CN113474954B - 光学部件以及半导体激光模块 - Google Patents

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Abstract

光学部件(10)具备：光纤(11)，其具有纤芯部(11a)和形成于所述纤芯部(11a)的外周的包层部(11b)；光吸收体(13)，其配置于所述光纤(11)的外周；以及粘合材料(12)，其将所述光吸收体(13)和所述光纤(11)粘合，所述包层部(11b)具有：主部(11ba)，其在长边方向上延伸，具有主部包层直径(Aba)；以及输入侧端部(11bb)，其相对于所述主部(11ba)位于光的输入侧，所述输入侧端部(11bb)的输入端面(11c)的输入端面包层直径(Abb)比所述主部包层直径(Aba)小。

Description

光学部件以及半导体激光模块
技术领域
本发明涉及光学部件以及半导体激光模块。
背景技术
在加工、焊接这样的产业领域中，也使用半导体激光模块。在半导体激光模块中，作为使从半导体激光元件输出的激光与光纤耦合的部分的结构，公开了在光纤的外周设置固定光纤的玻璃毛细管，并在玻璃毛细管的外周设置固定玻璃毛细管的光吸收体的结构。光纤和玻璃毛细管例如用树脂等第1粘合材料进行粘合。玻璃毛细管和光吸收体例如用树脂等第2粘合材料进行粘合(专利文献1)。在该结构中，输入到光纤的激光的一部分不与纤芯(core)部耦合而以包层模式传播。这样的激光在传播中逐渐从包层部泄漏，透射两个粘合材料和玻璃毛细管到达光吸收体，被光吸收体吸收。另外，在使激光与光纤耦合的部分中，光纤的覆盖层被去除，露出包层部。根据专利文献1的结构，能够抑制覆盖层的损伤。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2015/037725号
发明内容
发明要解决的课题
在产业领域中，寻求光源的激光的高功率化。在专利文献1的结构中，随着激光高功率化，在激光之中以包层模式传播的激光的功率变大。其结果是，存在以包层模式传播并从包层部泄漏的激光损伤第1或第2粘合材料的担忧。特别是，由于第1粘合材料与包层部的外周相邻，因此所泄漏的激光的功率密度高，与第2粘合材料相比，容易损伤。
本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，提供一种抑制了损伤的产生的光学部件以及半导体激光模块。
用于解决课题的手段
为了解决上述的课题并实现目的，本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，具备：光纤，其具有纤芯部和形成于所述纤芯部的外周的包层部；光吸收体，其配置于所述光纤的外周；以及粘合材料，其将所述光吸收体和所述光纤粘合，所述包层部具有：主部，其在长边方向上延伸，具有主部包层直径；以及输入侧端部，其相对于所述主部位于光的输入侧，所述输入侧端部的输入端面的输入端面包层直径比所述主部包层直径小。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，所述输入侧端部是包层直径从所述主部包层直径到与所述输入端面包层直径大致相等的直径为止进行变化的锥形状。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，所述输入侧端部具有与所述输入端面包层直径大致相等的包层直径。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，所述包层部具有相对于所述主部位于光的输出侧的输出侧端部，所述输出侧端部的输出端面的输出端面包层直径比所述主部包层直径小。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，具备与所述光纤的所述输入端面连接、具有面积比所述光纤的所述输入端面大的输入端面的端盖。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，所述输入端面包层直径为所述纤芯部的纤芯(core)直径的1.1倍以上且1.4倍以下。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，所述主部包层直径比125μm大。
本发明的一个方式所涉及的光学部件的特征在于，所述主部包层直径为500μm以上。
