CN113439130B - 物理气相沉积系统与处理 - Google Patents

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Abstract

本案揭示了一种物理气相沉积(PVD)腔室及其操作方法。描述了提供包括上屏蔽件的腔室的腔室和方法，所述上屏蔽件具有两个孔，两个孔被定位成允许从两个靶交替溅射。

Description

物理气相沉积系统与处理
技术领域
本揭示内容总体上关于基板处理系统，并且更特定而言，实施方式涉及具有多个阴极组件(多阴极)的物理气相沉积系统以及用于物理气相沉积的处理。
背景技术
溅射，或者称为物理气相沉积(PVD)，用于在半导体集成电路的制造中沉积金属和相关材料。溅射的使用已扩展到在高深宽比的孔(例如通孔或其他垂直互连结构)的侧壁上沉积金属层，以及在制造极紫外(EUV)掩模坯料(mask blank)中。在制造EUV掩模坯料时，由于颗粒会对最终产品的性能产生负面影响，因此希望将颗粒的产生降到最低。此外，在EUV掩模坯料的制造中，在PVD腔室中沉积包括不同材料(例如，硅和钼)的交替层的多层反射器。由硅和钼的靶的交叉污染所引起的各个硅和钼层的污染可能是导致EUV掩模坯料缺陷的问题。
等离子体溅射可使用DC溅射或RF溅射来完成。等离子体溅射通常包括位于溅射靶背面的磁控管，磁控管包括至少两个相对极的磁体，它们通过磁轭而在其背面磁耦合，以将磁场投射到处理空间中，从而增加等离子体的密度并增强从靶的正面的溅射率。磁控管中使用的磁体通常是用于DC溅射的封闭回路和用于RF溅射的开放回路。
在诸如物理气相沉积(PVD)腔室的等离子体增强基板处理系统中，具有高磁场和高DC功率的高功率密度PVD溅射可在溅射靶处产生高能量，并导致溅射靶的表面温度大幅上升。溅射靶通过使靶背板与冷却流体接触来冷却。在如典型的商业实施的等离子体溅射中，将要溅射沉积的材料的靶被密封到包含有要被涂覆的晶片的真空腔室中。氩进入了腔室。在溅射处理中，溅射靶被诸如等离子体的高能离子轰击，使得材料离开靶并以膜的形式沉积在放置于腔室内的基板上。
仍然需要减少缺陷源(例如颗粒)以及多阴极PVD腔室中不同材料的靶的交叉污染。
发明内容
在本揭示内容的第一实施方式中，一种物理气相沉积(PVD)腔室，包括：多个阴极组件，包括第一阴极组件和第二阴极组件，第一阴极组件包括在溅射处理中支撑第一靶的第一背板，第二阴极组件包括被配置为在溅射处理期间支撑第二靶的第二背板；在多个阴极组件下方的上屏蔽件，上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，第一屏蔽孔具有直径并位于上屏蔽件上以暴露第一阴极组件，第二屏蔽孔具有直径并位于上屏蔽件上以暴露第二阴极组件，除了第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之间的区域之外，上屏蔽件具有平坦的内表面；及在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之间的区域中的凸起区域，凸起区域具有高度，高度距平坦的内表面大于一厘米，并且具有长度，长度大于第一屏蔽孔的直径和第二屏蔽孔的直径，其中PVD腔室被配置为交替地从第一靶和第二靶溅射材料，而不旋转上屏蔽件。
根据本揭示内容的第二实施方式，一种物理气相沉积(PVD)腔室包括：多个阴极组件，多个阴极组件包括：第一阴极组件、第二阴极组件、第三阴极组件及第四阴极组件，第一阴极组件包括支撑包含钼的第一靶的第一背板，第二阴极组件包括支撑包含硅的第二靶的第二背板，第三阴极组件包括支撑包含虚拟材料的第三靶的第三背板，第四阴极组件包括支撑包含虚拟材料的第四靶的第四背板；在多个阴极组件下方的上屏蔽件，上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，第一屏蔽孔具有直径并位于上屏蔽件上以暴露第一靶，第二屏蔽孔具有直径并位于上屏蔽件上以暴露第二靶，上屏蔽件除了第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之间的区域外具有平坦表面，上屏蔽件经配置以允许分别从第一靶和第二靶交替溅射钼和硅材料，而没有旋转上屏蔽件；及在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之间的区域中的凸起区域，凸起区域具有大于一厘米的高度，且具有大于第一屏蔽孔和第二屏蔽孔的直径的长度，其中上屏蔽件能旋转以允许第一屏蔽孔和第二屏蔽孔中的一者暴露第一靶及暴露第三靶和第四靶中的一者。
本揭示内容的第三实施方式涉及一种在物理气相沉积(PVD)腔室中沉积交替材料层的方法，所述方法包括：将基板放置在包括多个阴极组件的PVD腔室中，多个阴极组件包括第一阴极组件及第二阴极组件，第一阴极组件包括包含第一材料的第一靶，第二阴极组件包括包含与第一材料不同的第二材料的第二靶。方法进一步包括将上屏蔽件设置在多个阴极组件下方，上屏蔽件具有第一屏蔽孔及第二屏蔽孔，第一屏蔽孔具有直径并位于上屏蔽件上以暴露第一靶，第二屏蔽孔具有直径并位于上屏蔽件上以暴露第二靶。上屏蔽件进一步包括在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之间的平坦表面，以及在两个屏蔽孔之间的凸起区域，凸起区域具有长度，长度至少等于第一屏蔽孔和第二屏蔽孔的直径。方法进一步包括交替地从第一靶和第二靶溅射材料而没有旋转上屏蔽件，其中凸起区域防止第一材料污染第二靶并防止第二材料污染第一靶。
附图说明
为了可以详细了解本揭示内容的上述特征的方式，可参照实施方式获得简要概述于上的本揭示内容的更特定的描述，其中一些实施方式描绘在附图中。然而，应当注意，附图仅示出本揭示内容的典型实施方式，因此不应将其视为限制本揭示内容的范围，因为本揭示内容可允许其他等效的实施方式。
图1是现有技术的沉积系统的侧视图；
图2是根据一或多个实施方式的PVD腔室的侧视图；
图3是图2的PVD腔室的上屏蔽件的底部等距视图；
图4A是处于第一旋转位置的上屏蔽件和靶的底视图；
图4B是处于第二旋转位置的上屏蔽件和靶的底视图；及
图4C是处于第三旋转位置的上屏蔽件和靶的底视图。
具体实施方式
在描述本揭示内容的一些示例性实施方式之前，应理解，本揭示内容不限于以下描述中阐述的构造或处理步骤的细节。本揭示内容能够具有其他实施方式并且能够以各种方式被实施或实行。
如在本说明书和所附权利要求书中所使用的，用语“基板”是指在其上进行处理的表面或表面的一部分。本领域技术人员还将理解，除非上下文另有明确说明，否则对基板的指称也可仅指基板的一部分。此外，提及在基板上沉积可以意指裸基板和具有在其上沉积或形成的一或多个膜或特征的基板。
本文所使用的“基板”是指在制造处理期间于其上实行膜处理的基板上所形成的任何基板或材料表面。例如，可在其上实行处理的基板表面包括诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(SOI)、碳掺杂氧化硅、非晶硅、掺杂硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石的材料以及任何其它材料，例如金属、金属氮化物、金属合金和其他导电材料，这取决于应用。基板包括，但不限于，半导体晶片。基板可以暴露于预处理工艺，以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化(hydroxylate)、退火、UV固化、电子束固化和/或烘烤基板表面。除了直接在基板自身表面上进行膜处理之外，在本揭示内容中，所揭示的膜处理步骤中的任何一个步骤也可以在基板上所形成的下层上进行，如下文更详细揭示的，且用语“基板表面”意欲包括如上下文所指示的此类下层。因此，例如，当将膜/层或部分膜/层沉积在基板表面上时，新沉积的膜/层的暴露表面成为基板表面。
本文所使用的用语“水平面”被定义为与掩模坯料的平面或表面平行的平面，而不管其取向如何。用语“垂直的”是指与刚刚所定义的水平面垂直的方向。用语，例如，“上方”、“下方”、“底部”、“顶部”、“侧面”(如在“侧壁”中)、“较高”、“较低”、“上”、“在……之上”和“之下”如图所示，是相对于水平面定义的。
用语“在……上”表示元件之间存在直接接触。用语“直接在……上”表示元件之间存在直接接触，而没有中间元件。
本领域技术人员将理解，使用诸如“第一”和“第二”之类的序数来描述处理区域并不意味着处理腔室内的特定位置或处理腔室内的暴露顺序。
本揭示内容的实施方式涉及用于沉积系统的磁体设计，沉积系统例如是包括至少一个阴极组件的物理气相沉积(“PVD”)腔室，且在特定实施方式中，是包括多个阴极组件的PVD腔室(在本文中称为“多阴极腔室”)。
图1示出了现有技术的PVD系统，其中示出了PVD腔室100形式的沉积系统的一部分的侧视图。PVD腔室形式的沉积系统被示出为包括多个阴极组件102的多阴极PVD腔室100。多阴极PVD腔室100被示出为包括经配置以制造MRAM(磁阻式随机存取存储器)的多靶PVD源或经配置以制造极紫外(EUV)掩模坯料的多靶PVD源，例如，包含硅的靶和包含钼的靶以形成反射EUV光的多层堆叠。
多阴极PVD腔室包括腔室主体101，腔室主体101包括适配器(未示出)，此适配器被配置为将多个阴极组件102以间隔开的关系保持在适当位置。多阴极PVD腔室100可包括用于PVD和溅射的多个阴极组件102。每个阴极组件102连接到电源112，电源112包括直流(DC)和/或射频(RF)。
截面图描绘了PVD腔室100的实例，PVD腔室100包括界定了内部容积121的腔室主体101，在内部容积121中基板或载体被处理。图1所示的实施方式中的阴极组件102可被用于溅射不同材料作为材料层103。阴极组件102通过上屏蔽件106的屏蔽孔104暴露，上屏蔽件106位于旋转底座110上的基板或载体108上方。上屏蔽件106通常是圆锥形的。通常在旋转底座110之上或其上仅存在一个载体108。
基板或载体108被示为具有用于制造集成电路的半导体材料的结构。例如，基板或载体108包括包含晶片的半导体结构。替代地，基板或载体108可以是另一种材料，例如用于形成EUV掩模坯料的超低膨胀玻璃基板。基板或载体108可以是任何合适的形状，例如圆形、正方形、矩形或任何其他多边形。
上屏蔽件106形成有屏蔽孔104，使得阴极组件102可用以通过屏蔽孔104沉积材料层103。将电源112施用到阴极组件102。电源112可以包括直流(DC)或射频(RF)电源。
上屏蔽件106被配置为一次暴露阴极组件102中的一个，并保护其他阴极组件102免于交叉污染。交叉污染是沉积材料从阴极组件102中的一个到阴极组件102的另一个的物理移动或转移。阴极组件102位于靶114上方。腔室的设计可以是紧凑的(compact)。靶114可以是任何合适的大小。例如，每个靶114的直径可在约4英寸至约20英寸、或约4英寸至约15英寸、或约4英寸至约10英寸、或约4英寸至约8英寸、或约4英寸至约6英寸的范围中。
在图1中，基板或载体108被示为在旋转底座110上，其可垂直地上下移动。在基板或载体108移出腔室之前，基板或载体108可在下屏蔽件118下方移动。伸缩盖环120邻接下屏蔽件118。接着，旋转底座110可以向下移动，随后在载体108移出腔室之前载体108可以被以机械臂升高。
当溅射材料层103时，从靶114溅射的材料可以保留在下屏蔽件118的内部而不是外部。在此现有技术的实施方式中，伸缩盖环120包括向上弯曲并具有预定厚度的凸起环部分122。伸缩盖环120亦可包括相对于下屏蔽件118的预定间隙124和预定长度。因此，形成材料层103的材料将不在旋转底座110下方，从而消除了污染物扩散到基板或载体108上。
图1描绘了单独的护罩126。护罩126可经设计以使得来自靶114的未沉积在载体108上的大部分材料被包含在护罩126中，因此使得容易回收和保存这些材料。这也使得针对每个靶114的护罩126中的一个能够针对此靶被最佳化以实现更好的粘附并减少缺陷。
护罩126可被设计成使阴极组件102之间的交互干扰(cross-talk)或交叉靶(cross-target)污染最小化，并最大化针对每个阴极组件102所捕获的材料。因此，来自每个阴极组件102的材料将仅由阴极组件102定位于其上的护罩126中的一个所单独捕获。捕获的材料可能不会沉积在基板或载体108上。例如，第一阴极组件和第二阴极组件可以在极紫外掩模坯料的形成中施加不同材料的交替层，例如，从第一靶和阴极组件102沉积的硅和从第二靶和阴极组件102沉积的钼的交替层。
基板或载体108可以使用包括来自护罩126之上的靶114的金属的沉积材料来涂覆有均匀的材料层103，均匀的材料层103沉积在基板或载体108的表面上。接着，可以经由回收处理取下护罩126。回收处理不仅清洁护罩126，并且回收残留在护罩126上或护罩126中的残留量的沉积材料。例如，在一个护罩126上可以有钼，随后在另一个护罩126上可以有硅。由于钼比硅昂贵，所以可以将含钼的护罩126送出进行回收处理。
如图1所示，下屏蔽件118具有由小角度130造成的第一弯曲和由大角度132造成的第二弯曲，这导致下屏蔽件118中的膝部119。膝部119提供了在沉积期间颗粒可在其中积聚的区域，且因此是处理缺陷的可能来源。
PVD腔室和处理用于制造极紫外(EUV)掩模坯料。EUV掩模坯料是用于形成具有掩模图案的反射掩模的光学平坦结构。EUV掩模坯料的反射表面形成平坦焦平面，用于反射入射光，例如极紫外光。EUV掩模坯料包括对极紫外反射元件(例如EUV掩模版)提供结构支撑的基板。基板由具有低热膨胀系数(CTE)的材料制成，以在温度变化期间提供稳定性，所述材料例如，诸如硅、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或上述材料的组合的材料。
极紫外(EUV)光刻，也称为软X射线投影光刻(soft x-ray projectionlithography)，可用于制造0.0135微米和更小的最小特征尺寸的半导体装置。然而，极紫外光，其通常在5到100纳米波长范围内，实际上在所有材料中都被强烈吸收。因此，极紫外系统通过反射而不是通过光透射来运作。通过使用一系列的镜子或透镜元件、以及涂覆有非反射吸收器掩模图案的反射元件或掩模坯料，将图案化的光化(actinic)光反射到涂覆有光刻胶的半导体基板上。
极紫外光刻系统的透镜元件和掩模坯料都涂有材料(例如钼和硅)的交替反射层的涂层的反射性多层堆叠。通过使用涂覆有多层涂层的基板，已获得每个透镜元件或掩模坯料约65％的反射值，此多层涂层在极窄的紫外线带通中(例如，对于13.5纳米紫外光为12.5至14.5纳米带通)强烈反射极紫外光。在EUV掩模坯料和透镜元件的制造期间，通常期望缺陷的最小化和反射性多层堆叠的高反射率，所述缺陷例如是来自颗粒源的缺陷。
图2描绘了根据本揭示内容的第一实施方式的PVD腔室200。PVD腔室200包括多个阴极组件202a和202b。尽管在图2的侧视图中仅示出了两个阴极组件202a和202b，但是多阴极腔室可包括多于两个阴极组件，例如，五个、六个或多于六个阴极组件。在多个阴极组件202a和202b下方提供上屏蔽件206，上屏蔽件206具有两个屏蔽孔204a和204b，以将设置在阴极组件202a、202b的底部的靶205a、205b暴露于PVD腔室200的内部空间221。中屏蔽件216设置在上屏蔽件206的下方并与之相邻，且下屏蔽件218设置在上屏蔽件206的下方并与之相邻。
图2中揭示了模块化腔室主体，其中中间腔室主体225位于下腔室主体227的上方并与之相邻。中间腔室主体225固定至下腔室主体227以形成模块化腔室主体，其围绕下屏蔽件218和中屏蔽件。顶部适配器盖273(示于图2)设置在中间腔室主体225上方以围绕上屏蔽件206。
PVD腔室200亦设有类似于图1中的旋转底座110的旋转底座210。普通技术人员将容易理解到，根据一或多个实施方式，PVD腔室的其他元件，例如在上文于图1中所引用的但在图2中为了清楚起见而省略的元件，被提供在PVD腔室200中。将理解到，与图1的圆锥形上屏蔽件106相比，图2的PVD腔室200的上屏蔽件206基本上是平坦的。
因此，本揭示内容的第一方面涉及PVD腔室200，其包括多个阴极组件，这些阴极组件包括第一阴极组件202a和第二阴极组件202b，第一阴极组件202a包括被配置为在溅射处理期间支撑第一靶205a的第一背板210a，第二阴极组件202b包括被配置为在溅射处理期间支撑第二靶205b的第二背板210b。PVD腔室进一步包括在多个阴极组件202a、202b下方的上屏蔽件206，上屏蔽件206具有第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b，第一屏蔽孔204a具有直径D1并位于上屏蔽件上以暴露第一阴极组件202a，第二屏蔽孔204b具有直径D2并位于上屏蔽件206上以暴露第二阴极组件202b，除了第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之间的区域207之外，上屏蔽件206具有基本平坦的内表面203。
上屏蔽件206在第一屏蔽孔和第二屏蔽孔之间的区域207中包括凸起区域209，凸起区域209相对于基本平坦的内表面203具有高度“H”，高度“H”距平坦的内表面203(在图2中最清楚可见)大于一厘米，并且凸起区域209具有长度“L”，长度“L”大于第一屏蔽孔204a的直径D1和第二屏蔽孔204b的直径D2，其中PVD腔室被配置为从第一靶205a和第二靶205b交替地溅射材料，而不旋转上屏蔽件206。
在一或多个实施方式中，凸起区域209具有高度H，使得在溅射处理期间，凸起区域高度H足以防止从第一靶205a溅射出的材料被沉积在第二靶205b上，并防止从第二靶205b溅射出的材料被沉积在第一靶205a上。
根据本揭示内容的一或多个实施方式，第一阴极组件202a包括以第一距离d1与第一背板210a间隔开的第一磁体，且第二阴极组件202b包括以第二距离d2与第二背板210b间隔开的第二磁体220b，其中第一磁体220a和第二磁体220b是可移动的，使得第一距离d1可以改变(如箭头211a所示)，且第二距离d2可以改变(如箭头211b所示)。可以由线性致动器213a改变距离d1，及线性致动器213b改变距离d2来变化距离d1和距离d2。线性致动器213a和线性致动器213b可包括可以分别实现第一磁体组件215a和第二磁体组件215b的线性运动的任何合适的装置。第一磁体组件215a包括旋转马达217a，旋转马达217a可包括伺服马达，以经由耦接至旋转马达217a的轴219a旋转第一磁体220a。第二磁体组件215b包括旋转马达217b，旋转马达217b可包括伺服马达，以经由耦接至旋转马达217b的轴219b旋转第二磁体220b。应理解，除了第一磁体220a外，第一磁体组件215a可包括多个磁体。类似地，除了第二磁体220b外，第二磁体组件215b可包括多个磁体。
在一或多个实施方式中，其中第一磁体220a和第二磁体220b被配置成移动以减小第一距离d1和第二距离d2，来增加由第一磁体220a和第二磁体220b产生的磁场强度，以及第一磁体220a和第二磁体220b被配置成移动以增大第一距离d1和第二距离d2，来减小由第一磁体220a和第二磁体220b产生的磁场强度。
在一些实施方式中，第一靶205a包括钼靶，第二靶205b包括硅靶，并且PVD腔室200进一步包括第三阴极组件(未示出)和第四阴极组件(未示出)，第三阴极组件包括用以支撑第三靶205c的第三背板(见图4A-图4C)，第四阴极组件包括被配置为支撑第四靶205d的第四背板(见图4A-图4C)。根据一或多个实施方式的第三阴极组件和第四阴极组件以与本文所述的第一阴极组件202a和第二阴极组件202b相同的方式配置。在一些实施方式中，第三靶205c包括虚拟靶，并且第四靶205d包括虚拟靶。如本文所用，“虚拟靶(dummy target)”是指不意图在PVD腔室200中溅射的靶。
现参照图4A至图4C，第一靶205a、第二靶205b、第三靶205c和第四靶205d相对于彼此定位，并且第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b相对于彼此定位。在所示的实施方式中，第一靶(位于第一阴极组件202a下方)位于位置P1，第二靶205b(位于第二阴极组件202b下方)位于位置P2。在一些实施方式中，凸起区域209位于第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之间。在所示的实施方式中，第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b相对于第一靶205a、第二靶205b、第三靶205c和第四靶205d定位，以便促进第一靶205a和第二靶205b的清洁。
在使用中，根据一或多个实施方式的PVD腔室在沉积处理期间如下操作。第一屏蔽孔204a经定位以暴露第一靶，且第二屏蔽孔204b经定位以暴露第二靶205b。第一靶205a和第二靶205b由不同的材料构成。在本揭示内容的特定实施方式中，第一靶205a包括钼，且第二靶205b包括硅。在沉积处理期间，从第一靶205a和第二靶205b交替地溅射材料，以形成交替材料层的多层堆叠，其中相邻层包括不同的材料。来自第一靶205a和第二靶205b的材料的交替层的沉积是无需旋转上屏蔽件206而发生，与具有单个屏蔽孔的设备相比，其减少了颗粒的产生，在具有单个屏蔽孔的设备中，必须旋转上屏蔽件以完成不同材料的交替沉积以形成包含两种不同材料的多层堆叠。在一或多个实施方式中，交替层包括硅和钼，以形成反射EUV光的多层堆叠。图4A描绘了第一靶205a在位置P1中的位置和第二靶205b在位置P2处的位置。在一些实施方式中，上屏蔽件在第一屏蔽孔204a与第二屏蔽孔204b之间的区域207中包括凸起区域209。
在所示的实施方式中，上屏蔽件206是圆形的，且第一屏蔽孔204a的中心在第一位置P1，而第二屏蔽孔204b的中心所在的第二位置P2是在从第一屏蔽孔204a的中心以箭头261表示的逆时针方向上150度处。同样地，第一靶205a的中心和第二靶205b的中心在位置P1和P2处，它们彼此相距150度。在图4A中，第三靶205c和第四靶205d是虚拟靶，其被上屏蔽件206的平坦表面覆盖并且以虚线示出其轮廓。
图4B示出了第一屏蔽孔204a的位置为位于第二靶205b上，且第二屏蔽孔204b的位置为位于第四靶205d上，第四靶205d是虚拟靶。屏蔽孔204a和204b已经从图4A的沉积位置逆时针旋转了150度。第一屏蔽孔在位置P4处的位置在第四靶205d上，第四靶205d的中心位于与第一靶205a的中心成逆时针方向300度的位置。现在，第二屏蔽孔204b位于第二靶205b上，第二靶205b的中心位于与第一靶205a的中心成逆时针方向150度的位置。本领域普通技术人员将理解，各个靶相对于它们各自的阴极组件的位置是固定的，而上屏蔽件206在靶上方旋转。图4B是可在其中使用等离子体清洁第二靶205b的清洁位置。以图4B中所示的方式(在该方式中第二屏蔽孔204b被定位成暴露虚拟靶(第四靶205d)而第一屏蔽孔暴露第二靶205b)来清洁的优点是，可以在覆盖第一靶205a(如由虚线所示)的同时进行第二靶的清洁，并且第一靶205a不会被从第二靶(与第一靶不同的材料)去除污染物的清洁处理所污染。此外，作为虚拟靶的第四靶205d防止从第二靶205b清洁的材料行进穿过开放的屏蔽孔(第二屏蔽孔204b)并污染腔室，即顶部适配器盖273。
图4C示出了屏蔽孔204a和204b在逆时针方向旋转60度(如由图4B的箭头260所示)之后的位置。在此位置，第二屏蔽孔，现已从图4A所示的沉积位置旋转210度，现在是定位在第一靶205a上于位置P1，并且第一屏蔽孔204a现在定位在第三靶205c上，第三靶205c是虚拟靶。第二靶205b和第四靶205d(两者都由虚线示出)现在被上屏蔽件覆盖。在图4C所示的位置，第一靶205a通过第二屏蔽孔204b暴露，且第三靶205c通过第一屏蔽孔204a暴露。可以在清洁处理中以等离子体清洁第一靶205a。
总结图4A-图4C，通过以所示的方式在多阴极腔室的外周间隔开电极组件和相关的靶，并使用所示的可旋转的上屏蔽件，其包括在上屏蔽件的外周彼此间隔开的两个屏蔽孔，第一靶205a和第二靶205b可以在PVD腔室中使用等离子体处理来清洁。在一或多个实施方式中，当第三靶205c和第四靶205d是不意图作为沉积处理的一部分而被溅射的虚拟靶时，虚拟靶在清洁第一靶205a和第二靶205b期间防止腔室的污染。在一些实施方式中，虚拟靶包括侧面和前表面(面对PVD腔室和PVD腔室中的基板的表面)，其经纹理化以确保在已经从第一靶205a和第二靶205b清洁的材料的大量沉积之后没有颗粒产生。在一些实施方式中，通过电弧喷涂(arc spraying)来提供纹理化表面。
在所示的特定实施方式中，上屏蔽件206是圆形的，且两个屏蔽孔在上屏蔽件206的外周在屏蔽孔中心处间隔开，使得当上屏蔽件206相对于PVD腔室200旋转时，屏蔽孔暴露两个靶(任一沉积靶如第一靶205a和第二靶205b)。第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔在上屏蔽件206的外周上以其中心间隔开150度，并且在图4A中由箭头261表示。
在所示的实施方式中，至少四个阴极组件和阴极组件下方的靶围绕PVD腔室顶部适配器盖273的外周间隔开，使得当上屏蔽件206旋转时，每一次上屏蔽件旋转就暴露两个不同的靶。在图4A-图4C中，圆形的第二靶205b的中心与也是圆形的第一靶205a的中心在逆时针方向上成150度。此外，圆形且是虚拟靶的第三靶205c的中心相对于第一靶205a的中心在逆时针方向上成210度，且圆形且是虚拟靶的第四靶205d的中心相对于第一靶在逆时针方向上成300度。通过以这样的方式将靶布置在顶部适配器盖273上并且布置上屏蔽件而使上屏蔽件206的屏蔽孔204a和204b的中心相隔150度，但是旋转上屏蔽件206，第一靶205a和第二靶205b可以两者均在沉积处理中被暴露，并接着在清洁处理中，第二靶205b和虚拟靶可以被暴露来清洁第二靶，而第一靶205a和另一虚拟靶可以被暴露来清洁第一靶205a，而其他沉积靶不受清洁靶的污染。
换言之，在一或多个实施方式中，第三靶205c和第四靶205d相对于第一靶205a和第二靶205b定位，使得当上屏蔽件206处于第一位置时，第一靶205a通过第一屏蔽孔204a暴露且第二靶205b通过第二屏蔽孔204b暴露，并且第三靶205c和第四靶205d被上屏蔽件206覆盖。当上屏蔽件206旋转到第二位置时，第四靶205d通过第二屏蔽孔204b暴露，且第二靶205b通过第一屏蔽孔204a暴露。在一些实施方式中，当上屏蔽件206旋转到第三位置时，第一靶205通过第二屏蔽孔204b暴露，并且第四靶205d通过第一屏蔽孔204a暴露。
在另一个实施方式中，物理气相沉积(PVD)腔室200包括多个阴极组件，这些阴极组件包括：第一阴极组件202a、及第二阴极组件202b、第三阴极组件、及第四阴极组件，第一阴极组件202a包括支撑包含钼的第一靶205a的第一背板210a，第二阴极组件202b包括支撑包括硅的第二靶205b的第二背板210b，第三阴极组件包括支撑包含虚拟材料的第三靶205c的第三背板，第四阴极组件包括支撑包含虚拟材料的第四靶205d的第四背板。在此实施方式中，上屏蔽件206在多个阴极组件下方，其具有直径为D并位于上屏蔽件上以暴露第一靶205a的第一屏蔽孔204a，及直径为D并位于上屏蔽件上以暴露第二靶205b的第二屏蔽孔204b，上屏蔽件206在第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之间具有平坦表面203，并且被配置为允许从第一靶205a和第二靶205b分别交替溅射钼和硅材料而没有旋转上屏蔽件206。在此实施方式中，上屏蔽件206包括在两个屏蔽孔之间的凸起区域209，此凸起区域的高度H大于一厘米，且长度大于第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b的直径D，其中上屏蔽件206可旋转以允许第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b中的一者暴露第一靶205a以及暴露第三靶205c和第四靶205d中的一者。
在一些实施方式中，第一阴极组件、第二阴极组件、第三阴极组件和第四阴极组件中的每一个包括磁体，所述磁体与第一背板以第一距离间隔开、与第二背板以第二距离间隔开、与第三背板以第三距离间隔开、及与第四背板以第四距离间隔开，每个磁体可移动以增大或减小第一距离、第二距离、第三距离、或第四距离中的每一者。减小第一距离、第二距离、第三距离、或第四距离可增加磁体产生的磁场强度。增加第一距离、第二距离、第三距离、或第四距离会减小磁体产生的磁场强度。
可以在PVD腔室200中使用DC溅射或RF溅射来完成等离子体溅射。在一些实施方式中，处理腔室包括用于将RF和DC能量耦接至与每个阴极组件相关的靶的馈送结构。对于第一阴极组件202a，馈送结构的第一端可以耦接到RF电源248a和DC电源250a，其可以分别用于向第一靶205a提供RF和DC能量。RF电源248a在249a中耦接到RF功率，而DC电源250a在251a中耦接到DC功率。例如，DC电源250a可以用于向第一靶205a施加负电压或偏压。在一些实施方式中，由RF电源248a供应的RF能量的频率范围可以从约2MHz到约60MHz，或者例如可以使用诸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz或60MHz的非限制性频率。在一些实施方式中，可以提供多个RF电源(即，两个或更多个)以提供多个上述的频率中的RF能量。
同样地，对于第二阴极组件202b，馈送结构的第一端可以耦接到RF电源248b和DC电源250b，其可以分别用于向第二靶205b提供RF和DC能量。RF电源248b在249b中耦接到RF功率，而DC电源250b在251b中耦接到DC功率。例如，DC电源250b可用于向第二靶205b施加负电压或偏压。在一些实施方式中，由RF电源248b供应的RF能量的频率范围可以从约2MHz到约60MHz，或者例如可以使用诸如2MHz、13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz或60MHz的非限制性频率。在一些实施方式中，可以提供多个RF电源(即，两个或更多个)以提供多个上述的频率中的RF能量。
尽管所示实施方式包括用于阴极组件202a和202b的单独的RF电源248a和248b，以及用于阴极组件202a和202b的单独的DC电源250a和250b，但是PVD腔室可以包括具有至每个阴极组件的馈送的单个RF电源和单个DC电源。
本揭示内容的另一方面涉及一种在物理气相沉积(PVD)腔室中沉积交替材料层的方法。在一个实施方式中，方法包括将基板270放置在包括多个阴极组件的PVD腔室200中，这些阴极组件包括：第一阴极组件202a及第二阴极组件202b，第一阴极组件202a包括包含第一材料的第一靶205a，第二阴极组件202b包括包含与第一材料不同的第二材料的第二靶205b。方法进一步包括将上屏蔽件206设置在多个阴极组件下方，上屏蔽件具有直径为D1并位于上屏蔽件206上以暴露第一靶205a的第一屏蔽孔204a和具有直径为D2并位于上屏蔽件206上以暴露第二靶205b的第二屏蔽孔204b，上屏蔽件206进一步包括在第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔204b之间的平坦表面203以及在两个屏蔽孔204a、204b之间的区域207中的凸起区域209，凸起区域209具有至少等于第一屏蔽孔的直径D1和第二屏蔽孔的直径D2的长度L。在一些实施方式中，凸起区域209具有大于一厘米的高度H。方法进一步包括交替地从第一靶205a和第二靶205b溅射材料而没有旋转上屏蔽件206，其中凸起区域防止第一材料污染第二靶并防止第二材料污染第一靶。
在方法的一些实施方式中，PVD腔室进一步包括：第三靶205c及第四靶205d，第三靶205c包括虚拟材料，第四靶205d包括虚拟材料，且其中第三靶205c和第四靶205d相对于第一靶205a和第二靶205b定位，使得当上屏蔽件206处于第一位置时，第一靶205a通过第一屏蔽孔204a暴露，而第二靶205b通过第二屏蔽孔204b暴露，且在从第一靶205a和第二靶205b沉积交替的材料层的期间，第三靶205c和第四靶205d被上屏蔽件206覆盖。
在方法的一些实施方式中，方法进一步包括：通过向第二靶施加磁场而来清洁沉积在第二靶205b上的第一材料，所述磁场大于在沉积交替的材料层期间施加的磁场。在一些实施方式中，方法进一步包括：通过向第一靶205a施加磁场来清洁沉积在第一靶205a上的第二材料，所述磁场大于在沉积交替的材料层期间施加的磁场。
在一些实施方式中，方法进一步包括：在从第二靶205b清洁第一材料之前，将上屏蔽件206从第一位置旋转到第二位置，第四靶205d通过第二屏蔽孔204b暴露且第二靶205b通过第一屏蔽孔204a暴露。在一或多个实施方式中，方法包括：将上屏蔽件206从第二位置旋转到第三位置，以使得第一靶205a通过第二屏蔽孔204b暴露，而第四靶205d通过第一屏蔽孔204a暴露。在方法的特定实施方式中，基板270包括极紫外(EUV)掩模坯料。在方法的特定实施方式中，第一靶材料包括钼且第二靶材料包括硅。在一些实施方式中，方法进一步包括：沉积多个交替的材料层，此多个交替的材料层包括包含钼的第一层和包含硅的第二层。
根据本文所述的实施方式的具有布置在上屏蔽件中的第一屏蔽孔204a和第二屏蔽孔的上屏蔽件的好处包括能够沉积不同材料的交替层而无需旋转上屏蔽件的能力。在一些实施方式中，在完成在基板上沉积多层堆叠的处理之后，可以如上所述旋转上屏蔽件以进行清洁操作，在此清洁操作中，屏蔽孔中的一个屏蔽孔位于虚拟靶上。
在一些实施方式中，所描述的方法通过使用控制器290在PVD腔室200中进行。可以有一个控制器或多个控制器。当存在多于一个控制器时，每个控制器与每个其他的控制器通信以控制PVD腔室200的整体功能。例如，当利用多个控制器时，主控制处理器耦接到每个其他的控制器并与之通信以控制系统。控制器是通用计算机处理器、微控制器、微处理器等任何形式中的一种，其可以在工业设置中用于控制各种腔室和子处理器。如本文所用，“与……通信”是指控制器可以经由硬连线的通信线路或无线地发送和接收信号。
每个控制器可以包括处理器292、耦接到处理器的存储器294、耦接到处理器292的输入/输出装置、以及支持电路296和298以提供不同电子元件之间的通信。存储器包括瞬态存储器(例如，随机存取存储器)和非瞬态存储器(例如，储存器)中的一或多个，且处理器的存储器可以是容易获得的存储器中的一或多个，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的本地或远程的数字储存器。存储器可以保留可由处理器操作以控制系统的参数和元件的指令集。支持电路耦接到处理器，用于以常规方式支持处理器。电路可以包括，例如，高速缓冲存储器、电源、时钟电路、输入/输出电路、子系统等。
处理通常可以作为软件程序储存于存储器中，软件程序在由处理器执行时，使处理腔室实行本揭示内容的处理。软件程序亦可由第二处理器储存和/或执行，第二处理器位于由处理器控制的硬体的远端。在一或多个实施方式中，本揭示内容的方法的一些或全部是受控制的硬件。如此，在一些实施方式中，处理是由软件实施并且使用计算机系统执行、实施于硬件作为例如特定应用集成电路或其他类型的硬件实施、或是作为软件和硬件的组合。当由处理器执行时，软件程序将通用计算机转换成控制腔室操作以使处理被实行的专用计算机(控制器)。
在一些实施方式中，控制器具有一或多种配置以执行单独的处理或子处理以实行方法。在一些实施方式中，控制器连接到并且经配置以操作中间元件以实行方法的功能。
