CN113589649A - 树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法 - Google Patents

树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113589649A
CN113589649A CN202110930729.9A CN202110930729A CN113589649A CN 113589649 A CN113589649 A CN 113589649A CN 202110930729 A CN202110930729 A CN 202110930729A CN 113589649 A CN113589649 A CN 113589649A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
photoresist
formula
resin composition
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110930729.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113589649B (zh
Inventor
胡凡华
张腾
何卿
刘洪雷
方兵
朴大然
卢克军
张宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Tongcheng Electronic Materials Co Ltd
Beijing Asashi Electronic Materials Co ltd
Red Avenue New Materials Group Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Tongcheng Electronic Materials Co Ltd
Beijing Asashi Electronic Materials Co ltd
Red Avenue New Materials Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Tongcheng Electronic Materials Co Ltd, Beijing Asashi Electronic Materials Co ltd, Red Avenue New Materials Group Co Ltd filed Critical Shanghai Tongcheng Electronic Materials Co Ltd
Priority to CN202110930729.9A priority Critical patent/CN113589649B/zh
Publication of CN113589649A publication Critical patent/CN113589649A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113589649B publication Critical patent/CN113589649B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本申请提供一种树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法,属于光刻技术领域。树脂组合物按质量百分比计包括20~50%的第一树脂和50~80%的第二树脂;第一树脂的结构如式Ⅰ所示;第二树脂的结构如式II‑1或者式II‑2所示。树脂组合物中,含有至少两种二甲酚结构单元质量百分比不同的第二树脂,且二甲酚结构质量百分比≥30%的第二树脂的质量百分占比<60%。光刻胶组合物按质量百分比计包括:70~85%的溶剂、1~10%的感光剂以及10~20%的树脂组合物;感光剂包括G线感光剂和I线感光剂。该树脂组合物应用于光刻胶中,能够使得光刻胶兼具较高的分辨率和较快的感度。

Description

树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法
技术领域
本申请涉及光刻技术领域,具体而言,涉及一种树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法。
背景技术
OLED是继LCD后的新一代显示技术,OLED和LCD的最大技术本质区别其实就是“自发光”与否。OLED的结构更加简单,每个像素都能自己控制自己的发光与否这一点本质上的不同,就形成了OLED和LCD天然的技术壁垒。正是由于自发光的特性,OLED屏幕在显示黑色时可以做到完全不发光,OLED屏幕可以显示出完美画面对比度,显示画面也将更为生动、真实。所以,OLED是未来显示的趋势。
光刻胶是光刻技术中的关键基础材料,同样也是OLED面板制造的重要上游材料之一。随着平板显示器在多媒体领域的广泛应用,面板厂商需要不断提高面板的解析度,对现有光刻胶的分辨率提出了改善的要求;并且,为了提高产能,要求光刻胶具有高感度。因此需要开发能够同时满足高分辨率和高感度的光刻胶组合物。
然而,在目前的光刻技术中,酚醛树脂-重氮萘醌体系光刻胶的感度和分辨率通常情况下是呈现相反的趋势,一般分辨率越高感度越慢。
