CN1139086C - 叠层陶瓷电容器的制造方法 - Google Patents

Abstract

叠层陶瓷电容器的制造方法，在该方法中为了提高可靠性而进行再氧化热处理，可确保最终产品的可靠性，并提高工业生产率。将由Ni或以Ni为主要成分的金属构成的内部电极和陶瓷的叠层体烧成后，在含有3%(容积)以上二氧化碳的气氛中及600-1100℃温度下进行热处理，利用二氧化碳分解产生的氧进行再氧化。

Description

叠层陶瓷电容器的制造方法

发明所属技术领域

本发明是关于叠层陶瓷电容器的制造方法，更具体地说，本发明是关于加热烧成后在特定条件下进行后热处理的叠层陶瓷电容器的制造方法。

发明背景

以往的叠层陶瓷电容器的制造方法是，首先使用由电介质粉末、粘结剂、增塑剂和有机溶剂构成的淤浆，采用刮涂法在有机薄膜上形成厚度数十μm的陶瓷电介质坯板，然后，在该陶瓷电介质坯板上印刷内部电极，去掉有机薄膜后，将若干片重叠起来，通过压接制成叠层成形体。再将该叠层成形体切断成基片状，脱脂、烧结后，形成外部电极。以往，内部电极一直是使用Bd或以Bd为主要成分的贵金属，但为了适应市场对低成本的要求，人们一直在研制、开发将内部电极换成比较便宜的Ni或以Ni为主要成分的金属的Ni内部电极叠层陶瓷电容器。

在制造这种Ni内部电极叠层陶瓷电容器时，为了防止Ni内部电极氧化，以烧成或外部电极烧成为代表的热处理必须在Ni不发生氧化的具有较低氧分压的气氛中进行。但是，另一方面，如果在较低的氧分压下进行陶瓷电介质的烧成或外部电极的烧成等较高温度的热处理，陶瓷电介质层就会被还原，结果导致成品的寿命特性恶化。为此，有人曾尝试使电介质材料具有抗还原性(例如特开昭55-37568、特开昭61-256968、特开昭60-109104等)。但是，仅仅通过电介质材料组成的优化来提高抗还原性是有一定限度的，因此，烧成后的元件还需要在适当有温度和氧分压下再次进行热处理，进一步提高可靠性。例如，特开平5-283278和特开平6-45182中提出“在900-1100℃、10^-4～10^-7大气压的氧分压下进行热处理”，氧分压的调整使用“将水温调节至0～75℃的加湿器加湿的N₂气体”。正文中将这种为了提高可靠性而进行的热处理称为“再氧化热处理”。另外，对于外部电极的烧成，上述文献中还报导了出于与上述同样的理由在H₂/H₂O系气氛下进行烧成的例子。

发明解决的课题

但是，在工业生产中为了提高可靠性而使用经过加湿的N₂气体进行再氧化热处理时，存在下列问题，由于使用水蒸气而使工艺操作繁琐以及生产设备的价格和制造成本增加，此外，由于水蒸气量的调节范围很窄而引起制品的可靠性不稳定等。

鉴于上述情况，本发明的目的是提供叠层陶瓷电容器的制造方法，在为了提高可靠性而进行的再氧化热处理中，确保最终产品的可靠性，同时实现工业生产率高的再氧化热处理。

解决课题的手段

旨在实现上述目的的本发明的叠层陶瓷电容器的制造方法，是含有由Ni或以Ni为主要成分的金属构成的内部电极和陶瓷的叠层体的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，将上述叠层体烧成后，在含有3％(容积)以上二氧化碳的气氛中进行热处理。另外，本发明的另一构成方案是含有由Ni或以Ni为主要成分的金属构成的内部电极和陶瓷的叠层体的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，将上述叠层体烧成后，在含有二氧化碳的气氛中进行热处理，利用上述二氧化碳分解产生的氧进行再氧化。采用这些技术措施，在确保最终产品的可靠性的同时，可以实现工业生产率高的再氧化热处理。