本发明的一个方式所涉及的半导体激光模块的特征在于，具备：所述光学部件；半导体激光元件；以及光学系统，其将从所述半导体激光元件输出的激光引导到所述光学部件的所述输入端面。
发明效果
根据本发明，起到抑制光学部件以及半导体激光模块的损伤的产生这样的效果。
附图说明
图1是具备了实施方式1所涉及的光学部件的半导体激光模块的示意性的俯视图。
图2是实施方式1所涉及的光学部件以及光纤的示意性的剖视图。
图3是说明激光相对于光纤的输入状态的图。
图4是说明激光相对于光纤的输入状态的图。
图5是示出针对包层传播光量的必要包层直径的图。
图6是实施方式2所涉及的光学部件以及光纤的示意性的剖视图。
图7是说明激光相对于光纤的输入状态的图。
图8是说明激光相对于光纤的输入状态的图。
图9是实施方式3所涉及的光学部件以及光纤的示意性的剖视图。
图10是实施方式4所涉及的光学部件的示意性的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细地说明。另外，本发明并不被以下说明的实施方式所限定。此外，在附图的记载中，对相同或对应的要素适当标注相同的符号，并适当省略重复说明。此外，需要注意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等存在与现实不同的情况。
(实施方式1)
图1是具备实施方式1所涉及的光学部件的半导体激光模块的示意性的俯视图。半导体激光模块100具备作为壳体的封装件101和在封装件101的内部依次装载的LD高度调整板102、辅助支架103-1～103-6、六个半导体激光元件104-1～104-6。封装件101具备盖件，但在图1中为了说明而省略了图示。半导体激光模块100具备向半导体激光元件104-1～104-6注入电流的引线管脚105。而且，半导体激光模块100具备依次配置在半导体激光元件104-1～104-6所输出的激光的光路上的光学元件、即第1透镜106-1～106-6、第2透镜107-1～107-6、反射镜108-1～108-6、第3透镜109、光滤波器110、以及第4透镜111。第1透镜106-1～106-6、第2透镜107-1～107-6、反射镜108-1～108-6、第3透镜109、光滤波器110、第4透镜111分别固定在封装件101的内部。半导体激光模块100还具备与第4透镜111对置地配置的光学部件10和通过熔接连接等与光学部件10连接的光纤112。光纤112的与光学部件10连接的一侧的相反的一侧的一端向封装件101的外部延伸。
半导体激光元件104-1～104-6通过LD高度调整板102从封装件101的底面配置在相互不同的高度。进而，第1透镜106-1～106-6、第2透镜107-1～107-6、反射镜108-1～108-6分别配置在与对应的一个半导体激光元件相同的高度。此外，在光纤112向封装件101的插入部设置有松套管(loose tube)114，并在封装件101的一部分外嵌有保护罩(boots)113，以使得覆盖松套管114的一部分。
各半导体激光元件104-1～104-6从引线管脚105被供给电力而输出激光。被输出的各激光分别通过第1透镜106-1～106-6以及第2透镜107-1～107-6成为大致平行光。接着，各激光通过配置在对应的高度的一个反射镜108-1～108-6，向光纤112的方向反射。然后，各激光通过第3透镜109以及第4透镜111进行聚光。即，第1透镜106-1～106-6、第2透镜107-1～107-6、反射镜108-1～108-6、第3透镜109以及第4透镜111构成将各激光向光学部件引导的光学系统。
光学部件10使通过第4透镜111进行聚光的各激光与光纤112耦合。光纤112将被耦合的各激光向半导体激光模块100的外部输出。
接着，对半导体激光模块100的各结构要素进行更详细地说明。作为壳体的封装件101为了抑制内部的温度上升，优选包含导热性优异的材料，也可以是包含各种金属的金属构件。
如上所述，LD高度调整板102固定在封装件101内，调节半导体激光元件104-1～104-6的高度，并使得半导体激光元件104-1～104-6输出的激光的光路相互不干涉。另外，LD高度调整板102也可以与封装件101构成为一体。
辅助支架103-1～103-6固定在LD高度调整板102上，辅助所载置的半导体激光元件104-1～104-6的散热。因此，辅助支架103-1～103-6优选包含导热性优异的材料，也可以是包含各种金属的金属构件。
半导体激光元件104-1～104-6是输出的激光的光强度为1W以上，进一步为10W以上的高输出的半导体激光元件。在本实施方式中，半导体激光元件104-1～104-6输出的激光的光强度例如为11W。此外，半导体激光元件104-1～104-6例如输出900nm～1000nm的波长的激光。另外，虽然半导体激光模块100具备六个半导体激光元件104-1～104-6，但也可以是六个以外的多个，还可以是一个。
引线管脚105经由未图示的接合线向半导体激光元件104-1～104-6供给电力。供给的电力可以是一定的电压，也可以是调制电压。
第1透镜106-1～106-6例如是焦距为0.3mm的柱面透镜。第1透镜106-1～106-6配置在使对应的一个半导体激光元件的输出光为与铅垂方向大致平行的光的位置。
第2透镜107-1～107-6例如是焦距为5mm的柱面透镜。第2透镜107-1～107-6配置在使半导体激光元件的输出光为与水平方向大致平行的光的位置。
反射镜108-1～108-6可以是具备各种金属膜或电介质膜的反射镜，在半导体激光元件104-1～104-6输出的激光的波长下，反射率越高越优选。此外，反射镜108-1～108-6能够对反射方向进行微调整，以使得将对应的一个半导体激光元件的激光适当地与光纤112耦合。
第3透镜109和第4透镜111例如分别是焦距为12mm、5mm的曲率相互正交的柱面透镜，对半导体激光元件104-1～104-6输出的激光进行聚光，适当地与光纤112耦合。对第3透镜109和第4透镜111相对于光纤112的位置进行调整，以使得例如半导体激光元件104-1～104-6输出的激光向光纤112的耦合效率成为85％以上。
光滤波器110例如是反射波长为1060nm～1080nm的光，并透射900nm～1000nm的光的低通滤波器。其结果是，光滤波器110透射半导体激光元件104-1～104-6输出的激光，并且防止波长为1060nm～1080nm的光从外部照射到半导体激光元件104-1～104-6。此外，光滤波器110相对于激光的光轴带有角度地进行配置，以使得被光滤波器110稍微反射的半导体激光元件104-1～104-6的输出激光不返回到半导体激光元件104-1～104-6。作为光滤波器110的通过波长，设为1060nm～1080nm，但并不限定于该波长。但是，光滤波器110不一定需要。
保护罩113插通了光纤112，防止由光纤112的弯曲引起的损伤。保护罩113可以是金属制的保护罩，但是材料没有特别限定，也可以是橡胶、各种树脂、塑料等。但是，保护罩113未必一定需要。
松套管114插通光纤112来防止由光纤112的弯曲引起的损伤。进而，松套管114也可以是如下的结构，即，与光纤112粘合，其结果是，在对光纤112施加在长边方向上拉伸的力的情况下，防止光纤112的位置偏移。但是，松套管114不一定需要。
(光学部件的结构)
接着，对光学部件10的结构进行具体地说明。图2是光学部件10以及光纤112的示意性的剖视图。
光学部件10具备光纤11、粘合材料12、以及光吸收体13。光纤11是包含石英玻璃系材料的光纤，具有纤芯部11a和形成于纤芯部11a的外周的包层部11b。
纤芯部11a具有在长边方向上大致一定的纤芯直径Aa。纤芯直径Aa例如为100μm。
包层部11b具有在长边方向上延伸的主部11ba、相对于主部11ba位于由第4透镜111进行聚光的激光即激光L1的输入侧的输入侧端部11bb、以及相对于主部11ba位于激光L1的输出侧的输出侧端部11bc。包层部11b的折射率比纤芯部11a的折射率低。
主部11ba具有在长边方向上大致一定的主部包层直径Aba。输入侧端部11bb具有输入端面11c。将输入端面11c的包层直径设为输入端面包层直径Abb。输入端面包层直径Abb比主部包层直径Aba小。此外，输入侧端部11bb是包层直径从主部包层直径Aba到输入端面包层直径Abb为止连续地变化的锥形状。但是，也可以是包层直径从主部包层直径Aba到与输入端面包层直径Abb大致相等的直径为止连续地变化的锥形状。
输出侧端部11bc具有输出端面11d。作为输出端面11d的包层直径的输出端面包层直径Abc比主部包层直径Aba小。此外，输出侧端部11bc是包层直径从主部包层直径Aba到输出端面包层直径Abc为止连续地变化的锥形状。
光吸收体13是筒状的构件，配置于光纤11的外周，通过粘合材料12与包层部11b的主部11ba粘合。光吸收体13在激光L1的波长下具有光吸收性，例如在该波长下，吸收率为30％以上，优选为70％以上。其结果是，光吸收体13吸收从包层部11b泄漏的激光L2。此外，光吸收体13为了对由光吸收产生的热进行散热，优选包含导热性优异的材料，例如优选具备包含Cu、Ni、不锈钢、或Fe的金属构件、包含Ni、Cr、Ti的金属或包含C的表面镀敷层的构件、包含AlN或Al2O3的陶瓷构件、或具备覆盖包含AlN或Al2O3的表面的陶瓷层的构件。此外，光吸收体13为了对由光吸收产生的热进行散热，优选经由未图示的热良导体与封装件101连接。热良导体优选包含导热率为0.5W/mK以上的材料，例如包含焊料、导热性粘接剂。
粘合材料12例如包含环氧树脂、氨基甲酸乙酯(urethane)系树脂等UV固化树脂。粘合材料12的折射率优选在25℃下与光纤11的包层部11b的折射率相等或比其高，更优选为在半导体激光模块100的使用温度区域(例如，15℃～100℃)下与光纤11的包层部11b的折射率相等或比其高。粘合材料12的折射率例如相对于包层部11b的相对折射率差为0％以上且10％以下。此外，粘合材料12的与光纤11的长边方向正交的方向的厚度优选为1μm以上且800μm以下。另外，已知有关于UV固化树脂，例如能够通过使其含有氟而低折射率化，通过使其含有硫而高折射率化，通过对提高折射率的材料、降低折射率的材料的含量进行调整，从而能够调整折射率。
光纤112是包含石英玻璃系材料的光纤，通过熔接连接等与输出端面11d连接。光纤112具备纤芯部112a、形成于纤芯部112a的外周的包层部112b、以及形成于包层部112b的外周的覆盖层112c。覆盖层112c在输出端面11d的附近被去除，而露出包层部112b。光纤112例如可以是纤芯部112a的纤芯直径为105μm，包层部112b的包层直径为125μm的多模光纤，但也可以是单模光纤。光纤112的NA例如为0.15～0.22。
在该光学部件10中，通过使输入端面包层直径Abb比主部包层直径Aba小，从而能够抑制输入到光纤11的激光L1中的、不与纤芯部11a耦合而以包层模式传播的激光的功率。
图3是说明激光L1a、L1b、L1c相对于光纤11的输入状态的图。激光L1a、L1b、L1c是激光L1的一部分。此外，用虚线示出的轮廓C1表示输入端面11c的包层直径与主部11ba的包层直径相同的情况。在轮廓C1的状态的情况下，激光L1a、L1b、L1c均输入到包层部11b，作为包层模式传播。然而，在光纤11中，由于输入端面11c的包层直径小，因此激光L1a、L1b、L1c几乎或完全不与包层耦合，或容易在锥形面反射，或即使耦合也容易泄漏。其结果是，能够抑制以包层模式传播的激光的功率，因此也能够抑制从包层部11b泄漏的激光L2的功率。由此，能够抑制粘合材料12的损伤的产生。输入侧端部11bb的锥形面的角度优选设为以包层模式传播的激光变少的角度。
图4是说明激光L1d、L1e、L1f、L1g相对于光纤11的输入状态的图。激光L1d、L1e、L1f、L1g是激光L1的一部分。激光L1d、L1e、L1f、L1g从构成输入端面11c的窄的输入侧端部11bb的端面输入到包层部11b，并以包层模式传播，但是由于面积窄，因此其功率被限制。
返回到图2。输入端面包层直径Abb优选为纤芯部11a的纤芯直径Aa的1.4倍以下。若是1.4倍以下，则可适当地发挥抑制以包层模式传播的激光的功率的效果。但是，若输入端面包层直径Abb过小，则存在在纤芯部11a传播的激光向包层部11b的渗出到达包层部11b的外周缘的担忧。为了防止该情况，输入端面包层直径Abb优选为纤芯部11a的纤芯直径Aa的1.1倍以上。
进而，在该光学部件10中，光纤11的包层部11b的主部11ba的主部包层直径Aba比标准的光纤的包层直径即125μm大，在本实施方式中，为500μm。其结果是，以包层模式传播的激光L2到达主部11ba的外周面，在通过粘合材料12时，激光L2的功率密度被降低。其结果是，能够进一步抑制粘合材料12的损伤的产生。
例如，若将以包层模式传播的激光的功率(包层传播光量)设为5W，将包层直径设为125μm，则包层传播光量相对于包层直径的比率为0.04W/μm。例如，若在0.04W/μm的情况下抑制粘合材料的损伤的产生，则包层直径变得越大，能够满足0.04W/μm的包层传播光量变得越大。
