CN113924389A - 电镀液用添加剂、电镀液、电镀方法及新化合物 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 36
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 57
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 15
- -1 alcohol compound Chemical class 0.000 claims description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid group Chemical group S(O)(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical group [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 84
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 24
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 16
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 5
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 5
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 4
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001030 Polyethylene Glycol 4000 Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N n',n'-dimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN DILRJUIACXKSQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N tris(2-aminoethyl)amine Chemical compound NCCN(CCN)CCN MBYLVOKEDDQJDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006127 SO3X Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- WIYCQLLGDNXIBA-UHFFFAOYSA-L disodium;3-(3-sulfonatopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCSSCCCS([O-])(=O)=O WIYCQLLGDNXIBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- GKQPCPXONLDCMU-CCEZHUSRSA-N lacidipine Chemical compound CCOC(=O)C1=C(C)NC(C)=C(C(=O)OCC)C1C1=CC=CC=C1\C=C\C(=O)OC(C)(C)C GKQPCPXONLDCMU-CCEZHUSRSA-N 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- QMXSDTGNCZVWTB-UHFFFAOYSA-N n',n'-bis(3-aminopropyl)propane-1,3-diamine Chemical compound NCCCN(CCCN)CCCN QMXSDTGNCZVWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C237/00—Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups
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- C07C237/10—Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups having the carbon atoms of the carboxamide groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated having the nitrogen atom of at least one of the carboxamide groups bound to an acyclic carbon atom of a hydrocarbon radical substituted by nitrogen atoms not being part of nitro or nitroso groups