在本发明的制造方法中，将上述叠层体在600℃以上、1100℃以下进行热处理较为适宜，优选的是在700℃以上、1000℃以下进行热处理，这样生产效率高并且可以充分进行再氧化。

上述气氛只要含有可以提供再氧化所必须量的氧的二氧化碳即可，具体地说，如上所述二氧化碳含量在3％(容积)以上，优选的是含有10％(容积)以上二氧化碳气体，这样可以进一步提高最终产品的可靠性。另外，上述气氛最好是二氧化碳与非氧化性气体的混合气体。所述的非氧化性气体可以使用不含氧原子、加热分解后也不提供氧的气体，具体地说可以使用氩等惰性气体或氮气。非氧化性气体最好是使用氮气。

另外，优选的是，在烧成后的降温过程中、在上述气氛下对叠层体进行热处理，这样可以利用烧成时的热量进行再氧化热处理，进一步提高生产效率。

另外，优选的是，将上述叠层体烧成，在该叠层体上涂布以金属为主要成分的糊作为外部电极，然后在上述气氛中进行热处理的同时烧成上述糊。这是因为，将外部电极的烧成与再氧化处理同时进行，可以进一步提高生产率。

另外，优选的是，在烧成上述叠层体后的降温过程中、在上述气氛下对其进行热处理，在该叠层体上涂布以金属为主要成分的糊作为外部电极，然后在上述气氛中再次热处理的同时烧成上述糊。这是因为，不仅叠层体烧成时而且在外部电极烧成时也进行再氧化热处理，从而可以进一步提高最终产品的可靠性。

如上所述，与使用水蒸气的场合相比，采用本发明的方法可以降低工业生产中因使用水蒸气而增加的生产设备费用以及生产运行成本，同时，不会由于设备的原因而限制二氧化碳浓度，其浓度最高可以达到100％(容量)，因此在大量进行热处理时可以确保稳定和高的可靠性。

发明的实施方案

本发明人对在工业生产中使用水蒸气(加湿)进行再氧化热处理时产生的问题进行了详细的研究，结果得出下列结论。

这些问题是，在工业生产中高温热处理时使用水蒸气，与使用通常称为干燥气体的其它工业气体相比，生产操作繁琐，可调整的水蒸气量的绝对量较小，以及水蒸气量的调节范围非常窄。例如，上述特许公报中指出，加湿器的温度调节在0-75℃，换言之，热处理使用的气氛气体的露点为0-75℃。

这里所说的露点，是指气氛气体的温度低于该露点时容易结露，因此，在进行热处理的装置中，有气氛气体流动的所有部分都必须至少保持在比想要调整的露点高的温度。也就是说，为了防止结露，经过加湿的气氛气体流过的配管等所有部位必须保持在气氛气体的露点以上，需要用加热器等经常不断地加热，因此，装置中使用的部件一般要求具有较高的耐热性。另外，为了防止经过加湿的气氛气体泄漏到温度较低的部位，在那里结露，因而要求设备具有比一般的热处理炉更高的气密性。由于上述原因使得制造装置本身的价格大幅度提高，并且从设备运行成本的角度考虑，需要额外消耗电力，结果导致生产成本增加。

另外，还有一些问题，举例来说，可以调整的水蒸气绝对量非常小。现有技术中使用水蒸气的再氧化热处理，是利用下述化学式(1)中左边的水分解产生的氧，换句话说，是以水蒸气作为氧供给源使电介质再氧化。

             (1)

但是，按照上述现有技术使用将水温调节成0-75℃的加湿器等进行加湿时，根据水的蒸气压的关系从理论上计算，被加湿的气氛气体中的水蒸气量为0.6-38％(容积)。另外，如上所述，在工业生产中对具有较高露点的气氛气体进行操作处理有一定的困难，因此，一般地说，市售的1000℃左右的热处理炉的加湿功能，在考虑比较常见的露点最高50℃的加湿的场合，气氛气体中的水蒸气量调节范围限制在0.6-12.2％(容量)很窄的范围内。使用这样的水蒸气绝对量较小的气氛气体进行再氧化热处理，特别是在工业上大批量进行再氧化热处理时，换句话说，在热处理装置内装入尽可能多的元件、一次性进行再氧化热处理时的场合，由于气氛气体中的水蒸气浓度很低，水蒸气不能在装置内充分散布开来，或者由于水蒸气绝对量很小，再氧化时水蒸气被消耗掉的场合的影响很大，不能实现预期的再氧化热处理，产品的可靠性不能得到保证，产生一系列问题。

因此，在本发明的叠层陶瓷电容器制造方法中，为了确保产品的可靠性，再氧化热处理是在600℃-1100℃的温度区间内，在至少含有3％(容积)二氧化碳的气氛中进行。

采用本发明，按照下面的化学式(2)所示，利用二氧化碳分解产生的氧进行再氧化热处理，换句话说，以二氧化碳作为氧供给源进行电介质的氧化。

              (2)

在本发明的再氧化热处理中，由于使用在常温常压下是气体的二氧化碳，免去了使用水蒸气时操作的麻烦，换句话说，避免了为防止结露而导致制造装置本身的价格提高和生产成本增加。另外，由于不存在结露等问题，一次操作的热处理量和成品的可靠性增加了，同时作为氧供给源的二氧化碳气体量可以在0-100％(容积)的范围内任意改变。再有，本发明中的再氧化热处理，还可以将烧成工序和外部电极烧成工序合到一起，连续地进行，因而不会增加制造中的运行成本。

本发明中用来作为陶瓷原料的电介质粉末，可以使用制造陶瓷电子元件时使用的各种电介质粉末，例如钛酸钡、氧化钛、氧化钡、氧化锆等氧化物，碳酸钡、碳酸钙等碳酸盐，氮化硅、氮化铝等氮化物，碳化硅、碳化钛等碳化物，以及上述化合物的混合物，另外，为了使其提高性能并具有抗还原性，可以在其中添加锰或钙等的化合物，但不限于此，可以举出以往制造陶瓷电子元件时使用的各种电介质粉末，可以根据所需要的陶瓷电子元件的种类和用途适当加以选择。另外，在这些电介质粉末中还可以添加玻璃熔块。

用于将上述电介质粉末成形的有机粘结剂没有特别的限制，例如可以使用丁缩醛、丙烯酸树脂、苯乙烯树脂等，增塑剂例如可以使用邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸苄基丁基酯、聚乙二醇等，分散剂例如可以使用油酸等高级脂肪酸，另外，溶剂例如可以使用甲苯、乙酸丁酯、三氯乙烷等，可以使用以往在制造这些陶瓷电子元件时使用的各种树脂、增塑剂、分散剂和溶剂。有机粘结剂的用量由于所需要的陶瓷电子元件的种类和用途以及所使用的原料电介质粉末的种类的不同而改变，没有特别的限制，例如以总重量计算其用量为2-20％(重量)。

通常，使用上述电介质粉末、有机粘结剂、根据需要使用的增塑剂以及可溶解有机粘结剂的有机溶剂，将它们混合制成淤浆，例如，按上面所述用刮涂法在有机薄膜上形成陶瓷电介质薄层，制成生坯板。将其干燥，在该陶瓷电介质坯板上印刷内部电极，去掉有机薄膜后将若干层重叠在一起，然后压接，制成叠层成形体。再将该叠层成形体切断成基片形状，得到陶瓷成形体。

