CN113429820A - 一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料及其制备方法 - Google Patents

一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料及其制备方法，由Mxene和定向排列的金属Co颗粒复合而成，且所述Mxene的质量分数为80％～95％，所述Co的质量分数为5％～20％。该制备方法包括：首先，对制备的Mxene粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到Mxene粉末，之后利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵、柠檬酸钠和氟化锂配置出钴镀液，在强磁场环境中采用水合肼对Mxene粉体进行还原处理，最后进行清洗、干燥，即可。本发明通过化学镀法在Mxene层间制备定向排列的Co颗粒，相比于混乱排列的Co颗粒，能通过磁性导电颗粒间的有效连接，更容易形成导电网络，提高粉体的导电性和防腐蚀性能。

Description

一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料及其制备 方法
技术领域
本发明属于防腐涂层材料技术领域，具体涉及一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料及其制备方法。
背景技术
火力发电厂锅炉管、给水系统、汽轮机金属部件易受腐蚀影响，严重时会导致部件失效造成安全事故及人身安全事件。涂覆防腐蚀涂层是解决上述部件腐蚀问题的重要措施之一。
目前，热镀锌是主流的的防腐蚀技术之一，核心是利用电化学机制、通过镀件水洗、酸洗、浸助镀液、热镀、冷却等系列工艺提供防腐镀层。Zn通过电化学机制保护金属部件，锌的电极电位比铁的低，腐蚀过程中电流由锌流向铁，牺牲锌阳极，达到了保护阴极金属的作用。但其工艺环节复杂、升温冷却等环节耗能高且酸洗废弃物带来的严重的环境污染，除此之外，防腐镀层中锌粉含量一般不低于干膜质量的77％，在贮存过程中容易产生严重的沉底现象，在应力过大时会导致钢结构表面涂层开裂，引起水的渗入腐蚀钢结构，性能上仍存在局限。
MXene是一种新型的二维过渡金属碳化物或碳氮化物，来源于其母相MAX相选择性剥离A层，得到二维层主纳结构材料MXene。MXene作为一种类石墨烯结构的新型二维层状材料，兼具金属和陶瓷特性，MXene的电子被限制在二维平面内，呈现优异的导电性。且其优异的抗渗透性可以有效的阻隔腐蚀介质，是理想的防腐材料添填料。此外，将高导电性的金属颗粒与MXene交错排列可以形成更加密集的导电通路。电化腐蚀时，金属失去的电子会通过MXene传递到涂层表面，隔开阴极和阳极反应场所，从而抑制腐蚀；而其层间的作用力弱，易于滑移，提供了涂料的韧性，解决了传统镀锌层局部受应力过大会开裂的问题，避免了水的渗入。
鉴于上述问题及背景，本发明受三明治结构的启发，在MXene层间插入定向排列的导电磁性金属Co，将MXene和Co组装成导电网状，制备出一种高性能的防腐蚀涂层材料用定向排列Mxene/Co导电填料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料及其制备方法，该导电填料呈明显的三明治层状结构，Co颗粒之间能形成导电网络，具有优异的导电性能。
本发明采用如下技术方案来实现的：
一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料，由Mxene和在其层间呈定向排列的金属Co颗粒复合而成，且所述Mxene的质量分数为80％～95％，所述金属Co的质量分数为5％～20％。
一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，制备Mxene粉体；
步骤2，Mxene粉体的预处理：对Mxene粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到预处理后的Mxene粉末；
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵、柠檬酸钠和氟化锂配置出钴镀液；
步骤4，在强磁场环境中，利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Mxene粉体进行还原处理，得到混合渡液a；
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗2次～3次，之后放入真空干燥箱中干燥，得到定向排列的三明治结构Mxene/Co导电填料。
本发明进一步的改进在于，所述步骤1中，制备Mxene粉体，具体步骤如下：
步骤1.1，将纯度大于95％的Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在60℃～90℃条件下腐蚀处理16h～24h，得到反应液；
其中，Ti3AlC2粉体的平均粒度为5μm～20μm；Ti3AlC2粉体与HF的摩尔比为1：3～5；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，之后将得到的滤渣用去离子水清洗2次～3次，之后放入烘箱中进行干燥，得到Mxene粉体；
其中，干燥温度为100℃～120℃，干燥时间为24h～48h。
本发明进一步的改进在于，所述步骤2中，Mxene粉体的预处理，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为10min～30min；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为30min～60min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为1：1～4混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为1～4：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为30min～60min；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理，活化处理时间为1h～2h；
其中，步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗2次～4次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
干燥温度为80℃～120℃，干燥时间为24h～36h。
本发明进一步的改进在于，步骤2.1中，乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：1～3混合均匀后得到的。
本发明进一步的改进在于，步骤2.3中，SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L～0.2g/L，盐酸的浓度为100ml/L～200ml/L。
本发明进一步的改进在于，步骤2.4中，PdCl2水溶液的浓度为0.1g/L～0.2g/L，硼酸水溶液的浓度为10g/L～20g/L，盐酸的浓度为100ml/L～200ml/L。
本发明进一步的改进在于，所述步骤3中，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵、柠檬酸钠和氟化锂配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出钴镀液：
Figure BDA0003134298520000041
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至10～11。
本发明进一步的改进在于，所述步骤4按照以下步骤实施：
步骤4.1，放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至60℃～80℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与钴镀液中钴的质量比为4～19：1；
步骤4.2，将水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌30min～60min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼的浓度为：20g/L～30g/L；水合肼与钴镀液中钴的摩尔比为2～3：1。
本发明进一步的改进在于，所述步骤5中，干燥温度为80℃～120℃，干燥时间为12h～24h。
本发明至少具有如下有益的技术效果：
本发明通过在强磁场作用下制备定向排列的Mxene/Co粉体，相比于混乱排列的Co颗粒，能通过磁性导电颗粒间的有效连接，更容易形成导电网络，从而提高粉体的导电性和防腐蚀性能。
附图说明
图1是本发明一种定向排列的Mxene/Co导电填料的XRD图；
图2是本发明一种定向排列的Mxene/Co导电填料的SEM图；
图3是本发明一种定向排列的Mxene/Co的电导率图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种定向排列的Mxene/Co导电填料，由Mxene和Co复合而成，且Mxene的纯度为80％～95％，Co的质量分数为5％～20％。
本发明一种定向排列的Mxene/Co导电填料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1，制备Mxene粉体，具体步骤如下；