将针对某包层传播光量满足0.04W/μm所需的包层直径设为必要包层直径。图5是示出针对包层传播光量的必要包层直径的图。这样，若包层直径为250μm，则即使使包层传播光量为10W，也能够抑制粘合材料的损伤的产生。若包层直径为500μm以上，则即使使包层传播光量为20W以上，也能够抑制粘合材料的损伤的产生。这样，若能够使包层传播光量变大，则能够使输入到光学部件10的激光L1的功率也变大，因此为了半导体激光模块100的高输出化是适宜的。
此外，在该光学部件10中，输出侧端部11bc的输出端面1ld的输出端面包层直径Abc比主部包层直径Aba的500μm小，因此在光纤112是包层直径为125μm的多模光纤的情况下，连接部位的输出侧端部11bc与包层部112b的包层直径之差小。其结果是，光纤11与光纤112的调心、连接变得容易。进而，由于输出侧端部11bc成为锥形状，因此能够使以包层模式传播的激光中的、未在主部11ba泄漏而到达输出侧端部11bc的激光泄漏。
此外，由于在光学部件10连接有通常经常使用的结构的光纤112，因此在使用半导体激光模块100的应用中，操作变得容易。
另外，光纤11能够通过将具有在长边方向上大致一定的主部包层直径Aba的粗直径的光纤的两端部通过机械研磨、蚀刻等化学研磨加工为锥形状而制作。
此外，在光学部件10的结构中，与专利文献1的结构比较，能够进一步减少粘合材料的层。
(实施方式2)
图6是实施方式2所涉及的光学部件20以及光纤112的示意性的剖视图。光学部件20例如能够在半导体激光模块100中与光学部件10置换使用。
光学部件20具备光纤21、粘合材料22、以及光吸收体23。光纤21是包含石英玻璃系材料的光纤，具有纤芯部21a和形成于纤芯部21a的外周的包层部21b。
纤芯部21a具有在长边方向上大致一定的纤芯直径Ba。纤芯直径Ba例如为100μm。
包层部21b具有在长边方向上延伸的主部21ba、相对于主部21ba位于激光L1的输入侧的输入侧端部21bb、以及相对于主部21ba位于激光L1的输出侧的输出侧端部21bc。包层部21b的折射率比纤芯部21a的折射率低。
主部21ba具有在长边方向上大致一定的主部包层直径Bba。输入侧端部21bb具有输入端面21c。将输入端面21c的包层直径设为输入端面包层直径Bbb。输入端面包层直径Bbb比主部包层直径Bba小。此外，输入侧端部21bb在长边方向上，包层直径与输入端面包层直径Bbb大致相等。
输出侧端部21bc具有输出端面21d。作为输出端面21d的包层直径的输出端面包层直径Bbc比主部包层直径Bba小。此外，输出侧端部21bc在长边方向上，包层直径与输出端面包层直径Bbc大致相等。
光吸收体23配置于光纤21的外周，通过粘合材料22与包层部21b的主部21ba粘合。光吸收体23的适宜的吸收率、适宜的材料与光吸收体13同样，因此省略说明。粘合材料22的适宜的折射率、适宜的材料与粘合材料12同样，因此省略说明。
光纤112通过熔接连接等与输出端面21d连接。
在该光学部件20中，通过使输入端面包层直径Bbb比主部包层直径Bba小，从而能够抑制输入到光纤21的激光L1中的、不与纤芯部21a耦合而以包层模式传播的激光的功率。
图7是说明激光L1h、L1i、L1j相对于光纤21的输入状态的图。激光L1h、L1i、L1j是激光L1的一部分。此外，用虚线示出的轮廓C2表示输入端面21c的包层直径与主部21ba的包层直径相同的情况。在轮廓C2的状态的情况下，激光L1h、L1i、L1j均输入到包层部21b，作为包层模式传播。然而，在光纤21中，由于输入端面21c的包层直径小，因此激光L1i、L1j几乎或完全不与包层耦合，或即使耦合也容易泄漏。其结果是，能够抑制以包层模式传播的激光的功率，因此也能够抑制从包层部21b泄漏的激光L2(参照图6)的功率。由此，能够抑制粘合材料22的损伤的产生。另外，关于如激光L1h那样激光垂直地入射到主部21ba的端面的部位，优选在该端面的该部位设置HR(High Reflection，高反射)膜，大幅降低入射到主部21ba的激光的功率。
图8是说明激光L1m、L1n相对于光纤21的输入状态的图。激光L1m、L1n是激光L1的一部分。激光L1m、L1n从构成输入端面21c的窄的输入侧端部21bb的端面输入到包层部21b，并以包层模式传播，但由于面积窄，因此其功率被限制。
返回到图6。输入端面包层直径Bbb因与图2所示的实施方式1的情况同样的理由，优选为纤芯部21a的纤芯直径Ba的1.4倍以下，并且优选为1.1倍以上。