发明内容
本申请的目的在于提供一种树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法,该树脂组合物应用于光刻胶中,能够使得光刻胶兼具较高的分辨率和较快的感度。
本申请的实施例是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种树脂组合物,按质量百分比计包括:20~50%的第一树脂和50~80%的第二树脂;第一树脂的结构如式Ⅰ所示;第二树脂的结构如式II-1或者式II-2所示。
Figure BDA0003210605520000021
树脂组合物中,含有至少两种二甲酚结构单元质量百分比不同的第二树脂,且二甲酚结构质量百分比≥30%的第二树脂的质量百分占比<60%。
第二方面,本申请实施例提供一种光刻胶组合物,按质量百分比计包括:70~85%的溶剂、1~10%的感光剂以及10~20%的如第一方面实施例提供的树脂组合物;感光剂包括G线感光剂和I线感光剂。
第三方面,本申请实施例提供一种图案化方法,包括:采用如第二方面实施例提供的光刻胶组合物形成光刻胶层,并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对光刻胶层进行曝光,然后显影去除光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。
本申请实施例提供的树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法,有益效果包括:
本申请提供的树脂组合物,采用第一树脂有效提高感度,添加至少两种二甲酚结构单元质量百分比不同的特定的二甲酚树脂作为第二树脂有效提高分辨率;同时,将第一树脂和第二树脂按照特定比例进行配合,能够较好地实现分辨率和感度的协调。将该树脂组合物应用于含有G线感光剂和I线感光剂的光刻胶中,能够使得光刻胶兼具较高的分辨率和较快的感度。
本申请提供的光刻胶组合物,将该树脂组合物同G线感光剂和I线感光剂按照特定比例配合进行配合,分辨率能够达到2μm甚至更好,同时感度能够接近50mj甚至低于50mj,使得光刻胶兼具较高的分辨率和较快的感度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例7提供的光刻胶组合物进行分辨率测试的形貌图;
图2为本申请实施例8提供的光刻胶组合物进行分辨率测试的形貌图;
图3为本申请实施例9提供的光刻胶组合物进行分辨率测试的形貌图;
图4为本申请实施例10提供的光刻胶组合物进行分辨率测试的形貌图;
图5为本申请对比例4提供的光刻胶组合物进行分辨率测试的形貌图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
需要说明的是,本申请中的“和/或”,如“特征1和/或特征2”,均是指可以单独地为“特征1”、单独地为“特征2”、“特征1”加“特征2”,该三种情况。
另外,在本申请的描述中,除非另有说明,“一种或多种”中的“多种”的含义是指两种及两种以上;“数值a~数值b”的范围包括两端值“a”和“b”,“数值a~数值b+计量单位”中的“计量单位”代表“数值a”和“数值b”二者的“计量单位”。
下面对本申请实施例的树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法进行具体说明。
光刻工艺的分辨率(R)与曝光波长(λ)成正比,与透镜数值孔径(NA)成反比,R=Kλ/NA。因此,提高透镜数值孔径或缩短曝光波长均能够使光刻工艺的分辨率提高。其中,缩短曝光波长为提高分辨率的主要途径,为提高光刻分辨率,现有的光刻工艺的曝光波长已经从G线的436nm、I线的365nm缩短到KrF准分子激光的248nm,再缩短到目前的ArF准分子激光的193nm以及极紫外(EUV)的13~14nm。
目前,在平板显示器生产中,出于产能提升与节约成本考虑,常用的曝光光源有G线(436nm)和I线(365nm),很难实现通过波长来达到分辨率的提升。因此,通过提高透镜数值孔径来提升分辨率是光刻胶满足平板显示器生产需求的重要途径。
发明人研究发现,在含有G线感光剂和I线感光剂的光刻胶体系中,在采用普通的酚醛树脂的情况下,通过添加至少两种二甲酚质量百分比不同的特定的二甲酚树脂能够提高透镜数值孔径,从而能有效提高光刻胶的分辨率。在该体系中,特定的二甲酚树脂的添加会对光刻胶的感度产生一定影响,而普通的酚醛树脂有利于能提高感度,将普通的酚醛树脂和该特定的二甲酚树脂按照特定比例进行配合,能够较好地实现分辨率和感度的协调。
第一方面,本申请实施例提供一种树脂组合物,按质量百分比计包括:20~50%的第一树脂和50~80%的第二树脂。
第一树脂的结构如式Ⅰ所示。其是由间甲酚、对甲酚和甲醛在酸催化剂存在的条件下聚合得到的线性共聚物。
Figure BDA0003210605520000051
第二树脂的结构如式II-1或者式II-2所示,其是由苯酚、3,5-二甲酚和甲醛在酸催化剂存在的条件下聚合得到的线性共聚物,或者是由苯酚、2,5-二甲酚(含有不可避免的2,4-二甲酚杂质)和甲醛在酸催化剂存在的条件下聚合得到的线性共聚物。
Figure BDA0003210605520000061
树脂组合物中,含有至少两种二甲酚结构单元质量百分比不同的所述第二树脂,且二甲酚结构质量百分比≥30%的第二树脂的质量百分占比<60%。
