CN113874992A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

第1护罩顶端部(86)的内周端(74a)在水平方向上隔着第1环状间隙(C1)而与基板(W)的周端面(Wc)相对。另外，第2护罩顶端部(88)的内周端(75a)在水平方向上隔着第2环状间隙(C2)而与圆板部(28)的外周端(28c)相对。基板相对面(26a)与基板(W)的表面(Wa)保持规定的间隔(WU)，同时遮蔽部件(6)与基板(W)相对。第1环状间隙(C1)的距离(L1)与第2环状间隙(C2)的距离(L2)的合计(L1+L2)为排气路径(EP)中的流路宽度(WF)以上，且为基板相对面(26a)与基板(W)的表面(Wa)的间隔(WU)以下(WF≤(L1+L2)≤WU))。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本申请基于2019年6月28日提出的日本专利申请2019-122134号主张优先权，该申请的全部内容通过引用而组入于此。
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。在成为处理对象的基板的例子中，包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(Flat Panel Display：平面显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，有时为了对半导体晶片等基板的表面实施基于药液等处理液的处理，而使用对基板逐片进行处理的枚叶式基板处理装置。该枚叶式基板处理装置例如包括：将基板大致水平地保持并使其旋转的旋转卡盘(spin chuck)；用于向通过该旋转卡盘而旋转的基板供给处理液的喷嘴；与保持于旋转卡盘的基板的表面(上表面)相对的遮蔽部件；用于捕获从基板排出的处理液的处理承杯；和收容旋转卡盘及遮蔽部件等的腔室。
在下述专利文献1中，旋转卡盘例如包括具有比基板的外径大的外径的圆板状的旋转基座；和在旋转基座的上表面的外周部在与基板的外周形状对应的圆周上隔开适当间隔而设置的多个夹持部件。
另外，在专利文献1中，遮蔽部件为了相对于基板上方的上方空间(形成于基板与上述遮蔽部件之间的空间)周围的空间即外方空间将上方空间更有效地隔离，而具备配置在旋转卡盘上所保持的基板的上方的圆板部、和从圆板部的周缘垂下的圆筒部。由于在遮蔽部件的圆筒部的下端部与旋转基座的上表面的外周端缘之间形成的间隙保持得窄(参照专利文献1的图3)，所以能够有效抑制外方空间中的含氧的环境气体进入上方空间。由此，能够将上方空间保持在低氧环境下。
另外，在专利文献1中，处理承杯具备多个护罩。利用多个护罩划分出供排气及排液通过的排气排液路径。通过排气装置的驱动而排气排液路径减压，由此进行排气。各护罩的内周端包围遮蔽部件的圆筒部，与遮蔽部件的圆筒部相邻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利6330998号公报
发明内容
在旋转卡盘中，包括利用配置在基板周围的多个夹持部件将基板水平地夹持从而将基板水平地保持的挟持式旋转卡盘、和通过吸附基板的下表面将基板水平地保持的真空式旋转卡盘(所谓真空卡盘)。
在挟持式旋转卡盘中，使用具有比基板的外径大的外径的圆板状的旋转基座。与之相对，在真空式旋转卡盘中，使用具有比基板的外径小的外径的圆板状的旋转基座。
在挟持式旋转卡盘中，旋转基座的外周部与基板的周端面相比配置在外侧。因此，在专利文献1所记载的基板处理装置中，旋转基座的外周部配置在基板的周端面与遮蔽部件的圆筒部之间的间隙的下方。然而，在真空式旋转卡盘中，由于旋转基座的外周部与基板的周端面相比配置在内侧，所以即使使用具备圆板部和圆筒部的遮蔽部件，也存在含氧的环境气体从基板的周端面与遮蔽部件的圆筒部之间的间隙通过而进入基板的上表面与遮蔽部件之间的空间的隐忧(参照图12)。
因此，本发明的目的在于，提供一种在不是支承基板的外周部而是支承基板的中央部的情况下，能够在低氧环境下对基板的上表面实施使用药液的处理的基板处理装置及基板处理方法。
本发明的一个实施方式提供一种基板处理装置，包括：腔室；基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比上述基板小的基座板，在上述腔室的内部水平地保持上述基座板上的上述基板；遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕上述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从上述第1圆筒部的上端朝向从由上述基板保持单元保持的上述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，上述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与上述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕上述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从上述第2圆筒部的上端朝向上述铅垂线延伸且与上述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，上述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与上述圆板部的外周端水平地相对，上述处理承杯在内部形成有由上述第1护罩顶端部和上述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与上述第1空间连通的排气路径；非活性气体供给单元，其形成在由上述基板保持单元保持的上述基板与上述遮蔽部件之间，向与上述第1空间连通的第2空间供给非活性气体；药液供给单元，其向由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面供给药液；以及控制装置，其控制上述非活性气体供给单元及上述药液供给单元，上述控制装置执行以下工序：正压维持工序，利用上述非活性气体供给单元向上述第2空间供给非活性气体，将上述第1空间及上述第2空间双方保持为正压；和药液处理工序，与上述正压维持工序并行地，利用上述药液供给单元向由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面供给药液，对上述基板的上表面实施使用药液的处理。
根据该结构，在保持于基板保持单元的基板的上方配置的遮蔽部件以基板相对面与基板的上表面的间隔成为规定间隔的方式与基板的上表面相对。第1护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第1环状间隙而与基板的周端面相对。第2护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第2环状间隙而与遮蔽部件的圆板部的外周端相对。在使基板及圆板部相对于处理承杯旋转的情况下，需要在基板的周端面与第1护罩顶端部之间、以及圆板部的外周端与第1护罩顶端部之间分别设置环状间隙(第1环状间隙、第2环状间隙)。
通过向第2空间供给非活性气体，从而将第1空间(由第1护罩顶端部和第2护罩顶端部划分出的空间)及第2空间(形成于基板与上述遮蔽部件之间的空间)双方保持为正压。由此，能够有效抑制作为与第1空间及第2空间连通的腔室内的空间的接近空间内的含氧的环境气体通过两个环状间隙进入第2空间。由此，能够将第2空间保持在低氧环境下。
在通过非活性气体的供给将第1空间及第2空间保持为正压的状态下，对基板的上表面实施使用药液的处理。由此，能够在低氧环境下对基板实施使用药液的处理。
因而，在不是支承基板的外周部而是支承基板的中央部的情况下，能够在低氧环境下对基板的上表面实施使用药液的处理。
在本发明的一个实施方式中，上述正压维持工包括将流量比从上述排气路径排出的排气的流量多的非活性气体向上述第2空间供给的工序。
根据该结构，流量比从排气路径排出的排气的流量多的非活性气体供给到第2空间。由此，能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。
在本发明的一个实施方式中，上述排气路径中的流路宽度为间隙合计距离以下，该间隙合计距离为上述第1环状间隙的距离与上述第2环状间隙的距离的合计。
根据该结构，由于排气路径的流路宽度窄，所以能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。另外，由于间隙合计距离为排气路径中的流路宽度以上，所以处于正压状态的第2空间的环境气体容易从第1环状间隙及第2环状间隙通过并流出到接近空间。由此，能够抑制或防止接近空间内的含氧的环境气体通过这两个环状间隙而进入第2空间。
也可以是，上述间隙合计距离为由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面与上述遮蔽部件的上述基板相对面的距离以下。
根据该结构，两个环状间隙分别狭窄。由此，能够更有效地抑制或防止接近空间内的含氧环境气体通过这两个环状间隙而进入第2空间。由此，能够将第2空间保持在低氧环境下。
