JP2008060304A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上の異物を低減可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室１０と、処理室１０内に被処理基板５を戴置するための基板電極１１と、処理室１０にプラズマ処理用のガスを所定流量供給するガス供給装置１４と、プラズマ処理室を排気する排気速度可変の排気装置（図示せず）と、プラズマ発生用の高周波電源２１と、高周波電源２１の反射電力を自動的に低減する自動整合機２２と、処理室１０に静磁界を印加するための静磁界の強度および分布が可変の静磁界発生装置４１と、ガス供給装置および排気装置の排気速度を制御してプラズマ処理室の圧力を制御する圧力制御機構（図示せず）を備えたプラズマ処理装置において、プラズマ着火のためのステップとプラズマ処理のためのステップを有し、プラズマ着火のためのステップとプラズマ処理のためのステップ間でプラズマを消失させることなく連続してステップを切り替える。
【選択図】図３

Description

本発明は、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に係り、特に高周波電力を印加して減圧下で着火したプラズマを用いて被処理物を処理するのに好適なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。

従来、プラズマ処理装置における異物発生の要因として、（１）ガス起因のパーティクル、（２）ＥＳＣ起因のパーティクル、（３）ＲＦ起因のパーティクル、（４）熱起因のパーティクル等があることが知られている。一般に、ＥＳＣ起因のパーティクルに対しては、プラズマ着火後にＥＳＣ電圧を印加することによりパーティクルを低減できることが知られている。

また、ＲＦ起因のパーティクルに対しては、最初に最小限プラズマの着火に必要な最小限の電力をガスに供給し最小限プラズマを生成し、その後電力を増加して被処理基板の処理に必要なプラズマを生成することにより、プラズマ着火時におけるパーティクルの発生自体を抑制し、発生したとしても被処理基板への付着を防止してパーティクルを低減できることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−１１６８２１号公報

従来の異物低減技術は、プラズマ着火時におけるプラズマ着火遅れに伴う異物の発生、付着に関して考慮されていない。すなわち、電力（高周波電力）投入からプラズマ着火までの間にも異物が発生し、プラズマ着火後にも影響していることが発明者らの実験によって明らかになった。図１は電力投入からプラズマの発生までの異物と時間との関係を示した概念図であり、図２はプラズマが着火しない条件で電力のみを投入し、異物数を計測した結果である。

図２に示すようにプラズマの着火を伴わない電力投入だけでも異物が発生し、電力値が大きくなるに従い異物の量も多くなっている。この異物発生の機構については不明であるが、熱応力や静電応力、マックスウェル応力等が処理室内壁に働き、処理室内壁に付着していた異物が剥離等により発生したことが考えられる。

図１に示すように電力投入により発生した異物は、発生場所からある初速を持って飛散、浮遊した後、基板に到達し、その一部が基板に付着する。高電力を投入すると異物の発生数が多いため、基板に付着する異物数も多くなるが、異物の剥離から基板へ到達するまでの間には異物の付着はない。電力投入からプラズマ着火までに時間がかかると、電力投入により処理室内壁面から剥離した異物が処理室空間に放出され被処理基板に付着してしまうという問題が生じる。

本発明の目的は、プラズマ着火までに生じる被処理基板への異物の付着を抑制し異物の低減を図ることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。

上記目的は、処理室内のガスに高周波電力を投入してプラズマを着火し、該プラズマを用いて被処理基板を処理するものにおいて、ガスへの高周波電力投入からプラズマが着火するまでの時間を、異物が被処理基板に到達するまでの時間内にすることにより達成される。

また、上記目的は、プラズマの着火と異物が被処理基板に到達する時刻が同程度の場合には、プラズマの着火時に被処理基板にバイアス電位を与えることにより、より確実に達成される。

本発明によれば、高周波電力が投入されて処理室内に異物が放出されても、異物が被処理基板に到達するまでにプラズマが着火するため、処理室空間に放出された異物はシースの作用によって処理室空間に閉じ込められ被処理基板に到達することがないので、被処理基板への異物の付着を抑制でき、異物の低減を図ることができる。

