨基，但并不限定于下列结构式化合物。
结构式1化合物的Ar2至少包含一种下列结构式。Ar2为包含取代或未取代的N、S、O的双原子芳烃化合物，也是包含氢、氘、卤素、C6至C16的芳基、C1至C12的烷基或者烷氧基、氰基、腈基或其组合的双原子芳烃化合物，但并不限定于下列结构式化合物。
/>
/>
根据本发明的一种实施例，上述封盖层至少包含一种如下结构式2至结构式43的化合物。
/>
/>
结构式2至结构式43
根据本发明的一种实施例，上述封盖层的厚度为10nm至150nm。
通过封盖层的光在封盖层与外部空气的界面产生反射至第2电极表面，并从第2电极产生再反射通过封盖层向外部发光时，因光通路差异产生谐振效应，可以减少全反射产生的光损失量，以此通过增加透过光的量提高发光效率。因红光像素、绿光像素以及蓝光像素的发光波长不同，所以对应每种像素的封盖层的厚度都不相同，其范围为10nm至150nm。封盖层厚度大于10nm时，向外部的光萃取能力变强，厚度小于150nm时，封盖层的光吸收变化不大，故在此厚度范围具有良好的光效率。
上述封盖层可以由折射率不同的多层材料进行制备，通过热蒸镀或涂布工艺进行制备。
根据本发明的一种实施例，第1电极由铜、锌、金、银、钒、钼、钼钛合金、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化砷一种以上进行制备。
顶发光型有机电致发光器件的第1电极由金属反射膜材料制备，与第2电极共同对有机电致发光器件施加电场。在此第1电极为阳极，因第1电极具有良好的反射特性，可以将发光层向第1电极的发光全面反射回去，与具有高反射率的第2电极形成微腔(microcavity)效应。
根据本发明的实施例，第2电极由镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、氟化锂、铝、银、锡、铅一种或一种以上制备。
通过封盖层改善第2电极的稳定性和电子注入特性，可以有效改善有机电致发光器件的光透过性、降低驱动电压并提高效率。
上述第2电极以100重量比银(Ag)对应选配重量比50范围内的铝(Al)、铂(Pt)、镱(Yb)、钕(Nd)和镁(Mg)之一的第2金属的材料进行制备，银(Ag)和上述第2金属配伍使用时可以明显改善第2电极的透明度等薄膜特性。上述第2金属的重量配伍比满足上述范围时，其光吸收和电阻变化不明显，不会引起驱动电压上升。
根据本发明的一种实施例，第1电极由钼、钼钛合金或者其组合进行制备；第2电极是由氧化铟锌、银、镁、钇或其组合进行制备的透明电极；封盖层在第2电极上。
封盖层下部的第2电极一般使用含银(Ag)材料进行制备，含银(Ag)的第2电极能透光并且可以反射部分光。上述第2电极相对Mg-Ag制备的电极，具有低的光吸收性、高的透过性和反射性的特点。
根据本发明的一种实施例，空穴注入层基于包含最低未占分子轨道(LUMO)能级小于-4.8eV的p-掺杂剂的材料进行制备。
为了降低电极之间的能级差，空穴注入层主要基于含有氮3的芳香族胺化合物进行制备，还可以用如下材料进行制备，比如金属络合物中选用酞菁铜，最低未占分子轨道能级的材料中选用亚苯基结构的HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯)。作为发光主体和掺杂剂使用时，可以在含氮3的芳香族胺化合物中掺杂具有最低未占分子轨道能级的F4-TCNQ(2 2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌)诱导体。
根据本发明的一种实施例，p-掺杂剂取代体的母体为取代或未取代的苯、萘、菲、蒽、轴烯、二苯并呋喃以及二苯并噻吩等或者其组合。上述p-掺杂剂的取代体为下列结构式44至结构式61化合物或者以上结构式组合。
结构式44至结构式61
根据本发明的一种实施例，空穴注入层由m-MTDATA[4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺]、DNTPD(N,N'-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-联苯-4,4'-二胺)、NPB(Ν,Ν'-二(1-萘基)-Ν,Ν'-二苯基联苯胺(N,N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺))、TDATA和2T-NATA一种或其组合。
根据本发明的一种实施例，上述空穴注入层、空穴传输层可包含最高占据分子轨道(HOMO)能级为-4.8eV至-5.8eV的三芳胺。
更具体地说，上述有机电致发光器件的空穴注入层、空穴传输层基于最高占据分子轨道(HOMO)值为-4.8eV至-5.8eV的三芳胺。
上述空穴传输层的制备材料应考虑空穴注入层与发光层的最低未占分子轨道能级相关性，主要使用含有三级胺的芳香族芳烃化合物进行制备，包括螺双芴、芴、氧芴、二苯并噻吩或者咔唑诱导体等。
根据本发明的一种实施例，上述空穴传输层基于Spiro-BPA(2,2'-双(二苯基氨基)-9,9'-螺二芴)、MeO-spiro-TPD(2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨]-9,9-螺二芴)、Spiro-NPBN(7-二-1-萘基-N2,N7-联苯-9,9'-螺二[9H-芴]-2,7-二胺)一种或以上材料组合。
根据本发明的一种实施例，上述发光层基于包含芳胺取代体的荧光掺杂剂、含有铱或铂化物的磷光掺杂剂一种或以上材料组合。
上述发光层由发光主体和掺杂剂构成，掺杂剂分为荧光掺杂剂或者磷光掺杂剂，荧光掺杂剂一般含有芳胺取代体，磷光掺杂剂一般还有铱或铂化合物。
