CN113488413A - 晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统 - Google Patents
晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113488413A CN113488413A CN202110761381.5A CN202110761381A CN113488413A CN 113488413 A CN113488413 A CN 113488413A CN 202110761381 A CN202110761381 A CN 202110761381A CN 113488413 A CN113488413 A CN 113488413A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- air
- wafer
- exhaust
- ventilation system
- back plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统,晶圆后处理设备包括:用于竖直旋转晶圆的夹持机构、用于输送流体的供给臂、用于在晶圆处理腔室内形成动态气流的通风系统;所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件,所述排气组件包括排风背板和环形排风罩,所述晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集,并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出;所述排风背板的排风口具有由内向外敛缩的内表面,以在相邻排风口之间形成导流结构,从而减少排风口之间的实体区域对气流的阻挡。
Description
技术领域
本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域,尤其涉及一种晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统。
背景技术
化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会在抛光完成后在晶圆表面残留大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物,这些污染物会对后续工艺产生不良影响,并可能导致晶圆良率损失。所以在化学机械抛光之后需要引入后处理工艺,后处理工艺一般由清洗和干燥组成,以提供光滑洁净的晶圆表面。
在晶圆后处理过程中,需要对工艺腔室内不断进行通风换气,工艺腔室内气体流动产生的流场会对晶圆干燥产生影响,特别是当工艺腔室内的气体流场分布不均匀时会对晶圆后处理产生不利影响。腔室背板的排风口之间的实体部分对排风气流造成了阻挡,具体地,当抽吸气流正对排风口时该处气流排出顺畅,但是当抽吸气流正对背板的实体部分时会使气流受阻产生涡旋导致该处气流排出不畅,从而降低了腔内含污染物的废气的排出效率,进而增大了污染晶圆的可能性,对工艺效果不利。
因此,如何设置效果更好的通风系统是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明实施例的第一方面提供了一种应用于晶圆后处理设备的具有导流功能的通风系统,所述通风系统用于在晶圆处理腔室内形成动态气流,所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件,所述排气组件包括排风背板和环形排风罩,所述晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集,并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出;
所述排风背板的排风口具有由内向外敛缩的内表面,以在相邻排风口之间形成导流结构,从而减少排风口之间的实体区域对气流的阻挡。
在一个实施例中,排风口的截面积由内至外呈减小的趋势。
在一个实施例中,排风口的内表面为锥台形内表面。
在一个实施例中,导流结构连通排风背板的内表面和外表面,导流结构位于排风背板内表面的部分的面积小于其位于排风背板外表面的部分的面积。
在一个实施例中,导流结构为三棱柱形状,以消除气流死角。
在一个实施例中,导流结构的角度为3°~60°。
在一个实施例中,导流结构的角度为10°~45°。
在一个实施例中,排风口的数量为10~90个。
在一个实施例中,排风背板的厚度为5~50mm。
本发明实施例的第二方面提供了一种晶圆后处理设备,包括:用于竖直旋转晶圆的夹持机构和用于输送流体的供给臂;所述供给臂可竖直地摆动并经由设置于其自由端处的喷射机构将流体供应至晶圆上;还包括如上所述的通风系统。
本发明实施例的有益效果包括:通过对排风背板的排风口结构进行改进,形成了一种导流结构,能够有效消除气流死角,解决了位于排风背板内表面的排风口之间实体区域对气流形成阻挡的问题,提高了晶圆处理腔室的气体更新效率,增强了废气排出能力,减小了废气在腔室内的残留时间,进而降低了废气再次污染晶圆的可能性。
附图说明
通过结合以下附图所作的详细描述,本发明的优点将变得更清楚和更容易理解,但这些附图只是示意性的,并不限制本发明的保护范围,其中:
图1为本发明一实施例提供的晶圆后处理设备的立体图;
图2为图1中晶圆后处理设备的晶圆处理腔室内部结构示意图;
图3为本发明一实施例提供的排风背板的结构示意图;
图4为图3中排风背板的部分结构示意图;
图5为图3中排风口的放大图;
图6为本发明一实施例提供的晶圆后处理设备的立体图;
图7为图6中晶圆后处理设备移除环形排风罩后的正视图;
图8为图1中晶圆后处理设备移除进风罩后的立体图。
具体实施方式
下面结合具体实施例及其附图,对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式,用于说明本发明的构思;这些说明均是解释性和示例性的,不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。除在此记载的实施例外,本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案,这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是,除非特别予以说明,为了便于理解,以下对本发明具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
