CN113463157B - 壳体制作方法、壳体及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种壳体制作方法、壳体及电子设备，所述方法包括：获取含有铝的基壳；通过第一次阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成阳极氧化层；其中，所述阳极氧化层包括多个微孔，所述微孔的内壁含有带正电荷的铝的氧化物；将含有所述带正电荷的铝的氧化物的基壳置于第一溶液中；其中，所述第一溶液中含有带负电荷的铬的氧化物，所述带负电荷的铬的氧化物被吸附在所述微孔的内壁；所述带正电荷的铝的氧化物与被吸附的所述带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物；将所述非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物。

Description

壳体制作方法、壳体及电子设备

技术领域

本公开涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种壳体制作方法、壳体及电子设备。

背景技术

手机等电子设备的生产商为了能够使其生产的电子设备满足用户的需求，不仅在电子设备的智能化上下足了功夫，同时还会对电子设备的壳体设计不断进行改进，来吸引消费者的目光。

相关技术中，通常会在壳体镶嵌宝石，使得电子设备壳体呈现更加清澈透亮、如同宝石般的质感。然而，在壳体镶嵌的宝石容易脱落，且整体质感的均匀性也较差，难以满足用户需求。

发明内容

有鉴于此，本公开提供一种壳体制作方法、壳体及电子设备。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种壳体制作方法，包括：

获取含有铝的基壳；

通过第一次阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成阳极氧化层；其中，所述阳极氧化层包括多个微孔，所述微孔的内壁含有带正电荷的铝的氧化物；

将含有所述带正电荷的铝的氧化物的基壳置于第一溶液中；其中，所述第一溶液中含有带负电荷的铬的氧化物，所述带负电荷的铬的氧化物被吸附在所述微孔的内壁；

所述带正电荷的铝的氧化物与被吸附的所述带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物；

将所述非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种壳体，包括：

基壳；

晶体态的络合物，分布于所述基壳表面，其中，所述晶体态的络合物具有双折射率。

根据本公开实施例的第三方面，提供一种电子设备，包括：

如本公开实施例第二方面所述的壳体；

功能组件，位于所述壳体内，所述功能组件用于执行所述电子设备的预设功能。

本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

通过第一次阳极氧化处理，在基壳表面形成包括多个微孔的阳极氧化层；其中，所述微孔的内壁含有带正电荷的铝的氧化物，将带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物；将非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物，可通过形成于阳极氧化层中晶体态的络合物使得阳极氧化层的更加清晰透亮，呈现出类似宝石的质感。

并且，相较于镶嵌宝石的方式，本公开通过微孔中带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物发生反应，形成非晶体态的络合物，并将非晶体态的络合物转换为晶体态的络合物，能够使得晶体态的络合物有效融入在基壳表面阳极氧化层的微孔中，提高了晶体态的络合物与阳极氧化层之间的连接紧密度，有利于保证制作出的壳体质感的稳定性，还能够提高壳体质感的均匀性，进而提高用户体验。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种壳体制作方法的流程图。

图2是根据一示例性实施例示出的一种壳体的局部示意图。

图3是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

图1是根据一示例性实施例示出的一种壳体制作方法的流程图。如图1所示，所述方法包括以下步骤：

S100：获取含有铝的基壳；

S200：通过第一次阳极氧化处理，在含有铝的基壳表面形成阳极氧化层；其中，阳极氧化层包括多个微孔，微孔的内壁含有带正电荷的铝的氧化物；

S300：将含有带正电荷的铝的氧化物的基壳置于第一溶液中；其中，第一溶液中含有带负电荷的铬的氧化物，带负电荷的铬的氧化物被吸附在微孔的内壁；

S400：带正电荷的铝的氧化物与被吸附的带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物；

S500：将非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物。

示例性地，S200可包括：将含有铝的基壳置于电解液中，对含有铝的基壳进行第一次阳极氧化处理，在含有铝的基壳表面形成阳极氧化层。

可以置于电解液中的含有铝的基壳作为阳极，并对置于电解液中的含有铝的基壳进行通电处理。在通电处理过程中，含有铝的基壳与电解液内的溶解物质发生反应，以在含有铝的基壳表面形成具有微孔的阳极氧化层。阳极氧化层可包括铝的氧化物。

示例性地，S200中的电解液可包括酸性溶液。此处的酸性溶液可为一种酸性物质的酸性溶液，也可以是多种酸性物质的混合溶液。例如，该电解液可包括硫酸(H₂SO₄)、草酸(H₂C₂O₄)、或者铬酸(H₂CrO4)等酸溶液。又如，该电解液还可包括电离后呈酸性的无机盐溶液，例如，硫酸氢氨或者硫酸铵等。

示例性地，铝的氧化物可包括：三氧化二铝。需要指出的是，当以含有铝的基壳为阳极时，在通电处理过程中基壳与外部电源的正极连接，形成的阳极氧化层中的铝的氧化物会携带正电荷。

示例性地，在进行第一次阳极氧化处理时，可使用石墨材料或者铅块等作为阴极，阴极与外部电源的负极连接，使得阴极带负电荷。

由于带负电荷的铬的氧化物与带正电荷的铝的氧化物的电荷电性相反，因此，带正电荷的铝的氧化物和带负电荷的铬的氧化物之间存在相互吸引的作用力，有利于促进带负电荷的铬的氧化物向位于微孔的内壁的带正电荷的铝的氧化物运动，进而提高形成非晶体态的络合物的速度与形成的非晶体态的络合物的含量。

示例性地，带负电荷的铬的氧化物可包括：铬酸根离子([CrO₄]^2-)、或者重铬酸根离子([Cr₂O₇]^2-)等。含有带负电荷的铬的氧化物的溶液可包括：铬酸铵溶液，或者铬酸铵与铬酸的混合溶液等。

S500中，可通过改变非晶体态的络合物中粒子的排布方式，使得非晶体态的络合物转换为晶体态的络合物。可以理解的是，晶体态的络合物的组成元素与非晶体态的络合物的组成元素可相同。

或者，非晶体态的络合物中可包括水分子，S500中，可去除非晶体态的络合物中的至少部分水分子，并改变非晶体态的络合物中剩余粒子的排布方式，使得非晶体态的络合物转换为晶体态的络合物。因此，晶体态的络合物的组成元素与非晶体态的络合物的组成元素也可不同。

可以理解的是，络合物可包括多个不同种类的配体单元。一个配体单元可以由一个或多个原子组成，不同的配体单元的组成原子或组成原子团不同功能。因此不同种类的配体单元的折射率也不同，使得络合物具备不同的折射率。本公开实施例中，基于带正电荷的铝的氧化物可形成非晶体态的络合物中的第一配体单元，基于带负电荷的铬的氧化物可形成非晶体态的络合物中的第二配体单元，第一配体单元和第二配体单元的折射率不同，因此，非晶体态的络合物也可具有双折射率。

然而，由于非晶体态的络合物的稳定性较差，在使用过程中容易被破坏，因此，仅利用非晶体态的络合物覆盖基壳制作而成的壳体的质量较差，不利于保证用户体验。

通过将非晶体态的络合物转换为晶体态的络合物，可将非晶体态的络合物中稳定性较差的配体单元转换为稳定性较好的配体单元，有利于保证制作的壳体的质量，进而保证用户体验。

可以理解的是，由于晶体态的络合物具有双折射率，因此，当一束光入射到晶体态的络合物时，晶体态的络合物可将该束光分解为沿两个不同方向折射的两束光，即晶体态的络合物具有双折射效应，使得晶体态的络合物呈现如宝石般清澈、透亮的质感。

本公开实施例通过第一次阳极氧化处理，在基壳表面形成包括多个微孔的阳极氧化层；其中，所述微孔的内壁含有带正电荷的铝的氧化物，将带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物；将非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物，可通过形成于阳极氧化层中晶体态的络合物使得阳极氧化层的更加清晰透亮，呈现出类似宝石的质感。

并且，相较于镶嵌宝石的方式，本公开通过微孔中带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物发生反应，形成非晶体态的络合物，并将非晶体态的络合物转变为晶体态的络合物，能够使得晶体态的络合物有效融入在基壳表面阳极氧化层的微孔中，提高了晶体态的络合物与阳极氧化层之间的连接紧密度，有利于保证制作出的壳体质感的稳定性，还能够提高壳体质感的均匀性，进而提高用户体验。