可以理解的是,在本申请中,n1、n2、n3和n4均是指大于0的自然数。作为一种示例,n1和n2相等,聚合该式I的线性共聚物的间甲酚单体和对甲酚单体的质量比为1:1。
本申请提供的树脂组合物,采用如式Ⅰ所示的第一树脂有效提高感度,添加至少两种如式II-1或者式II-2所示的二甲酚结构单元质量百分比不同的二甲酚树脂有效提高分辨率。将第一树脂和第二树脂按照特定比例进行配合,能够较好地实现分辨率和感度的协调,使得该树脂组合物应用于含有G线感光剂和I线感光剂的光刻胶体系中,能够使得光刻胶兼具较高的分辨率和较快的感度。
发明人研究发现,以本申请的树脂组合物作为对比基础,当仅使用一种第二树脂时,或者当二甲酚结构质量百分比≥30%的第二树脂≥60%时,分辨率和感度的协调会受到影响,进而会使得光刻胶会分辨率较低或者感度较慢。
考虑到在第二树脂中,二甲酚结构单元质量百分比不同的二甲酚树脂需要有合适的比例,以便于多种不同的二甲酚树脂较好地协调配合。
作为一种示例,任意两种第二树脂之间的质量比为1:(1~4),例如但不限于为(1:1)、(1:2)、(1:3)和(1:1)中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
在一些示例性的实施方案中,树脂组合物由第一树脂和第二树脂组成。在该树脂组合物中,第二树脂的质量百分比例如但不限于为50%、55%、60%、65%、70%、75%和80%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值;对应地,第一树脂的质量百分比例如但不限于为20%、25%、30%、35%、40%、45%和50%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
需要说明的是,本申请的树脂组合物不限于仅含有该第一树脂和第二树脂,在其他实施方案中,树脂组合物中也可以根据需要常规地加入一定量的其他树脂。
发明人研究发现,本申请提供的树脂组合物在含有G线感光剂和I线感光剂的光刻胶体系中应用时,均能达到较快的感度;而在本申请特定的范围内将第二树脂的含量提高到一定程度,有利于使得光刻胶的分辨率进一步提高并达到1.5μm甚至更好。
基于上述发现,在一些示例性的实施方案中,第二树脂在树脂组合物中的质量百分比>70%,或为75~80%,例如为80%。可选地,余量均为第一树脂。
需要说明的是,在本申请中,不同的第二树脂之间,二甲酚树脂的结构可以相同也可以不同。即是说,可以是全部第二树脂的结构均为式II-1或者式II-2,也可以是一部分第二树脂的结构如式II-1而另一部分第二树脂的结构如式II-2。
发明人还研究发现,在第二树脂均为如式II-1所示的二甲酚树脂时,采用两种二甲酚结构单元质量百分比不同二甲酚树脂已经能够较好地兼顾较高的分辨率和较快的感度。而当采用更多种二甲酚结构单元质量百分比不同的二甲酚树脂时对于分辨率和感度没有明显地提升。因此,为了简化生产操作并方便原材料的管理,可选地仅采用两种二甲酚结构单元质量百分比不同的第二树脂。
基于上述发现,作为一种示例,第二树脂的结构如式II-1所示,且树脂组合物中含有两种第二树脂。
考虑到目前的工艺中,对于式II-1和式II-2所示的二甲酚树脂而言,更容易得到二甲酚的质量百分比约为10~30%的线性酚醛树脂。而且,研究还发现,采用多种上述二甲酚质量百分比的线性酚醛树脂,得到的树脂组合物应用于光刻胶中时,能够使得光刻胶较好地兼顾高分辨率和高感度。
可选地,每种第二树脂中的二甲酚结构单元的质量百分比均为10~30%,作为一种示例,第二树脂选自第一种二甲酚树脂、第二种二甲酚树脂和第三种二甲酚树脂中的至少两种。其中,第一种二甲酚树脂中二甲酚结构单元的质量百分比为10~12%,例如为10%;第二种二甲酚树脂中二甲酚结构单元的质量百分比为18~22%,例如为20%;第三种二甲酚树脂中二甲酚结构单元的质量百分比为28~30%,例如为30%。
考虑到将树脂材料的分子量控制在合适的范围内,有利于更好地保证光刻胶的整体性能。
关于第二树脂,作为一种示例,15≤n3+n4≤60,第二树脂的重均分子量为2000~8000。
关于第一树脂,作为一种示例,15≤n1+n2≤60,第一树脂的重均分子量为2000~8000。
第二方面,本申请实施例提供一种光刻胶组合物,按质量百分比计包括:70~85%的溶剂、1~10%的感光剂以及10~20%的如第一方面实施例提供的树脂组合物;感光剂包括G线感光剂和I线感光剂。
本申请提供的光刻胶组合物,将该树脂组合物同G线感光剂和I线感光剂按照特定比例配合进行配合,分辨率能够达到2μm甚至1.5μm,同时感度能够接近50mj甚至低于50mj,使得光刻胶兼具较高的分辨率和较快的感度。
关于树脂组合物,其在光刻胶组合物中的质量百分比例如但不限于为10%、11%、12%、13%、14%、15%、16%、17%、18%、19%和20%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
关于感光剂,其在光刻胶组合物中的质量百分比例如但不限于为1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%和10%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
可以理解的是,在本申请中,G线感光剂和I线感光剂的种类及二者之间的用量比例,可以根据本领域公知的含有G线感光剂和I线感光剂的光刻胶体系进行确认。
作为感光剂用量比例的示例,G线感光剂和I线感光剂的质量比为(30:70)~(70:30),例如但不限于为(30:70)、(40:70)、(50:70)、(60:70)、(70:70)、(70:60)、(70:40)和(70:20)中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。可选地,G线感光剂和I线感光剂的质量比为2:1。
作为感光剂种类的示例,G线感光剂的结构如式III所示,I线感光剂的结构如式IV所示。
Figure BDA0003210605520000091
Figure BDA0003210605520000101
其中,R1、R2、R3和R4中的至少三者的结构如式V或式VI所示,可选地如式V所示;剩余为氢基。R5、R6、R7和R8中的至少三者的结构如式V或式VI所示,可选地如式V所示;剩余为氢基。
Figure BDA0003210605520000102
关于溶剂,其在光刻胶组合物中的质量百分比例如但不限于为70%、73%、75%、77%、80%、82%和85%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
考虑到溶剂需要有良好的溶解性和良好的涂布性能,可选地,溶剂选自醚类、酯类和N-甲基吡咯烷酮中的至少一种,醚类包括乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚和二乙二醇二甲醚,酯类包括丙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、乙酸乙酯和乙酸正丁。作为一种示例,溶剂为丙二醇甲醚乙酸酯。
可以理解的是,在本申请中,光刻胶组合物根据性能需要还可以包括一种或者多种添加剂。此外,添加剂的种类和用量均可以按照本领域公知的标准进行选择。
作为一种示例,光刻胶组合物还包括增感剂、表面流平剂和粘附性促进剂中的至少一种或多种。
关于增感剂,其可选地为小分子的树脂单体,作为一种示例,其结构如式VII所示。该增感剂在光刻胶组合物中的质量百分比可选地为1~5%,例如但不限于为1%、2%、3%、4%和5%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
Figure BDA0003210605520000111
关于表面流平剂,其可选地为含氟表面活性剂。该流平剂在光刻胶组合物中的质量百分比可选地为0.05~1%,例如但不限于为0.05%、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%和1%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
关于粘附性促进剂,其可选地为乙烯基醚类化合物,例如为分子量在100万以上的超高分子乙烯基醚类化合物。该粘附性促进剂在光刻胶组合物中的质量百分比可选地为0.5~2%,例如但不限于为0.5%、1%、1.5%和2%中的任意一者点值或者任意两者之间的范围值。
第三方面,本申请实施例提供一种图案化方法,包括:采用如第二方面实施例提供的光刻胶组合物形成光刻胶层,并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对光刻胶层进行曝光,然后显影去除光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。
本申请提供的图案化方法,采用的正型光刻胶组合物具有分辨率高和感度快的特性,能够较好地应用于OLED平板显示器,用于OLED平板显示器的各层形成轮廓优异的图案。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例及对比例
一种光刻胶组合物,包括:树脂组合物13g、感光剂3g、增感剂1g、表面流平剂0.05g、粘附性促进剂0.5g以及溶剂80g。
树脂组合物由式Ⅰ所示的第一树脂和式II-1所示的第二树脂组成,各树脂的种类和在树脂组合物中的占比如表1所示。关于第一树脂,其共聚原料中间甲酚单体和对甲酚单体的质量比例为1:1,其重均分子量为4000。关于第二树脂,其重均分子量为4000-6000。
感光剂由2g如式III所示的感光剂和1g如式IV所示的感光剂组成。式III中,R1、R2、R3和R4中的R1、R2、R4的结构如式V所示,剩余为氢基。式IV中,R5、R6、R7和R8中的R5、R6、R8的结构如式V所示,剩余为氢基。
增感剂如式VII所示。表面流平剂为含氟表面活性剂,购买于DIC(大日本油墨)的F-500系列。粘附性促进剂为超高分子(100万以上)乙烯基醚类化合物,购买于梯希爱化成发展有限公司的P系列醚类化合物。溶剂为丙二醇甲醚乙酸酯。
表1.树脂组合物的组成(wt%)
Figure BDA0003210605520000131
Figure BDA0003210605520000141
注:10%的二甲酚树脂是指二甲酚结构单元的质量占比为10%的二甲酚树脂,20%的二甲酚树脂是指二甲酚结构单元的质量占比为20%的二甲酚树脂,30%的二甲酚树脂是指二甲酚结构单元的质量占比为30%的二甲酚树脂。
试验例
对各实施例及对比例提供的光刻胶组合物的性能进行评价,评价方法如下:
用slit涂布方式在硅片上涂光刻胶,经过VCD真空干燥后,在温度为110℃的热板上进行90s烘烤,形成光刻胶涂层,涂层厚度约1.5μm。然后使用G线、H线和I线的混合光源对光刻胶层进行不同能量的曝光,曝光后用2.38wt%的TMAH显影1min,水洗25s,再进行干燥除去曝光部分,形成光刻胶图形。
通过膜厚仪检查曝光前后光刻胶层的厚度,以评价光刻胶的残膜率。
使用扫描电子显微镜对光刻胶图形进行检查,以对比光刻胶的感度和分辨率。感度以2μm线条对应的曝光能量为准,曝光能量越小越有利于提高产能;分辨率以可以达到的最小线宽为准,线宽越小表明分辨率越高。
(一)实施例7~10及对比例4提供的光刻胶组合物的形貌图依次如图1~图5所示。在各图中,a、b、c、d、e和f依次对应的为掩模线宽为1.2μm、1.3μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm和3.0μm的形貌图。
在图1中,图1(a)中底部线宽为1.33μm、顶部线宽为421nm;图1(b)中底部线宽为1.52μm、顶部线宽为694nm;图1(c)中底部线宽为1.65μm、顶部线宽为823nm;图1(d)中底部线宽为2.00μm、顶部线宽为1.30μm;图1(e)中底部线宽为2.56μm、顶部线宽为2.20μm;图1(f)中底部线宽为3.00μm、顶部线宽为2.56μm。
在图2中,图2(a)中底部线宽为1.60μm、顶部线宽为524nm;图2(b)中底部线宽为1.54μm、顶部线宽为658nm;图2(c)中底部线宽为1.62μm、顶部线宽为902nm;图2(d)中底部线宽为1.98μm、顶部线宽为1.49μm;图2(e)中底部线宽为2.61μm、顶部线宽为2.10μm;图2(f)中底部线宽为3.04μm、顶部线宽为2.48μm。
在图3中,图3(a)中底部线宽为1.42μm、顶部线宽为722nm;图3(b)中底部线宽为1.65μm、顶部线宽为823nm;图3(c)中底部线宽为1.61μm、顶部线宽为1.12μm;图3(d)中底部线宽为2.05μm、顶部线宽为1.71μm;图3(e)中底部线宽为2.63μm、顶部线宽为2.30μm;图3(f)中底部线宽为3.02μm、顶部线宽为2.72μm。
在图4中,图4(a)中底部线宽为1.21μm、顶部线宽为548nm;图4(b)中底部线宽为1.54μm、顶部线宽为658nm;图4(c)中底部线宽为1.46μm、顶部线宽为873nm;图4(d)中底部线宽为1.90μm、顶部线宽为1.40μm;图4(e)中底部线宽为2.61μm、顶部线宽为2.10μm;图4(f)中底部线宽为3.04μm、顶部线宽为2.48μm。
在图5中,图5(a)中因分辨率达不到,图形具体尺度未曝开;图5(b)中底部线宽为1.81μm、顶部线宽为548nm;图5(c)中底部线宽为1.53μm、顶部线宽为331nm;图5(d)中底部线宽为1.67μm、顶部线宽为444nm;图5(e)中底部线宽为2.31μm、顶部线宽为1.26μm;图5(f)中底部线宽为2.95μm、顶部线宽为2.08μm。
实施例7~10中,树脂组合物中第二树脂的含量均为80%,且树脂组合物中含有两种或三种第二树脂。根据图1~图4可知,实施例7提供的光刻胶的分辨率能够到达1.5μm,实施例8提供的光刻胶的分辨率能够到达1.3μm,实施例9提供的光刻胶的分辨率能够到达1.2μm,实施例10提供的光刻胶的分辨率能够到达1.3μm。
对比例4中,仅使用第一树脂。根据图5可知,对比例4提供的光刻胶的分辨率仅能够达到3μm。
(二)各实施例和对比例中光刻胶的感度、残膜率和分辨率的检测结果如表2所示。
表2.光刻胶的感度、残膜率和分辨率
Figure BDA0003210605520000161
Figure BDA0003210605520000171
本申请实施例1~13提供的光刻胶组合物,兼具高分辨率、高感度和高残膜率的特点,能够较好的满足OLED平板显示器制造的要求。
根据实施例1~6和实施例7~13的对比可知,在树脂组合物中,控制第二树脂的含量在50~80%的基础上将第二树脂的含量提高到>70%,在保持高感度的同时,分辨率能够从1~2μm提高到1~1.5μm。
根据实施例7~11之间的对比可知,在第二树脂含量一定的情况下,采用两种二甲酚树脂或者三种二甲酚树脂,对光刻胶的分辨率和感度的影响不大。
对比例1~3中,仅使用第二树脂,且第二树脂仅一种,得到的光刻胶感度较慢。
对比例4中,仅使用第一树脂,得到的光刻胶的分辨率低。
对比例5~11中,采用第一树脂和第二树脂配合,其中的第二树脂仅一种,得到的光刻胶均不能较好地兼顾分辨率和感度。
对比例12~13中,第二树脂含量一定,且树脂组合物中使用两种第二树脂进行配合,其中二甲酚结构质量百分比≥30%的二甲酚树脂的含量过高,得到的光刻胶的感度均较慢。
对比例14~17中,尽管采用了第一树脂和第二树脂进行配合,且树脂组合物中采用了多种第二树脂进行搭配,由于第二树脂在树脂配合物中的含量过低,得到的光刻胶的分辨率均较低。
对比例18~20中,尽管采用了第一树脂和第二树脂进行配合,且树脂组合物中采用了多种第二树脂进行搭配,由于第二树脂在树脂配合物中的含量过高,得到的光刻胶的感度均较慢。
以上所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。

Claims (10)

1.一种树脂组合物,其特征在于,按质量百分比计包括:20~50%的第一树脂和50~80%的第二树脂;
所述第一树脂的结构如式Ⅰ所示;
Figure FDA0003210605510000011
所述第二树脂的结构如式II-1或者式II-2所示;
Figure FDA0003210605510000012
所述树脂组合物中,含有至少两种二甲酚结构单元质量百分比不同的所述第二树脂,且二甲酚结构质量百分比≥30%的所述第二树脂的质量百分占比<60%。
2.根据权利要求1所述的树脂组合物,其特征在于,所述第二树脂在所述树脂组合物中的质量百分比>70%。
3.根据权利要求1所述的树脂组合物,其特征在于,任意两种所述第二树脂之间的质量比为1:(1~4)。
4.根据权利要求1所述的树脂组合物,其特征在于,每种所述第二树脂中的二甲酚结构单元的质量百分比均为10~30%。
5.根据权利要求1~4任一项所述的树脂组合物,其特征在于,所述第二树脂的结构如式II-1所示,且所述树脂组合物中含有两种所述第二树脂。
6.根据权利要求1~4任一项所述的树脂组合物,其特征在于,15≤n3+n4≤60,所述第二树脂的重均分子量为2000~8000;
和/或,15≤n1+n2≤60,所述第一树脂的重均分子量为2000~8000。
7.一种光刻胶组合物,其特征在于,按质量百分比计包括:70~85%的溶剂、1~10%的感光剂以及10~20%的如权利要求1~6任一项所述的树脂组合物;所述感光剂包括G线感光剂和I线感光剂。
8.根据权利要求7所述的光刻胶组合物,其特征在于,所述G线感光剂和所述I线感光剂的质量比为(30:70)~(70:30),可选地,所述G线感光剂和所述I线感光剂的质量比为2:1;
和/或,所述G线感光剂的结构如式III所示,所述I线感光剂的结构如式IV所示;
Figure FDA0003210605510000021
其中,R1、R2、R3和R4中的至少三者独立地选自如式V或式VI所示的结构,剩余为氢基;R5、R6、R7和R8中的至少三者独立地选自如式V或式VI所示的结构,剩余为氢基;
Figure FDA0003210605510000031
9.根据权利要求7或8所述的光刻胶组合物,其特征在于,所述光刻胶组合物按质量百分比计还包括:1~5%的增感剂、0.05~1%的表面流平剂以及0.5~2%的粘附性促进剂中的一种或多种。
10.一种图案化方法,其特征在于,包括:采用如权利要求7~9任一项所述的光刻胶组合物形成光刻胶层,并采用包括G线、H线和I线的混合光源通过掩模板对所述光刻胶层进行曝光,然后显影去除所述光刻胶层的曝光部分形成光刻胶图案。
CN202110930729.9A 2021-08-13 2021-08-13 树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法 Active CN113589649B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110930729.9A CN113589649B (zh) 2021-08-13 2021-08-13 树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110930729.9A CN113589649B (zh) 2021-08-13 2021-08-13 树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113589649A true CN113589649A (zh) 2021-11-02
CN113589649B CN113589649B (zh) 2024-06-04

Family

ID=78257769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110930729.9A Active CN113589649B (zh) 2021-08-13 2021-08-13 树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113589649B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004053595A1 (ja) * 2002-12-06 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Lcd製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
KR20120022209A (ko) * 2010-09-01 2012-03-12 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
CN104007617A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 奇美实业股份有限公司 正型感光性树脂组合物及其图案形成方法
CN110597016A (zh) * 2019-09-29 2019-12-20 北京北旭电子材料有限公司 一种光刻胶组合物、制备方法及图案化方法
CN111505902A (zh) * 2020-05-27 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶组合物及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004053595A1 (ja) * 2002-12-06 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Lcd製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
KR20120022209A (ko) * 2010-09-01 2012-03-12 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법
CN104007617A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 奇美实业股份有限公司 正型感光性树脂组合物及其图案形成方法
CN110597016A (zh) * 2019-09-29 2019-12-20 北京北旭电子材料有限公司 一种光刻胶组合物、制备方法及图案化方法
CN111505902A (zh) * 2020-05-27 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 光刻胶组合物及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113589649B (zh) 2024-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI332123B (zh)
JP7283515B2 (ja) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
KR101312603B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR100711540B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR20150065584A (ko) 네거티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 착물
JPWO2004076535A1 (ja) シルセスキオキサン樹脂、ポジ型レジスト組成物、レジスト積層体及びレジストパターン形成方法
WO2005085954A1 (ja) 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
WO2004055598A1 (ja) 化学増幅型シリコーン系ポジ型ホトレジスト組成物
JP7194356B2 (ja) 化合物、樹脂及び組成物、並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
US4906549A (en) Positive-working photoresist composition with quinone diazide sulfonic acid ester and novolac made from m-cresol, p-cresol and aliphatic phenol with 2-6 carbon atoms
TWI301561B (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
KR20100102451A (ko) 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JPH04130324A (ja) ポジ型レジスト組成物
JP2003195496A (ja) 液晶表示素子製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
CN113589649B (zh) 树脂组合物、光刻胶组合物及图案化方法
KR100570948B1 (ko) Lcd 제조용 포지티브형 포토레지스트 조성물 및레지스트 패턴의 형성방법
KR100702375B1 (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
TWI441836B (zh) 正型光阻材料及圖案形成方法
CN112205077A (zh) 带图案膜基板的制造方法
JP4053402B2 (ja) Lcd製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
WO2005026842A1 (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
JP4071611B2 (ja) Lcd製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
CN113253569B (zh) 小分子组合物、光刻胶组合物及在基板上形成图案的方法
CN113296360B (zh) 用于光刻胶组合物的酸抑制剂、制备方法及光刻胶组合物
CN118131563A (zh) 正性感光树脂组合物及其套装试剂、图形化制法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant