CN113725380A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括显示区和围绕显示区延伸的非显示区，显示面板包括：衬底；阵列结构层，设置于衬底之上，阵列结构层中设置有驱动电路，阵列结构层包括第一部分和第二部分，第一部分为显示区在阵列结构层上的投影部分，第二部分为非显示区在阵列结构层上的投影部分，其中第二部分设置有填充第一有机材质的凹槽；有机平坦化层，有机平坦化层覆盖第一部分，且包括第一有机材质；发光器件层，设置于有机平坦化层之上，发光器件层与显示区相对应，且与驱动电路电性连接；封装层，封装层覆盖发光器件层，且延伸至第二部分。上述技术方案能够改善显示面板边缘产生的黑斑问题，延长显示面板的使用寿命。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，并且更具体地，涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)显示面板因具有轻薄、亮度高、响应快、柔性好、发光效率高等优点，而广泛应用于手机、电视、平板等显示装置中。但OLED对水汽和氧气比较敏感，如果器件封装性能不好导致水氧侵入的话，侵入显示面板内部的水汽和氧气会对OLED器件中的有机电致发光(electroluminescent，EL)材料产生作用，使有机EL材料发生变化而不能发光，即产生黑斑问题。
有一些黑斑在形成后，会随着时间的增加而慢慢变大，最终可能导致整个显示面板失效，这种黑斑也叫可以生长的黑点(grow dark spot，GDS)。GDS是黑斑问题中的一个痼疾，特别是显示面板的显示区边缘处产生的GDS约占显示面板黑斑的80％，严重影响显示面板的使用寿命。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，能够改善显示面板边缘的黑斑问题，延长显示面板的使用寿命。
第一方面，提供一种显示面板，包括显示区和围绕所述显示区延伸的非显示区，所述显示面板包括：衬底；阵列结构层，设置于所述衬底之上，所述阵列结构层中设置有驱动电路，所述阵列结构层包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述显示区在所述阵列结构层上的投影部分，所述第二部分为所述非显示区在所述阵列结构层上的投影部分，，其中所述第二部分设置有凹槽，所述凹槽中填充有第一有机材质；有机平坦化层，所述有机平坦化层覆盖所述第一部分，且所述有机平坦化层包括所述第一有机材质；发光器件层，设置于所述有机平坦化层之上，所述发光器件层与所述显示区相对应，且与所述驱动电路电性连接；封装层，所述封装层覆盖所述发光器件层，且延伸至所述第二部分。
本申请实施例中，“显示区在阵列结构层上的投影部分”可以理解为是阵列结构层上与显示区在阵列结构层上的投影区域所对应的部分，或者理解为是与显示区对应的部分。“非显示区在阵列结构层上的投影部分”可以理解为是阵列结构层上与非显示区在阵列结构层上的投影区域所对应的部分，或者理解为是与非显示区对应部分。
本申请实施例中，阵列结构层的第二部分设置有凹槽，且凹槽内填充有第一有机材质，能够有效缓解该区域因无机层较厚所引起的应力集中的问题。在显示面板发生弯折或遭遇外力撞击时，填充第一有机材质的区域不易产生裂纹，水氧不易侵入，因此可以避免或减少黑块或黑点的出现，从而改善了OLED显示屏的黑斑问题。另外，在无机层较厚的区域填充有机材料，能够阻隔已产生的裂纹继续扩展，避免或减少黑块的出现，或者减慢黑块生长的速度，也能够改善OLED显示屏的黑斑问题。另外，本申请实施例中，在显示面板的非显示区制备出凹槽，并利用现有的有机膜层例如有机平坦化层进行填充，制备工艺简单，能够在现有的显示面板制备工艺基础上做出较小的改动，就可以实现在阵列结构层中填充有机材料，以改善黑斑问题。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述显示面板还包括：信号走线层，设置于所述阵列结构层之上，所述信号走线层在所述第二部分上设置有信号走线，所述凹槽与所述信号走线的位置相对应。
一般地，位于非显示区的信号走线下方具有较厚的无机层叠加，因此可以在非显示区的信号走线下方膜层中设置凹槽，并填充第一有机材质，可以缓解无机层的应力集中以及防止裂纹扩展，有效黑斑问题，延长了显示面板的使用寿命。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述信号走线包括源极电源电压VSS信号走线。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽部分贯穿或全部贯穿所述阵列结构层。
凹槽的深度小于或等于阵列结构层的厚度。当凹槽全部贯穿阵列结构层时，可以尽可能多地在凹槽内填充第一有机材质，以缓解第二部分的应力集中问题。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述第二部分包括依次层叠设置的绝缘层、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层，其中所述绝缘层、所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述层间绝缘层均为无机膜层。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述栅绝缘层包括层叠设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述有机平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第一平坦化层包括所述第一有机材质，所述阵列结构层的所述第一部分设置有薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极、源漏电极；其中，所述有源层设置于所述缓冲层与所述第一栅绝缘层之间，且所述第一栅绝缘层包覆所述有源层且延伸至所述缓冲层；所述栅极设置于所述第一栅绝缘层与所述第二栅绝缘层之间，且所述第二栅绝缘层包覆所述栅极且延伸至所述第一栅绝缘层，所述栅极与所述有源层相对设置；所述源漏电极包括第一源漏电极部分和第二源漏电极部分，其中，所述第一源漏电极部分设置于所述层间绝缘层与所述第一平坦化层之间，且所述第一平坦化层包覆所述第一源漏电极部分，且所述第一平坦化层的所述第一有机材质填充于所述凹槽，其中，所述第一源漏电极部分依次穿过所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层、所述第一栅绝缘层，与所述有源层相连；所述第二源漏电极部分设置于所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间，且所述第二平坦化层包覆所述第二源漏电极部分且延伸至所述第一平坦化层，其中，所述第二源漏电极部分穿过所述第一平坦化层，与所述第一源漏电极部分相连；其中，第一信号走线部分设置于所述层间绝缘层上的与所述凹槽对应的区域，所述第一信号走线部分为与所述第二源漏电极部分同层制备的信号走线，所述第一信号走线部分覆盖所述凹槽中填充的所述第一有机材质以及所述凹槽周边的所述层间绝缘层。
本申请实施例中，利用多层平坦化层中的第一平坦化层填充凹槽，工艺简单。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述发光器件层包括层叠设置的阳极、有机发光层、阴极，其中，所述阳极设置于所述第二平坦化层之上，且所述阳极穿过所述第二平坦化层，与所述第二源漏电极部分相连；其中，第二信号走线部分设置于所述第一信号走线部分之上，且与所述第一信号走线部分相连，所述第二信号走线部分为与所述阳极同层制备的信号走线；所述阴极设置于所述有机发光层之上，覆盖所述有机发光层并延伸至所述第二信号走线部分。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述第一信号走线部分与所述第二信号走线部分为源极电源电压VSS信号走线的一部分。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽在所述显示面板的厚度方向上的截面形状为以下形状中的任意一种：矩形，三角形，梯形，平行四边形，折线形，波浪形，椭圆形，弧形，阶梯形；和/或，所述凹槽在所述显示面板所在的平面内的延伸方向为以下任意一种：直线型，曲线型，环型。
凹槽的截面形状可以是规则形状或不规则形状。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽沿所述第一部分的边缘延伸，其中所述凹槽为在延伸方向上连续的沟槽，或者为在所述延伸方向上的间断式沟槽。
凹槽连续时，制备该凹槽所用的掩膜板的加工工艺简单，能够在现有的显示面板制备工艺基础上做出较小改动，就可以制备凹槽。连续的凹槽可以填充较多的有机材料，能够有效缓解阵列结构层边缘处的应力集中问题。
间断式沟槽能够在阵列结构层中更为均匀地填充有机材料。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽的平均宽度为15微米～25微米。
合适的凹槽的宽度可以在阵列结构层中填充适量的有机材料，以同时满足对阵列结构层的封装性能要求和应力改善能力要求。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽包括相互平行的多个沟槽，所述多个沟槽沿所述第一部分的边缘延伸，其中，所述多个沟槽中相邻的两个沟槽之间的距离为20微米～25微米。
合适的凹槽间距能够同时满足对阵列结构层的封装性能要求和应力改善能力要求。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述多个沟槽中靠近所述第一部分边缘的沟槽的宽度大于或等于所述多个沟槽中靠近所述显示面板边缘的沟槽的宽度。
靠近第一部分的沟槽的宽度较大，沟槽内可以填充更多的有机材料，能够有效缓解该区域的应力集中，且有效阻隔裂纹扩展至第一区域而影响显示性能。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽与所述显示面板的边缘之间的最短距离为200微米～250微米。
由于阵列结构层的第二部分的无机层主要是用来完成封装，即用来防止水氧侵入，因此凹槽的最外侧与显示面板的边缘具有足够的距离，可以使得阵列结构层的边缘具有足够的无机层宽度来确保封装性能。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述衬底的材质为柔性材料。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述衬底的材质为聚酰亚胺材料。
结合第一方面，在一种可能的实现方式中，所述显示面板为有机发光二极管OLED显示面板。
第二方面，提供了一种显示装置，包括上述第一方面以及第一方面的任一种可能的实现方式所述的显示面板。
第三方面，提供了一种电子设备，包括上述第一方面以及第一方面的任一种可能的实现方式所述的显示面板。
第四方面，提供了一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区延伸的非显示区，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底之上形成阵列结构层，所述阵列结构层中设置有驱动电路，其中所述阵列结构层包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述显示区在所述阵列结构层上的投影部分，所述第二部分为所述非显示区在所述阵列结构层上的投影部分；在所述第二部分开设凹槽；在所述阵列结构层之上形成有机平坦化层，其中所述有机平坦化层覆盖所述第一部分，所述有机平坦化层还包括第一有机材质，所述第一有机材质填充于所述凹槽；在所述有机平坦化层之上形成发光器件层，其中所述发光器件层与所述显示区相对应，且与所述驱动电路电性连接；在所述发光器件层之上形成封装层，其中所述封装层覆盖所述发光器件层，且延伸至所述第二部分。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述制备方法还包括：在所述阵列结构层上形成信号走线层，其中所述信号走线层在所述第二部分上设置有信号走线，所述凹槽与所述信号走线的位置相对应。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述信号走线包括源极电源电压VSS信号走线。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述在所述衬底之上形成阵列结构层，包括：在所述衬底之上依次形成绝缘层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层，其中，所述有源层和所述栅极设置于所述第一部分，所述栅绝缘层包覆所述有源层且延伸至所述缓冲层，所述层间绝缘层包覆所述栅极且延伸至所述栅绝缘层；所述在所述第二部分开设凹槽，包括：对所述阵列结构层进行图案化处理，以在所述第一部分形成第一孔，在所述第二部分形成所述凹槽，其中所述第一孔贯穿所述层间绝缘层、所述栅绝缘层，且与所述有源层相连通，所述凹槽部分贯穿或全部贯穿依次层叠设置的所述层间绝缘层、所述栅绝缘层、所述缓冲层、所述绝缘层。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述在所述阵列结构层之上形成有机平坦化层，包括：在所述阵列结构层上涂布有机膜，所述有机膜覆盖所述第一部分和所述第二部分，且填充所述凹槽；对所述有机膜进行图案化处理，以去除所述阵列结构层的第二部分上的有机膜，且保留填充于所述凹槽内的有机膜。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽部分贯穿或全部贯穿所述阵列结构层。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述第二部分包括依次层叠形成的绝缘层、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层，其中所述绝缘层、所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述层间绝缘层均为无机膜层。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽在所述显示面板的厚度方向上的截面形状为以下形状中的任意一种：矩形，三角形，梯形，平行四边形，折线形，波浪形，椭圆形，弧形，阶梯形；和/或，所述凹槽在所述显示面板所在的平面内的延伸方向为以下任意一种：直线型，曲线型，环型。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽沿所述第一部分的边缘延伸，其中所述凹槽为在延伸方向上连续的沟槽，或者为在所述延伸方向上间断式沟槽。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽的平均宽度为15微米～25微米。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽包括相互平行的多个沟槽，所述多个沟槽沿所述第一部分的边缘延伸，其中，所述多个沟槽中相邻的两个沟槽之间的距离为20微米～25微米。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述多个沟槽中靠近所述第一部分边缘的沟槽的宽度大于或等于所述多个沟槽中靠近所述显示面板边缘的沟槽的宽度。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述凹槽与所述显示面板的边缘之间的最短距离为200微米～250微米。
结合第四方面，在一种可能的实现方式中，所述衬底的材质为柔性材料。
其中第四方面所述方法的有益效果可以参考第一方面装置的有益效果，在此不再赘述。
附图说明
图1是一种电子设备的示意性结构图；
图2是图1中的电子设备内的显示模组的示意性结构图；
图3是OLED显示面板的发光原理示意图；
图4是OLED显示面板的驱动原理示意图；
图5是OLED显示面板的示意性俯视图；
图6是本申请实施例提供的一种显示面板的示意性剖视图；
图7是OLED显示面板产生黑斑问题的示意图；
图8是图6中的凹槽的示意性剖面图；
图9是图6中的凹槽的示意性俯视图；
图10是图6中的凹槽的示意性剖面图；
图11是本申请实施例提供的另一种显示面板的示意性剖视图；
图12是本申请实施例提供的一种显示面板的示意性俯视图；
图13是本申请实施例提供的一种显示面板的示意性剖视图；
图14-17是图13中的显示面板的制备流程示意图；
图18是本申请实施例提供的显示面板和现有显示面板的弯折应变仿真示意图；
图19是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图。
附图标记：
01-显示模组；02-壳体；101-显示面板；1011-阳极；1012-空穴传输层；1013-有机发光层；1014-电子传输层；1015-阴极；1016-衬底基板；1017-行电极；1018-列电极；1010-显示单元；102-盖板；103-裂纹；11-衬底；111-第一基板；112-隔离层；113-第二基板；12-阵列结构层；1201-驱动电路；1202-凹槽；1203-第一孔；1204-第二孔；1205-第三孔；1206-开孔；121-绝缘层；122-缓冲层；123-TFT层；1231-有源层；1232-栅极；1233-第一源漏电极部分；1234-第二源漏电极部分；124-存储电容；1241-第一电极；1242-第二电极；125-栅绝缘层；1251-第一栅绝缘层；1252-第二栅绝缘层；126-层间绝缘层；1261-第一层间绝缘层；1262-第二层间绝缘层；13-发光器件层；131-阳极；132-有机发光层；133-阴极；134-像素支撑层；14-封装层；144-堤坝；145-沟槽；15-填充层；16-有机平坦化层；161-第一平坦化层；162-第二平坦化层；163-第三平坦化层；171-阵列基板行驱动；172-阵列基板发光驱动；18-源极电源电压；181-第一信号走线部分；182-第二信号走线部分；19-像素定义层；141-第一化学气相沉积层；142-喷墨打印层；143-第二化学气相沉积层。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
本申请实施例中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
本申请实施例的描述中，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“垂直”、“水平”等指示的方位或位置关系为相对于附图中的部件示意放置的方位或位置来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，而不是指示或暗示所指的装置或元器件必须具有的特定的方位、或以特定的方位构造和操作，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化，因此不能理解为对本申请的限定。
还需说明的是，本申请实施例中以同一附图标记表示同一组成部分或同一零部件，对于本申请实施例中相同的零部件，图中可能仅以其中一个零件或部件为例标注了附图标记，应理解的是，对于其他相同的零件或部件，附图标记同样适用。
图1示出了一种电子设备100的示意性结构图。
本申请实施例所涉及的电子设备可以为手持设备、车载设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备。电子设备包括但不限于蜂窝电话(cellularphone)、电视(television)、智能手机(smart phone)、个人数字助理(personal digitalassistant，PDA)电脑、数字相机、平板型电脑、手提电脑、膝上型电脑(laptop computer)、智能手表(smart watch)、智能手环(smart wristband)、车载电脑、台式计算机、计算器以及其他具有显示功能的电子设备等。本申请实施例对电子设备的具体形式不作特殊限制，以下为了方便说明和理解，是以电子设备为终端设备例如手机为例进行的说明。
应理解，图1仅示意性的示出了电子设备100包括的一些部件，这些部件的形状、大小和构造不受图1限定。在其他一些实施例中，电子设备100还可以包括比图示更多或更少的部件，本申请实施例不作限定。在另一些实施例中，电子设备100的类型不同，电子设备100所包括的部件不同，本申请实施例提供的电子设备结构仅为示例性说明。
参考图1，电子设备100可以包括显示模组01和壳体02。
壳体02形成有容纳空间，用于收容电子设备100的各种元器件。壳体02还可以起到保护电子设备100和支撑整机的作用。
显示模组01用于显示图像。显示模组01设置于壳体02形成的容纳空间中，并与壳体02相连接。
其中，显示模组01，如图2所示，包括显示面板(display panel，DP)101。
本申请实施例中，显示面板101为有机发光二极管(organic light emittingdiode，OLED)显示面板，该OLED显示面板能够实现自发光，无需背光源。本申请实施例主要关注显示面板101为OLED显示面板的场景，因此若无特殊说明，以下实施例中所涉及的显示面板均可以理解为是OLED显示面板。所以OLED显示面板在以下实施例中也可以简称为显示面板或显示屏。
在本申请的一些实施例中，如图2所示，上述显示模组01还包括位于显示面板101显示侧的盖板102，例如盖板玻璃(cover glass，CG)。该盖板玻璃具有一定的韧性。
OLED显示面板的自发光原理示意图如图3所示。
OLED显示面板一般可以包括阳极(anode)1011、空穴传输层1012、有机发光层1013、电子传输层1014、阴极(cathode)1015。有机发光层1013位于电子传输层1014和空穴传输层1012之间，阴极1015设置于电子传输层1014远离有机发光层1013的一侧，阳极1011设置于空穴传输层1012远离有机发光层1013的一侧。
当在阳极1011施加电压后，阴极1015产生电子，阳极1011产生空穴。在电场力的作用下，阴极1015产生的电子和阳极1011产生的空穴会发生移动，分别穿过电子传输层1014和空穴传输层1012，迁移到有机发光层1013。由于空穴和电子分别带正电和负电，当二者在有机发光层1013相遇时，会激发有机材料发光。若阳极1011采用透明材料例如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)制成，则有机发光层1013发出的光从阳极1011一侧射出，这种结构也可以称为底发光结构。若阴极1015采用透明材料制成，则有机发光层1013发出的光从阴极1015一侧射出，这种结构也可以称为顶发光结构。通过控制电压或电流的大小，可以调整OLED显示面板的发光亮度。
显示面板101包括很多微小的显示单元，每个显示单元都由集成于显示单元后面的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)来驱动，实现各个显示单元点对点的独立控制。如图4所示，显示面板的衬底基板1016上呈阵列式排布着显示单元1010，显示单元1010之间设置有互相绝缘的、相互垂直的行电极1017和列电极1018。行电极1017和列电极1018的交点附近制备有薄膜晶体管TFT。
从俯视的角度看，行电极1017一般横向(例如图中的X方向)布置，用于控制一行显示单元的打开和关闭，也即用于控制TFT的开和关。行电极1017上施加扫描电压，在一些实施例中行电极1017也可以称为扫描线(scan line)、选通线、扫描电极、X电极等。列电极1018一般纵向(例如图中的Y方向)布置，用于向显示单元1010传输电压，该电压用于驱动显示单元1010发光。具体而言，列电极1018上施加数据电压，该数据电压与阴极1015上施加的电压配合以使有机发光层1013发光。在一些实施例中列电极1018也可以称为数据线(dataline)、信号线、信号电极、Y电极等。
薄膜晶体管TFT可以主动地对屏幕上的各个独立的显示单元1010进行控制，是显示屏上每个显示单元1010点亮与关闭的开关。具体地，TFT是一个三端开关管，包括栅极(gate，G)、源极(source，S)和漏极(drain，D)。参考图4，TFT的栅极G连接至横向的行电极1017，源极S连接至纵向的列电极1018，漏极D连接至阳极1011。在栅极G没有电压时，在源极S与漏极D之间不会有电流流过，此时TFT处于截止状态，显示单元1010不能调整显示。在行电极1017上施加足够的电压时，电性连接至该行电极1017上的TFT打开，列电极1018上的数据电压能够控制显示单元1010的发光亮度，实现显示效果。也就是说，在显示单元1010所在的行电极1017和列电极1018同时施加电信号时，该显示单元1010对应的TFT导通，该显示单元1010被选通。TFT开和关的时间由行电极1017控制。
应理解，图4所示的OLED显示面板的结构以及驱动电路仅仅是示例性地，仅用于对OLED显示面板的基本结构和工作原理作简要介绍，不应理解为对本申请的限定。在其他一些实施例中，OLED显示面板也可以采用其他形式的面板结构和驱动电路，本申请实施例对此不作限定。
显示单元1010可以采用独立的发光材料制备，以得到红色(red，R)、绿色(green，G)、蓝色(blue，B)三原色，实现彩色化。例如某个显示单元1010若由能发出红色光的发光材料制备，该显示单元1010就可以发红光，若该显示单元1010由能发出绿色光的发光材料制备，该显示单元1010就可以发绿光。当然也可以通过彩色滤光膜得到三原色，即每个显示单元1010均发出白光，使白光透过彩色滤光膜可以得到R、G、B三原色。R、G、B三原色各自拥有不同的灰阶变化，临近的三个RGB显示的显示单元可以视为一个显示的基本单位，即像素(pixel)。相应地，显示单元1010也可以称为像素单元、像素点或子像素等。像素可以将三原色以不同的强弱比例混合而呈现不同的色彩变化。