在一些实施例中，S200可包括：在第二电解液形成的反应环境中，对含有铝的基壳进行第一次阳极氧化处理，在含有铝的基壳表面形成阳极氧化层。

第一次阳极氧化处理的处理电压可为：10伏特～14伏特。例如，12.5伏特或者13伏特等。

第一次阳极氧化处理的处理时间可为：30分钟～60分钟。例如，40分钟或者50分钟等。

第二电解液形成的反应环境的温度可为：10摄氏度～14摄氏度。例如，12摄氏度或者13摄氏度等。

第二电解液的浓度可为：150克/升～220克/升。例如，170克/升或者200克/升等。

第二电解液包括以下至少之一：硫酸溶液；草酸溶液；铬酸溶液。

在一些实施例中，所述方法还包括：去除在第一次阳极氧化处理中附着在基壳上的杂质。

示例性地，可通过杂质含量较低的液体(例如，去离子水或者蒸馏水等)清洗第一次阳极氧化处理之后的基壳，以去除在第一次阳极氧化处理中附着在基壳上的杂质。

可以理解的是，使用杂质含量较低的液体清洗基壳，不会向基壳表面引入新的杂质，或者，向基壳表面引入的杂质含量极少，对于形成的壳体质量的影响可忽略不计。

第一次阳极氧化处理过程中，基壳表面可能附着杂质，该杂质会影响壳体的质量，因此，通过去除在第一次阳极处理过程中附着在基壳上的杂质，可保证制作的壳体质量。

在一些实施例中，所述方法还包括：在去除附着在基壳上的杂质之后，去除基壳表面的第二电解液。

具体地，在去除在第一次阳极氧化处理中附着在基壳上的杂质之后，将基壳置于中和溶液中0.5分钟～1分钟，中和溶液与第二电解液反应，去除残留在壳体上剩余第二电解液；其中，中和溶液的浓度包括0.5克/升～5克/升。

示例性地，当第二电解液为酸性溶液时，中和溶液可为碱性溶液。中和溶液与第二电解液发生中和反应，以去除残留在壳体上剩余的第二电解液。

具体地，中和溶液可包括氨水(NH₄·H₂O)，氨水的浓度可为0.5克/升～5克/升，例如，1克/升或者3克/升等。

实际制作过程中，在经过第一次阳极氧化处理之后，部分第二电解液可能附着在阳极氧化层表面，附着的第二电解液可能会阻挡带正电荷的铝的氧化物对于带负电荷的铬的氧化物的吸附作用，不利于形成非晶体态的络合物。

本实施例通过中和溶液对形成有阳极氧化层的基壳进行处理，去除附着在阳极氧化层表面的第二电解液，能够保证带正电荷的铝的氧化物与后续带负电荷的铬的氧化物的接触效果，进而保证非晶体态的络合物的形成质量。

在一些实施例中，S300可包括：

将含有带正电荷的铝的氧化物的基壳置于含有带负电荷的铬的氧化物的第一溶液中20分钟～60分钟。

示例性地，第一溶液中，带负电荷的铬的氧化物的浓度为：10克/升～400克/升。例如，第一溶液中，带负电荷的铬的氧化物的浓度可为100克/升、220克/升或者330克/升等。

第一溶液可包括：铬酸铵溶液、或者铬酸铵与草酸混合形成的溶液等。

示例性地，第一溶液的pH值为：5～6。例如，第一溶液的pH值可为5.5。

示例性地，第一溶液的温度为：65摄氏度～85摄氏度。例如，第一溶液的温度可为70摄氏度、75摄氏度或者80摄氏度等。

本实施例中，通过将形成有阳极氧化层的基壳置于溶解有带负电荷的铬的氧化物的溶液，可提高阳极氧化层中带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物的接触效果，增加阳极氧化层的微孔中吸附的带负电荷的铬的氧化物的数量，有利于提高后续工艺过程中形成的晶体态的络合物的质量，保证用户体验。

在一些实施例中，S400可包括：

在第一电解液形成的反应环境中，通过第二次阳极氧化处理，带正电荷的铝的氧化物与被吸附的带负电荷的铬的氧化物反应，形成非晶体态的络合物。

具体地，第二次阳极氧化处理可包括：以置于第一电解液中、且吸附有带负电荷的铬的氧化物的基壳作为阳极，并对置于第一电解液中的基壳进行通电处理。在通电处理过程中，基壳表面化阳极氧化层中的带正电荷的铝的氧化物与被吸附的带负电荷的铬的氧化物反应，形成晶体态的络合物。

示例性地，第二次阳极氧化处理的处理电压为：10伏特～14伏特。例如，12.5伏特或者13伏特等。

示例性地，第二次阳极氧化处理的处理时间为：30分钟～60分钟。例如，40分钟或者50分钟等。

示例性地，第一电解液可包括酸性溶液。例如，第一电解液包括以下至少之一：硫酸氢氨溶液；硫酸溶液；草酸溶液；铬酸溶液。

第一电解液形成的反应环境的温度为：10摄氏度～14摄氏度。例如，12摄氏度或者13摄氏度等。

第一电解液的浓度为：50克/升～220克/升。例如，90克/升、130克/升或者170克/升等。

示例性地，在第二次阳极氧化处理的过程中，阳极氧化层中带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物。因此，经过第二次阳极氧化处理之后，阳极氧化层的组成材料可包括至少部分非晶体态的络合物。

在一些实施例中，所述方法还包括：

去除在带负电荷的铬的氧化物被微孔的内壁吸附的过程中附着在基壳上的杂质。

可以理解的是，在被含有带负电荷的铬的氧化物的第一溶液浸泡的过程中，基壳表面可能会附着杂质，该杂质在后续处理过程中会降低形成的晶体态的络合物的质量。因此，通过去除在微孔的内壁吸附带负电荷的铬的氧化物的过程中附着在基壳上的杂质，有利于保证后续形成的晶体态的络合物的质量。

在一些实施例中，所述方法还包括：去除在形成非晶体态的络合物过程中附着在基壳表面的杂质。

在形成非晶体态的络合物的过程中，基壳表面可能会附着杂质，该杂质在后续处理过程中会降低形成的晶体态的络合物的质量。因此，本实施例通过去除附着在基壳上的杂质，有利于保证晶体态的络合物的质量。

在一些实施例中，所述方法还包括：将形成有非晶体态的络合物的基壳置于溶解有预设离子的第二溶液中，预设离子与至少部分非晶体态的络合物发生反应，并填充非晶体态的络合物的剩余微孔。

当阳极氧化层的微孔内壁中的带正电荷的铝的氧化物与带负电荷的铬的氧化物反应，形成非晶体态的络合物之后，阳极氧化层中微孔的尺寸可减小，并基于非晶体态的络合物形成剩余微孔。

在壳体使用过程中，由于外界环境中存在较多污染物或者具有腐蚀性的物质等，会破坏晶体态的络合物的质量。

本公开实施例通过填充上述剩余微孔，可将非晶体态的络合物与外界环境进行隔离，起到对于后续由非晶体态的络合物转换形成的晶体态的络合物的保护作用，保证壳体质量。

S500可包括：在填充剩余微孔的同时，预设离子与至少部分非晶体态的络合物发生反应，形成晶体态的络合物。

示例性地，含有预设离子的第二溶液的温度大于或等于95摄氏度。

示例性地，基壳置于含有预设离子的第二溶液中的时间大于或等于30分钟。

预设离子可包括：镍离子。第二溶液可包括：醋酸镍溶液、或者醋酸镍与醋酸的混合溶液等。

带正电荷的铝的氧化物和带负电荷的铬的氧化物可形成非晶体态的络合物Al(Cr)₂O₃·x H₂O。镍离子可与该非晶体态的络合物反应，一方面可形成氢氧化镍，形成的氢氧化镍填充上述剩余微孔。另一方面，还可促进非晶体态的络合物中的铝的氧化物转换为勃姆体γ-AlOOH，形成晶体态的络合物。

在一些实施例中，S500可包括：

将非晶体态的络合物在100摄氏度～160摄氏度的温度范围内烘干30分钟～60分钟，以去除非晶体态的络合物中包括的水分子，形成晶体态的络合物。

本公开实施例中，通过烘干非晶体态的络合物，可减少非晶体态的络合物中的水分子，促进非晶体态的络合物中粒子进行重新排列，以形成具有双折射率的晶体态的络合物，使得壳体能够呈现清澈、透亮的质感，满足用户需求，提高用户体验。

示例一：

相关技术中，通过阳极氧化处理制作的壳体呈现的同质化严重，大部分壳体呈现单一的雾面效果或者亮面效果，缺乏类似水晶或宝石类的透亮质感，难以满足用户需求。

有鉴于此，本示例提供了一种壳体的制作方法，包括以下步骤：

步骤一：将铝合金基壳置于第二电解液中，采用阳极氧化工艺对铝合金基壳进行第一次阳极氧化处理，在铝合金基壳表面形成阳极氧化层，阳极氧化层包括微孔，微孔内壁含有带正电荷的铝的氧化物。

阳极氧化层中形成的微孔的直径可为10纳米～50纳米。

带正电荷的铝的氧化物可包括：[Al₂O₃]⁺。需要指出的是，由于在第一次阳极氧化处理过程中，铝合金基壳作为阳极，形成的铝的氧化物位于铝合金基壳上，因此铝的氧化物带正电荷。