目前发光层中的蓝光材料使用荧光发光材料，绿光材料、红光材料以及黄光材料主要使用铱化合物。上述发光层的子像素由红(R),绿(G)以及蓝(B)构成，
上述有机电致发光器件的封盖层基于透明材料进行制备，为发光层的发出光向封盖层方向发光的顶发射有机电致发光器件。
发光层基于公开的多种发光材料进行制备，也可以用公开的主体和掺杂剂进行制备。上述掺杂剂可以为用公开的荧光掺杂剂或磷光掺杂剂。
根据本发明的一种实施例，上述电子传输层基于三嗪取代体、吡啶、嘧啶取代体、二唑取代体、菲咯啉取代体一种或其组合。
根据本发明的一种实施例，上述电子传输层基于Bphen(4,7-二苯基-l,10-菲罗啉)、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)、Alq3(8-羟基喹啉铝)一种或其组合。
上述发光层上制备电子传输层，可以用热蒸镀法、真空蒸镀法、化学气相沉积法(CVD)、溅射法、旋涂法或者旋转铸造法等进行制备。利用真空蒸镀法和旋涂法制备电子传输层时，根据使用的化合物不同，其镀膜条件和涂布条件也会不同，一般可以与空穴注入层制备几乎相同的条件进行制备。
上述电子传输层主要基于吡啶、苯并恶唑、喹啉、三嗪等闭环氮结构的芳烃化合物进行制备，制备厚度为10nm至100nm。厚度在10nm以上时，电子传输速度适宜，容易形成电荷平衡，厚度小于100nm时，不会造成驱动电压上升。
根据本发明的一种实施例，有机电致发光器件的制备包括在基板上制备第1电极的阶段；在第1电极上制备空穴注入层的阶段；在空穴注入层上制备空穴传输层的阶段；在空穴传输层上制备发光层的阶段；在发光层上制备电子传输层的阶段；在电子传输层上制备电子注入层的阶段；在电子注入层上制备第2电极的阶段以及在第2电极上制备封盖层的阶段。
在空穴注入层、空穴传输层、发光层以及电子传输层的制备阶段，可以用真空蒸镀法或者旋涂法、浸涂法、喷墨打印、丝网印刷、喷涂法、滚涂法、刮涂法等溶液涂布方法进行制备。
在第1电极制备阶段，用电子束蒸镀等的物理蒸镀方法制备第1电极。
在第2电极制备阶段，用真空蒸镀腔内的金属源成膜工艺制备第2电极。
在封盖层的制备阶段，在第1电极或第2电极的上制备封盖层，通过封盖层调整光效率最佳距离，可以改善效率和色彩饱和度。
如下参照实施例和对比例对本发明进行详细说明，但是本发明的技术思想不限定于其实施例和对比例的内容。
[制备例1]结构式2的封盖层化合物合成
(1)2-溴-6-苯基萘的合成
将2,6-二溴萘(3g,10.5mmol)，苯基硼酸(1.54g,12.6mmol)，加入到双口球形圆底烧瓶中，然后加入80ml无水四氢呋喃进行搅拌。然后加入四(三苯基膦)钯[Pd(PPh3)4](0.30g,5mol％)，碳酸钾(20g)，去离子水80ml，体系升温100℃至回流，搅拌反应24小时。反应结束后，蒸发去除四氢呋喃后取得固体物质，固体物质用二氯甲烷和乙醇比率调节得到产物2-溴-6-苯基萘(2.47g,83％)。MS:[M+H]+＝283
(2)N-(4-(苯并[d]恶唑-2-基)苯基)-6-苯基萘-2-胺的合成
在氮气保护下,将4-(苯并[D]恶唑-2-基)苯胺(2g,9.51mmol)，2-溴-6-苯基萘(2.96g,10.5mmol)，叔丁醇钠(1.83g,19.0mmol)，二(三叔丁基膦)钯(0.021mmol)，加入到双口球形圆底烧瓶中，然后加入甲苯(250ml)，体系升温70℃至回流，搅拌反应12小时。反应结束后，自然冷却至常温，加入去离子水(100ml)稀释，加入二氯甲烷进行萃取，采用硅胶柱层析方法提纯得到产物2.94g(75％)。MS:[M+H]+＝515
(3)N,N-二(4-(苯并[d]恶唑-2-基)苯基)-6-苯基萘-2-胺的合成
在氮气保护下，将N-(4-(苯并[d]恶唑-2-基)苯基)-6-苯基萘-2-胺(2g,4.85mmol)，2-(4-溴苯基)苯并[D]噁唑(1.46g,5.33mmol)，叔丁醇钠(0.93g,9.7mmol)，二(三叔丁基膦)钯(0.01mmol)，加入到双口球形圆底烧瓶中，然后加入甲苯(250ml)，体系升温100℃至回流，搅拌反应12小时。反应结束后，自然冷却至常温，加入去离子水(100ml)稀释，加入二氯甲烷进行萃取，采用硅胶柱层析方法提纯得到产物2.44g(83％)。MS:[M+H]+＝606
[制备例2]结构式7的封盖层化合物合成
根据与上述结构式2相同的合成方法制备了结构式7(MS:[M+H]+＝682)的封盖层化合物，区别在于使用了不同的起始物料或者中间体。
[制备例3]结构式9的封盖层化合物合成
根据与上述结构式2相同的合成方法制备了结构式9(MS:[M+H]+＝656)的封盖层化合物，区别在于使用了不同的起始物料或者中间体。
[制备例4]结构式19的封盖层化合物合成
根据与上述结构式2相同的合成方法制备了结构式19(MS:[M+H]+＝606)的封盖层化合物，区别在于使用了不同的起始物料或者中间体。
[制备例5]结构式27的封盖层化合物合成
根据与上述结构式2相同的合成方法制备了结构式27(MS:[M+H]+＝722)的封盖层化合物，区别在于使用了不同的起始物料或者中间体。
[制备例6]结构式41的封盖层化合物合成
根据与上述结构式2相同的合成方法制备了结构式41(MS:[M+H]+＝640)的封盖层化合物，区别在于使用了不同的起始物料或者中间体。
[实施例1]结构式2化合物在有机电致发光器件中的应用