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
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Abstract
本发明涉及一种电镀液用添加剂，其含有下述通式(1)表示的化合物。(通式(1)中，R1～R3各自独立地表示下述通式(2)表示的基团，A1表示碳数2～4的烷烃二基，n表示0或1。)(通式(2)中，R4和R5各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A2和A3各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，m表示1～4的整数，*表示键合位点。)
Description
技术领域
本发明涉及含有具有特定结构的化合物的电镀液用添加剂、含有该电镀液用添加剂的电镀液、使用该电镀液的电镀方法及新的化合物。
背景技术
以往，在高集成化电路中的微细布线、硅通孔电极(Through Silicon Via：TSV)和凸块的形成中，使用向沟槽、孔等图案中嵌入金属的方法。电镀是嵌入金属的代表性方法之一。其中，作为金属嵌入铜的电镀铜法广为人知。在利用电镀铜的电路形成中，为了得到高连接可靠性，在表面的平坦性、高度的均匀性等方面要求良好的精加工。为了控制表面的平坦性和高度的均匀性等，可在电镀液中添加促进剂、抑制剂、平滑剂等。
近年来，在电子器件的铜层形成工艺中，为了降低成本和提高生产率，需要高速形成铜层的电镀方法及适用于该方法的电镀液。特别是在严格要求缩短工艺时间的情况下，需要提高电流密度至极限电流密度附近，在该极限电流密度下，电镀液中的铜离子的供给成为定速而无法析出铜。然而，在使用含有以往添加剂的电镀液的情况下，存在一个很大的问题，即，随着电流密度接近极限电流密度，铜层上表面的平坦性受损或铜层侧壁出现缺陷，对连接可靠性造成不良影响。
因此，在专利文献1中公开了将聚乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮等平滑剂添加到细铜布线嵌入用铜电镀水溶液中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5809055号说明书
发明内容
发明要解决的课题
但是，在使用上述专利文献1中记载的添加了聚乙烯亚胺等平滑剂的电镀液进行高速电镀时，无法得到表面平坦性优异的金属层，甚至存在在金属层侧壁产生缺陷的问题。因此，要求一种能够得到金属层侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的金属层的电镀液用添加剂。特别是，要求一种即使在电流密度高的情况下也能够得到金属层侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的金属层的电镀液用添加剂。
另外，在上述专利文献1中没有公开或暗示本发明的电镀液用添加剂以及使用含有该添加剂的电镀液时的效果。
解决课题的手段
本发明人等反复进行了研究，结果发现，通过将具有特定结构的化合物用作电镀液用添加剂，能够解决上述课题，从而完成了本发明。
即，本发明为含有下述通式(1)表示的化合物的电镀液用添加剂。
[化1]
(式中，R1～R3各自独立地表示下述通式(2)表示的基团，A1表示碳数2～4的烷烃二基，n表示0或1。)
[化2]
(式中，R4和R5各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A2和A3各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，m表示1～4的整数，*表示键合位点。)
另外，本发明是含有上述电镀液用添加剂的电镀液。
进而，本发明是使用上述电镀液的电镀方法。
进而，本发明为下述通式(3)表示的化合物。
[化3]
(式中，R11～R13各自独立地表示下述通式(4)表示的基团，A11表示碳数2～4的烷烃二基，p表示0或1。)
[化4]
(式中，R14和R15各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A12和A13各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，q表示1～4的整数，*表示键合位点，条件是，当A11为碳数2的烷烃二基时，q表示2～4的整数。)
发明效果
根据本发明，能够提供一种电镀液用添加剂，其能够得到金属层侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的金属层。
附图说明
图1是在评价试验中通过电镀方法在待镀基体的表面上形成铜层后的被镀基体的示意截面图。
具体实施方式
<电镀液用添加剂>
本发明的电镀液用添加剂含有上述通式(1)表示的化合物。
在上述通式(1)中，R1～R3各自独立地表示上述通式(2)表示的基团，A1表示碳数2～4的烷烃二基，n表示0或1。作为A1表示的碳数2～4的烷烃二基，例如可举出亚乙基、亚丙基、亚丁基等。从能够形成表面平坦性更优异的金属层的观点考虑，A1优选为亚乙基或亚丙基。