上面所述的成形方法是在叠层陶瓷电容器制造中经常使用的方法，但本发明不限于这种方法，可以根据所要求的陶瓷电子元件的种类和用途，采用以往所使用的各种成形方法。形成内部电极时，使用最多的是印刷法，通过印刷形成规定的形状，但本发明不限于这种方法。通过印刷形成电极时，最常用的方法是使用Ni或以Ni为主要成分的糊状物，用丝网印刷法进行印刷。另外，如果以Ni为主要成分的金属作为内部电极，可以得到作为目的的电极的导通性，那就意味着Ni不是100％(重量)，可以适当配入其它的无机物等。

加热分解、除去有机粘结剂的脱脂，根据所使用的粘结剂种类和数量、电介质粉末的种类、所需要的陶瓷电子元件的种类、大小、处理量、加热装置的大小等而有所不同，没有特别的限制，优选的是，在氮气或氮气/氢气混合气体气氛下，以5-400℃/小时的速度升温至最高温度，在300～800℃的最高温度下热处理1～数十小时。特别是在氮气气氛下，以10～100℃/小时的速度升温至最高温度，在400-700℃的最高温度下热处理2-10小时。

至于烧成，根据上述条件而各不相同，没有特别的限制，优选的是，在电极不氧化的气氛中，以50-400℃/小时的速度升温至最高温度，在1000-1400℃的最高温度下热处理1-数十小时。最好是在氧分压为1×10^-7大气压以下的气氛中，以100-300℃/小时的速度升温至最高温度，在1200-1400℃的最高温度下热处理1-5小时。

在本发明中，后续的为了确保可靠性的再氧化热处理，应当在600℃以上、1100℃以下的温度区间内，在至少含有3％(容积)以上二氧化碳作为氧供给源的气氛中进行热处理。这是因为，温度过低时，再氧化反应进行缓慢，反之，如果温度过高，用来作为内部电极的Ni金属氧化过度，有可能使电容降低。优选的是在至少700℃以上、1000℃以下的温度区间，使用上述特定的气氛进行热处理。

本发明中使用的上述特定的气氛气体，只要含有再氧化所必须程度的二氧化碳即可。二氧化碳以外的部分可以是对于化学反应没有贡献的惰性气体等非氧化性气体，所述的非氧化性气体一般可以使用廉价的氮气。二氧化碳的含量没有特别的限制，一般是10-90％(容积)，优选的是15-90％(容积)。

对按以上所述得到的烧结体，例如进行滚筒抛光或喷砂等研磨处理，使内部电极暴露出来，涂布以Cu等金属为主要成分的金属糊，根据需要加热处理，形成外部电极，再对该外部电极镀Ni或软钎焊Ni，即可得到最终的产品。外部电极的形成没有特别的限制，通常最好是采用大多数电子元件制造时使用的厚膜技术。

实施例

下面参照附图、通过实施例更具体地说明本发明。

首先说明在实施例和比较例中用来作为共同的试料的烧结后叠层体的制造方法。电介质材料使用在99.5％(重量)钛酸钡(BaTiO₃)中添加0.5％(重量)二氧化锰(MnO₂)的组合物。BaTiO₃是将试剂碳酸钡(BaCO₃)和二氧化钛(TiO₂)在球磨机中湿式混合后干燥，再在空气中、1200℃温度下煅烧2小时合成的。然后，用球磨机将经过煅烧的BaTiO₃湿式粉碎，使之用扫描电子显微镜(SEM)观测的平均粒径达到0.8μm。另外，MnO₂同样是在球磨机中将试剂MnO₂湿式粉碎，使之用SEM观测的平均粒径达到1μm。

将制得的BaTiO₃和MnO₂按上述组成混合，在130份(重量)该混合物中混合23份(重量)聚乙烯醇缩丁醛树脂(作为粘结剂)、5份(重量)邻苯二甲酸二丁酯(作为增塑剂)、154份(重量)乙酸丁酯(作为溶剂)，制成电介质淤浆。用刮涂法将该电介质淤浆涂布在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜上，使之干燥后的板厚为40μm。

然后，在干燥后的电介质板上，用丝网印刷法按所希望的图案涂布市售的Ni糊(住友金属矿山公司制造)，干燥后形成4μm膜厚。接着，将印刷形成该Ni糊的电介质板从PET薄膜上剥离下来，使内部电极图案相对将21片叠层压接(即有效层为20层)，使之成为一体。将其切断成2mm×4mm的基片状，得到未烧结叠层体。

按照图1(A)所示的热处理工艺流程图依次对该未烧结叠层体进行热处理。

首先，作为脱脂工序按图1(B)所示脱脂工序的温度-时间图，在下列条件下进行热处理。

脱脂条件

升温速度：50℃/小时

最高温度：400℃

最高温度保持时间：4小时

降温速度：100℃/小时

气氛气体：氮气

接着，作为烧成工序，按图1(C)所示烧成工序的温度-时间图，在下列条件下进行热处理。

烧成

升温速度：200℃/小时

最高温度：1300℃

最高温度保持时间：2小时

降温速度：200℃/小时

气氛氧分压：1×10^-11-1×10^-9大气压

对上述得到的烧结后叠层体，按下面的各种条件进行再氧化热处理。

即，准备好容积为300cc的氧化锆制的容器，将10000个上述烧成后叠层体叠放在该容器内，使用内部容量约5升的气氛热处理炉按表1所示的再氧化热处理条件进行各2小时的热处理。另外，在热处理过程中，供给炉子的气氛气体总量调节为在标准状态下每分钟2升。

最后，在各实施条件下进行了再氧化热处理的试料中各取100个元件，采用滚筒抛光进行研磨处理，使内部电极露出来，在端面上涂布市售的Cu糊(ナミックス公司制造)。将端面上涂布了Cu糊的试料在氮气氛中、800℃下进行1小时热处理，然后在该外部电极上镀覆或软钎焊Ni，得到最终的产品——叠层陶瓷电容器。对若干个采用不同的再氧化热处理条件得到的叠层陶瓷电容器，在85℃的恒温槽中持续1000小时施加32V的电压，进行可靠性试验。可靠性试验后，计算出元件发生短路等故障的概率，结果示于表1中。

另外，用于进行比较的比较例1与本发明的实施例同样即将10000个同样的烧结后叠层体叠放在容积为300cc的氧化锆制的容器中，使用内部容积约5升的气氛热处理炉，只是在该比较例中将气氛条件改为只用氮气，在标准状态下以每分钟2升的速度供给，在900℃下热处理2小时。然后对各100个元件进行滚筒抛光研磨处理，使内部电极露出来，在与上述实施例同样材料和条件下形成外部电极，然后同样进行评价。

另外，用于与以往方法进行比较的比较例2和比较例3，是在容积为300cc的氧化锆制的容器中分别叠放10000个烧结后的叠层体，使用内部容积约5升的气氛热处理炉，只是将气氛条件改为用加湿器加湿成露点30℃的氮气和加湿成露点50℃的氮气，分别在标准状态下以每分钟2升的速度供给，在900℃下热处理2小时。然后与实施例和比较例1同样进行处理和评价。表1

	再氧化热处理条件				可靠性评价结果
						气氛气体	二氧化碳浓度(容积％)	水蒸气浓度(容积％)	热处理温度(℃)	短路故障率(％)
	比较例1	N2	0	0	900						100
比较例2						露点30℃CN2	0	4.2	900	31
	比较例3	露点50℃CN2	0	12.2	900						25
实施例1						CO2+N2	1	0	600	62
	实施例2	CO2+N2	1	0	700						58
实施例3						CO2+N2	1	0	800	58
	实施例4	CO2+N2	1	0	900						50
实施例5						CO2+N2	1	0	1000	48
	实施例6	CO2+N2	1	0	1100						55
实施例7						CO2+N2	3	0	600	21
	实施例8	CO2+N2	3	0	700						14
实施例9						CO2+N2	3	0	800	13
	实施例10	CO2+N2	3	0	900						11
实施例11						CO2+N2	3	0	1000	10
	实施例12	CO2+N2	3	0	1100						18
实施例13						CO2+N2	15	0	600	5
	实施例14	CO2+N2	15	0	700						0
实施例15						CO2+N2	15	0	800	0
	实施例16	CO2+N2	15	0	900						0
实施例17						CO2+N2	15	0	1000	0

实施例18	CO2+N2	15	0	1100	3
						实施例19	CO2+N2	50	0	600	3
实施例20	CO2+N2	50	0	700	0
						实施例21	CO2+N2	50	0	800	0
实施例22	CO2+N2	50	0	900	0
						实施例23	CO2+N2	50	0	1000	0
实施例24	CO2+N2	50	0	1100	1

比较例1的试验是在即不含水蒸气也不含二氧化碳的气氛下进行热处理，所有的试样在可靠性试验后都发生短路。另外，比较例2和比较例3是现有技术的使用加湿的氮气进行再氧化热处理的试验例，水蒸气浓度是根据各露点的水蒸气压计算出来的。根据表1中本发明的实施例1-24的结果，与只用不含二氧化碳的氮气进行热处理的比较例1相比，可靠性试验后的短路故障率减少了。此外，二氧化碳浓度在3％(容积)以上的实施例7-24的所有结果，短路故障率也都显著地减少了，与现有技术使用加湿的氮气进行再氧化热处理的比较例2和比较例3的结果相比，其效果也要高得多。在比较例2和比较例3中，可靠性试验后的短路比较高，据认为是由于使用加湿器的气氛加湿比较困难并且不稳定的原故。

另外，在使用相同二氧化碳浓度的实施例范围内(二氧化碳浓度为3％(容积)的实施例7-12、二氧化碳浓度为15％(容积)的实施例13-18、二氧化碳浓度为50(容积)的实施例19-24)内进行比较发现，热处理温度为700-1000℃时的效果特别高。其中，在短路故障率为0％的实施例14-17和实施例20-23中，使用二氧化碳作为气氛气体，不存在结露等问题，因此可以容易并且稳定地使作为氧供给源的二氧化碳浓度达到较高的浓度(15％(容积)和50％(容积))。

此外，实施例中使用的气氛热处理炉是工业生产中常用的设备，本发明的实施例中使用二氧化碳作为再氧化的氧供给源，不存在结露的危险。因而，避免了为防止结露而导致设备价格提高和制造成本增大。

另外，作为另一个实施例，按照图2(A)所示热处理工艺流程图和图2(B)所示烧成+再氧化工序的温度-时间图保持规定的温度进行烧成，然后在降温冷却过程中在600℃以上、1100℃以下的温度区间、在含有二氧化碳(最好是3％(容积)以上)气氛中进行热处理，可以将烧成工序和再氧化工序合到一起、连续地进行，从而进一步降低生产成本。在将烧成工序和再氧化工序合到一起、连续地进行的方法中，与上述实施例同样，作为再氧化热处理，在600℃以上、1100℃以下的温度区间内及含二氧化碳的气氛中进行热处理，预期可以获得与上述实施例同样的效果。优选的是，热处理温度在700℃以上、1000℃以下，热处理气氛为二氧化碳和氮气的混合气体。

另外，按照图3(A)所示的热处理工艺流程图和图3(B)所示的再氧化+外部电极烧成工序的温度-时间图，将再氧化工序外部电极烧成工序合到一起、连续地进行，可以进一步降低制造成本。即，作为一个具体的例子，在实施例1-23中，将作为外部电极涂布的Cu糊在氮气氛中进行热处理，但如果将在氮气氛中热处理改为在600℃以上、1100℃以下在温度及含二氧化碳(最好是3％(容积)以上)的气氛中进行热处理，可以将再氧化工序和外部电极烧成工序合到一起、连续地进行。在将再氧化工序和外部电极烧成工序合到一起、连续地进行的方法中，与上述实施例同样，作为再氧化热处理在600℃以上、1100℃以下的温度区间内及含有二氧化碳的气氛中进行热处理，预期可以得到与上述实施例同样的效果。优选的是，热处理温度为700℃以上、1000℃以下，热处理气氛为二氧化碳和氮气的混合气体。另外，在二氧化碳与氮气的混合气体中进行外部电极烧成工序，可以抑制再氧化的陶瓷电介质被还原。

当然，也可以按图4所示的热处理工艺流程图，将烧成工序与再氧化工序合到一起、连续地进行，然后，将再氧化工序与外部电极烧成工序合到一起、连续地进行。这样经过多次再氧化热处理得到的最终制品，可以有效地保证可靠性。

另外，在这些实施方案中，二氧化碳以外的气氛气体使用的是氮气，但也可以使用对内部电极金属和电介质的氧化还原没有影响的惰性气体，例如氩气或氦气。

此外，用来作为外部电极的金属糊的主要成分不限于Cu，一般地说，只要是Ni内部电极叠层陶瓷电容器制造时使用的即可，也可以使用以其它金属为主要成分的金属糊。

另外，为了便于说明，在图示的温度-时间图中，将加热开始时和冷却结束时的温度写成0℃左右，但从本发明的宗旨可以看出，对这些温度没有特别的限制，例如也可以是室温。

发明的效果

如上所述，本发明是含有由Ni或以Ni为主要成分的金属构成的内部电极和陶瓷的叠层体的叠层陶瓷电容器的制造方法，将上述叠层体烧成后在含有3％(容积)以上的二氧化碳的气氛中进行热处理，或者，将上述叠层体烧成后，在含有二氧化碳的气氛中热处理，利用二氧化碳分解产生的氧进行再氧化，可以确保最终产品的可靠性，同时可以实现工业生产率高的再氧化热处理。

附图的简要说明

【图1】(A)是用于说明本发明的处理工艺的一个例子的工艺流程图，(B)是表示脱脂工序的温度-时间图的一个例子的图，(C)是表示烧成工序的温度-时间图的一个例子的图。

【图2】(A)是用于说明本发明的处理工艺的另一个例子的工艺流程图，(B)是表示烧成+再氧化工序的温度-时间图的一个例子的图。

【图3】(A)是用于说明本发明的处理工艺的另一个例子的工艺流程图，(B)是表示再氧化+外部电极烧成工序的温度-时间图的一个例子的图。

【图4】是用于说明本发明的处理工艺的另一个例子的热处理工艺流程图。

Claims (7)

1.叠层陶瓷电容器的制造方法，该方法是含有由Ni或以Ni为主要成分的金属构成的内部电极和陶瓷的叠层体的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，将上述叠层体在所述内部电极不被氧化的气氛下烧成后，在3％体积以上二氧化碳气体和非氧化性气体的混合气体中或在100％体积的二氧化碳气体中在600℃以上1100℃以下进行热处理。

2.权利要求1所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，在700℃以上、1000℃以下对上述叠层体进行热处理。

3.权利要求1或2所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，所述混合气体含有10％体积以上的二氧化碳。

4.权利要求1所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，所述的非氧化性气体含有氮气。

5.权利要求1或2所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，将所述的叠层体烧成后，在降温度过程中及所述混合气体中或在所述二氧化碳气体中对其进行热处理。

6.权利要求1或2所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，将所述的叠层体烧成，在该叠层体上涂布以金属为主要成分的糊作为外部电极，然后在所述混合气体中或在所述二氧化碳气体中进行热处理的同时烧成上述糊。

7.权利要求1或2所述的叠层陶瓷电容器的制造方法，其特征是，将所述叠层体烧成后，在降温过程中及所述混合气体中或在所述二氧化碳气体中对其进行热处理，在该叠层体上涂布以金属为主要成分的糊作为外部电极，然后在所述混合气体中或在所述二氧化碳气体中再次热处理，与此同时烧成上述糊。

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