在本发明的一个实施方式中，也可以是，上述排气路径中的流路宽度为由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面与上述遮蔽部件的上述基板相对面的间隔以下。
根据该结构，由于排气路径狭窄，所以能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。
在上述排气路径中的上述流路宽度为上述间隙合计距离以下的情况下，优选的是，上述流路宽度为上述第1圆筒部与上述第2圆筒部之间的径向上的距离。
根据该结构，第1圆筒与第2圆筒部之间的径向上的距离为间隙合计距离以下。由于排气路径的流路宽度狭窄，所以能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。
在本发明的一个实施方式中，上述基板处理装置还包括排气单元，该排气单元通过上述排气路径吸引上述处理承杯的上述内部的环境气体，由此将上述腔室的环境气体向上述腔室外排出，上述排气单元排出上述第1空间及第2空间的环境气体、和上述处理承杯外且上述腔室内的空间的环境气体双方。
根据该结构，通过排气单元除去第1空间的环境气体及第2空间的环境气体、和处理承杯外且腔室内的空间的环境气体双方。由于需要使腔室内的气流稳定，所以无法过度提高排气单元的排气力。
然而，通过如前述那样规定排气路径中的流路宽度，无需使用强排气力而排气，就能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。
在本发明的一个实施方式中，上述内侧护罩和上述外侧护罩设置为能够彼此独立地升降。
根据该结构，能够调整第1护罩顶端与第2护罩顶端部的上下方向上的距离。由此，能够不依赖于基板的上表面与遮蔽部件的基板相对面的间隔地，容易地实现第1护罩顶端部相对于基板的周端面的相对、以及第2护罩顶端部相对于遮蔽部件的圆板部的外周端的相对。
在上述内侧护罩和上述外侧护罩能够彼此独立地升降的情况下，也可以是，上述基板处理装置还包括排气流量调整环，该排气流量调整环设于上述内侧护罩及上述外侧护罩中的至少一方，随着上下方向上的上述内侧护罩与上述外侧护罩的相对移动而调整上述排气路径的流路宽度，由此改变上述排气路径的压力损失。
根据该结构，通过改变内侧护罩与外侧护罩的相对上下关系，能够缩窄排气路径的流路宽度而提高排气路径的压力损失。由此，能够更容易地将第1空间及第2空间双方保持为正压。
在本发明的一个实施方式中，上述内侧护罩的上述第1护罩顶端部的上述内周端与上述圆板部的上述外周端相比在水平方向上位于内侧。
根据该结构，与基板的周端面一起形成第1环状间隙的内侧护罩的内周端相较于与外侧护罩的内周端一起形成第2环状间隙的圆板部的外周端而位于内侧，因此能够使第2间隙远离基板的周端面。假设若基板的周端面接近第2间隙，则具有在含氧的环境气体通过第2间隙而进入了第2空间时基板的上表面的外周部被氧化的隐忧。
在本结构中，由于能够使第2间隙远离基板的周端面，所以即使在万一含氧的环境气体通过第2间隙而进入了第2空间的情况下，也能够抑制或防止基板的上表面被氧化。
本发明的第2实施方式提供一种由基板处理装置执行的基板处理方法。
上述基板处理装置包括：腔室；基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比上述基板小的基座板，在上述腔室的内部水平地保持上述基座板上的上述基板；遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；以及处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕上述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从上述第1圆筒部的上端朝向从由上述基板保持单元保持的上述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，上述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与上述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕上述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从上述第2圆筒部的上端朝向上述铅垂线延伸且与上述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，上述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与上述圆板部的外周端水平地相对，上述处理承杯在内部形成有由上述第1护罩顶端部和上述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与上述第1空间连通的排气路径。
上述基板处理方法包括以下工序：遮蔽部件相对工序，一边将上述基板相对面与上述基板的上表面的间隔保持为固定，一边将上述遮蔽部件配置到保持于上述基板保持单元的上述基板的上方；护罩相对工序，配置上述内侧护罩及上述外侧护罩，使得上述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与由上述基板保持单元保持的上述基板的周端面水平地相对，且使得上述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与上述遮蔽部件的上述圆板部的外周端水平地相对，由此在上述处理承杯的内部形成由上述第1护罩顶端部和上述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与上述第1空间连通的排气路径；正压维持工序，与上述遮蔽部件相对工序及上述护罩相对工序并行地，向形成于由上述基板保持单元保持的上述基板与上述遮蔽部件之间的第2空间供给非活性气体，将上述第1空间及上述第2空间双方保持为正压；以及药液处理工序，与上述遮蔽部件相对工序、上述护罩相对工序及上述正压维持工序并行地，向由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面供给药液，对上述基板的上表面实施使用药液的处理。
根据该方法，在保持于基板保持单元的基板的上方配置的遮蔽部件以基板相对面与基板的上表面的间隔成为规定间隔的方式与基板的上表面相对。第1护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第1环状间隙而与基板的周端面相对。第2护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第2环状间隙而与圆板部的外周端相对。在使基板及圆板部相对于处理承杯旋转的情况下，需要在基板的周端面与第1护罩顶端部之间、以及圆板部的外周端与第1护罩顶端部之间分别设置环状间隙(第1环状间隙、第2环状间隙)。
通过向第2空间供给非活性气体，从而将第1空间(由第1护罩顶端部和第2护罩顶端部划分出的空间)及第2空间(形成于基板与上述遮蔽部件之间的空间)双方保持为正压。由此，能够有效抑制作为与第1空间及第2空间连通的腔室内的空间的接近空间内的含氧的环境气体通过两个环状间隙进入第2空间。由此，能够将第2空间保持在低氧环境下。
在通过非活性气体的供给将第1空间及第2空间保持为正压的状态下，对基板的上表面实施使用药液的处理。由此，能够在低氧环境下对基板实施使用药液的处理。
因而，在不是支承基板的外周部而是支承基板的中央部的情况下，能够在低氧环境下对基板的上表面实施使用药液的处理。
在本发明的第2实施方式中，上述正压维持工序包括向上述第2空间供给流量比从上述排气路径排出的排气的流量多的非活性气体的工序。
根据该方法，流量比从排气路径排出的排气的流量多的非活性气体被供给到第2空间。由此，能够比较容易地将第1空间及第2空间保持为正压。
本发明的第3实施方式提供一种基板处理装置，包括：腔室；基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比上述基板小的基座板，在上述腔室的内部水平地保持上述基座板上的上述基板；遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕上述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从上述第1圆筒部的上端朝向从由上述基板保持单元保持的上述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，上述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与上述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕上述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从上述第2圆筒部的上端朝向上述铅垂线延伸且与上述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，上述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与上述圆板部的外周端水平地相对，上述处理承杯在内部形成有由上述第1护罩顶端部和上述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与上述第1空间连通的排气路径；非活性气体供给单元，其形成在由上述基板保持单元保持的上述基板与上述遮蔽部件之间，向与上述第1空间连通的第2空间供给非活性气体；以及药液供给单元，其向由上述基板保持单元保持的上述基板的上表面供给药液。
根据该结构，在保持于基板保持单元的基板的上方配置的遮蔽部件以基板相对面与基板的上表面的间隔成为规定间隔的方式与基板的上表面相对。第1护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第1环状间隙而与基板的周端面相对。第2护罩顶端部的内周端在水平方向上隔着第2环状间隙而与圆板部的外周端相对。第1空间(由第1护罩顶端部和第2护罩顶端部划分出的空间)与第2空间(形成于基板与上述遮蔽部件之间的空间)连通。在使基板及圆板部相对于处理承杯旋转的情况下，需要在基板的周端面与第1护罩顶端部之间、以及圆板部的外周端与第1护罩顶端部之间分别设置环状间隙(第1环状间隙、第2环状间隙)。
通过向第2空间供给非活性气体，能够将第1空间及第2空间双方保持为正压。该情况下，能够有效抑制作为与第1空间及第2空间连通的腔室内的空间的接近空间内的含氧的环境气体通过两个环状间隙进入第2空间。由此，能够将第2空间保持在低氧环境下。
在通过非活性气体的供给将第1空间及第2空间保持为正压的状态下，对基板的上表面实施使用药液的处理，由此，能够在低氧环境下对基板实施使用药液的处理。
因而，在不是支承基板的外周部而是支承基板的中央部的情况下，也能够在低氧环境下对基板的上表面实施使用药液的处理。
本发明中的前述或其他目的、特征及效果参照附图并根据以下叙述的实施方式的说明而得以明确。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的从上方观察到的示意图。
图2是用于说明上述基板处理装置所具备的处理单元的结构例的图解性的剖视图。
图3是上述处理单元所具备的遮蔽部件的仰视图。
图4A是表示上述处理单元所具备的处理承杯的护罩非相对状态的图。
图4B是表示上述处理单元所具备的处理承杯的护罩捕获状态的一例的图。
图5是用于说明上述基板处理装置的主要部分的电气结构的框图。
图6是将通过上述基板处理装置处理的基板的表面放大示出的剖视图。
图7是用于说明在上述处理单元中执行的基板处理例的内容的流程图。
图8A是用于说明上述基板处理例的图解性的图。
图8B是用于说明继图8A之后的工序的图解性的图。
图8C是用于说明继图8B之后的工序的图解性的图。
图9是用于说明本发明的第1变形例的图。
图10是用于说明本发明的第2变形例的图。
图11是用于说明本发明的第3变形例的图。
图12是用于说明使用了吸附保持基板的中央部的旋转卡盘的基板处理的图。
具体实施方式
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置1的从上方观察到的示意图。
基板处理装置1是对硅片等基板W逐片进行处理的枚叶式装置。在本实施方式中，基板W是圆板状的基板。基板处理装置1包括：使用处理流体对基板W进行处理的多个处理单元2；载置对由处理单元2处理的多片基板W进行收容的基板收容器C的装载埠LP；在装载埠LP与处理单元2之间搬送基板W的索引机器人IR及搬送机器人CR；和控制基板处理装置1的控制装置3。索引机器人IR在基板收容器C与搬送机器人CR之间搬送基板W。搬送机器人CR在索引机器人IR与处理单元2之间搬送基板W。多个处理单元2例如具有相同结构。
图2是用于说明处理单元2的结构例的图解性的剖视图。图3是遮蔽部件6的仰视图。图4A是表示处理承杯13的护罩非相对状态的图。图4B是表示处理承杯13的护罩捕获状态(第2护罩捕获状态)的一例的图。
如图2所示，处理单元2包括：箱形的腔室4；旋转卡盘(基板保持单元)5，其在腔室4内以水平姿势保持一片基板W，并使基板W绕从基板W的中心穿过的铅垂的旋转轴线(规定的铅垂线)A1旋转；以及遮蔽部件6，其用于将保持于旋转卡盘5的基板W的上表面(表面Wa(参照图6))的上方的空间相对于其周围的环境气体遮蔽。处理单元2还包括：中央喷嘴7，其在遮蔽部件6的内部沿上下延伸，用于朝向保持于旋转卡盘5的基板W的上表面的中央部喷出处理气体或处理液(药液、清洗液、有机溶剂等)等处理流体；药液供给单元8，其用于向中央喷嘴7供给作为药液的一例的氢氟酸；清洗液供给单元9，其用于向中央喷嘴7供给清洗液；有机溶剂供给单元10，其用于向中央喷嘴7供给作为低表面张力液体的有机溶剂；非活性气体供给单元11，其用于向中央喷嘴7供给非活性气体；以及筒状的处理承杯13，其包围旋转卡盘5的侧方。
腔室4包括：收容旋转卡盘5及遮蔽部件6的箱状的分隔壁18；从分隔壁18的上部向分隔壁18内输送清洁空气(由过滤器过滤后的空气)的作为送风单元的FFU(风扇过滤器单元)19；以及从分隔壁18的下部排出腔室4内的气体的排气管道(排气单元)20。FFU19配置在分隔壁18的上方，安装在分隔壁18的顶壁。FFU19从分隔壁18的顶壁向腔室4内向下输送清洁空气。排气管道20与处理承杯13的后述的圆筒部件70连接，并与设置基板处理装置1的工厂内所设置的排气装置(排气单元)14连接。
排气管道20朝向排气装置14引导腔室4内的气体。因此，通过FFU19及排气管道20形成在腔室4内向下方流动的下降气流(下降流，downflow)。基板W的处理在腔室4内形成有下降气流的状态下进行。
如图2所示，旋转卡盘5在本实施方式中为真空吸附式卡盘。旋转卡盘5吸附支承基板W的下表面(表面Wa的相反侧的背面)的中央部。旋转卡盘5具备：沿铅垂方向延伸的下旋转轴21；安装在该下旋转轴21的上端且以水平姿势吸附基板W的下表面来保持该基板W的旋转基座22；以及具有与下旋转轴21同轴地结合的旋转轴的旋转马达23。基板W置于旋转基座22之上。旋转基座22包含具有比基板W的外径小的外径的水平圆形的上表面22a。基板W的中心配置在从旋转基座22的上表面22a的中心部穿过的铅垂的旋转轴线A1上。旋转基座22虽然与基板W的下表面的中央部接触，但不与基板W的下表面的外周部接触。因此，在基板W的下表面被旋转基座22吸附保持的状态下，基板W的外周部与旋转基座22的周端缘相比向外侧伸出。通过旋转马达23的驱动，基板W绕下旋转轴21的中心轴线旋转。
遮蔽部件6包括遮蔽板26和能够一体旋转地设于遮蔽板26的上旋转轴27。遮蔽板26包括被以水平姿势保持的圆板部28。在圆板部28的中央部形成有将遮蔽板26及上旋转轴27沿上下贯穿的圆筒状的贯穿孔。贯穿孔包括划分出内部空间的圆筒状的内周面。中央喷嘴7沿上下穿插在贯穿孔中。遮蔽板26(即圆板部28)是具有比基板W的外径大的外径的圆板状。
在遮蔽板26(圆板部28)的下表面，形成有与保持于旋转卡盘5的基板W的上表面在上下方向上相对的基板相对面26a。基板相对面26a是与保持于旋转卡盘5的基板W的上表面平行的平坦面。
中央喷嘴7沿着从遮蔽板26(圆板部28)及基板W的中心穿过的铅垂轴线、即旋转轴线A1而在上下方向上延伸。中央喷嘴7配置在旋转卡盘5的上方，穿插在遮蔽板26及上旋转轴27的内部空间中。中央喷嘴7与遮蔽板26及上旋转轴27一起升降。
上旋转轴27能够相对旋转地支承于在遮蔽板26的上方水平延伸的支承臂31。包含电动马达等的遮蔽板旋转单元32与遮蔽板26及上旋转轴27结合。遮蔽板旋转单元32使遮蔽板26及上旋转轴27相对于支承臂31绕与旋转轴线A1同轴的中心轴线旋转。
另外，包含电动马达、滚珠丝杠等的遮蔽部件升降单元33与支承臂31结合。遮蔽部件升降单元33使遮蔽部件6(遮蔽板26及上旋转轴27)及中央喷嘴7与支承臂31一起在铅垂方向上升降。
遮蔽部件升降单元33使遮蔽板26在下位置与上位置之间升降，其中下位置是基板相对面26a与保持于旋转卡盘5的基板W的上表面接近的位置(图2中虚线所示的位置)，上位置是从基板相对面26a到基板W的上表面为止的上下方向距离比下位置时大的位置(图2中实线所示的位置)。
遮蔽空间由后述的护罩间空间SP1(第1空间。参照图4B等)和基板上空间SP2(第2空间。参照图4B等)形成。基板上空间SP2是位于下位置的遮蔽部件6的基板相对面26a与基板W的上表面之间的空间。该遮蔽空间虽然并不是相对于其周围的空间完全隔离，但在基板上空间SP2及护罩间空间SP1和与这两者连通的腔室4内的空间(以下，称为“接近空间SP3”(参照图4B等))之间几乎没有流体的流通。
中央喷嘴7包括：沿上下延伸的圆柱状的壳体40；和分别在壳体40的内部沿上下穿插的第1喷嘴配管41、第2喷嘴配管46、第3喷嘴配管51及第4喷嘴配管56。第1～第4喷嘴配管41、46、51、56分别相当于内管。
如图3所示，第1喷嘴配管41的下端在壳体40的下端面开口，形成了第1喷出口(中央部喷出口)41a。在第1喷嘴配管41中，供给来自药液供给单元8的药液。
如图2所示，药液供给单元8包括：与第1喷嘴配管41的上游端连接的药液配管42；夹装在药液配管42的中途部的药液阀43；和改变在药液配管42中流动的药液的流量的第1流量调整阀44。从药液供给源向药液配管42供给溶解氧量降低后(溶解氧浓度低)的药液。第1流量调整阀44可以是包括在内部设有阀座的阀体、开闭阀座的阀芯、和使阀芯在开位置与闭位置之间移动的致动器的结构。其他流量调整阀可以是相同的结构。
若药液阀43打开，则从第1喷出口41a向下方喷出药液。若药液阀43关闭，则药液从第1喷出口41a的喷出停止。通过第1流量调整阀44调整药液从第1喷出口41a的喷出流量。药液能够例示氢氟酸(稀氢氟酸)、缓冲氢氟酸(Buffered HF：氢氟酸与氟化铵的混合液)、FOM(氢氟酸臭氧)、FPM(氢氟酸双氧水混合液)、SC1(氨水双氧水混合液)、SC2(盐酸双氧水混合液)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸双氧水混合液)及聚合物除去液等。包含氢氟酸的药液(氢氟酸、缓冲氢氟酸、FOM、FPM等)作为除去氧化膜(氧化硅膜)的蚀刻液是合适的。
在使用包含氢氟酸的药液的情况下，为了防止因氢氟酸中的氧导致基板W的表面Wa被氧化，向药液配管42供给的包含氢氟酸的药液的溶解氧量被充分降低。从药液供给源向药液配管42供给溶解氧量降低后的药液。
如图3所示，第2喷嘴配管46的下端在壳体40的下端面开口，形成了第2喷出口(中央部喷出口)46a。在第2喷嘴配管46中，供给来自清洗液供给单元9的清洗液。
如图2所示，清洗液供给单元9包括：与第2喷嘴配管46的上游端连接的清洗液配管47；夹装在清洗液配管47的中途部的清洗液阀48；和改变在清洗液配管47中流动的清洗液的流量的第2流量调整阀49。若清洗液阀48打开，则从第2喷出口46a向下方喷出清洗液。若清洗液阀48关闭，则清洗液从第2喷出口46a的喷出停止。通过第2流量调整阀49，调整清洗液从第2喷出口46a的喷出流量。清洗液是水。水是例如去离子水(DIW)，但不限于DIW，也可以是碳酸水、电解离子水、富氢水、臭氧水、氨水及浓度稀释(例如，10ppm～100ppm左右)的盐酸水中的某一种。
如图3所示，第3喷嘴配管51的下端在壳体40的下端面开口，形成了第3喷出口(中央部喷出口)51a。在第3喷嘴配管51中，供给来自有机溶剂供给单元10的有机溶剂。
如图2所示，有机溶剂供给单元10包括：与第3喷嘴配管51的上游端连接的有机溶剂配管52；夹装于有机溶剂配管52的中途部的有机溶剂阀53；和改变在有机溶剂配管52中流动的有机溶剂的流量的第3流量调整阀54。若有机溶剂阀53打开，则从第3喷出口51a向下方喷出有机溶剂。若有机溶剂阀53关闭，则停止有机溶剂从第3喷出口51a的喷出。通过第3流量调整阀54，调整有机溶剂从第3喷出口51a的喷出流量。
向有机溶剂配管52供给的有机溶剂是表面张力比水低的溶剂。作为有机溶剂的具体例，可列举醇、氟系有机溶剂与醇的混合液。醇包括例如甲醇、乙醇、丙醇及IPA中的至少一种。氟系有机溶剂包括例如HFE(氢氟醚)、HFC(氢氟烃)中的至少一种。以下说明有机溶剂为IPA(异丙醇)的例子。
如图3所示，第4喷嘴配管56的下端在壳体40的下端面开口，形成了第4喷出口(非活性气体喷出口)56a。在第4喷嘴配管56中，供给来自非活性气体供给单元11的非活性气体。
如图2所示，非活性气体供给单元11包括：与第4喷嘴配管56的上游端连接的非活性气体配管57；夹装在非活性气体配管57的中途部的非活性气体阀58；和改变在非活性气体配管57中流动的非活性气体的流量的第4流量调整阀59。若非活性气体阀58打开，则从第4喷出口56a向下方喷出(吹出)非活性气体。若非活性气体阀58关闭，则非活性气体从第4喷出口56a的喷出停止。通过第4流量调整阀59调整非活性气体从第4喷出口56a的喷出流量。非活性气体例如是氮气，但也可以是氩气等。
如图2、图4A及图4B所示，处理承杯13与保持于旋转卡盘5的基板W相比配置在外方(远离旋转轴线A1的方向)。
以下，一边主要参照图4A及图4B一边说明处理承杯13。
处理承杯13捕获从保持于旋转卡盘5的基板W排出的处理液(药液、清洗液、有机溶剂等)，并输送到与处理液的种类相应的排液设备。处理承杯13将保持于旋转卡盘5的基板W上的环境气体经由排气管道20输送到排气装置14。
处理承杯13包括：圆筒部件70；在圆筒部件70的内侧围绕旋转卡盘5的周围的多个承杯(第1承杯71、第2承杯72、第3承杯73)；承接飞散到基板W周围的处理液多个(在图2的例子中为三个)护罩(第1护罩(内侧护罩)74、第2护罩(外侧护罩)75、第3护罩76)；和使多个护罩单独升降的护罩升降单元78。处理承杯13与保持于旋转卡盘5的基板W的外周相比配置在外侧(远离旋转轴线A1的方向)。
各承杯(第1承杯71、第2承杯72、第3承杯73)为圆筒状(圆环状)，围绕旋转卡盘5的周围。从内侧起为第二个的第2承杯72与第1承杯71相比配置在外侧，最外侧的第3承杯73与第2承杯72相比配置在外侧。第3承杯73例如与第2护罩75为一体，与第2护罩75一起升降。各承杯(第1承杯71、第2承杯72、第3承杯73)形成有向上打开的环状的槽。
第1排液配管79与第1承杯71的槽连接。导入到第1承杯71的槽中的处理液(主要为清洗液)通过第1排液配管79输送到基板处理装置1外的排液处理设备，在该排液处理设备中被处理。
第2排液配管80与第2承杯72的槽连接。导入到第2承杯72的槽中的处理液(主要为药液)通过第2排液配管80输送到基板处理装置1外的排液处理设备，在该排液处理设备中被处理。
第3排液配管81与第3承杯73的槽连接。导入到第3承杯73的槽中的处理液(主要为有机溶剂)通过第3排液配管81输送到基板处理装置1外的排液处理设备，在该排液处理设备中被处理。
最内侧的第1护罩74围绕旋转卡盘5的周围，具有相对于基板W的旋转轴线A1(参照图2)在俯视下大致旋转对称的形状。第1护罩74包括：围绕旋转卡盘5的周围的圆筒状的下端部83；从下端部83的上端向外方(远离基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的筒状部84；从筒状部84的上表面外周部向铅垂上方延伸的中段的第1圆筒部85；和从第1圆筒部85的上端向内方(接近基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的圆环状的第1护罩顶端部86。下端部83位于第1承杯71的槽上，在第1护罩74与第1承杯71最接近的状态下收容于第1承杯71的槽内部。第1护罩74的内周端74a(第1护罩顶端部86的顶端)在俯视下为包围保持于旋转卡盘5的基板W的圆形。第1护罩74的内周端74a的内径大于基板W的外径。第1护罩顶端部86是从第1圆筒部85的上端向内侧且向斜上方延伸的倾斜部。如图4A、图4B等所示，第1护罩顶端部86的截面形状为直线状。
从内侧起为第二个的第2护罩75在第1护罩74的外侧围绕旋转卡盘5的周围，具有相对于基板W的旋转轴线A1大致旋转对称的形状。第2护罩75具有：与第1护罩74同轴的第2圆筒部87；和从第2圆筒部87的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的第2护罩顶端部88。第2圆筒部87位于第2承杯72的槽上。第2护罩顶端部88是从第2圆筒部87的上端向内侧且向斜上方延伸的倾斜部。如图4A、图4B等所示，第2护罩顶端部88的截面形状为直线状。第2护罩75的内周端75a(第2护罩顶端部88的顶端)在俯视下为包围保持于旋转卡盘5的基板W的圆形。第2护罩75的内周端75a的内径大于基板W的外径。
第2护罩顶端部88配置在第1护罩74的第1护罩顶端部86的上方，在俯视下与第1护罩74的第1护罩顶端部86重叠。第2护罩顶端部88形成为在第1护罩74与第2护罩75在上下方向上最接近的状态下相对于第1护罩顶端部86不接触地接近。
最外侧的第3护罩76在第2护罩75的外侧围绕旋转卡盘5的周围，具有相对于基板W的旋转轴线A1在俯视下大致旋转对称的形状。第3护罩76具有：与第2护罩75同轴的圆筒部89；和从圆筒部89的上端向中心侧(接近基板W的旋转轴线A1的方向)延伸的第3护罩顶端部90。圆筒部89位于第3承杯73的槽上。第3护罩76的内周端76a(第3护罩顶端部90的顶端)在俯视下为包围保持于旋转卡盘5的基板W的圆形。第3护罩76的内周端76a的内径大于基板W的外径。第3护罩顶端部90是从圆筒部89的上端向内侧且向斜上方倾斜的倾斜部。如图4A、图4B等所示，第3护罩顶端部90的截面形状为直线状。
第3护罩顶端部90配置在第2护罩75的第2护罩顶端部88的上方，在俯视下与第2护罩75的第2护罩顶端部88重叠。第3护罩顶端部90形成为在第2护罩75与第3护罩76在上下方向上最接近的状态下相对于第2护罩顶端部88不接触地接近。
各顶端部(第1护罩顶端部86、第2护罩顶端部88、第3护罩顶端部90)的内周端(即，顶端)74a、75a、76a由向下方折曲的折回部的内周端规定。
处理承杯13能够折叠。护罩升降单元78通过使三个护罩(第1护罩74、第2护罩75、第3护罩76)中的至少一个升降来进行处理承杯13的展开及折叠。
护罩升降单元78使各护罩(第1护罩74、第2护罩75、第3护罩76)在上位置与下位置之间升降。护罩升降单元78能够使各护罩静止在从上位置到下位置为止的范围内的任意位置。上位置是顶端部(第1护罩顶端部86、第2护罩顶端部88、第3护罩顶端部90)的内周端与基板W的上表面相比配置在上方的位置，下位置是上述顶端部的上述内周端与基板W的上表面相比配置在下方的位置。
第2护罩75的内周端75a及第3护罩76的内周端76a与第1护罩74的内周端74a相比配置在径向外方。即，第2护罩75的内周端75a及第3护罩76的内周端76a的直径D2(参照图4A)大于第1护罩74的内周端74a的直径D1(参照图4A参照)(D2＞D1)。直径D2与直径D1之差为例如10mm。
第1护罩74的内周端74a的直径D1小于遮蔽部件6的圆板部28的外径(即，遮蔽板26的外径)D3(参照图4B)。
在三个护罩全部(第1护罩74、第2护罩75、第3护罩76)位于下位置的情况下，实现任一护罩均不与基板W的周端面Wc(参照图4B)水平地相对的护罩非相对状态。
处理液(药液、清洗液、有机溶剂等)向基板W的供给和基板W的干燥在某一护罩与基板W的周端面Wc相对的状态下进行。
另外，为了实现能够由第1护罩74捕获从基板W的外周部排出的处理液的状态(后述的图8A所示的状态。以下将该状态称为“第1护罩捕获状态”)，将三个护罩全部配置到上位置。在第1护罩捕获状态下，从处于旋转状态的基板W的外周部排出的处理液全部被第1护罩74承接(捕获)。
另外，为了实现能够由第3护罩76捕获从基板W的外周部排出的处理液的状态(后述的图8C所示的状态。以下将该状态称为“第3护罩捕获状态”)，将第1护罩74及第2护罩75配置到下位置，将第3护罩76配置到上位置。在第3护罩捕获状态下，从处于旋转状态的基板W的外周部排出的处理液全部被第3护罩76承接(捕获)。
在图4B所示的第2护罩捕获状态下，从处于旋转状态的基板W的外周部排出的处理液全部被第2护罩75承接(捕获)。在处理承杯13的第2护罩捕获状态下，第2护罩75及第3护罩76位于上位置。另一方面，第1护罩74不是位于下位置，而是位于比下位置靠上方且比上位置靠下方的周端面相对位置(图4B及后述的图8A所示的第1护罩74的位置)。周端面相对位置是第1护罩74的上端与旋转基座22的下端相比配置在上方的位置。周端面相对位置也可以是第1护罩74的上端配置在与基板W的上表面相等的高度的位置，还可以是第1护罩74的上端配置在基板W的上表面与基板W的下表面之间的高度的位置。
另外，在处理承杯13的第2护罩捕获状态下，在第1护罩74与第2护罩75之间，形成护罩间空间(第1空间)SP1。护罩间空间SP1围绕作为基板相对面26a与基板W的上表面(表面Wa)之间的空间的基板上空间(第2空间)SP2，并与基板上空间SP2连通。在处理承杯13的第2护罩捕获状态下，从保持于旋转卡盘5的基板W的外周部排出的处理液进入护罩间空间SP1，被第2护罩75的内壁承接。
在处理承杯13的第2护罩捕获状态下，如图4B所示，第1护罩顶端部86的内周端74a隔着第1环状间隙C1与基板W的周端面Wc水平地相对，第2护罩顶端部88的内周端75a隔着第2环状间隙C2与遮蔽部件6的圆板部28的外周端28c水平地相对。
距离L1表示从基板W的周端面Wc到第1护罩顶端部86的内周端74a为止的基板W的径向(与基板W的旋转轴线A1正交的水平方向)上的距离。距离L2表示从遮蔽部件6的圆板部28的外周端28c到第2护罩顶端部88的内周端75a为止的基板W的径向上的距离。若将第1环状间隙C1的距离L1与第2环状间隙C2的距离L2的合计距离(即，L1+L2)定义为间隙合计距离，则后述的排气路径EP中的流路宽度WF为间隙合计距离(L1+L2)以下(WF＜(L1+L2))。
如前述那样，第1护罩74的内周端74a与遮蔽部件6的圆板部28的外周端28c相比位于基板W的径向上的内方。因此，能够使第2环状间隙C2从基板W的外周端28c向基板W的径向上的外方远离。
在处理承杯13的圆筒部件70的侧壁形成有开口70a(参照图2)，排气管道20(参照图2)与该开口70a连接。排气装置14的吸引力始终经由排气管道20传递到开口70a。因此，开口70a始终处于减压状态。
在处理承杯13的第2护罩捕获状态下，如图4B所示，与护罩间空间SP1连通的排气路径EP形成在第1护罩74与第2护罩75之间。具体地说，排气路径EP包括：由第1圆筒部85和第2圆筒部87划分出的窄流路P1；由第2圆筒部87和第2承杯72的外壁72a划分出的流路P2；以及由第2承杯72的外壁72a和第3承杯73的内壁73a划分出的流路P3。排气路径EP的流路宽度WF表示基板W的径向上的排气路径EP的距离的最小值。在本实施方式中，窄流路P1最窄，因此，窄流路P1的流路宽度(窄流路P1的在基板W的半径方向上的间隔)相当于排气路径EP的流路宽度WF。从第2承杯72与第3承杯73之间排出到圆筒部件70的内部空间中的排气经由开口70a被引入到排气管道20。
在处理承杯13的第2护罩捕获状态下，处于基板W的上方的环境气体(基板上空间SP2的环境气体)通过护罩间空间SP1及排气路径EP被吸入排气管道20及排气装置14。
另外，排气管道20及排气装置14不仅吸入处于基板W的上方的环境气体(基板上空间SP2的环境气体)，还吸入腔室4的内部的环境气体。具体地说，通过基于排气管道20对开口70a的排气，腔室4的内部的环境气体被引入圆筒部件70的内部。引入到圆筒部件70的内部的环境气体经由开口70a及排气管道20被输送到排气装置14。
即，排气管道20及排气装置14吸入护罩间空间SP1及基板上空间SP2的环境气体、和在处理承杯13外且在腔室4的内部的环境气体双方。
在由处理单元2执行的基板处理例中，在处理承杯13为第2护罩捕获状态时，遮蔽部件6配置在下位置。在遮蔽部件6配置于下位置时，从基板W的上表面到遮蔽部件6的基板相对面26a为止的上下方向上的距离为规定的间隔WU。该间隔WU为间隙合计距离(L1+L2)以上(WU≥(L1+L2))。
即，间隙合计距离(L1+L2)为排气路径EP中的流路宽度WF以上、且为基板相对面26a与基板W的上表面的间隔WU以下(WF≤(L1+L2)≤WU)。
图5是用于说明基板处理装置1的主要部分的电气结构的框图。
控制装置3使用例如微型计算机构成。控制装置具有CPU等运算单元、固定存储设备、硬盘驱动器等存储单元、以及输入输出单元。在存储单元中存储有运算单元所执行的程序。
另外，在控制装置3，作为控制对象而连接有旋转马达23、遮蔽部件升降单元33、遮蔽板旋转单元32及护罩升降单元78等。控制装置3遵照预先确定的程序，控制旋转马达23、遮蔽部件升降单元33、遮蔽板旋转单元32及护罩升降单元78等的动作。
另外，控制装置3遵照预先确定的程序，对药液阀43、清洗液阀48、有机溶剂阀53、非活性气体阀58等进行开闭。
另外，控制装置3遵照预先确定的程序，调整第1流量调整阀44、第2流量调整阀49、第3流量调整阀54、第4流量调整阀59等的开度。
以下说明对在作为器件形成面的表面Wa上形成有图案的基板W进行处理的情况。
图6是将由基板处理装置1处理的基板W的表面Wa放大示出的剖视图。处理对象的基板W是例如硅片，在作为其图案形成面的表面Wa形成有图案100。图案100是例如微细图案。图案100如图6所示，可以是具有凸形状(柱状)的构造体101以行列状配置的图案。该情况下，构造体101的线宽W1设定为例如10纳米～45纳米左右，图案100的间隙W2设定为例如10纳米～数微米左右。图案100的膜厚T例如为1微米左右。另外，图案100可以是例如纵横比(膜厚T与线宽W1之比)为例如5～500左右(典型为5～50左右)。
另外，图案100也可以是由微细沟道形成的线状图案重复排列的图案。另外，图案100还可以通过在薄膜上设置多个微细孔(孔隙(void)或细孔(pore))而形成。
图案100包含例如绝缘膜。另外，图案100也可以包含导体膜。更具体地说，图案100可以由将多个膜层叠而成的层叠膜形成，而且包含绝缘膜和导体膜。图案100也可以是由单层膜构成的图案。绝缘膜可以是氧化硅膜(SiO2膜)或氮化硅膜(SiN膜)。另外，导体膜也可以是导入了用于低电阻化的杂质的非晶硅膜，还可以是金属膜(例如金属布线膜)。
另外，图案100可以是亲水性膜。作为亲水性膜，能够例示TEOS膜(氧化硅膜的一种)。
图7是用于说明在处理单元2中执行的基板处理例的内容的流程图。图8A～8C是说明上述基板处理例的示意性的图。
一边参照图1～图7一边说明上述基板处理例。适当参照图8A～8C。
首先，未处理的基板W(例如直径300mm的圆形基板)由索引机器人IR及搬送机器人CR从基板收容器C搬入到处理单元2，并被搬入到腔室4的内部(图7的S1)。被搬入的基板W在其表面Wa朝向上方的状态下被交付到旋转卡盘5。然后，通过吸附支承基板W的下表面中央部，从而由旋转卡盘5保持基板W。
基板W向腔室4的搬入在全部护罩配置于下位置(图4A所示的护罩非相对状态)且遮蔽部件6退避于上位置的状态下进行。
在搬送机器人CR退避到处理单元2外之后，控制装置3控制遮蔽部件升降单元33，使遮蔽部件6下降，如图8A所示，将其配置到下位置(图7的S2：遮蔽部件下降。遮蔽部件相对工序)。由此，在基板相对面26a与基板W的上表面之间形成基板上空间SP2。
接着，控制装置3控制旋转马达23使旋转基座22的旋转速度上升至规定的液处理速度(10～1200rpm的范围内，例如1000rpm)，并维持该液处理速度(图7的S3：基板W旋转开始)。由于基板W保持于旋转基座22，所以若旋转基座22以液处理速度旋转，则基板W也以液处理速度绕旋转轴线A1旋转。
另外，控制装置3控制遮蔽板旋转单元32，使遮蔽板26与基板W的旋转同步地(也就是说，以与基板W的旋转相同的旋转方向及相同的旋转速度)绕旋转轴线A1旋转。
另外，控制装置3控制护罩升降单元78，使第2护罩75及第3护罩76上升到上位置，并且将第1护罩74配置到周端面相对位置(图4B所示的位置)。由此，处理承杯13从图4A所示的护罩非相对状态切换到图4B所示的第2护罩捕获状态。在该状态下，第1护罩顶端部86的内周端74a与基板W的周端面Wc水平地相对，第2护罩顶端部88的内周端75a与圆板部28的外周端28c水平地相对(护罩相对工序)。由此，与基板上空间SP2的外侧相邻地设置与基板上空间SP2连通的护罩间空间SP1。
另外，控制装置3打开非活性气体阀58。由此，如图8A所示，从中央喷嘴7(第4喷嘴配管56)的第4喷出口56a向下方(即，朝向基板W的上表面的中央部)喷出非活性气体。从第4喷出口56a喷出的非活性气体的流量由第4流量调整阀59调整为例如100(升/分钟)。从第4喷出口56a喷出的非活性气体在基板W的上表面与遮蔽部件6的基板相对面26a之间的基板上空间SP2沿着基板W的上表面扩开。由此，基板上空间SP2的环境气体被置换为非活性气体，基板上空间SP2的环境气体中的氧浓度降低。
从图4B所示的排气路径EP通过并被吸引到排气管道20的排气的流量根据包括排气装置14的吸引力和在处理承杯13的第2护罩捕获状态下形成的排气路径EP的流路宽度WF在内的多个排气条件而确定。从中央喷嘴7的第4喷出口56a喷出的非活性气体的流量比从排气路径EP通过并被吸引到排气管道20的排气的流量多。即，流量比从排气路径EP排出的排气的流量多的非活性气体被供给到基板上空间SP2。
若经过了对于基板上空间SP2的环境气体成为低氧浓度状态(例如，氧浓度小于100ppm的状态)来说足够的非活性气体供给时间、且基板W的旋转速度达到液处理速度，则控制装置3如图8A所示，开始使用作为药液的一例的氢氟酸对基板W的表面Wa进行处理的药液处理工序(图7的S4)。
在药液处理工序(图7的S4)中，控制装置3打开药液阀43。由此，从中央喷嘴7(第1喷嘴配管41)的第1喷出口41a朝向旋转状态的基板W的上表面(表面Wa)的中央部喷出氢氟酸(药液供给工序)。此时的氢氟酸的喷出流量为例如2(升/分钟)。作为向基板W的上表面供给的氢氟酸，使用溶解氧量充分降低的氢氟酸。
供给到基板W的上表面的氢氟酸受到基于基板W的旋转产生的离心力而向基板W的外周部移动。由此，形成将基板W的上表面的整个区域覆盖的氢氟酸的液膜LF1。即，进行基于氢氟酸对基板W的上表面的敷层(coverage)，基板W的上表面的整个区域被氢氟酸的液膜LF1覆盖。氢氟酸的液膜LF1中包含的氢氟酸与基板W的表面Wa接触，由此使用氢氟酸对表面Wa进行处理。具体地说，形成于表面Wa的自然氧化膜(硅氧化膜)被氢氟酸除去。
移动到基板W的外周部的氢氟酸从基板W的外周部朝向基板W的侧方飞散。从基板W飞散出的氢氟酸被第2护罩75的内壁承接，沿着第2护罩75的内壁流下，经由第2承杯72及第2排液配管80输送到基板处理装置1外的排液处理设备。
在药液处理工序(图7的S4)中，非活性气体以上述流量连续地供给。通过控制装置3向基板上空间SP2供给非活性气体，护罩间空间SP1及基板上空间SP2的双方保持为正压(比在处理承杯13外且腔室4内的空间的气压高的气压)(正压维持工序)。由此，能够有效地抑制接近空间SP3内的含氧的环境气体通过第1环状间隙C1及第2环状间隙C2进入基板上空间SP2。由此，能够将基板上空间SP2保持在低氧环境下。
然后，在由于非活性气体的供给而护罩间空间SP1及基板上空间SP2保持为正压的状态下，对基板W的表面Wa实施使用氢氟酸的处理。由此，能够在低氧环境下对基板W实施使用氢氟酸的处理。
在药液处理工序(图7的S4)中，从作为图案形成面的基板W的表面Wa除去氧化膜。若与基板W接触的环境气体中的氧浓度高，则氧化膜的厚度增加，或形成新的氧化膜。这些氧化膜通过药液被除去。因此，若与基板W接触的环境气体中的氧浓度高，则存在图案100脆弱化的情况。
通过在氧浓度低的环境气体下对基板W的表面Wa实施使用氢氟酸的药液处理，能够抑制或防止药液处理工序(图7的S4)中的表面Wa的氧化。由此，能够抑制或防止伴随基板W的表面Wa的氧化引起的图案100的脆弱化。
若从氢氟酸的喷出开始起经过预先确定的期间，则控制装置3关闭药液阀43，停止氢氟酸从中央喷嘴7(第1喷嘴配管41)的喷出。由此，药液处理工序(图7的S4)结束。
接着，控制装置3执行用于将基板W上的氢氟酸置换成清洗液而从基板W上排除氢氟酸的清洗工序(图7的S5)。具体地说，控制装置3控制护罩升降单元78，使处于第2护罩捕获状态的处理承杯13的第1护罩74从周端面相对位置上升，由此如图8B所示，使第1护罩顶端部86的内周端74a(参照图4B)与基板W的上表面相比位于上方(实现第1护罩捕获状态)。
控制装置3一边将基板W及遮蔽板26的旋转速度维持为液处理速度，一边打开清洗液阀48。由此，从中央喷嘴7(第2喷嘴配管46)的第2喷出口46a朝向旋转状态的基板W的上表面的中央部喷出清洗液。供给到基板W的上表面的中央部的清洗液受到基于基板W的旋转产生的离心力而向基板W的外周部移动。由此，形成将基板W的上表面的整个区域覆盖的清洗液的液膜LF2。通过进行基于清洗液对基板W的表面Wa的敷层，附着于表面Wa的氢氟酸被清洗液洗净。
移动到基板W的外周部的清洗液从基板W的外周部朝向基板W的侧方飞散。从基板W飞散出的清洗液被与基板W的周端面Wc水平地相对的第1护罩74的内壁承接，沿着第1护罩74的内壁流下，经由第1承杯71及第1排液配管79输送到基板处理装置1外的排液处理设备。
若从清洗液的供给开始起经过预先确定的期间，则在基板W的上表面的整个区域被清洗液覆盖的状态下，控制装置3一边继续清洗液的喷出，一边控制旋转马达23及遮蔽板旋转单元32，使基板W及遮蔽板26的旋转速度阶段性地从液处理速度降低到覆液(puddle)速度(零或40rpm以下的低旋转速度。在该基板处理例中为例如10rpm)。然后，控制装置3将基板W的旋转速度维持为该覆液速度(覆液清洗工序(图7的S6))。由此，在基板W的上表面，覆盖其整个区域的清洗液的液膜LF2以覆液状被支承。在该状态下，作用于清洗液的液膜LF2的离心力小于在清洗液与基板W的上表面之间作用的表面张力，或者上述的离心力与上述的表面张力大致抵消。通过基板W的减速，作用于基板W上的清洗液的离心力变弱，从基板W上排出的清洗液的量减少。由此，保持于基板W的上表面的清洗液的液膜LF2的厚度变大。
若从将基板W的旋转减速到覆液速度起经过预先确定的期间，则控制装置3一边将基板W的旋转维持为覆液速度，一边关闭清洗液阀48，停止清洗液从中央喷嘴7(第2喷嘴配管46)的喷出。
接着，控制装置3开始置换工序(图7的S7)。具体地说，控制装置3一边将基板W的旋转速度维持为覆液速度，一边打开有机溶剂阀53。由此，从中央喷嘴7(第3喷嘴配管51)的第3喷出口51a朝向旋转状态的基板W的上表面的中央部喷出作为有机溶剂的一例的IPA。由此，清洗液的液膜LF2中包含的清洗液被依次置换为IPA。由此，以覆液状保持将基板W的上表面整个区域覆盖的IPA的液膜LF3。
若从IPA的喷出开始起经过预先确定的期间(对于液膜完全置换成IPA来足够的期间)，则控制装置3控制护罩升降单元78，使处于第1护罩捕获状态的处理承杯13的第1护罩74及第2护罩75下降到下位置，由此如图8C所示，使第3护罩76的内壁与基板W的周端面Wc水平地相对(实现第3护罩捕获状态)。
从基板W的外周部排出IPA。从基板W的外周部排出的IPA被第3护罩76的内壁承接，沿着第3护罩76的内壁流下，经由第3承杯73及第3排液配管81输送到基板处理装置1外的排液处理设备。
若从有机溶剂阀53打开起经过预先确定的期间，则控制装置3关闭有机溶剂阀53。由此，置换工序(图7的S7)结束。
接着，进行使基板W干燥的干燥工序(图7的S8)。
具体地说，控制装置3将处理承杯13的状态保持为第3护罩捕获状态，在将遮蔽部件6配置于下位置、继续从中央喷嘴7喷出非活性气体的状态下，控制装置3控制旋转马达23及遮蔽板旋转单元32，使基板W及遮蔽板26的旋转速度上升到干燥旋转速度(例如数千rpm)，以该干燥旋转速度使基板W及遮蔽板26旋转。由此，大的离心力施加于基板W上的液体，附着于基板W的液体被甩到基板W的周围。
若从基板W的加速开始起经过规定期间，则控制装置3通过控制旋转马达23，使基于旋转卡盘5实现的基板W的旋转停止(图7的S9)。另外，控制装置3控制遮蔽板旋转单元32，使遮蔽板26的旋转停止。然后，控制装置3控制遮蔽部件升降单元33，使遮蔽部件6上升，退避到上位置。
然后，从腔室4内搬出基板W(图7的S10)。具体地说，控制装置3使搬送机器人CR的机械手进入到腔室4的内部。控制装置3解除基于旋转卡盘5对基板W的吸附。然后，控制装置3使吸附被解除的基板W保持于搬送机器人CR的机械手。然后，控制装置3使搬送机器人CR的机械手从腔室4内退避。由此，处理后的基板W被从腔室4搬出，一系列的基板处理例结束。被搬出的基板W被从搬送机器人CR向索引机器人IR交付，由索引机器人IR收纳到基板收容器C。
通过以上，根据本实施方式，遮蔽部件6配置在下位置。即，将基板相对面26a与基板W的上表面的间隔保持为规定的间隔WU，并使遮蔽部件6与保持于旋转卡盘5的基板W的上表面相对。而且，使第1护罩顶端部86的内周端74a隔着第1环状间隙C1与基板W的周端面Wc水平地相对，使第2护罩顶端部88的内周端75a隔着第2环状间隙C2与遮蔽部件6的圆板部28的外周端28c水平地相对。由此，第1护罩74与第2护罩75之间的护罩间空间SP1配置在作为基板相对面26a与基板W的上表面之间的空间的基板上空间SP2的周围，并与基板上空间SP2连通。
而且，通过向基板上空间SP2供给非活性气体，将护罩间空间SP1及基板上空间SP2双方保持为正压。由此，能够有效抑制与护罩间空间SP1及基板上空间SP2连通的接近空间SP3内的含氧的环境气体通过两个环状间隙(第1环状间隙C1、第2环状间隙C2)进入基板上空间SP2。由此，能够将基板上空间SP2保持在低氧环境下。
在通过非活性气体的供给而护罩间空间SP1及基板上空间SP2保持为正压的状态下，对基板W的表面Wa实施使用药液(包含氢氟酸的药液)的处理。由此，能够在低氧环境下对基板W的表面Wa实施使用药液(包含氢氟酸的药液)的处理。
因而，在通过旋转卡盘5(真空卡盘)不是支承基板W的外周部而是支承基板W的中央部的情况下，能够在低氧环境下对基板W的表面Wa实施使用药液(氢氟酸)的处理。
另外，排气路径EP中的流路宽度WF为第1环状间隙C1的距离L1与第2环状间隙C2的距离L2的合计即间隙合计距离(L1+L2)以下。像这样，由于排气路径EP中的流路宽度WF窄，所以处理承杯13处于第2护罩捕获状态时的排气路径EP的压力损失大。因此，能够将护罩间空间SP1及基板上空间SP2比较容易地保持为正压。另外，由于间隙合计距离(L1+L2)为排气路径EP中的流路宽度WF以上，所以处于正压状态的基板上空间SP2的环境气体容易通过第1环状间隙C1及第2环状间隙C2而流出到接近空间SP3。由此，能够抑制或防止接近空间SP3内的环境气体通过这两个环状间隙(第1环状间隙C1、第2环状间隙C2)而进入基板上空间SP2。
间隙合计距离(L1+L2)为处于下位置的遮蔽部件6的基板相对面26a与基板W的上表面的间隔WU以下。因此，两个环状间隙(第1环状间隙C1、第2环状间隙C2)分别较窄。由此，能够更有效地抑制或防止接近空间SP3内的含氧的环境气体通过这两个环状间隙(第1环状间隙C1、第2环状间隙C2)进入基板上空间SP2。由此，能够将基板上空间SP2保持在低氧环境下。
另外，排气管道20及排气装置14不仅吸入护罩间空间SP1及基板上空间SP2的环境气体，也吸入在处理承杯13外且腔室4内的空间的环境气体。由于需要使腔室4内的气流稳定，所以无法过度提高排气装置14的排气力。在排气装置14为设置基板处理装置1的工厂中共用的共用排气源的情况下，由于工厂中可准备的排气力的限制，所以也存在难以确保能够实现处理承杯13的充分排气的强排气力的情况。然而，通过将排气路径EP中的流路宽度WF如前述那样缩窄，无需使用强排气力进行排气就能够比较容易地将护罩间空间SP1及基板上空间SP2保持为正压。
另外，由于第1护罩74的内周端74a与遮蔽部件6的圆板部28的外周端28c相比在水平方向上位于内侧，所以能够使第2环状间隙C2远离基板W的周端面Wc。假设若基板W的周端面Wc接近第2环状间隙C2，则具有在含氧的环境气体通过第2环状间隙C2进入基板上空间SP2时，因该环境气体导致基板W的表面Wa的外周部被氧化的隐忧。
但是，在本实施方式中，由于使第2环状间隙C2远离基板W的周端面Wc，所以即使在万一含氧的环境气体通过第2环状间隙C2进入了基板上空间SP2的情况下，也能够抑制或防止基板W的表面Wa的外周部被氧化。
以上，说明了本发明的实施方式，但本发明也能够以其他方式实施。
例如，也可以是，在处理承杯13的第3护罩捕获状态下，将第1护罩74及第2护罩75不是配置到下位置，而是配置到图8C的虚线所示的中间位置。该情况下，能够抑制含氧的环境气体进入基板W与遮蔽部件6之间的空间。中间位置是上位置与下位置之间的位置。中间位置也可以是第1护罩74的内周端74a与旋转基座22的下端相比配置在上方、且第2护罩75的内周端75a与基板W的上表面相比配置在下方的位置。
在前述的基板处理例中，只要在药液处理工序(图7的S4)中遮蔽部件6配置于下位置，则在其以后的清洗工序(图7的S5)、覆液清洗工序(图7的S6)及置换工序(图7的S7)中，遮蔽部件6也可以配置在上位置。
该情况下，也可以使用与中央喷嘴7不同的喷嘴(例如，能够沿着基板W的上表面移动的扫描喷嘴)供给清洗液或有机溶剂。
如图9所示，也可以是，第1护罩74的内周端74a的内径与第2护罩75的内周端75a的内径相等，并与第3护罩76的内周端76a的内径相等。该情况下，第1护罩74的内周端74a的内径大于遮蔽部件6的圆板部28的外径(即，遮蔽板26的外径)D3。遮蔽部件6的圆板部28的外径D3与保持于旋转卡盘5的基板W的外径相等或大致相等。
在前述的实施方式中，由第1圆筒部85和第2圆筒部87划分出的流路(窄流路P1)是排气路径EP的最窄部分，窄流路P1的水平方向的间隔是排气路径EP的流路宽度WF，但窄流路P1以外的排气路径EP的一部分也可以是排气路径EP的最窄部分。
如图10A及图10B所示，也可以是，以第1护罩顶端部86与第2护罩顶端部88的上下方向上的间隔维持为固定的方式将第1护罩顶端部86与第2护罩75连结。图10A示出利用第2护罩顶端部88捕获从基板W排出的处理液的第2护罩捕获状态。图10B示出利用第1护罩顶端部86捕获从基板W排出的处理液的第1护罩捕获状态。
在图10A及图10B所示的处理承杯中，使第1护罩与第2护罩一体化。具体地说，从图4A等所示的处理承杯13废除第1承杯71及第1护罩74，并且仅将第1护罩74的第1护罩顶端部86设于第2护罩顶端部88的下方，使第1护罩顶端部86与第2圆筒部87的中途部(上下方向的中途部)结合(一体化)。
在第1护罩顶端部86的根部(外周部)，形成有将由第2护罩顶端部88接到的处理液朝向第2圆筒部87引导的贯穿孔201。
如图11A及图11B所示，也可以在排气路径EP设置圆环状的排气流量调整环301，其与上下方向上的第1护罩74与第2护罩75的间隔相应地改变排气路径EP的流路宽度WF。排气流量调整环301与第2护罩75一起升降。通过使第2护罩75升降，如图11A及图11B所示，在处于处理承杯13的第2护罩捕获状态时，能够调整排气路径EP的流路宽度WF。在图11B中，与图11A所示时相比遮蔽部件6配置于下方，与图11A所示时相比第2护罩75配置于下方以使得流路宽度WF减小。在图11B中，第1护罩74和排气流量调整环301划分出排气路径EP的最窄部分。与图11A比较，在图11B中，排气路径EP的流路宽度WF减小，因此，排气路径EP的压力损失增加，排气路径EP的排气流量减少。也就是说，仅通过改变排气流量调整环301的位置，就能够使排气路径EP的排气流量增减。由此，能够更容易地将护罩间空间SP1及基板上空间SP2保持为正压。此外，排气流量调整环301也可以能够升降地设于第1护罩74。
在前述的实施方式中，说明了通过使遮蔽部件6升降来改变上下方向上的遮蔽部件6与旋转卡盘5的相对位置关系的情况，但也可以使遮蔽部件6及旋转卡盘5双方升降或仅使旋转卡盘5升降来改变上下方向上的遮蔽部件6与旋转卡盘5的相对位置关系。
处理承杯13的各护罩的护罩顶端部(第1护罩顶端部86、第2护罩顶端部88、第3护罩顶端部90)的截面形状也可以为例如圆滑地向上凸出的圆弧。
也可以是，护罩间空间SP1不是由第1护罩74和第2护罩75划分出，而是由第2护罩75和第3护罩76划分出。
列举处理承杯13为三层承杯的情况为例进行了说明，但处理承杯13只要具备内侧的护罩及外侧的护罩，则也可以为两层承杯，还可以为四层以上的多层承杯。
旋转卡盘5不限于真空卡盘，也可以是根据伯努利定律产生将基板W吸引到旋转基座22的上表面的吸附力而将基板W固定到旋转基座22的伯努利卡盘，还可以是使基板W静电吸附到旋转基座22的上表面的静电卡盘。
详细说明了本发明的实施方式，但这些不过是用于使本发明的技术内容明确的具体例，本发明不应限定于这些具体例来解释，本发明的精神及范围仅由随附的权利要求书限定。
附图标记说明
1：基板处理装置
2：处理单元
3：控制装置
4：腔室
5：旋转卡盘(基板保持单元)
6：遮蔽部件
8：药液供给单元
11：非活性气体供给单元
13：处理承杯
14：排气装置(排气单元)
20：排气管道(排气单元)
26：遮蔽板
26a：基板相对面
28：圆板部
28c：外周端
74：第1护罩(内侧护罩)
74a：内周端
75：第2护罩(外侧护罩)
75a：内周端
85：第1圆筒部
86：第1护罩顶端部
87：第2圆筒部
88：第2护罩顶端部
A1：旋转轴线(铅垂线)
C1：第1环状间隙
C2：第2环状间隙
EP：排气路径
L1：距离(第1环状间隙的距离)
L2：距离(第2环状间隙的距离)
SP1：护罩间空间(第1空间)
SP2：基板上空间(第2空间)
Wa：表面
Wc：周端面
WF：流路宽度
WU：间隔(基板的上表面与基板相对面的间隔)。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，包括：
腔室；
基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比所述基板小的基座板，在所述腔室的内部水平地保持所述基座板上的所述基板；
遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；
处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕所述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从所述第1圆筒部的上端朝向从由所述基板保持单元保持的所述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，所述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与所述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕所述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从所述第2圆筒部的上端朝向所述铅垂线延伸且与所述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，所述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与所述圆板部的外周端水平地相对，所述处理承杯在内部形成有由所述第1护罩顶端部和所述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与所述第1空间连通的排气路径；
非活性气体供给单元，其形成在由所述基板保持单元保持的所述基板与所述遮蔽部件之间，向与所述第1空间连通的第2空间供给非活性气体；
药液供给单元，其向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给药液；以及
控制装置，其控制所述非活性气体供给单元及所述药液供给单元，
所述控制装置执行以下工序：
正压维持工序，利用所述非活性气体供给单元向所述第2空间供给非活性气体，将所述第1空间及所述第2空间双方保持为正压；和
药液处理工序，与所述正压维持工序并行地，利用所述药液供给单元向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给药液，对所述基板的上表面实施使用药液的处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述正压维持工序包括将流量比从所述排气路径排出的排气的流量多的非活性气体向所述第2空间供给的工序。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述排气路径中的流路宽度为间隙合计距离以下，该间隙合计距离为所述第1环状间隙的距离与所述第2环状间隙的距离的合计。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述间隙合计距离为由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面与所述遮蔽部件的所述基板相对面的间隔以下。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述排气路径中的流路宽度为由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面与所述遮蔽部件的所述基板相对面的间隔以下。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述流路宽度为所述第1圆筒部与所述第2圆筒部之间的径向上的距离。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还包括排气单元，该排气单元通过所述排气路径吸引所述处理承杯的所述内部的环境气体，由此将所述腔室的环境气体向所述腔室外排出，
所述排气单元排出所述第1空间及第2空间的环境气体、和所述处理承杯外且所述腔室内的空间的环境气体双方。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述内侧护罩和所述外侧护罩设置为能够彼此独立地升降。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，
还包括排气流量调整环，该排气流量调整环设于所述内侧护罩及所述外侧护罩中的至少一方，随着上下方向上的所述内侧护罩与所述外侧护罩的相对移动而调整所述排气路径的流路宽度，由此改变所述排气路径的压力损失。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述内侧护罩的所述第1护罩顶端部的所述内周端与所述圆板部的所述外周端相比在水平方向上位于内侧。
11.一种基板处理方法，由基板处理装置执行，
所述基板处理装置包括：
腔室；
基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比所述基板小的基座板，在所述腔室的内部水平地保持所述基座板上的所述基板；
遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；以及
处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕所述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从所述第1圆筒部的上端朝向从由所述基板保持单元保持的所述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，所述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与所述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕所述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从所述第2圆筒部的上端朝向所述铅垂线延伸且与所述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，所述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与所述圆板部的外周端水平地相对，所述处理承杯在内部形成有由所述第1护罩顶端部和所述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与所述第1空间连通的排气路径；
所述基板处理方法包括以下工序：
遮蔽部件相对工序，一边将所述基板相对面与所述基板的上表面的间隔保持为固定，一边将所述遮蔽部件配置到保持于所述基板保持单元的所述基板的上方；
护罩相对工序，配置所述内侧护罩及所述外侧护罩，使得所述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与由所述基板保持单元保持的所述基板的周端面水平地相对，且使得所述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与所述遮蔽部件的所述圆板部的外周端水平地相对，由此在所述处理承杯的内部形成由所述第1护罩顶端部和所述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与所述第1空间连通的排气路径；
正压维持工序，与所述遮蔽部件相对工序及所述护罩相对工序并行地，向形成于由所述基板保持单元保持的所述基板与所述遮蔽部件之间的第2空间供给非活性气体，将所述第1空间及所述第2空间双方保持为正压；以及
药液处理工序，与所述遮蔽部件相对工序、所述护罩相对工序及所述正压维持工序并行地，向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给药液，对所述基板的上表面实施使用药液的处理。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，
所述正压维持工序包括向所述第2空间供给流量比从所述排气路径排出的排气的流量多的非活性气体的工序。
13.一种基板处理装置，包括：
腔室；
基板保持单元，其配置于基板的下方，具有在俯视下比所述基板小的基座板，在所述腔室的内部水平地保持所述基座板上的所述基板；
遮蔽部件，其具有圆板部，该圆板部设有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面隔开间隔地相对的基板相对面；
处理承杯，其具有内侧护罩和外侧护罩，该内侧护罩具有围绕所述基板保持单元的周围的第1圆筒部、和从所述第1圆筒部的上端朝向从由所述基板保持单元保持的所述基板的中央部穿过的铅垂线延伸的第1护罩顶端部，所述第1护罩顶端部的内周端隔着第1环状间隙而与所述基板的周端面水平地相对，该外侧护罩具有围绕所述第1圆筒部的周围的第2圆筒部、和从所述第2圆筒部的上端朝向所述铅垂线延伸且与所述第1护罩顶端部相比位于上方的第2护罩顶端部，所述第2护罩顶端部的内周端隔着第2环状间隙而与所述圆板部的外周端水平地相对，所述处理承杯在内部形成有由所述第1护罩顶端部和所述第2护罩顶端部划分出的第1空间、和与所述第1空间连通的排气路径；
非活性气体供给单元，其形成在由所述基板保持单元保持的所述基板与所述遮蔽部件之间，向与所述第1空间连通的第2空间供给非活性气体；以及
药液供给单元，其向由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面供给药液。
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