进而，在该光学部件20中，光纤21的包层部21b的主部21ba的主部包层直径Bba比标准的光纤的包层直径即125μm大。在本实施方式中，主部包层直径Bba为500μm，但也可以比500μm大。其结果是，以包层模式传播的激光L2到达主部21ba的外周面，在通过粘合材料22时，激光L2的功率密度被降低。其结果是，能够进一步抑制粘合材料22的损伤的产生。
与光学部件10的情况同样地，若使包层直径变大，则能够增大能够抑制粘合材料22的损伤的产生的包层传播光量。在该情况下，能够使输入到光学部件20的激光L1的功率也变大，因此为了半导体激光模块100的高输出化是适宜的。
此外，在该光学部件20中，输出侧端部21bc的输出端面21d的输出端面包层直径Bbc比主部包层直径Bba的500μm小，因此光纤21与光纤112的调心、连接变得容易。
另外，光纤21能够通过将在长边方向上具有大致一定的主部包层直径Bba的粗直径的光纤的两端部通过机械研磨、蚀刻等化学研磨加工为细直径而制作。
(实施方式3)
图9是实施方式3所涉及的光学部件30以及光纤112的示意性的剖视图。光学部件30例如能够在半导体激光模块100中与光学部件10置换使用。
光学部件30具有在光学部件10的结构中追加了端盖14的结构。端盖14具备圆柱形状的输入部14a和圆锥梯形形状的输出部14b。输入部14a的端面为输入端面14aa，输出部14b的端面为输出端面14ba。端盖14在输出端面14ba中通过熔接连接等与光纤11的输入端面11c连接。另外，输出部14b是直径朝向输出端面14ba侧变小的圆锥梯形形状，因此输出端面14ba与光纤11的输入端面11c的直径之差比较小。因此，光纤11与端盖14的调心、连接变得容易。
端盖14的输入端面14aa的面积比光纤11的输入端面11c大。其结果是，在激光L1被聚光而输入到光学部件30的情况下，与直接输入到光纤11的输入端面11c的情况相比，输入到端盖14的输入端面14aa的情况更以激光L1的光束的功率密度小的状态进行输入。其结果是，抑制由激光L1的功率引起的输入端面的损伤的产生。在此，端盖14的材料优选为具有与光纤11的纤芯部11a相同程度的折射率的材料，例如优选为与光纤11的纤芯部11a相同的石英系玻璃材料。另外，虽然端盖14具有组合了圆柱形状和圆锥梯形形状的形状，但端盖的形状并不限定于此。
在光学部件30中，抑制粘合材料12的损伤的产生且抑制激光L1输入的输入端面的损伤的产生。
(实施方式4)
图10是实施方式4所涉及的光学部件40的示意性的剖视图。光学部件40例如能够在半导体激光模块100中与光学部件10以及光纤112置换使用。
光学部件40具备光纤41、粘合材料42、光吸收体43、以及端盖44。光纤41是包含石英玻璃系材料的光纤，具备纤芯部41a、形成在纤芯部41a的外周的包层部41b、以及形成在包层部41b的外周的覆盖层41d。
纤芯部41a具有在长边方向上大致一定的纤芯直径Ca。纤芯直径Ca例如为100μm。
包层部41b具有在长边方向上延伸的主部41ba和相对于主部41ba位于激光L1的输入侧的输入侧端部41bb。包层部41b的折射率比纤芯部41a的折射率低。
主部41ba在长边方向上具有大致一定的主部包层直径Cba。主部包层直径Cba例如为125μm。输入侧端部41bb具有输入端面41c。作为输入端面41c的包层直径的输入端面包层直径比主部包层直径Cba小。此外，输入侧端部41bb是包层直径从主部包层直径Cba到输入端面包层直径为止连续地变化的锥形状。
光吸收体43配置于光纤41的外周，通过粘合材料42与包层部41b的主部41ba粘合。光吸收体43的适宜的吸收率、适宜的材料与光吸收体13同样，因此省略说明。粘合材料42的适宜的折射率、适宜的材料与粘合材料12同样，因此省略说明。
另外，在本实施方式中，覆盖层41d从输入侧端部41bb至少到设置有光吸收体43的位置为止被去除，露出包层部41b。但是，也可以是覆盖层41d的前端侧的一部分进入到光吸收体43的内部而覆盖层41d的前端侧的一部分与光吸收体43成为重叠的状态。在该情况下，也能够通过粘合材料42将覆盖层41d和光吸收体43一并固定。
端盖44与端盖14同样，在输出端面44ba通过熔接连接等与光纤41的输入端面41c连接。
端盖44的输入端面44aa的面积比光纤41的输入端面41c大。其结果是，抑制由激光L1的功率引起的输入端面的损伤的产生。