第一次阳极氧化处理的氧化电压可为12.5V。

第一次阳极氧化处理的处理温度可为10摄氏度～14摄氏度，例如，12摄氏度。

第一次阳极氧化处理的处理时间可为30分钟～60分钟。

第一次阳极氧化处理中，阳极氧化槽中装载的第二电解液的浓度可为150克/升～220克/升。

第二电解液可包括以下至少之一：硫酸溶液；草酸溶液；铬酸溶液。

步骤二：采用纯水(例如，去离子水)清洗形成有阳极氧化层的铝合金基壳。

示例性地，采用的纯水的电导率可为0.1毫西门子/厘米～1.0毫西门子/厘米。

由于铝合金基壳经过步骤一中的加工处理，表面可能存在杂质，该杂质会影响制作的壳体的质量，因此，可利用纯水清洗形成了阳极氧化层的铝合金基壳，去除在第一次阳极处理过程中附着在基壳上的杂质，保证制作的壳体质量。

此外，在壳体制作过程中，需要移动基壳。移动基壳的过程中，基壳上可能会附着灰尘等杂质，因此，步骤二可去除附着在基壳上的灰尘杂质，保证制作的壳体质量。

步骤三：在采用纯水清洗形成有阳极氧化层的铝合金基壳之后，在常温(例如，20摄氏度～25摄氏度)环境下，采用氨水作为中和溶液，对形成有阳极氧化层的铝合金基壳进行中和处理0.5分钟～1分钟。

实际制作过程中，在经过第一次阳极氧化处理之后，部分第二电解液可能附着在阳极氧化层表面。因此，利用氨水对形成有阳极氧化层的铝合金基壳进行中和处理，氨水与第二电解液可发生中和反应，进而去除附着在阳极氧化层表面的第二电解液。

示例性地，氨水的浓度可为0.5克/升～5克/升。

步骤四：将含有带正电荷的铝的氧化物的基壳置于含有带负电荷的铬酸根离子([CrO₄]^2-)的铬酸铵溶液中浸泡20分钟～60分钟。

示例性地，带负电荷的铬的氧化物可包括铬酸根离子([CrO₄]^2-)。含有带负电荷的铬的氧化物的第一溶液可包括：铬酸铵溶液。含有带负电荷的铬酸根离子的铬酸铵溶液中，铬酸根离子的浓度为10克/升～400克/升。

含有铬酸根离子的铬酸铵溶液的温度可为65摄氏度～85摄氏度。具体地，可通过对溶解有铬酸根离子的铬酸铵溶液进行加热，使得溶解有铬酸根离子的铬酸铵溶液的温度为65摄氏度～85摄氏度。

含有铬酸根离子的铬酸铵溶液的pH值可为5～6，例如，5.5。需要指出的是，对于pH值为5～6之间的溶液，其酸性为弱酸性。

可以理解的是，由于强酸(例如硫酸、盐酸等)溶液或者强酸性的溶液能够迅速与铝的氧化物发生反应，使得铝的氧化物组成的阳极氧化层溶解在强酸溶液中，导致后续无法在基壳表面形成晶体态的络合物。

因此，在步骤四中，通过具有弱酸性的溶解有铬酸根离子的铬酸铵溶液浸泡表面分布有阳极氧化层的基壳，当阳极氧化层的组成材料包括铝的氧化物时，具有弱酸性的铬酸铵溶液与铝的氧化物之间发生反应的速率较慢，可以溶解阳极氧化层表面显露的部分铝的氧化物，对阳极氧化层起到活化作用，使得铬酸根离子能够更好地被微孔中的带正电荷的铝的氧化物吸附，进而提高形成的非晶体态的络合物的质量，有利于保证最终形成的晶体态的络合物的质量。

阳极氧化层微孔中的铝的氧化物在外加电压作用下可形成带正电荷的铝的氧化物，因此，利用铬酸氨溶液浸泡形成有阳极氧化层的基壳时，带负电荷的铬酸根离子可被阳极氧化膜微孔中带正电荷的铝的氧化物化学吸附，使铬酸根离子能够有效融入到阳极氧化层的空隙中。

步骤五：采用纯水清洗被溶解有铬酸根离子的溶液浸泡之后的基壳。

示例性地，采用的纯水的电导率可为0.1毫西门子/厘米～1.0毫西门子/厘米。

可以理解的是，在被溶解有铬酸根离子的铬酸铵溶液浸泡的过程中，基壳表面可能会附着杂质，该杂质在后续处理过程中会降低形成的晶体态的络合物的质量。因此，可利用纯水清洗该基壳以去除附着在基壳上的杂质，保证后续形成的晶体态的络合物的质量。

