CN113286434A - 一种任意互连hdi板的对位方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种任意互连HDI板的对位方法，包括：（1）压合：对基板进行压合，压合后采用X‑Ray机中心见靶钻的方式，钻出3个L靶和4个板角CCD定位靶孔；（2）镭射：以4个板角CCD定位靶孔进行预定位，镭射先烧出4个板角的凹靶，然后抓取凹靶中靶点，自动拉伸镭射钻带进行镭射钻孔，同时镭射烧出LDI凸靶；（3）线路LDI曝光：增层制作线路图形转移时，LDI机抓取凸靶自动系数对位曝光，同时在板角指定的位置制作下一次增层所需的对位标靶，以此类推；该方法简单易行，进行优化HDI产品对位标靶设计，增加凹靶和凸靶，令HDI板在增层制作的过程中，PCB基板、镭射钻孔、线路增层始终如一，在统一的涨缩下进行生产，有效的保障了HDI任意互连盲孔堆叠的对位精度。
Description
技术领域
本发明涉及一种任意互连HDI板的盲孔堆叠对位方法，属于印制电路板制作技术领域。
背景技术
基于印制电路HDI板，任意互连产品结构，盲孔堆叠对位的关键技术领域。原有技术为使用3.175mm的7个靶孔（3个L靶+4个CCD靶）进行对位制作，因该CCD靶孔为压合后X-Ray钻出，为镭射、钻孔、线路制作提供共同的对位标靶（定位），在生产的过程中因板子涨缩问题，靶孔容易受损，线路对位曝光时抓靶偏位，从而导致HDI盲堆叠偏孔异常。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种任意互连HDI板的对位方法，该方法简单易行，在原有技术的基础上，进行优化HDI产品对位标靶设计，增加镭射对位内靶凹靶，和LDI对位镭射环形标靶凸靶，令HDI板在增层制作的过程中，PCB基板、镭射钻孔、线路增层始终如一，在统一的涨缩下进行生产，有效的保障了HDI任意互连盲孔堆叠的对位精度。
为了解决以上技术问题，本发明提供一种任意互连HDI板的对位方法，具体包括以下步骤：
（1）压合
对L1-3层基板进行压合形成多层板，完成压合后，采用X-Ray机中心见靶钻的方式，钻出3.175mm的7个通孔靶标，7个通孔靶标包括3个L靶和4个板角CCD定位靶孔；
（2）镭射
以步骤（1）中的4个板角CCD定位靶孔进行预定位，镭射先烧出4个板角的凹靶，然后抓取凹靶中靶点，自动拉伸镭射钻带进行镭射钻孔，同时镭射烧出4个LDI凸靶，使其镭射盲孔的位置精度与凸靶的坐标系数保持一致；
（3）线路LDI曝光
增层制作线路图形转移时，LDI机抓取凸靶自动系数对位曝光，使其图形转移的系数与PCB板实物、镭射钻孔系数一致，同时在板角指定的位置制作下一次增层所需的对位标靶，对位标靶为7个通孔靶标图案和4个镭射凹靶靶点的图案，，以此类推。
本发明进一步限定的技术方案是：
进一步的，前述任意互连HDI板的对位方法中，步骤（2）镭射烧出4个板角的凹靶，凹靶采用L1-3层的方法设计，L1、L3 层为全铜皮，L2层负蚀刻直径0.8mm的圆，镭射该凹靶的尺寸为3.5*3.5mm的方形，在L2层铜皮处镭射出一个直径0.8mm的圆孔，具体操作为：
首先学习板角的4个3.175mm的CCD定位靶孔进行预定位，然后镭射烧出4个角的N-1凹靶，最后镭射机自动学习凹靶，并自动拉伸系数进行镭射钻孔，使其镭射钻出的盲孔落在盲孔底PAD的设计中心位置，任意互连HDI板在每次增层制作时均沿用此方法，依此类推。
前述任意互连HDI板的对位方法中，L1、L3 层为全铜皮。
前述任意互连HDI板的对位方法中，步骤（2）镭射烧出LDI凸靶，具体操作为：
凸靶采用L1-2层的方法进行设计，L1、L2层为全铜皮，在镭射钻孔的同时， 镭射烧出一个环形内径63mil、外径92mil的圆环，使其在PCB表面平行制作出一个凸台形成凸靶；
此凸台将作为LDI线路曝光对位定位靶点，LDI采取自动系数对位曝光作业，使其图形与镭射盲孔一一对应，满足盲孔堆叠对位±1mil的对位精度要求。
本发明的有益效果是：
原HDI板对位标靶为通孔靶（X-Ray钻出），因在钻孔、电镀、磨板时，PCB板的靶孔容易受损、变形，公差大等特点，易导致线路、镭射增层时盲孔。
现镭射凹靶与凸靶，系在PCB板的同一坐标体系下，通过镭射、线路，自动涨缩系数制作，大大提升了对位精度，从而满足Anylayer HDI堆叠盲孔±1mil的需求。