此外,还需要说明的是,本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明,用以帮助对相对位置或方向的理解,并非旨在限制任何装置或结构的取向。
为了说明本发明所述的技术方案,下面通过具体实施例来进行说明。
在本申请中,化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)也称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization),晶圆(wafer)也称为基板(substrate),其含义和实际作用等同。
如图1和2所示,根据本申请的晶圆后处理设备1包括:箱体10和设置于箱体10中的夹持机构20、供给臂30、转轴件40等,还包括设置于箱体10底部的电机组件(未示出)。其中,箱体10内部为晶圆处理腔室。夹持机构20具有多个卡爪(未示出)以固持晶圆W并带动晶圆W在箱体10内绕晶圆旋转轴竖直旋转,晶圆旋转轴经过晶圆W圆心并垂直于晶圆W表面。供给臂30具有两端,一端与转轴件40连接,另一端为自由端,自由端可绕转轴件40转动。供给臂30还与电机组件连接使得供给臂30可在电机组件的驱动下围绕转轴件40转动,从而实现供给臂30在平行于晶圆W所在平面的竖直平面内摆动。并且,供给臂30在其自由端配置有喷射机构(未示出),使得可以经由随供给臂30移动的喷射机构将流体供应至旋转的晶圆W的全局表面。转轴件40垂直于晶圆W设置。
如图1、6和8所示,晶圆后处理设备1还包括用于在晶圆处理腔室内形成动态气流的通风系统50,该通风系统50包括位于晶圆处理腔室一面的进气组件60和位于晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件70,进气组件60包括进风面板61和进风罩63,进风面板61上设有多个贯通的进风口62,排气组件70包括排风背板71和环形排风罩76,外部的气体从设于进风罩63下方的进气管路引入并通过进风面板61的进风口62通入晶圆处理腔室,晶圆处理腔室内的气体从排风背板71的排风口72进入环形排风罩76进行汇集,并通过环形排风罩76的底部引出结构77向下方的排气管路引出。另外,进气组件60包括进风面板61和进风罩63。
如图1所示,晶圆后处理设备1的箱体10由进风面板61、排风背板71以及腔室壁组成。箱体10围成晶圆处理腔室。
本实施例中的通风系统50通过设置进气组件60和排气组件70以保障晶圆处理腔室内气体持续更新,经过滤的洁净气体通过进风面板61的进风口62进入晶圆处理腔室内,从而加速晶圆干燥,腔室内气体从排风背板71的排风口72进入环形排风罩76,环形排风罩76汇集的气体通过设于其底部的底部引出结构77向下方的排气管路直接引出。
如图3-5所示,在本发明的一个实施例中,排风背板71的排风口72具有由内向外敛缩的内表面,以在相邻排风口72之间形成导流结构73,从而减少排风口72之间的实体区域对气流的阻挡。
本实施例通过减少位于排风背板内表面711的排风口72之间的实体区域面积,形成导流结构73,降低了晶圆处理腔室内的排风背板71实体部分对抽吸气流的阻挡作用,甚至可以消除气流阻挡。
具体地,如图3-5所示,排风口72的截面积由内至外呈减小的趋势。其中,由内至外是指按照从排风背板内表面711至排风背板外表面712的方向。优选地,排风口72的内表面为锥台形内表面721。
另外,增加排风口72的数量可减少相邻排风口72之间实体区域的宽度,排风口72的数量可以为10~90个。
如图3-5所示,导流结构73连通排风背板71的内表面和外表面,导流结构73位于排风背板内表面711的部分的面积小于其位于排风背板外表面712的部分的面积。也就是说,导流结构73位于排风背板内表面711的进风侧面积大,位于排风背板外表面712的出风侧面积小。
作为一个实施例,如图3-5所示,导流结构73为三棱柱形状,以消除气流死角。导流结构73的角度可以为3°~60°。优选地,导流结构73的角度为10°~45°。
作为一个实施例,排风背板71的厚度为5~50mm。优选为4~25mm。排风背板71的材料为铝合金。
本发明实施例通过对排风背板71的排风口72结构进行改进,形成了一种导流结构73,能够有效消除气流死角,解决了位于排风背板内表面711的排风口72之间实体区域对气流形成阻挡的问题,提高了晶圆处理腔室的气体更新效率,增强了废气排出能力,减小了废气在腔室内的残留时间,进而降低了废气再次污染晶圆的可能性。
如图6所示,环形排风罩76包括外环形板761、内环形板762和气密连接在外环形板761和内环形板762之间的盖板763,外环形板761、内环形板762和盖板763围成了导风通道,外环形板761、内环形板762和盖板763可以一体成型,外环形板761的底部设有用于与底部引出结构77配套气密连接的底部开口,外环形板761和内环形板762与排风背板71通过螺栓连接。
具体地,外环形板761的外端和内环形板762的内端在与排风背板71靠近的位置沿圆周方向设置有安装孔,通过螺钉和排风背板71上对应位置处的安装孔相连。环形排风罩76和底部引出结构77之间焊接固定或用螺钉固定。
环形排风罩76的中心轴和晶圆旋转轴重合,环形排风罩76的排气端朝竖直向下方向。优选地,环形排风罩76的材料为铝合金、不锈钢或工程塑料。
如图6、7所示,排风背板71的多个排风口72排列成与环形排风罩76位置对应的环形。排风口72的形状由环形等间隔截取形成,排风口72的数量为4~90个,该环形的环宽为排风口72的宽度a,排风口72的宽度a范围为1~100mm,排风口72的两边夹角θ1为2°~88°,排风口72的间隔角度θ2为2°~28°。
环形排风罩76的内部环宽b满足:a<b<a+100(mm),其中,a为排风口72的宽度,b为环形排风罩76的内部环宽。另外,环形排风罩76的内部深度为5~200mm。
如图1和8所示,在本发明的一个实施例中,进气组件60包括进风面板61和进风罩63。
如图8所示,进风面板61嵌于腔室前面板内,进风罩63覆盖在进风面板61外并通过螺钉固定于腔室前面板上。进风罩63的进气端朝竖直向下方向。进风罩63和进风面板61各自主体环形结构的中心轴分别与晶圆旋转轴重合。
