CN113892021A - 硫化检测传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可正确检测硫化的程度的硫化检测传感器。硫化检测传感器10具有长方体形的绝缘衬底1、设置在绝缘衬底1的表面的长边方向二端部的一对的表电极2、连接该些表电极2的硫化检测导体3、覆盖硫化检测导体3与表电极2的一部分的一对的保护膜4、设置在绝缘衬底1的背面的长边方向二端部的一对的背电极5、设置在绝缘衬底1的长边方向二端部的一对的端面电极6、以及设置在端面电极6的表面的外部电极7。硫化检测导体3具有从一对的保护膜4露出的硫化检测部3A。当一对的表电极2以电极间方向为X方向、与该X方向正交的方向为Y方向时，在硫化检测部3A的Y方向的二端部，形成电流较难流动的特定区域3b。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于检测腐蚀环境的累积硫化量的硫化检测传感器。
背景技术
一般而言，作为芯片电阻器等电子元件的内部电极，虽使用电阻率低的Ag(银)系电极材料，但当银暴露于硫化气体时，会成为硫化银。由于硫化银为绝缘物，电子元件可能发生断线等缺陷。因此，近年有些硫化对策，例如于Ag(银)添加Pd(铯)或Au(金)来形成难以硫化的电极、或将电极做成硫化气体难以到达的构造等。
然而，对于电子元件而言即使有如上述的硫化对策，在该电子元件长期暴露于硫化气体中的情况、或暴露于高浓度硫化气体中的情况下，仍难以完全防止断线。因此，预先检测断线来防止于未预期时点的故障发生成为必要的。
因此，在先前技术中，如专利文献1所记载，提出一种检测电子元件的累积硫化的程度，可以在电子元件硫化断线等故障前检测危险性的硫化检测传感器。在专利文献1中揭露如以下构成的硫化检测传感器：于绝缘衬底上形成以Ag(银)为主体的硫化检测体，以覆盖该硫化检测体的方式形成透明有硫化气体透过性的保护膜，同时在绝缘衬底的两侧端部形成连接硫化检测体的端面电极的构成。
如上述构成的硫化检测传感器与其他电子元件一起设置到电路衬底上后，当该电路衬底使用于具有硫化气体的环境时，伴随着时间经过，其他电子元件被硫化，而且硫化气体透过硫化检测传感器的保护膜接触到硫化检测体，因此对应硫化气体的浓度与经过时间，构成硫化检测体的银的体积逐渐减少。因此，藉由检测硫化检测体的电阻值的变化及断线，而可以检测硫化的程度。
【先前技术文献】
【专利文献】
专利文献1：特开2009-250611号公报
发明内容
【发明所要解决的问题】
另一方面，如专利文献1所载的硫化检测传感器，其硫化检测体于绝缘基板的主面形成为矩形(长方形)的情况下，接触硫化气体的硫化检测体不仅从对向于绝缘基板的主面的表面侧朝向膜厚方向被硫化，从与电流方向正交的方向的两侧端面也被硫化。然而，印刷Ag(银)系膏等来形成的硫化检测体的侧端部会因印刷垂流等的影响，容易在硫化检测体的宽度尺寸(与电流方向正交的方向的长度)或表面积上发生偏差，由于来自硫化检测体的侧端面的硫化速度有个体差异，基于硫化检测传感器的电阻值来正确的检测硫化程度会变得困难。
换言之，硫化检测传感器的电阻值变化依存于硫化检测体的体积变化，该体积变化依存于硫化检测体的电流方向长度、及沿着与电流方向正交的方向的剖面积的变化，由于该剖面积是硫化检测体的膜厚与宽度尺寸(与电流方向正交的方向的长度)的积，当硫化检测体产生宽度尺寸的偏差，来自硫化检测体的侧端面的硫化速度会产生个体差异。又，沿着电流方向的硫化检测体的长度尺寸也会产生偏差，由于硫化检测体的侧端部的表面积实质的产生偏差，当暴露于硫化气体的硫化检测体的表面积具有偏差，来自硫化检测体的侧端面的硫化速度会产生个体差异，电阻值与硫化的程度的关系会变得无法明确的决定。
本发明有鉴于如上述先前技术的情况，其目的为提供一种可正确的检测硫化的程度的硫化检测传感器。
【用于解决问题的技术方案】
为达成上述目的，本发明的硫化检测传感器，其特征在于包含:长方体形的绝缘衬底；一对的电极，形成在前述绝缘衬底的主面的二端部；硫化检测导体，形成在前述一对的电极间；以及保护膜，覆盖前述硫化检测导体的一部分；其中，前述硫化检测导体具有从前述保护膜露出的硫化检测部；当前述一对的电极以电极间方向为X方向、与该X方向正交的方向为Y方向时，在前述硫化检测部的Y方向的二端部，形成相比于其他部分电流较难流动的特定区域。
在如上述构成的硫化检测传感器中，在硫化检测部的Y方向(与电流方向正交的方向)的两端部形成电流较难流动的特定区域，由于该特定区域是电阻值变化较难被影响的部位，即使来自硫化检测部的侧端面的硫化状态有偏差，根据因两个特定区域所夹住的硫化检测部的膜厚变化，仍可正确的检测硫化的程度。
在如上述构成的硫化检测传感器中，当硫化检测导体具有宽幅部在Y方向的二端部，且形成为宽于与电极的连接宽度，该宽幅部的X方向的二端部经由保护膜被覆盖，经由硫化检测导体的印刷形状可容易的形成特定区域。
又，在如上述构成的硫化检测传感器中，当硫化检测导体与至少一方的电极间介隔设置电阻体，并且该电阻体连接于硫化检测导体的Y方向的中央部分，硫化检测导体的X方向的二端部与电阻体的全部经由保护膜被覆盖，经由电阻体可定义特定区域，并且可使用作为可检测硫化程度的电阻器。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的硫化检测传感器的平面图。
图2为沿图1的II-II线的剖面图。
图3为表示该硫化检测传感器的制造步骤的平面图。
图4为表示该硫化检测传感器的制造步骤的剖面图。
图5为本发明的第二实施例的硫化检测传感器的平面图。
图6为本发明的第三实施例的硫化检测传感器的平面图。
其中，附图标记：
1绝缘衬底
2表电极(电极)
3硫化检测导体
3A 硫化检测部
3a 连接部
3b 宽幅部(特定区域)
4保护膜
5背电极
6端面电极
7外部电极
8电阻体
10、20、30 硫化检测传感器
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。图1为本发明的第一实施例的硫化检测传感器10的平面图，图2为沿图1的II-II线的剖面图。
如图1及图2所示，第一实施例的硫化检测传感器10主要由长方体形的绝缘衬底1、设置在绝缘衬底1的表面的长边方向二端部的一对的表电极2、连接该些表电极2的硫化检测导体3、覆盖硫化检测导体3与表电极2的一部分的一对的保护膜4、设置在绝缘衬底1的背面的长边方向二端部的一对的背电极5、设置在绝缘衬底1的长边方向二端部的一对的端面电极6、以及设置在端面电极6的表面的外部电极7所构成。
绝缘衬底1是将下述的大型衬底沿纵横的分割沟分割来取得多个，大型衬底的主成分是以氧化铝为主成分的陶瓷衬底。
一对的表电极2是网版印刷以银为主成分的Ag(银)系膏并干燥、烧结形成，该二个表电极2以预设间隔对向的方式形成在绝缘衬底1的长边方向二端部。一对的背电极5也是网版印刷以银为主成分的Ag(银)系膏并干燥、烧结形成，该些背电极5形成在对应绝缘衬底1的表面侧的表电极2的位置。再者，如以下说明，一对的表电极2以电极间方向(图1的左右方向)为X方向、与该X方向正交的方向(图1的上下方向)为Y方向。
硫化检测导体3是网版印刷以银为主成分的Ag(银)系膏并干燥、烧结形成，如上述，硫化检测导体3的二端部连接于一对的表电极2。硫化检测导体3的二端部经由保护膜4被覆盖，从保护膜4露出的部分的硫化检测导体3成为可检测硫化气体硫化检测部3A。于此，硫化检测导体3具有以重叠于表电极2的方式形成在X方向的两端部的连接部3a、以宽度宽于连接部3a的方式形成在Y方向的两端部的宽幅部3b，并从以连接部3a为短边的长方形的相对向二长边宽幅部3b向外侧突出，而成为十字型(十字展开盒型)形状。
一对的保护膜4包括环氧树脂等的硫化气体非透过性的绝缘材料，硫化检测导体3的连接部3a整体与宽幅部3b的X方向的两端部经由一对的保护膜被覆盖。
一对的端面电极6是溅镀Ni(镍)/Cr(铬)于绝缘衬底1的端面，该些端面电极6以导通对应的表电极2与背电极5间的方式来形成。
一对的外部电极7包括阻障层与外部连接层的二层构造，其中阻障层是经由电镀形成的Ni(镍)电镀层，外部连接层是经由电镀形成的Sn(锡)电镀层。经由该些外部电极7，表电极2与端面电极6及背电极5的表面被覆盖。
接着，利用图3及图4说明涉及第一实施例的硫化检测传感器10的制造步骤。再者，图3(a)～(f)分别表示由该制造步骤使用的大型衬底的表面观看的平面图，图4(a)～(f)分别表示沿图3(a)～(f)的长边方向中央部相当1个芯片的剖面图。
首先，准备可取得多个绝缘衬底1的大型衬底。在该大型衬底预先将第一次分割沟与第二次分割沟以格子状设置，经由二分割沟划分的方格的各个成为一个分的芯片区域。图3与图4虽表示代表相当于一个分的芯片区域的大型衬底11A，实际上以下是总括的针对相当于多个分的芯片区域的大型衬底的各步骤来做说明。
换言之，在该大型衬底11A的背面网版印刷Ag(银)系膏后，经由将其干燥、烧结，如图3(a)及图4(a)所示，在大型衬底11A的背面形成以预设间隔对向的一对的背电极5。又，与此同时或一前一后，在该大型衬底11A的表面网版印刷Ag(银)系膏后，经由将其干燥、烧结，如图3(b)及图4(b)所示，在大型衬底11A的表面形成以预设间隔对向的一对的表电极2。
接着，在大型衬底11A的表面网版印刷以Ag(银)为主成分的Ag(银)系膏后，经由将其干燥、烧结，如图3(c)及图4(c)所示，在一对的表电极2间形成硫化检测导体3。该硫化检测导体3形成为将以重叠于二表电极2的连接部3a为短边的长方形的区域S1、以及从该区域S1的相对向二长边朝向外侧突出的细长形状的区域S2组合而成的形状，并具有宽幅部3b形成为在Y方向的两端部宽于与表电极2的连接宽度。于此，当考虑连接于一对的表电极2的硫化检测导体3内的电流密度，在重叠于表电极2而连接的区域S1分布有电流，从区域S1突出于外侧的区域S2成为几乎没有电流流通的特定区域。
接着，经由从硫化检测导体3上网版印刷环氧树脂系树脂膏并加热硬化，如图3(d)及图4(d)所示，形成覆盖宽幅部3b的X方向的两端部与连接部3a的整体的一对的保护膜4。藉此，硫化检测导体3的区域S1与区域S2之中，夹置于一对的保护膜4间而露出的矩形部分成为硫化检测部3A。其后，经由网版印刷可溶性的屏蔽液并干燥，形成覆盖硫化检测导体3的硫化检测部3A的屏蔽层(图未表示)。
接着，沿着第一次分割沟将大型衬底11A第一次分割为长条状衬底11B后，在长条状衬底11B的分割面经由溅镀Ni(镍)/Cr(铬)，如图3(e)及图4(e)所示，在长条状衬底11B的两端部形成连接表电极2与背电极5的端面电极6。
接着，沿着第二次分割沟将长条状衬底11B第二次分割为芯片状衬底11C后，经由对该些芯片状衬底11C施行电镀来形成Ni(镍)-Sn(锡)电镀层，如图3(f)及图4(f)所示，形成覆盖端面电极6及背电极5的表面的外部电极7。最后，利用溶剂来除去上述的屏蔽层，经由使被该屏蔽层覆盖的硫化检测导体3的硫化检测部3A露出，完成如图1、2所示的硫化检测传感器10。
如这样构成的硫化检测传感器10与其他电子部件共同的安装于电路衬底上后，将该电路衬底使用暴露在包含硫化气体的环境中。接着，随着时间经过，当构成硫化检测部3A的Ag(银)的体积逐渐减少，一对的表电极2间的电阻值逐渐上升，最后硫化检测部3A会断路。此时，接触硫化气体的硫化检测部3A不仅从对向于绝缘衬底1的表面整体往膜厚方向(与图1的纸面正交的方向)被硫化，经由从二宽幅部3b的侧端面往内侧方向(图1的上下方向)亦被硫化，沿Y方向的剖面积变小而使电阻值逐渐上升。
在本实施例的情况中，于硫化检测导体3的Y方向的两端部形成有宽幅部3b，由于该些宽幅部3b为几乎没有电流流通的特定区域(区域S2)，来自宽幅部3b的侧端面的硫化对电阻值变化几乎不会产生影响。因此，因宽幅部3b的印刷垂流等的来自硫化检测导体3的侧端面的硫化速度的个别差异可不需要考虑，基于经硫化检测部3A的区域S1的膜厚变化的电阻值，而可高精度的检测硫化程度。
如上述说明，在第一实施例的硫化检测传感器10中，在从一对的保护膜4露出的硫化检测部3A的宽度方向(Y方向)两端部形成电流较难流动的特定区域S2，由于该特定区域S2为较难影响硫化检测导体3的电阻值变化的部位，可不需要考虑来自硫化检测部3A中侧端面的硫化状态的偏差，基于经硫化检测部3A中区域S1的膜厚变化的电阻值，而可高精度的检测硫化程度。
又，硫化检测导体3的整体形状呈从以重叠于表电极2的连接部3a为短边的长方形的两长边使宽幅部3b分别向外侧突出的十字型形状，并且经由一对的保护膜4以覆盖硫化检测导体3的连接部3a整体与宽幅部3b的X方向的两端部的方式构成，因此基于硫化检测导体3的印刷形状可容易的形成特定区域S2。
图5为本发明的第二实施例的硫化检测传感器20的平面图，对应于图1的部分利用相同的符号。
如图5所示，在第二实施例的硫化检测传感器20中，硫化检测导体3的X方向一端部藉由连接部3a连接于一侧的表电极2，硫化检测导体3的X方向另一端部藉由电阻体8连接于另一侧的表电极2。对于一侧的表电极2，连接部3a与电阻体8以相同的连接宽度重叠，硫化检测导体3成为从以连接部3a为短边的长方形的相对向二长边宽幅部3b向外侧突出的横向凸形状。又，连接部3a与电阻体8的整体以及宽幅部3b的X方向两端部经由一对的保护膜4被覆盖，从该些保护膜4露出的部分的硫化检测导体3成为硫化检测部3A。再者，图式虽省略，在电阻体8形成电阻值调整用的调整沟，上述以外的构成与第一实施例的硫化检测传感器10基本上相同。
在如上述构成的第二实施例的硫化检测传感器20中，第一实施例相同的，由于从一对的保护膜4露出的硫化检测部3A的宽度方向(Y方向)两端部形成电流较难流动的宽幅部3b(特定区域)，可不需要考虑来自硫化检测部3A的侧端面的硫化状态的偏差，基于经由被二宽幅部3b夹住的硫化检测部3A的膜厚变化的电阻值，而可高精度的检测硫化的程度。又，经由电阻体8串联连接于硫化检测导体3，可定义如上述的特定区域，并且可作为可检测硫化程度的电阻器来使用。
图6为本发明的第三实施例的硫化检测传感器30的平面图，对应于图5的部分利用相同的符号。
图6所示的第三实施例的硫化检测传感器30与第二实施例不同的点是硫化检测导体3形成为不具有与表电极2的连接部的矩形，该硫化检测导体3的X方向两端部分别藉由电阻体8连接于对应的表电极2，除此以外的构成基本上相同。再者，硫化检测导体3呈从以与电阻体8的连接部作为短边的长方形的相对向两长边宽幅部3b向外侧突出的矩形，该宽幅部3b的X方向两端部与两电阻体8的整体分别经由保护膜4被覆盖。
在这样构成的第三实施例的硫化检测传感器30中，由于在从一对的保护膜4露出的硫化检测部3A的宽度方向(Y方向)两端部形成电流较难流动的宽幅部3b(特定区域)，而不需要考虑来自硫化检测部3A的侧端面的硫化状态的偏差，基于经由被二宽幅部3b夹住的硫化检测部3A的膜厚变化的电阻值，而可高精度的检测硫化的程度。又，藉由硫化检测导体3将二个电阻体8串联连接，而可定义如上述的特定区域，并且可作为可检测硫化程度的电阻器来使用，再者，可作为左右对称没有方向性的硫化检测传感器。
Claims (3)
1.一种硫化检测传感器，其特征在于包含:
长方体形的绝缘衬底；
一对的电极，形成在前述绝缘衬底的主面的二端部；
硫化检测导体，形成在前述一对的电极间；以及
保护膜，覆盖前述硫化检测导体的一部分；
其中，前述硫化检测导体具有从前述保护膜露出的硫化检测部；
当前述一对的电极以电极间方向为X方向、与该X方向正交的方向为Y方向时，在前述硫化检测部的Y方向的二端部，形成相比于其他部分电流较难流动的特定区域。
2.根据权利要求1所述的硫化检测传感器，其特征在于：
前述硫化检测导体具有宽幅部在Y方向的二端部，且形成为宽于与前述电极的连接宽度，
该宽幅部的X方向的二端部经由前述保护膜被覆盖。
3.根据权利要求1所述的硫化检测传感器，其特征在于：
前述硫化检测导体与至少一方的前述电极间介隔设置电阻体，并且该电阻体连接于前述硫化检测导体的Y方向的中央部分，
前述硫化检测导体的X方向的二端部与前述电阻体的全部经由前述保护膜被覆盖。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06148115A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガスセンサー |
| JP2009250611A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Taiyosha Electric Co Ltd | 硫化検出センサ、硫化検出回路及び硫化検出センサの製造方法 |
| JP2010249692A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Nitto Denko Corp | 物質検知センサ |
| JP2010276459A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2011142117A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Panasonic Corp | ジャンパーチップ部品およびその製造方法 |
| EP2918996A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | NGK Insulators, Ltd. | Method for performing processing on gas sensor |
| CN107315034A (zh) * | 2016-04-26 | 2017-11-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 气体检测装置以及氢检测方法 |
| JP2018059716A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | ミツミ電機株式会社 | センサ装置 |
| CN108534907A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 兴亚株式会社 | 温度传感器元件 |
| JP2018200174A (ja) * | 2017-05-25 | 2018-12-20 | トッパン・フォームズ株式会社 | 硫化検出センサ、硫化検出方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP3665545B2 (ja) | 2000-08-17 | 2005-06-29 | 太陽社電気株式会社 | チップ抵抗器及びその製造方法 |
| JP5120904B2 (ja) * | 2009-11-05 | 2013-01-16 | 学校法人加計学園 | 微結晶セレンからなるガス感受性材料及びそれを用いたガスセンサ |
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| JP6048463B2 (ja) * | 2014-09-01 | 2016-12-21 | トヨタ自動車株式会社 | ガス濃度検出装置 |
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| US9997281B2 (en) * | 2015-02-19 | 2018-06-12 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor and method for manufacturing the same |
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| EP3361241B1 (en) | 2015-10-07 | 2023-06-28 | Hitachi, Ltd. | Corrosive environment monitoring device |
| DE112017006585T5 (de) * | 2016-12-27 | 2019-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Chip-widerstand und verfahren zu seiner herstellung |
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06148115A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガスセンサー |
| JP2009250611A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Taiyosha Electric Co Ltd | 硫化検出センサ、硫化検出回路及び硫化検出センサの製造方法 |
| JP2010249692A (ja) * | 2009-04-16 | 2010-11-04 | Nitto Denko Corp | 物質検知センサ |
| JP2010276459A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ガスセンサ |
| JP2011142117A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Panasonic Corp | ジャンパーチップ部品およびその製造方法 |
| EP2918996A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-16 | NGK Insulators, Ltd. | Method for performing processing on gas sensor |
| CN107315034A (zh) * | 2016-04-26 | 2017-11-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 气体检测装置以及氢检测方法 |
| JP2018059716A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-12 | ミツミ電機株式会社 | センサ装置 |
| CN108534907A (zh) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 兴亚株式会社 | 温度传感器元件 |
| JP2018200174A (ja) * | 2017-05-25 | 2018-12-20 | トッパン・フォームズ株式会社 | 硫化検出センサ、硫化検出方法 |
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