步骤1.1，将纯度大于95％的Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在60℃～90℃条件下腐蚀处理16h～24h，得到反应液；
其中，Ti3AlC2粉体的平均粒度为5μm～20μm；Ti3AlC2粉体与HF的摩尔比为1:3～5；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，之后将得到的滤渣用去离子水清洗2次～3次，之后放入烘箱中进行干燥，得到Mxene粉体；
干燥温度为100℃～120℃，干燥时间为24h～48h；
步骤2，Mxene粉体的预处理：对Mxene粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到Mxene粉末，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为10min～30min；
乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：1～3混合均匀后得到的；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为30min～60min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为1：1～4混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为1～4：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为30min～60min；
SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L～0.2g/L，盐酸的浓度为100ml/L～200ml/L；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理，活化处理时间为1h～2h；
其中，PdCl2水溶液的浓度为0.1g/L～0.2g/L，硼酸水溶液的浓度为10g/L～20g/L，盐酸的浓度为100ml/L～200ml/L；
步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗2次～4次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
干燥温度为100℃～120℃，干燥时间为24h～48h。
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵和柠檬酸钠配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出钴镀液：
Figure BDA0003134298520000061
Figure BDA0003134298520000071
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至10～11；
步骤4，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，然后利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Mxene粉体进行还原处理，具体按照以下步骤实施：
步骤4.1，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至60℃～80℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与钴镀液中Co的质量比为1～19：1；
步骤4.2，将水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌30min～60min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼的浓度为5g/L～15g/L；
水合肼与钴镀液中钴的摩尔比为2～3：1；
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗2次～3次，之后放入真空干燥箱中于80℃～120℃条件下干燥16h～24h，得到定向排列的Mxene/Co复合导电填料。
实施例1
本发明一种定向排列的Mxene/Co导电填料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1，制备Mxene粉体，具体步骤如下；
步骤1.1，取平均粒度为5μm、质量分数大于95％的Ti3AlC2粉体；将Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在60℃进行腐蚀处理24h，得到反应液；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，并用去离子水清洗2次，将清洗后的粉体在烘箱中在100℃条件下干燥30h；
步骤2，Mxene粉体的预处理，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为10min；
乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：1混合均匀后得到的；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为30min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为1:1混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为1：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为30min；
SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L，盐酸的浓度为100ml/L；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理1h；
步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗2次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵和柠檬酸钠配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出Ni镀液：
Figure BDA0003134298520000081
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至10；
步骤4，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Mxene粉体进行还原处理，具体按照以下步骤实施：
步骤4.1，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至60℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与钴镀液中镍的质量比为4：1；
步骤4.2，将浓度为5g/L的水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌30min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼与钴镀液中钴的摩尔比为2：1；
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗2次，之后放入真空干燥箱中于80℃条件下干燥24h，得到定向排列的Mxene/Co复合导电填料。
实施例2
本发明一种定向排列的Mxene/Co复合导电填料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1，制备Mxene粉体，具体步骤如下；
步骤1.1，取平均粒度为5μm、质量分数大于95％的Ti3AlC2粉体；将Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在80℃进行腐蚀处理20h，得到反应液；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，并用去离子水清洗2次，将清洗后的粉体在烘箱中在100℃条件下干燥30h；
步骤2，Mxene粉体的预处理，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为30min；
乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：1混合均匀后得到的；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为60min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为1：4混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为4：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为60min；
SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L，盐酸的浓度为100ml/L；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理2h；
步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗3次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵和柠檬酸钠配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出Ni镀液：
Figure BDA0003134298520000101
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至11；
步骤4，利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Ti3SiC2粉体进行还原处理，具体按照以下步骤实施：
步骤4.1，将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至80℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与钴镀液中钴的质量比为19：1；
步骤4.2，将10g/L的水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌60min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼与钴镀液中镍的摩尔比为3：1；
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗3次，之后放入真空干燥箱中于120℃条件下干燥12h，得到定向排列的Mxene/Co复合导电填料。
实施例3
本发明一种定向排列的Mxene/Co复合导电填料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1，制备Mxene粉体，具体步骤如下；
步骤1.1，取平均粒度为10μm、质量分数大于95％的Ti3AlC2粉体；将Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在70℃进行腐蚀处理22h，得到反应液；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，并用去离子水清洗2次，将清洗后的粉体在烘箱中在110℃条件下干燥24h；
步骤2，Mxene粉体的预处理，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为20min；
乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：1混合均匀后得到的；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为40min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为1：3混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为4：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为40min；
SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L，盐酸的浓度为100ml/L；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理1.5h；
步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗3次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵和柠檬酸钠配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出Ni镀液：
Figure BDA0003134298520000121
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至11；
步骤4，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Mxene粉体进行还原处理，具体按照以下步骤实施：
步骤4.1，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中,将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至70℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与钴镀液中镍的质量比为10：1；
步骤4.2，将15g/L的水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌40min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼与钴镀液中钴的摩尔比为2：1；
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗3次，之后放入真空干燥箱中于100℃条件下干燥20h，得到定向排列的Mxene/Co复合导电填料。
实施例4
本发明一种定向排列的Mxene/Co复合导电填料的制备方法，具体按照以下步骤实施：
步骤1，制备Mxene粉体，具体步骤如下；
步骤1.1，取平均粒度为20μm、质量分数大于95％的Ti3AlC2粉体；将Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在80℃进行腐蚀处理20h，得到反应液；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，并用去离子水清洗2次，将清洗后的粉体在烘箱中在100℃条件下干燥24h；
步骤2，Mxene粉体的预处理，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为20min；
乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：2混合均匀后得到的；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为50min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为(1:2)混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为4：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为50min；
SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L，盐酸的浓度为100ml/L；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理2h；
步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗3次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵和柠檬酸钠配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出Ni镀液：
Figure BDA0003134298520000141
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至11；
步骤4，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Ti3SiC2粉体进行还原处理，具体按照以下步骤实施：
步骤4.1，在烧杯两侧分别放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至80℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与镀液中镍的质量比为3：1。
步骤4.2，将10g/L的水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌40min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼与钴镀液中钴的摩尔比为3：1。
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗3次，之后放入真空干燥箱中于120℃条件下干燥20h，得到定向排列的Mxene/Co复合导电填料。
利用本发明方法制备的一种定向排列的三明治结构Mxene/Co复合导电填料的XRD图，如图1所示，由图可知，除了的Mxene衍射峰外，还能明显观察到Co的衍射峰，说明成功制备了Mxene/Co复合导电填料。
本发明一种Mxene/Co复合导电填料的制备方法，通过在强磁场作用下制备定向排列的Mxene/Co粉体，相比于混乱排列的Co颗粒，能通过磁性导电颗粒间的有效连接，更容易形成导电网络，提高粉体的导电性和防腐蚀性能。
利用本发明的方法得到的Mxene/Co复合导电填料的SEM和电导率，如图2及图3所示，从图中可以看出，Mxene/Co复合导电填料中Co很明显的进行了定向排列在Mxene层间，且其电导率明显高于混乱排列的复合粉体，是一种具有应用前景的用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料。

Claims (10)

1.一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料，其特征在于，由Mxene和在其层间呈定向排列的金属Co颗粒复合而成，且所述Mxene的质量分数为80％～95％，所述金属Co的质量分数为5％～20％。
2.一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，制备Mxene粉体；
步骤2，Mxene粉体的预处理：对Mxene粉体依次进行醇洗、粗化、敏化、活化、水洗以及烘干处理，得到预处理后的Mxene粉末；
步骤3，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵、柠檬酸钠和氟化锂配置出钴镀液；
步骤4，在强磁场环境中，利用步骤3得到的钴镀液和水合肼对经步骤2预处理后的Mxene粉体进行还原处理，得到混合渡液a；
步骤5，采用去离子水将经步骤4后得到的混合渡液a清洗2次～3次，之后放入真空干燥箱中干燥，得到定向排列的三明治结构Mxene/Co导电填料。
3.根据权利要求2所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，制备Mxene粉体，具体步骤如下：
步骤1.1，将纯度大于95％的Ti3AlC2粉体浸入质量浓度为40％的HF溶液中，密封后在60℃～90℃条件下腐蚀处理16h～24h，得到反应液；
其中，Ti3AlC2粉体的平均粒度为5μm～20μm；Ti3AlC2粉体与HF的摩尔比为1：3～5；
步骤1.2，经步骤1.1后，将反应液进行过滤，之后将得到的滤渣用去离子水清洗2次～3次，之后放入烘箱中进行干燥，得到Mxene粉体；
其中，干燥温度为100℃～120℃，干燥时间为24h～48h。
4.根据权利要求2所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，Mxene粉体的预处理，具体步骤如下：
步骤2.1，将经步骤1后得到的Mxene粉体倒入乙醇水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于乙醇水溶液，利用乙醇水溶液对Mxene粉体进行醇洗，醇洗时间为10min～30min；
步骤2.2，将经步骤2.1后得到的Mxene粉体倒入硝酸水溶液中，并使Mxene粉体完全浸没于硝酸水溶液，利用硝酸水溶液对Mxene粉体进行粗化处理，粗化处理时间为30min～60min；
硝酸水溶液是由硝酸和水按体积比为1：1～4混合均匀后得到的；
步骤2.3，按体积比为1～4：1将盐酸和SnCl2水溶液混合，形成敏化处理液，将经步骤2.2后得到的Mxene粉体倒入敏化处理液中，并使Mxene粉体完全浸没于敏化处理液中，利用敏化处理液对Mxene粉体进行敏化处理，敏化处理时间为30min～60min；
步骤2.4，按质量比为1：1：1将PdCl2水溶液、硼酸水溶液及盐酸混合，形成活化液，将经步骤2.3后得到的Mxene粉体倒入活化液中，并使Mxene粉体完全浸没于活化液中，利用活化液对Mxene粉体进行活化处理，活化处理时间为1h～2h；
其中，步骤2.5，采用去离子水对经步骤2.4活化处理后的Mxene粉体清洗2次～4次，再依次经离心、过滤处理，之后放入烘箱中进行干燥，得到预处理后的Mxene粉体；
干燥温度为80℃～120℃，干燥时间为24h～36h。
5.根据权利要求3所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，步骤2.1中，乙醇水溶液是由乙醇和水按体积比为1：1～3混合均匀后得到的。
6.根据权利要求3所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，步骤2.3中，SnCl2水溶液的浓度为0.1g/L～0.2g/L，盐酸的浓度为100ml/L～200ml/L。
7.根据权利要求3所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，步骤2.4中，PdCl2水溶液的浓度为0.1g/L～0.2g/L，硼酸水溶液的浓度为10g/L～20g/L，盐酸的浓度为100ml/L～200ml/L。
8.根据权利要求2所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，利用Co(NO3)2·6H2O、氯化铵、柠檬酸钠和氟化锂配置出钴镀液，具体方法如下：
于常温条件下，按如下顺序及配比将各原料混合，配制出钴镀液：
Figure FDA0003134298510000031
溶解并搅拌均匀后，通过添加NaOH将溶液pH调至10～11。
9.根据权利要求2所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，所述步骤4按照以下步骤实施：
步骤4.1，放置两组磁场强度为1T的氦母赫兹线圈，使其处于强磁场环境中，将经步骤2预处理后的Mxene粉体浸入到经步骤3配置的钴镀液中，进行机械搅拌，并加热至60℃～80℃，得到混合渡液；
Mxene粉体与钴镀液中钴的质量比为4～19：1；
步骤4.2，将水合肼缓慢滴加到经步骤4.1后得到的混合渡液中进行还原反应，待水合肼滴加完毕后，继续搅拌30min～60min，使还原反应充分进行，得到混合渡液a；
水合肼的浓度为：20g/L～30g/L；水合肼与钴镀液中钴的摩尔比为2～3：1。
10.根据权利要求2所述的一种用于防腐蚀涂层的定向排列Mxene/Co导电填料的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，干燥温度为80℃～120℃，干燥时间为12h～24h。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114605894A (zh) * 2022-04-11 2022-06-10 西安热工研究院有限公司 一种基于AgNWs/Ti3AlC2导电填料的防腐蚀涂层及制备方法
CN114736431A (zh) * 2022-04-11 2022-07-12 西安热工研究院有限公司 MXene/镍纳米线导电填料及制备方法和应用
CN114906795A (zh) * 2022-04-24 2022-08-16 电子科技大学 一种二维MXenes材料的原子尺度MEMS传感器及其制备方法与应用

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102732863A (zh) * 2012-03-16 2012-10-17 福州大学 一种磁场辅助石墨型碳材料化学镀磁性金属的制备方法
CN105733189A (zh) * 2016-03-06 2016-07-06 北京化工大学 基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法
CN107020374A (zh) * 2017-06-01 2017-08-08 西安工程大学 一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法
CN108633242A (zh) * 2018-04-11 2018-10-09 西安工程大学 一种钛碳/镍复合粉体电磁波吸收剂及制备方法
CN109487246A (zh) * 2018-10-18 2019-03-19 北京交通大学 一种磁性核/壳结构的Ti3C2烯/Ni粉体及其制备方法
CN109712769A (zh) * 2019-01-30 2019-05-03 郑州大学 一种MXene-磁性金属复合材料及其制备方法
US20190264330A1 (en) * 2018-02-24 2019-08-29 Tangshan Normal University Method of electroless nickle plating on surface of silicon carbide powder
CN110340376A (zh) * 2019-07-16 2019-10-18 浙江大学 一种花状镍线吸波材料及其制备方法
CN110499142A (zh) * 2019-09-25 2019-11-26 深圳大学 一种高效屏蔽电磁干扰MXene/金属离子复合材料及其制备方法
CN112225220A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 郑州大学 一种MXene/Ni复合材料及其制备方法和应用
CN113258301A (zh) * 2021-05-14 2021-08-13 同济大学 一种复合材料及其制备方法和用途

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102732863A (zh) * 2012-03-16 2012-10-17 福州大学 一种磁场辅助石墨型碳材料化学镀磁性金属的制备方法
CN105733189A (zh) * 2016-03-06 2016-07-06 北京化工大学 基于二维纳米填料磁致取向的高阻隔复合材料及制备方法
CN107020374A (zh) * 2017-06-01 2017-08-08 西安工程大学 一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法
US20190264330A1 (en) * 2018-02-24 2019-08-29 Tangshan Normal University Method of electroless nickle plating on surface of silicon carbide powder
CN108633242A (zh) * 2018-04-11 2018-10-09 西安工程大学 一种钛碳/镍复合粉体电磁波吸收剂及制备方法
CN109487246A (zh) * 2018-10-18 2019-03-19 北京交通大学 一种磁性核/壳结构的Ti3C2烯/Ni粉体及其制备方法
CN109712769A (zh) * 2019-01-30 2019-05-03 郑州大学 一种MXene-磁性金属复合材料及其制备方法
CN112225220A (zh) * 2019-07-15 2021-01-15 郑州大学 一种MXene/Ni复合材料及其制备方法和应用
CN110340376A (zh) * 2019-07-16 2019-10-18 浙江大学 一种花状镍线吸波材料及其制备方法
CN110499142A (zh) * 2019-09-25 2019-11-26 深圳大学 一种高效屏蔽电磁干扰MXene/金属离子复合材料及其制备方法
CN113258301A (zh) * 2021-05-14 2021-08-13 同济大学 一种复合材料及其制备方法和用途

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114605894A (zh) * 2022-04-11 2022-06-10 西安热工研究院有限公司 一种基于AgNWs/Ti3AlC2导电填料的防腐蚀涂层及制备方法
CN114736431A (zh) * 2022-04-11 2022-07-12 西安热工研究院有限公司 MXene/镍纳米线导电填料及制备方法和应用
CN114906795A (zh) * 2022-04-24 2022-08-16 电子科技大学 一种二维MXenes材料的原子尺度MEMS传感器及其制备方法与应用
CN114906795B (zh) * 2022-04-24 2023-05-16 电子科技大学 一种二维MXenes材料的原子尺度MEMS传感器及其制备方法与应用

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