先用去离子水清洗ITO玻璃，然后用异丙醇、丙酮、甲醇进行超声波清洗并干燥。下一步经过5分钟的氧等离子体处理后移动到真空蒸镀机中。ITO电极上依次蒸镀成膜掺杂F4-TCNQ(3％,2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌)的DNTPD(N,N'-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-联苯-4,4'-二胺),DNTPD/>NPB(/>Ν,Ν'-二(1-萘基)-Ν,Ν'-二苯基联苯胺(N,N'-二(l-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺))，蓝光主体BH1和掺杂剂BD-1(3％重量)的发光层/>ET1/>LiF/>Al/>如以上方法制备有机电致发光器件。/>
用结构式2的化合物在已蒸镀有机物和电极的有机电致发光器件上制备70nm厚度的封盖层，如以上方法制备有机电致发光器件。
[实施例2]结构式7化合物在有机电致发光器件中的应用
根据与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件，区别在于使用结构式7化合物代替实施例1中的结构式2化合物。
[实施例3]结构式9化合物在有机电致发光器件中的应用
根据与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件，区别在于使用结构式9化合物代替实施例1中的结构式2化合物。
[实施例4]结构式19化合物在有机电致发光器件中的应用
根据与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件，区别在于使用结构式19化合物代替实施例1中的结构式2化合物。
[实施例5]结构式27化合物在有机电致发光器件中的应用
根据与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件，区别在于使用结构式27化合物代替实施例1中的结构式2化合物。
[实施例6]结构式41化合物在有机电致发光器件中的应用
根据与实施例1相同的方法制作有机电致发光器件，区别在于使用结构式41化合物代替实施例1中的结构式2化合物。
[对比例]
根据与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件，区别在于使用Alq3代替实施例1中的结构式2化合物。
[实验例]
对上述实施例1至实施例6、以及对比例中制备的有机电致发光器件施加10mA/cm2的电场，并测量了其电致发光波长。图2为实施例1至实施例6和对比例的有机电致发光器件的电致发光波长结果。
如图2，在实施例1制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，3.91电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.132,y＝0.052的7.44cd/A下的蓝色发光。
如图2，在实施例2制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，3.96电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.132,y＝0.054的7.87cd/A下的蓝色发光。
如图2，在实施例3制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，4.05电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.132,y＝0.051的8.03cd/A下的蓝色发光。
如图2，在实施例4制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，4.11电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.132,y＝0.056的8.12cd/A下的蓝色发光。
如图2，在实施例5制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，3.87电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.132,y＝0.054的8.43cd/A下的蓝色发光。
如图2，在实施例6制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，4.09电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.132,y＝0.053的7.96cd/A下的蓝色发光。
如图2，在对比例制备的有机电致发光器件上施加10mA/cm2的电场，4.71电压下以1931CIE color coordination标准，测量了对应x＝0.133,y＝0.057的6.27cd/A下的蓝色发光。
图1为根据本发明实施例制备的有机电致发光器件的结构。基于本发明的结构式1化合物在上述对比例和实施例以及实验例制备包含封盖层的有机电致发光器件时，利用其内部全反射解决了发出光在器件内部消减和效率低下的问题，发光层发光往外传播的时候，其增强干涉效应改善了发光传播性能，进而明显提高了有机电致发光器件的光效率。
如上利用限定的附图对实施例进行了说明，相关技术领域的人员可以根据上述内容进行各种修改和变换。比如，本发明的技术通过本发明的方法和不同顺序实施、和/或者本发明的构成要素通过本发明的方法和不同形态结合或者组合、或者本发明的构成要素被不同构成要素或等价物替代或置换也可能达成适宜的结果。
所以不同实现、不同实施例以及与专利申请范围相同部分都属于之后的专利申请范围。

Claims (15)

1.一种有机电致发光器件，包含基板，其特征在于其还包括：
在上述基板上的制备的第1电极；
在上述第1电极上制备的空穴注入层；
在上述空穴注入层上制备的空穴传输层；
在上述空穴传输层上制备的发光层；
在上述发光层上制备的电子传输层；
在上述电子传输层上制备的电子注入层；
在上述电子注入层上制备的第2电极，
以及在上述第1电极和/或第2电极上制备的封盖层；
有机电致发光器件的封盖层，基于下列结构式1的化合物制备，在380nm至730nm波长下其折射率为1.7至2.4；结构式1中，Ar1和Ar1’为被相同基团或不同基团取代或未取代的C6至C30的同原子多环芳烃化合物；Ar2为取代或未取代的C5至C15的双原子多环芳烃化合物，包含N1至N4、S1至S3、O1至O3或以上组合
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的封盖层，基于下列结构式2至结构式43的化合物中的一种或以上几种的组合制备
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的封盖层，其厚度为10nm至150nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的第1电极，基于铜、锌、金、银、钒、钼、钼钛合金、氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、氧化砷中的一种或以上材料几种的组合。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的第2电极，基于镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、氟化锂、铝、银、锡、铅中的一种或以上材料几种的组合。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的第1电极包括钼、钼钛合金、银或以上材料几种的组合；第2电极包括铟锌氧化物、银、镁、钇或以上材料几种的组合制备的透明电极；封盖层位于第2电极上面。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的空穴注入层，包含最低未占分子轨道(LUMO)能级小于-4.8eV的p-掺杂剂的取代体。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的p-掺杂剂取代体的母体为取代或未取代的苯、萘、菲、蒽、轴烯、二苯并呋喃以及二苯并噻吩中的一种或者几种的组合，上述p-掺杂剂的取代体为下列结构式44至结构式61化合物中的一种或者几种的结构式组合
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的空穴注入层，包括m-MTDATA[4,4',4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺]、DNTPD(N,N'-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-联苯-4,4'-二胺)、NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、TDATA和2T-NATA中的一种或以上材料几种的组合。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的空穴注入层和空穴传输层，包含最高占据分子轨道(HOMO)能级为-4.8eV至-5.8eV的三芳胺。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的空穴传输层，基于Spiro-BPA(2,2'-双(二苯基氨基)-9,9'-螺二芴)、MeO-spiro-TPD(2,7-双[N,N-双(4-甲氧基苯基)氨]-9,9-螺二芴)、Spiro-NPBN(7-二-1-萘基-N2,N7-联苯-9,9'-螺二[9H-芴]-2,7-二胺)中的一种或以上材料几种的组合。
12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的发光层，基于包含芳胺取代体的荧光掺杂剂、含有铱或铂化物的磷光掺杂剂中的一种或以上材料几种的组合。
13.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的电子传输层，基于三嗪取代体、吡啶、嘧啶取代体、二唑取代体、菲咯啉取代体中的一种或其几种的组合。
14.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：有机电致发光器件的电子传输层，基于Bphen(4,7-二苯基-l,10-菲罗啉)、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)、Alq3(8-羟基喹啉铝)中的一种以及其几种的组合。
15.一种权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：包括在基板上制备第1电极的阶段；在上述第1电极上制备空穴注入层的阶段；在上述空穴注入层上制备空穴传输层的阶段；在上述空穴传输层上制备发光层的阶段；在上述发光层上制备电子传输层的阶段；在上述电子传输层上制备电子注入层的阶段；在上述电子注入层上制备第2电极的阶段以及在上述第2电极上制备封盖层的阶段。
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