また、被処理基板にバイアス電位を与えることで被処理基板上に形成されるシースを厚くすることができ、被処理基板への異物の付着をより確実に抑制できる。

本発明は、図１に示したように異物が被処理基板に到達するまでの時間（この場合、たとえば０．９ｓｅｃ（処理室内圧力：０．１〜１０Ｐａ））以内にプラズマを着火する。これにより、高周波電力値が大きい場合（異物量が多い場合）でも小さい場合（異物量が少ない場合）でも関係なく、異物は被処理基板に到達することなくプラズマのシースの作用によって処理室内の空間に閉じ込められ、被処理基板への異物の付着を抑制することができる。

本発明のプラズマ処理装置の第１の実施例を、図３ないし図６により説明する。図３は、実施例１に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図３の装置において、１は処理室であり、この場合、図示を省略した真空排気系が接続されている。処理室１内の下部には被処理基板５が配置される基板電極２が設けられている。基板電極２には整合器３を介して高周波バイアス電源４が接続されている。また、処理室１内の基板電極２に対向して高周波導入窓およびシャワープレート６及び電極７が設けられている。高周波導入窓およびシャワープレート６には、図示を省略したガス供給系が接続され、処理室に処理ガスをシャワー状に供給する。アンテナ７には整合器８を介して高周波電源９が接続されている。

整合器８および高周波電源９にはこの場合、プラズマの着火を容易にして着火時間を短くするための制御装置１０が接続されている。制御装置１０は高周波電源９からアンテナ７を介して処理室１内に電力を投入した際の反射電力を小さくするための整合器８を初期設定することが可能である。

図４（ａ）に示すように、処理室内に所定のガスを所定の流量供給し真空排気系の排気速度を制御して所定の圧力に調整した後、高周波電源９を時刻ゼロにてオンし第１レベルの入射電力を投入する（図５のステップ１０１）。これにより反射電力が生じるが、図４（ｂ）に示すように整合器の整合素子位置を自動整合させることにより反射電力を抑え（図５のステップ１０２）、反射電力が安定した時点でさらに高周波電力を上げ処理時の所定の電力量にする（図５のステップ１０３）。整合器８はさらに自動整合され所定の入射電力での反射電力が最小となる最適な整合値を得る（図５のステップ１０４）。これにより、処理室１内に効率良く電力が投入され処理室１内のガスがプラズマ化される（時刻Ｔｂ）。

このとき、制御装置１０は、図４におけるプラズマ着火（時刻Ｔｂ）前の時刻Ｔａにおける整合器８の設定値、この場合、ＶＣ１，ＶＣ２，ＶＣ３の値を制御装置１０に記憶する（図５のステップ１０５）。（時刻Ｔｂ−時刻Ｔａ）は、図１に示す電力を投入してから異物が基板に到達するまでの時間内に設定される。好ましくは、プラズマが着火されてからプラズマが安定するのに要する時間（Ｔｘ）を考慮し、（時刻Ｔｂ−時刻Ｔａ＋時間Ｔｘ）が、異物が基板に到達するまでの時間内に設定されることが望ましい。制御装置１０による整合器８の設定値の記憶は、被処理基板の処理条件が変更される毎に行われ、処理の種類毎に最適な設定値を記憶する。被処理基板の処理を実行する際には、制御装置１０は、予め記憶した設定値によって整合器８を設定する（図５のステップ１０６）。これにより、高周波電源９からの出力を処理時の所定電力値で出力しても整合が容易であり、整合のための時間を短縮することができる。

これにより、電力投入からプラズマ着火までの時間を短縮することができ、電力投入により処理室内壁面から剥離された異物が処理室内に放出され基板に到達するまでに処理室内にプラズマを着火できる。これにより、処理室内に放出された異物はプラズマシースの作用によってプラズマ内に閉じ込められ、基板に到達して付着することがない。

上述の実施例では、制御装置１０による整合器８の設定値の記憶は、被処理基板の処理条件が変更される毎に行ったが、部品の変更や交換等のハード変更を伴わない場合には、必ずしも毎回行う必要はなく、初回のみ行ってもよい。例えば処理室の圧力をプラズマ着火により適した圧力に変更した場合、プラズマ着火前の処理室のインピーダンスには影響がないため、高周波電力の投入からプラズマ着火直前までの入反射電力や整合器の整合素子の動作に違いはない。ただしプラズマ着火に最低限必要な投入電力が小さくなるため、図４に示すプラズマ着火時刻Ｔｂが早まることになる。ガス種やガス種の混合比等を変更した場合も同様にプラズマ着火前の処理室のインピーダンスに影響を与えないため、プラズマ着火直前までの入反射電力や整合器の整合素子の動作に違いはなく、プラズマ着火性が変化することによりプラズマ着火時刻が変わる事になる。プラズマ着火時刻が変わることは、プラズマ着火時の整合器の整合素子位置が変化することにつながる。高周波電力の投入からプラズマ着火までの時間（着火遅れ時間）を短縮する必要性がそれほど高くない場合には、ハード変更を伴う場合のみ、制御装置１０による整合器８の設定値の記憶を行えばよい。