在该光学部件40中，通过使输入端面包层直径比主部包层直径Cba小，从而能够抑制输入到光纤41的激光L1中的、不与纤芯部41a耦合而以包层模式传播的激光的功率。此外，由于能够使光纤41具有与光纤112同样的纤芯直径、包层直径，因此能够与光纤112同样地进行处理。
另外，在上述实施方式中，列举红外线区域的波长的激光为例，但波长并不限定于此。例如，在如绿色、蓝色那样的短波长的激光中，基于粘合材料的能量的吸收量比红外线区域的波长的激光大，存在基于本发明的效果变得更显著的情况。
此外，本发明并不被上述实施方式所限定。将上述的各结构要素适当组合而构成的方式也包含于本发明中。此外，本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因而，本发明的更广泛的方式并不限定于上述的实施方式，能够进行各种各样的变更。
产业上的可利用性
本发明能够利用于光学部件、半导体激光模块。
符号说明
10、20、30、40：光学部件；
11、21、41、112：光纤；
11a、21a、41a、112a：纤芯部；
11b、21b、41b、112b：包层部；
11ba、21ba、41ba：主部；
11bb、21bb、41bb：输入侧端部；
11bc、21bc：输出侧端部；
11c、14aa、21c、41c、44aa：输入端面；
11d、14ba、21d、44ba：输出端面；
12、22、42：粘合材料；
13、23、43：光吸收体；
14、44：端盖；
14a：输入部；
14b：输出部；
41d、112c：覆盖层；
100：半导体激光模块；
101：封装件；
102：LD高度调整板；
103-1～103-6：辅助支架；
104-1～104-6：半导体激光元件；
105：引线管脚；
106-1～106-6：第1透镜；
107-1～107-6：第2透镜；
108-1～108-6：反射镜；
109：第3透镜；
110：光滤波器；
111：第4透镜；
113：保护罩；
114：松套管；
Aa、Ba、Ca：纤芯直径；
Aba、Bba、Cba：主部包层直径；
Abb、Bbb：输入端面包层直径；
Abc、Bbc：输出端面包层直径；
C1、C2：轮廓；
L1、L1a、L1b、L1c、L1d、L1e、L1f、L1g、L1h、L1i、L1j、L1m、L1n、L2：激光。

Claims (8)

1.一种光学部件，其特征在于，具备：
光纤，其具有纤芯部和形成于所述纤芯部的外周的包层部；
光吸收体，其配置于所述光纤的外周；以及
粘合材料，其将所述光吸收体和所述光纤粘合，
所述包层部具有：主部，其在长边方向上延伸，具有主部包层直径；以及输入侧端部，其相对于所述主部位于光的输入侧，所述输入侧端部的输入端面的输入端面包层直径比所述主部包层直径小，
所述输入端面包层直径为所述纤芯部的纤芯直径的1.1倍以上且1.4倍以下，
在所述纤芯部传播的激光向所述包层部的渗出未到达所述包层部的外周缘。
2.根据权利要求1所述的光学部件，其中，
所述输入侧端部是包层直径从所述主部包层直径到与所述输入端面包层直径大致相等的直径为止进行变化的锥形状。
3.根据权利要求1所述的光学部件，其中，
所述输入侧端部具有与所述输入端面包层直径大致相等的包层直径。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光学部件，其中，
所述包层部具有相对于所述主部位于光的输出侧的输出侧端部，所述输出侧端部的输出端面的输出端面包层直径比所述主部包层直径小。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的光学部件，其中，
具备与所述光纤的所述输入端面连接的、具有面积比所述光纤的所述输入端面大的输入端面的端盖。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的光学部件，其中，
所述主部包层直径比125μm大。
7.根据权利要求1～3中任一项所述的光学部件，其中，
所述主部包层直径为500μm以上。
8.一种半导体激光模块，其特征在于，具备：
权利要求1～7中任一项所述的光学部件；
半导体激光元件；以及
光学系统，其将从所述半导体激光元件输出的激光引导到所述光学部件的所述输入端面。
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