本发明任意互连HDI板的对位方法，该方法简单易行，在原有技术的基础上，进行优化HDI产品对位标靶设计，增加N-1镭射对位内靶，和LDI对位镭射环形标靶，令HDI板在增层制作的过程中，PCB基板、镭射钻孔、线路增层始终如一，在统一的涨缩下进行生产，有效的保障了HDI任意互连盲孔堆叠的对位精度。
本发明通过综上3点压合、镭射及线路LDI曝光相结合，始终令线路、镭射、线路的对位方式与涨缩坐标系数保持一致，从而实现Anylayer HDI 堆叠盲孔±1mil的需求。
附图说明
图1本设置于发明实施例中多层板上7个通孔靶标、凹靶及凸靶的结构示意图；
图2为本发明实施例中凹靶的结构示意图；
图3为本发明实施例中凸靶的结构示意图；
图4 Anylayer HDI盲孔堆叠对位结果示意图。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供的一种任意互连HDI板的对位方法，结构如图1-4所示，具体包括以下步骤：
（1）压合
按现有技术对多层基板进行压合，对L1-3层基板进行压合形成多层板，完成压合后，采用X-Ray机中心见靶钻的方式，见图1所示钻出3.175mm的7个通孔靶标，7个通孔靶标包括3个L靶F、E、G和4个板角CCD定位靶孔A、D、C、B，其中：孔A、B的连线与孔A、D的连线这两条边的夹角为90°；
孔A&B&E&F与D&G在同一条直线；
CCD定位靶孔C为防呆靶，相对孔B固定上移5mm做防呆；
孔F为中间L形靶中的防呆靶，相对EF靶距离≥100mm；
L形靶需要在板中心X轴或其两侧，上下最大偏移不能超过20mm；
第一次压合的靶标设置在最外层，每增加一次压合，靶标在X方向向内缩2mm，Y方向向内缩10mm；
孔A和D相对板板中心Y轴对称，孔A与B相对板中心X轴对称；如与其它Symbol有重叠，可适当调整，但必须满足上述条件；
出X-Ray靶位图时，以A靶点作为原点（0,0）；
（2）镭射
以步骤（1）中的4个板角CCD定位靶孔进行预定位，镭射先烧出4个板角的凹靶（N-1镭射对位内靶，N-1是指如L1层镭射，标靶设计L2层，L2层镭射，标靶设计L3层，以此内推），然后抓取凹靶中（L2层）靶点，自动拉伸镭射钻带进行镭射钻孔，同时镭射烧出4个LDI凸靶（LDI对位镭射环形标靶），使其镭射盲孔的位置精度与凸靶的坐标系数保持一致；
（3）线路LDI曝光
增层制作线路图形转移时，LDI机抓取凸靶自动系数对位曝光，使其图形转移的系数与PCB板实物、镭射钻孔系数一致，同时在板角指定的位置制作下一次增层所需的对位标靶，对位标靶为7个通孔靶标图案和4个镭射凹靶靶点（L2层）的图案，以此类推。
在本实施例中，步骤（2）镭射烧出4个板角的凹靶，凹靶采用L1-3层的方法设计，L1、L3 层为全铜皮，L2层负蚀刻直径0.8mm的圆，镭射该凹靶的尺寸为3.5*3.5mm的方形，在L2层铜皮处镭射出一个直径0.8mm的圆孔如图2所示，具体操作为：
首先学习板角的4个3.175mm的CCD定位靶孔进行预定位，然后镭射烧出4个角的N-1凹靶，最后镭射机自动学习凹靶，并自动拉伸系数进行镭射钻孔，使其镭射钻出的盲孔落在盲孔底PAD的设计中心位置，任意互连HDI板在每次增层制作时均沿用此方法，依此类推。
在本实施例中，步骤（2）镭射烧出LDI凸靶，具体操作为：
凸靶采用L1-2层的方法进行设计，在镭射钻孔的同时， 镭射烧出一个环形内径63mil、外径92mil的圆环，使其在PCB表面平行制作出一个凸台形成凸靶（圆形PAD）如图3所示；
此凸台将作为LDI线路曝光对位定位靶点，LDI采取自动系数对位曝光作业，使其图形与镭射盲孔一一对应，如图4所示，满足盲孔堆叠对位±1mil的对位精度要求。
在本实施例中，所有的靶标中心距成型区需≥6.8mm。
除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。
Claims (3)
1.一种任意互连HDI板的对位方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
（1）压合
对L1-3层基板进行压合形成多层板，完成压合后，采用X-Ray机中心见靶钻的方式，钻出3.175mm的7个通孔靶标，7个通孔靶标包括3个L靶和4个板角CCD定位靶孔；
（2）镭射
以步骤（1）中的4个板角CCD定位靶孔进行预定位，镭射先烧出4个板角的凹靶，然后抓取凹靶中靶点，自动拉伸镭射钻带进行镭射钻孔，同时镭射烧出4个LDI凸靶，使其镭射盲孔的位置精度与凸靶的坐标系数保持一致；
（3）线路LDI曝光
增层制作线路图形转移时，LDI机抓取凸靶自动系数对位曝光，使其图形转移的系数与PCB板实物、镭射钻孔系数一致，同时在板角指定的位置制作下一次增层所需的对位标靶，所述的对位标靶为7个通孔靶标图案和4个镭射凹靶靶点的图案，以此类推。
2.根据权利要求1所述的任意互连HDI板的对位方法，其特征在于：步骤（2）镭射烧出4个板角的凹靶，凹靶采用L1-3层的方法设计，L1、L3 层为全铜皮，L2层负蚀刻直径0.8mm的圆，镭射该凹靶的尺寸为3.5*3.5mm的方形，在L2层铜皮处镭射出一个直径0.8mm的圆孔，具体操作为：
首先学习板角的4个3.175mm的CCD定位靶孔进行预定位，然后镭射烧出4个角的N-1凹靶，最后镭射机自动学习凹靶，并自动拉伸系数进行镭射钻孔，使其镭射钻出的盲孔落在盲孔底PAD的设计中心位置，任意互连HDI板在每次增层制作时均沿用此方法，依此类推。
3.根据权利要求1所述的任意互连HDI板的对位方法，其特征在于：步骤（2）镭射烧出LDI凸靶，具体操作为：
凸靶采用L1-2层的方法进行设计，L1、L2层均为铜皮，在镭射钻孔的同时， 镭射烧出一个环形内径63mil、外径92mil的圆环，使其在PCB表面平行制作出一个凸台形成凸靶；
此凸台将作为LDI线路曝光对位定位靶点，LDI采取自动系数对位曝光作业，使其图形与镭射盲孔一一对应，满足盲孔堆叠对位±1mil的对位精度要求。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113891579A (zh) * | 2021-09-22 | 2022-01-04 | 宜兴硅谷电子科技有限公司 | 一种hdi板深v盲孔的制作方法 |
| CN114340225A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-12 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法 |
| CN114364167A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 适用于镭射通孔的双层封装基板对准方法 |
| CN116634661A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-08-22 | 广州添利电子科技有限公司 | 一种厚铜hdi电路板复合标靶及其制作工艺 |
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2021
- 2021-05-14 CN CN202110525121.8A patent/CN113286434A/zh active Pending
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| CN113891579A (zh) * | 2021-09-22 | 2022-01-04 | 宜兴硅谷电子科技有限公司 | 一种hdi板深v盲孔的制作方法 |
| CN114340225A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-12 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法 |
| CN114364167A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 适用于镭射通孔的双层封装基板对准方法 |
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| CN114340225B (zh) * | 2021-12-23 | 2024-02-23 | 江苏普诺威电子股份有限公司 | 适用于镭射盲孔的多层封装基板对准方法 |
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