本揭示内容所述的PVD腔室200和方法可在制造极紫外(EUV)掩模坯料中特别有用。EUV掩模坯料是用于形成具有掩模图案的反射性掩模的光学平坦结构。在一或多个实施方式中，EUV掩模坯料的反射表面形成平坦焦平面，用于反射入射光，例如极紫外光。EUV掩模坯料包括对极紫外反射元件(例如EUV掩模版)提供结构支撑的基板。在一或多个实施方式中，基板由具有低热膨胀系数(CTE)的材料制成，以在温度变化期间提供稳定性。根据一或多个实施方式的基板是由诸如硅、玻璃、氧化物、陶瓷、玻璃陶瓷或上述材料的组合的材料所形成。
EUV掩模坯料包括多层堆叠，此多层堆叠是对极紫外光反射的结构。多层堆叠包括第一反射层和第二反射层的交替反射层。第一反射层和第二反射层形成反射对。在非限制性实施方式中，多层堆叠包括20至60个范围的反射对，总共多达120个反射层。
第一反射层和第二反射层可以由多种材料形成。在实施方式中，第一反射层和第二反射层分别由硅和钼形成。多层堆叠通过具有不同光学特性的交替薄材料层来形成布拉格(Bragg)反射器或反射镜，从而形成反射结构。例如，钼和硅的交替层通过物理气相沉积形成，例如，在本文所述的多阴极源腔室中。在一或多个实施方式中，本文所述的腔室和方法可用于沉积20-60个钼和硅的反射对的多层堆叠。具有两个屏蔽孔的上屏蔽件的独特结构使沉积的多层堆叠具有更少的缺陷。如本文所述的实施方式中所布置的具有包括虚拟靶的靶的多阴极布置促进了钼和硅靶的清洁。
本文所述的PVD腔室200用于形成多层堆叠，以及覆盖层和吸收层。例如，物理气相沉积系统可以形成硅、钼、氧化钛、二氧化钛、氧化钌、铌氧化物、钌钨、钌钼、钌铌、铬、钽、氮化物、化合物、或其组合的层。尽管一些化合物被描述为氧化物，但应理解，化合物可包括氧化物、二氧化物、具有氧原子的原子混合物、或其组合。
在整个说明书中对“一个实施方式”、“某些实施方式”、“一或多个实施方式”或“一实施方式”的指称意味着结合实施方式描述的特定特征、结构、材料或特性是包括于本揭示内容的至少一个实施方式中。因此，在贯穿本说明书中各处，例如“在一或多个实施方式中”、“在某些实施方式中”、“在一个实施方式中”或“在一实施方式中”的用语的出现不一定指本揭示内容的同一实施方式。此外，特定特征、结构、材料或特性可以以任何合适的方式组合于一或多个实施方式中。
尽管已参照特定实施方式来描述本文的揭示内容，但应理解，这些实施方式仅仅是本揭示内容的原理和应用的说明。对于本领域技术人员将是显而易见的是，在不脱离本揭示内容的精神和范围的情况下，可以对本揭示内容的方法和设备进行各种修改和变化。因此，本揭示内容旨在包括在随附权利要求书及其等同物的范围内的修改和变化。

Claims (16)

1.一种物理气相沉积腔室，包括：
多个阴极组件，包括第一阴极组件、第二阴极组件、第三阴极组件和第四阴极组件，所述第一阴极组件包括在溅射处理期间支撑第一靶的第一背板，所述第二阴极组件包括被配置为在溅射处理期间支撑第二靶的第二背板，所述第二靶与所述第一靶相邻，所述第三阴极组件包括在溅射处理期间支撑第三靶的第三背板，所述第三靶与所述第二靶相邻，所述第四阴极组件包括被配置为支撑第四靶的第四背板，所述第四靶与所述第一靶和所述第三靶相邻，其中所述第三靶包括虚拟靶且所述第四靶包括虚拟靶；
在所述多个阴极组件下方的上屏蔽件，所述上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，所述第一屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第一阴极组件，所述第二屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第二阴极组件，除了所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的区域之外，所述上屏蔽件具有平坦的内表面；以及
在所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的所述区域中的凸起区域，所述凸起区域具有高度，所述高度距所述平坦的内表面大于一厘米，并且所述凸起区域具有长度，所述长度大于所述第一屏蔽孔的所述直径和所述第二屏蔽孔的所述直径，其中所述物理气相沉积腔室被配置为从所述第一靶和所述第二靶交替地溅射材料，而没有旋转所述上屏蔽件，
其中所述第三靶和所述第四靶相对于所述第一靶和所述第二靶定位，使得：当所述上屏蔽件处于第一位置时，所述第一靶通过所述第一屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第三靶和所述第四靶由所述上屏蔽件覆盖；当所述上屏蔽件旋转到第二位置时，所述第四靶通过所述第二屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第一屏蔽孔暴露；以及当所述上屏蔽件旋转到第三位置时，所述第一靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第三靶通过所述第一屏蔽孔暴露。
2.如权利要求1所述的物理气相沉积腔室，其中所述凸起区域具有足够的高度，使得在溅射处理期间，所述凸起区域防止从所述第一靶溅射出的材料被沉积在所述第二靶上，并防止从所述第二靶溅射出的材料被沉积在所述第一靶上。
3.如权利要求1所述的物理气相沉积腔室，其中所述第一阴极组件包括以第一距离与所述第一背板间隔开的第一磁体，且所述第二阴极组件包括以第二距离与所述第二背板间隔开的第二磁体，其中所述第一磁体和所述第二磁体是可移动的，使得所述第一距离可以改变且所述第二距离可以改变。
4.如权利要求3所述的物理气相沉积腔室，其中所述第一磁体和所述第二磁体被配置成移动以减小所述第一距离和所述第二距离来增加由所述第一磁体和所述第二磁体产生的磁场强度，以及被配置成移动以增大所述第一距离和所述第二距离来减小由所述第一磁体和所述第二磁体产生的磁场强度。
5.如权利要求3所述的物理气相沉积腔室，其中所述第一靶包括钼靶且所述第二靶包括硅靶。
6.一种物理气相沉积腔室，包括：
多个阴极组件，包括：第一阴极组件、第二阴极组件、第三阴极组件及第四阴极组件，所述第一阴极组件包括支撑包含钼的第一靶的第一背板，所述第二阴极组件包括支撑包含硅的第二靶的第二背板，所述第三阴极组件包括支撑包含虚拟材料的第三靶的第三背板，所述第四阴极组件包括支撑包含虚拟材料的第四靶的第四背板；
在所述多个阴极组件下方的上屏蔽件，所述上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，所述第一屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第一靶，所述第二屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第二靶，除了所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的区域外所述上屏蔽件具有平坦表面，所述上屏蔽件被配置为允许分别从所述第一靶和所述第二靶交替溅射钼和硅材料，而没有旋转所述上屏蔽件；以及
在所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的所述区域中的凸起区域，所述凸起区域具有大于一厘米的高度，且具有大于所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔的所述直径的长度，其中所述上屏蔽件能旋转以使得：当所述上屏蔽件处于第一位置时，所述第一靶通过所述第一屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第三靶和所述第四靶由所述上屏蔽件覆盖；当所述上屏蔽件旋转到第二位置时，所述第四靶通过所述第二屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第一屏蔽孔暴露；以及当所述上屏蔽件旋转到第三位置时，所述第一靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第三靶通过所述第一屏蔽孔暴露。
7.如权利要求6所述的物理气相沉积腔室，其中所述第一阴极组件、所述第二阴极组件、所述第三阴极组件和所述第四阴极组件中的每一个包括磁体，所述磁体与所述第一背板以第一距离间隔开、与所述第二背板以第二距离间隔开、与所述第三背板以第三距离间隔开、及与所述第四背板以第四距离间隔开，每个磁体能移动以增大或减小所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离或所述第四距离中的每一者。
8.如权利要求7所述的物理气相沉积腔室，其中减小所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离或所述第四距离增大由所述磁体产生的磁场强度，且增大所述第一距离、所述第二距离、所述第三距离或所述第四距离降低由所述磁体产生的磁场强度。
9.一种在物理气相沉积腔室中沉积交替的材料层的方法，包括：
将基板放置在包括多个阴极组件的所述物理气相沉积腔室中，所述多个阴极组件包括第一阴极组件、第二阴极组件、第三靶和第四靶，所述第一阴极组件包括包含第一材料的第一靶，所述第二阴极组件包括包含与所述第一材料不同的第二材料且与所述第一靶相邻的第二靶，所述第三靶与所述第二靶相邻且包括虚拟材料，所述第四靶与所述第一靶和所述第三靶相邻且包括虚拟材料；
将上屏蔽件设置在所述多个阴极组件下方，所述上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，所述第一屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第一靶，所述第二屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第二靶，所述上屏蔽件进一步包括除在所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的区域之外的平坦表面以及在两个屏蔽孔之间的凸起区域，所述凸起区域具有长度，所述长度至少等于所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔的所述直径；
交替地从所述第一靶和所述第二靶溅射材料而没有旋转所述上屏蔽件，其中所述凸起区域防止所述第一材料污染所述第二靶并防止所述第二材料污染所述第一靶，其中所述第三靶和所述第四靶相对于所述第一靶和所述第二靶定位，使得：当所述上屏蔽件处于第一位置时，所述第一靶通过所述第一屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且在从所述第一靶和所述第二靶沉积交替的材料层期间所述第三靶和所述第四靶由所述上屏蔽件覆盖；当所述上屏蔽件旋转到第二位置时，所述第四靶通过所述第二屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第一屏蔽孔暴露；以及当所述上屏蔽件旋转到第三位置时，所述第一靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第三靶通过所述第一屏蔽孔暴露。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包括通过向所述第二靶施加磁场来清洁沉积在所述第二靶上的所述第一材料，所述磁场大于在沉积交替的材料层期间所施加的磁场。
11.如权利要求10所述的方法，进一步包括通过向所述第一靶施加磁场来清洁沉积在所述第一靶上的第二材料，所述磁场大于在沉积交替的材料层期间所施加的磁场。
12.如权利要求10所述的方法，进一步包括在从所述第二靶清洁所述第一材料之前，将所述上屏蔽件从所述第一位置旋转到所述第二位置。
13.如权利要求12所述的方法，进一步包括将所述上屏蔽件从所述第二位置旋转到所述第三位置，以使得所述第一靶通过所述第二屏蔽孔暴露，而所述第三靶通过所述第一屏蔽孔暴露。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述基板包括极紫外掩模坯料。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述第一靶材料包括钼且所述第二靶材料包括硅。
16.如权利要求15所述的方法，进一步包括沉积多个交替的材料层，所述多个交替的材料层包括包含钼的第一层和包含硅的第二层。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6042706A (en) * 1997-01-14 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition
JP2005139549A (ja) * 2003-10-15 2005-06-02 Olympus Corp 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子
JP2007107888A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Nikon Corp 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法及び縮小投影露光装置
US20140374250A1 (en) * 2012-03-14 2014-12-25 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus
WO2017035008A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for co-sputtering multiple targets
CN108604533A (zh) * 2015-12-20 2018-09-28 应用材料公司 用于处理基板的方法和设备

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4832781A (zh) 1971-09-02 1973-05-02
US4410407A (en) 1981-12-22 1983-10-18 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
JPS6029956A (ja) * 1983-07-28 1985-02-15 Kyocera Corp 光磁気記録媒体の製造方法
JPS6376325A (ja) 1987-06-30 1988-04-06 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜
JPH02159374A (ja) 1988-12-13 1990-06-19 Ube Ind Ltd イオンビームスパッタリング方法
JPH02243762A (ja) * 1989-03-17 1990-09-27 Hitachi Ltd スパッタ装置
JP3018648B2 (ja) * 1991-10-03 2000-03-13 株式会社ニコン Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法
DE19508405A1 (de) 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar
JPH11302841A (ja) * 1998-04-24 1999-11-02 Victor Co Of Japan Ltd スパッタ装置
US6323131B1 (en) 1998-06-13 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Passivated copper surfaces
US6132566A (en) 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6562522B1 (en) 1999-10-29 2003-05-13 Intel Corporation Photomasking
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6396900B1 (en) 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US6740209B2 (en) * 2001-07-27 2004-05-25 Anelva Corporation Multilayer film deposition apparatus, and method and apparatus for manufacturing perpendicular-magnetic-recording media
US6606199B2 (en) 2001-10-10 2003-08-12 Honeywell International Inc. Graded thickness optical element and method of manufacture therefor
DE10155112B4 (de) 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
US6733640B2 (en) 2002-01-14 2004-05-11 Seagate Technology Llc Shutter assembly having optimized shutter opening shape for thin film uniformity
EP1333323A3 (en) 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
US6589398B1 (en) 2002-03-28 2003-07-08 Novellus Systems, Inc. Pasting method for eliminating flaking during nitride sputtering
EP2317382B1 (en) 2002-04-11 2016-10-26 Hoya Corporation Reflective mask blank, reflective mask and methods of producing the mask blank and the mask
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
US6641899B1 (en) 2002-11-05 2003-11-04 International Business Machines Corporation Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
US20050133361A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-23 Applied Materials, Inc. Compensation of spacing between magnetron and sputter target
JP2005234209A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法
JP2005281832A (ja) 2004-03-31 2005-10-13 Sumitomo Metal Mining Co Ltd マグネトロンスパッタリング装置および該マグネトロンスパッタリング装置に用いるカソード
US20060024589A1 (en) 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7407729B2 (en) 2004-08-05 2008-08-05 Infineon Technologies Ag EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof
KR20070054651A (ko) 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
US8575021B2 (en) 2004-11-22 2013-11-05 Intermolecular, Inc. Substrate processing including a masking layer
US20060237303A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-26 Hoya Corporation Sputtering target, method of manufacturing a multilayer reflective film coated substrate, method of manufacturing a reflective mask blank, and method of manufacturing a reflective mask
US20060231388A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Ravi Mullapudi Multi-station sputtering and cleaning system
FR2884965B1 (fr) 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
US7432201B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
US7588669B2 (en) 2005-07-20 2009-09-15 Ascentool, Inc. Single-process-chamber deposition system
US20070068794A1 (en) * 2005-09-23 2007-03-29 Barret Lippey Anode reactive dual magnetron sputtering
KR20070036519A (ko) 2005-09-29 2007-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반사형 마스크
JP4652946B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP2008109060A (ja) 2005-11-10 2008-05-08 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法、ならびにｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
KR20080001023A (ko) 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법
JP2008026093A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Canon Inc 多層膜反射鏡およびその製造方法
TWI427334B (zh) 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件
JP5194888B2 (ja) 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
JP5541159B2 (ja) 2008-07-14 2014-07-09 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2010050359A1 (ja) * 2008-10-30 2010-05-06 キヤノンアネルバ株式会社 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法
US8587662B1 (en) 2008-11-06 2013-11-19 Target Brands, Inc. Theft trend analysis and response
KR101095681B1 (ko) 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
EP2264460A1 (en) 2009-06-18 2010-12-22 Nxp B.V. Device having self-assembled-monolayer
JP5766393B2 (ja) 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
JP2011097041A (ja) 2009-10-02 2011-05-12 Showa Denko Kk 半導体素子の製造方法
KR101625382B1 (ko) 2010-04-29 2016-05-30 (주)에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
KR101727783B1 (ko) 2010-06-15 2017-04-17 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 Euv 리소그래피를 위한 마스크, euv 리소그래피 시스템 그리고 마스크의 결상을 최적화하는 방법
TWI554630B (zh) 2010-07-02 2016-10-21 應用材料股份有限公司 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法
CN103210515B (zh) 2010-09-15 2015-06-03 株式会社理光 机电转换器件及其制造方法及液滴排出头和液滴排出设备
WO2012068467A2 (en) 2010-11-19 2012-05-24 University Of Delaware Hybrid dielectric - metallic back surface reflector for photovoltaic applications
JP6013720B2 (ja) 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
US8426085B2 (en) 2010-12-02 2013-04-23 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier
JP2012149339A (ja) * 2010-12-28 2012-08-09 Canon Anelva Corp スパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法
US20130062610A1 (en) 2011-09-14 2013-03-14 Andrew Clark Lattice matched crystalline reflector
WO2013077430A1 (ja) 2011-11-25 2013-05-30 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
WO2013094171A1 (ja) * 2011-12-22 2013-06-27 キヤノンアネルバ株式会社 ＳｒＲｕＯ３膜の成膜方法
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
WO2013152921A1 (en) 2012-04-12 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus
US8658333B2 (en) 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
DE112013005734B4 (de) * 2012-11-30 2022-02-03 Canon Anelva Corporation Sputtergerät und Substratbearbeitungsgerät
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
US9442387B2 (en) 2013-02-01 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process
US9812303B2 (en) 2013-03-01 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Configurable variable position closed track magnetron
US9135499B2 (en) 2013-03-05 2015-09-15 Tyco Fire & Security Gmbh Predictive theft notification for the prevention of theft
US20140254001A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Globalfoundries Inc. Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making
US9298081B2 (en) 2013-03-08 2016-03-29 Globalfoundries Inc. Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9564348B2 (en) 2013-03-15 2017-02-07 Applied Materials, Inc. Shutter blade and robot blade with CTE compensation
US9091947B2 (en) 2013-07-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof
US9134604B2 (en) 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask
JP2015086438A (ja) 2013-10-31 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9329597B2 (en) 2014-01-17 2016-05-03 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9195132B2 (en) 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
KR20160002332A (ko) 2014-06-30 2016-01-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9581890B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US9471866B2 (en) 2015-01-05 2016-10-18 Tyco Fire and Securtiy GmbH Anti-theft system used for customer service
TWI694304B (zh) 2015-06-08 2020-05-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底
KR101829604B1 (ko) 2015-08-17 2018-03-29 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법
US10468238B2 (en) * 2015-08-21 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for co-sputtering multiple targets
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
US20170092533A1 (en) 2015-09-29 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US9791771B2 (en) 2016-02-11 2017-10-17 Globalfoundries Inc. Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
KR102149907B1 (ko) 2016-03-03 2020-08-31 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 주기적 공기-물 노출에 의한 개선된 자기-조립 단분자층 차단
US10061191B2 (en) 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI811037B (zh) 2016-07-27 2023-08-01 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
JP2018085332A (ja) 2016-11-11 2018-05-31 三菱ケミカル株式会社 多孔質電極基材及び、ガス拡散層、及びガス拡散電極とその製造方法
US11011357B2 (en) 2017-02-21 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing
US10704139B2 (en) 2017-04-07 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
US10504705B2 (en) 2017-09-15 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering
TWI821300B (zh) 2018-06-19 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有護罩座的沉積系統

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6042706A (en) * 1997-01-14 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Ionized PVD source to produce uniform low-particle deposition
JP2005139549A (ja) * 2003-10-15 2005-06-02 Olympus Corp 薄膜形成装置及び薄膜形成方法並びに光学素子
JP2007107888A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Nikon Corp 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡の製造方法及び縮小投影露光装置
US20140374250A1 (en) * 2012-03-14 2014-12-25 Canon Anelva Corporation Sputtering apparatus
WO2017035008A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for co-sputtering multiple targets
CN108604533A (zh) * 2015-12-20 2018-09-28 应用材料公司 用于处理基板的方法和设备

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