CN113692455B - 氟化物皮膜形成用铝合金构件和具有氟化物皮膜的铝合金构件 - Google Patents

氟化物皮膜形成用铝合金构件和具有氟化物皮膜的铝合金构件 Download PDF

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Abstract

提供没有黑色点状隆起部的产生而平滑性优异并且针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异耐蚀性的氟化物皮膜形成用铝合金构件。一种氟化物皮膜形成用铝合金构件(1)，含有Si：0.01质量％～0.3质量％、Mg：0.5质量％～5.0质量％、Fe：0.05质量％～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，在将铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为“D”(μm)，并将所述铝合金构件中的平均晶体粒径设为“Y”(μm)时，满足log10Y<－0.320D+4.60的关系式。在所述氟化物皮膜形成用铝合金构件(1)的至少部分表面形成氟化物皮膜(2)。

Description

氟化物皮膜形成用铝合金构件和具有氟化物皮膜的铝合金 构件
技术领域
本发明涉及可在至少部分表面形成氟化物皮膜从而作为半导体制造装置的构件(部件)等使用的氟化物皮膜形成用铝合金构件以及可作为半导体制造装置的构件(部件)等使用的具有氟化物皮膜的铝合金构件。
再者，在本说明书和权利要求书中，“氟化物皮膜”这一术语是指“至少含有氟而构成的皮膜”，并非仅指“仅由氟化物构成的皮膜”。
另外，在本说明书和权利要求书中，“平均晶体粒径”是指采用在JIS G0551中规定的切断法(Heyn法)测定出的平均晶体粒径。
背景技术
作为构成半导体、LCD等的制造装置的腔室、基座、背板等的构件材料，大多使用由铝合金、特别是Al-Mg系的JIS 5052铝合金、Al-Si-Mg系的JIS 6061铝合金构成的形变合金材料、铸件材料。另外，这些制造装置在高温下使用，而且在硅烷(SiH4)、氟系气体、氯系的卤素气体等腐蚀性气体氛围中使用，因此对各构件实施阳极氧化处理从而在表面形成硬质的阳极氧化皮膜，使耐蚀性提高。
但是，即使进行这样的表面处理，也会根据使用环境、使用频度而在早期引起表面劣化，需要表面处理的更新。特别是在CVD、PVD处理装置中，使用温度遍及从室温到约400℃的大范围，而且施加交变热应力，因此有时因母材与阳极氧化皮膜的热变形能力的差异而产生裂纹。另外，在长期使用期间，有时即使没有显著的损伤，也会在处理工件时与装置表面接触从而使阳极氧化皮膜磨损。
因此，提出了一种耐气体性及耐等离子体性优异的真空腔室构件，其是在Al基材表面形成耐蚀性保护皮膜而成的，该耐蚀性保护皮膜的表面侧是以Al氧化物为主体的层、或是以Al氧化物和Al氟化物为主体的层，所述耐蚀性保护皮膜的基材侧是以Mg氟化物为主体的层、或是以Mg氟化物和Al氧化物为主体的层(专利文献1)。
另外，也已知一种在铝合金母材的表面形成氟化处理皮膜等而成的耐蚀性优异的铝合金材料，所述铝合金母材含有Si：0.2～1.0重量％和Mg：0.3～2.0重量％，作为杂质的Fe、Cu、Mn、Cr、Zn和Ni的各含量分别被限制为0.1重量％以下，余量由Al和其他杂质构成(专利文献2)。
这些技术是通过对铝合金基材进行氟化处理而形成的氟化钝态膜来谋求耐蚀性提高的技术。
现有技术文献
专利文献1：日本特开平11-061410号公报
专利文献2：日本特开2003-119539号公报
发明内容
但是，对铝合金基材进行氟化处理时，有时在所形成的耐蚀性皮膜的表面产生黑色点状隆起部。如果产生了这样的黑色点状隆起部，则该部分的热射线吸收率增大，所以在例如CVD装置、PVD装置等中的使用中会引起局部性的温度上升。如果产生这样的局部性温度上升，则存在以下问题：耐蚀性皮膜产生裂纹，皮膜会剥离，其成为杂质颗粒。
本发明的优选实施方式是鉴于相关技术中的上述和/或其他问题而完成的。本发明的优选实施方式能够显著提高现有方法和/或装置。
本发明是鉴于上述技术背景而完成的，其目的是提供没有黑色点状隆起部的产生而平滑性优异、并且针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异耐蚀性的氟化物皮膜形成用铝合金构件及具有氟化物皮膜的铝合金构件。
本发明的其他目的和优点根据以下优选实施方式而变得明确。
本发明人为了探究黑色点状隆起部的产生原因，对黑色点状隆起部及其周围部进行了SEM-EDX成像，结果判明：如图5所示，就正常部110而言，在铝合金基材100的表面依次层叠氟化镁层101、氟化铝层102而形成了耐蚀性皮膜，但就黑色点状隆起部111而言，在铝合金基材100的表面局部性地存在未生成氟化镁层的部分(缺陷部位；截断部位)，在该缺陷部位氟化铝102较大地生长从而生成了该氟化铝的隆起部111。为了抑制以这样的机制生长的黑色点状隆起部的产生而进一步锐意研究，结果发现：铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径与铝合金构件中的平均晶体粒径之间的相关性与黑色点状隆起部的产生有关联，从而完成了本发明。即，为了达到上述目的，本发明提供以下的技术手段。
[1]一种氟化物皮膜形成用铝合金构件，其特征在于，
含有Si：0.01～0.3质量％、Mg：0.5～5.0质量％、Fe：0.05～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，
在将所述铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为“D”(μm)，并将所述铝合金构件中的平均晶体粒径设为“Y”(μm)时，满足下述式(1)的关系式，
log10Y<－0.320D+4.60 式(1)。
[2]根据前项1所述的氟化物皮膜形成用铝合金构件，所述铝合金构件是作为半导体制造装置用的构件使用的。
[3]一种具有氟化物皮膜的铝合金构件，其特征在于，
在前项1或2所述的氟化物皮膜形成用铝合金构件的至少部分表面形成有氟化物皮膜。
[4]根据前项3所述的具有氟化物皮膜的铝合金构件，
所述氟化物皮膜的厚度为0.1μm～10μm。
[5]根据前项3或4所述的具有氟化物皮膜的铝合金构件，
所述氟化物皮膜包含形成于所述氟化物皮膜形成用铝合金构件的表面的第1皮膜层和进一步形成于所述第1皮膜层的表面的第2皮膜层，
所述第1皮膜层是含有氟化镁的皮膜，所述第2皮膜层是含有氟化铝及铝的氧化物的皮膜。
在[1]的发明中，由于是由上述特定金属组成构成且满足上述式(1)的关系式的结构，所以在对氟化物皮膜形成用铝合金材料的至少部分表面进行氟化处理而形成了氟化物皮膜时，在该氟化物皮膜上看不到黑色点状隆起部(以下有时简称为“黑点部”)，并且，所得到的带氟化物皮膜的铝合金构件针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异的耐蚀性。
在[2]的发明中，由于是由上述特定金属组成构成且满足上述式(1)的关系式的结构，所以能够提供具有上述[1]的效果，被用作半导体制造装置用的构件的氟化物皮膜形成用铝合金构件。
在[3]的发明中，由于是由上述特定金属组成构成且满足上述式(1)的关系式的结构，所以能够提供没有黑点部产生而平滑性优异并且针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异耐蚀性的具有氟化物皮膜的铝合金构件。
在[4]的发明中，由于氟化物皮膜的厚度为0.1μm以上，所以能够使针对腐蚀性气体和等离子体等的耐蚀性更加提高，并且，由于其为10μm以下，所以能够提高生产率。
在[5]的发明中，由于氟化物皮膜包含上述特定构成的2层结构，所以能够使针对腐蚀性气体和等离子体等的耐蚀性进一步提高。
附图说明
图1是表示本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件的一实施方式的截面图。
图2是表示本发明的具有氟化物皮膜的铝合金构件的一实施方式的截面图。
图3是表示作为本发明的具有氟化物皮膜的铝合金构件一例的喷头(showerhead)的立体图。
图4是以平均晶体粒径(Y)的常用对数(K)为纵轴、以Fe系结晶物的平均长径(D)为横轴而标绘的坐标图。在图4中，用○标绘的构件表示完全看不到黑点部的构件，用△标绘的构件表示产生了黑点部的构件。在该图4的坐标图中，从左上向右下延伸的实线的倾斜直线的左下侧区域是用式(1)表示的区域，可知标绘于用该式(1)表示的区域中的构件完全看不到黑点部，而标绘于该倾斜直线的右上侧的区域中的构件产生了黑点部。
图5是黑点部产生的说明图(示意性截面图)。
具体实施方式
本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1，其特征在于，含有Si：0.01～0.3质量％、Mg：0.5～5.0质量％、Fe：0.05～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，在将所述铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为D(μm)，并将所述铝合金构件中的平均晶体粒径设为Y(μm)时，满足下述式(1)的关系式。
log10Y<－0.320D+4.60 式(1)
本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1可作为半导体制造装置用的构件使用。
以下对本发明中的铝合金的组成(各成分的含有率范围的限定意义等)进行说明。
所述Si(成分)与氟反应，生成SiF4-并升华，因此降低氟化物皮膜的形成效率。所述铝合金构件中的Si含有率在0.01～0.3质量％的范围。Si含有率低于0.01质量％时，必须使用高纯度基体金属，成本上升。另一方面，Si含有率超过0.3质量％时，Si与氟反应生成SiF4并升华，因此降低铝合金构件表面的均匀的氟化物皮膜的形成效率。这样，为了防止氟化物皮膜的形成效率降低，将Si含有率规定为0.3质量％以下。其中，所述铝合金构件中的Si含有率优选为0.05～0.20质量％的范围。
所述Mg(成分)在Al基体中固溶，能够提高铝合金构件的强度，并且Mg与F反应，在铝合金构件的表面形成致密的氟化镁(MgF2)层。所述铝合金构件中的Mg含有率在0.5～5.0质量％的范围。Mg含有率低于0.5质量％时，无法形成致密的氟化镁(MgF2)层。另一方面，Mg含有率超过5.0质量％时，合金材料的加工性变差。其中，所述铝合金构件中的Mg含有率优选为1.5～3.0质量％的范围。
所述Cu(成分)发挥使生成的Mg2Si在Al基体中均匀分散的作用效果。通过能够使Mg2Si均匀分散，能够在铝合金构件的表面形成均匀的氟化镁(MgF2)层。所述铝合金构件中的Cu含有率设定为0％以上且0.5质量％以下。Cu含有率超过0.5质量％时，生成Cu系结晶物，阻碍氟化物层(氟化物皮膜)的形成。其中，所述铝合金构件中的Cu含有率优选为0.01～0.2量％的范围。
所述Fe(成分)在Al基体中生成Fe系结晶物，粗大的结晶物存在于铝合金构件的表面时，该结晶物阻碍Mg向表面的扩散，在该结晶物存在的部位变得不能生成氟化镁的致密层。其结果，在未生成氟化镁层的部位，氟化铝大幅生长，成为氟化铝的隆起部(即黑点部)。为了防止这样的黑点部生成，Fe含有率需要为0.5质量％以下。另外，Fe含有率超过0.5质量％时，在铸造工序中生成的Fe系结晶物的大小变得过大，在后续工序的轧制、锻造等塑性加工中无法微细化。另一方面，Fe含量低于0.05质量％时，会产生铸造裂纹等。因此，所述铝合金构件中的Fe含有率设在0.05～0.5质量％的范围。其中，所述铝合金构件中的Fe含有率优选为0.08～0.20质量％的范围。
所述Mn(成分)和Cr(成分)的含量均设定为0％以上且0.30质量％以下。超过0.30质量％时，生成粗大的结晶物。可以是不含Mn和Cr这两者的合金组成(即含有率为0％的构成)，可以是在0.30质量％以下的范围含有Mn且不含Cr的合金组成，或者也可以是在0.30质量％以下的范围内含有Cr且不含Mn的合金组成。其中，所述Mn(成分)和Cr(成分)的含有率均优选设定为0％以上且0.20质量％以下。
对于本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1，在将该铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为“D”(μm)、并将所述铝合金构件中的平均结晶粒径为“Y”(μm)时，满足下述式(1)的关系式。
log10Y<－0.320D+4.60 式(1)。
图4是对于实施例的氟化物皮膜形成用铝合金构件，以其平均晶体粒径(Y)的常用对数(K)为纵轴、以Fe系结晶物的平均长径(D)为横轴而标绘的坐标图。为了生成氟化镁层，需要使铝合金内部的Mg向表面扩散。关于Mg的扩散速度，其在晶界的扩散速度比在晶粒内大。晶粒小时晶界面积增加，Mg向表面的扩散变容易，因此，即使结晶物的大小变大，也能够生成氟化镁层。
即，对于铝合金的组成满足上述的各成分的含有率范围的条件且满足上述式(1)的关系式的本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1而言，在对其进行氟化处理而形成了氟化物皮膜时，该氟化物皮膜不会产生黑点部(黑色点状隆起部)，所以平滑性优异(不产生前述的局部性温度上升)，并且，这样得到的具有氟化物皮膜2的铝合金构件10由于氟化物皮膜的存在而针对腐蚀性气体和等离子体等具备优异的耐蚀性。
与此相对，在图4中的从左上向右下延伸的实线的倾斜直线的右上侧区域(不满足式(1)的区域)中，Fe系结晶物的大小过大，Fe系结晶物阻碍Mg的扩散，其结果，如图5所示，局部地未生成氟化镁层101，在未生成该氟化镁层的缺陷部位较大地生长氟化铝102从而产生黑点部(黑色点状隆起部)。
另外，即使是铝合金的组成满足了上述的各成分的含有率范围的条件的情况，对于不满足上述式(1)的关系式的结构的铝合金构件而言，在对其进行氟化处理从而形成了氟化物皮膜时，也会在该氟化物皮膜产生黑点部(黑色点状隆起部)。如果产生了这样的黑点部，则在作为例如半导体制造装置(CVD装置、PVD装置、干蚀刻装置、真空蒸镀装置等)的构件使用的情况下，该部分的热射线吸收率增大，引起局部性的温度上升，结果产生以下问题：氟化物皮膜产生裂纹从而皮膜剥离，其成为杂质颗粒。
本发明的具有氟化物皮膜的铝合金构件10，可作为半导体制造装置(CVD装置、PVD装置、干蚀刻装置、真空蒸镀装置等)的构件(部件)等使用。作为所述部件没有特别限定，例如可举出喷头(参照图3)、真空腔室、基座、背板等。所述喷头10是在作为具有氟化物皮膜2的铝合金构件10形成为圆盘状的构件上形成有在其厚度方向上贯通的多个细孔的构件。
根据由本发明的铝合金构件10构成的半导体制造装置的部件，具有在清扫半导体制造装置的真空室时暴露于氟气气氛下但不会由此产生黑点，可再生产均匀的氟化物皮膜的优点。
接着，对上述氟化物皮膜形成用铝合金构件1及具有氟化物皮膜的铝合金构件10的制造方法一例进行归纳说明。
(铸造工序)
得到熔化调制成组成含有Si：0.01～0.3质量％、Mg：0.5～5.0质量％、Fe：0.05～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成的铝合金熔液，然后对该铝合金熔液进行铸造加工，由此得到铸造物(铸造板材、坯料等)。作为铸造方法没有特别限定，使用以往公知的方法即可，例如可举出连续铸造轧制法、热顶铸造法、浮法铸造法、半连续铸造法(DC铸造法)等。
(均质化热处理工序)
对得到的铸造物进行均质化热处理。即，优选进行将铸造物在450～580℃的温度下保持5小时～10小时的均质化热处理。低于450℃时，铸造物的软化不充分，热加工时的压力变高，外观品质下降，生产率也下降，因此不优选。另一方面，超过580℃时，在铸造物内部产生局部熔化，因此不优选。
(热加工工序)
对所述铸造物进行热加工。作为所述热加工没有特别限定，例如可举出轧制加工、挤压加工、锻造加工等。所述轧制加工时的加热温度优选设定为450～550℃。另外，所述挤压加工时的加热温度优选设定为450～550℃。另外，所述锻造加工时的加热温度优选设定为450～550℃。
(退火处理工序)
接着，将所述热加工而得到的加工物(轧制物、挤压物等)加热从而实施退火处理。所述退火处理优选在350～450℃的温度下进行2小时～6小时。
经过如上的铸造工序、均质化热处理工序、热加工工序、退火处理工序，得到上述氟化物皮膜形成用铝合金构件1。
(阳极氧化处理工序)
通过对所述退火处理后的氟化物皮膜形成用铝合金构件1进行阳极氧化处理，在所述铝合金构件的表面形成阳极氧化皮膜。作为阳极氧化处理的电解液没有特别限定，例如可举出硫酸水溶液等。另外，优选将电解浴(电解液)的温度控制为10～40℃进行阳极氧化。阳极氧化时的电压没有特别限定，但优选设定为10～100V的范围，阳极氧化处理时间优选设定为1分钟～60分钟。
(氟化处理工序)
接着，对阳极氧化皮膜形成后的铝合金构件进行氟化处理。例如，将所述阳极氧化皮膜形成后的铝合金构件安置于腔室内并使该腔室内成为真空，然后向腔室内导入含有氟气的气体，在该氟气氛围下进行加热，由此在铝合金构件的表面形成氟化物皮膜2。氟气氛围下的加热温度优选设定为250～350℃。这样得到具有上述氟化物皮膜的铝合金构件10。或者，例如在用途为真空腔室的部件的情况下，也可以采用下述制法：将所述阳极氧化皮膜形成后的铝合金构件作为真空腔室的部件而开始使用后，对于真空腔室内的清扫使用氟气，每当使用该氟气进行清扫就在铝合金构件的表面再生产氟化物皮膜从而较厚地形成下去。或者，例如，也可以将所述阳极氧化皮膜形成后的铝合金构件加工成喷头形状，在将这样加工后的构件安置于半导体的生产设备中的状态下，在氟气氛围下进行加热从而形成氟化物皮膜2，也可以使用等离子体来形成氟化物皮膜2，在这样形成氟化物皮膜后，可以原样地推进半导体生产。
再者，上述的制造方法不过示出了其一例，本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1及本发明的具有氟化物皮膜的铝合金构件10并不限定于采用上述制造方法得到的构件。
实施例
接着，对本发明的具体实施例进行说明，但本发明并不特别限定于这些实施例。
<实施例1>
对含有Si：0.15质量％、Mg：2.50质量％、Cu：0.07质量％、Fe：0.15质量％、Mn：0.03质量％、Cr：0.20质量％，余量由Al和不可避免的杂质构成的铝合金进行加热从而得到铝合金熔液，然后使用该铝合金熔液，采用DC铸造法制作了厚度200mm的板状铸造物。
接着，在560℃下对所述板状铸造物进行了7小时的均质化热处理。接着，切断成预定的大小、厚度后，进行了500℃下的热轧，然后得到了厚度4mm的铝合金板。接着，切断成纵长50mm×横宽50mm的大小后，在400℃下对该铝合金板加热4小时来进行退火处理。这样，得到了图1所示的氟化物皮膜形成用铝合金构件1。
接着，对于所述退火处理后的铝合金板(氟化物皮膜形成用铝合金构件)，使用浓度15质量％的硫酸水溶液作为电解液，将电解浴(电解液)的温度控制为25℃，在20V的电压下进行2分钟的阳极氧化处理，由此在铝合金板的整个表面形成了厚度2μm的阳极氧化皮膜。
接着，将阳极氧化皮膜形成后的所述铝合金板安置于腔室内并使该腔室内成为真空后，向腔室内导入含有氟的惰性气体，在该状态下在260℃下保持24小时，由此形成了厚度2μm的氟化物皮膜2。即，得到了图2所示的具有氟化物皮膜的铝合金构件10。
在得到的具有氟化物皮膜的铝合金构件10中，所述氟化物皮膜2是包含形成于氟化物皮膜形成用铝合金构件1的表面的厚度0.5μm的含氟化镁的第1皮膜层3和进一步形成于该第1皮膜层3的表面的厚度1.5μm的第2皮膜层(含有氟化铝和铝氧化物的皮膜层)的结构。
<实施例2～9>
作为用于形成铝合金熔液的铝合金，使用了表1所示合金组成的铝合金(分别以表1所示比例含有Si、Mg、Cu、Fe、Mn、Cr，且余量由Al和不可避免的杂质构成的铝合金)，除此以外，与实施例1同样地得到了图1所示的氟化物皮膜形成用铝合金构件1，接着，与实施例1同样地得到了图2所示的具有氟化物皮膜2的铝合金构件10。
<比较例1～5>
作为用于形成铝合金熔液的铝合金，使用了表1所示合金组成的铝合金(分别以表1所示比例含有Si、Mg、Cu、Fe、Mn、Cr，且余量由Al和不可避免的杂质构成的铝合金)，除此以外，与实施例1同样地得到了氟化物皮膜形成用铝合金构件，接着，与实施例1同样地得到了具有氟化物皮膜的铝合金构件。
关于如上所述地得到的各实施例、各比较例的氟化物皮膜形成用铝合金构件，采用下述测定方法求出了“平均晶体粒径(Y)”和“Fe系结晶物的平均长径(D)”。
<平均晶体粒径的测定方法>
将氟化物皮膜形成用铝合金构件的表面进行抛光研磨后，利用Barker法进行了腐蚀处理。进行水洗并使其干燥后，利用光学显微镜观察腐蚀处理面，采用切断法测定了“平均晶体粒径(Y)”。将这些结果示于表1。
<Fe系结晶物的平均长径的测定方法>
将氟化物皮膜形成用铝合金构件的表面进行抛光研磨后，进行SEM(扫描电子显微镜)观察，抽取在反射电子像中看起来发白的结晶物，利用图像解析装置测定了这些抽取出的结晶物的绝对最大长度。Fe系结晶物的平均长径(D)，是从自315μm×215μm的长方形的视场区域任意地抽取的结晶物中将等效圆直径为0.3μm以下的结晶物排除在外，并从绝对最大长度大的结晶物中选出100个时的这100个的数据的平均值。将这些结果示于表1。
Figure BDA0003301051780000121
关于如上所述地得到的各实施例、各比较例的具有氟化物皮膜的铝合金构件，基于下述评价法，使用25倍的显微镜调查氟化物皮膜中的黑点部(黑色点状隆起部)的有无，基于下述判定基准进行了评价。将其结果示于表1。
(判定基准)
“○”…看不到(不存在)黑点部、
“△”…稍微看到黑点部、
“×”…显著地存在黑点部。
从表1弄清了，使用本发明的实施例1～9的氟化物皮膜形成用铝合金构件得到的本发明的具有氟化物皮膜的铝合金构件，在氟化物皮膜看不到黑点部。
与此相对，比较例1～5中，在氟化物皮膜显著地看到黑点部。
产业上的可利用性
本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1，可对至少部分表面进行氟化处理而形成氟化物皮膜，从而作为半导体制造装置(CVD装置、PVD装置、干蚀刻装置、真空蒸镀装置等)的构件(部件)等使用。不过，本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件1并不限定于该用途。
本发明的具有氟化物皮膜的铝合金构件10，可作为半导体制造装置(CVD装置、PVD装置、干蚀刻装置、真空蒸镀装置等)的构件(部件)等使用。不过，本发明的氟化物皮膜形成用铝合金构件10并不限定于该用途。
作为所述部件没有特别限定，可举出例如喷头(参照图3)、真空腔室、基座、背板等。
本发明也可以在“半导体制造装置用”以外使用。
本申请要求在2019年4月16日申请的日本国专利申请2019-777922号的优先权，其公开内容原样地构成本申请的一部分。
应该认识到，在此使用的术语和表达方式是用于说明而使用的而不是为限制性地解释而使用的，也不排除在此示出和叙述的特征事项的任何均等物，也允许本发明的权利要求的保护范围内的各种变形。
附图标记说明
1…氟化物皮膜形成用铝合金构件
2…氟化物皮膜
3…第1皮膜层
4…第2皮膜层
10…具有氟化物皮膜的铝合金构件

Claims (5)

1.一种氟化物皮膜形成用铝合金构件，其特征在于，
含有Si：0.01～0.3质量％、Mg：0.5～5.0质量％、Fe：0.05～0.5质量％，Cu含有率为0.5质量％以下，Mn含有率为0.30质量％以下，Cr含有率为0.30质量％以下，余量由Al和不可避免的杂质构成，
在将所述铝合金构件中的Fe系结晶物的平均长径设为Dμm，并将所述铝合金构件中的平均晶体粒径设为Yμm时，满足下述式(1)的关系式，
log10Y<－0.320D+4.60 式(1)。
2.根据权利要求1所述的氟化物皮膜形成用铝合金构件，所述铝合金构件是作为半导体制造装置用的构件使用的。
3.一种具有氟化物皮膜的铝合金构件，其特征在于，
在权利要求1或2所述的氟化物皮膜形成用铝合金构件的至少部分表面形成有氟化物皮膜。
4.根据权利要求3所述的具有氟化物皮膜的铝合金构件，
所述氟化物皮膜的厚度为0.1μm～10μm。
5.根据权利要求3或4所述的具有氟化物皮膜的铝合金构件，
所述氟化物皮膜包含形成于所述氟化物皮膜形成用铝合金构件的表面的第1皮膜层和进一步形成于所述第1皮膜层的表面的第2皮膜层，
所述第1皮膜层是含有氟化镁的皮膜，所述第2皮膜层是含有氟化铝及铝的氧化物的皮膜。
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