CN113631318B - 激光处理装置 - Google Patents

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Abstract

激光处理装置包括：载台(2)，其可借由从表面喷射气体来悬浮搬运基板(3)；激光振荡器，其将激光(20a)照射至基板(3)；及气体喷射口，其用于喷射惰性气体，且配置于俯视下与激光(20a)的焦点位置重叠的位置。载台(2)的表面由上部结构(5a,5b)所构成，上部结构(5a,5b)配置为彼此分离且相对。于俯视下，上部结构(5a,5b)之间的间隙与激光(20a)的焦点位置重叠。填充组件(8)配置于上部结构(5a,5b)之间，且配置为填补上部结构(5a,5b)之间的间隙。

Description

激光处理装置
技术领域
本申请关于激光处理装置。
背景技术
国际专利公开号WO2015/174347(专利文献1)当中所记载技术关于一种激光退火装置，其将激光照射至处理对象以进行退火处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际专利公开号WO2015/174347
发明内容
本申请所要解决的技术问题
本案发明人目前研究一种激光处理装置，其一边使处理对象悬浮于激光处理装置的载台上，一边移动此处理对象，并且将激光照射至移动的处理对象。于如此的激光处理装置当中，希望抑制或防止对于处理对象所作的激光处理条件产生变动。
其他问题及新颖特征将由本说明记载及附图变得显而易见。
解决问题的手段
根据一实施方式，激光处理装置具有：载台，其可借由从表面喷射气体来悬浮搬运基板；激光振荡器，其将激光照射至所述基板；气体喷出口，其用于喷射惰性气体，且配置于俯视下与所述激光重叠的位置。所述载台的表面由第一上部结构及第二上部结构所构成，所述第一上部结构及所述第二上部结构配置为彼此分离且相对。于俯视下，所述第一上部结构与所述上部结构之间的间隙，与所述激光的焦点位置重叠，填充组件配置为填补所述第一上部结构与所述第二上部结构之间的间隙。
发明功效
根据一实施方式，可抑制或防止对于处理对象所作的激光处理条件产生变动。
附图说明
图1为表示一实施方式的激光处理装置的示意性构成的剖面图。
图2为用于说明一实施方式的激光处理装置的动作的俯视图。
图3为一实施方式的激光处理装置的主要部分俯视图。
图4为一实施方式的激光处理装置的主要部分剖面图。
图5为一实施方式的激光处理装置的主要部分剖面图。
图6为第一研究例的激光处理装置的示意性构造的剖面图。
图7为第二研究例的激光处理装置的示意性构成的剖面图。
图8为第二研究例的激光处理装置的主要部分剖面图。
图9为用于说明第二研究例的激光处理装置的欲解决问题的说明图。
图10为用于说明第二研究例的激光处理装置的欲解决问题的说明图。
图11为用于说明第二研究例的激光处理装置的欲解决问题的说明图。
图12为用于说明一实施方式的激光处理装置的功效的说明图。
图13为用于说明一实施方式的激光处理装置的功效的说明图。
图14为用于说明一实施方式的激光处理装置的功效的说明图。
图15为表示作为液晶显示设备的大画面电视的外观图。
图16为表示作为液晶显示装置的行动通信装置的外观图。
图17为流程图，其表示制造一实施方式的显示装置的制造步骤的流程。
图18为表示一实施方式的显示装置的构成例的图。
图19为表示图13所示像素的构成例的图。
图20为表示薄膜晶体管的装置结构的剖面图。
图21为表示薄膜晶体管的制造步骤的流程的流程图。
图22为说明通道膜的形成步骤的流程的流程图。
图23为第一变形例的激光处理装置的主要部分俯视图。
图24为第二变形例的激光处理装置的载台的俯视图。
图25为第二变形例的激光处理装置的主要部分俯视图。
图26为第二变形例的激光处理装置的主要部分剖面图。
图27为第三变形例的激光处理装置的主要部分剖面图。
图28为第三变形例的激光处理装置的主要部分剖面图。
附图标记
1,101 激光处理装置
2,102,202 载台
3,103 基板
3a,103a 非晶硅膜
4 座板
5,5a,5b,5c 上部结构
6 表面侧组件
7 基部
8 填充组件
10 中间板
11a,11b,11c 粘接层
12a,12b 空间
13a,13b 贯穿孔
20,20a 激光
20b 激光照射区域
21 激光产生部
22 光衰减器
23 光学系统模块
23a 反射镜
23b 密封窗
24 密闭壳体
24a 密封窗
25 处理室
26 密封箱
27 开口部
28 基板加热区域
29 区域
31 大画面电视
32 智能手机
40 像素
41 像素部
42 扫描线驱动电路
43 信号线驱动电路
44,45,45A 线路
46 薄膜晶体管
47 液晶元件
50 基板
51 通道膜
52 闸极绝缘膜
53 闸极电极
54 层间绝缘膜
55a 源极电极
55b 汲极电极
56 保护膜
具体实施方式
以下根据附图来详细地说明实施方式。此外，于用于说明实施方式的所有附图中，于具有相同功能的组件上标示相同的附图标记，并省略重复的说明。此外，于以下的实施方式当中，除非必要，否则原则上不重复相同或等同的部分的说明。
(实施方式1)
＜关于激光处理装置的整体构成＞
参考图1说明关于本实施方式中的激光处理装置1的整体构成。图1为表示一实施方式的激光处理装置的示意性构成的剖面图。
如图1所示，本实施方式的激光处理装置1具备：激光产生部21；光衰减器22；光学系统模块23；密闭壳体24；以及处理室25。
激光产生部(激光振荡器)21由输出激光(例如准分子激光)的激光振荡器(激光源)所构成，激光产生部21的输出彼端配置有用于调整激光的输出的光衰减器(attenuator)22。光衰减器22具有借由调整激光的穿透率来调整激光的输出的功能。
以光衰减器22进行输出调整的激光的行进彼端上，配置有光学系统模块23。光学系统模块23由反射镜23a及透镜(未示出)等所构成，具有将从光衰减器22输入至光学系统模块23的激光成形为光束状激光的功能。于光学系统模块23的输出部中设置有对激光具透射性的密封窗23b。借由光学系统模块23所形成的激光经由密封窗23b而从光学系统模块23输出。
于光学系统模块23所输出激光的行进彼端(于此为光学系统模块23的下侧)设置有密闭壳体24。密闭壳体24的内部为密闭空间，激光行于此密闭空间行进。于密闭壳体24的输出部设置有对激光具透射性的密封窗24a。
于从密闭壳体24所输出激光的行进彼端(于此为密闭壳体24的下侧)配置有处理室25。处理室25安装有密封箱26，其与设置于密闭壳体的输出部的密封窗24a连接。例如，以氮气为代表的惰性气体被供给至密封箱26。此外，如图1所示，密封箱26的上侧被设置于密闭壳体24的密封窗24a所密封，另一方面，于密封箱26的下侧设置有开口部(气体喷射口)27。因此，被供给至密封箱26的惰性气体(例如氮气)从开口部27喷射至密封箱26的下侧(即，朝着载台2)。
于此密封箱26的下方配置有载台2。载台2配置于处理室25内的密封箱26的下方。载台2具有上表面(表面)；及与其相对的里面(下表面)，并可借由从该上表面(表面)喷射气体(gas)来悬浮搬运基板3。于载台2的上表面上可配置例如由玻璃或石英所形成的基板3，而此基板3借由从载台2的上表面(更特定地说，构成载台2的多个上部结构5的上表面)所喷射的气体，一边悬浮于载台2之上，一边沿水平方向(具体来说为X方向)被搬运。
基板3的表面(上表面)形成有非晶(amorphous)半导体膜，更特定地说，形成有非晶硅膜3a。由设置于密封箱26的开口部27所喷射(排出)的惰性气体(例如氮气)，喷射至形成于基板3的表面的非晶硅膜3a。
形成于基板3上的非晶半导体膜(于此为非晶硅膜3a)如后述般，借由运用了激光处理装置1所作的激光处理(激光退火处理)，而变质(变化)为多晶半导体膜(于此为多晶硅膜)。以下将基于形成于基板3的表面的非晶半导体膜为非晶硅膜3a的情况进行说明。可将其上所形成有非晶半导体膜(非晶硅膜3a)的基板3视为处理对象。
载台2具有：座板(基底组件)4；多个上部结构(基板悬浮用结构、载台组件、基板悬浮用载台组件、悬浮用单元)5。多个上部结构5的上表面构成载台2的上表面。因此，多个上部结构5并非彼此堆叠，而是沿水平方向排列配置，此等多个上部结构5构成载台2的上部。多个上部结构5排列配置并被支撑于座板4上。
此外，于图1中表示出于共通的座板4上不仅是配置有后述的上部结构5a,5b，还有上部结构5a,5b之外的上部结构5c也配置于其上的情况，然而作为其他的型态，也可为上部结构5c并未安装至座板4上，而是使用与配置有上部结构5a,5b的座板4不同的组件来支撑上部结构5c。惟，于此情形下，上部结构5a,5b及上部结构5a,5b之间的填充组件8优选仍为配置于共通的座板4上。安装上部结构5a,5b的座板4可由例如石材(花岗岩等)形成，另一方面，支撑上部结构5c的组件可借由例如金属材料来形成。
各个上部结构5构成为可从其上表面(表面)喷出气体。也就是说，可从上部结构5的上表面(表面)喷射出气体(gas)，借由所喷出的气体来使基板3悬浮。因此，上部结构5以从其上表面(表面)喷射气体以使基板3悬浮的方式而发挥功能的结构(组件)，也就是基板悬浮用的结构。
具体地说，于上部结构5的上表面(表面)存在有多个(许多)的细孔，并可从此细孔喷射气体。当基板3一边悬浮于载台2上一边移动时，上部结构5的上表面(表面)面对基板3的下表面，从上部结构5的上表面(表面)的多个(许多)的细孔所喷射的气体(以下或称基板悬浮用气体)，以碰撞基板3的下表面以使基板3悬浮的方式发挥作用。
接着，针对激光处理装置1的动作，参考图1及图2进行说明。图2为用于说明激光处理装置1的动作的俯视图，其表示出激光处理装置1的载台2；一边悬浮于载台2上一边被搬运的基板3。
于图1当中，从激光产生部(激光震荡器)21所输出的激光(激光束)20在以光衰减器22调节光输出之后输入至光学系统模块23。输入至光学系统模块23后的激光20借由设置于光学系统模块23的内部的透镜系统，而成形为线束状(长方形)。成形为线束状的激光20例如被配置于光学系统模块23的内部的反射镜23a所反射之后，由密封窗23b入射至密闭壳体24。入射至密闭壳体24的激光20行进于密闭壳体24的内部空间之后，从密封窗24a入射至设置于处理室25的密封箱26。接着，入射至密封箱26的激光20穿过设置于密封箱26的开口部27而往载台2行进。于此，将穿过密封箱26的开口部27往载台2(基板3)行进的激光20，标上附图标记20a并且称为激光20a。激光20a照射至一边悬浮于载台2上一边移动的基板3(更特定地说是基板3上的非晶硅膜3a)。非晶硅膜3a当中的激光照射区域被局部地加热，并且变化(变质)为多晶硅膜(polysilicone film)。
激光20a成形为在以Y方向为长轴方向(纵向)的线束状。于图2及后述的图3及图25当中，将可照射到激光20a的区域(平面区域)标示附图标记20b作为表示激光照射区域20b。激光照射区域20b为具有长轴(长边)及短轴(短边)的长方形，长轴(长边)大于短轴(短边)，长轴(长边)方向为Y方向，短轴(短边)方向为X方向。也就是说，激光20a于载台2的表面(上表面)上的平面形状，为具有长轴(长边)及短轴(短边)的长方形，长轴(长边)方向为Y方向，短轴(短边)方向为X方向。从另一个角度来看，被照射至基板3(非晶硅膜3a)的激光20a的平面形状为具有长轴(长边)及短轴(短边)的长方形，长轴(长边)方向为Y方向，短轴(短边)方向为X方向。也就是说，基板3(非晶硅膜3a)的表面上，或是载台2的表面上的激光20a的平面形状为具有长轴(长边)及短轴(短边)的长方形，其长轴(长边)的方向为Y方向。激光照射区域20b的长边的长度(Y方向的长度)例如可为与基板3于Y方向上的长度大致相同。另一方面，激光照射区域20b的短边的长度(X方向的长度)比基板3于X方向上的长度小许多。
于此，X方向及Y方向为彼此相交的方向，优选地，为彼此垂直相交的方向。此外，X方向及Y方向大致平行于载台2的上表面，因此，大致平行于悬浮并移动于载台2上的基板3的上表面。
对基板3进行激光处理时，载台2本身不移动，基板3一边悬浮于固定的载台2上而一边被搬运(移动)。也就是说依序地从图2的(a)状态，转移到图2(b)状态，再转移到图2的(c)状态。图2的(a)对应于基板3于移动开始之前的状态，图2的(b)为对应基板3于移动中的状态，图2的(c)为对应于基板3移动结束时的状态。配置于载台2上的基板3可借由从载台2的上表面(也就是构成载台2的多个上部结构5的上表面)所喷射的气体，而从载台2悬浮。此外，可借着如基板搬运用的机械手臂(未示出)抓住基板3于X方向上移动，而使悬浮于载台2上的基板3沿着X方向移动。
对基板3进行激光处理时，载台2本身不移动，此外，激光20的照射位置也不移动。因此，对载台2所照射的激光20a的照射位置为固定。也就是说，从载台2视角观察时，激光照射区域20b为固定。然而，由于基板3一边悬浮于载台2上一边沿X方向移动，使得基板3(非晶硅膜3a)上的激光20a的照射位置(照射区域)随着基板3的移动而移动。也就是说，借着使基板3相对于位置固定的载台2及激光20a移动，使得激光20a于基板3(非晶硅膜3a)上的照射位置(照射区域)随着基板3的移动而跟着移动。借此，可扫描非晶硅膜3a中的激光照射区域，并于非晶硅膜3a整体施加激光20a的照射处理。此外，激光20可为连续的激光或是特定频率的脉冲状激光。
此外，惰性气体(例如氮气)被供给至密封箱26，使得该惰性气体从设置于密封箱26的下部的开口部27喷射出(排出，排气)。此外，从设置于密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体被喷射至一边悬浮于载台2上一边沿X方向移动的基板3(更特定地说为基板3上的非晶硅膜3)的上表面。因此，设置于密封箱26的开口部27可视为用于喷射惰性气体的气体喷射口。
从密封箱26的开口部27对基板3上的非晶硅膜3a喷射惰性气体，是为了要避免在当照射激光至基板3上的非晶硅膜3a而使得非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时产生不必要的反应(例如避免于多晶硅膜的表面上产生氧化硅膜)。也就是说，是为了在从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体的气氛中，将激光照射至非晶硅膜3a，以使非晶硅膜3a转变为多晶硅膜。
也就是说，在一边使基板3悬浮于载台2上并沿着X方向移动，一边将惰性气体(例如氮气)喷射至形成于基板3的表面的非晶硅膜3a的同时，照射成形为线束状的激光20a。其结果为，形成于基板3上的非晶硅膜3a局部性地被加热，借此可使当非晶硅膜3a的激光照射区域转变为多晶硅膜的同时，也扫描非晶硅膜3a当中的激光照射区域。以此方式对非晶硅膜3a整体施加激光处理(激光退火处理)，可将非晶硅膜3a整体转变为多晶硅膜。也就是说，可使形成于基板3上的非晶质的半导体膜(于此为非晶硅膜3a)变质(转变)为多晶半导体膜(于此为多晶硅膜)。
以此方式，当使用激光处理装置1进行激光处理时，一边使基板3悬浮并搬运于载台2上，一边从密封箱26的开口部27喷射惰性气体，并将激光20a照射至基板3(非晶硅膜3a)。
＜关于激光处理装置的详细构成＞
接着，参考图3～图5，说明关于本实施方式的激光处理装置1的载台2的详细构成。
图3为本实施方式的激光处理装置1的主要部分俯视图，图4及图5为本实施方式的激光处理装置1的主要部分剖面图。图3表示本实施方式的激光处理装置1所具有载台2的一部分的俯视图，而图3所表示的俯视区域大致对应图2的(B)的区域29。此外，于图3当中，以阴影线标示激光照射区域20b。图4大致对应图3所示于A1-A1线位置的剖面图，图5为大致对应图3所示A2-A2线位置的剖面图。此外，虽图4的剖面图上表示出激光20a，于图5的剖面图当中，激光20a照射于非晶硅膜3a的上表面整体，因此省略激光20a的图示。
如上述般，本实施方式的激光处理装置1的载台2具有：座板4；以及配置于座板4上的多个上部结构5。载台2的上表面(表面)由多个上部结构5所构成，也就是说多个上部结构5的上表面(表面)构成了载台2的上表面。载台2所具有的多个的上部结构5分别地从其上表面(表面)喷射气体，可发挥借由所喷射的气体而使基板3悬浮的功能。本实施方式的激光处理装置1的载台2还具有填充组件8。
构成载台2的多个上部结构5包括上部结构5a,5b，于俯视下两者隔着激光照射区域20b而于X方向上相邻(参考图2及图3)。上部结构5a及上部结构5b配置为于X方向上互相分离并且相对。因此，上部结构5a及上部结构5b沿着X方向隔着特定间隔而配置，且填充组件8配置于X方向上的上部结构5a与上部结构5b之间。也就是说，上部结构5a及上部结构5b隔着填充组件8而沿着X方向相邻，填充组件8配置于上部结构5a及上部结构5b彼此相对的侧面之间。上部结构5a,5b、以及配置于上部结构5a,5b之间的填充组件8配置(安装)于座板4的上表面上。填充组件8可使用螺丝等来安装至上部结构5a或上部结构5b。
填充组件8为用来将上部结构5a与上部结构5b之间的间隙予以封闭(填补，填充)的组件。因此，填充组件8配置为填补上部结构5a与上部结构5b之间的间隙。上部结构5a,5b优选为接触上部结构5a,5b之间的填充组件8。与上部结构5不同，填充组件8并不喷射用于使基板3悬浮的气体(基板悬浮用气体)，因此并非作用为使基板3悬浮的组件。由于中间隔着填充组件8而沿着X方向相邻的上部结构5a与上部结构5b之间并未配置其他的上部结构5，因此于上部结构5a与上部结构5b之间的区域中，并不会喷射出用于使基板3悬浮的气体(基板悬浮用气体)。
填充组件8配置于上部结构5a与上部结构5b之间，并且配置为填补上部结构5a与上部结构5b之间的间隙，因此，填充组件8具有防止从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体于上部结构5a及上部结构5b之间的间隙往比填充组件8还要下侧(下方)流(流动)的功能。也就是说，借着使上部结构5a与上部结构5b之间存在填充组件8，使得从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体，不会流动至比填充组件8还要下方(更特定地说，比填充组件8的上表面还要下方)处。
填充组件8可由例如金属材料构成。例如，可将不锈钢(SUS)等作为填充组件8的材料来使用。此外，填充组件8可具有例如板状的外形，以配置于上部结构5a，5b之间。因此，填充组件8可借由加工板状的金属组件(金属板)来形成。
由于上部结构5a的结构及上部结构5b的结构基本上相同，因此，于此虽然针对上部结构5a进行说明，但有关于上部结构5a的结构的说明，也可适用于上部结构5b的结构。
上部结构5a具有表面侧组件6及基部(基座部)7，基部7上配置并支撑着表面侧组件6。表面侧组件6的上表面(表面)构成上部结构5a的上表面(表面)，因此，构成载台2的上表面(表面)的一部分。
表面侧组件6优选为由多孔质体(多孔质材料)形成。多孔质体具有许多微细的气孔(即细孔)。作为所使用的多孔质体，可示例多孔质碳，多孔质陶瓷或是多孔质金属等。此外，表面侧组件6可为板状的组件。因此，可适当地使用多孔质板(由多孔质体所形成的板状的组件)作为表面侧组件6，于此情形下，用于使基板3悬浮的气体可穿过多孔质板所具有的许多细孔，并由多孔质板的上表面喷射出。于此情形，多孔质板的细孔对应上部结构5a的上表面的上述“微细的孔”。
基部7可由金属材料形成，优选可由铝或铝合金形成。基部7例如可使用加工板状的组件(金属板)而成之物。此外，座板4具有平坦的上表面，于座板的上表面上，配置有上部结构5a，5b及填充组件8。上部结构5a，5b各自的外形形状例如可为大致长方体。
上部结构5a包含用以从上部结构5a的上表面(表面侧组件6)喷射基板悬浮用气体的结构，具体地说包含以下结构。
如图4所示，上部结构5a除了基部7及表面侧组件6之外，还具有配置于基部7与表面侧组件6之间的中间板10。中间板10可为比基部7还要薄的板状组件，例如可由金属材料(铝等)来形成。于上部结构5a当中，中间板10通过粘接层(黏接材料)11b而粘接并固定至基部7上，此外，表面侧组件6通过粘接层(黏接材料)11a而粘接并固定至基部7上。上部结构5a当中，中间板10配置于基部7与表面侧组件6之间，于表面侧组件6与中间板10之间设置有空间(加压空间)12a，于基部7与中间板10之间设置有空间(减压空间)12b。空间12a受到中间板10、表面侧组件6及粘接层11a的包围，且空间12b受到基部7、中间板10及粘接层11b的包围。
中间板10上设置有多个(许多)贯穿孔13b，此外，于表面侧组件6也同样地，于与中间板10的贯穿孔13b整合的位置上，设置有多个(许多)贯穿孔13a。表面侧组件6的下表面当中的各个贯穿孔13a的周围、中间板10的上表面当中的各个贯穿孔13b的周围之间通过环状的粘接层11c而黏接。因此，表面侧组件6的各个贯穿孔13a、中间板10的各个贯穿孔13b之间通过环状的粘接层11c内的空间而连接。因此，由多孔质体(多孔质板)所形成的表面侧组件6除了多孔质体本身就具有的细孔之外，还具有以机械方式形成的多个(许多)贯穿孔13a。若考虑加工性，贯穿孔13a(直径)优选为大于多孔质体的细孔(直径)。
空间12a当中通过设置于基部7的贯穿孔(未示出)等而导入了加压气体，导入至空间12a的加压气体穿过表面侧组件6的多个微细孔(构成多孔质体的细孔)而从表面侧组件6的上表面喷射，借由喷射气体来使基板3悬浮。于图4当中，以朝上的箭头来示意性表示由此表面侧组件6的上表面喷射的气体。从表面侧组件6的上表面所喷射的气体例如可使用以氮气作为代表的惰性气体。此外，空间12b通过设置于基部7的贯穿孔(未示出)而受到减压，借此，以通过表面侧组件6的贯穿孔13a、环状的粘接层11c内的空间、中间板10的贯穿孔13b，来将表面侧组件6上的气体抽吸至空间12b。图4当中，将从表面侧组件6的上表面(贯穿孔13a)抽吸的气体以朝下的箭头示意性显示出。
因此，一边从表面侧组件6的微细孔(于此为构成多孔质体的细孔)喷射气体使基板3悬浮，一边从表面侧组件6的贯穿孔13a抽吸表面侧组件6上的气体以吸附基板3。因此，借着调整从表面侧组件6所作的气体喷射及气体吸附，可高精度地控制悬浮的基板3的高度位置。
此外，于此，作为一例，说明关于使用中间板10、粘接层11a,11b,11c、空间12a,12b及贯穿孔13a,13b等，来形成用于从上部结构5a的上表面进行气体喷射及气体抽吸的结构，惟并不局限于此。上部结构5a,5b也可具有用于从其上表面进行气体(基板悬浮用气体)喷射及气体抽吸的结构。
激光20a照射至基板3(更特定地说，是形成于基板3上的非晶硅膜3a)，若是没有基板3及非晶硅膜3a，激光20a会照射至上部结构5a及上部结构5b之间的区域(也就是填充组件8)。也就是说，激光20a朝向上部结构5a及上部结构5b之间的区域行进。因此，基板3(非晶硅膜3a)当中的激光照射区域20b(受到激光20a照射的区域)位于上部结构5a与上部结构5b之间的区域的上方(即填充组件8的上方)，于俯视下，与上部结构5a与上部结构5b之间的区域(即填充组件8)重叠。因此，上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(填充组件8)、激光20a的焦点位置，两者于俯视下重叠。
作为气体喷射口的开口部27配置于载台2的上方。此外，作为气体喷射口的开口部27配置在俯视下与激光20a的焦点位置重叠的位置。也就是说，于俯视下，开口部27与激光照射区域20b重叠。优选地，于俯视下，激光照射区域20b被开口部27包围。这是为了要将激光照射区域20附近形成为惰性气体气氛，并在从密封箱26的开口部27所喷射(排出)的惰性气体所形成的气氛当中，使激光20a照射至基板3(非晶硅膜3a)的缘故。
因此，作为气体喷射口的开口部27于俯视下与上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(填充组件8)重叠。也就是说，于俯视下，开口部27的至少一部份与上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(填充组件8)重叠。
此外，用作气体喷出口的开口部27，配置于处理室25当中载台2的上方，并且配置于比激光产生部21、光衰减器22、光学系统模块23及密闭壳体24还要下方(低的位置)的位置。
＜研究过程＞
图6表示本案发明人所研究的第一研究例的激光处理装置101的示意性构成的剖面图，其为相当于上述图1之物。
于图6所示的第一研究例的激光处理装置101当中，相当于上述基板3的基板103配置为于载台102上并接触载台102。一边借着使载台102移动而使得基板103与载台102一起移动，一边将激光20照射至基板103。也就是说，于第一研究例的激光处理装置101当中，基板103并非悬浮于载台102上而移动，而是配置、固定于载台102上，使得载台102与基板103一起移动。借着使基板103与载台102一起移动，使得能够扫描形成于基板103上的非晶硅膜103a当中的激光照射区域，并且可使非晶硅膜103a整体转变为多晶硅膜。
然而，于第一研究例的激光处理装置101当中，必须使载台102与基板103一起移动，因此，对某个基板103进行激光处理之后，就必须将移动到激光处理的结束位置的载台102，复位至初期位置。此外，于其后必须先将下个基板103配置到载台102上，再进行一边使载台102与基板103一起移动，一边对该基板103所作的激光处理。于此情形下，必须先从载台102卸下完成激光处理的基板103，再进行将载台102复位至初期位置的动作，因此，于施加激光处理至多个基板103时，使得平均一张基板103的处理时间变长，导致生产量变低。
因此，本案发明人研究于一边使基板悬浮于激光处理装置的载台上，一边使该基板沿水平方向移动，并且对移动的基板照射激光的方式。由于在此情形下，不需要使载台移动，因此当施加激光处理至多个基板时，可缩短平均一片基板的处理时间，使得生产量提升。
图7表示本案发明人所研究的第二研究例的激光处理装置201的示意性结构，其相当于上述图1之物。图8为第二研究例的激光处理装置201的主要部分剖面图，其相当于上述图4之物。
第二研究例的激光处理装置201(图7及图8)，与本实施方式的激光处理装置1(图1及图4)的不同之处在于，本实施方式的激光处理装置1的载台2(图1及图4)具有填充组件8，相对于此，第二研究例的激光处理装置201的载台201(图7及图8)并不具有相当于填充组件8之物。也就是说，第二研究例的激光处理装置201的载台202当中，于上部结构5a与上部结构5b之间并未配置相当于填充组件8之物。
首先，说明关于在图7及图8所示的第二研究例的激光处理装置201、本实施方式的激光处理装置1(图1及图4)当中，上部结构5a及上部结构5b分离的理由。
于第二研究例的激光处理装置201(图7及图8)及本实施方式的激光处理装置1(图1及图4)当中，一边使基板悬浮于固定的载台(2,202)上并沿水平方向移动，一边对移动的基板3照射激光20a。借此能够扫描形成于基板3上的非晶硅膜3a当中的激光照射区域，并且可使非晶硅膜3a整体转变为多晶硅膜。
然而，于第二研究例的激光处理装置201(图7及图8)及本实施方式的激光处理装置1(图1及图4)当中，随着使基板3移动而载台(2,202)固定，使得从载台(2,202)视角观察下的基板3当中的激光照射位置被固定住，导致载台(2,202)有被局部性加热的风险。
也就是说，于图4及图7当中，基板3及其上的非晶硅膜3a当中，被激光20a所照射到的区域及其附近会被局部性地加热，因此，标示附图标记28以虚线圈起的区域(以下称为基板加热区域28)被局部性地加热而变成相当高温。由于一边使基板3移动一边照射激光，因此于基板3及其上的非晶硅膜3a当中，基板加热区域28随着基板3的移动而跟着移动。然而，载台(2,202)被固定住的，因此，由载台(2,202)来看，基板加热区域28的位置并未移动而是固定的。因此，对基板3进行激光处理的期间中，位于载台(2,202)当中基板加热区域28的下方的区域为固定。
因此，对基板3进行激光处理的期间中，于载台(2,202)当中，位于基板加热区域28的下方的区域及其附近，会被从基板加热区域28所传递的热持续地加热，因此，从基板加热区域28传递的热会累积，导致可能产生局部性地加热而使得局部性地温度上升的疑虑。若载台(2,202)被局部性地加热使得局部性地温度上升，会使得载台2产生热应变(起因于热的变形)，可能导致载台(2,202)变形。
若载台(2,202)局部性地产生变形时，基板3悬浮于载台(2,202)上的高度位置会产生变动，因此，可能导致对基板3所作的激光处理的条件的变动。也就是说，由于基板3一边悬浮于载台(2,202)上一边移动的关系，所以当载台(2,202)变形时，悬浮于载台(2,202)上的基板3的高度位置会有所变化，当基板3的高度位置变化时，被照射至该基板3的激光焦点位置与基板3之间的距离会改变，导致对基板3所作的激光处理的条件产生变动。
例如，即使在载台(2,202)因热应变而变形之前，原本悬浮于载台(2,202)的基板3的高度位置与激光20a的焦点位置一致，一旦载台(2,202)受到来自基板加热区域28的热传导的影响而变形，悬浮于载台(2,202)上的基板3的高度位置会从激光20a的焦点位置偏离。此情况导致载台(2,202)受热应变影响而局部性地变形的之前、之后，对基板3所作的激光处理的条件产生变动。
当于载台(2,202)受热应变的影响而变形的之前、之后，对于基板3所作的激光处理的条件产生变化，可能会使得将形成于基板3上的非晶硅膜3a借由激光处理变成多晶硅膜时，导致使得该多晶硅膜的特性产生变动。例如可能导致多晶硅膜的结晶状态的变动。因此，为了要抑制形成于一个基板3当中的多晶硅膜的特性的变动；或是形成于多个基板3的多晶硅膜彼此的特性的变动，希望抑制因来自基板加热区域28的热传导造成载台(2,202)产生变形的情况。
于此，也可评估不同于第二研究例(图7及图8)及本实施方式(图1及图4)，使上部结构5a及上部结构5b彼此接触而一体化的配置。然而，于此情形下，载台的上部结构存在于基板3(非晶硅膜3a)当中激光照射区域的正下方、也存在于基板加热区域28的正下方，使得热易于从基板加热区域28传递至载台的上部结构。因此，存在于基板加热区域28的正下方的上部结构(特别是相当于表面侧组件6之物)有着因来自基板加热区域28的热传导的影响而变形的疑虑。
相对于此，于第二研究例(图7及图8)及本实施方式(图1及图4)当中，使构成载台的上部结构5a及上部结构5b以特定间隔分离，于俯视下，激光20a的焦点位置与上部结构5a及上部结构5b之间的间隙(区域)重叠。以另一个观点来看，于俯视下，基板3(非晶硅膜3a)当中激光照射区域与上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(区域)重叠。借此使得在对基板3(非晶硅膜3a)进行激光处理期间，难以从基板加热区域28传递热至上部结构5a,5b(特别是上部结构5a,5b的表面侧组件6)。也就是说，由于基板3(非晶硅膜3a)当中的激光照射区域的正下方变得不存在上方结构(5a,5b)，因此不易从基板加热区域28将热传递至上部结构(5a,5b)，使得能够降低构成上部结构(5a,5b)的表面侧组件6受到来自基板加热区域28的热传导的影响而变形的风险。借此可降低一边悬浮于载台2上一边移动的基板3的高度位置产生变动的风险。
基于此理由，于第二研究例(图7及图8)及本实施方式(图1及图4)当中，使构成载台(2,202)的上部结构5a及上部结构5b分离，于俯视下，激光20a的焦点位置与上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(区域)重叠。
另外，于第二研究例(图7及图8)及本实施方式(图1及图4)当中，在进行激光处理时，如上述般从密封箱26的开口部27对基板3(非晶硅膜3a)喷射惰性气体。此乃为了要使在将激光20a照射至基板3上的非晶硅膜3a，以使非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时，避免产生不必要的反应。也就是说，是为了要在从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体的气氛当中，将激光20a照射至非晶硅膜3a，以使非晶硅膜3a转变为多晶硅膜。
因此，于第二研究例(图7及图8)及本实施方式(图1及图4)当中，一边使基板3悬浮于载台(2,202)上并沿水平方向移动，一边对形成于基板3的表面上所形成的非晶硅膜3a喷射惰性气体(例如氮气)并且同时照射激光20a。伴随于此，基于本案发明人的研究，发现到于第二研究例的激光处理装置201(图7及图8)的情况中，产生了以下参考图9～图11进行说明的问题。图9～图11为用于说明第二研究例的激光处理装置201的问题的说明图，其表示相当于上述图8位置的剖面图。
此外，于图9～图11及后述的图12～图14当中，示意性地以点状阴影标示出基于从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体(例如氮气)所形成的惰性气体气氛。此外，关于表示从构成上部结构5a,5b的表面侧组件6的上表面所喷射出的气体的箭头(图4及图8当中的朝上箭头)、表示从构成上部结构5a,5b的表面侧组件6的上表面(贯穿孔13a)抽吸的气体(图4及图8当中的朝下箭头)，于图9～图11及后述的图12～图14当中省略未示出。
如图9所示，对某基板3所作的激光处理(照射激光20a的处理)的期间中，从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体被喷射至基板3(非晶硅膜3a)，于基板3上的空间沿水平方向扩散。此时，从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体由于被基板3遮蔽住，因而并未被供给至上部结构5a及上部结构5b之间的间隙。
另一方面，在对某基板3进行激光处理结束起至下个基板3的激光处理开始的期间中，如图10所示般，于上部结构5a及上部结构5b之间的间隙的上方并不存在基板3。此时由于气体的行进彼端并不存在基板3，因此从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体，不会被基板3所遮蔽，而朝向载台2行进，被供给至上部结构5a及上部结构5b之间的间隙。如图10所示，于第二研究例当中，由于在上部结构5a及上部结构5b之间并未配置相当于上述填充组件8之物，因此，从密封箱26的开口部27被供给至上部结构5a及上部结构5b之间的间隙的惰性气体，会于上部结构5a与上部结构5b之间往下方流动。惰性气体于上部结构5a与上部结构5b之间往下方流动而变得于上部结构5a,5b的上表面处并不会沿水平方向(特别是X方向)扩散，因此于俯视下，惰性气体气氛的范围被限制在上部结构5a与上部结构5b之间的间隙及其附近，使得于俯视下惰性气体气氛的范围变得狭窄(参考图10)。
使下个基板3一边悬浮于载台2上一边移动，如图11所示般，当该基板3的端部到达上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方时，开始对于该基板3所作的激光处理(照射激光20a的处理)。此时，在对于该基板3所作的激光处理开始即刻的阶段(即如图11所示将激光20a照射至基板3的端部附近的阶段)当中，由于如上述般于俯视下的惰性气体气氛的范围变得狭窄的影响，使得激光照射区域(20b)附近的惰性气体不稳定而使得大气成分容易混进其中。因此，在对于该基板3所作的激光处理开始即刻的阶段(即图11的阶段)当中，激光20a可能在包含惰性气体但也混进大气成分的气氛中照射至基板3(非晶硅膜3a)。
若基板3从图11的状态起进一步持续移动，变成上述图9的状态，从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体于基板3上沿水平方向(特别是X方向)扩散，因此，于俯视下惰性气体气氛的范围变广，激光照射区域(20b)附近的惰性气体气氛稳定且大气成分难以混进其中。因此，于图9的状态下，激光20a于几乎未混进大气成分的惰性气体气氛当中照射至基板3(非晶硅膜3a)。
因此，于第二研究例的情形中，于基板3的端部附近、以及远离端部的位置上，对基板3所作的激光处理条件可能会产生变动。具体地说，于基板3的端部附近、以及远离端部的位置上，照射激光20a时的气氛(激光照射区域20b附近的气氛)有差异，可能使得非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时的结晶化程度不同。例如，借由激光处理将基板3上的非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时，于基板3的端部附近的多晶硅膜的结晶粒径、以及远离基板3的端部的位置(例如基板3的中央附近)的多晶硅膜的结晶粒径不同，使得于基板3上的多晶硅膜的结晶粒径产生落差(不均)。由于此导致使用该多晶硅膜的元件(例如薄膜晶体管元件)或装置(例如显示装置)的可靠性变差的问题，因此希望防止此情况。
此外，将激光20a于混有大气成分的气氛当中照射至非晶硅膜3a，会导致使得将非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时，产生不必要的反应的情况。由于此情况会导致使用该多晶硅膜的元件(例如薄膜晶体管元件)或装置(例如显示装置)的可靠性变差，因此希望防止此情况。
＜关于主要特征及功效＞
接着，说明关于本实施方式的激光处理装置的主要特征。图12～图14为用于说明本实施方式的激光处理装置1的功效的说明图，其表示出相当于上述图8位置的剖面图。
于本实施方式当中，以特定的间隔使上部结构5a及上部结构5b分离，于上部结构5a及上部结构5b之间配置填充组件8，使得于俯视下，激光20a的焦点位置(基板3当中的激光照射区域)与上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(填充组件8)重叠。借此，使得易于从基板加热区域28传递热的区域，也就是基板3的激光照射区域的正下方的区域当中存在有填充组件8而非上部组件5a,5b，因此，可抑制或防止上部结构5a,5b(特别是表面侧组件6)因热应变而变形的情形。因此，可抑制或防止一边悬浮于基板2上一边移动的基板3的高度位置产生变动。
由于上部结构5a,5b具有从其上表面喷射气体(基板悬浮用气体)而使基板3悬浮的作用，因此，上部结构5a,5b(特别是表面侧组件6)因热应变而变形的情况会影响使得一边悬浮于载台2上一边移动的基板3的高度位置产生变动。相对于此，填充组件8并非用来从其上表面喷射气体(基板悬浮用气体)的组件，也就是说，并非具有使基板悬浮的作用的组件。因此，即使填充组件8受到从基板加热区域28的热传导影响产生热应变而变形，相较于上部结构5a,5b(特别是表面侧组件6)因热应变而变形情况下，其对于基板3的高度位置的影响风险较小。因此，借由以特定的间隔使上部结构5a及上部结构5b分离，并于上部结构5a及上部结构5b之间配置填充组件8，可使喷射用于使基板3悬浮的气体的组件受到来自基板加热区域28的热传导的影响而变形的风险降低，因此，可抑制或防止一边悬浮于载台2上一边移动的基板3的高度位置产生变动。
此外，于第二研究例情况中，于上部结构5a,5b之间并未配置相当于上述填充组件8之物，因此如同参考上述图9～图11所示般，当于上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方不存在基板3时(图10阶段)，从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体于上部结构5a与上部结构5b之间流动至下方。于此情况中，惰性气体于上部结构5a,5b之上表面上不易沿水平方向(特别是X方向)扩散，因此，于俯视下的惰性气体气氛并不稳定，使得激光20a可能在混入了大气成分的气氛当中照射至基板3(非晶硅膜3a)。
于本实施方式当中，如图12所示般，在对某基板3进行激光处理(照射激光20a的处理)的期间中，从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体喷射至基板3(非晶硅膜3a)，于基板3上的空间沿水平方向扩散。此外，从对某基板3所作的激光处理结束起至下个基板3的激光处理开始的期间中，如图13所示般，于上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方并不存在有基板3，而上部结构5a与上部结构5b之间配置有填充组件8。此时，如同由图13可知般，由于在气体的行进彼端并不存在于基板3，因此从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体并未被基板3遮蔽而朝向载台2行进，因此，虽然可朝向上部结构5a与上部结构5b之间的间隙行进，但会被填充组件8限制气体的流动。也就是说，于本实施方式当中，从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体，并不需要于上部结构5a与上部结构5b之间流动到比填充组件8还要下方(更特定地说，比填充组件8的上表面还要下方)。因此，从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体，不需要于上部结构5a与上部结构5b之间往下方流动而变得易于在上部结构5a,5b上表面上沿水平方向(特别是X方向)扩散，因此，于俯视下，惰性气体气氛的范围可达到从上部结构5a,5b间的间隙起远离一定程度(于X方向上远离)的位置(参考图13)。因此，使得于俯视下惰性气体气氛的范围变广。
使下个基板3一边悬浮于载台2上一边移动，如图14所示般，当该基板3的端部达到上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方时，开始对于该基板3所作的激光处理(照射激光20a的处理)。此时，在对于该基板3所作的激光处理开始即刻的阶段(也就是如图14所示对激光20a照射基板3的端部的阶段)当中，也如上述般于俯视下惰性气体的范围变广，因此激光照射区域(20b)附近的惰性气体气氛稳定，使得大气成分难以混入。因此，在对于基板3所作的激光处理开始即刻的阶段(也就是如图4的阶段)当中也同样地，激光20a于几乎未混入大气成分的惰性气体气氛当中照射至基板3(非晶硅膜3a)。
当基板3持续地从图14的状态进一步地移动，成为图12的状态，从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体于基板3上沿水平方向扩散。由于在此阶段(图12阶段)也同样地，于俯视下惰性气体气氛的范围变广，因此，激光照射区域(20a)附近的惰性气体气氛稳定，大气成分难以混入，使得激光20a于几乎未混入惰性气体气氛当中照射至基板3(非晶硅膜3a)。
因此，于本实施方式当中，可抑制或防止于基板3的端部附近、远离端部位置上，对于基板3(非晶硅膜3a)所作的激光处理条件产生变动的情况。具体地说，在对多个基板3进行激光处理的情况中，在从对于各个基板3所作激光处理开始直到对于多个基板3所作的激光处理结束期间中，可将激光20a于几乎未混入惰性气体气氛中照射至该基板3(非晶硅膜3a)。因此，针对各个基板3，可在该基板3的端部附近、远离端部位置上使照射激光20a时的气氛(激光照射区域20b附近的气氛)为相同，以使非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时的结晶化程度相同(均匀)。例如，当借由激光处理使基板3上的非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时，可使基板3的端部附近的多晶硅膜的结晶粒径、以及远离基板3的端部位置(例如基板3的中央附近)的多晶硅膜的结晶粒径为相同，并使基板3上的多晶硅膜中的结晶粒径均一。因此，可提升使用该多晶硅膜的元件(例如薄膜晶体管)或装置(例如显示装置)的可靠性。
此外，于本实施方式当中，可防止激光20a于混入了大气成分的气氛当中照射至非晶硅膜3a，因此，在使非晶硅膜3a转变为多晶硅膜时，可防止不必要的反应产生。借此，可提升使用该多晶硅膜的元件(例如薄膜晶体管)或装置(例如显示装置)的可靠性。
此外，优选地，配置于上部结构5a及上部结构5b之间的填充组件8的上表面低于上部结构5a,5b的个别的上表面(即分别构成各个上部结构5a,5b的表面侧组件6的上表面)。其原因如下。
倘若填充组件8的上表面位于高于上部结构5a,5b的个别的上表面的位置，会形成填充组件8的一部分从上部结构5a,5b的个别的上表面突出的状态，使得填充组件8可能阻碍基板3一边悬浮于载台2上一边沿水平方向移动的运动。因此，借着使填充组件8的上表面的高度位置设定为低于上部结构5a,5b的个别的上表面，可避免填充组件8妨碍到基板3一边悬浮于载台2上一边沿水平方向移动的运动。
此外，若使填充组件8的上表面的高度位置低于上部结构5a,5b的个别的上表面，可在不改变上部结构5a,5b(表面侧组件6)的上表面与基板3的下表面之间的间隔的情况下，增加从基板加热区域28至填充组件8的上表面的距离。借此可降低位于基板加热区域28的下方的填充组件8的上表面的高度位置，使得热不易从基板加热区域28传递至载台2，因此可降低载台2受到从基板加热区域28的热传导的影响而变形的风险。
也就是说，由于从基板加热区域28传递至填充组件8的热也会从填充组件8传导至上部结构5a,5b，因此，使热不易从基板加热区域28传递至填充组件8的作法，具有着抑制上部结构5a,5b的温度上升，降低上部结构5a,5b(特别是表面侧组件6)变形的风险的作用。因此，借着使填充组件8的上表面的高度位置低于上部结构5a,5b的个别的上表面，可使得热不易从基板加热区域28传递至填充组件8，借此可抑制上部结构5a,5b的温度上升，因此可降低上部结构5a,5b(特别是表面侧组件6)变形的风险。此外，由于填充组件8并非喷射用于使基板3悬浮的气体的组件，因此即便使填充组件8的上表面的高度位置低于上部结构5a,5b的个别的上表面，也不会对使基板3悬浮并移动这件事产生负面影响。
此外，填充组件8的上表面与上部结构5a,5b的个别的上表面之间的高度差h1优选为40mm以下(h1≦40mm)。借此可易于借由填充组件8而得到限制惰性气体的流动的功效。因此，当基板3不存在于上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方时，从开口部27所喷射的惰性气体可于上部结构5a,5b的上表面上沿水平方向(特别是X方向)扩散，可更确实地扩展俯视下的惰性气体气氛的范围。
此外，上部结构5a的上表面及上部结构5b的上表面优选为彼此位于相同高度位置。借此可使得易于将受到激光20a照射的位置处的基板3的高度位置控制在特定的高度，并且易于将对于基板3(非晶硅膜3a)所作的激光处理条件控制于特定的条件。
此外，填充组件8具有防止从密封箱26的开口部27喷射的惰性气体于上部结构5a与上部结构5b之间往比填充组件8还要下侧流(流动)的功能。因此，填充组件8是优选为接触上部结构5a,5b，因此，优选地，填充组件8的侧面(面对着上部结构5a的侧面)与上部结构5a的侧面(面对着填充组件8的侧面)接触，且，填充组件8的侧面(面对着上部结构5b的侧面)与上部结构5b的侧面(面对着填充组件8的侧面)接触。借此能够更确实地，防止从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体，于上部结构5a与上部结构5b之间流动至比填充组件8还要下侧。于填充组件8接触上部结构5a,5b情形下，填充组件8于X方向上的尺寸与上部结构5a与上部结构5b之间的间隔(X方向上的间隔)大致一致。
此外，优选地，于俯视下，遍及上部结构5a与上部结构5b之间的区域整体配置有填充组件8。也就是说，优选地，于俯视下，填充组件8不单仅存在于上部结构5a与上部结构5b之间沿着Y方向位置的一部分上，填充组件8存在(延伸)于遍及上部结构5a与上部结构5b之间沿着Y方向的位置整体中。借此可于遍及上部结构5a与上部结构5b之间的区域整体上获得借由填充组件8来限制惰性气体的流动的功效。因此，当上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方不存在有基板3时，从开口部27所喷射的惰性气体容易从上部结构5a,5b的上表面沿水平方向(特别是X方向)扩散，可更确实地使俯视下惰性气体气氛的范围变广。
此外，填充组件8于上部结构5a与上部结构5b之间沿着Y方向延伸，也就是说沿着Y方向配置。此Y方向照射于基板3(非晶硅膜3a)的激光20a的长轴方向。也就是说，填充组件8于上部结构5a与上部结构5b之间，沿着激光20a(激光照射区域20b)的长轴方向来配置。借此能够易于以填充组件8来将于X方向上分离的上部结构5a与上部结构5b之间的间隙，进行遍及整个Y方向上的填补，借由填充组件8确实地得到于整个Y方向上限制惰性气体的流动的功效。
此外，密封箱26的开口部27发挥作为惰性气体的喷射口(喷出口)的功能。从密封箱26的开口部27喷射的惰性气体应被供给至激光照射区域20b及其附近。其原因为从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体，用于将激光照射区域20b及其附近的气氛变成惰性气体气氛，并使激光20a于该惰性气体气氛当中照射至基板3(非晶硅膜3a)。因此，使得于俯视下，密封箱26的开口部27与激光照射区域20b重叠，且也因而与激光20a的焦点位置重叠。于俯视下，若激光照射区域20b被密封箱26的开口部27包围为更为理想。借此使得易于从惰性气体密封箱26的开口部27将惰性气体供给至激光照射区域20b及其附近。此外，于俯视下，密封箱26的开口部27与激光照射区域20b重叠的情况中，于俯视下密封箱26的开口部27与上部结构5a、上部结构5b之间的间隙(填充组件8)重叠。
此外，具有载台2的多个上部结构5除了上部结构5a,5b之外，还包含上部结构5c。于图2情况中，以在X方向上隔着于X方向上彼此相邻的上部结构5a,5b的方式来配置上部结构5c，上部结构5c与上部结构5a于X方向上相邻，上部结构5a与上部结构5b于X方向上相邻，上部结构5b与上部结构5c于X方向上相邻。
于X方向上相邻的上部结构5a,5b之间如上述般地配置填充组件8。然而，相邻的上部结构5c,5a之间；以及相邻的上部结构5b,5c之间，不管有无设置相当于上述填充组件8皆可。其原因为，于俯视下，上部结构5a,5b之间的区域虽然与激光照射区域20b重叠，但于俯视下，上部结构5a,5c之间的区域、上部结构5b,5c间的区域，并不与激光照射区域20b重叠，并距离激光照射区域20b一定程度。
也就是说，从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体应供给至激光照射区域20b及其附近，因此，惰性气体从密封箱26的开口部27朝向激光照射区域20b喷射；换个角度来看，从密封箱26的开口部27朝向上部结构5a,5b之间的间隙喷射。因此，若上部结构5a,5b之间不具填充组件8，会产生上述参考图9～图11进行说明的问题；而于相邻的上部结构5c,5a之间、相邻的上部结构5b,5c之间即使不具相当于上述填充组件8之物，也不会产生参考上述参考图9～图11进行说明的问题。因此，即使是在上部结构5a,5c之间、上部结构5b,5c之间未设置相当于填充组件8之物的情况下，只要在上部结构5a,5b之间设置填充组件8，就可以改善或解决上述参考图9～图11进行说明的问题。此外，于上部结构5a,5c之间、上部结构5b,5c之间未设置相当于填充组件8之物的情况中，可使载台2的结构更为简化，使得载台2易于组装。而相邻的上部结构5c彼此之间，也与相邻的上部结构5a,5c之间、以及相邻的上部结构5b,5c之间同样地即使未设置相当于填充组件8之物也无妨。
此外，上部结构5a,5b,5c分别具有从上表面(表面)喷射气体(gas)，借由喷射的气体使基板3悬浮的作用。然而，上部结构5c的喷射气体的机构也可不同于上部结构5a,5b。例如，如上述般，关于上部结构5a,5b，其可一边从构成上部结构5a,5b的表面侧组件6的微细孔(构成多孔质体的细孔)喷射气体以使基板3悬浮，一边从表面侧组件6的贯穿孔13a抽吸表面侧组件6上的气体以吸附基板3。也就是说，于上部结构5a,5b当中，从上表面来进行气体喷射及气体抽吸两个动作，并调整其平衡。相对于此，关于上部结构5c，虽然从设置于构成上部结构5c的表面侧组件(相当于表面侧组件6之物)的多个贯穿孔来喷射气体，但是于上部结构5c中并未设置抽吸表面侧组件上的气体的机构。因此，构成上部结构5c的表面侧组件可不为多孔质体，例如可使用形成多个(许多)贯穿孔的金属板。
使得易于控制悬浮于载台2上的基板3的高度位置的部分，并非从上表面喷射气体但是并未抽吸气体的上部结构5c，而是可从上表面进行气体喷射及气体抽吸两者的上部结构5a,5b。另一方面，会希望正确控制悬浮于载台2上的基板3的高度位置的部分为激光照射区域20b附近的区域。因此，关于靠近激光照射区域20b的上部结构5a,5b，其借着能够从上表面进行气体喷射及气体抽吸两者，以更为正确地控制照射激光20a的位置处的基板3的高度位置，以使易于控制激光处理条件。另一方面，关于远离照射激光20a的位置的上部结构5c，其虽从上表面进行气体喷射但不进行气体抽吸，借此可简化上部结构5c的结构。借此使得易于准备上部结构5c，因此可降低激光处理装置的制造成本。
＜显示装置的一例＞
本实施方式的激光处理装置1例如可适用于显示装置的制造步骤中。
图15为表示作为液晶显示装置的大画面电视的外观图；图16为表示作为液晶显示装置的行动通信装置的外观图。于图15所示的大画面电视31及作为图16所示的行动通信机器的智能手机32分别为本实施方式当中显示装置的一例。
作为上述本实施方式的显示装置，以各种尺寸的显示装置作为对象。此外，本实施方式当中的显示装置并不限液晶显示装置，例如也可将有机EL显示装置作为对象。
＜显示装置的制造步骤＞
接着针对本实施方式中显示装置的制造步骤的概要，以液晶显示装置的制造步骤为例，参考图17简单地说明。图17为表示制造本实施方式的显示装置的制造步骤的流程的流程图。
首先，分别形成薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板。
具体地说，借由准备玻璃基板，于该玻璃基板上形成薄膜晶体管(TFT)，获得TFT玻璃基板(形成有TFT的玻璃基板)(图17的步骤S1)。薄膜晶体管形成步骤包含使用了上述激光处理装置1的激光处理，此玻璃基板对应上述基板3及后述的基板50。
接着，将取向膜涂覆至TFT玻璃基板的表面之后(图17的步骤S2)，施加摩擦(rubbing)处理(图17的步骤S3)。其后，于TFT玻璃基板的表面涂覆密封剂(图17的步骤S4)。
另一方面，借着准备另一玻璃基板，于该玻璃基板上形成彩色滤光片，以获得彩色滤光片基板(形成有彩色滤光片的玻璃基板)(图17的步骤S5)。
接着，于彩色滤光片玻璃基板的表面涂覆取向膜之后(图17的步骤S6)，施加摩擦处理(图17的步骤S7)。其后，涂覆间隙剂于彩色滤光片基板的表面(图17的步骤S8)。
接着，贴合TFT玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板之后(图17的步骤S9)，施加切割(scribe)处理(图17的步骤S10)。借此使得所贴合的TFT玻璃基板与彩色滤光片玻璃基板被切割成各个的液晶显示装置的尺寸。
其后，将液晶注入以密封剂及间隙剂所确保出的TFT玻璃基板与彩色滤光片玻璃基板之间的间隙之后(图17的步骤S11)，将该间隙密封(图17的步骤S12)。
接着，粘贴一对偏光板，使其包夹贴合好的TFT玻璃基板及彩色滤光片玻璃基板(图17的步骤S13)。可用此方式来制造液晶显示面板。此外，对液晶显示面板进行压制驱动电路(图17的步骤S14)之后，进一步地安装背光源(图17的步骤S15)。以此方式完成液晶显示装置(图17的步骤S16)。
＜显示装置的详细构成＞
接着，说明关于本实施方式的显示装置的详细构成。图18为表示本实施方式的显示装置的构成例的图。
于图18所示的构成例当中，显示装置具有：像素部(像素区域)41，其中多个像素40配置为矩阵状(行列状)；扫描线驱动电路42；信号线驱动电路43。像素40借由电连接至扫描线驱动电路42的线路44(扫描线)所供给的扫描信号，来决定各个行为选择状态或非选择状态。此外，借由电连接至信号线驱动电路43的线路45(信号线)，使得像素信号(影像信号)被供给至扫描信号所选择的像素40。
图19为表示图18所示像素的构成例的图。如图19所示，于像素40设置有：薄膜晶体管46，其发挥作为控制像素的开关元件的作用；液晶元件47，其发挥作为显示部的作用。例如，液晶元件47具有将液晶材料包夹于一对电极(像素电极及相对电极)之间的结构。
于薄膜晶体管46当中，闸极电极电连接至线路44(扫描线)，源极及汲极当中其中之一电连接至线路45A(信号线)，其中另一者则电连接至液晶元件47的像素电极。
＜薄膜晶体管的装置结构＞
接着说明关于薄膜晶体管46的装置结构。图20为表示薄膜晶体管的装置结构的剖面图。
图20所示的薄膜晶体管46具有顶闸极型结构。薄膜晶体管46具有通道膜51，其形成于具有绝缘表面的基板50(例如玻璃基板)上。通道膜51由作为多晶半导体膜的多晶硅膜所形成。此外，基板50上形成有闸极绝缘膜52并使其覆盖通道膜51，闸极电极53形成于闸极绝缘膜52上。于闸极绝缘膜52上形成有层间绝缘膜54并使其覆盖闸极电极53，于层间绝缘膜54上形成有源极55a及汲极55b。源极55a及汲极55b分别通过设置于层间绝缘膜54及闸极绝缘膜52的贯孔而与通道膜51相接。以覆盖层间绝缘膜54、源极电极54及汲极电极55b的方式来形成保护膜56。以上述方式来形成薄膜晶体管46。
此外，于此针对薄膜晶体管46具有顶闸极型结构的情况进行说明，但作为其他型态，薄膜晶体管46也可具有底闸极型结构。
＜薄膜晶体管的制造步骤＞
接着说明关于薄膜晶体管(46)的制造步骤。图21为表示薄膜晶体管的制造步骤的流程的流程图。
首先，例如，于由玻璃所形成的基板，即玻璃基板(对应上述基板3,50)上形成通道膜(51)(图21的步骤S21)。接着，于玻璃基板(3,50)上形成闸极绝缘膜(52)并使其覆盖通道膜(51)(图21的步骤S22)。接着，于闸极绝缘膜(52)上形成闸极电极(53)(图21的步骤S23)。于形成闸极电极(53)之后，可将用于源极、汲极的杂质注入至通道膜(51)。接着形成层间绝缘膜(54)(图21的步骤S24)。接着，先于层间绝缘膜(54)及闸极绝缘膜(52)形成贯孔之后形成源极电极(55a)及汲极电极(55b)(图21的步骤S25)。接着形成保护膜(56)(图21的步骤S26)。依上述方式可制造薄膜晶体管。
＜通道膜形成步骤＞
于此说明关于通道膜(51)的形成步骤的详细内容。图22为说明通道膜的形成步骤的流程的流程图。
首先，于玻璃基板(3,50)上形成非晶硅膜(图22的步骤S31)。其后，对非晶硅膜照射激光(20a)，施加激光退火处理(图22的步骤S32)。借此使得非晶硅膜被加热，其结果为从非晶硅膜形成多晶硅膜(图22的步骤S33)。也就是说，非晶硅膜转变(变质)为多晶硅膜。以上述方式，可形成由非晶硅膜转变(变质)而成的通道膜(51)。此外，于激光退火处理之后，也可使用光刻技术及蚀刻技术等，对由多晶硅膜所形成的通道膜(51)图案化成为特定形状。
由于通道膜具有作为电子的通道的功能，因此通道膜的特性影响着薄膜晶体管的性能。由于与非晶硅相较之下多晶硅的移动度较高，因此能够借着以多晶硅膜来构成通道膜的作法来提升薄膜晶体管的性能。因此，于本实施方式当中，由多晶硅膜来构成通道膜。具体地说，如上述般，于形成非晶硅膜之后，对非晶硅膜施加激光退火处理，借此使非晶硅膜转变为多晶硅膜。因此，为了由多晶硅膜来构成通道膜，必须有激光退火(加热处理)，为了要实施此激光退火处理，必须有激光处理装置。于本实施方式当中，为了实施此激光退火处理，可使用上述激光处理装置1。
于使用本实施方式的激光处理装置1的情况中，使基板3一边悬浮于载台2上一边使该基板3沿水平方向移动(搬运)，并对移动的基板3(更特定地说，于基板3上的非晶硅膜3a)照射激光20a，借此使形成于基板3上的非晶硅膜3a转变为多晶硅膜。此多晶硅膜对应上述通道膜(51)。由于不需要使载台2移动，因此，当施加激光处理至多个基板时，可缩短平均一片基板的处理时间，提升生产量。
此外，于本实施方式的激光处理装置1当中，使上部结构5a与上部结构5b分离，并使激光20a的焦点位置(基板3当中的激光照射区域)于俯视下与上部结构5a与上部结构5b之间的间隙(填充组件8)重叠，借此抑制或防止上部结构5a,5b因热应变而变形。借此可抑制或防止一边悬浮于载台2上一边移动的基板3的高度位置产生变动。此外，于本实施方式的激光处理装置1当中如上述般，以填补上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的方式来配置填充组件8，借此可解决或改善上述参考图9～图11所说明的问题。
因此，借由使用本实施方式的激光处理装置1，可抑制或防止对基板3(非晶硅膜3a)所作的激光处理的条件产生变动。借此，可抑制或防止在将藉激光处理而形成于基板3上的非晶硅膜3a转变为多晶硅膜情况下，其多晶硅膜的特性的变动。因此，可抑制或防止由多晶硅膜所形成的通道膜(51)的特性产生变动，因而可抑制或防止薄膜晶体管(46)的特性的变动。因此，可提升具有薄膜晶体管(46)的显示装置的性能及可靠性。
＜变形例＞
接着说明关于本实施方式的激光处理装置1的第一变形例。
图23为表示本实施方式的激光处理装置1的第一变形例的主要部分剖面图，其对应上述图4。
于上述图4的情况中，配置于上部结构5a,5b及配置于上部结构5a,5b间的填充组件8配置于座板4的上表面上，上部结构5a,5b及填充组件8的各个下表面接触于座板4的上表面。
相对于此，于图23(第一变形例)情况中，填充组件8的下表面距离特定距离，配置于上部结构5a,5b之间的填充组件8与座板4的上表面上方之间存在着不存有填充组件8的特定空间。也就是说，于图4及图23情况当中，上部结构5a,5b及填充组件8的个别的上表面的高度位置虽然相同，但关于填充组件8的高度方向(Z方向)的尺寸，图23的填充组件小于图4的填充组件8，因此，关于填充组件8的下表面的高度位置，图23的填充组件8的下表面高于图4的填充组件8的下表面。
于图23(第一变形例)的情况中也同样地，填充组件8具有防止从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体，于上部结构5a与上部结构5b之间往比填充组件8还要下侧流(流动)的功能。也就是说，于图23(第一变形例)情形当中也同样地，上部结构5a与上部结构5b之间存在着填充组件8，借此使得从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体不会流动至比填充组件8还要下方(更特定地说比填充组件8的上表面还要下方)处。因此，于上部结构5a与上部结构5b之间，即使于填充组件8与座板4之间存在着不存有填充组件8的空间，也不会对从密封箱26的开口部27所喷射出的惰性气体的流动造成影响。于图23(第一变形例)情况中也同样地，填充组件8优选为接触上部结构5a,5b，因此，优选地，填充组件8的侧面(面对着上部结构5a的侧面)与上部结构5a的侧面(面对着填充组件8的侧面)接触，且填充组件8的侧面(面对着上部结构5b的侧面)与上部结构5b的侧面(面对着填充组件8的侧面)接触。
此外，作为进一步的变形例，也可为填充组件8也不仅是存在于上部结构5a,5b之间，还存在于上部结构5a,5b之下(也就是上部结构5a,5b与座板4之间)的情况。于此情况中，填充组件8从上部结构5a与上部结构5b之间一直延伸至上部结构5a,5b与座板4之间。在任何情况中，填充组件8都具有配置于上部结构5a,5b之间(被包夹)的部分。
接着说明关于本实施方式的激光处理装置1的第二变形例。
图24为表示第二变形例的激光处理装置1的载台2的俯视图，图25为第二变形例的激光处理装置1的主要部分俯视图，图26为第二变形例的激光处理装置1的主要部分剖面图。于图24表示相当于上述图2的(a)的俯视图。图25为将图24的一部分放大显示的部分放大俯视图，相当于上述图3。于图25当中，将激光照射区域20b以阴影线标示。图26大致对应于图25所示C1-C1线位置的剖面图。此外，图26所示的C2-C2线位置的剖面图、C3-C3线位置的剖面图、C4-C4线位置的剖面图、以及C5-C5线位置的剖面图，其中的任一者都几乎与上述图4相同，于此省略重复的图示。
于上述图2的情况中，上部结构5a,5b,5c的个别于Y方向上的尺寸为比基板3于Y方向上的尺寸还要大或是同等程度，基板3一边悬浮于X方向上相邻的一对的上部结构5a,5b上一边沿X方向移动，并将激光20a照射至移动的该基板3(更特定地说是基板3上的非晶硅膜3a)。此外，于X方向上相邻的上部结构5a,5b之间配置有于上述实施方式1中所说明的填充组件8。
相对于此，于图24～图26(第二变形例)情况中，上部结构5a,5b,5于Y方向上的尺寸分别小于基板3于Y方向上的尺寸。此外，于Y方向上配置多组隔着填充组件8且在X方向上相邻的成对的上部结构5a,5b。由于在X方向上相邻的5a,5b之间配置有所述填充组件8，因此，对应于多组成对的上部结构5a,5b的于Y方向上排列，上部结构5a,5b之间的填充组件8也于Y方向上排列。也就是说，于图24～图26情况中，以上部结构5a、上部结构5b及两者间的填充组件8为1组，其于Y方向上排列多组。此外，于图24～图26情况中表示于Y方向上4组排列的情况，于Y方向上排列的组数并不限于4组。此外，于图24的情况中，由于不仅是上部结构5a,5b，上部结构5a,5b之外的上部结构5c于Y方向上的尺寸也小于基板3于Y方向上的尺寸，因此于Y方向上也排列多个上部结构5c。
关于上部结构5a,5b以及填充组件8其个别的结构，由于图24～图26的情况与参考图3～图5所说明内容基本上相同，因而于此省略其重复说明。
于图24～图26(第二变形例)的情况中，可使各个上部结构5a,5b,5c的尺寸(平面面积)变小，因此，易于准备上部结构5a,5b,5c，并且易于组装载台2。因此，易于制造激光处理装置。
此外，于图24～图26(第二变形例)当中，可将于Y方向上排列的填充组件8一体化。于此情况中，形成了多个上部结构5a排列于延伸于Y方向上的共通的填充组件8一边的侧面上；而多个上部结构5b排列于另一边的侧面上的结构。也就是说，形成多组的上部结构5a,5b排列的结构，并且于其间配置延伸于Y方向上的共通的填充组件8。
此外，也可将上述图23(第一变形例)情况中的填充组件8适用于图24～图26(第二变形例)情况中。
接着说明关于本实施方式的激光处理装置1的第三变形例。填充组件8的高度(上表面的高度位置)也可为不固定。图27及图28为第三变形例的激光处理装置1的主要部分剖面图，其表示填充组件8的高度不固定情况中的例子。此外，图27为对应上述图5的剖面图；图28为对应上述图26的剖面图。剖面为图27时的俯视图与上述图3大致相同；剖面为图28时的俯视图与上述图25大致相同。
于图27情况中，与上述图3～图5情况相同，于一组的上部结构5a,5b之间配置填充组件8。于上述图5情况中，填充组件8的高度(上表面的高度位置)与Y方向上的位置无关大致为固定，于图27情况中，填充组件8的高度(上表面的高度位置)并非固定。具体地说，于图27情况中，于Y方向上的两个端部处将填充组件8的高度(上表面的高度位置)提高，于Y方向的两个端部以外(也就是于Y方向上比两个端部还要内侧)处将填充组件8的高度(上表面的高度位置)设得比两个端部还要低。此外，优选地，当基板3一边悬浮一边沿Y方向移动时，填充组件8的高度较高的区域(Y方向的两个端部)于俯视下与基板3并不重叠。
此外，于图28情况中，与上述图25及图26情况相同地，对应于多个成对的上部结构5a,5b沿Y方向排列，于上部结构5a,5b之间的填充组件8也为多个沿Y方向排列。也就是说，于图28情况中与上述图25及图26情况中相同地，以上部结构5a、上部结构5b以及两者之间的填充组件8为1组，并使其于Y方向上排列多组。于上述图26情况中，于Y方向上排列的多个填充组件8的高度(上表面的高度位置)与Y方向的位置无关而大致固定，于图28情况中，于Y方向上排列的多个填充组件8的高度(上表面的高度位置)并非固定。具体地说，于图28情况中，于排列于Y方向上的多个填充组件8整体上Y方向上的两个端部处提高填充组件8的高度(上表面的高度位置)，于Y方向上的两个端部以外处(即于Y方向上比两个端部还要内侧)将填充组件8设得比两个端部还要低。此外，优选地，基板3一边悬浮一边沿Y方向移动时，填充组件8的高度变高的区域(Y方向上的两个端部)于俯视下与基板3不重叠。
于图27情况及图28情况中，借着使填充组件8于Y方向上两个端部处的高度(上表面的高度位置)较高，以获得用填充组件8的高度为较高的区域(Y方向上的两个端部)，来限制从开口部27所供给的惰性气体于Y方向上的流动的功效。借此使得当于上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方不存在基板3时，从开口部27所喷射出的惰性气体容易从上部结构5a,5b的上表面上沿水平方向(特别是X方向)扩散。
接着，说明关于本实施方式的激光处理装置1的第四变形例。第四变形例可适用于上述图3～图5情况、上述图23(第一变形例)情况、图24～图26(第二变形例)情况、图27及图28(第三变形例)情况中的任一情况中。
第四变形例对应填充组件8具有可从其上表面喷射气体的结构的情况。关于从填充组件8的上表面所喷射的气体，例如，可使用以氮气作为代表的惰性气体。
于第四变形例情况中，由于可以借由从填充组件8的上表面所喷射的气体，来获得限制从密封箱26的开口部27所喷射的惰性气体的流动(朝向下方的流动)的功效，因此当上部结构5a与上部结构5b之间的间隙的上方不存在基板3时，从开口部27所喷射的惰性气体更易于上部结构5a,5b的上表面上沿水平方向(特别是X方向)扩散。
另一方面，当填充组件8不具有可从其上表面喷射气体的结构时，也就是当没有从填充组件8的上表面喷射气体时，不会有从填充组件8的上表面所喷射的气体碰撞基板3的情况。由于借此可消除从填充组件8的上表面所喷射的气体的影响，因此可借着从上部结构5a,5b的上表面的气体喷射及抽吸，来确切地控制照射激光20a位置上的基板3的高度位置。因此易于控制激光处理条件。
如上对于本案发明人所完成申请根据其实施方式进行具体说明，惟本申请并不限于所述实施方式，显而易见地，于不脱离其主旨范围内可进行各种变更。

Claims (11)

1.一种激光处理装置，包括：
载台，其具有表面及与所述表面相对的里面，并且可借由从所述表面喷射气体以悬浮搬运基板；
激光振荡器，其将激光照射至所述基板；及
气体喷射口，其用于喷射惰性气体，且配置于所述载台的上方且于俯视下与所述激光的焦点位置重叠的位置，
于此，所述载台的表面由第一上部结构及第二上部结构所构成，所述第一上部结构具有喷射所述气体的第一表面侧组件，且所述第二上部结构具有喷射所述气体的第二表面侧组件，
所述第一上部结构及所述第二上部结构配置为彼此分离且相对，
于俯视下，所述第一上部结构与所述第二上部结构之间的间隙，与所述激光的焦点位置重叠，
填充组件配置于所述第一上部结构与所述第二上部结构之间，并配置为填补所述间隙，且所述填充组件不喷射所述气体。
2.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，从所述气体喷射口所喷射出的所述惰性气体不流动至比所述填充组件还要下方处。
3.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，所述填充组件的上表面位于比所述第一上部结构及所述第二上部结构的上表面还要低的位置。
4.根据权利要求3所述的激光处理装置，其中，所述第一上部结构及所述第二上部结构的上表面的高度彼此相同。
5.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，所述激光于所述载台的所述表面上的平面形状为具有长轴及短轴的长方形，
所述填充组件沿着所述长轴的方向配置。
6.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，所述基板为玻璃基板。
7.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，于所述基板上形成有非晶半导体膜，借由所述激光的照射使得所述非晶半导体膜变质为多晶半导体膜。
8.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，所述第一表面侧组件及所述第二表面侧组件分别由多孔质体所形成。
9.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，所述激光穿过所述气体喷射口而照射至所述基板。
10.根据权利要求1所述的激光处理装置，其中，一边使所述基板悬浮于所述载台上并将其搬运，一边从所述气体喷射口喷射所述惰性气体，并将所述激光照射至所述基板。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的激光处理装置，其中，于从所述气体喷射口所喷射出的所述惰性气体所形成气氛中，将所述激光照射至所述基板。
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