步骤六：将经过步骤五清洗之后的基壳置于第一电解液中，在第一电解液形成的反应环境中，采用阳极氧化工艺对基壳进行第二次阳极氧化处理，促使带正电荷的铝的氧化物和带负电荷的铬酸根离子反应，形成非晶体态的络合物Al(Cr)₂O₃·x H₂O，x的取值范围可为1～3。

示例性地，在非晶体态的络合物中，可包括铬的氧化物和铝的氧化物。非晶体态的络合物还可包括铝的氧化物的水合物等。

具体地，置于阳极氧化槽中的第一电解液的浓度可为50克/升～220克/升。

第一电解液形成的反应环境的温度可为10摄氏度～14摄氏度，例如，12摄氏度。

第一电解液可包括以下至少之一：硫酸氢铵溶液；硫酸溶液；草酸；铬酸。

例如，第一电解液可包括硫酸氢氨和铬酸的混合溶液，该混合溶液中，硫酸氢氨与铬酸的摩尔比包括：1：1.5～1：1。具体地，该混合溶液中，硫酸氢氨与铬酸的摩尔比可为1：1.3或者1：1.15等。

第二次阳极氧化处理的时间可为30分钟～60分钟。

第二次阳极氧化处理的电压可为10伏特～14伏特，例如，12.5伏特。

需要指出的是，非晶体态的络合物中可包括稳定性较弱的拜耳体Al₂O₃·yH₂O，y的取值可为1.5～3。在进行第二次阳极氧化处理的过程中，可促使至少部分稳定性弱的拜耳体Al₂O₃·yH₂O转化为稳定好的勃姆体γ-AlOOH，以稳定包括非晶体的络合物的阳极氧化层的骨架，提高阳极氧化层的稳定性。

步骤七：采用纯水清洗形成有非晶体态的络合物的基壳。

示例性地，采用的纯水的电导率可为0.1毫西门子/厘米～1.0毫西门子/厘米。

在形成非晶体态的络合物的过程中，基壳表面可能会附着杂质，该杂质在后续处理过程中会降低形成的晶体态的络合物的质量。因此，可利用纯水清洗该基壳以去除附着在基壳上的杂质。

步骤八：采用醋酸镍，封闭经过步骤七清洗的基壳表面非晶体态络合物中的剩余微孔。

具体地，在温度大于或等于95摄氏度的反应环境中，醋酸镍与基壳表面的非晶体态的络合物反应至少30分钟。在醋酸镍与非晶体态的络合物反应的过程中，一方面可促进非晶体态中的铝的氧化物转换为勃姆体γ-AlOOH，形成晶体态的络合物；另一方面，反应过程中会产生氢氧化镍，产生的氢氧化镍会沉积在上述剩余微孔中，以封闭剩余微孔。

通过封闭剩余微孔，可减少外界环境中的杂质等污染物对于形成的晶体态络合物的影响，保证晶体态络合物的清晰与透亮能够满足用户需求，进而保证用户体验。

步骤九：将经过第二次阳极氧化处理的基壳在100摄氏度～160摄氏度的烘干温度范围内，在空气中烘干30分钟～60分钟，进一步促进非晶体态的络合物Al(Cr)₂O₃·x H₂O向晶体态的络合物的转变。

经过步骤八的处理之后，基壳表面可能依旧存在部分非晶体态的络合物，因此，可在步骤八之后进行步骤九所述的烘干处理，以去除非晶体态的络合物中的水分子，减少水分子对于络合物折射率的影响，保证最终形成的络合物质感的均匀性。

晶体态的络合物中可包括：铝的氧化物和铬的氧化物等。例如，铝的氧化物可包括：氧化铝(Al₂O₃)；铬的氧化物可包括：三氧化二铬(Cr₂O₃)。

由于铝的氧化物的折射率为1.76～1.768，而铬的氧化物的折射率为2.20～2.50，铬的氧化物的折射率比铝的氧化物的折射率高得多，因此包括铝的氧化物和铬的氧化物的晶体态的络合物具有双折射率，可呈现双折射效应。当光线照射到该晶体态的络合物时，晶体态的络合物可展现出清澈透亮、如同宝石般的效果。

本示例通过在对基壳进行两次阳极氧化处理的基础上，采用呈弱酸性铬酸氨溶液浸泡第一次阳极氧化处理之后的基壳，利用阳极氧化层中带正电的铝的氧化物吸附铬酸氨溶液中带负电荷的铬的氧化物，使得带负电荷的铬的氧化物能够有效地被融入阳极氧化层中，并通过第二次阳极氧化处理促使被吸附的带负电荷的铬的氧化物与微孔内壁带正电荷的铝的氧化物反应，形成非晶体态的络合物，然后将非晶体态的络合物转换为至少具有双折射率的晶体态的络合物，能够将铬的氧化物有效融合到铝的氧化物中，可在基壳表面形成清澈、透亮的晶体态的络合物，使得制作的壳体呈现出稳定可靠的宝石质感。

在一些示例中，可通过调整晶体态络合物中铬的氧化物的含量，改变晶体态的络合物的颜色。

具体地，在第二次阳极氧化处理中，可通过采用硫酸氢氨和铬酸的混合溶液作为第一电解液，并调整该混合溶液中硫酸氢氨和铬酸的摩尔比例，以调整晶体态络合物中铬的氧化物的含量。

在硫酸氢氨和铬酸的混合溶液中，铬酸可电离形成铬酸根离子和氢离子，硫酸氢氨可电离形成硫酸根离子、氢离子和氨根离子。需要指出的是，由于硫酸的酸性大于铬酸，因此，在混合溶液中硫酸氢氨可以影响铬酸的电离程度，进而影响混合溶液中铬酸根离子的含量。

具体地，当硫酸氢氨和铬酸的混合溶液中硫酸氢氨含量较高时，硫酸氢氨可以抑制铬酸的电离程度，进而减少混合溶液中的铬酸根离子，使得形成的非晶体态的络合物中铬的氧化物含量降低。

当硫酸氢氨和铬酸的混合溶液中硫酸氢氨含量减少时，硫酸氢氨对于铬酸电离程度的抑制作用减弱，进而使得混合溶液中的铬酸根离子增加，形成的非晶体态的络合物中铬的氧化物的含量也增加。

例如，当晶体态的络合物中铬的氧化物的摩尔含量与铝的氧化物的摩尔含量的比值范围为0.8％～4％时，晶体态的络合物呈红色，可获得呈现红宝石质感的壳体。

又如，当晶体态的络合物中铬的氧化物的摩尔含量与铝的氧化物的摩尔含量的比值范围为0.15％～0.6％时，晶体态的络合物为绿色，可获得呈现绿宝石质感的壳体。

图2是根据一示例性实施例示出的一种壳体100的局部示意图。壳体100可通过本公开实施例提供的壳体制作方法制作而成。参照图2所示，壳体100包括：

基壳110；

晶体态的络合物120，分布于基壳110表面；其中，晶体态的络合物120至少具有双折射率。

示例性地，基壳110的组成材料可包括：金属，例如，铝或者铝合金。

示例性地，晶体态的络合物120包括：铝的氧化物和铬的氧化物。例如，铝的氧化物可包括三氧化二铝，铬的氧化物可包括三氧化二铬。

相较于在基壳表面镶嵌宝石的方式使得壳体更清澈透亮，本公开通过分布于基壳表面至少具有双折射率的晶体态的络合物，可通过形成于阳极氧化层中晶体态的络合物使得阳极氧化层的更加清澈透亮，有利于提高用户体验。

图3是根据一示例性实施例示出的一种电子设备200的框图。如图3所示，电子设备200可包括：

本公开实施例提供的壳体100；

功能组件210，位于壳体100内，功能组件210用于执行电子设备200的预设功能。

电子设备200可包括：移动电话、计算机、数字广播终端、消息收发设备、游戏控制台、平板设备、医疗设备、健身设备、或者个人数字助理等。

功能组件210可包括以下至少之一：处理单元，存储器单元，电力单元，多媒体单元，音频单元，传感器单元，通信单元。

需要指出的是，晶体态的络合物可位于壳体100朝向用户的表面，如此，用户能够观察到呈现宝石质感的晶体态的络合物，提高用户体验。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的实施例后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (17)

1.一种壳体制作方法，其特征在于，包括：

获取含有铝的基壳；

通过第一次阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成阳极氧化层；其中，所述阳极氧化层包括多个微孔；

将所述表面形成所述阳极氧化层的所述含有铝的基壳置于呈弱酸性的第一溶液中；其中，所述微孔的内壁含有带正电荷的铝的氧化物，所述第一溶液中含有带负电荷的铬的氧化物，所述带负电荷的铬的氧化物被吸附在所述微孔的内壁；其中，所述带负电荷的铬的氧化物为铬酸根离子；

所述带正电荷的铝的氧化物与被吸附的所述带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物；其中，所述非晶体态的络合物为Al(Cr)₂O₃·x H₂O，x的取值范围为1至3；

