CN113796163A - 等离子体点火方法和等离子体生成装置 - Google Patents

等离子体点火方法和等离子体生成装置 Download PDF

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Abstract

提供一种在不产生异常放电的情况下使等离子体快速点火的等离子体点火方法。本发明所涉及的等离子体点火方法包括：供给工序，向等离子体生成装置具备的腔室(1)内供给处理气体；点火工序，对被供给到腔室内的处理气体照射从半导体激光器(10)射出的激光(L)，并且对等离子体生成装置具备的用于生成等离子体的线圈(2)或电极(91)施加高频电力，来使等离子体点火；停止工序，在等离子体点火之后，停止从半导体激光器射出激光。优选的是，线圈是圆筒状线圈，在点火工序中，从圆筒状线圈的上方朝向圆筒状线圈的下方倾斜地照射激光。

Description

等离子体点火方法和等离子体生成装置
技术领域
本发明涉及一种等离子体点火方法和等离子体生成装置。特别地，本发明涉及一种在不产生异常放电的情况下使等离子体快速点火的等离子体点火方法和等离子体生成装置。
背景技术
以往，已知一种等离子体生成装置，该等离子体生成装置具备：腔室，向该腔室供给处理气体；以及用于生成等离子体的线圈或电极，其安装于腔室的上部(处理气体的供给方向的上游侧)。而且，已知一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该等离子体生成装置以及载置台，该载置台安装于腔室的下部(处理气体的供给方向的下游侧)，用于载置基板，其中，使用利用处理气体生成的等离子体来对基板实施蚀刻处理、成膜处理等等离子体处理。在等离子体生成装置具备线圈的情况下，通过对线圈施加高频电力来产生电感耦合等离子体。另外，在等离子体生成装置具备以与载置台平行的方式配置的电极(上部电极)的情况下，通过对电极施加高频电力来生成电容耦合等离子体。
公知的是，在上述的等离子体生成装置中，例如在向腔室内供给的处理气体的流量小、腔室内的压力为低压的情况下，等离子体变得难以点火(开始生成)。为了使等离子体快速点火，考虑将腔室内的压力设为高压，但是若使腔室内的压力过高，则产生等离子体处理的均匀性降低这样的问题。考虑在将腔室内的压力设为高压并使等离子体点火之后变更为低压，但是由于变更需要时间，因此产生生产率降低这样的问题。
因此，作为等离子体的点火方法，提出了各种方法。
例如，在专利文献1中提出了以下方法：产生峰值功率至少为10MW左右的准分子激光，使该激光在腔室内聚光，利用由激光的聚光部处的激光造成的介质击穿来产生火花，从而进行等离子体点火。
然而，伴随着近年来利用等离子体处理进行精细加工的请求，要求减少等离子体处理中的腔室内的污染、微粒的产生。因此，要求如专利文献1中记载的方法那样在不产生火花等异常放电的情况下使等离子体点火的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特公平8-10635号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了解决上述的现有技术的问题点而完成的，目的在于提供一种在不产生异常放电的情况下使等离子体快速点火的等离子体点火方法和等离子体生成装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的发明人经过深入讨论后发现，如果使用输出通常比准分子激光器小的半导体激光器，并且在等离子体点火之后停止从半导体激光器射出激光，则能够在使腔室内不产生异常放电的情况下在短时间内使等离子体点火，并完成了本发明。此外，即使使用输出小的半导体激光器也能够使等离子体点火，估计是因为处理气体被多光子电离。
即，为了解决上述问题，本发明提供一种等离子体点火方法，其特征在于，包括：供给工序，向等离子体生成装置具备的腔室内供给处理气体；点火工序，对被供给到所述腔室内的所述处理气体照射从半导体激光器射出的激光，并且对所述等离子体生成装置具备的用于生成等离子体的线圈或电极施加高频电力，来使等离子体点火；停止工序，在所述等离子体点火之后，停止从所述半导体激光器射出激光。
根据本发明，在点火工序中，对处理气体照射从半导体激光器射出的激光，在停止工序中，在等离子体点火之后停止从半导体激光器射出激光，因此如本发明的发明人的上述发现那样，能够在使腔室内不产生异常放电的情况下使等离子体快速点火。
另外，根据本发明，由于使用小型且便宜的半导体激光器，因此还可得到在进行设置时不易受到设备的限制并且能够抑制成本这样的优点。
并且，根据本发明，与使用激光来维持等离子体放电的激光放电不同，由于在等离子体点火之后停止从半导体激光器射出激光，因此还可得到能够防止半导体激光器的过热并且不需要冷却设备这样的优点。
此外，在本发明中，“等离子体点火之后……(中略)……停止射出激光”是以下概念：不限于在判定为实际发生了等离子体的点火之后停止射出激光的情况，也包括预先决定从开始射出激光起或者从开始对线圈或电极施加高频电力起至标准地发生点火为止的经过时间(例如2秒)，并在到达或超过了该经过时间的定时停止射出激光。
作为判定实际发生了等离子体的点火的方法，考虑以下方法：在目视确认腔室内的状况时，在发光且变亮了的情况下判定为发生了点火；在对线圈或电极施加了高频电力时，如果夹在高频电源与线圈或电极之间的匹配器的内部电路等中的反射波信号的大小减小至规定值以下，则判定为发生了点火等。也能够代替目视确认腔室内的状况，使用光电二极管、光电晶体管等光检测器、分光器等来检测在腔室内产生的光的强度，在产生了规定值以上的强度的情况下，自动判定为发生了点火。
另外，作为本发明中的“线圈”，不限于圆筒状线圈，也能够使用平面线圈、龙卷风线圈、立体线圈等。
优选的是，在所述点火工序中，在开始照射所述激光之后，开始向所述线圈或所述电极施加高频电力。
根据上述的优选的方法，相较于在开始对线圈或电极施加高频电力之后开始照射激光的情况，能够减少在不使等离子体点火的状态下对线圈或电极施加高频电力的风险，因此能够防止等离子体生成装置发生故障等。
优选的是，在所述点火工序中，向所述线圈或所述电极的附近照射所述激光。
在线圈或电极的附近，腔室内的反应生成物不易作为沉积物而附着(在线圈的情况下，即使发生了附着也可利用溅射来去除)。
因而，根据上述的优选的方法，激光被沉积物吸收或者被沉积物散射的风险降低，能够对处理气体照射期望的强度的激光。
根据本发明的发明人们的见解，当沿通过圆筒状线圈的上方的路径照射激光，换言之，沿到达圆筒状线圈内之前的处理气体也被照射的路径照射激光时，容易使等离子体最快速地点火。
因而，优选的是，所述等离子体生成装置具备圆筒状线圈来作为所述线圈，在所述点火工序中，沿通过所述圆筒状线圈的上方的路径照射所述激光。
根据上述的优选的方法，能够使等离子体快速点火。
根据本发明人们的见解，当沿通过圆筒状线圈的上方的路径、尤其是从圆筒状线圈的上方朝向圆筒状线圈的下方倾斜地通过的路径进行照射时，容易使等离子体最快地点火。
因而，优选的是，在所述点火工序中，从所述圆筒状线圈的上方朝向所述圆筒状线圈的下方倾斜地照射所述激光。
根据上述的优选的方法，能够使等离子体最快地点火。
优选的是，所述激光具有可见光区域的波长。
根据上述的期望的方法，相较于使用具有紫外光、红外光区域的波长的激光的情况，便宜，并且易于进行半导体激光器的光轴调整等调整作业，安全性也优秀。
优选的是，所述处理气体是Cl2气体、O2气体、SF6气体、CF4气体以及C4F8气体中的至少任一种气体。
Cl2气体、O2气体、SF6气体、CF4气体、C4F8气体等电负性高的气体不易等离子体化。
因而，在本发明中，处理气体能够适当地使用这些电负性高的气体。
另外，为了解决上述问题，本发明还提供一种等离子体生成装置，其特征在于，具备腔室、用于生成等离子体的线圈或电极、半导体激光器以及控制单元，其中，所述控制单元能够执行：供给工序，向所述腔室内供给处理气体；点火工序，对被供给到所述腔室内的所述处理气体照射从半导体激光器射出的激光，并且对所述用于生成等离子体的线圈或电极施加高频电力，来使等离子体点火；停止工序，在所述等离子体点火之后，停止从所述半导体激光器射出激光。
发明的效果
根据本发明，能够在不产生异常放电的情况下使等离子体快速点火。
附图说明
图1是用一部分端面示出本发明的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的概要结构的示意图。
图2是概要性地示出本发明的一个实施方式所涉及的等离子体点火方法的供给工序、点火工序以及停止工序的过程的时序图。
图3是示出点火工序中的激光的其它照射方向的例子的示意图。
图4是用一部分端面示出能够应用本发明所涉及的等离子体点火方法的其它等离子体生成装置的概要结构的示意图。
图5是示出本发明的实施例及比较例所涉及的试验的主要条件及结果的图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明具备本发明的一个实施方式所涉及的等离子体生成装置的等离子体处理装置、以及使用了该装置的等离子体点火方法。
图1是用一部分端面示出本发明的一个实施方式所涉及的等离子体处理装置的概要结构的示意图。
如图1所示，本实施方式的等离子体处理装置100具备腔室1、用于生成等离子体的线圈2、载置台3、半导体激光器10以及控制单元20。本实施方式的等离子体生成装置由腔室1(上部腔室1a)、线圈2、半导体激光器10以及控制单元20构成。
腔室1由圆筒状的上部腔室1a及圆筒状的下部腔室1b构成。向上部腔室1a的内部供给处理气体，在上部腔室1a的内部设置有用于生成等离子体的等离子体生成空间11，在下部腔室1b的内部设置有用于利用所生成的等离子体来执行等离子体处理的等离子体处理空间12。上部腔室1a之中的至少供从半导体激光器10射出的激光L通过的部位由对于激光L的波长而言为透明的材料形成。在本实施方式中，上部腔室1a整体由石英等透明的材料形成。
线圈2以包围等离子体生成空间11的方式配置于上部腔室1a的外部。本实施方式的线圈2是圆筒状线圈(更准确地说，是螺旋状线圈)。但是，本发明不限于此，也能够应用平面线圈、在萨姆肯公司制造的“龙卷风ICP”中使用的龙卷风线圈、在松下公司制造的“Advanced-ICP”中使用的立体线圈等其它方式的线圈。在使用平面线圈的情况下，平面线圈配置于上部腔室1a的上方。
载置台3配置于等离子体处理空间12，在该载置台3载置有要实施等离子体处理的基板S。载置台3既可以安装于使载置台3进行升降的升降单元(未图示)，也可以以不可升降的方式固定于腔室1。载置台3具备：载置台主体31，其由Al等金属形成；以及静电吸盘32，其位于载置台主体31上，由埋设有与直流电源进行了连接的电极(未图示)的介电体形成。
另外，等离子体处理装置100具备：升降装置4，其使贯通载置台3并与基板S的下表面接触的升降销进行升降；高频电源5，其经由匹配器(未图示)而与线圈2连接；高频电源6，其经由匹配器(未图示)而与载置台3(载置台主体31)连接；气体供给源7；以及排气装置8。
气体供给源7将用于生成等离子体的处理气体供给到等离子体生成空间11。高频电源5对线圈2施加高频电力。由此，将被供给到等离子体生成空间11的处理气体进行等离子体化，来生成电感耦合等离子体。高频电源6对载置台3的载置台主体31施加高频电力。由此，所生成的等离子体朝向基板S移动。
排气装置8将腔室1内的气体排出到腔室1的外部。
通过搬送机构(未图示)将实施等离子体处理之前的基板S从腔室1的外部搬送到内部，并载置于突出到载置台3的上表面(静电吸盘32的上表面)的上方的升降销上。接着，利用升降装置4使升降销降下，由此将基板S载置于载置台3(静电吸盘32)上。在等离子体处理结束之后，利用升降装置4使升降销上升，与此同时，基板S也上升。通过搬送机构将上升后的基板S搬送到腔室1的外部。
半导体激光器10在上部腔室1a的外部以使射出的激光L照射到被供给到上部腔室1a内的处理气体的方式配置。本实施方式的半导体激光器10射出具有可见光区域的波长(例如405nm)的激光L。但是，本发明不限于此，也能够使用射出具有紫外光区域等其它波长的激光的半导体激光器。另外，本实施方式的半导体激光器10是连续振荡(CW)式，但是本发明不限于此，为了提高每单位时间的能量密度，还能够使用脉冲振荡式的半导体激光器。
本实施方式的半导体激光器10具备透镜(平凸透镜)，该透镜(平凸透镜)配置于射出的激光L的出射面侧，以使激光L变为平行光束。由此，激光L在其路径中具有大致相等的束斑直径，如果忽略激光L在路径中的能量减衰，则对于任意位置的处理气体均以大致相等的能量密度进行照射。
本实施方式的半导体激光器10被配置为使激光L照射在线圈2的附近。具体而言，半导体激光器10被配置为沿通过线圈2的上方的路径(在图1所示的例子中，在图1的左侧通过线圈2的上方)照射激光L。更具体地说，半导体激光器10被配置为从线圈2的上方朝向线圈2的下方(在图1所示的例子中为在图1的左侧通过线圈2的上方，在图1的右侧通过线圈2的下方)倾斜地照射激光L。
控制单元20与高频电源5、气体供给源7以及半导体激光器10电连接，具有控制它们的动作的功能。作为控制单元20，能够使用PLC(ProgrammableLogic Controller：可编程逻辑控制器)、计算机。
此外，关于等离子体处理装置100的其它构成要素、动作，由于与通常的等离子体处理装置相同，因此在此省略详细说明。
下面，说明使用了具有上述结构的等离子体处理装置100(等离子体生成装置)的本实施方式所涉及的等离子体点火方法。
本实施方式所涉及的等离子体点火方法包括供给工序、点火工序以及停止工序。下面，依顺说明各工序。
<供给工序>
在供给工序中，从气体供给源7向腔室1(上部腔室1a)内的等离子体生成空间11供给处理气体。具体而言，根据从控制单元20发送的控制信号来控制MFC(Mass FlowController：质量流量控制器)(未图示)，将规定流量的处理气体供给到腔室1内，该MFC设置于将气体供给源7与腔室1连接的配管，用于控制处理气体的流量。
在本实施方式中，作为处理气体，例如使用Cl2气体。但是，本发明不限于此，能够使用各种处理气体。特别地，由于Cl2气体、O2气体、SF6气体、CF4气体、C4F8气体等电负性高的气体不易等离子体化，因此应用本实施方式所涉及的等离子体点火方法是有效的。
<点火工序>
在点火工序中，对被供给到腔室1内的处理气体照射从半导体激光器10射出的激光L。具体而言，根据从控制单元20发送的控制信号使半导体激光器10的电源接通，来使激光L射出。
另外，在点火工序中，从高频电源5向线圈2施加高频电力。具体而言，根据从控制单元20发送的控制信号使高频电源5接通，来对线圈2施加高频电力。
图2是概要性地示出本实施方式的供给工序、点火工序以及停止工序的过程的时序图。
如图2所示，在本实施方式的点火工序中，在开始上述的供给工序之后(图2所示的“处理气体供给”变为“开启”之后)，开始从半导体激光器10照射激光L，此后(图2所示的“半导体激光器”变为“开启”之后)，开始从高频电源5向线圈2施加高频电力(图2所示的“高频电源”变为“接通”)。具体而言，在从开始照射激光L起经过时间T1之后，开始对线圈2施加高频电力。作为时间T1，能够例示0.5sec～1.0sec左右。此外，也可以从开始上述的供给工序之前起开始照射激光L。
<停止工序>
在停止工序中，在等离子体点火之后，停止从半导体激光器10射出激光L。具体而言，根据从控制单元20发送的控制信号使半导体激光器10的电源切断，来使激光L停止射出。
如图2所示，在本实施方式中，预先决定从开始对线圈2施加高频电力起至合理地发生点火为止的经过时间T2，将该经过时间T2设定并存储到控制单元20中。在从开始对线圈2施加高频电力起经过了设定并存储的经过时间T2的定时，控制单元20发送使半导体激光器10的电源切断的控制信号。作为时间T2，能够例示2.0sec～3.0sec左右。
但是，本发明不限于此，也能够采用在判定为实际发生了等离子体的点火之后停止射出激光L的方法。
例如，考虑以下方法：设置用于在对线圈2施加了高频电力时检测夹在高频电源5与线圈2之间的匹配器(未图示)的内部电路等中的反射波信号的大小的传感器，将该传感器的输出信号输入到控制单元20，如果由传感器检测出的反射波信号的大小减小至规定值以下，则控制单元20判定为发生了点火。另外，也考虑以下方法：设置用于检测在腔室1内产生的光的强度的分光器等，将由分光器等检测出的光的强度输入到控制单元20，如果检测出的光的强度为规定值以上，则控制单元20判定为发生了点火。
根据以上说明的本实施方式所涉及的等离子体点火方法，在点火工序中，对处理气体照射从半导体激光器10射出的激光L，在停止工序中，在等离子体点火之后停止从半导体激光器10射出激光L，因此能够在不使腔室1内产生异常放电的情况下使等离子体快速点火。
另外，在点火工序中，在开始照射激光L之后开始对线圈2施加高频电力，因此相较于在开始对线圈2施加高频电力之后开始照射激光L的情况，能够降低在等离子体不点火的状态下对线圈2施加高频电力的风险。因此，能够防止等离子体处理装置100发生故障等。
另外，在点火工序中，向腔室1内的反应生成物不易作为沉积物而附着的线圈2的附近照射激光L，因此激光L被沉积物吸收或者被沉积物散射的风险降低，能够向处理气体照射期望的强度的激光L。
并且，在点火工序中，从线圈2的上方朝向线圈2的下方倾斜地照射激光L，因此能够使等离子体最快地点火。
图3是示出点火工序中的激光L的其它照射方向的例子的示意图。在图3中，仅图示上部腔室1a附近。
在图1所示的例中，说明了在点火工序中从线圈2的上方朝向线圈2的下方倾斜地照射激光L的方式，但是本发明不限于此。例如图3的(a)所示，也能够沿通过线圈2的上方的水平路径照射激光L。另外，如图3的(b)所示，还能够从线圈2的下方朝向线圈2的上方倾斜地照射激光L。
图4是用一部分端面示出能够应用本发明所涉及的等离子体点火方法的其它等离子体生成装置的概要结构的示意图。
在图4的(a)所示的等离子体生成装置中，利用上部腔室1a形成两个等离子体生成空间11(内侧的等离子体生成空间11a、外侧的等离子体生成空间11b)，向各等离子体生成空间11供给处理气体。线圈由内侧的线圈21以及与线圈21同心状地配置的外侧的线圈22构成。对被供给到图4的(a)所示的等离子体生成装置的两个等离子体生成空间11的处理气体分别照射从两个半导体激光器10射出的激光L。
此外，在图4的(a)中，与图1同样地图示了从线圈21或22的上方朝向线圈21或22的下方倾斜地照射激光L的方式，但是本发明不限于此。与图3的(a)同样地，也能够以通过线圈21或22的上方的水平路径照射激光L。另外，与图3的(b)同样地，还能够从线圈21或22的下方朝向线圈21或22的上方倾斜地照射激光L。另外，在图4的(a)中，配置有向内侧的等离子体生成空间11a照射激光L的半导体激光器10、以及向外侧的等离子体生成空间11b照射激光L的半导体激光器10，在提高点火性的方面，期望像这样根据等离子体生成空间11的数量来配置两个或更多的半导体激光器10。然而，内侧的等离子体生成空间11a与外侧的等离子体生成空间11b连通，等离子体在两个等离子体生成空间11之间扩散。因此，即使是仅配置向内侧的等离子体生成空间11a照射激光L的半导体激光器10的结构、仅配置向外侧的等离子体生成空间11b照射激光L的半导体激光器10的结构，也能够使等离子体快速点火。并且，还可以是不具有图4的(a)所示的内侧的等离子体生成空间11a，仅具有外侧的等离子体生成空间11b的等离子体生成装置。
图4的(b)所示的等离子体生成装置是下部电极92与喷淋头型的上部电极91平行地配置而成的平行平板型的等离子体生成装置，在该上部电极91设置有用于供处理气体通过的大量的孔，该下部电极92用于载置基板S。通过对该等离子体生成装置的上部电极91施加高频电力，来在等离子体生成空间11中生成电容耦合等离子体。在图4的(b)所示的等离子体生成装置的情况下，对被供给到等离子体生成空间11的处理气体照射从半导体激光器10射出的激光L。
在图4的(b)所示的例子中，图示了沿通过上部电极91与下部电极92之间的水平路径照射激光L的方式，但是未必限制于此，只要在设备上能够实现，则也可以沿从上部电极91的上方朝向下方的路径进行照射。
下面，说明本发明的实施例和比较例。
作为实施例1～8，使用图1和图3的(a)所示的等离子体生成装置和激光L的照射方向，一边改变气体流量、腔室1内的压力、对线圈2施加的高频电力的功率密度等的条件，一边进行了评价等离子体的点火时间的试验。作为处理气体，均使用了Cl2气体。作为半导体激光器10，使用了以20mW的光输出来射出波长405nm的激光L的CW式的半导体激光器。在本试验中使用的半导体激光器10的出射面侧配置有平凸透镜，由此射出了具有2mm～3mm左右的束斑直径的平行光束的激光L。如果束斑直径为2mm～3mm，则激光L的辐射照度为2.2×103W/m2～5.0×103W/m2。
另外，作为比较例1～8，在不照射激光L的情况下进行了评价等离子体的点火时间的试验。除了不照射激光L以外，比较例1～8分别在与对应的编号的实施例1～8相同的条件下进行了试验。
图5是示出上述试验的主要条件及结果的图。此外，在上述的试验中，目视确认腔室1内的状况，在发光且变亮了的情况下判定为发生了点火，将从开始对线圈2施加高频电力起至发生点火为止的经过时间作为点火时间来进行了评价。另外，图5所示的“高频电力功率密度”是指对线圈2施加的高频电力、等离子体所接触的腔室1内表面的表面积。
如图5所示，在实施例1～8中，等离子体的点火时间均为1sec以下，能够使等离子体快速点火。另外，在等离子体点火时未发生异常放电。与此相对地，在比较例1～8中，等离子体的点火时间至少超过2sec，未能使等离子体快速点火。
此外，虽然实施例1～8在等离子体的点火时间均变为1sec以下这点上是共同的，但是实施例1～6(图1所示的激光L的照射方向的情况)相较于实施例7、8(图3的(a)所示的激光L的照射方向的情况)而言点火时间更早，相差零点几秒。这样，作为在图1所示的激光的照射方向的情况下容易最快地点火的理由，估计为以下的(a)、(b)。
(a)在图1所示的激光L的照射方向的情况下，激光L从线圈2的上方朝向线圈2的下方倾斜地照射，因此激光L会通过电磁场的强度最高且被认为易于生成等离子体的线圈2的中心。
(b)在激光L向等离子体生成空间11入射的入射侧，激光L的能量密度最高。在图1所示的激光L的照射方向的情况下，激光L的能量密度最高的入射侧位于线圈2的上方，因此认为向位于线圈2内的上部的处理气体照射能量密度高的激光L，由此等离子体生成概率提高。
附图标记说明
1：腔室；2：线圈；10：半导体激光器；20：控制单元；91：电极(上部电极)；100：等离子体处理装置；L：激光。

Claims (8)

1.一种等离子体点火方法，其特征在于，包括：
供给工序，向等离子体生成装置具备的腔室内供给处理气体；
点火工序，对被供给到所述腔室内的所述处理气体照射从半导体激光器射出的激光，并且对所述等离子体生成装置具备的用于生成等离子体的线圈或电极施加高频电力，来使等离子体点火；
停止工序，在所述等离子体点火之后，停止从所述半导体激光器射出激光。
2.根据权利要求1所述的等离子体点火方法，其特征在于，
在所述点火工序中，在开始照射所述激光之后，开始向所述线圈或所述电极施加高频电力。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体点火方法，其特征在于，
在所述点火工序中，向所述线圈或所述电极的附近照射所述激光。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体点火方法，其特征在于，
所述等离子体生成装置具备圆筒状线圈作为所述线圈，
在所述点火工序中，沿通过所述圆筒状线圈的上方的路径照射所述激光。
5.根据权利要求4所述的等离子体点火方法，其特征在于，
在所述点火工序中，从所述圆筒状线圈的上方朝向所述圆筒状线圈的下方倾斜地照射所述激光。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的等离子体点火方法，其特征在于，所述激光具有可见光区域的波长。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的等离子体点火方法，其特征在于，
所述处理气体是Cl2气体、O2气体、SF6气体、CF4气体以及C4F8气体中的至少任一种气体。
8.一种等离子体生成装置，其特征在于，具备：
腔室；
用于生成等离子体的线圈或电极；
半导体激光器；以及
控制单元，
其中，所述控制单元能够执行以下工序：
供给工序，向所述腔室内供给处理气体；
点火工序，对被供给到所述腔室内的所述处理气体照射从半导体激光器射出的激光，并且对所述用于生成等离子体的线圈或电极施加高频电力，来使等离子体点火；
停止工序，在所述等离子体点火之后，停止从所述半导体激光器射出激光。
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