図６に、制御装置１０による整合器８の設定値の記憶を行うことで着火遅れ時間を短縮した場合（初期設定あり）と、整合器８の設定値の最適化を行わない場合（初期設定無し）の両者で異物数を比較した結果を示す。異物数の評価は被処理基板に付着した異物数を、ウェハ表面検査装置ＬＳ６６００（日立電子エンジニアリング社製）を用いて計測した。一般に異物数は、ばらつきが大きいほか、装置の状態に依存し、装置状態の変動に伴い経時的に変化する。これに対応し、初期設定なしと初期設定ありの２条件を交互に繰り返して測定することで、両者の差異を調べた。初期設定なしに対して初期設定ありで異物数の平均値はおよそ半減しており、整合器設定値の初期設定により異物低減できることを確認した。

本発明の第２の実施例を、図７ないし図９により説明する。図７は、実施例２に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図７において、図３と同一符号は同一部材を示し、説明を省略する。図７において図３と異なる点は、プラズマの着火に磁場を用いる点と、磁場を最適化してプラズマの着火を容易にし、着火時間を短縮する点にある。図７において、処理室１の上部外側には磁場発生装置１１が設けられている。磁場発生装置１１には磁場発生用電源１２が接続され、磁場発生用電源１２には制御装置１３が接続され、磁場強度および磁場勾配を調整可能になっている。また、制御装置１３は高周波電源５の制御も行う。

制御装置１３は、処理室１内にプラズマを着火させるのに容易となるように磁場を調整するとともに、プラズマ着火後は処理に適した磁場に調整する。制御装置１３には、予めプラズマ着火に最適な磁場の設定値と、処理に最適な磁場の設定値とが記憶されている。

上述の構成の装置によれば、高周波電力の投入とともに制御装置１３によってプラズマの着火が容易な磁場設定を行い（図８のステップ２０１）、プラズマが着火されたら処理に最適な磁場設定に変更して（図８のステップ２０２）被処理基板の処理を行う。プラズマ着火のステップから処理のステップへの移行は磁場の変更だけなのでプラズマは連続したままであり、処理室１内の異物をプラズマ内に閉じ込めたままにすることができる。これにより、磁場を用いたプラズマ処理装置においてプラズマの着火を容易にして着火までの時間を短縮できるので、異物が基板に到達するまでにプラズマを着火でき、基板への異物の付着を低減することができる。

プラズマ着火に適した磁場を適用する時間は、プラズマ着火に要する時間と同じか長くすればよい。プラズマの着火を検出して処理に最適な磁場設定に移行しても良いし、プラズマの着火を検出しないでプラズマ着火に要する時間以上の一定時間を経過後、処理に適した磁場に移行しても良い。プラズマ着火に適した磁場は、必ずしもプラズマ処理に適しているとは限らないため、長時間適用するとプラズマ処理に悪影響を与える可能性がある。そのためプラズマ処理最適化の観点からは、プラズマ着火に適した磁場の適用時間は短いことが望ましい。ガス種や圧力等の条件により異なるが、概ねプラズマ着火に適した磁場を適用することで、着火遅れ時間は数ミリ秒程度に短縮できることが多い。プラズマ着火に適した磁場を一定時間適用する場合には、１〜２秒程度の時間継続すれば充分であることが多い。

上述のように、プラズマ着火に適した磁場を適用するステップでプラズマ処理が進行すると、プラズマ処理特性に悪影響を与える可能性がある。本実施例のエッチング処理の場合には、被処理基板に与えるバイアス電力が小さいかまたは与えない場合には、被処理基板のエッチングがあまり進まないことが知られている。そこでプラズマ着火に適した磁場を適用するステップではバイアス電力を小さくするか、与えないことが望ましい。

プラズマ着火に適した磁場は、電子サイクロトロン共鳴現象を用いることで構成できることが多い。磁場が印加された空間内で電子は磁力線に巻きつくように運動することが知られており、サイクロトロン運動と呼ばれる。電子サイクロトロン共鳴現象とは、サイクロトロン運動の周期と高周波の周期（周波数の逆数）が一致して高周波のエネルギーが効率よく電子に供給される現象を呼ぶ。電子を効率よく加速できるため、プラズマ着火を容易にする効果がある。

図９に、着火に適した磁場を用いたステップを用いて着火した場合（着火ステップあり）と用いない場合（着火ステップなし）で異物数を比較した結果を示す。図６と同様、異物数の評価には、被処理基板に付着した異物数をウェハ表面検査装置ＬＳ６６００（日立電子エンジニアリング社製）を用いて計測した。また、異物数は、ばらつきが大きく、装置の状態に依存し、経時的に変化するため、着火ステップありと着火ステップなしの２条件を交互に繰り返して測定することで、両者の差異を調べた。着火ステップありの場合で着火ステップなしの場合に比べて、異物数がおよそ半減しており、磁場を用いた着火ステップの適用により異物数を低減できることを確認した。

本発明の第３の実施例を図１０により説明する。図１０は、実施例３に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図１０において、図３と同一符号は同一部材を示し、説明を省略する。図１０において図３と異なる点は、処理室１に圧力センサ１７を設け、圧力センサ１７と制御装置１８を接続し、ガス供給系のガス供給装置１６および真空排気系の圧力調整弁１４と制御装置１８とを接続して、制御装置１８によってプラズマの着火までと着火後の処理室内の圧力を調整可能にしてある点である。

制御装置１８は、プラズマの着火前の処理室の圧力を処理圧力よりも高め、着火後は処理室内の圧力を下げて所定の処理圧力に制御する。

上述のように構成した装置によれば、プラズマ着火前は、処理室内のガス圧力が高く設定されているので電力を投入することによりプラズマが着火され易くなる。プラズマ着火後は、ガス圧力を所定圧力に下げるだけなのでプラズマは連続したままであり、処理室１内の異物をプラズマ内に閉じ込めたままにすることができる。

これにより、高真空の処理条件を用いたプラズマ処理装置においてプラズマの着火を容易にして着火までの時間を短縮できるので、異物が基板に到達するまでにプラズマを着火でき、基板への異物の付着を低減することができる。

以上、プラズマ着火時に圧力を高くすることで着火を容易にする例を説明したが、ガス種と混合比、基準とする圧力によっては、圧力を下げることで着火しやすくなる場合もある。例えば直流放電の場合には、パッシェンの法則で知られるように、ガス種によって放電のしやすさに最適な圧力が存在することが知られている。同様に高周波放電の場合にも低圧にすることで着火性が向上する場合には、着火前の圧力を処理圧力より低く設定しても良い。

本発明の第４の実施例を、図１１ないし図１２により説明する。図１１は、プラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図１１において、図３と同一符号は同一部材を示し、説明を省略する。図１１において図３と異なる点は、プラズマ着火検出器１９と、バイアス整合器３およびバイアス電源４を制御するための制御装置２０を備えていることである。

予めプラズマ処理条件に応じて、バイアス電力の反射波を低減できるバイアス整合器３の設定を制御装置２０により記憶しておく。プラズマ着火前に制御装置２０は記憶しておいた設定値をバイアス整合器３に設定し、プラズマを発生する。プラズマ着火検出器１９による着火検出と同時に制御装置２０はバイアス電源４よりバイアス電力を出力させる。予めバイアス整合器がプラズマ着火後のインピーダンスに応じて設定されているため、バイアス電力印加直後から反射波は抑制され、被処理基板５に速やかにバイアス電位が印加される。

被処理基板にプラズマ着火直後からバイアス電位を印加する効果を、図１２を用いて説明する。着火直後のプラズマは、不安定でシースの形成が不十分である。そのため、図１２に示すように、着火直後に異物が被処理基板付近に到達すると、シースが異物をプラズマ中に閉じ込める効果も充分でなく、被処理基板に異物が付着する可能性が高い。しかし被処理基板にバイアス電位が印加されていると、シース中の電子が排除され、シースが厚くなることが知られている。シースとプラズマの界面に異物は捕獲されるため、シースを厚くすることで被処理基板から離れた位置に異物が捕獲され、被処理基板への付着を抑制することができる。

本発明の第４の実施例を、図１３により説明する。図１３は、第４の実施例に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図１３において、図３と同一符号は同一部材を示し、説明を省略する。図１３において図３と異なる点は、制御装置２１が高周波電源９および整合器８、バイアス電源４およびバイアス整合器３をそれぞれ制御する点である。プラズマ着火するために高周波電力を処理室に投入するが、高周波電力の投入と同時にバイアス電源４より整合器３、基板電極２を介して被処理基板５にバイアス電力を投入する点である。バイアス整合器３および整合器８の初期設定を実施例１、実施例４と同様に電力投入初期から整合が取れるように設定しておくことが望ましいが、必ずしも必須ではない。高周波電力とバイアス電力を同時に印加することで実施例４と同様にプラズマプラズマ着火直後のシース形成が不十分な時にバイアス電位がシースに加わることで、異物の被処理基板への落下をより強力に防止することができる。

電力投入からプラズマの発生までの異物と時間との関係を示した概念図。 プラズマが着火しない条件で電力のみを投入し、異物数を計測した結果。 プラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図（実施例１）。 高周波電源を時刻ゼロにてオンし第１レベルの入射電力を投入した後の反射電力を説明する図（ａ）および整合器の整合素子位置を自動整合させることにより反射電力を抑え、反射電力が安定した時点でさらに高周波電力を上げ処理時の所定の電力量にする整合素子の位置を説明する図（ｂ）。 整合素子を自動整合させる態様を説明する流れ図。 初期設定ありとなしの場合の異物数の結果を示す図。 プラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図（実施例２）。 異物が基板に到達するまでにプラズマを着火する処理を説明する流れ図。 着火に適した磁場を用いたステップを用いて着火ステップあり着火ステップなしで異物数を比較した結果を示す図。 プラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図（実施例３）。 プラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図（実施例３）。 被処理基板にプラズマ着火直後からバイアス電位を印加する効果を説明する図。 プラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図（実施例４）。

符号の説明

１…処理室、２…基板電極、３…整合器、４…高周波バイアス電源、５…被処理基板、６…シャワープレート、７…電極、８…整合器、９…高周波電源、１０…制御装置、１１…磁場発生装置、１２…磁場発生用電源、１３…制御装置、１４…圧力調整弁、１５…真空排気装置、１６…ガス供給装置、１７…圧力センサ、１８…制御装置、１９…プラズマモニタ、２０…制御装置、２１…制御装置。

Claims (4)

1. 被処理基板をプラズマ処理室でプラズマ処理する装置において、
   少なくとも、プラズマ着火のためのステップと、
   前記プラズマ処理室に処理ガスを供給するガス供給装置と、
   プラズマ処理のためのステップを備え、
   前記プラズマ着火ステップ時の着火遅れ防止手段として、プラズマの着火を容易にし着火時間を短くするための、整合器の制御手段、又は磁場設定手段、又は圧力制御手段の少なくともいずれかの一つの手段を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 被処理基板をプラズマ処理室でプラズマ処理する装置において、
   少なくとも、プラズマ着火のためのステップと、
   前記プラズマ処理室に処理ガスを供給するガス供給装置と、
   プラズマ処理のためのステップを備え、
   前記プラズマ着火ステップ時、プラズマ着火直後にＲＦ電位を印加、又は高周波電力の投入と同時にＲＦ電位を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。
3. 被処理基板をプラズマ処理室でプラズマ処理する方法において、
   少なくとも、プラズマ着火のための工程と、
   前記プラズマ処理室に処理ガスを供給する工程と、
   プラズマ処理のための工程を備え、
   前記プラズマ着火工程時の着火遅れ防止工程として、プラズマの着火を容易にし着火時間を短くするための、整合器の制御工程、又は磁場設定工程、又は圧力制御工程の少なくともいずれかの一つの工程を具備したことを特徴とするプラズマ処理方法。
4. 被処理基板をプラズマ処理室でプラズマ処理する方法において、
   少なくとも、プラズマ着火のための工程と、
   前記プラズマ処理室に処理ガスを供給する工程と、
   プラズマ処理のための工程を備え、
   前記プラズマ着火ステップ時、プラズマ着火直後にＲＦ電位を印加、又は高周波電力の投入と同時にＲＦ電位を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

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