在上述通式(2)中，R4和R5各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A2和A3各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，m表示1～4的整数，*表示键合位点。作为R4和R5表示的碳数1～4的烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基等。作为A2和A3表示的碳数2～4的烷烃二基，例如可举出亚乙基、亚丙基、亚丁基等。从能够形成表面平坦性更优异的金属层的观点考虑，R4和R5优选为氢原子或甲基，A2和A3优选为亚乙基。
作为上述通式(1)表示的化合物的优选的具体例，例如可举出下述化合物No.1～No.24。予以说明，下述化合物中的“Me”表示甲基，“Et”表示乙基。
[化5]
[化6]
[化7]
上述通式(1)表示的化合物的制造方法没有特别限制，可采用公知的反应制造。例如，使链烯酸甲酯与相应结构的胺化合物反应，然后进一步使其与另一相应结构的胺化合物反应，由此能够得到上述通式(1)表示的化合物。具体而言，例如，使丙烯酸甲酯与二亚乙基三胺反应，然后进一步与乙二胺反应，由此能够得到化合物No.1。
当进行使用含有本发明电镀液用添加剂的电镀液通过电镀方法在待镀基体上形成金属层的工艺时，即使在待镀基体的表面具有微细的结构，也能够将金属表面平坦性良好地嵌入沟槽、孔中，能够形成侧壁产生的深度10μm以上的缺陷减少且表面平坦性优异的金属层。另外，当进行使用含有本发明电镀液用添加剂的电镀液通过电镀方法在待镀基体上形成铜层的工艺时，能够形成所得铜层侧壁产生的缺陷少且表面平坦性非常优异的铜层。因此，本发明的电镀液用添加剂特别适合作为铜电镀液用添加剂。另外，即使使用含有本发明电镀液用添加剂的电镀液通过电镀方法高速地形成金属层，也能够形成侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的金属层。
<电镀液>
接着，说明本发明的电镀液。本发明的电镀液是含有上述通式(1)表示的化合物的电镀液用添加剂作为必须有效成分的水溶液。从进一步提高本发明效果的观点考虑，上述通式(1)表示的化合物在电镀液中的浓度优选为0.01mg/L～100mg/L，更优选为0.1mg/L～30mg/L，最优选为0.5mg/L～10mg/L。
另外，为了进一步提高通过电镀方法形成的金属层的表面平坦性，本发明的电镀液优选含有选自甲醇、乙醇、正丙醇和异丙醇中的至少1种醇化合物。上述醇化合物中，从能够形成表面平坦性特别优异的金属层的观点考虑，优选甲醇。上述醇化合物相对于上述通式(1)表示的化合物1g，优选配合1g～100g，更优选配合5g～50g。
作为除上述电镀液用添加剂以外的成分，与以往公知的电镀液同样地，本发明的电镀液还可以含有作为金属供给源的金属盐、电解质，以及氯离子源、电镀促进剂、电镀抑制剂等。
作为用于本发明电镀液的金属盐的金属，只要是可通过电镀方法成膜的金属，就没有特别限定，可举出铜、锡、银等。特别是，当使用本发明电镀液作为铜电镀液时，能够形成表面平坦性优异的铜层。作为铜电镀液中配合的铜盐，可举出硫酸铜、醋酸铜、氟硼酸铜、硝酸铜等。
另外，作为用于本发明电镀液的电解质即无机酸，可举出硫酸、磷酸、硝酸、卤化氢、氨基磺酸、硼酸、氟硼酸等。
特别是在本发明的电镀液含有作为金属盐的硫酸铜和作为电解质的硫酸的情况下，能够形成表面平坦性非常优异的铜层，因而是优选的。此时，从在铜层侧壁不易产生缺陷的观点考虑，硫酸铜(作为CuSO4·5H2O)在电镀液中的浓度优选为50g/L～500g/L，更优选为100g/L～350g/L，硫酸在电镀液中的浓度优选为20g/L～400g/L，更优选为30g/L～150g/L。
另外，在本发明的电镀液中，为了形成均匀且平滑的金属层，可以配合氯离子源。氯离子源在电镀液中的浓度优选为5mg/L～200mg/L，更优选为20mg/L～150mg/L。作为氯离子源，没有特别限定，可举出氯化氢、氯化钠等。
进而，在本发明的电镀液中还可以配合含有硫元素的有机化合物、其盐化合物等电镀促进剂(光泽剂)。作为电镀促进剂，可举出下述通式(5)～(7)表示的化合物。
[化8]
XO3S-R-SH (5)
XO3-Ar-S-S-Ar-SO3X (6)
(在上述通式(5)和(6)中，R为可任选取代的烷基，优选为碳数1～6的烷基，更优选为碳数1～4的烷基，Ar为可任选取代的芳基，例如为可任选取代的苯基或萘基，X为抗衡离子，例如为钠或钾。)
[化9]
(在上述通式(7)中，R21和R22为氢原子、碳数1～6的直链或支链烷基、可具有碳数1～3的取代基的碳数5～9的环烷基、或可具有碳数1～3的取代基的芳基，M表示碱金属、铵或一价有机铵，n表示1～7的数。)
上述中，从促进金属层形成的效果高的观点考虑，作为电镀促进剂，优选3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)钠(以下有时简称为SPS)。
这些电镀促进剂在电镀液中的浓度优选为0.1mg/L～100mg/L，更优选为0.3mg/L～50mg/L，最优选为0.5mg/L～10mg/L。
进而，在本发明的电镀液中优选配合电镀抑制剂。作为电镀抑制剂，例如可以使用含氧高分子有机化合物，具体可举出：聚乙二醇、聚丙二醇、聚氧乙烯-聚氧丙烯无规共聚物、聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物等。其中，优选聚乙二醇。从进一步提高本发明效果的观点考虑，这些含氧高分子有机化合物的分子量优选为500～100,000，更优选为1,000～10,000。特别是最优选分子量为1,000～10,000的聚乙二醇。从同样的观点考虑，含氧高分子有机化合物在电镀液中的浓度优选为50mg/L～5,000mg/L，更优选为100mg/L～3,000mg/L。
在本发明的电镀液中，可以在不阻碍本发明效果的范围内任选使用已知可添加到镀液中的其他添加剂。
作为其他添加剂，可举出蒽醌衍生物、阳离子性表面活性剂、非离子性表面活性剂、阴离子性表面活性剂、两性表面活性剂、烷烃磺酸、烷烃磺酸盐、烷烃磺酸酯、羟基烷烃磺酸、羟基烷烃磺酸盐、羟基烷烃磺酸酯、羟基烷烃磺酸有机酸酯等。这些其他添加剂在电镀液中的浓度优选为0.1mg/L～500mg/L，更优选为0.5mg/L～100mg/L。
<电镀方法>
接着，说明使用本发明电镀液的电镀方法。本发明的电镀方法使用本发明的电镀液作为电镀液，除此以外，与以往的电镀方法同样地进行即可。在此，说明在待镀基体上形成铜层的电镀铜方法。
作为电镀装置，例如使用桨式搅拌型电镀装置即可。向电镀装置的电镀槽中填充本发明的铜电镀液，在铜电镀液中浸渍待镀基体。待镀基体例如可以使用在附有铜晶种层的Si基板上使用光致抗蚀剂形成了抗蚀剂图案的待镀基体。
此时，例如，铜电镀液的温度为10℃～70℃、优选为20℃～60℃，电流密度为1A/dm2～70A/dm2、优选为5A/dm2～50A/dm2、更优选为15A/dm2～35A/dm2的范围内。另外，电镀液的搅拌方法可以使用空气搅拌、急速液流搅拌、利用搅拌叶片等的机械搅拌等。
在如上所述的条件下，通过将铜嵌入上述抗蚀图案的开口部，能够在待镀基体上形成侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的铜层。
使用本发明电镀方法制造的实施了电镀的产品没有特别限定，例如可举出：汽车工业材料(散热器、化油器部件、喷油器、汽缸、各种阀、发动机内饰等)、电子工业材料(接点、电路、半导体封装、印刷电路板、薄膜电阻、电容器、硬盘、磁性体、引线框、螺母、磁铁、电阻器、阀杆(stem)、计算机部件、电子部件、激光振荡元件、光存储器元件、光纤、滤波器、热敏电阻、加热器、高温用加热器、压敏电阻、磁头、各种传感器(气体、温度、湿度、光、速度等)、MEMS等)、精密仪器(复印机部件、光学仪器部件、钟表部件等)、航空/船舶材料(液压设备、螺杆、发动机、涡轮机等)、化学工业材料(球、门、柱塞、检验等)、各种模具、机床部件、真空设备部件等广泛的产品。本发明的电镀方法优选用于要求特别精细图案的电子工业材料，其中，更优选在以TSV形成、凸块形成等为代表的半导体封装、印刷电路板的制造中使用，最优选在半导体封装中使用。
本发明的新的化合物是由上述通式(3)表示的化合物，在添加到电镀液中的情况下，能够得到侧壁产生的缺陷少且表面平坦性良好的金属层，因此适合作为电镀液用添加剂。另外，本发明的新的化合物在添加到铜电镀液中的情况下，得到的铜层的侧壁产生的缺陷少，且表面平坦性特别良好，因此特别适合作为铜电镀液用添加剂。
在上述通式(3)中，R11～R13各自独立地表示上述通式(4)表示的基团，A11表示碳数2～4的烷烃二基，p表示0或1。作为A11表示的碳数2～4的烷烃二基，例如可举出亚乙基、亚丙基、亚丁基等。从能够形成表面平坦性更优异的金属层的观点考虑，作为A11，优选为亚乙基或亚丙基。
在上述通式(4)中，R14和R15各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A12和A13各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，q表示1～4的整数，*表示键合位点。条件是，当A11为碳数2的烷烃二基时，q表示2～4的整数。作为R14和R15表示的碳数1～4的烷基，例如可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基等。作为A12和A13表示的碳数2～4的烷烃二基，例如可举出亚乙基、亚丙基、亚丁基等。从能够形成表面平坦性更优异的金属层的观点考虑，作为R14和R15，优选为氢原子或甲基，作为A12和A13，优选为亚乙基。
作为本发明的上述通式(3)表示的新的化合物，例如可举出上述化合物No.5～No.8和No.13～No.24。
本发明的上述通式(3)表示的新的化合物的制造方法没有特别限制，可采用公知的反应制造。例如，使链烯酸甲酯与相应结构的胺化合物反应，然后进一步与另一相应结构的胺化合物反应，由此能够得到上述通式(3)表示的新的化合物。具体而言，例如，使丙烯酸甲酯与三(2-氨基乙基)胺反应，然后进一步与二亚乙基三胺反应，由此能够得到化合物No.13。
实施例
以下，通过实施例和比较例更详细地说明本发明。但是，本发明不受以下实施例等的任何限制。
[合成例1]化合物No.1的合成
在Ar气氛下向200mL三颈瓶中加入甲醇(24.2g)和丙烯酸甲酯(12.8g)，充分混合。将该溶液冷却至0℃，然后在Ar气氛下滴入二亚乙基三胺(2.6g)与甲醇(23.9g)的混合物。在室温下搅拌48小时，然后在减压下在60℃的油浴下除去甲醇和未反应物，得到中间体。在Ar气氛下向300mL三颈瓶中加入甲醇(48.2g)和乙二胺(41.1g)，充分混合。将该溶液冷却至0℃，然后在Ar气氛下滴入上述中间体(5.0g)和甲醇(24.0g)的混合物。在室温下搅拌72小时，然后在减压下在60℃的油浴下除去甲醇和未反应物，得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.1。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.25ppm(10H，t)，2.82ppm(10H，t)，2.72ppm(10H，t)，2.63ppm(8H，s)，2.45ppm(10H，t)
(2)元素分析(理论值)
C：51.9质量％(51.69质量％)，H：9.2质量％(9.42质量％)，N：27.2质量％(27.02质量％)，O：11.7质量％(11.87质量％)
[合成例2]化合物No.2的合成
使用N,N-二甲基乙二胺代替乙二胺，除此以外，在与合成例1同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.2。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.32ppm(10H，t)，2.80ppm(10H，t)，2.61ppm(8H，s)，2.51ppm(10H，t)，2.42ppm(10H，t)，2.25ppm(30H，s)
(2)元素分析(理论值)
C：57.8质量％(57.53质量％)，H：10.0质量％(10.28质量％)，N：22.4质量％(22.36质量％)，O：9.8质量％(9.83质量％)
[实施例1]化合物No.5的合成
使用二亚乙基三胺代替乙二胺，除此以外，在与合成例1同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.5。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.32ppm(10H，t)，2.82ppm(10H，t)，2.68ppm(38H，m)，2.44ppm(10H，t)
(2)元素分析(理论值)
C：52.8质量％(52.68质量％)，H：9.7质量％(9.98质量％)，N：28.3质量％(28.35质量％)，O：9.2质量％(9.00质量％)
[合成例3]化合物No.9的合成
使用三(2-氨基乙基)胺代替二亚乙基三胺，除此以外，在与合成例1同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.9。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.25ppm(12H，t)，2.82ppm(12H，t)，2.72ppm(12H，t)，2.64ppm(12H，s)，2.45ppm(12H，t)
(2)元素分析(理论值)
C：52.3质量％(52.03质量％)，H：9.2质量％(9.46质量％)，N：27.0质量％(26.96质量％)，O：11.5质量％(11.55质量％)
[合成例4]化合物No.10的合成
使用N,N-二甲基乙二胺代替乙二胺，除此以外，在与合成例3同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.10。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.32ppm(12H，t)，2.80ppm(12H，t)，2.62ppm(12H，s)，2.50ppm(12H，t)，2.42ppm(12H，t)，2.24ppm(36H，s)
(2)元素分析(理论值)
C：57.9质量％(57.68质量％)，H：10.0质量％(10.29质量％)，N：22.4质量％(22.42质量％)，O：9.7质量％(9.60质量％)
[实施例2]化合物No.13的合成
使用二亚乙基三胺代替乙二胺，除此以外，在与合成例3同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.13。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.32ppm(12H，t)，2.82ppm(12H，t)，2.67ppm(48H，m)，2.44ppm(12H，t)
(2)元素分析(理论值)
C：53.2质量％(52.92质量％)，H：9.6质量％(9.99质量％)，N：28.1质量％(28.28质量％)，O：9.1质量％(8.81质量％)
[实施例3]化合物No.17的合成
使用二亚丙基三胺代替二亚乙基三胺，除此以外，在与合成例1同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.17。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.24ppm(10H，t)，2.80ppm(10H，t)，2.72ppm(10H，t)，2.46ppm(18H，m)，1.65ppm(4H，m)
(2)元素分析(理论值)
C：53.2质量％(53.04质量％)，H：9.5质量％(9.62质量％)，N：26.0质量％(25.94质量％)，O：11.3质量％(11.40质量％)
[实施例4]化合物No.21的合成
使用三(3-氨基丙基)胺代替二亚乙基三胺，除此以外，在与合成例1同样的条件下得到产物。1H-NMR和元素分析的结果，所得产物被鉴定为化合物No.21。这些分析结果如下所示。
(分析值)
(1)1H-NMR(D2O)
3.24ppm(12H，t)，2.80ppm(12H，t)，2.72ppm(12H，t)，2.46ppm(24H，m)，1.63ppm(6H，m)
(2)元素分析(理论值)
C：53.8质量％(53.64质量％)，H：9.5质量％(9.70质量％)，N：25.6质量％(25.67质量％)，O：11.1质量％(10.99质量％)
[实施例5～15]
作为电镀液用添加剂，使用化合物No.1、No.2、No.5、No.9、No.10、No.13、No.17和No.21，以表1所示的组成制备铜电镀液。予以说明，在实施例5～15中，铜电镀液的溶剂为水，各成分的浓度用水调节。另外，实施例中使用的PEG4000为具有3,600～4,400的重均分子量的聚乙二醇。
[表1]
[比较例1～3]
作为电镀液用添加剂，使用下述比较化合物1和2，以表2所示的组成制备铜电镀液。予以说明，在比较例1～3中，铜电镀液的溶剂为水，各成分的浓度用水调节。另外，比较例中使用的PEG4000为具有3,600～4,400的重均分子量的聚乙二醇。
[化10]
比较化合物1
[化11]
比较化合物2
[表2]
[评价例1～22、比较评价例1～6]
作为电镀装置，使用桨式搅拌型电镀装置，向桨式搅拌型电镀装置的电镀槽中分别填充实施例5～15和比较例1～3的铜电镀液。在各自的铜电镀液中浸渍待镀基体。作为待镀基体，使用在附有铜晶种层的Si基板上使用光致抗蚀剂形成有抗蚀剂图案(形状：具有圆形截面形状的开口部，开口直径：200μm)的待镀基体。接着，在下述电镀条件下分别通过电镀铜方法，在抗蚀剂开口部嵌入铜，在待镀基体上形成铜层。
(电镀条件)
(1)孔径：200μm
(2)电流密度：20A/dm2或25A/dm2
(3)液温：45℃
(4)电镀时间：铜层的最小高度(LMin)达到200μm为止的时间
[评价例1～22、比较评价例1～6]
如图1所示，通过评价例1～22和比较评价例1～6，通过激光显微镜(Keyence公司制，型号：VK-9700)观察形成于被镀基体2表面的铜层1的截面，由此测定铜层1的最小高度(LMin)和最大高度(LMax)，通过以下公式计算出ΔL。另外，当在铜层1的侧壁中观察到深度为10μm以上的凹陷的情况下，将该凹陷作为缺陷，测定缺陷的深度。将评价结果示于表3。
ΔL＝LMax-LMin
[表3]
在表3中，ΔL值越小，表示越能形成表面平坦性优异的铜层。由表3的结果可知，与比较评价例1～6相比，在评价例1～22中，能够形成表面平坦性优异且侧壁无缺陷的铜层。进而可知，在使用比较例1～3的铜电镀液的情况下，当将电流密度从20A/dm2提高到25A/dm2时，表面平坦性变差，缺陷的深度变大。与此相比可知，在使用实施例5～15的铜电镀液的情况下，即使将电流密度从20A/dm2提高到25A/dm2，也维持良好的表面平坦性，不产生缺陷。这表明，与使用比较例1～3的铜电镀液的情况相比，使用实施例5～15的铜电镀液的情况能够以良好的生产率获得侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的铜层。
如以上说明的那样可知，使用含有本发明的电镀液用添加剂的电镀液通过电镀方法在被镀基体上形成铜层的情况下，能够形成侧壁产生的缺陷少且表面平坦性优异的铜层。
附图标记说明
1 铜层
2 被镀基体
3 最小高度(LMin)
4 最大高度(LMax)
5 ΔL。
Claims (11)
1.电镀液用添加剂，其含有下述通式(1)表示的化合物，
式中，R1～R3各自独立地表示下述通式(2)表示的基团，A1表示碳数2～4的烷烃二基，n表示0或1，
式中，R4和R5各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A2和A3各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，m表示1～4的整数，*表示键合位点。
2.权利要求1所述的电镀液用添加剂，其为铜电镀液用添加剂。
3.电镀液，其含有权利要求1或2所述的电镀液用添加剂。
4.权利要求3所述的电镀液，其含有选自甲醇、乙醇、正丙醇和异丙醇中的至少1种醇化合物。
5.权利要求4所述的电镀液，其相对于所述通式(1)表示的化合物1g，含有1g～100g所述醇化合物。
6.权利要求3～5任一项所述的电镀液，其含有金属盐和电解质。
7.权利要求6所述的电镀液，其中，所述金属盐为硫酸铜，所述电解质为硫酸。
8.权利要求3～7任一项所述的电镀液，其含有氯离子源。
9.权利要求8所述的电镀液，其中，所述氯离子源为氯化氢。
10.电镀方法，其使用权利要求3～9任一项所述的电镀液。
11.下述通式(3)表示的化合物，
式中，R11～R13各自独立地表示下述通式(4)表示的基团，A11表示碳数2～4的烷烃二基，p表示0或1，
式中，R14和R15各自独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基，A12和A13各自独立地表示碳数2～4的烷烃二基，q表示1～4的整数，*表示键合位点，条件是，当A11为碳数2的烷烃二基时，q表示2～4的整数。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-100090 | 2019-05-29 | ||
| JP2019100090 | 2019-05-29 | ||
| PCT/JP2020/019591 WO2020241338A1 (ja) | 2019-05-29 | 2020-05-18 | 電解めっき液用添加剤、電解めっき液、電解めっき方法及び新規化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113924389A true CN113924389A (zh) | 2022-01-11 |
Family
ID=73554063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202080039149.4A Pending CN113924389A (zh) | 2019-05-29 | 2020-05-18 | 电镀液用添加剂、电镀液、电镀方法及新化合物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220220065A1 (zh) |
| JP (1) | JPWO2020241338A1 (zh) |
| KR (1) | KR20220010025A (zh) |
| CN (1) | CN113924389A (zh) |
| WO (1) | WO2020241338A1 (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102675535A (zh) * | 2012-05-22 | 2012-09-19 | 西南石油大学 | 一种支化聚丙烯酰胺及其制备方法 |
| JP2018100260A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 株式会社日本触媒 | 疎水変性デンドリマーを含む抗菌剤 |
| TW201912847A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-04-01 | 日商Ａｄｅｋａ股份有限公司 | 電解鍍敷液用添加劑、含有該電解鍍敷液用添加劑之電解鍍敷液及使用該電解鍍敷液之電解鍍敷方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4507466A (en) * | 1983-01-07 | 1985-03-26 | The Dow Chemical Corporation | Dense star polymers having core, core branches, terminal groups |
| CN110734735B (zh) * | 2019-11-28 | 2021-08-13 | 西南林业大学 | 一种高支化聚合物木材粘合剂及其制备方法和应用 |
-
2020
- 2020-05-18 WO PCT/JP2020/019591 patent/WO2020241338A1/ja active Application Filing
- 2020-05-18 JP JP2021522229A patent/JPWO2020241338A1/ja active Pending
- 2020-05-18 KR KR1020217041584A patent/KR20220010025A/ko unknown
- 2020-05-18 CN CN202080039149.4A patent/CN113924389A/zh active Pending
- 2020-05-18 US US17/614,098 patent/US20220220065A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
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| Title |
|---|
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| 美国化学会: "RN 1325212-94-9" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220010025A (ko) | 2022-01-25 |
| TW202108825A (zh) | 2021-03-01 |
| JPWO2020241338A1 (zh) | 2020-12-03 |
| WO2020241338A1 (ja) | 2020-12-03 |
| US20220220065A1 (en) | 2022-07-14 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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|
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