本说明书的附图为示意图,辅助说明本发明的构思,示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是,为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构,各附图之间并未按照相同的比例绘制,相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (10)
1.一种应用于晶圆后处理设备的具有导流功能的通风系统,其特征在于,所述通风系统用于在晶圆处理腔室内形成动态气流,所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件,所述排气组件包括排风背板和环形排风罩,所述晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集,并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出;
所述排风背板的排风口具有由内向外敛缩的内表面,以在相邻排风口之间形成导流结构,从而减少排风口之间的实体区域对气流的阻挡。
2.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述排风口的截面积由内至外呈减小的趋势。
3.如权利要求2所述的通风系统,其特征在于,所述排风口的内表面为锥台形内表面。
4.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述导流结构连通排风背板的内表面和外表面,导流结构位于排风背板内表面的部分的面积小于其位于排风背板外表面的部分的面积。
5.如权利要求4所述的通风系统,其特征在于,所述导流结构为三棱柱形状,以消除气流死角。
6.如权利要求5所述的通风系统,其特征在于,所述导流结构的角度为3°~60°。
7.如权利要求5所述的通风系统,其特征在于,所述导流结构的角度为10°~45°。
8.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述排风口的数量为10~90个。
9.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述排风背板的厚度为5~50mm。
10.一种晶圆后处理设备,其特征在于,包括:用于竖直旋转晶圆的夹持机构和用于输送流体的供给臂;所述供给臂可竖直地摆动并经由设置于其自由端处的喷射机构将流体供应至晶圆上;还包括如权利要求1至9任一项所述的通风系统。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110761381.5A CN113488413B (zh) | 2021-07-06 | 2021-07-06 | 晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110761381.5A CN113488413B (zh) | 2021-07-06 | 2021-07-06 | 晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113488413A true CN113488413A (zh) | 2021-10-08 |
CN113488413B CN113488413B (zh) | 2022-08-16 |
Family
ID=77940450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110761381.5A Active CN113488413B (zh) | 2021-07-06 | 2021-07-06 | 晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113488413B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101207001A (zh) * | 2006-12-22 | 2008-06-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 排气装置及包含该排气装置的反应腔室 |
WO2009016919A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Ihi Corporation | 処理装置および処理装置を含むクリーンシステム |
CN204596767U (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-26 | 江苏长电科技股份有限公司 | 外壁导流排气压模头结构 |
CN106711062A (zh) * | 2015-11-17 | 2017-05-24 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种工艺反应腔体气流场的实现装置及其实现方法 |
CN109048644A (zh) * | 2018-10-19 | 2018-12-21 | 清华大学 | 晶圆的处理装置及处理方法、化学机械抛光系统 |
CN110265327A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-09-20 | 清华大学 | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系统和方法 |
CN110379734A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-10-25 | 清华大学 | 一种晶圆后处理系统和方法 |
CN111785663A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-16 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆后处理系统 |
CN211907395U (zh) * | 2020-05-25 | 2020-11-10 | 中之半导体科技(东莞)有限公司 | 一种改良型导气组件 |