显示面板101上设置有呈阵列排布的驱动电路，在驱动电路的上方的部分区域设置有显示单元，因此显示面板101通常并非是整面发光的。图5示出了OLED显示面板的示意性俯视图。如图5所示，显示面板101包括显示区和围绕显示区延伸的非显示区。显示区设置有显示单元和用于驱动显示单元发光的像素电路等，显示区用于显示图像。非显示区则未设置显示单元，一般设置有阵列基板行驱动(gate on array，GOA)的驱动电路等。
目前OLED显示屏多会出现黑斑问题，即显示屏的显示区存在黑点或黑块而不能正常显示图像。这是因为OLED器件中所用的材料大多数是对水汽和氧气极度敏感的，如果器件封装性能不好导致水氧侵入的话，侵入显示屏内部的水汽和氧气会对显示区的有机电致发光(electroluminescent，EL)材料产生作用，使有机EL材料发生变化而不能发光。
有一些黑斑在形成后，会随着时间的增加而慢慢变大，最终可能导致整个显示面板失效，这种黑斑也叫可以生长的黑点(grow dark spot，GDS)。GDS是黑斑问题中的一个痼疾，特别是显示区边缘处产生的GDS约占显示屏黑斑的80％。
因此，本申请实施例提供了一种OLED显示面板，能够显著改善黑斑问题。
图6示出了本申请实施例提供的一种OLED显示面板的示意性剖面图。图6可以为图5中的显示面板沿A-A线剖开的示意性剖视图。
如图6所示，显示面板200包括衬底11、阵列结构层12、发光器件层13、封装层14、填充层15。
衬底11是形成其他膜层的基体，主要起到支撑作用和密封封装作用。
衬底11可以采用柔性材料，例如柔性树脂材料、柔性塑料材料或者超薄金属等制成。在此情况下，显示面板200为柔性显示面板，或称柔性显示屏。
或者，衬底11还可以采用质地较硬的材料，例如玻璃制成。在此情况下，显示面板200为硬质显示面板，或称硬质显示屏。
阵列结构层12设置于衬底11之上，用于形成驱动电路1201，以驱动发光器件层13发光。换言之，阵列结构层12中设置有驱动电路1201。应理解，图6中驱动电路1201的位置和形式仅仅是示例性的，其对具体的驱动电路的结构、形式和位置不造成任何限定。
发光器件层13设置于阵列结构层12之上，用于形成显示图像的显示单元。发光器件层13与显示面板的显示区相对应，且与阵列结构层中的驱动电路1201电性连接。可以理解的是，发光器件层13能够发光的全部区域即为显示面板的显示区。
该阵列结构层12包括与显示面板的显示区对应的第一部分和与显示面板的非显示区对应的第二部分，其中与显示区对应的第一部分为阵列结构层12上与发光器件层13对应的部分，与非显示区对应的第二部分则为阵列结构层12上除了与发光器件层13对应的部分之外的其他部分。
本申请实施例中，第一部分与显示区对应，可以理解为第一部分为显示区在阵列结构层12上的投影部分，具体地，第一部分为阵列结构层12上与显示区在阵列结构层上的投影区域对应的部分。第二部分与非显示区对应，可以理解为第二部分为非显示区在阵列结构层12上的投影部分，具体地，第二部分为阵列结构层12上与非显示区在阵列结构层上的投影区域对应的部分。这里，显示区和非显示区在阵列结构层12上的投影，可以理解为显示区和非显示区沿显示面板的厚度方向上的投影。
驱动电路1201包括薄膜晶体管TFT层，其设置于阵列结构层12上与显示区对应的第一部分。TFT层包括多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管用于控制发光器件层13上与该薄膜晶体管对应的显示单元的开和关。
该阵列结构层12上与非显示区对应的第二部分设置有凹槽1202，填充层15设置于该凹槽1202中。填充层15为有机材料，例如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、丙烯酸树脂、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、酚醛树脂、环氧树脂、聚丁二烯、聚异戊二烯、氯丁橡胶、丁基橡胶等。换句话说，将有机材料填充于凹槽1202中，处于凹槽1202中的有机材料即形成了填充层15。
封装层14设置于发光器件层13之上，包覆发光器件层13并延伸至阵列结构层12上的第二部分。其中，封装层14覆盖发光器件层13的区域对应显示面板的显示区，封装层14覆盖阵列结构层12的区域对应显示面板的非显示区。封装层14主要起到封装作用，防止水氧侵入。本申请实施例中，封装层14可以采用薄膜封装(thin-film encapsulation，TFE)工艺制备，因此封装层14也可以称为薄膜封装层。
本申请实施例中，衬底11与发光器件层13之间的膜层(例如阵列结构层12)也可以称为背板(backplane，BP)层。在制备过程中，形成背板层的工艺可以称为背板工艺，背板工艺是通过成膜、曝光、蚀刻等工艺叠加不同图形、不同材质的膜层以形成驱动电路1201，从而为发光器件提供点亮信号和电源输入。
图7示出了OLED显示面板产生黑斑问题的示意图，其中阵列结构层12的第二部分未设置如图6中所示的凹槽1202和填充层15。下面结合图7说明本申请实施例提供的OLED显示面板是如何改善黑斑问题的。
通过对图7所示的OLED显示面板做聚焦离子束(focused ion beam，FIB)切片发现，显示区边缘处产生的GDS附近存在裂纹103，该裂纹103垂直于显示面板的边缘，其在显示面板的厚度方向上的起裂点为阵列结构层12，具体参考图7中所示。分析该裂纹位置发现，裂纹103的产生位置存在较厚的无机层叠加，弹性模量较高，应力较为集中。因此在显示屏发生弯折或外力撞击时，该位置极易产生裂纹，从而引起水氧侵入，产生黑斑。
也就是说，阵列结构层12的第二部分存在较厚的无机层(本申请实施例中可以称为BP无机层)，在显示屏受到撞击或弯折时，BP无机层容易产生裂纹，进而产生黑斑问题。而本申请实施例提供的显示面板中，阵列结构层12的第二部分设置有凹槽，且凹槽内填充有有机材料，能够有效缓解该区域因无机层较厚所引起的应力集中的问题。在显示面板发生弯折或遭遇外力撞击时，填充有机材料的区域不易产生裂纹，水氧不易侵入，因此可以避免或减少黑块或黑点的出现，从而改善了OLED显示屏的黑斑问题。另外，在无机层较厚的区域填充有机材料，能够阻隔已产生的裂纹继续扩展，避免或减少黑块的出现，或者减慢黑块生长的速度，也能够改善OLED显示屏的黑斑问题。
应理解，本申请实施例所示出的显示面板200的结构仅仅是示例性的，在其他的一些实施例中，显示面板200可以具有更为具体的膜层堆叠方式，以下将结合附图进行详细举例，在此暂不详述。
返回继续参考图6，阵列结构层12上设置的凹槽1202的形状可以有多种形式，在实际应用中可以根据需要进行相应设计。
图8示出了图6中的凹槽的示意性剖面图，即示出了凹槽在显示面板厚度方向所在的平面内的截面形状的示意图。
示例性的，如图8所示，凹槽1202的截面形状可以为矩形(参考图8中的(a)所示)、三角形(参考图8中的(b)所示)、梯形(参考图8中的(c)所示)、平行四边形(参考图8中的(d)所示)，可以是折线形(参考图8中的(e)所示)、波浪形(参考图8中的(f)所示)、椭圆形(参考图8中的(g)所示)、手电筒形(参考图8中的(h)所示)、阶梯形、弧形，还可以是其他的规则形状或不规则形状(参考图8中的(i)所示)等。
图9示出了图6中的凹槽的示意性俯视图，即示出了凹槽在显示面板所在的平面内的形状的示意图。
示例性的，如图9所示，凹槽1202在显示面板所在的平面内的形状可以为直线型(参考图9中的(a)、(b)、(c)所示)，可以为曲线型(参考图9中的(d)、(e)、(f)所示)，还可以为环型(参考图9中的(g)、(h)、(i)所示)，或者是其他的规则形状或不规则形状等。应理解，本申请实施例中所涉及的凹槽在显示面板所在平面内的形状可以理解为是凹槽在该平面内的延伸趋势或延伸方向，这里对于凹槽在显示面板厚度方向所在的平面内的截面形状不作限定，例如凹槽的截面形状可以为图8中示出的任意一种形状。
作为一个示例，凹槽1202在显示面板所在的平面内的形状为直线型。直线型的凹槽也可以理解为该凹槽1202在该平面内沿直线方向延伸。
例如图9中的(a)所示的位于阵列结构层的第二部分的粗线，即为凹槽1202的延伸方向示意图。假设显示面板的显示区为方形，阵列结构层的第一部分相应也为方形，则在方形的长度方向上，该凹槽1202可以为与第一部分的长度大致相当的长槽。也就是说，该凹槽1202沿第一部分的长度方向延伸，且从第一部分在长度方向上一端延伸到另一端。或者说，该凹槽1202在第一部分的长度方向上为实线型槽。在方形的宽度方向上(图中未示出)，该凹槽1202可以为与第一部分的宽度大致相当的长槽，或者说该凹槽1202在第一部分的宽度方向上为实线型槽。换言之，凹槽1202也可以为沿第一部分的边沿方向上延伸的实线型槽。
换句话说，凹槽1202可以沿阵列结构层的第一部分的边缘延伸，其中凹槽1202为在延伸方向上连续的凹槽。
在一些实施例中，阵列结构层的第二部分可以设置一个或多个实线型槽。当设置多个实线型槽时，该多个实线型槽可以平行排列，也可以交叉排列。
实线型凹槽形状简单，制备该实线型凹槽所用的掩膜板的加工工艺简单，因此能够在现有的显示面板制备工艺基础上做出较小改动，以对阵列结构层进行图案化处理，从而得到凹槽，并在凹槽中填充有机材料。另外，凹槽1202的长度与第一部分的长度大致相当，因此可以在阵列结构层中填充较多的有机材料，能够有效缓解阵列结构层边缘处的应力集中问题。
再如图9中的(b)和(c)所示的位于第二部分的粗线，即为凹槽1202的示意图。与图9中的(a)不同的是，这里凹槽1202在第一部分的边沿方向(例如第一部分的长度方向或宽度方向)上包括多个子槽，相邻两个子槽之间首尾邻近但不连通。或者说，该凹槽1202为沿第一部分的边沿方向上延伸的虚线型槽。或者可以理解为，凹槽1202可以沿阵列结构层的第一部分的边缘延伸，其中凹槽1202为在延伸方向上断续的凹槽，也可以称为间断式凹槽。
虚线型凹槽的设置方式能够在阵列结构层中较为均匀地填充有机材料，从而有效缓解阵列结构层边缘处的应力集中问题。
在一些实施例中，阵列结构层的第二部分可以设置一个或多个虚线型槽。当设置多个虚线型槽时，该多个虚线型槽可以平行排列。这里将相邻的两个虚线型槽中的一个称为第一虚线型槽，另一个称为第二虚线型槽。本申请实施例中，第一虚线型槽所包括的多个子槽与第二虚线型槽所包括的多个子槽在垂直于第一部分边沿的方向上的投影可以完全重叠，例如图9中的(b)所示。或者，第一虚线型槽所包括的多个子槽与第二虚线型槽所包括的多个子槽在垂直于第一部分边沿的方向上的投影可以部分重叠，也即第一虚线型槽所包括的多个子槽与第二虚线型槽所包括的多个子槽在垂直于第一部分边沿的方向上交错排列，例如图9中的(c)所示。
类似地，当设置多个虚线型槽时，该多个虚线型槽可以交叉排列。其中第一虚线型槽所包括的子槽可以与第二虚线型槽所包括的子槽互不连通，或者第一虚线型槽中的第一子槽与第二虚线型槽中的第二子槽连通。本申请实施例对此不作限定。
虚线型槽中的子槽交错排列的设置方式能够在阵列结构层中更为均匀地填充有机材料，可以有效缓解阵列结构层边缘处的应力集中问题。
作为另一个示例，凹槽1202在显示面板所在平面内的形状为曲线型。曲线型的凹槽也可以理解为该凹槽在该平面内沿曲线方向延伸。
例如，图9中的(d)-(f)所示的位于第二部分的粗线，即为凹槽1202的示意图。凹槽1202沿第一部分的边沿方向延伸，凹槽1202可以是在延伸方向上连续的曲线槽(与实线型槽类似)，也可以是间断的曲线槽(与虚线型槽类似)。
在一些实施例中，阵列结构层的第二部分可以设置一个或多个曲线型槽。
当设置一个曲线型槽时，例如图9中的(d)所示，在垂直于第一部分边沿的方向上，该曲线型槽上的相距第一部分边沿最远的点(以下简称最远点)与相距第一部分边沿最近的点(以下简称最近点)之间的距离可以略小于第二部分在该方向上的宽度，例如该曲线型槽上的最远点最近点之间的距离小于或等于第二部分在该方向上的宽度的80％。这里所说的第一部分的边沿是指第一部分的外沿，即显示面板的边沿。
当设置多个曲线型槽时，该多个曲线型槽可以平行排列，例如图9中的(e)所示。应理解，这里所说的曲线型槽平行排列，可以理解为在垂直于第一部分边沿的方向上，两个曲线型槽在同一方向上的对应位置的切线相互平行。
当设置多个曲线型槽时，该多个曲线型槽可以交叉排列，例如图9中的(f)所示。这里将相交叉的两个曲线型槽中的其中一个称为第一曲线型槽，另一个称为第二曲线型槽。第一曲线型槽与第二曲线型槽在交叉点相连通，在非交叉点不连通。第一曲线型槽与第二曲线型槽整体看上去类似麻花状。当然，在一些实施例中，也可以将第一曲线型和第二曲线型槽看作是一个曲线型槽的两个槽部分，本申请实施例对此不作限定。
曲线型槽的延伸形式可以为波浪型，例如正弦型或余弦型等。
在阵列结构层中设置曲线型凹槽，能够在阵列结构层中填充较多的有机材料，从而有效缓解阵列结构层边缘处的应力集中问题。曲线型槽也较为容易加工，成本较低。
作为又一个示例，凹槽1202在显示面板所在平面内的形状为环型。环型凹槽也可以理解为该凹槽1202的首尾相接或首尾连通。
在一些实施例中，该环型槽可以是圆环槽、椭圆环槽、方环槽、以及其他规则的或者不规则形状的环型槽等。
在一些实施例中，阵列结构层的第二部分可以设置多个环型槽，该多个环型槽在阵列结构层上可以在第一部分的边沿方向上规则排列，例如图9中的(g)所示，也可以不规则地排列，例如图9中的(h)所示，本申请实施例对此不作限定。其中该多个环型槽的形状可以相同，也可以不同。
在一些实施例中，该环型槽可以沿着第一部分的边沿方向延伸，例如图9中的(i)所示。
作为再一个示例，凹槽可以包括在阵列结构层上形成的相互不连通的多个凹坑。该多个凹坑可以是规则排列的，也可以是不规则排列的，本申请实施例不作限定。
如上所述，显示屏的非显示区围绕显示区设置，相应地，阵列结构层的第二部分围绕着该阵列结构层的第一部分。凹槽可以设置在第二部分中的部分或全部区域。
以显示屏为方形为例，凹槽可以设置在第二部分上位于方形长边侧的区域，例如图9中的(a)-(h)所示。一般来说，显示屏在受到外力撞击时，阵列结构层在长边侧的部分更容易产生裂纹，或者对于可折叠显示屏来说，阵列结构层在长边侧存在弯折形变而容易产生裂纹。在经常产生裂纹的部分设置凹槽，并填充有机材料，能够有效缓解该部分的应力集中，减少或避免产生裂纹，从而减少黑斑问题。
当然，凹槽也可以环绕第一部分设置，例如图9中的(i)所示。这样，阵列结构层上无机层较厚的部分都填充有有机材料，减少黑斑问题的效果更好。
需要说明的是，图9中第一部分和第二部分的形状以及设置方式仅仅是示例性的，在实际应用中，不同电子设备对于第一部分和第二部分可以有其他设置方式，本申请实施例对此不作限定。另外，图9中凹槽的形状、位置等也仅是示例性的，本领域技术人员可以根据实际需要对凹槽进行相应设计，本申请实施例不作特殊限定。
以上结合图8和图9分别从凹槽的截面形状和凹槽在第二部分的延伸趋势方面描述凹槽的形状，若从立体角度描述凹槽的形状，则可以包括上述两方面的特征。例如，图6中所示的凹槽1202可以是矩形直槽、梯形直槽、矩形曲线槽、梯形曲线槽、矩形环槽、梯形环槽等，这里仅作示例性说明，不再一一列举。
本申请实施例中，凹槽的宽度、凹槽之间的间隔可以根据实际需要进行相应设计。
例如，以图8示出的凹槽截面为例，凹槽的宽度可以为15微米(μm)～25微米(μm)。示例性的，凹槽的宽度可以为15μm、18μm、20μm、23μm、25μm等。合适的凹槽的宽度可以在阵列结构层中填充适量的有机材料，以同时满足对阵列结构层的封装性能要求和应力改善能力要求。
需要说明的是，凹槽的宽度在深度方向上可以是等宽的，也可以是不等宽的。对于等宽的凹槽来说，其宽度在深度方向上是均一的。对于不等宽的凹槽来说，其宽度在深度方向上尺寸不一，在实际应用中，根据凹槽的形状，可以将凹槽在深度方向上的平均宽度视为凹槽的宽度，或者将凹槽在深度方向上的最大宽度视为凹槽的宽度。对于凹槽是凹坑的情况来说，在实际应用中，可以将凹槽的径向尺寸的平均值视为凹槽的宽度。
例如，以图9示出的凹槽俯视图为例，凹槽之间的间隔可以为20μm～25μm。示例性的，凹槽之间的间隔可以为20μm、22μm、23μm、25μm等。需要说明的是，本申请实施例中所涉及的凹槽之间的间隔，可以理解为相邻两个凹槽之间的最短距离。
在一些实施例中，凹槽可以包括相互平行的多个沟槽，该多个沟槽沿第一部分的边缘延伸，该多个沟槽中相邻的两个沟槽之间的距离为20微米～25微米。合适的凹槽间距能够同时满足对阵列结构层的封装性能要求和应力改善能力要求。
在一些实施例中，该多个沟槽中靠近第一部分边缘的沟槽的宽度大于或等于多个沟槽中靠近显示面板边缘的沟槽的宽度。
下面以阵列结构层的第二部分设置多个平行排列的实线型槽，且该多个实线槽沿第一部分的边沿方向延伸的情况为例，例如图9中的(a)所示，说明该多个实线型槽的设置方式。
参考图10中的(a)所示，该多个实线型槽的宽度可以是相同的，例如均为a1。该多个实线型槽中任意两个相邻的实线型槽之间的间隔可以相同的，例如均为b1。
在一些实施例中，该多个实线型槽的宽度也可以是不同的。
例如，参考图10中的(b)所示，该多个实线型槽中靠近第一部分的实线型槽的宽度可以大于其他实线型槽的宽度，例如靠近第一部分的实线型槽的宽度为a2，其他实线型槽的宽度均为a1，a2大于a1。靠近第一部分的实线型槽的宽度较大，凹槽内可以填充更多的有机材料，能够有效缓解该区域的应力集中，且有效阻隔裂纹扩展至第一区域而影响显示性能。
例如，参考图10中的(c)所示，该多个实线型槽中可以包括交替排列的宽度不同的实线型槽，例如较窄的一种实线型槽的宽度为a1，较宽的一种实线型槽的宽度为a2，两种实线型槽在垂直第一部分边沿的方向上交替排列。
在一些实施例中，该多个实线型槽中任意两个相邻的实线型槽之间的间隔也可以是不同的。
例如，参考图10中的(d)所示，该多个实线型槽中靠近第一部分的两个实线型槽之间的间隔可以大于其他的相邻实线型槽之间的间隔，例如靠近第一部分的两个实线型之间的间隔为b2，其他实线型槽之间的间隔均为b1，b2大于b1。阵列结构层上靠近边缘位置处具有较厚的无机层叠加，即第二部分的边缘区域更容易发生开裂，在这个区域设置密度较高的凹槽，该区域的无机层中可以填充更多的有机材料，从而有效缓解该区域的应力集中，且有效阻隔裂纹扩展。
应理解，当凹槽为多个虚线型槽或多个曲线型槽时，设置方式类似，不再赘述。
本申请实施例中，为了保证阵列结构层的第二部分的封装性能，可以根据实际需要对凹槽与显示屏边缘的距离进行相应设计。本申请实施例中，凹槽与显示面板的边缘之间的最短距离为200微米～250微米。例如，当凹槽包括多个沟槽时，靠近阵列结构层边缘位置的沟槽与阵列结构层的边缘的距离可以为200μm～250μm。由于阵列结构层的第二部分的无机层主要是用来完成封装，即用来防止水氧侵入，因此凹槽的最外侧与显示面板的边缘具有足够的距离，可以使得阵列结构层的边缘具有足够的无机层宽度来确保封装性能。
应理解，这里沟槽与阵列结构层的边缘(可以理解为与显示面板的边缘相同)的距离，可以理解为是该沟槽相距阵列结构层边缘最近的点到该边缘的距离。
本申请实施例中，凹槽的深度小于或等于阵列结构层的厚度。即，凹槽可以部分贯穿或全部贯穿阵列结构层。
在一些实施例中，凹槽的深度大于或等于阵列结构层的厚度的二分之一。这样可以在阵列结构层的第二部分填充较多的有机材料，以缓解第二部分的应力集中问题。
本申请实施例中，通过对显示面板的非显示区的阵列结构层(即BP无机层)进行图案化处理，并填充有机物，能够缓解BP无机层的应力集中以及防止裂纹扩展，有效改善显示面板边缘封装位置无机层开裂的问题，从而改善了因BP无机层开裂导致的GDS类黑斑问题，延长了显示面板的使用寿命，提升了用户的使用体验。
图11示出了本申请实施例提供的另一种OLED显示面板的示意性剖面图。
如图11所示，显示面板300包括衬底11、阵列结构层12、有机平坦化层16、发光器件层13、封装层14。
衬底11是形成其他膜层的基体，主要起到支撑作用和密封封装作用。
阵列结构层12设置于衬底11之上，用于形成驱动发光器件层13发光的驱动电路1201。
该阵列结构层12包括第一部分和第二部分，第一部分为显示区在阵列结构层12上的投影部分，第二部分为非显示区在阵列结构层12上的投影部分。
驱动电路1201包括薄膜晶体管层，其设置于阵列结构层12的第一部分。薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，该多个薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管用于控制发光器件层13上与该薄膜晶体管对应的显示单元的开和关。该阵列结构层12的第二部分设置有凹槽1202。
有机平坦化(planarization，PLN)层16设置于阵列结构层12之上，用于为发光器件层13提供平坦化的表面，利于光的取出。
有机平坦化层16覆盖阵列结构层12的第一部分。凹槽1202中填充有第一有机材质，其中有机平坦化层16包括该第一有机材质。换句话说，有机平坦化层16包括覆盖第一部分的有机材料和填充于凹槽1202的有机材料(即第一有机材质)。第一有机材质与有机平坦化层16的材质相同。
发光器件层13设置于有机平坦化层16之上，用于形成显示图像的显示单元。
封装层14设置于发光器件层13之上，包覆发光器件层13并延伸至阵列结构层12的第二部分。其中，封装层14覆盖阵列结构层12的第二部分以及覆盖填充于凹槽1202中的第一有机材质。封装层14主要起到封装作用，防止水氧侵入。
图11所示的显示面板300与图6所示的显示面板200不同之处在于，显示面板200的填充层15可以是为了填充凹槽1202而单独设置的膜层。而显示面板300本身可以包括用于提供平坦化表面的有机平坦化层16，因此显示面板300中可以利用有机平坦化层16填充凹槽1202。这样填充于凹槽1202的第一有机材质相当于显示面板200中的填充层15。显示面板300中关于各个膜层的功能、凹槽1202的设置方式等与显示面板200中类似，详述描述可参见上文，为简洁，在此不再赘述。
本申请实施例中，在显示面板的非显示区制备出凹槽，并利用现有的有机膜层例如平坦化层进行填充，制备工艺简单，能够在现有的显示面板制备工艺基础上做出较小的改动，就可以实现在阵列结构层中填充有机材料，以改善黑斑问题。
在一些实施例中，显示面板还包括位于阵列结构层之上的信号走线层，该信号走线层在阵列结构层的第二部分上设置有信号走线，第二部分上设置的凹槽与该信号走线的位置相对应。
一般地，位于非显示区的信号走线下方具有较厚的无机层叠加，因此可以在非显示区的信号走线下方膜层中设置凹槽，并填充有机物，可以缓解BP无机层的应力集中以及防止裂纹扩展，有效黑斑问题，延长了显示面板的使用寿命。
在一些实施例中，该信号走线可以包括源极电源电压(voltage of sourceseries，VSS)信号走线。
在一些实施例中，阵列结构层的第二部分包括依次层叠设置的绝缘层、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层，其中绝缘层、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层均为无机膜层。
下面结合附图12-17更加详细地描述本申请实施例的一些具体的非限制性的例子。应理解，以下实施例中仅示例性地示出一种显示面板结构采用了上述设置凹槽并填充有机物的方式来改善黑斑问题。但上述改善黑斑问题的结构同样可以适用于其他的显示面板，在此不再一一详述。
图12示出了本申请实施例提供的一种显示面板的示意性俯视图。
如图12所示，显示面板400包括显示区和围绕显示区延伸的非显示区。
显示区设置有显示单元，用于显示图像。在一些实施例中，显示区也可以称为像素区、像素发光区、阵列区(array area，AA)。
自显示区到显示面板的边缘，非显示区依次包括阵列基板行驱动(gate onarray，GOA)区、源极电源电压(voltage of source series，VSS)区、喷墨打印层(ink jetprinting，IJP)堤坝(dam)区、裂纹(crack)阻隔区、热影响区。
GOA区用于提供阵列基板的行驱动，即为控制显示单元开和关的TFT提供驱动。这里阵列基板可以理解为是在衬底上形成阵列结构层后的结构，阵列基板包括驱动电路和衬底。
VSS区用于提供源极电压，具体地，VSS区用于为OLED显示面板中的阴极(例如参考图3中阴极1015)提供电压。
IJP堤坝区用于防止显示面板上涂覆的喷墨打印层溢流，以实现较好的边缘封装效果。
裂纹阻隔区用于防止切割显示面板时的切割裂纹延伸至显示区，导致水氧侵入。
热影响区是为显示面板切割制程所预留的区域，若切割过程中产生裂纹，该热影响区可以阻隔切割裂纹。
应理解，本申请实施例对显示面板上的区域的划分仅仅是示例性的，图12以及之后的附图中仅是示意性示出各个区域的大致位置，区域之间并没有十分严格的界限。
图13示出了本申请实施例提供的一种OLED显示面板的示意性剖面图。例如图13可以为图12中的显示面板沿B-B线剖开的示意性剖视图。
如图13所示，显示面板的膜层堆叠均在衬底11上进行。衬底11可以包括层叠设置的第一基板111、隔离层112、第二基板113。隔离层112位于第一基板111和第二基板113之间，且分别与第一基板111和第二基板113相贴合。
第一基板111和第二基板113是制备显示面板的衬底，后续薄膜晶体管TFT、蒸发、封装等均在衬底上进行。第一基板111和第二基板113可以为玻璃基板，则显示面板为硬质显示面板。第一基板111和第二基板113可以为聚酰亚胺(polyimide，PI)基板(substrate)，则显示面板为柔性显示面板。
聚酰亚胺PI是一种具有韧性的塑料材料，具有较高的拉伸强度、弯曲强度和压缩强度，具有突出的抗蠕变性和尺寸稳定性。聚酰亚胺PI可以像玻璃一样，与TFT和PI上的有机层堆叠在一起。聚酰亚胺PI初始状态为液体，为了用作制造显示面板的衬底，可以先将PI材料涂布在被称为载体玻璃的玻璃衬底上，然后固化形成。
隔离层(barrier)112用于隔离第一基板111和第二基板113，还可以起到隔离载体玻璃中的钠离子、钾离子的作用。隔离层112可以为二氧化硅(SiO2)膜层。在一些实施例中，隔离层112也可以为氮化硅(SiNx)膜层。
本申请实施例中，衬底11包括双层基板，可以增强衬底11的强度。在其他一些实施例中，衬底11可以包括一层基板或者多于两层的基板，则衬底11的结构相应有所不同，具体可以根据实际需要灵活设计，在此不作特殊限定。
应理解，第一基板111和第二基板113还可以采用其他的具有韧性的材质制成，本申请实施例对此不作限定。
在一些实施例中，衬底11还可以包括其他膜层，例如非晶硅(a-Si)保护膜层，用于在显示面板剥离时吸收激光剥离(laser lift off，LLO)能量，防止损伤TFT层。该保护膜层可以设置于第一基板111与第二基板113之间，例如设置于隔离层112之上，覆盖隔离层112。
阵列结构层12设置于衬底11之上，阵列结构层12可以包括绝缘层121、缓冲层122、TFT层123、存储电容124、栅绝缘层125、层间绝缘层126。
绝缘层121设置于第二基板113之上，且覆盖第二基板113。绝缘层121用于隔离衬底11和TFT层123，可以起到隔离载体玻璃中钠离子、钾离子的作用。
缓冲(buffer)层122设置于绝缘层121之上，且覆盖绝缘层121，可以起到缓冲作用和保温作用。缓冲层122可以采用复合膜层，例如为氮化硅(SiNx)和二氧化硅(SiO2)的复合膜层，可以为后续的退火工艺过程提供保温作用。
TFT层123主要包括有源层1231、栅极1232、源漏电极。
存储电容124主要包括第一电极1241和第二电极1242。
栅绝缘(gate insulation，GI)层125包括层叠设置的第一栅绝缘层1251和第二栅绝缘层1252。
有源层1231设置于缓冲层122之上，用于形成导电沟道。有源层1231可以由非晶硅(a-Si)制成，也可以多晶硅(poly-silicon，p-Si)制成，其中多晶硅例如可以为低温多晶硅(low temperature poly-silicon，LTPS)。采用LTPS技术的薄膜晶体管也可以称为LTPSTFT，其电子迁移率高，薄膜电路面积小，结构简单，稳定性高。有源层1231的材料还可以是金属氧化物，例如氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide，IGZO)等。
第一栅绝缘层1251设置于有源层1231之上，覆盖有源层1231并延伸至缓冲层122上。在一些实施例中，第一栅绝缘层1251覆盖有源层1231和缓冲层122。第一栅绝缘层1251位于栅极1232与有源层1231之间，用于隔绝有源层1231和栅极1232，防止栅极1232与有源层1231的导通，起到绝缘和防静电的作用。
第一栅绝缘层1251采用绝缘材质制成，例如二氧化硅(silica)SiO2、或者SiO2与SiNx的复合叠层等。
栅极1232和第一电极1241设置于第一栅绝缘层1251之上，栅极1232与第一电极1241相邻设置但不导通。
栅极1232为薄膜晶体管TFT的栅极，其与行电极相连接(图中未示出，行电极可参考图4中的行电极1017)，用于控制TFT沟道的导通与否，进而控制显示单元的开和关。栅极1232位于有源层1231的上方。栅极1232为导体，其材质可以采用金属铬(Cr)、铬的合金材料或钼钽(MoTa)合金、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)或者其他电性良好的导体。
第一电极1241为存储电容(storage capacitor，Cst)124的其中一个电极，其与列电极相连接(图中未示出)，用于为存储电容124充电。存储电容用于维持电流以驱动显示面板。第一电极1241可以与栅极1232在同一制程中制备，还可以使用同一掩膜板制备。换句话说，栅极1232与第一电极1241可以视为位于同一膜层，但相互不导通。
第一电极1241与栅极1232的材质可以相同，例如可以采用金属铬(Cr)、铬的合金材料或钼钽(MoTa)合金、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)或者其他电性良好的导体。
第二栅绝缘层1252设置于栅极1232和第一电极1241之上，覆盖栅极1232和第一电极1241并延伸至第一栅绝缘层1251上。在一些实施例中，第二栅绝缘层1252覆盖栅极1232、第一电极1241和第一栅绝缘层1251。
第二栅绝缘层1252位于第一电极1241与第二电极1242之间，为存储电容之间的绝缘层，相当于电容介质层，用于防止第一电极1241与第二电极1242的导通，使第一电极1241与第二电极1242形成存储电容Cst。
第二栅绝缘层1252采用绝缘材质制成，例如氮化硅(silicon nitride)SiNx。
第二电极1242设置于第二栅绝缘层1252之上，且位于第一电极1241上方，与第一电极1241相对。第二电极1242为存储电容124的另外一个电极，其与驱动显示单元发光的薄膜晶体管的栅极相连。第一电极1241和第二电极1242可以向驱动显示单元发光的薄膜晶体管提供稳定的开启电压。以图13所示的结构为例，第一电极1241和第二电极1242相对设置，在一些实施例中，第一电极1241可以称为存储电容124的下电极，第二电极1242可以称为存储电容124的上电极。第二电极1242的材质可以和第一电极1241相同，具体参考上文描述，不再赘述。
层间绝缘(inter layer dielectric，ILD)层126设置于第二电极1242之上，覆盖第二电极1242并延伸至第二栅绝缘层1252上。层间绝缘层126用于隔绝栅极1232和列电极(也可以称为SD金属)，并且可以为有源层1231中的多晶硅沟通提供氢原子(H原子)以填补缺陷。
层间绝缘层126一般为复合膜层，例如包括层叠的第一层间绝缘层1261和第二层间绝缘层1262，其中第一层间绝缘层1261位于靠近第二电极1242的一侧，第二层间绝缘层1262则位于远离第二电极1242的一侧。第一层间绝缘层1261和第二层间绝缘层1262采用不同绝缘材质，例如，第一层间绝缘层1261可以采用二氧化硅SiO2，第二层间绝缘层1262可以采用氮化硅SiNx。
本申请实施例中，TFT中的源漏电极(source/drain，S/D)可以包括第一源漏电极部分1233和第二源漏电极部分1234。
第一源漏电极部分1233设置于层间绝缘层126之上，并穿过有源层1231与第一源漏电极部分1233之间的所有膜层，并与有源层1231相连接。换句话说，有源层1231与第一源漏电极部分1233之间的膜层，例如层间绝缘层126、栅绝缘层125上可以设置第一孔1203，第一源漏电极部分1233设置于层间绝缘层126上，并填充于第一孔1203中，实现与有源层1231相接触。第一源漏电极部分1233包括源极(source，S)和漏极(drain，D)，其中源极S和漏极D彼此分隔并分别与有源层1231相接触，以使部分有源层1231从源极S和漏极D之间漏出。栅极1232位于源极S和漏极D之间，与源极S和漏极D不相接触。源极S与列电极相连接，漏极D通过第二源漏电极部分1234与显示单元的阳极131相连接，用于控制显示单元的发光亮度。关于第二源漏电极部分1234的位置将在下文详细描述，在此暂不详述。
从图中可以看出，显示面板的非显示区例如VSS区，衬底11之上具有较厚的无机层叠加，例如绝缘层121、缓冲层122、栅绝缘层125、层间绝缘层126依次叠加。因此在显示面板的非显示区例如VSS区，具有较厚的BP无机层(包括绝缘层121、缓冲层122、栅绝缘层125、层间绝缘层126)叠加，弹性模量较高。当显示面板发生弯折或者受到撞击时，非显示区的无机层易发生开裂，容易造成水氧侵入，导致黑斑问题出现。
为了缓解非显示区容易发生裂纹的区域的应力集中，本申请实施例中在非显示区的无机层叠加区域设置有凹槽1202，该凹槽1202内填充有填充层15(或者是上文描述的第一有机材质)。填充层15的材质为有机材料，例如聚酰亚胺、聚四氟乙烯、丙烯酸树脂、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、酚醛树脂、环氧树脂、聚丁二烯、聚异戊二烯、氯丁橡胶、丁基橡胶等。这样，在非显示区上无机层较厚的区域(例如VSS区的BP无机层)进行图案化处理制备出凹槽，并在凹槽内填充有机物，可以起到缓冲该区域应力以及阻隔裂纹扩展的作用。
填充层15的材料的弹性模量可以为2吉帕(GPa)-5GPa，可见光的透过率可以为95％±3％。
如图13所示，非显示区的凹槽1202可以与显示区的第一孔1203在同一工序中制备，或者在制备层间绝缘层126之后、制备第一孔1203之前制备，或者在制备第一孔1203的后一工序中制备，本申请实施例不作限定。
凹槽1202的形状可以为参考图8至图10中的相关描述，为简洁，在此不再赘述。
凹槽1202的深度可以根据实际需要进行灵活设计，例如凹槽1202可以贯穿层间绝缘层126、栅绝缘层125、缓冲层122和绝缘层121；或者凹槽1202的深度可以小于层间绝缘层126、栅绝缘层125、缓冲层122和绝缘层121的深度之和；或者凹槽1202的深度可以和第一孔1203的深度相同。
在一个实施例中，填充层15可以是通过单独工序填充于凹槽1202中，例如在沉积第一源漏电极部分1233之前填充凹槽1202，或者在沉积第一源漏电极部分1233之后的工序中填充凹槽1202，或者在制备能够覆盖凹槽1202的膜层之前的任何一个工序中填充凹槽1202。
在另一个实施例中，填充层15可以在后续制备某一有机膜层的同时制备出来，即填充层15与该有机膜层填充的材料相同，并且在同一工序中制备。
示例性的，在制备第一源漏电极部分1233之后，制备第一平坦化层161。第一平坦化层161设置于第一源漏电极部分1233之上，覆盖第一源漏电极部分1233并延伸至层间绝缘层126上。同时，第一平坦化层161填充于凹槽1202中，形成前文所述的填充层15，也即第一有机材质。第一平坦化层161覆盖层间绝缘层126上与AA区对应的区域，且填充于凹槽1202中。凹槽1202中的第一平坦化层161(即填充层15或称第一有机材质)在远离衬底11的一侧表面与层间绝缘层126在远离衬底11的一侧表面相齐平。
在一些实施例中，在制备第一源漏电极部分1233之前、之后或者同时，还可以在层间绝缘层126上设置阵列基板行驱动(gate on array，GOA)171和阵列基板发光驱动(emission on array，EOA)172。阵列基板行驱动171用于提供阵列基板的行驱动。阵列基板发光驱动172用于提供阵列基板的发光驱动。换句话说，TFT控制显示单元的开和关，但阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172共同控制TFT的开和关，可以实现多级控制。
阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172与TFT层123的源漏电极不导通。
应理解，图13中阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172的位置仅仅是示例性的，本领域技术人员可以根据实际需要对其进行灵活设计。另外，在一些实施例中，也可以没有阵列基板发光驱动172，即通过阵列基板行驱动171可以直接控制TFT的开和关。本申请实施例中，阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172所在的区域可以认为是前文描述的GOA区。GOA区位于AA区外围，围绕AA区设置。
阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172可以在制备第一平坦化层161之前制备，也可以在制备第一平坦化层161之后制备，本申请实施例对此不作限定。
在制备第一平坦化层161后，上文提及的第二源漏电极部分1234设置于第一平坦化层161之上，并穿过第一平坦化层161上设置的第二孔1204，与第一源漏电极部分1233相接触。
本申请实施例中，显示面板300还包括设置于阵列结构层12之上的发光器件层13。发光器件层13包括阳极131、空穴传输层(图中未示出，可参考图3中的空穴传输层1012)、有机发光层132、电子传输层(图中未示出，可参考图3中的电子传输层1014)和阴极133。阳极131的电压通过TFT层123的源漏电极提供，阴极133的电压通过源极电源电压VSS 18提供。
如图13所示，源极电源电压18包括第一信号走线部分181和第二信号走线部分182。第一信号走线部分181设置于层间绝缘层126之上，覆盖凹槽1202中填充的填充层15。第一信号走线部分181可以是与第二源漏电极部分1234在同一工序中制备出来的，因此第一信号走线部分181与第二源漏电极部分1234可以是相同的材质。由于第一平坦化层161覆盖的是层间绝缘层126上与AA区对应的区域以及填充凹槽1202，若在同一工序中制备第一信号走线部分181与第二源漏电极部分1234，则第一信号走线部分181可以覆盖层间绝缘层126上与非显示区对应的部分区域，并覆盖填充于凹槽1202中第一平坦化层161，第二源漏电极部分1234则设置于第一平坦化层161之上。
为了给阳极131提供较为平坦的表面，本申请实施例中的有机平坦化层16还包括第二平坦化层162。第二平坦化层162设置于第二源漏电极部分1234之上，覆盖第二源漏电极部分1234并延伸至第一平坦化层161。第二平坦化层162可以覆盖第二源漏电极部分1234、第一平坦化层161，以及覆盖阵列基板发光驱动172、阵列基板行驱动171的部分区域。
在一些实施例中，第一信号走线部分181的部分区域也设置有第三平坦化层163，用于为第一信号走线部分181和第二信号走线部分182提供较为平坦的表面，以减少阻抗和确保出光面平整。第三平坦化层163可以是单独制备的膜层，例如在第二平坦化层162之前或之后制备。第三平坦化层163也可以是与第二平坦化层162在同一工序中制备，这样可以认为第三平坦化层163是第二平坦化层162的一部分，只是功能有所不同。本申请实施例中，第三平坦化层163与第二平坦化层162相隔不连通。
阳极131设置于第二平坦化层162之上，并穿过第二平坦化层162上设置的第三孔1205，与第二源漏电极部分1234相接触。这样，第二源漏电极部分1234连接第一源漏电极部分1233和阳极131，可以将列电极(即数据线)上的信号传递到阳极131，以控制显示单元的发光亮度。
第二信号走线部分182设置于第三平坦化层163之上，覆盖第三平坦化层163并延伸至第一信号走线部分181上。这样，第一信号走线部分181上与第二信号走线部分182相导通。第二信号走线部分182还与阴极133相接触，这样第一信号走线部分181与第二信号走线部分182提供的电压可以提供给阴极133。关于阴极133与第二信号走线部分182的连接方式将在下文详细描述，在此暂不描述。
显示面板300所包括的像素定义层(pixel definition layer，PDL)19设置于阳极131之上，覆盖阳极131的部分区域并延伸至第二平坦化层162。如图13所示，像素定义层19上设置有开孔1206，开孔1206与阳极131的位置相对应，以使阳极131从像素定义层19中露出。该开孔1206的区域即为显示面板上的发光区域。
像素支撑(pixel spacer，PS)层134设置于像素定义层19之上，用于支撑有机发光层132蒸镀以及阴极蒸镀时所用的掩膜板，例如超精细网版(fine metal mask，FMM)。
发光器件层13中的有机发光层132设置于阳极131之上，并位于开孔1206中。有机发光层132能够在阳极131和阴极133之间施加电压后发光。这里开孔1206可以形成谐振腔，开孔1206的侧壁能够反射光，出光效率更高。
阴极133设置于有机发光层132之上，覆盖有机发光层132并延伸至像素定义层19和第二信号走线部分182上，用于为发光器件提供电子。这样，源极电源电压可以通过第一信号走线部分181与第二信号走线部分182提供到阴极133。
本申请实施例中，第一信号走线部分181与第二信号走线部分182所在的区域可以认为是上文提及的VSS区。
也就是说，本申请实施例提供的显示面板中，有源层1231设置于缓冲层122与第一栅绝缘层1251之间，且第一栅绝缘层1251包覆有源层1231且延伸至缓冲层122。栅极1232设置于第一栅绝缘层1251与第二栅绝缘层1252之间，且第二栅绝缘层1252包覆栅极1232且延伸至第一栅绝缘层1251，栅极1232与有源层1231相对设置。
第一源漏电极部分1233设置于层间绝缘层126与第一平坦化层161之间，且第一平坦化层161包覆第一源漏电极部分1233并填充凹槽1202，其中，第一源漏电极部分1233依次穿过层间绝缘层126、第二栅绝缘层1252、第一栅绝缘层1251，与有源层1231相连。第二源漏电极部分1234设置于第一平坦化层161与第二平坦化层162之间，且第二平坦化层162包覆第二源漏电极部分1234且延伸至第一平坦化层161，其中，第二源漏电极部分1234穿过第一平坦化层161，与第一源漏电极部分1233相连。
第一信号走线部分181设置于层间绝缘层126上的与凹槽1202对应的区域，第一信号走线部分181为与第二源漏电极部分1234同层制备的信号走线，第一信号走线部分181覆盖凹槽1202中的填充层15(或称第一有机材质)以及凹槽周边的层间绝缘层。
阳极131设置于第二平坦化层162之上，且阳极131穿过第二平坦化层162，与第二源漏电极部分1234相连。第二信号走线部分182设置于第一信号走线部分181之上，且与第一信号走线部分181相连，第二信号走线部分182为与阳极131同层制备的信号走线。阴极133设置于有机发光层132之上，覆盖有机发光层132并延伸至第二信号走线部分182。第一信号走线部分182与第二信号走线部分182为源极电源电压VSS信号走线的一部分。
在VSS区靠近显示面板边缘的一侧设置有IJP堤坝区，IJP堤坝区设置有一个或多个堤坝144，用于防止封装层14中的喷墨打印层溢流。如图13所示，堤坝144可以设置于层间绝缘层126上，也可以设置于第一信号走线部分181上，本申请实施例对此不做限定。
堤坝144可以在制备第二源漏电极部分1234之后、制备封装层14之前制备，例如在制备阴极133之后的工序中制备，或者在制备第一信号走线部分181之后的工序中制备等，本申请实施例对此不作限定。
在IJP堤坝区靠近显示面板边缘的一侧设置有裂纹阻隔区。裂纹阻隔区一般包括层间绝缘层126、栅绝缘层125、缓冲层122、绝缘层121、衬底11等。裂纹阻隔区设置有一个或多个沟槽145，用于防止切割裂纹延伸至AA区。
在裂纹阻隔区靠近显示面板边缘的一侧设置有热影响区。
显示面板300若为柔性显示面板，则显示面板的封装工艺一般采用薄膜封装(thinfilm encapsulation，TFE)工艺，以防止湿气和氧气渗透到显示面板内部。本申请实施例中，显示面板300包括设置于发光器件层13之上的封装层14。封装层14包括有机层和无机层。
示例性的，封装层14包括层叠的第一化学气相沉积层141、喷墨打印层142和第二化学气相沉积层143。第一化学气相沉积层141设置于阴极133之上，覆盖阴极133并延伸至第二信号走线部分182、第一信号走线部分181、堤坝144以及层间绝缘层126。喷墨打印层142设置于第一化学气相沉积层141之上，并位于堤坝144所围绕的区域内。第二化学气相沉积层143设置于喷墨打印层142之上，覆盖喷墨打印层142并延伸至第一化学气相沉积层141上。这里，第一化学气相沉积层141和第二化学气相沉积层143为封装无机层，用于确保电致发光器件以及阴极不被水氧侵入。喷墨打印层142用于实现平坦化以及一定的异物包裹作用，从而提高封装性能。
本申请实施例对显示面板上易开裂的VSS区进行结构上的改进，即对显示面板边缘VSS区下方的无机层进行图案化处理，制备出凹槽，并填充有机物，可以缓解VSS区下方的BP无机层的应力集中，并起到阻隔裂纹扩展的作用，有效改善了显示面板边缘的VSS区因BP无机层开裂导致的GDS类黑斑问题，延长了显示面板的使用寿命。
应理解，本申请实施例中显示面板300的结构仅仅是示例性的，在其他一些实施例中，显示面板可以有其他的结构形式，例如采用其他结构形式的TFT，或者采用其他形式的驱动结构，但均可以在显示面板的非显示区设置凹槽以填充有机物，从而减少裂纹产生以及防止裂纹扩展，减少黑斑问题的产生。
为方便理解，下面结合图14至图17描述图13所示的显示面板的制备流程。
这里以显示面板为柔性显示面板为例，显示面板的膜层可以在载体玻璃上堆叠后再剥离。在堆叠之前，应将载体玻璃清洗干净，以防止杂质污染膜层，并且有利于涂布出厚度均匀的膜层。
参考图14。
步骤1，在载体玻璃上形成衬底。
示例性的，可以在载体玻璃104上依次形成第一基板111、隔离层112、第二基板113。具体步骤如下。
步骤1-1，在载体玻璃上形成第一基板111。
示例性的，第一基板111采用聚酰亚胺PI材料，则该步骤中可以在载体玻璃上涂布PI，PI固化后即形成第一基板111。第一基板111的厚度可以为8.5μm-10μm，厚度误差可在1μm以内。
步骤1-2，在第一基板111上形成隔离层112。
示例性的，可以采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)技术，例如等离子体增强化学的气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)技术或者微波等离子化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition，MPCVD)技术等在第一基板111上沉积隔离层112。
隔离层112可以为SiO2膜层。隔离层112的厚度可以为550纳米(nm)-750纳米(nm)。
步骤1-3，在隔离层112上形成第二基板113。
示例性的，第二基板113采用聚酰亚胺PI材料。第二基板113的厚度与第一基板111的厚度以及厚度误差可以相同。
在一些实施例中，第一基板111和第二基板113之间还可以设置保护层，该保护层后续可以起到吸收LLO能量，防止LLO能量损伤到薄膜晶体管TFT的作用。示例性的，可以在隔离层112上形成保护层，即该保护层位于隔离层112与第二基板113之间。
该保护层可以为非晶硅(a-Si)膜层。该保护层的厚度可以为4nm-5nm。
本申请实施例中，第一基板111、隔离层112和第三基板113均为整面涂覆形成。
继续参考图15。
步骤2，在衬底上形成阵列结构层。
示例性的，在衬底上依次形成绝缘层121、缓冲层122、有源层1231、第一栅绝缘层1251、栅极1232和第一电极1241、第二栅绝缘层1252、第二电极1242、层间绝缘层126、源漏电极。具体步骤如下。
步骤2-1，在第二基板113上形成绝缘层121。
示例性的，绝缘层121可以与图14所示的隔离层112的制备方式相同。例如采用PECVD技术在第二基板113上沉积绝缘层121。
绝缘层121可以为SiO2膜层。绝缘层121的厚度可以为550nm-750nm。
应理解，图14所示的隔离层112和图15所示的绝缘层121可以认为均是用于隔离衬底中的基板(例如第一基板111或第二基板113)与其他膜层，二者可以起到隔离载体玻璃中金属离子例如钾离子、钠离子的作用，还可以起到缓冲层作用。
步骤2-2，在绝缘层121上形成缓冲层122。
示例性的，可以采用PECVD技术在绝缘层121上沉积缓冲层122。缓冲层122可以为单膜层，也可以为复合膜层。缓冲层122采用复合膜层时，可以为后续工艺例如准分子激光退火(excimer laser annealing，ELA)过程提供保温作用。
在一个实施例中，缓冲层122为SiNx和SiO2的复合膜层，其中SiNx膜层的厚度可以为180nm-250nm，SiO2膜层的厚度可以为300nm-350nm。
步骤2-3，在缓冲层122上形成TFT的有源层1231。
有源层1231可以为非晶硅层，也可为多晶硅层，还可以为金属氧化物层，例如IGZO，其用于形成薄膜晶体管的导电沟道。
示例性的，可以采用PECVD技术在缓冲层122上沉积非晶硅层，并进行去氢处理(处理条件可以为在450℃下保持2小时)，然后进行准分子激光退火ELA过程，实现非晶硅到多晶硅的转化。通过对多晶硅层进行曝光、显影、刻蚀过程，实现TFT沟道的图案化，即形成TFT的有源层1231。
步骤2-4，在有源层1231上形成第一栅绝缘层1251，其中第一栅绝缘层1251覆盖有源层1231并延伸至缓冲层122上。
示例性的，可以采用PECVD技术在有源层1231和缓冲层122上沉积第一栅绝缘层1251，以隔离栅极1232与有源层1231。
第一栅绝缘层1251可以为SiO2膜层。第一栅绝缘层1251的厚度可以为110nm-130nm。
步骤2-5，在第一栅绝缘层1251上形成栅极1232和第一电极1241，其中栅极1232和第一电极1241相隔开，栅极1232位于有源层1231上方，与有源层1231相对。
示例性的，可以采用溅射(sputter)技术在第一栅绝缘层1251上沉积第一金属层，随后对第一金属层进行曝光、显影、刻蚀过程，形成栅极图案和电容电极图案，即形成栅极1232和存储电容的第一电极1241。栅极1232和第一电极1241分别作为TFT的栅极以及存储电容的下电极。
第一金属层(即栅极1232或第一电极1241)的材料可以为金属Mo、铜Cu、铝Al等。第一金属层的厚度可以为220nm-250nm。
步骤2-6，在栅极1232和第一电极1241上形成第二栅绝缘层1252，其中第二栅绝缘层1252覆盖栅极1232和第一电极1241，并延伸至第一栅绝缘层1251上。
示例性的，可以采用PECVD技术在栅极1232和第一电极1241上沉积第二栅绝缘层1252，以隔离第一电极1241和第二电极1242。这里第二栅绝缘层1252起到电容介质层的作用。
第二栅绝缘层1252可以为SiNx膜层。第二栅绝缘层1252的厚度可以为120nm140nm。
步骤2-7，在第二栅绝缘层1252上形成第二电极1242。第二电极1242位于第一电极1241的上方，与第一电极1241相对。
示例性的，可以采用溅射技术在第二栅绝缘层1252沉积第二金属层，随后对第二金属层进行曝光、显影、刻蚀过程，形成电容电极图案，即形成存储电容的第二电极1242。第二电极1242可以作为存储电容的上电极。
第二金属层(即第二电极1242)的材料可以为金属Mo、铜Cu、铝Al等。第二金属层的厚度可以为220nm-250nm。
步骤2-8，在第二电极1242上形成层间绝缘层126，其中层间绝缘层126覆盖第二电极1242并延伸至第二栅绝缘层1252上。
示例性的，可以采用PECVD技术在第二电极1242上沉积层间绝缘层126。随后对层间绝缘层126进行氢化处理(处理条件可以为350℃下保持2小时)，以修复有源层1231的多晶硅表面的悬挂键。
层间绝缘层126可以为复合膜层，包括层叠的第一层间绝缘层1261和第二层间绝缘层1262。第一层间绝缘层1261形成于第二电极1242上并延伸至第二栅绝缘层1252上，第二层间绝缘层1262形成于第一层间绝缘层1261上。
第一层间绝缘层1261可以为SiO2膜层。第一层间绝缘层1261的厚度可以为300nm-350nm。
第二层间绝缘层1262可以为SiNx膜层。第二层间绝缘层1262的厚度可以为200nm-250nm。
上述绝缘层121、缓冲层122、第一栅绝缘层1251、第二栅绝缘层1252、第一层间绝缘层1261、第二层间绝缘层1262均可以整面涂覆形成。
继续参考图16。
步骤2-9，对显示区的膜层进行刻蚀，形成第一孔1203，其中第一孔1203从第二层间绝缘层1262的表面延伸至有源层1231。
示例性的，第一孔1203贯穿第二层间绝缘层1262、第一层间绝缘层1261、第二栅绝缘层1252、第一栅绝缘层1251，与有源层1231相连通。第一孔1203避开栅极所在位置。
在该步骤中，还可以对非显示区的膜层进行刻蚀，形成凹槽1202，其中凹槽1202从第二层间绝缘层1262的表面延伸至衬底或衬底之上的膜层。
示例性的，凹槽1202可以贯穿第二层间绝缘层1262、第一层间绝缘层1261、第二栅绝缘层1252、第一栅绝缘层1251、缓冲层122、绝缘层121，与衬底的第二基板133相连通。或者，凹槽1202的深度可以和第一孔1203的深度相同。凹槽1202的结构参见上文图8至图10中的相关描述，为简洁，在此不再赘述。
作为一个示例，凹槽1202可以为矩形槽，凹槽1202的宽度可以为20μm-25μm。凹槽1202的个数可以为一个或多个。当凹槽1202的个数为多个(例如为3个、4个或5个等)时，相邻的两个凹槽之间的距离可以为20μm-25μm。这样可以保证非显示区内保留足够的无机层，确保封装性能，防止水氧侵入。
在该步骤中，还可以在凹槽1202至显示面板边缘之间的区域的膜层进行刻蚀，形成一个或多个沟槽145，以防止切割裂纹延伸至显示区。
本申请实施例中，第一孔1203、凹槽1202和沟槽145可以采用干法刻蚀，即，将特定气体(例如氯气)置于低压状态下施以电压，将其激发成电浆，对特定膜层加以化学性蚀刻或离子轰击，实现膜层的去除。
步骤2-10，在第二层间绝缘层1262上形成第一源漏电极部分1233，其中第一源漏电极部分1233填充于第一孔1203中，与有源层1231相接触。
示例性的，可以在第二层间绝缘层1262上沉积第三金属层，随后对第三金属层进行曝光、显影、刻蚀过程，形成第一源漏电极部分1233和源漏电极(SD)走线图案。第一源漏电极部分1233为TFT的源漏电极，SD走线可以认为是上文提及的列电极(或数据线)，用于为发光器件层输入数据(data)信号，以控制发光亮度。
第三金属层可以为复合膜层，例如为钛-铝-钛(TiAlTi)复合膜层。TiAlTi复合膜层中各个膜层的厚度分别为30nm-50nm、650nm-700nm、30nm-50nm。
步骤2-11，在第二层间绝缘层1262上形成阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172。
阵列基板行驱动171用于提供阵列基板的行驱动。阵列基板发光驱动172用于提供阵列基板的发光驱动。
步骤2-12，在第一源漏电极部分1233上形成第一平坦化层161，其中第一平坦化层161覆盖第一源漏电极部分1233并延伸至第二层间绝缘层1262上，并填充于凹槽1202中。
示例性的，可以在完成SD图案化后整面涂布有机膜层，其中有机膜层也填充于凹槽1202中。然后采用半掩膜(halftone mask)和显影工艺将显示区的部分有机膜层、凹槽1202溢出的有机膜层、显示面板边缘位置(例如凹槽1202至显示面板边缘之间的区域)的有机膜层去除。
这里将凹槽1202溢出的有机膜层去除，可以理解为是保留凹槽1202内的有机膜层，将第二层间绝缘层1262上与凹槽1202对应的区域的有机膜层去除，使得凹槽1202内填充的有机膜层表面与第二层间绝缘层1262的表面齐平。这样可以得到平整的封装表面，从而保证封装性能。
凹槽1202内填充的第一平坦化层即上文提及的填充层15或第一有机材质。填充层15填充的有机材料的弹性模量可以为2GPa-5GPa，可见光的透过率可以为95％±3％。
第一平坦化层161的材料可以为聚酰亚胺、聚四氟乙烯、丙烯酸树脂、聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、酚醛树脂、环氧树脂、聚丁二烯、聚异戊二烯、氯丁橡胶、丁基橡胶等。第一平坦化层161的厚度可以为1.5μm-2μm。
步骤2-13，对第一平坦化层161进行刻蚀，形成第二孔1204，其中第二孔1204从第一平坦化层161的表面延伸至第一源漏电极部分1233。
步骤2-14，在第一平坦化层161上形成第二源漏电极部分1234，其中，第二源漏电极部分1234填充于第二孔1204中，与第一源漏电极部分1233相接触。
在该步骤中，还可以在第二层间绝缘层1262上形成第一信号走线部分181。第一信号走线部分181位于VSS区，可以覆盖凹槽1202以及凹槽1202中的填充层15。
第一信号走线部分181和第二源漏电极部分1234可以是在同一工序中制备的，即同层制备。第一信号走线部分181和第二源漏电极部分1234的材质可以相同。
步骤2-15，在第二源漏电极部分1234上形成第二平坦化层162，其中，第二平坦化层162覆盖第二源漏电极部分1234并延伸至第一平坦化层161。第二平坦化层162还可以延伸至阵列基板行驱动171和阵列基板发光驱动172。
在该步骤中，还可以在第一信号走线部分181上形成第三平坦化层163。第三平坦化层163可以与第二平坦化层162在同一工序中制备。第三平坦化层163与第二平坦化层162的材质可以相同。
在该步骤之前或之后，还可以形成在IJP堤坝区形成堤坝144。堤坝144可以形成于层间绝缘层126之上，也可以形成于第一信号走线部分181上。
继续参考图17。
步骤3，在阵列结构层上形成发光器件层。
示例性的，可以在阵列结构层上依次形成阳极131、像素定义层19、有机发光层132、像素支撑层134、阴极133。具体步骤如下。
步骤3-1，对第二平坦化层162进行刻蚀，形成第三孔1205，其中第三孔1205从第二平坦化层162的表面延伸至第二源漏电极部分1234。
步骤3-2，在第二平坦化层162上形成阳极131，其中，阳极131填充于第三孔1205中，与第二源漏电极部分1234相接触。
示例性的，可以采用溅射技术在第二平坦化层162上沉积第一导电层(即阳极层)。随后对第一导电层进行曝光、显影、刻蚀过程，形成阳极图案，即形成阳极131。
第一导电层可以为复合膜层，例如为氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITOAGITO)复合膜层。ITOAGITO复合膜层中各个膜层的厚度分别为7nm-10nm、90nm-100nm、7nm-10nm。
应理解，阳极131的表面上形成有空穴传输层(图中未示出)，这里认为阳极131包括阳极和空穴传输层。
在该步骤中，还可以在第三平坦化层163上形成第二信号走线部分182，其中第二信号走线部分182覆盖第三平坦化层163并延伸至第一信号走线部分181。第三平坦化层163为第一信号走线部分181和第二信号走线部分182的导通提供较为平坦的表面，可以减少阻抗。
可选地，第二信号走线部分182还可以延伸至阵列基板行驱动171上。
步骤3-3，在第二平坦化层162上形成像素定义层19，其中像素定义层19上与阳极131对应的区域设置有开孔1206。像素定义层19可以延伸至第二信号走线部分182。
示例性，可以在第二平坦化层162上涂覆第一有机膜层，随后对该第一有机膜层进行曝光、显影，形成带有开孔1206的像素定义层19。像素定义层19上设置的开孔1206即为发光区域。开孔1206可以形成谐振腔，开孔1206的侧壁可以反射光，可以提高出光效率。
像素定义层19的厚度可以为1.5μm-2μm。
本申请实施例中，像素定义层19可以覆盖阳极131的边缘部分。
步骤3-4，在像素定义层19上形成像素支撑层134。
示例性的，可以在像素定义层19上涂覆第二有机膜层，通过对该第二有机膜层进行曝光、显影，形成像素支撑层134。像素支撑层134包括多个支撑柱，该多个支撑柱用于在后续蒸镀时支撑蒸镀用的掩膜板，例如FMM。
像素支撑层134的厚度可以为2μm-2.5μm。
步骤3-5，在阳极131之上形成有机发光层132，有机发光层132位于像素定义层19上的开孔1206中。
示例性的，可以采用蒸镀技术形成有机发光层132。
有机发光层132的厚度可以为280nm-330nm。
应理解，阳极131与有机发光层132之间还形成有空穴传输层，有机发光层132形成于空穴传输层上。在有机发光层132上还形成有电子传输层。
步骤3-6，在有机发光层132(具体为电子传输层)之上形成阴极133。阴极1333覆盖有机发光层132并延伸至像素定义层19和第二信号走线部分182。
示例性的，可以采用蒸镀技术形成阴极133。
阴极133的厚度可以为10nm-12nm。
在形成阴极133后，还可以在阴极133上形成光耦合层(coupling layer，CPL)和电磁屏蔽层。光耦合层为有机层，主要用于调整折射率，提高出光效率。电磁屏蔽层为无机层，主要起到电磁屏蔽作用。电磁屏蔽层的材料可以为氟化锂(LiF)。
上述采用蒸镀技术形成膜层的过程可以统称为电致发光(electroluminescence，EL)蒸镀。
步骤4，在发光器件层上形成封装层。
示例性，可以在发光器件层上依次形成第一化学气相沉积层141、喷墨打印层142和第二化学气相沉积层143。具体步骤如下。
步骤4-1，在阴极133上形成第一化学气相沉积层141，其中第一化学气相沉积层141覆盖阴极133并延伸至第二信号走线部分182、第一信号走线部分181、堤坝144以及第二层间绝缘层1262。
示例性的，可以采用PECVD技术或者原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)技术沉积第一化学气相沉积层141。第一化学气相沉积层141的材料可以为SiO2，厚度可以为0.7μm-1.2μm。
步骤4-2，在第一化学气相沉积层141上形成喷墨打印层142。喷墨打印层142设置于第一化学气相沉积层141之上，并位于堤坝144所围绕的区域内。
示例性的，可以在第一化学气相沉积层141上涂布有机膜层，然后固化形成喷墨打印层142。喷墨打印层142的厚度可以为8μm-12μm。
步骤4-3，在喷墨打印层142上形成第二化学气相沉积层143，其中，第二化学气相沉积层143覆盖喷墨打印层142并延伸至第一化学气相沉积层141上。
示例性的，可以采用PECVD技术或者ALD技术沉积第二化学气相沉积层143。第二化学气相沉积层143的材料可以为SiNx，厚度可以为0.7μm-1.2μm。
至此，整个显示面板的制备流程完成。后续可以显示面板从载体玻璃上剥离，即得到图13所示的显示面板。
本申请实施例中，在对显示区的层间绝缘层126进行刻蚀的同时，在非显示区(例如VSS区)的无机层叠加区域进行凹槽1202的刻蚀，并在显示区进行有机平坦化层涂布时，使有机平坦化层填充于凹槽中。后续采用半掩膜和显影工艺将VSS区域的有机平坦化层去除，同时去除凹槽区域溢出的有机物，实现在有机层中填充有机物。这样能够缓解显示面板边缘位置的阵列结构层的应力集中，改善边缘GDS裂纹或者防止裂纹延伸到显示区，从而减少黑斑问题。
应理解，上述仅是以图13所示的显示面板结构为例描述了显示面板的制备过程。对于显示面板的其他变形结构而言，制备过程略有不同，本领域技术人员可以根据显示面板的结构灵活设计制备工艺，本申请实施例对此不作限定。
图18示出了本申请实施例提供的显示面板和现有显示面板的弯折应变仿真示意图。应理解，图18仅示例性示出了对非显示区和部分显示区的阵列结构层进行弯折应变仿真的示意图。
图18中的(a)为阵列结构层未设置凹槽时的弯折应变仿真示意图，从图中可以看出，现有显示面板的阵列结构层在非显示区的最大弯折应变为(+1.023e-03)微应变，即1023微应变(微应变单位：ue)。
图18中的(b)为阵列结构层设置凹槽时的弯折应变仿真示意图，示例性的，凹槽的个数为3个，其中，靠近显示区的凹槽的宽度大于靠近显示面板边缘的凹槽的宽度。从图中可以看出，设置了凹槽的阵列结构层在非显示区的最大弯折应变为(+8.689e-04)微应变，即869ue。
因此，在阵列结构层的无机层叠加区域做图案化处理例如设置凹槽，然后在凹槽中填充有机材料例如上述第一有机材质，能够改善无机层叠加区域的弯折应变，例如图18的(b)所示的方案中显示面板的弯折应变可以降低约15％。
图19示出了本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图。该显示面板包括显示区和围绕显示区延伸的非显示区，如图19所示，该制备方法包括步骤210至260。
210，提供衬底。
该衬底可以为柔性衬底，例如采用聚酰亚胺PI材料。该衬底也可以为硬质衬底，采用玻璃材质。
该衬底可以包括一层或多层基板。当成都包括多层基板时，该多层基板之间可以通过隔离层相隔。该衬底例如可以是上文描述的衬底11。
220，在衬底之上形成阵列结构层。
该阵列结构层中设置有驱动电路，例如像素驱动电路、GOA驱动电路等。阵列结构层中设置的驱动电路结构可以是如图13中示出的结构，也可以是其他的结构形式，本申请实施例对此不作限定。
该阵列结构层中包括第一部分和第二部分，第一部分为显示区在阵列结构层上的投影部分，第二部分为非显示区在阵列结构层上的投影部分。换句话说，第一部分与显示区对应，第二部分与非显示区对应。该阵列结构层可以是上文提及的阵列结构层12。
230，在第二部分开设凹槽。
凹槽的结构可以是上文图8至图10中描述的凹槽的结构形式，具体参考上文描述，为简洁，在此不再赘述。
凹槽可以是在与阵列结构层上其他的孔、槽同时刻蚀出来，也可以是单独刻蚀的，本申请实施例对此不作限定。刻蚀凹槽的一种方式可以参考图13所示的显示面板中凹槽1202的刻蚀方式，为简洁，在此不再赘述。
在一些实施例中，在步骤220中，可以在衬底之上依次形成绝缘层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层，其中，有源层和栅极设置于阵列结构层的第一部分，栅绝缘层包覆有源层且延伸至缓冲层，层间绝缘层包覆栅极且延伸至栅绝缘层。在步骤230中，可以对阵列结构层进行图案化处理，以在第一部分形成第一孔，在第二部分形成凹槽，其中第一孔贯穿层间绝缘层、栅绝缘层，且与有源层相连通，凹槽部分贯穿或全部贯穿依次层叠设置的层间绝缘层、栅绝缘层、缓冲层、绝缘层。
240，在阵列结构层之上形成有机平坦化层，该有机平坦化层覆盖阵列结构层的第一部分，且第一有机材质填充于凹槽，有机平坦化层包括第一有机材质。
在一些实施方式中，该步骤中，可以在阵列结构层上涂布有机膜，其中该有机膜覆盖阵列结构层的第一部分和第二部分，且填充该凹槽。然后对该有机膜进行图案化处理，以去除阵列结构层的第二部分上的有机膜，且保留填充于凹槽内的有机膜，形成第一有机材质。
250，在有机平坦化层之上形成发光器件层，其中发光器件层与显示区相对应，且与驱动电路电性连接。
发光器件层可以是上文提及的发光器件层13，具体参考上文描述，为简洁，在此不再赘述。
260，在发光器件层之上形成封装层，其中封装层覆盖发光器件层，且延伸至第二部分。
封装层可以是上文提及的封装层14，具体参考上文描述，为简洁，在此不再赘述。
在一些实施例中，该制备方法还包括：在阵列结构层上形成信号走线层，其中信号走线层在第二部分上设置有信号走线，凹槽与信号走线的位置相对应。
在一些实施例中，该信号走线可以包括源极电源电压VSS信号走线。本申请实施例提供的显示面板的制备方法，能够缓解显示面板边缘位置的阵列结构层的应力集中，可以改善边缘GDS裂纹或者防止裂纹延伸到显示区，从而减少显示面板的黑斑问题。
应理解，本申请实施例提供的显示面板的制备方法对于显示面板的结构形式没有特殊限定，该方法可以应用于任意一种非显示区具有较厚无机层叠加的显示面板。上述实施例仅示例性示出一些显示面板结构，不应理解为对本申请的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”“相连”“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体式连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中具体含义。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和围绕所述显示区延伸的非显示区，所述显示面板包括：
衬底；
阵列结构层，设置于所述衬底之上，所述阵列结构层中设置有驱动电路，所述阵列结构层包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述显示区在所述阵列结构层上的投影部分，所述第二部分为所述非显示区在所述阵列结构层上的投影部分，其中所述第二部分设置有凹槽，所述凹槽中填充有第一有机材质；
有机平坦化层，所述有机平坦化层覆盖所述第一部分，且所述有机平坦化层包括所述第一有机材质；
发光器件层，设置于所述有机平坦化层之上，所述发光器件层与所述显示区相对应，且与所述驱动电路电性连接；
封装层，所述封装层覆盖所述发光器件层，且延伸至所述第二部分。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
信号走线层，设置于所述阵列结构层之上，所述信号走线层在所述第二部分上设置有信号走线，所述凹槽与所述信号走线的位置相对应。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述信号走线包括源极电源电压VSS信号走线。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽部分贯穿或全部贯穿所述阵列结构层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二部分包括依次层叠设置的绝缘层、缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层，其中所述绝缘层、所述缓冲层、所述栅绝缘层、所述层间绝缘层均为无机膜层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述栅绝缘层包括层叠设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述有机平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第一平坦化层包括所述第一有机材质，所述阵列结构层的所述第一部分设置有薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极、源漏电极；其中，
所述有源层设置于所述缓冲层与所述第一栅绝缘层之间，且所述第一栅绝缘层包覆所述有源层且延伸至所述缓冲层；
所述栅极设置于所述第一栅绝缘层与所述第二栅绝缘层之间，且所述第二栅绝缘层包覆所述栅极且延伸至所述第一栅绝缘层，所述栅极与所述有源层相对设置；
所述源漏电极包括第一源漏电极部分和第二源漏电极部分，其中，
所述第一源漏电极部分设置于所述层间绝缘层与所述第一平坦化层之间，所述第一平坦化层包覆所述第一源漏电极部分，且所述第一平坦化层的所述第一有机材质填充于所述凹槽，其中，所述第一源漏电极部分依次穿过所述层间绝缘层、所述第二栅绝缘层、所述第一栅绝缘层，与所述有源层相连；
所述第二源漏电极部分设置于所述第一平坦化层与所述第二平坦化层之间，且所述第二平坦化层包覆所述第二源漏电极部分且延伸至所述第一平坦化层，其中，所述第二源漏电极部分穿过所述第一平坦化层，与所述第一源漏电极部分相连；
其中，第一信号走线部分设置于所述层间绝缘层上的与所述凹槽对应的区域，所述第一信号走线部分为与所述第二源漏电极部分同层制备的信号走线，所述第一信号走线部分覆盖所述凹槽中填充的所述第一有机材质以及所述凹槽周边的所述层间绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括层叠设置的阳极、有机发光层、阴极，其中，
所述阳极设置于所述第二平坦化层之上，且所述阳极穿过所述第二平坦化层，与所述第二源漏电极部分相连；
其中，第二信号走线部分设置于所述第一信号走线部分之上，且与所述第一信号走线部分相连，所述第二信号走线部分为与所述阳极同层制备的信号走线；
所述阴极设置于所述有机发光层之上，覆盖所述有机发光层并延伸至所述第二信号走线部分。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一信号走线部分与所述第二信号走线部分为源极电源电压VSS信号走线的一部分。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述凹槽在所述显示面板的厚度方向上的截面形状为以下形状中的任意一种：
矩形，三角形，梯形，平行四边形，折线形，波浪形，椭圆形，弧形，阶梯形；
和/或，所述凹槽在所述显示面板所在的平面内的延伸方向为以下任意一种：
直线型，曲线型，环型。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽沿所述第一部分的边缘延伸，其中所述凹槽为在延伸方向上连续的沟槽，或者为在所述延伸方向上的间断式沟槽。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的平均宽度为15微米～25微米。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽包括相互平行的多个沟槽，所述多个沟槽沿所述第一部分的边缘延伸，其中，
所述多个沟槽中相邻的两个沟槽之间的距离为20微米～25微米。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述多个沟槽中靠近所述第一部分边缘的沟槽的宽度大于或等于所述多个沟槽中靠近所述显示面板边缘的沟槽的宽度。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽与所述显示面板的边缘之间的最短距离为200微米～250微米。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述衬底的材质为柔性材料。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至15中任一项所述的显示面板。
17.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区延伸的非显示区，所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底之上形成阵列结构层，所述阵列结构层中设置有驱动电路，其中所述阵列结构层包括第一部分和第二部分，所述第一部分为所述显示区在所述阵列结构层上的投影部分，所述第二部分为所述非显示区在所述阵列结构层上的投影部分；
在所述第二部分开设凹槽；
在所述阵列结构层之上形成有机平坦化层，其中所述有机平坦化层覆盖所述第一部分，所述有机平坦化层还包括第一有机材质，所述第一有机材质填充于所述凹槽；
在所述有机平坦化层之上形成发光器件层，其中所述发光器件层与所述显示区相对应，且与所述驱动电路电性连接；
在所述发光器件层之上形成封装层，其中所述封装层覆盖所述发光器件层，且延伸至所述第二部分。
18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述阵列结构层上形成信号走线层，其中所述信号走线层在所述第二部分上设置有信号走线，所述凹槽与所述信号走线的位置相对应。
19.根据权利要求17或18所述的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底之上形成阵列结构层，包括：
在所述衬底之上依次形成绝缘层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层，其中，所述有源层和所述栅极设置于所述第一部分，所述栅绝缘层包覆所述有源层且延伸至所述缓冲层，所述层间绝缘层包覆所述栅极且延伸至所述栅绝缘层；
所述在所述第二部分开设凹槽，包括：
对所述阵列结构层进行图案化处理，以在所述第一部分形成第一孔，在所述第二部分形成所述凹槽，其中所述第一孔贯穿所述层间绝缘层、所述栅绝缘层，且与所述有源层相连通，所述凹槽部分贯穿或全部贯穿依次层叠设置的所述层间绝缘层、所述栅绝缘层、所述缓冲层、所述绝缘层。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述阵列结构层之上形成有机平坦化层，包括：
在所述阵列结构层上涂布有机膜，所述有机膜覆盖所述第一部分和所述第二部分，且填充所述凹槽；
对所述有机膜进行图案化处理，以去除所述阵列结构层的第二部分上的有机膜，且保留填充于所述凹槽内的有机膜。
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