将所述非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物，所述具有双折射率的晶体态的络合物为Al(Cr)₂O₃；

其中，所述带正电荷的铝的氧化物与所述带负电荷的铬的氧化物反应形成非晶体态的络合物，包括：

在第一电解液形成的反应环境中，通过第二次阳极氧化处理，所述带正电荷的铝的氧化物与被吸附的所述带负电荷的铬的氧化物反应，形成所述非晶体态的络合物；

其中，所述将所述非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物，还包括：

将所述非晶体态的络合物在100摄氏度~160摄氏度的温度范围内烘干30分钟~60分钟，以去除所述非晶体态的络合物中包括的水分子，形成所述晶体态的络合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除在所述带负电荷的铬的氧化物被所述微孔的内壁吸附的过程中附着在所述基壳上的杂质。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二次阳极氧化处理的处理电压为：10伏特~14伏特；

和/或，所述第二次阳极氧化处理的处理时间为：30分钟~60分钟；

和/或，所述第一电解液形成的反应环境的温度为：10摄氏度~14摄氏度；

和/或，所述第一电解液的浓度为：50克/升~220克/升；

和/或，所述第一电解液包括以下至少之一：硫酸氢氨；硫酸；草酸；铬酸。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述第一电解液包括：硫酸氢氨和铬酸的混合溶液；其中，所述混合溶液中硫酸氢氨与铬酸的摩尔比包括：1：1.5~1：1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述表面形成所述阳极氧化层的所述含有铝的基壳置于呈弱酸性的第一溶液中；其中，所述第一溶液中含有带负电荷的铬的氧化物，所述带负电荷的铬的氧化物被吸附在所述微孔的内壁，包括：

将所述表面形成所述阳极氧化层的所述含有铝的基壳置于呈弱酸性的所述第一溶液中20分钟~60分钟；其中，所述带负电荷的铬的氧化物被吸附在所述微孔的内壁。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述第一溶液中，所述带负电荷的铬的氧化物的浓度为：10克/升~400克/升；

和/或，所述第一溶液的pH值为：5~6；

和/或，所述第一溶液的温度为：65摄氏度~85摄氏度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将形成有所述非晶体态的络合物的基壳置于含有镍离子的第二溶液中，所述镍离子与至少部分所述非晶体态的络合物发生反应，并填充所述非晶体态的络合物的剩余微孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将所述非晶体态的络合物，转变为至少具有双折射率的晶体态的络合物，包括：

在填充所述剩余微孔的同时，所述镍离子与至少部分所述非晶体态的络合物发生反应，形成晶体态的络合物。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述第二溶液的温度大于或等于95摄氏度；

和/或，所述基壳置于所述第二溶液中的时间大于或等于30分钟。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除在形成所述非晶体态的络合物过程中附着在所述基壳表面的杂质。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过第一次阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成阳极氧化层，包括：

在第二电解液形成的反应环境中，对所述含有铝的基壳进行所述第一次阳极氧化处理，在所述含有铝的基壳表面形成所述阳极氧化层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

所述第一次阳极氧化处理的处理电压为：10伏特~14伏特；

和/或，所述第一次阳极氧化处理的处理时间为：30分钟~60分钟；

和/或，所述第二电解液形成的反应环境的温度为：10摄氏度~14摄氏度；

和/或，所述第二电解液的浓度为：150克/升~220克/升；

和/或，所述第二电解液包括以下至少之一：硫酸溶液；草酸溶液；铬酸溶液。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除在所述第一次阳极氧化处理中附着在所述基壳上的杂质；

在去除附着在所述基壳上的杂质之后，去除所述基壳表面的所述第二电解液。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述在去除附着在所述基壳上的杂质之后，去除所述基壳表面的所述第二电解液，包括：

在去除附着在所述基壳上的杂质之后，将所述基壳置于中和溶液中0.5分钟~1分钟，所述中和溶液与所述第二电解液反应，去除所述第二电解液；其中，所述中和溶液的浓度包括0.5克/升~5克/升。

15.一种壳体，其特征在于，所述壳体包括：

基壳；

如权利要求1至14任一项所述方法中获得的晶体态的络合物，分布于所述基壳表面，其中，所述晶体态的络合物具有双折射率。

16.根据权利要求15所述的壳体，其特征在于，

所述晶体态的络合物包括：铝的氧化物和铬的氧化物。

17.一种电子设备，其特征在于，包括：

如权利要求15或16所述的壳体；

功能组件，位于所述壳体内，所述功能组件用于执行所述电子设备的预设功能。

Images