CN112090217A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-12-18 | 华海清科股份有限公司 | 一种水气分离装置和化学机械抛光系统 |
-
2021
- 2021-07-06 CN CN202110761381.5A patent/CN113488413B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101207001A (zh) * | 2006-12-22 | 2008-06-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 排气装置及包含该排气装置的反应腔室 |
WO2009016919A1 (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Ihi Corporation | 処理装置および処理装置を含むクリーンシステム |
CN204596767U (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-26 | 江苏长电科技股份有限公司 | 外壁导流排气压模头结构 |
CN106711062A (zh) * | 2015-11-17 | 2017-05-24 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种工艺反应腔体气流场的实现装置及其实现方法 |
CN110265327A (zh) * | 2018-06-25 | 2019-09-20 | 清华大学 | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系统和方法 |
CN210325700U (zh) * | 2018-06-25 | 2020-04-14 | 清华大学 | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆后处理系统 |
CN109048644A (zh) * | 2018-10-19 | 2018-12-21 | 清华大学 | 晶圆的处理装置及处理方法、化学机械抛光系统 |
CN110379734A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-10-25 | 清华大学 | 一种晶圆后处理系统和方法 |
CN211907395U (zh) * | 2020-05-25 | 2020-11-10 | 中之半导体科技(东莞)有限公司 | 一种改良型导气组件 |
CN111785663A (zh) * | 2020-07-10 | 2020-10-16 | 华海清科股份有限公司 | 一种晶圆后处理系统 |
CN112090217A (zh) * | 2020-09-21 | 2020-12-18 | 华海清科股份有限公司 | 一种水气分离装置和化学机械抛光系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113488413B (zh) | 2022-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5705903B2 (ja) | 操作において開モードと閉モードとの切り替えを簡単に行う加工チェンバ設計を用いてマイクロ電子加工品を加工するための道具および方法 | |
KR20050107806A (ko) | 디스크상 물품의 습식 처리장치 및 처리방법 | |
US5948173A (en) | System and method for cleaning a semiconductor wafer | |
CN104517870A (zh) | 液处理装置 | |
JPH081064A (ja) | 回転処理装置 | |
US6494220B1 (en) | Apparatus for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer | |
CN113488413B (zh) | 晶圆后处理设备及其应用的具有导流功能的通风系统 | |
CN113488415B (zh) | 晶圆后处理设备及其应用的具有匀流功能的通风系统 | |
JP5318010B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN113488416B (zh) | 晶圆后处理设备及其应用的通风系统 | |
KR20090000808U (ko) | 진공척 | |
CN116759373A (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
CN102237246B (zh) | 一种排气板及等离子体处理设备 | |
JP2008194767A (ja) | 両面研磨機の定盤洗浄装置 | |
JP4637741B2 (ja) | 基板処理装置 | |
CN113471123B (zh) | 晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统 | |
CN118073235A (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
JP3451163B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWM517407U (zh) | 一種清洗裝置 | |
JP2006073938A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4447673B2 (ja) | スピン処理装置 | |
KR102575747B1 (ko) | 건식 세정 장치 | |
CN213276255U (zh) | 曝光机掩模清洗机的气流改善装置 | |
CN218692049U (zh) | 一种晶圆清洗装置 | |
KR101387927B1 (ko) | 화학 기계식 연마 시스템의 기판의 스핀식 헹굼 건조 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |