CN113828463A - 一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,属于氧化物薄膜制备技术领域,为了解决传统通过手动送料,导致危险性大,且效率慢,且只能对局部进行加热,导致受热不均匀,制备的薄膜的均匀性和致密性差,影响成品质量的问题,且通过伸缩夹持,可根据基板大小进行调整,适用多种尺寸进行加工,能够实时进行温度掌控,便于精准控温,通过热压板导热进行热压处理,保证其热处理的均匀性,可以均匀掺杂,制备方法简便,减少制备成本,而且便于制备大面积的薄膜,提高制备效率,增加压强,防止压力不够导致雾化喷嘴堵塞,提高喷射溶液的均匀性和致密性,保证膜体质量。
Description
技术领域
本发明涉及到氧化物薄膜制备技术领域,特别涉及一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法。
背景技术
金属氧化物半导体薄膜一般具有即透明又导电的性质v是一种典型的透明导电薄膜,它的这种优异性质在很多领域有着广泛的应用"。关于其性质及应用的研究,是目前研究的热点之一,现有的金属氧化物半导体薄膜在制备的时候有以下缺点:
1、在制备过程中需要对基本进行运输,和加热,传统通过手动送料,导致危险性大,且效率慢;
2、在传统的热处理中,无法做到最温度进行控温,且只能对局部进行加热,导致受热不均匀;
3、通过喷射法进行金属氧化物半导体薄膜制备,这种方法制备的薄膜的均匀性和致密性差,影响成品质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,能够精准定位,提高准确性,高效进行输料,保证输料稳定性,可根据基板大小进行调整,适用多种尺寸进行加工,既能够实现接送料,也用于与加热装置对压,能够实时进行温度掌控,便于精准控温,通过热压板导热进行热压处理,保证其热处理的均匀性,可以均匀掺杂,制备方法简便,减少制备成本,而且便于制备大面积的薄膜,提高制备效率,且通过加压泵输气加压,能够保证雾化喷嘴喷涂的细腻度,增加压强,防止压力不够导致雾化喷嘴堵塞,提高喷射溶液的均匀性和致密性,保证膜体质量,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,包括制备箱,所述制备箱内开设三组腔室,包括预热腔、加热腔和制备腔,所述预热腔内壁与送料装置的安装端连接,加热腔内安装有与送料装置送料端对接的输料装置,且输料装置的输出端和输入端穿透设置在三个腔室内,所述加热腔内壁上安装有与输料装置输料面对应的加热装置,所述制备腔内安装有与输料装置输料端对应的喷涂装置。
进一步地,送料装置包括滑轨、移动座、侧接板、上接气缸、侧接气缸、连接板和夹持组件,滑轨固定在预热腔的侧壁上,滑轨上套接移动座,移动座的侧壁上连接有用于上接气缸固定在侧接板,上接气缸的输出端与侧接气缸安装面连接,侧接气缸的输出端通过连接板与夹持组件连接。
进一步地,滑轨外表面开设有齿槽,移动座内设置齿轮,移动座的上端安装有与齿轮套接的移动电机,齿轮套接在移动电机的输出轴杆上,且齿轮与滑轨外表面的齿槽啮合。
进一步地,夹持组件包括左夹板、右夹板、左夹持气缸和右夹持气缸,左夹板和右夹板的两侧的上角处分别由左夹持气缸和右夹持气缸的输出杆进行连接。
进一步地,输料装置包括放置板、侧接杆、活动座板、丝杠杆、输料电机和导向杆,放置板的两侧均安装有侧接杆,两组侧接杆的尾端均安装活动座板,两个活动座板分别套接设置在丝杠杆和导向杆上,丝杠杆尾端与输料电机输出端连接。
进一步地,加热装置包括控制器、测温器、下压气缸、安装环板和热压板,控制器与测温器以及安装在安装环板内的加热电路板电连接,安装环板的上方与下压气缸的输出杆连接,安装环板的下方通过支杆与热压板连接,测温器安装在热压板上,热压板内环形分布有电热环,电热环与加热电路板电连接。
进一步地,喷涂装置包括原料筒、搅拌器、混合座、喷板、内转组件和加压泵,原料筒安装在制备箱的上方,原料筒内竖向穿透设置有搅拌器,加压泵固定在原料筒侧端的制备箱上方,加压泵的输出气管和原料筒的出料管均与混合座的内腔互通,混合座设置在制备腔内,混合座的下方设置有喷板,喷板的外端面与内转组件的输出端对接,喷板的下方设置有雾化喷嘴。
进一步地,内转组件包括内转电机、转杆、轴接齿轮和套接齿环,套接齿环套接在喷板外端面,内转电机固定在原料筒侧端的制备箱上方,内转电机输出端连接的转杆穿透制备箱与轴接齿轮固定套接,轴接齿轮与喷板外端的套接齿环齿槽啮合。
进一步地,喷板的设置连接管,连接管的顶端通过活动轴承与混合座对接。
本发明提供另一种技术方案:一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备的制备方法,包括如下步骤:
步骤一:将待处理的基板放置在预热腔内进行预热,由左夹持气缸和右夹持气缸带动左夹板和右夹板收紧对基板两侧进行夹持,并通过移动电机带动移动座在滑轨上移动从而带动整个夹持组件以及基板进行送料;
步骤二:在送料的同时,输料电机驱动丝杠杆转动,丝杠杆与活动座板内的螺母配合,从而带动活动座板在丝杠杆和导向杆上移动,移动的同时连带着放置板一起移动到夹持组件的下方,接收夹持组件夹持的基板,并通过反转往回移动到加热装置的下方;
步骤三:控制器控制安装环板内的加热电路板对热压板内的电热环进行加热,电热环将温度传导给热压板,通过下压气缸带动热压板下压对放置板上的基板表面进行热处理,测温器用于测量热压板的温度;
步骤四:基板表面哎经过热处理后输送到制备箱内喷涂装置的下方,加压泵对混合座内带有金属化合物的有机溶剂中填充气体加压,在压强的作用下,喷板下方的雾化喷嘴进行喷涂,将溶液喷射在高温的基板表面上,发生热分解反应,生成所需的氧化物薄膜。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,侧接气缸的输出端通过连接板与夹持组件连接,侧接气缸用于横向调整夹持组件的位置,上接气缸用于竖向调整夹持组件的高度,根据基板放置的位置,进行调整,能够精准定位,提高准确性。
2、本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,左夹板和右夹板的两侧的上角处分别由左夹持气缸和右夹持气缸的输出杆进行连接,将待处理的基板放置在预热腔内进行预热,由左夹持气缸和右夹持气缸带动左夹板和右夹板收紧对基板两侧进行夹持,并通过移动电机带动移动座在滑轨上移动从而带动整个夹持组件以及基板进行送料,高效进行输料,保证输料稳定性,且通过伸缩夹持,可根据基板大小进行调整,适用多种尺寸进行加工。
3、本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,丝杠杆与活动座板内的螺母配合,从而带动活动座板在丝杠杆和导向杆上移动,移动的同时连带着放置板一起移动到夹持组件的下方,接收夹持组件夹持的基板,并通过反转往回移动到加热装置的下方,既能够实现接送料,也用于与加热装置对压,方便输料的同时,增加热处理时的反向压力,提高基板处理质量。
4、本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,控制器控制安装环板内的加热电路板对热压板内的电热环进行加热,电热环将温度传导给热压板,通过下压气缸带动热压板下压对放置板上的基板表面进行热处理,测温器用于测量热压板的温度,能够实时进行温度掌控,便于精准控温,通过热压板导热进行热压处理,保证其热处理的均匀性。
5、本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,加压泵对混合座内带有金属化合物的有机溶剂中填充气体加压,在压强的作用下,喷板下方的雾化喷嘴进行喷涂,将溶液喷射在高温的基板表面上,发生热分解反应,生成所需的氧化物薄膜,可以均匀掺杂,制备方法简便,减少制备成本,而且便于制备大面积的薄膜,提高制备效率,且通过加压泵输气加压,能够保证雾化喷嘴喷涂的细腻度,增加压强,防止压力不够导致雾化喷嘴堵塞。
6、本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,轴接齿轮与喷板外端的套接齿环表面啮合,喷板的设置连接管,连接管的顶端通过活动轴承与混合座对接,在喷涂过程中,内转电机通过轴接齿轮和套接齿环带动喷板转动,在转动的作用下,提高喷射溶液的均匀性和致密性,保证膜体质量。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图;
图2为本发明的制备箱结构半剖图;
图3为本发明的送料装置结构示意图;
图4为本发明的送料装置局部结构示意图;
图5为本发明的夹持组件结构示意图;
图6为本发明的输料装置结构示意图;
图7为本发明的加热装置结构示意图;
图8为本发明的热压板结构剖面图;
图9为本发明的喷涂装置结构示意图;
图10为本发明的内转组件结构示意图。
图中:1、制备箱;11、预热腔;12、加热腔;13、制备腔;2、送料装置;21、滑轨;211、齿槽;22、移动座;221、齿轮;222、移动电机;23、侧接板;24、上接气缸;25、侧接气缸;26、连接板;27、夹持组件;271、左夹板;272、右夹板;273、左夹持气缸;274、右夹持气缸;3、输料装置;31、放置板;32、侧接杆;33、活动座板;34、丝杠杆;35、输料电机;36、导向杆;4、加热装置;41、控制器;42、测温器;43、下压气缸;44、安装环板;45、热压板;451、电热环;5、喷涂装置;51、原料筒;52、搅拌器;53、混合座;54、喷板;541、雾化喷嘴;542、连接管;543、活动轴承;55、内转组件;551、内转电机;552、转杆;553、轴接齿轮;554、套接齿环;56、加压泵。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-图2,一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,包括制备箱1,制备箱1内开设三组腔室,包括预热腔11、加热腔12和制备腔13,预热腔11内壁与送料装置2的安装端连接,加热腔12内安装有与送料装置2送料端对接的输料装置3,且输料装置3的输出端和输入端穿透设置在三个腔室内,加热腔12内壁上安装有与输料装置3输料面对应的加热装置4,制备腔13内安装有与输料装置3输料端对应的喷涂装置5。
请参阅图3,送料装置2包括滑轨21、移动座22、侧接板23、上接气缸24、侧接气缸25、连接板26和夹持组件27,滑轨21固定在预热腔11的侧壁上,滑轨21上套接移动座22,移动座22的侧壁上连接有用于上接气缸24固定在侧接板23,上接气缸24的输出端与侧接气缸25安装面连接,侧接气缸25的输出端通过连接板26与夹持组件27连接,侧接气缸25用于横向调整夹持组件27的位置,上接气缸24用于竖向调整夹持组件27的高度,根据基板放置的位置,进行调整,能够精准定位,提高准确性。
请参阅图4-图5,滑轨21外表面开设有齿槽211,移动座22内设置齿轮221,移动座22的上端安装有与齿轮221套接的移动电机222,齿轮221套接在移动电机222的输出轴杆上,且齿轮221与滑轨21外表面的齿槽211啮合,夹持组件27包括左夹板271、右夹板272、左夹持气缸273和右夹持气缸274,左夹板271和右夹板272的两侧的上角处分别由左夹持气缸273和右夹持气缸274的输出杆进行连接,将待处理的基板放置在预热腔11内进行预热,由左夹持气缸273和右夹持气缸274带动左夹板271和右夹板272收紧对基板两侧进行夹持,并通过移动电机222带动移动座22在滑轨21上移动从而带动整个夹持组件27以及基板进行送料,高效进行输料,保证输料稳定性,且通过伸缩夹持,可根据基板大小进行调整,适用多种尺寸进行加工。
请参阅图6,输料装置3包括放置板31、侧接杆32、活动座板33、丝杠杆34、输料电机35和导向杆36,放置板31的两侧均安装有侧接杆32,两组侧接杆32的尾端均安装活动座板33,两个活动座板33分别套接设置在丝杠杆34和导向杆36上,丝杠杆34尾端与输料电机35输出端连接在送料的同时,输料电机35驱动丝杠杆34转动,丝杠杆34与活动座板33内的螺母配合,从而带动活动座板33在丝杠杆34和导向杆36上移动,移动的同时连带着放置板31一起移动到夹持组件27的下方,接收夹持组件27夹持的基板,并通过反转往回移动到加热装置4的下方,既能够实现接送料,也用于与加热装置4对压,方便输料的同时,增加热处理时的反向压力,提高基板处理质量。
请参阅图7-图8,加热装置4包括控制器41、测温器42、下压气缸43、安装环板44和热压板45,控制器41与测温器42以及安装在安装环板44内的加热电路板电连接,安装环板44的上方与下压气缸43的输出杆连接,安装环板44的下方通过支杆与热压板45连接,测温器42安装在热压板45上,热压板45内环形分布有电热环451,电热环451与加热电路板电连接,控制器41控制安装环板44内的加热电路板对热压板45内的电热环451进行加热,电热环451将温度传导给热压板45,通过下压气缸43带动热压板45下压对放置板31上的基板表面进行热处理,测温器42用于测量热压板45的温度,能够实时进行温度掌控,便于精准控温,通过热压板45导热进行热压处理,保证其热处理的均匀性。
请参阅图9,喷涂装置5包括原料筒51、搅拌器52、混合座53、喷板54、内转组件55和加压泵56,原料筒51安装在制备箱1的上方,原料筒51内竖向穿透设置有搅拌器52,加压泵56固定在原料筒51侧端的制备箱1上方,加压泵56的输出气管和原料筒51的出料管均与混合座53的内腔互通,混合座53设置在制备腔13内,混合座53的下方设置有喷板54,喷板54的外端面与内转组件55的输出端对接,喷板54的下方设置有雾化喷嘴541,基板表面哎经过热处理后输送到制备箱1内喷涂装置5的下方,加压泵56对混合座53内带有金属化合物的有机溶剂中填充气体加压,在压强的作用下,喷板54下方的雾化喷嘴541进行喷涂,将溶液喷射在高温的基板表面上,发生热分解反应,生成所需的氧化物薄膜,可以均匀掺杂,制备方法简便,减少制备成本,而且便于制备大面积的薄膜,提高制备效率,且通过加压泵56输气加压,能够保证雾化喷嘴541喷涂的细腻度,增加压强,防止压力不够导致雾化喷嘴541堵塞。
请参阅图10,内转组件55包括内转电机551、转杆552、轴接齿轮553和套接齿环554,套接齿环554套接在喷板54外端面,内转电机551固定在原料筒51侧端的制备箱1上方,内转电机551输出端连接的转杆552穿透制备箱1与轴接齿轮553固定套接,轴接齿轮553与喷板54外端的套接齿环554表面啮合,喷板54的设置连接管542,连接管542的顶端通过活动轴承543与混合座53对接,在喷涂过程中,内转电机551通过轴接齿轮553和套接齿环554带动喷板54转动,在转动的作用下,提高喷射溶液的均匀性和致密性,保证膜体质量。
为了更好的展现能够实现半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备的制备过程,本实施例提出一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备的制备方法,包括如下步骤:
步骤一:将待处理的基板放置在预热腔11内进行预热,由左夹持气缸273和右夹持气缸274带动左夹板271和右夹板272收紧对基板两侧进行夹持,并通过移动电机222带动移动座22在滑轨21上移动从而带动整个夹持组件27以及基板进行送料;
步骤二:在送料的同时,输料电机35驱动丝杠杆34转动,丝杠杆34与活动座板33内的螺母配合,从而带动活动座板33在丝杠杆34和导向杆36上移动,移动的同时连带着放置板31一起移动到夹持组件27的下方,接收夹持组件27夹持的基板,并通过反转往回移动到加热装置4的下方;
步骤三:控制器41控制安装环板44内的加热电路板对热压板45内的电热环451进行加热,电热环451将温度传导给热压板45,通过下压气缸43带动热压板45下压对放置板31上的基板表面进行热处理,测温器42用于测量热压板45的温度;
步骤四:基板表面哎经过热处理后输送到制备箱1内喷涂装置5的下方,加压泵56对混合座53内带有金属化合物的有机溶剂中填充气体加压,在压强的作用下,喷板54下方的雾化喷嘴541进行喷涂,将溶液喷射在高温的基板表面上,发生热分解反应,生成所需的氧化物薄膜。
综上所述,本发明提出的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法,侧接气缸25的输出端通过连接板26与夹持组件27连接,侧接气缸25用于横向调整夹持组件27的位置,上接气缸24用于竖向调整夹持组件27的高度,根据基板放置的位置,进行调整,能够精准定位,提高准确性,将待处理的基板放置在预热腔11内进行预热,由左夹持气缸273和右夹持气缸274带动左夹板271和右夹板272收紧对基板两侧进行夹持,并通过移动电机222带动移动座22在滑轨21上移动从而带动整个夹持组件27以及基板进行送料,高效进行输料,保证输料稳定性,且通过伸缩夹持,可根据基板大小进行调整,适用多种尺寸进行加工,丝杠杆34与活动座板33内的螺母配合,从而带动活动座板33在丝杠杆34和导向杆36上移动,移动的同时连带着放置板31一起移动到夹持组件27的下方,接收夹持组件27夹持的基板,并通过反转往回移动到加热装置4的下方,既能够实现接送料,也用于与加热装置4对压,方便输料的同时,增加热处理时的反向压力,提高基板处理质量,控制器41控制安装环板44内的加热电路板对热压板45内的电热环451进行加热,电热环451将温度传导给热压板45,通过下压气缸43带动热压板45下压对放置板31上的基板表面进行热处理,测温器42用于测量热压板45的温度,能够实时进行温度掌控,便于精准控温,通过热压板45导热进行热压处理,保证其热处理的均匀性,加压泵56对混合座53内带有金属化合物的有机溶剂中填充气体加压,在压强的作用下,喷板54下方的雾化喷嘴541进行喷涂,将溶液喷射在高温的基板表面上,发生热分解反应,生成所需的氧化物薄膜,可以均匀掺杂,制备方法简便,减少制备成本,而且便于制备大面积的薄膜,提高制备效率,且通过加压泵56输气加压,能够保证雾化喷嘴541喷涂的细腻度,增加压强,防止压力不够导致雾化喷嘴541堵塞,连接管542的顶端通过活动轴承543与混合座53对接,在喷涂过程中,内转电机551通过轴接齿轮553和套接齿环554带动喷板54转动,在转动的作用下,提高喷射溶液的均匀性和致密性,保证膜体质量。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明披露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:包括制备箱(1),所述制备箱(1)内开设三组腔室,包括预热腔(11)、加热腔(12)和制备腔(13),所述预热腔(11)内壁与送料装置(2)的安装端连接,加热腔(12)内安装有与送料装置(2)送料端对接的输料装置(3),且输料装置(3)的输出端和输入端穿透设置在三个腔室内,所述加热腔(12)内壁上安装有与输料装置(3)输料面对应的加热装置(4),所述制备腔(13)内安装有与输料装置(3)输料端对应的喷涂装置(5)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述送料装置(2)包括滑轨(21)、移动座(22)、侧接板(23)、上接气缸(24)、侧接气缸(25)、连接板(26)和夹持组件(27),滑轨(21)固定在预热腔(11)的侧壁上,滑轨(21)上套接移动座(22),移动座(22)的侧壁上连接有用于上接气缸(24)固定在侧接板(23),上接气缸(24)的输出端与侧接气缸(25)安装面连接,侧接气缸(25)的输出端通过连接板(26)与夹持组件(27)连接。
3.根据权利要求2所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述滑轨(21)外表面开设有齿槽(211),移动座(22)内设置齿轮(221),移动座(22)的上端安装有与齿轮(221)套接的移动电机(222),齿轮(221)套接在移动电机(222)的输出轴杆上,且齿轮(221)与滑轨(21)外表面的齿槽(211)啮合。
4.根据权利要求3所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述夹持组件(27)包括左夹板(271)、右夹板(272)、左夹持气缸(273)和右夹持气缸(274),左夹板(271)和右夹板(272)的两侧的上角处分别由左夹持气缸(273)和右夹持气缸(274)的输出杆进行连接。
5.根据权利要求4所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述输料装置(3)包括放置板(31)、侧接杆(32)、活动座板(33)、丝杠杆(34)、输料电机(35)和导向杆(36),放置板(31)的两侧均安装有侧接杆(32),两组侧接杆(32)的尾端均安装活动座板(33),两个活动座板(33)分别套接设置在丝杠杆(34)和导向杆(36)上,丝杠杆(34)尾端与输料电机(35)输出端连接。
6.根据权利要求5所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述加热装置(4)包括控制器(41)、测温器(42)、下压气缸(43)、安装环板(44)和热压板(45),控制器(41)与测温器(42)以及安装在安装环板(44)内的加热电路板电连接,安装环板(44)的上方与下压气缸(43)的输出杆连接,安装环板(44)的下方通过支杆与热压板(45)连接,测温器(42)安装在热压板(45)上,热压板(45)内环形分布有电热环(451),电热环(451)与加热电路板电连接。
7.根据权利要求6所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述喷涂装置(5)包括原料筒(51)、搅拌器(52)、混合座(53)、喷板(54)、内转组件(55)和加压泵(56),原料筒(51)安装在制备箱(1)的上方,原料筒(51)内竖向穿透设置有搅拌器(52),加压泵(56)固定在原料筒(51)侧端的制备箱(1)上方,加压泵(56)的输出气管和原料筒(51)的出料管均与混合座(53)的内腔互通,混合座(53)设置在制备腔(13)内,混合座(53)的下方设置有喷板(54),喷板(54)的外端面与内转组件(55)的输出端对接,喷板(54)的下方设置有雾化喷嘴(541)。
8.根据权利要求7所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述内转组件(55)包括内转电机(551)、转杆(552)、轴接齿轮(553)和套接齿环(554),套接齿环(554)套接在喷板(54)外端面,内转电机(551)固定在原料筒(51)侧端的制备箱(1)上方,内转电机(551)输出端连接的转杆(552)穿透制备箱(1)与轴接齿轮(553)固定套接,轴接齿轮(553)与喷板(54)外端的套接齿环(554)齿槽啮合。
9.根据权利要求8所述的一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备,其特征在于:所述喷板(54)的设置连接管(542),连接管(542)的顶端通过活动轴承(543)与混合座(53)对接。
10.一种根据权利要求9所述的半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤一:将待处理的基板放置在预热腔(11)内进行预热,由左夹持气缸(273)和右夹持气缸(274)带动左夹板(271)和右夹板(272)收紧对基板两侧进行夹持,并通过移动电机(222)带动移动座(22)在滑轨(21)上移动从而带动整个夹持组件(27)以及基板进行送料;
步骤二:在送料的同时,输料电机(35)驱动丝杠杆(34)转动,丝杠杆(34)与活动座板(33)内的螺母配合,从而带动活动座板(33)在丝杠杆(34)和导向杆(36)上移动,移动的同时连带着放置板(31)一起移动到夹持组件(27)的下方,接收夹持组件(27)夹持的基板,并通过反转往回移动到加热装置(4)的下方;
步骤三:控制器(41)控制安装环板(44)内的加热电路板对热压板(45)内的电热环(451)进行加热,电热环(451)将温度传导给热压板(45),通过下压气缸(43)带动热压板(45)下压对放置板(31)上的基板表面进行热处理,测温器(42)用于测量热压板(45)的温度;
步骤四:基板表面哎经过热处理后输送到制备箱(1)内喷涂装置(5)的下方,加压泵(56)对混合座(53)内带有金属化合物的有机溶剂中填充气体加压,在压强的作用下,喷板(54)下方的雾化喷嘴(541)进行喷涂,将溶液喷射在高温的基板表面上,发生热分解反应,生成所需的氧化物薄膜。
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